JP3245959B2 - 液晶画像表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、画像表示機能を有する
液晶パネル、とりわけ絵素毎にスイッチング素子を内蔵
したアクティブ型の液晶画像表示装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料及び実装
技術等の進歩により３−１０インチ程度の小さなサイズ
ではあるが、液晶パネルで実用上支障ないテレビジョン
画像が商用ベースで得られるようになってきた。液晶パ
ネルを構成する２枚のガラス板の一方にＲＧＢの着色層
を形成しておくことによりカラー表示も容易に実現さ
れ、また絵素毎にスイッチング素子を内蔵させた、いわ
ゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少な
くかつ高いコントラスト比を有する画像が保証される。
このような液晶パネルは、走査線としては２４０−４８
０本、信号線としては３６０〜１０００本程度のマトリ
クス編成が標準的で、例えば図６に示すように液晶パネ
ル１を構成する一方の透光性絶縁性基板、例えばガラス
基板２上に形成された走査線の電極端子群６に駆動信号
を供給する半導体集積回路チップ３を直接接続するＣＯ
Ｇ（Ｃｈｉｐ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）方式や、例えばポリ
イミド系樹脂薄膜をベースとし、金メッキされた銅箔の
端子群（図示せず）を有する接続フィルム４を信号線の
電極端子群５に接着剤で圧接しながら固定する方式など
の実装手段によって電気信号が画像表示部に供給され
る。

【０００３】ここでは便宜上二つの実装方式を同時に図
示しているが、実際にはいずれかの実装方式が選ばれる
ことは言うまでもない。なお、７、８は液晶パネル１中
央の画像表示部と信号線及び走査線の電極端子群５、６
との間を接続する配線路で、必ずしも電極端子群と同じ
導電材で構成される必要はない。

【０００４】９は全ての絵素に共通の透明導電性の対向
電極を有するもう１枚の透光性絶縁性基板であるガラス
板で、２枚のガラス板２、９は石英ファイバやプラスチ
ックビーズ等のスペーサによって所定の距離を隔てて形
成され、その間隙はシール材と封口材で封止された閉空
間になっており、閉空間には液晶が充填されている。多
くの場合、ガラス板の閉空間側に着色層と称する染料と
顔料のいずれか一方もしくは両方を含む有機薄膜が被着
されて色表示機能が与えられるのでガラス基板９はカラ
ーフィルタと呼ばれる。そして液晶材の性質によっては
ガラス板９上面とガラス板２下面のいずれかもしくは両
面上に偏光板が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子
として機能する。

【０００５】図７は、スイッチング素子として絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型
液晶パネルの等価回路図であり、図８は同パネルの要部
断面図である。実線で描かれた素子は一方のガラス基板
２上に、そして破線で描かれた素子はもう一方のガラス
基板９上に形成されている。

【０００６】走査線１１（８）と信号線１２（７）は、
例えば非晶質シリコンを半導体層とし、シリコン窒化膜
（Ｓｉ₃Ｎ₄）をゲート絶縁膜とする薄膜トランジスタ１
０の形成と同時にガラス基板２上に作製される。液晶セ
ル１３は、ガラス基板２上に形成された透明導電性の絵
素電極１４とカラーフィルタ９上に形成された同じく透
明導電性の対向電極１５と２枚のガラス板で構成された
閉空間を満たす液晶１６とで構成され、電気的にはコン
デンサと同じ扱いを受ける。

【０００７】着色されたゼラチンまたは着色性感光樹脂
等よりなる着色層１７は先述したように、カラーフィル
タ９の閉空間側で絵素電極１４に対応してＲＧＢの三原
色で所定の配列に従って配置されている。全ての絵素電
極１４に共通の対向電極１５は着色層１７の存在による
電圧配分損失を避けるためには図示したように着色層１
７上に形成される。液晶１６に接して２枚のガラス板上
に被着された、例えば０．１μｍ程度の膜厚のポリイミ
ド系樹脂薄膜層１８は液晶分子を決められた方向に揃え
るための配向膜である。加えて液晶１６にツイスト・ネ
マチック（ＴＮ）型のものを用いる場合には上下に２枚
の偏光板１９を必要とする。

