JP3227200B2

JP3227200B2 - 表示制御装置及び方法

Info

Publication number: JP3227200B2
Application number: JP12616392A
Authority: JP
Inventors: 俊行信谷; 研一郎小野; 英一松崎; 正美島倉; はじめ森本; 淳一棚橋; 達也坂下; 謙三伊奈
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-05-19
Filing date: 1992-05-19
Publication date: 2001-11-12
Anticipated expiration: 2016-11-12
Also published as: JPH05323906A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示制御装置及び方法に
関し、詳しくは、例えば強誘電性液晶を表示更新のため
の動作媒体として用い、電界の印加等によって更新され
た表示状態を保持可能な表示素子を具えた表示装置のた
めの表示制御装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、情報処理システムなどには、情
報の視覚的表現機能を果す情報表示手段として表示装置
が用いられており、このような表示装置としてはＣＲＴ
表示装置が広く知られている。

【０００３】ＣＲＴ表示装置における表示制御では、Ｃ
ＲＴ側が有する表示データバッファとしてのビデオメモ
リに対するシステム側ＣＰＵの書込み動作と、ＣＲＴ側
が有する例えばＣＲＴコントローラによるビデオメモリ
からの表示データの読出し、表示の動作がそれぞれ独立
して実行される。

【０００４】上述したようなＣＲＴの表示制御の場合、
表示情報を変更するなどのためのビデオメモリに対する
表示データの書き込みと、そのビデオメモリから表示デ
ータを読み出して表示する動作が独立しているため、情
報処理システム側のプログラムでは表示タイミング等を
一切考慮する必要がなく、任意のタイミングで所望の表
示データを書き込むことができるという利点を有してい
る。

【０００５】ところが一方で、ＣＲＴは特に表示画面の
厚み方向の長さをある程度必要とするため全体としてそ
の容積が大きくなり、表示装置全体の小型化を図り難
い。また、これにより、このようなＣＲＴを表示器とし
て用いた情報処理システムの使用にあたっての自由度、
すなわち設置場所、携帯性等の自由度が損なわれる。

【０００６】この点を補うものとして液晶表示器（以
下、ＬＣＤという）を用いることができる。すなわち、
ＬＣＤによれば、表示装置全体の小型化（特に薄型化）
を図ることができる。このようなＬＣＤの中には、上述
した強誘電性液晶（以下、ＦＬＣ：Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌという）の液
晶セルを用いた表示器（以下、ＦＬＣＤ：ＦＬＣディス
プレイという）があり、その特長の１つは、その液晶セ
ルが電界の印加に対して表示状態の保存性を有すること
にある。すなわち、ＦＬＣＤは、その液晶セルが充分に
薄いものであり、その中の細長いＦＬＣの分子は、電界
の印加方向に応じて第１の安定状態または第２の安定状
態に配向し、電界を除いてもそれぞれの配向状態を維持
する。このようなＦＬＣ分子の双安定性により、ＦＬＣ
Ｄは記憶性を有する。このようなＦＬＣおよびＦＬＣＤ
の詳細は、例えば特願昭６２−７６３５７号に記載され
ている。

【０００７】この結果、ＦＬＣＤを駆動する場合には、
ＣＲＴや他の液晶表示器と異なり、表示画面の連続的な
リフセッシュ駆動の周期に時間的な余裕ができ、また、
その連続的なリフレッシュ駆動とは別に、表示画面上の
変更に当たる部分のみの表示状態を更新する部分書き換
え駆動が可能となる。

【０００８】このひとつの方法として、表示画面の走査
ラインごとにフラグを用意して、ＶＲＡＭに書き換えが
生じたときは、対応するフラグをセットし、セットされ
たフラグに対応する表示装置の走査ラインを優先的に書
き換えるという手段がある。

【０００９】また表示装置がその走査ラインに対する書
き換え時間において温度依存がある場合は、そのための
制御が必要であり、リフレッシュ駆動の周期、飛び越し
走査の飛び込しライン数を変化させる等の制御を温度情
報をもとに行う方法がある。

【００１０】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上記
従来例では、フラグ判断を表示画面の走査ラインの数だ
け行う必要があり、高解像度（例えば画面サイズ１２８
０ドット×１０２４ライン）の場合はフラグ判断に費す
時間が大きなり、表示制御全体のスループット低下とな
る。

【００１１】また、温度により表示デバイスの走査ライ
ン書換え時間が依存するので温度低下時すなわち書換え
時間増大時にインタレース値を大きくしてフィールド周
波数を上げてフリッカをおさえているので、画面の書換
えについては、高速追従することができない。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれば
画面の各走査ラインに対応した書換えフラグレジスタと
並列に冗長度の大きくした書換えフラグレジスタをひと
つまたは２以上持ち、それらを温度等環境の変化により
切り換えて使用することにより、書換え性能が温度に依
存する表示デバイスを最適にアクセスするようにしたも
のである。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。

