JP3246127U - 組み込み式デュアルインラインメモリモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】製造コストを低減し、電気的性能を向上させる組み込み式デュアルインラインメモリモジュールを提供する。【解決手段】組み込み式デュアルインラインメモリモジュール１は、プリント回路基板１０、第１メモリチップセット２０および第２メモリチップセット３０を含む。前記第１メモリチップセットの複数のメモリチップ２１は、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板の第１回路層１３に電気的に接続される。前記第２メモリチップセットの複数のメモリチップ３１は、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板の第２回路層１４に電気的に接続される。前記メモリモジュール上の各前記メモリチップは、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板に直接設けられるため、前記メモリモジュールは、ワイヤボンディング技術によって生成される電気的接続用金属ワイヤを設けない。【選択図】図１

Description

本考案は、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）、特にプロセスの全ての電気接続がフリップチップ技術を使用して完了する組み込み式デュアルインラインメモリモジュール（ＥｍｂｅｄｄｅｄＤＩＭＭ）に関する。

ＷｉｎｄｏｗＢＧＡ技術は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ、ダイナミックランダムアクセスメモリ）の従来のパッケージングタイプであり、従来のデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ，Ｄｕａｌ Ｉｎ－ｌｉｎｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ｍｏｄｕｌｅ）の製造に使用される。図７を参照すると、従来のデュアルインラインメモリモジュール２は、プリント回路基板２ａ、表面２ｂ、配線２ｃ、チップパッケージ構造群２ｄ、読み取り専用メモリ２ｆ、および導電性コンタクト２ｇを含み、前記チップパッケージ構造群２ｄは、複数のチップパッケージ構造２ｅを含み、各前記チップパッケージ構造２ｅは、ＷｉｎｄｏｗＢＧＡ技術を用いて作製され、キャリアボード２ｈ、チップ２ｉ及びウィンドウ構造２ｊを含み、前記チップ２ｉは、ワイヤボンディング技術によって生成された金属ワイヤを使用して、ウィンドウ構造２ｊを介して前記キャリアボード２ｈに電気的に接続される（図示せず）。前記チップパッケージ構造群２ｄは、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を用いて前記プリント回路基板２ａの前記表面２ｂ上に対応して設けられる前記配線２ｃに電気的に接続される。

上記から、従来のデュアルインラインメモリモジュールは、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を使用して、先ず複数のチップパッケージを製造して複数のチップパッケージ構造体を形成し（第１パッケージプロセスとみなすことができる）、その後複数のチップパッケージ構造体をプリント回路基板に設置され（第２パッケージプロセスとみなすことができる）、以下の利点を有する。（１）従来のデュアルインラインメモリモジュールのプロセスは、第１及び第２のパッケージプロセスを含むため、構造中の電気的に接続される配線が相対的に長くなり、電気的性能が相対的に低下する。（２）このプロセスは第１及び第２パッケージプロセスを含むため、製造側の製造コストが相対的に増加し、現在の省エネの要求を満たすことができない。（３）第１パッケージプロセスはワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を使用して完了するため、使用される金属ワイヤ（金ワイヤなど）により、製造側の材料コストが相対的に増加する。

また、従来のデュアルインラインメモリモジュールのプリント回路基板及びチップパッケージ構造は、むき出しの状態で外部に露出しているため、プリント回路基板とチップパッケージ構造が損傷し易く、且つ長期の露出によって容易に金属材料の酸化を招き、使用寿命を短縮させる。

特開2021-119630号公報

本考案の目的は、プリント回路基板、第１メモリチップセットおよび第２メモリチップセットを含む組み込み式デュアルインラインメモリモジュール（ＥｍｂｅｄｄｅｄＤＩＭＭ）を提供することである。前記第１メモリチップセットの複数のメモリチップは、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を使用して前記プリント回路基板の第１面上の第１回路層に電気的に接続されるように対応して設けられる。前記第２メモリチップセットの複数のメモリチップは、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板の第２面上の第２回路層に電気的に接続されるように対応して設けられる。前記メモリモジュール上の各前記メモリチップは、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板（ＷＬＣＳＰ ｏｎ ＤＩＭＭ）に直接設けられるため、前記メモリモジュールは、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によって生成される電気的接続用の金属ワイヤを設けないという附帯条件を有し、従来のデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）の改良すべき欠点を効果的に解決する。