【０００８】ＲＧＢの着色層１７の境界に低反射性の不
透明膜２０を配置すると、ガラス基板２上の信号線等の
配線層からの反射光を防止できてコントラスト比が向上
し、またスイッチング素子１０の外部光照射によるリー
ク電流の増大が防げて強い外光の下でも動作させること
が可能となり、ブラックマトリクスとして既に実用化さ
れている。ブラックマトリクス材の構成も多数考えられ
るが、着色層の境界における段差の発生状況と光の透過
率を考慮するとコスト高にはなるが、０．１μｍ程度の
膜厚のＣｒ薄膜が簡便である。

【０００９】なお、図７において蓄積容量２１はアクテ
ィブ型の液晶パネルとしては必ずしも必須の構成要素と
は限らないが、駆動用信号源の利用効率の向上、浮遊寄
生容量の障害の抑制及び高温動作時の画像のちらつき
（フリッカ）防止等には効果的存在で適宜採用される。
また理解を簡単にするため、薄膜トランジスタ１０、走
査線１１及び蓄積容量２１に加えて光源やスペーサ等の
主要因子は図８では省略されている。２２は絵素電極１
４と絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレインとを接続
するための導電性薄膜で、一般的には信号線１２と同一
の材質で同時に形成される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】アクティブ型の液晶パ
ネルにおいては、デバイス構造が複雑なために全ての液
晶セル１３が同等の条件で駆動されにくく、従って表示
画像がちらついて見える現象が発生し易い。画像のちら
つきはフリッカとも呼ばれ、単純マトリクス編成の液晶
パネルにおいても斜めから観測したり、駆動信号に直流
成分が多く含まれていると発生することは公知の事実で
ある。

【００１１】フリッカを低減させるには、全ての液晶セ
ルが同等の駆動状態となるべく構成素子である液晶セル
１３、絶縁ゲート型トランジスタ１０及び蓄積容量２１
を高精度で製作する方法と、隣合った液晶セル１３を逆
位相で駆動し液晶パネル全体としては観測されないよう
に視覚的に逃れる方法とがある。

【００１２】前者においては、アクティブ基板やパネル
組み立ての製作条件が厳しくなるだけでなく、大きい蓄
積容量が必要となって歩留まりを下げたり開口率を下げ
るなどの欠点がクローズ・アップされ、後者においては
フリッカは見かけ上減少しているものの、対向電極１５
を一定の電圧で保持して交流駆動するために信号電圧が
高くなり、従ってフリッカの原因である液晶セル間の微
小なばらつき直流電圧成分も増しているため長期間の使
用に対して液晶が劣化して褐色化し、画像品質を損なう
といった欠点があった。

【００１３】本来は図８に示したように、有機薄膜の配
向膜１８が絶縁性の機能を発揮して信号線１２、ドレイ
ン配線２２そして絵素電極１４等の導電性電極の表面を
絶縁化できれば、絵素電極１４と対向電極１５と液晶層
１６とよりなる液晶セル１３に直流電流が流れ込むこと
はなく、液晶層１６の劣化は生じないはずである。

【００１４】ところが配向膜１８は先述したように０．
１μｍ程度と薄いこと、一般的な配向膜の塗布方法がオ
フセット印刷のためピン・ホールを内在させ易いこと、
そしてアクティブ素子が熱破壊しないように３００℃以
下の比較的低温で配向膜のキュア（熱硬化）が実施され
ていることなどの理由により、配向膜１８単独では信号
線１２、ドレイン配線２２そして絵素電極１４などの表
面を不完全にしか絶縁化出来ず、程度の差はあれ液晶層
１６の劣化を阻止することが困難となっている。

【００１５】特に信号線１２には信号電圧が外部から供
給され続けるので、対向電極１５との間には直流成分が
流れ易い。そこで薄い配向膜に代わって図９に示したよ
うに、アクティブ基板２上で全面に透明絶縁性被膜２３
として例えばＳｉ₃Ｎ₄を０．５μｍ程度の膜厚でコーテ
ィングすることによって液晶層１６の劣化を回避するこ
とが出来ることは容易に理解されよう。

【００１６】しかしながら、全面に厚いパシベーション
層２３を被着形成することは製作工程が長くなるのと、
絵素電極１４上に絶縁層が介在して液晶層１６に印加さ
れる電圧が低下する意味で好ましいものとは言えない状
況である。