【００１４】図１は本発明の一実施例にかかる表示制御
装置を備えた表示装置を用いた情報処理システムのブロ
ック図である。

【００１５】図において、１０１は情報処理システム全
体の制御を実行するＣＰＵ、１０２はＣＰＵ１０１の演
算処理を高速にサポートする演算プロセッサである。１
０３はＣＰＵ１０１の基本制御機能を実現するプログラ
ム等が格納されたＲＯＭ、１０４はＣＰＵ１０１が実行
するＲＯＭ１０３や後述するハードディスク装置１１１
やフロッピーディスク装置１１３からロードされたプロ
グラムを記憶したり、このプログラムの実行の際のワー
ク領域として用いられるメインメモリである。

【００１６】１０５は、ＣＰＵ１０１の制御を介さずに
メインメモリ１０４と後述するＶＲＡＭ２１２相互間、
又はメインメモリ１０４及びＶＲＡＭ２１２と、本シス
テムを構成する各種機器との間でデータの転送を行うＤ
ＭＡコントローラ（ＤｉｒｅｃｔＭｅｍｏｒｙＡｃ
ｃｅｓｓＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ，以下ＤＭＡＣとい
う）である。

【００１７】１０６は本システムを構成する各種機器が
発生するハードウエア割込みを制御する割込みコントロ
ーラ、１０７はリアルタイムクロックであり、カレンダ
ー、時計機能及び不揮発性情報を記憶しておくＣ−ＭＯ
ＳＲＡＭを含む。

【００１８】１０８はシステムに電源（不図示）が供給
されていないときにもリアルタイムクロック１０７が、
機能するためのバックアップ用のリチウム電池、１０９
は各種文字等のキャラクタ情報、制御情報などを入力す
るためのキーボード、１１０はキーボード１０９を制御
するためのキーボードコントローラ、１１１は外部記憶
装置としてのハードディスク装置、１１２はハードディ
スク装置１１１と本システムとの間でデータ転送その他
の制御を行うＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｋＤｒｉｖ
ｅ）コントローラ、１１３は外部記憶装置としてのフロ
ッピーディスク装置、１１４はフロッピーディスク装置
１１３と本システムとの間でデータ転送その他の制御を
行うＦＤＤ（ＦｌｏｐｐｙＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）コ
ントローラ、１１５はポインティングデバイスとしての
マウス、１１６はマウス１１５と本システムとの間で信
号接続を行うためのマウスコントローラ、１１７は例え
ばＲＳ２３２Ｃ方式インタフェースをもつ外部入出力装
置を接続する外部インタフェース、１１８は外部プリン
タを接続するためのプリンタインタフェースであり、そ
の他の外部装置を接続することもできる。

【００１９】２０１は強誘電性液晶を表示媒体とする表
示画面を有するＦＬＣ表示装置（以下ＦＬＣＤとい
う）、２１０はＦＬＣＤ２０１を制御するＦＬＣＤイン
タフェース、１１９は上記各機器間を信号接続するため
のシステムバスであり、データバス、コントロールバ
ス、アドレスバスからなる。

【００２０】図２はＦＬＣＤ２０１とＦＬＣＤインタフ
ェース２１０の詳細を示すブロック図である。

【００２１】図において２０２はＦＬＣＤ２０１の主要
構成要素であるＦＬＣＤユニット、２０３はＦＬＣＤ２
０１内部雰囲気温度とＦＬＣＤユニット２０２のいずれ
かまたは両者の温度を測定するための温度センサ、２１
１は温度センサ２０３の出力情報であるアナログ信号を
論理回路に使用するディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変
換器である。

【００２２】２１２はシステムバス１１９を介して供給
される表示データを記憶するメモリであるＶＲＡＭであ
り、ＦＬＣＤユニット２０２のピクセルに対応したビッ
ト情報容量をもち、カラー表示及び白黒階調表示の場合
は、各ピクセルは複数ビットから構成される。

【００２３】２１３はシステムバス１１９を介して供給
される各種制御信号により、主にＶＲＡＭ２１２のアク
セス、及び各種タイミングを作成するＣＲＴＣ（Ｃａｔ
ｈｏｄｏＲａｙＴｕｂｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）
であり、ＶＲＡＭ２１２以外の各部との接続ラインは省
略してある。