上記の目的を達成するために、本考案は、プリント回路基板、第１メモリチップセットおよび第２メモリチップセットを含む組み込み式デュアルインラインメモリモジュールを提供する。前記プリント回路基板は、第１面、前記第１面と相対する第２面、第１回路層、第２回路層、および導電性コンタクトを含み、前記第１回路層は、前記第１面に配置され、前記第２回路層は、前記第２面に配置され、前記導電性コンタクトは、外部電子装置のメインボードとの電気的に接続することに使用される。前記第１メモリチップセットは、複数のメモリチップを含み、各メモリチップは、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を用いて前記プリント回路基板の前記第１面に対応して設けられた前記第１回路層に電気的に接続される。前記第２メモリチップセットは、複数のメモリチップを含み、各前記メモリチップは、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板の前記第２面に対応して設けられた前記第２回路層に電気的に接続される。前記メモリモジュール上の各前記メモリチップは、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板に直接設けられるため、前記メモリモジュールは、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によって生成される電気的接続用の金属ワイヤを設けないという附帯条件を有する。前記メモリモジュールの製造方法は、プリント回路基板を提供し、前記プリント回路基板は、第１面、前記第１面と相対する第２面、第１回路層、第２回路層、および導電性コンタクトを含み、前記第１回路層は、前記第１面に配置され、前記第２回路層は、前記第２面に配置されるステップＳ１と、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を使用して、前記プリント回路基板の前記第１面上の前記第１回路層上に電気的に接続するように第１メモリチップセットを対応して設け、前記第１メモリチップセットは、複数のメモリチップを含むステップＳ２と、フリップチップ技術を使用して、前記プリント回路基板の前記第２面上の前記第２回路層上に電気的に接続するように第２メモリチップセットを対応して設け、メモリモジュールを完成させ、前記第２メモリチップセットは、複数のメモリチップを含むステップＳ３と、を含む。

本考案の一好適実施形態において、前記メモリモジュールは、射出成形技術により前記メモリモジュールを覆い、前記メモリモジュール上の前記プリント回路基板の前記導電性コンタクトを露出させる封止フィルム層をさらに含む。

本考案の一好適実施形態において、前記封止フィルム層は、平坦な第１面と前記第１面に相対する平坦な第２面を更に有し、前記第１面は、前記第１メモリチップセットの外部に位置し、前記第２面は、前記第２メモリチップセットの外部に位置する。

本考案の前記メモリモジュールは、以下の利点を有する。
（１）各前記メモリチップは、フリップチップ技術を用いて前記プリント回路基板上に直接設けられるため、電子部材間の接続線が短くなり、電子部材間の電気的性能が向上する。
（２）前記メモリモジュールは、１回のパッケージプロセスで製品が完成するため、製造側の工程コストの低減に有利である。
（３）前記メモリモジュールの製品のプロセスは、ワイヤボンディング作業を含まず、製造側が金属ワイヤ（金線等）を使用せず、製造側の材料コストを節約することができる。

本考案のメモリモジュールの上面説明図である。 本考案のメモリモジュールの側面説明図である。 本考案のプリント回路基板上に電気的に接続するように対応して設けられた第１メモリチップセットの側面分解説明図である。 本考案のプリント回路基板上に電気的に接続するように対応して設けられた第１メモリチップセットの側面組み合わせ説明図である。 本考案のプリント回路基板に電気的に接続するように対応して設けられた第２メモリチップセットの側面分解説明図である。 本考案のプリント回路基板に電気的に接続するように対応して設けられた第２メモリチップセットの側面組み合わせ説明図である。 従来のデュアルインラインメモリモジュールの上面説明図である。

図１及び図２を参照し、本考案は、組み込み式デュアルインラインメモリモジュール（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ ＤＩＭＭ）１を提供し、前記メモリモジュール１は、プリント回路基板１０（ＰＣＢ，Ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、第１メモリチップセット２０、および第２メモリチップセット３０を含む。