【００１７】後者については、絵素電極１４上のパシベ
ーション層２３を選択的に除去することは可能である
が、絵素電極１４上あるいは絵素電極１４のごく近傍に
パシベーション層の高い段差が存在すると配向膜１８の
乾燥布によるラビング処理が規則的に行われず、液晶の
配向が乱れて逆ドメインを生じ表示画質が低下する副作
用が発生していた。

【００１８】またパシベーション層の作製に当り絶縁ゲ
ート型トランジスタの耐熱性も重要な要因となり、例え
ばＰ−ＣＶＤでＳｉＮｘを作製しようとした場合に少な
くとも２５０℃以上の基板加熱が必要であるが、この加
熱処理によって絶縁ゲート型トランジスタの諸特性が劣
化することは希ではない。劣化の原因はａ−Ｓｉ膜から
の水素の離脱や、Ａｌよりなるソース・ドレイン配線が
不純物を含むａ−Ｓｉ層を突き抜けて直接チャネルを形
成する不純物を含まないａ−Ｓｉ層と合金化してソース
・ドレイン配線のオーミック性が損なわれるためである
が、いずれにせよ液晶パネルの特性確保の観点からは好
ましいものではない。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、Ａｌよりなる信号線とドレイン配線上のみ
を選択的に絶縁化するために陽極酸化工程を導入し、Ａ
ｌ₂Ｏ₃（アルミナ）膜を信号線とドレイン配線上に選択
的に形成する。

【００２０】

【作用】信号線とドレイン配線上にのみ絶縁物であるア
ルミナ薄膜が選択的に形成されるため、液晶層に印加さ
れる電圧の低下はなく、またパシベーション層の被着工
程は不要となって製作工程の短縮化が促進されると同時
に、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性に何等の悪影響
を及ぼさない。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図１から図５
を参照しながら説明する。本発明では、絶縁ゲート型ト
ランジスタのソース配線（信号線）とドレイン配線を陽
極酸化によって対等に絶縁化するために、デバイス構成
とパターン配置に格別な配慮が必要であり、その実施例
として図２及び図３に等価回路図、パターン配置図、断
面図を組み合わせて示す。

【００２２】図２（ａ）に示した第１の実施例の等価回
路図においては、絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレ
イン配線にも充分な化成電流が流れるようにとりあえず
（ｍ、ｎ）番地のドレイン配線は（ｍ、ｎ＋１）番地の
信号線に接続線４１を介して接続されて形成される。そ
してその接続は後工程で解除することが可能となるよう
に解除部４２を有することが必要である。

【００２３】図２（ｂ）には具体的なパターン配置図を
示し、図２（ｃ）にはＡ−Ａ’線上の断面図を示し、以
下に簡単に製作工程を記述する。

【００２４】まず絶縁性透明基板、例えばガラス板２の
一主面上に透明導電性の、例えばＩＴＯよりなる絵素電
極１４を０．１μｍの膜厚で選択的に被着形成する。次
にＰ−ＣＶＤによる物理的あるいは化学的な損傷を受け
ないように、例えばＣＶＤ−ＳｉＯ₂膜４３を０．１μ
ｍの膜厚で全面に被着した後に、例えば０．１μｍの膜
厚のＣｒよりなる走査線１１（部分的には絶縁ゲート型
トランジスタのゲート電極）と接続パターン４１を選択
的に被着形成する。接続パターン４１は必ずしも走査線
１１と同一の材質である必要はなく、例えば後述する関
係から酸化しにくい材料である金、白金等でも支障無い
が、製作工程が長くなるのを避けるためには同一材料で
形成するのが得策であろう。

【００２５】引続き、Ｐ−ＣＶＤにより、例えば０．４
−０．１−０．１μｍの膜厚のＳｉＮｘ膜４９、不純物
を殆ど含まないａ−Ｓｉ膜５０、ＳｉＮｘ膜４４を連続
的に被着する。そして最上層のＳｉＮｘ膜４４を部分的
に残してエッチングストッパ４４’を形成した後に不純
物としてＰ（燐）を含んだａ−Ｓｉ膜５１を同じくＰ−
ＣＶＤにより全面に被着する。