【００２４】２１４はＶＲＡＭ２１２の内容の変更及び
変更されたＶＲＡＭ２１２の位置に対応したＦＬＣＤユ
ニット２０２における走査ラインを検出する部分書込み
検出部、３０１はＦＬＣＤユニット２０２の各走査ライ
ンに対応したレジスタを複数もち、部分書込み検出部２
１４からの情報により、それをＦＬＣＤユニット２０２
のどの走査ラインを書きかえる必要があるかをフラグ情
報として、記憶する書換えフラグレジスタ群であり、詳
細については後述する。

【００２５】２１５は書換えフラグレジスタ群３０１の
出力の中からひとつの書換えフラグレジスタの出力を選
択するセレクタ、２１６はＡ／Ｄ変換器２１１からの温
度情報によりＦＬＣＤユニット２０２の走査時間や部分
書換えが発生しないときのインターレスのモードを決定
し、ＦＬＣＤインタフェース２１０内の各部を制御する
タイミング制御部であり、各部との接続ラインは省略し
てある。

【００２６】２１７はセレクタ２１５で選択された書換
えフラグレジスタのフラグ情報に基づいて、ＦＬＣＤユ
ニット２０２に対して行われる部分書換を制御する部分
書換制御部、２１８はＣＲＴＣ２１３と部分書換制御部
２１７のＶＲＡＭ２１２に対するアクセスを調停するア
ドレス制御部、２１９はＦＬＣＤインタフェース２１０
を構成する各部からＦＬＣＤ２０１に対して供給する少
なくとも表示データと走査ライン情報とから構成される
信号を生成するインタフェースである。

【００２７】図３は書換えフラグレジスタ群３０１の一
例を示したものである。

【００２８】図において、３０２は部分書込み検出部２
１４からの書換フラグ情報により、特定のフラグをＯＮ
することができ、また、部分書換制御部２１７の制御に
より直接的にまたは間接的に、全フラグ又は特定のフラ
グをクリアすることができるＦＬＣＤユニット２０２の
各走査ラインに対応した書換えフラグレジスタ（１）で
ある。

【００２９】３０３は書換えフラグレジスタ（１）３０
２の連続した２つの走査ライン分のフラグ値（フラグＯ
Ｎを１とする）をＯＲ論理演算し、その値がセットさ
れ、書換えフラグレジスタ（１）３０２と同様に、部分
書換制御部２１７の制御により直接的にまたは間接的
に、全フラグ又は特定のフラグをクリアすることができ
る書換えフラグレジスタ（２）である。

【００３０】３０４は書換えフラグレジスタ（２）３０
３の連続した２つのフラグ値をＯＲ論理演算し、その値
がセットされ、書換えフラグレジスタ（１）３０２と同
様に部分書換制御部２１７の制御により、直接的にまた
は間接的に、全フラグ又は特定のフラグをクリアするこ
とができる書換えフラグレジスタ（３）である。

【００３１】３０５は書換えフラグレジスタ（３）３０
４の連続した２つのフラグ値をＯＲ論理演算し、その値
がセットされ、部分書換制御部２１７の制御により全フ
ラグ又は特定のフラグをクリアすることができる書換え
フラグレジスタ（４）である。

【００３２】書換えフラグレジスタ（１）３０２〜
（４）３０５の値はそれぞれ、セレクタ２１５に出力さ
れる。

【００３３】図４はＦＬＣＤ２０２の表示画面と書換え
フラグレジスタ群３０１との関係を示す概念図である。

【００３４】図において、ＦＬＣＤ２０２の表示画面上
の走査ライン２と走査ライン３が書換えられた場合、書
換えフラグレジスタ（１）３０２の走査ライン２と走査
ライン３に対応するフラグがＯＮになり、それに基づい
た書換えフラグレジスタ（２）３０３，（３）３０４，
（４）３０５の全フラグの状態を示したものである。

【００３５】この図では書換えフラグレジスタ群３０１
と表示画面の各走査ラインとの関係も示しているので、
レジスタの各ビットの視覚的大きさの相違は意味がな
い。

【００３６】図２において、ＶＲＡＭ２１２に対して書
込みが生じていない場合、ＣＲＴＣ２１３がＦＬＣＤイ
ンタフェース２１０の各部を制御してＦＬＣＤ２０１に
対して表示データを送出する。

【００３７】この場合において、ＣＲＴＣ２１３はアド
レス制御部２１８を介してＶＲＡＭ２１２をアクセス
し、ＶＲＡＭ２１２から読み出された表示データはイン
タフェース２１９にて走査ライン情報と共にＦＬＣＤ２
０１に供給される。ここでＦＬＣＤ２０１に供給される
走査ライン情報は、固定のインターレスでなく、また、
後述する走査ライン情報の部分書き換えを行う必要もあ
るので、走査ライン情報またはその他の手段で画面上の
アドレスを特定することができる情報を表示データに付
加したものである。