前記プリント回路基板１０は、図２に示すように、第１面１１および相対する第２面１２、第１回路層１３、第２回路層１４、および導電性コンタクト１５を含み、前記第１回路層１３は、前記第１面１１上に配置され、前記第２回路層１４は、前記第２面１２上に配置され、前記導電性コンタクト１４は、外部電子装置のメインボードと電気的に接続することに用いられ、例えば、サーバ（Ｓｅｒｖｅｒ）、ワークステーション（Ｗｏｒｋｓｔａｔｉｏｎ）、又はパソコン（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）のメインボードに応用されるが、これに限定するものではない。

前記第１メモリチップセット２０は、図１に示すように、複数のメモリチップ２１を含み、各前記メモリチップ２１は、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を利用して前記プリント回路基板１０の前記第１面上の前記第１回路層１３に電気的に接続されるように対応して設けられる（図２参照）。図１に示す実施形態では、各前記メモリチップ２１の数は８つであるが、これに限定するものではない。

前記第２メモリチップセット３０は、図１に示すように、複数のメモリチップ３１を含み、各前記メモリチップ３１は、フリップチップ技術を利用して前記プリント回路基板１０の前記第２面１２上の前記第２回路層１４上に電気的に接続されるように対応して設けられる（図２参照）。図１に示す実施形態では、各前記メモリチップ３１の数は８つであるが、これに限定するものではない。

前記メモリモジュール１上の各前記メモリチップ２１、３１は、フリップチップ技術によって前記プリント回路基板１０上（ＤＩＭＭ上のＷＬＣＳＰ）に直接設けられ（図２参照）、したがって、前記メモリモジュール１は、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によって生成される電気的接続用の金属ワイヤ（金ワイヤ等）を設けないという附帯条件を有する。

図１、図３～図６を参照し、前記メモリモジュール１の製造方法は、以下のステップを含む。
ステップＳ１：図３に示すように、プリント回路基板１０を提供し、前記プリント回路基板１０は、第１面１１、前記第１面１１と相対する第２面１２、第１回路層１３、第２回路層１４、および導電性コンタクト１５を含み、前記第１回路層１３は、前記第１面１１に配置され、前記第２回路層１４は、前記第２面１２に配置される。
ステップＳ２：図３および図４に示すように、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を使用して、前記プリント回路基板１０の前記第１面１１上の前記第１回路層１３上に電気的に接続するように第１メモリチップセット２０を対応して設け、前記第１メモリチップセット２０は、複数のメモリチップ２１を含む（図１参照）。
ステップＳ３：図５および図６に示すように、フリップチップ技術を使用して、前記プリント回路基板１０の前記第２面１２上の前記第２回路層１４上に電気的に接続するように第２メモリチップセット３０を対応して設け、メモリモジュール１を完成させ、前記第２メモリチップセットは３０、複数のメモリチップ３１を含む（図１参照）。

各前記メモリチップ２１は、図３に示すように、更に少なくとも１つのはんだボール５０を介して前記第１回路層１３にはんだ付けされ、各前記メモリチップ３１は、図５に示すように、更に、少なくとも１つのはんだボール５０を介して前記第２回路層１４にはんだ付けされる。

図２を参照し、前記メモリモジュール１は、射出成形技術を利用して前記メモリモジュール１を覆うが、前記メモリモジュール１上の前記プリント回路基板１０の前記導電性コンタクト１５を露出させる封止フィルム層４０をさらに含む。前記封止フィルム層４０は、図２に示すように、平坦な第１面４１と、対応する平坦な第２面４２をさらに有する。図２に示すように、前記第１面４１は、前記第１メモリチップセット２０の外部に位置し、前記第２面４２は、前記第２メモリチップセット３０の外部に位置する。

本考案の前記メモリモジュール１（図１参照）と従来のメモリモジュール（ＤＩＭＭ）２（図７参照）とを比較し、本考案の前記メモリモジュール１上の各前記メモリチップ２１、３１は、図２に示すように、フリップフロップ技術により前記プリント回路基板１０上に直接設けられ、従来のメモリモジュール２（図７参照）のようにワイヤボンディング技術によって複数のチップパッケージを複数のチップパッケージ構造体を形成し（第１パッケージプロセス）、複数のチップパッケージ構造体をプリント回路基板にパッケージし（第２パッケージプロセス）、したがって、本考案の前記メモリモジュール１（図１参照）は、以下の利点を有する。
（１）各前記メモリチップ２１、３１は、フリップチップ技術を用いて前記プリント回路基板１０上に直接設けられるため、電子部材間の接続線が短くなり、電子部材間の電気的性能が向上する。
（２）前記メモリモジュール１は、１回のパッケージプロセスで製品が完成するため、製造側の工程コストの低減に有利である。
（３）前記メモリモジュール１の製品のプロセスは、ワイヤボンディング作業を含まず、製造側が金属ワイヤ（金線等）を使用せず、製造側の材料コストを節約することができる。