【００２６】しかる後に走査線１１への接続のための開
口部（図示せず）と、接続パターン４１とドレイン配線
２２との接続のための開口部４５と、接続パターン４１
と信号線１２との接続のための開口部４６と、接続パタ
ーン４１を部分的に食刻で除去するための開口部４７
と、絵素電極１４への接続のための開口部４８を形成す
る。ここではガラス基板２上の最上層から順に不純物を
含むａ−Ｓｉ膜５１、不純物を含まないａ−Ｓｉ膜５
０、ゲート絶縁膜たるＳｉＮｘ膜４９およびＳｉＯ₂膜
４３を一気に除去する工程を示しているが、このような
多層膜はＲＩＥで代表されるドライエッチング法が効果
的な手段である。

【００２７】上記開口部の形成後に全面にＡｌを主成分
とする金属層を全面に被着し、信号線１２とドレイン配
線２２を前記開口部を含んで選択的に形成した後、信号
線１２とドレイン配線２２をマスクとして配線間の不要
な不純物を含むａ−Ｓｉ層を除去した状態が、図２
（ｂ）、図２（ｃ）に描かれている。

【００２８】図２では不純物を含むａ−Ｓｉ層と不純物
を含まないａ−Ｓｉ層を半導体層として島化せずに絶縁
ゲート型トランジスタを形成するので、走査線１１と信
号線１２及びドレイン配線２２とが平面的に重なってい
る領域の不純物を含むａ−Ｓｉ層がソース・ドレインと
なることは明らかであろう。同様に不純物を含まないａ
−Ｓｉ層の内、絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを
構成するのは走査線１１とエッチングストッパ４４’と
が平面的に重なっている領域である。

【００２９】本発明ではこの後に陽極酸化工程が実行さ
れるのであるが、接続パターン４１のうち開口部４７内
のＣｒが酸化されないようにするためには、陽極酸化に
先立ち開口部４７を適当な保護膜、例えば感光性樹脂パ
ターンで被うと好都合である。

【００３０】図１は本発明の実施例にかかる液晶画像表
示装置を構成するアクティブ基板２上のパターンを示
す。ただし、ここでは便宜上信号線１２のみを示し、ド
レイン配線２２については省略した。周知のように陽極
酸化では酸化膜を成長させたい配線は全て電気的に接続
しておく必要があり、信号線１２は端子電極５を経由し
て共通の接続線２３に接続され、接続線２３はガラス基
板２の周辺部の、べたパターンである接続部２４に接続
されている。端子電極５を経由せず直接信号線１２を共
通の接続線２３に接続することも可能であり、また端子
電極５が陽極酸化によって変質する恐れがある場合に
は、前記開口部４７と同様に感光性樹脂パターンで被っ
て保護することはプロセス設計の範疇である。接続線２
３と接続部２４は信号線１２と同じくＡｌで形成されて
いる。

【００３１】図３に示したアクティブ基板２は、図４に
示したように化成液２５で満たされた容器２６中に設置
され、直流電源２７より供給される＋（プラス）端子２
８はアクティブ基板２の接続部２４にクリップ等の治具
を用いて接続され、また−（マイナス）端子２９は金や
白金等の電極板３０に接続される。Ａｌの陽極酸化に当
り、蓚酸や硫酸を主成分とする化成液では有孔性の酸化
アルミニウム（アルミナ、Ａｌ₂Ｏ₃）が成長し、ほう酸
を含むエチレングリコール化成液では無孔性の緻密なア
ルミナが成長することは公知であるが、Ａｌの陽極酸化
の詳細については特公昭５９−３４７９８号公報に示さ
れている。何れにせよ、陽極酸化においては化成液の濃
度と温度が一定の下では成長する酸化膜の膜厚は化成電
圧によって決定されるので、適当な条件を選定すれば図
５に示したように例えば１μｍの膜厚を有するＡｌの信
号線１２とドレイン配線２２上に０．１−０．３μｍ程
度のアルミナ膜３１、３２を形成することは極めて容易
である。

【００３２】陽極酸化終了後には、前記陽極酸化保護の
ための感光性樹脂パターンを除去し、クロム食刻液での
食刻により絶縁ゲート型トランジスタのドレイン配線と
信号線との接続を接続パターン４１の部分的な除去によ
って行った後に、図１に示したようにアクティブ基板２
を切断線３３に沿って切断すれば、接続線２３の切断と
ともに電極端子５が独立してアクティブ基板２が完成す
る。

【００３３】電極端子がＣＯＧ対応で小さな場合にはア
クティブ基板２の切断によって電極端子を独立させるこ
とは困難である。そのような場合には接続線２３上に部
分的に感光性樹脂パターンを選択的に形成しておき、陽
極酸化終了後にまず前記感光性樹脂パターンを除去し、
ついでアルミナ膜を食刻のマスクとしてＡｌを選択的に
除去すれば電極端子を独立させることが可能となる。

【００３４】あるいは、接続線２３を絵素内の接続パタ
ーン４１と同様に開口部を有する接続パターンを複数個
直列に配置して多層配線化しておき、陽極酸化保護のた
めの感光性樹脂パターンを導入し、Ｃｒ食刻で接続を解
除できるようにしておいても何等支障はなく、いずれの
方法を選ぶかはプロセス設計の範疇であると言ってもよ
い。

【００３５】別の実施例の等価回路図、パターン配置
図、断面図を図３（ａ）〜（ｄ）に組み合わせて示す。

【００３６】図３（ａ）に示した第２の実施例の等価回
路図においては、絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレ
イン配線にも充分な化成電流が流れるようにとりあえず
（ｍ、ｎ）番地のドレイン配線は（ｍ、ｎ）番地の信号
線に接続線４１を介して接続されて、すなわちソース、
ドレイン配線は短絡した構成で形成される。そしてその
接続は後工程で解除することが可能となるように解除部
４２を与えられている。

【００３７】図３（ｂ）には具体的なパターン配置図を
示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）には、それぞれＡ−Ａ’
線及びＢ−Ｂ’線における断面図を示す。製作工程は第
１の実施例と同一の場合に対応した図面となっているの
で詳細は省略する。

【００３８】 Ａｌを配線材料として採用した場合には、
走査線や信号線の両端にワイアボンディングに対応した
ボンディング・パッドを配置しておくことにより走査線
や信号線の断線に対して有効な救済処置を実行できるこ
とは既成の事実である。本発明の適用に当たり、必要な
要件はボンディング・パッド部を陽極酸化から保護すれ
ばよいことは明白であり、接続パターンを陽極酸化から
保護する、例えば感光性樹脂パターンをボンディング・
パッド上にも配置することは単にマスク（デバイス）設
計の問題に過ぎず、断線救済の支障とはならないことも
本発明の大きな特徴である。

【００３９】 アクティブ基板の構成に関し、絵素電極が
厚み方向でどの位置に形成されるかは絶縁ゲート型トラ
ンジスタの構造と製作方法によって大きく左右される。
本文中の説明では絵素電極は最下層に位置しているが、
逆に最上層に位置する構成も可能である。最上層に位置
した場合には本発明によれば、絵素電極上には絶縁膜は
存在しないことになる。絵素電極は絶縁ゲート型トラン
ジスタによって信号線とはスイッチ的にしか導通しない
ので、絵素電極と絶縁ゲート型トランジスタとを接続す
るドレイン配線及び絵素電極は必ずしも表面を絶縁化す
る必要はないが、絶縁ゲート型トランジスタが常時ＯＮ
するような欠陥が存在すると、その近辺で液晶の劣化が
生じる可能性が高く、本発明のようにドレイン配線も絶
縁化する方が好ましく、同じ理由で、絵素電極もアクテ
ィブ基板上の最上層部に位置するのではなく、透明絶縁
性のＳｉＯ₂ 膜やＳｉ₃Ｎ₄ 膜が絵素電極上に少しでも被
着されている方が信頼性の高い液晶画像表示装置が得ら
れる。また信号線が絶縁ゲート型トランジスタのソース
配線を兼ねず、かつ絶縁性被膜で覆われていないような
場合にはソース配線に対して信号線と同様な処置が必要
なことは説明を要しないであろう。

【００４０】 なお、本発明の考え方は絶縁ゲート型トラ
ンジスタの構造が逆でゲート電極が最上層に位置する場
合にも適用できることは言うまでもないだろう。同様に
アクティブ素子が絶縁ゲート型トランジスタではなく２
端子型のダイオードや非線形素子であってもパターン設
計上の工夫によって適用可能となることも補足してお
く。

【００４１】 また、信号線材料として本文中ではＡｌを
取り上げたが、マイグレーションやボンディング性を考
慮して数％程度のＳｉやその他の微量の金属を含むアル
ミ合金であっても、陽極酸化膜の絶縁性が著しく劣悪で
ない限り適用可能なことも明らかであろう。