また、本考案の前記メモリモジュール１は、図２に示すように、封止フィルム層４０をさらに含み、前記封止フィルム層４０は、射出成形技術を使用して前記メモリモジュール１を覆うが、前記メモリモジュール１上の前記プリント回路基板１０の前記導電性コンタクト１５を露出させ、チップおよび回路が露出して損傷または酸化しやすいという欠点を回避し、それによって製品の歩留まりおよび使用寿命を向上させ、製品の市場競争力を高めるのに役立つ。

１ メモリモジュール
１０ プリント回路基板
１１ 第１面
１２ 第２面
１３ 第１回路層
１４ 第２回路層
１５ 導電性コンタクト
２０ 第１メモリチップセット
２１ メモリチップ
３０ 第２メモリチップセット
３１ メモリチップ
４０ 封止フィルム層
４１ 第１面
４２ 第２面
２ メモリモジュール
２ａ プリント回路基板
２ｂ 表面
２ｃ 配線
２ｄ チップパッケージ構造群
２ｅ チップパッケージ構造
２ｆ 読み取り専用メモリ
２ｇ 導電性コンタクト
２ｈ キャリアボード
２ｉ チップ
２ｊ ウィンドウ構造

Claims (3)

1. 第１面、前記第１面と相対する第２面、第１回路層、第２回路層、および導電性コンタクトを含み、前記第１回路層は、前記第１面に配置され、前記第２回路層は、前記第２面に配置され、前記導電性コンタクトは、外部電子装置のメインボードとの電気的に接続することに使用されるプリント回路基板と、
   複数のメモリチップを含み、各メモリチップは、フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を用いて前記プリント回路基板の前記第１面に対応して設けられた前記第１回路層に電気的に接続される第１メモリチップセットと、
   複数のメモリチップを含み、各前記メモリチップは、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板の前記第２面に対応して設けられた前記第２回路層に電気的に接続される第２メモリチップセットと、
   を含み、
   前記メモリモジュール上の各前記メモリチップは、フリップチップ技術を使用して前記プリント回路基板に直接設けられるため、前記メモリモジュールは、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によって生成される電気的接続用の金属ワイヤを設けないという附帯条件を有し、
   前記メモリモジュールの製造方法は、
   プリント回路基板を提供し、前記プリント回路基板は、第１面、前記第１面と相対する第２面、第１回路層、第２回路層、および導電性コンタクトを含み、前記第１回路層は、前記第１面に配置され、前記第２回路層は、前記第２面に配置されるステップＳ１と、
   フリップチップ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）技術を使用して、前記プリント回路基板の前記第１面上の前記第１回路層上に電気的に接続するように第１メモリチップセットを対応して設け、前記第１メモリチップセットは、複数のメモリチップを含むステップＳ２と、
   フリップチップ技術を使用して、前記プリント回路基板の前記第２面上の前記第２回路層上に電気的に接続するように第２メモリチップセットを対応して設け、メモリモジュールを完成させ、前記第２メモリチップセットは、複数のメモリチップを含むステップＳ３と、
   を含む組み込み式デュアルインラインメモリモジュール。
2. 前記メモリモジュールは、射出成形技術により前記メモリモジュールを覆い、前記メモリモジュール上の前記プリント回路基板の前記導電性コンタクトを露出させる封止フィルム層をさらに含む請求項１に記載の組み込み式デュアルインラインメモリモジュール。
3. 前記封止フィルム層は、平坦な第１面と前記第１面に相対する平坦な第２面を更に有し、前記第１面は、前記第１メモリチップセットの外部に位置し、前記第２面は、前記第２メモリチップセットの外部に位置する請求項２に記載の組み込み式デュアルインラインメモリモジュール。