【００４２】 さらに、走査線材料として本文中ではＣｒ
を取り上げたが、これに限定する必然性はなく、Ｍｏ、
Ｔａ、Ａｌ等いずれの場合でも本発明の適用は可能であ
り、陽極酸化によって酸化膜を形成しにくい材料の場合
には、陽極酸化時に保護膜を導入する必要が無いことも
明白である。

【００４３】

【発明の効果】以上述べたように本発明においては、液
晶セルに流入して液晶を劣化させる直流成分を阻止する
ために、Ａｌより成る信号線とドレイン配線の表面を絶
縁性のアルミナ膜に変質させている。このためフリッカ
レス駆動を採用して高い信号電圧を印加しても液晶層が
劣化して表示画像が褐色に着色してみえる品質上の問題
点は解決された。また信号線とドレイン配線の表面のみ
を絶縁化することにより、従来の透明絶縁性薄膜による
全面パシベーションと比べて液晶セルに実効的に供給さ
れる電圧の低下を防ぐことが可能となり、表示画像が暗
くなる恐れは皆無であり、配向膜の配向状態も悪化する
要因が無い等の優れた効果が得られた。加えて本発明に
よるパシベーションでは格別の加熱工程を付加しないた
めに絶縁ゲート型トランジスタに過度の耐熱性を要求す
る必要が無いことも大きな特徴となっている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法によって得られる液晶画像表
示装置の一実施例におけるアクティブ基板上のパターン
図

【図２】（ａ）は、同実施例装置の等価回路図 （ｂ）は、同実施例装置のパターン配置図 （ｃ）は、同実施例装置の要部断面図

【図３】（ａ）は、本発明の製造方法によって得られる
他の実施例装置の等価回路図 （ｂ）は、同実施例装置のパターン配置図 （ｃ）は、同実施例装置の要部断面図 （ｄ）は、同実施例装置の要部断面図

【図４】本発明の製造方法の一実施例における陽極酸化
を行なうための装置の概略構成図

【図５】本発明の実施例装置を構成するアクティブ基板
の要部断面図

【図６】従来における液晶パネルへの実装手段を示す斜
視図

【図７】従来のアクティブ型液晶パネルの等価回路図

【図８】同従来の液晶パネルの要部断面図

【図９】従来の液晶パネルのアクティブ基板上のパシベ
ーションを示す断面図

【符号の説明】

１ 液晶パネル ２ ガラス板 ９ カラーフィルタ １０ 絶縁ゲート型トランジスタ １１ 走査線 １２ 信号線 １３ 液晶セル １４ 絵素電極 １５ 対向電極 １６ 液晶 １８ 配向膜 ２２ ドレイン配線 ２３ 接続線 ２４ べたパターン ２５ 化成液 ２６ 容器 ２７ 直流電源 ２８ ＋（プラス）端子 ２９ −（マイナス）端子 ３０ 電極板 ３１ 信号線上のアルミナ膜 ３２ ドレイン配線上のアルミナ膜 ３３ 切断線 ４１ 接続パターン ４２ 解除部 ４３ ＳｉＯ₂膜 ４４、４９ ＳｉＮｘ膜 ４５、４６、４７、４８ 開口部 ５０ 不純物を含まないａ−Ｓｉ膜 ５１ 不純物を含むａ−Ｓｉ膜

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数本の走査線と信号線とを有し単位絵素
   毎に絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有する第
   １の透光性絶縁性基板と、透明導電性の対向電極を有す
   る第２の透光性絶縁性基板との間に液晶を充填する液晶
   画像表示装置の製造方法において、前記信号線と前記絶
   縁ゲート型トランジスタのドレインと前記絵素電極とを
   接続するドレイン配線の形成にあたり、前記ドレイン配
   線と前記信号線とを接続する接続パターンを形成した
   後、アルミニウムを主成分とする金属層を被着し、前記
   接続パターンを含んで信号線とドレイン配線とを選択的
   に形成し、前記接続パターンを陽極酸化から保護する保
   護層を形成し、陽極酸化によって前記信号線とドレイン
   配線の表面を絶縁化した後、前記保護層を除去し前記信
   号線とドレイン配線との接続を解除することを特徴とす
   る液晶画像表示装置の製造方法。