【００３８】図５にインタフェース２１９が送出するタ
イムチャートを一例として示す。

【００３９】図においてＣＬＫは転送クロック、ＡＨ／
ＤＬはコマンド／画像データ識別信号で、ハイレベルの
ときはＰＩＸ０〜ＰＩＸ７の情報が、走査ライン情報
（ａ０〜ａ１１）及びコマンドデータ（ｍ０〜ｍ３）で
あることを示し、ローレベルのときは表示データである
ことを示す。

【００４０】ここで、ＰＩＸ０〜ＰＩＸ７はインタフェ
ース２１９からＦＬＣＤ２０１の８本パラレル線を介し
て供給される信号である。

【００４１】ＨＳＹＮＣは、ＣＲＴＣ２１３からインタ
フェース２１９を介してＦＬＣＤ２０１に供給される水
平同期信号である。アドレス制御部２１８は、ＣＲＴＣ
２１３の制御に基づきＶＲＡＭ２１２に対するアクセス
を実行し、かつ、そのアクセスがＦＬＣＤユニット２０
２上のどの走査ラインに対してのものかをインタフェー
ス２１９に供給する。

【００４２】このときＶＲＡＭ２１２から読み出された
表示データはインタフェース２１９に供給され、インタ
フェース２１９はＦＬＣＤ２０１に対して走査ライン情
報を表示データに付加した信号として供給する。この場
合における走査ラインの書換え時間、インタレースの方
式はＣＲＴＣ２１３により制御される。このときに、Ｆ
ＬＣＤユニット２０２が、走査ラインに対する書換え時
間に温度依存性があり、温度による書換え時間、インタ
レースの方式の制御が必要であれば、温度センサ２０３
で、ＦＬＣＤユニット２０２の温度とＦＬＣＤ２０１の
内部雰囲気温度の両者又はいずれかを測定して、その情
報をＡ／Ｄ変換器２１１でＡ／Ｄ変換し、その出力であ
るディジタル化された温度情報により、または、その情
報をもとにタイミング制御部２１６で作られる制御信号
又はタイミング信号により、ＣＲＴＣ２１３は制御を行
う。

【００４３】以上はＶＲＡＭ２１２内のデータが固定す
なわち、ＶＲＡＭ２１２の内容が書き換えられなかった
場合の動作である。次にＶＲＡＭ２１２の内容が書き換
えられた場合の動作を図７に基づいて説明をする。

【００４４】まず、７０１にて通常のインタレース表示
が行われている。７０２にて、ＶＲＡＭに部分換込が行
われているか検出する。ＶＲＡＭ２１２の書き換えは、
ＣＰＵ１０１その他、システムバス１１９に接続されて
いるデバイスから実行される。この場合、ＶＲＡＭ２１
２の内容は、システムバス１１９を介して供給されるア
ドレス、データ、コントロール信号により一部又は全部
が書き換えられる。したがって、これらの信号をモニタ
することにより部分書込検出部２１４は、ＶＲＡＭ２１
２の書き換えられた部分を検出することができ、それに
よりＦＬＣＤユニット２０２の画面上の変更すべき走査
ラインを判断することができる。又、部分書込検出部２
１４はシステムバス１１９を介してＦＬＣＤインタフェ
ース２１０に供給される信号をモニタする他に、直接Ｖ
ＲＡＭ２１２のメモリ素子に供給される信号又はこれに
類する信号をモニタすることによっても同一の目的は達
成できる。この場合はＶＲＡＭ２１２の書き換えが、シ
ステムバス１１９を介してのみにより行われるのでな
く、ＣＲＴＣ２１３からも行われるときに有用である。

【００４５】又、以上はハードウエアにより目的を達成
しているが、ソフトウエアによりその目的を達成する方
法について述べる。

【００４６】例えば、表示用の機能としてデバイスドラ
イバーを追加して、ＶＲＡＭ２１２の内容を書き換える
場合は、その書き換える部分のアドレスを部分書込み検
出部２１４にも供給するという方法で実現する。この場
合、部分書込み検出部２１４の検出するためのハードウ
エア構成はかなり簡略化される。以上の方法により、Ｆ
ＬＣＤユニット２０２の画面上のどの走査ラインの変更
が生じたかを検出した部分書込み検出部２１４は、７０
３及び７０４にて、その情報を書換えフラグレジスタ群
３０１の書換えフラグレジスタ（１）３０２に書換フラ
グとしてセットする。書換えフラグレジスタ群３０１の
内部論理構成は図３に示す通りであり、走査ライン数が
１０２４のとき、書換えフラグレジスタ（１）３０２の
レジスタの数は１０２４個、書換えフラグレジスタ
（２）３０３のレジスタの数は５１２個、書換えフラグ
レジスタ（３）３０４のレジスタの数は２５６個、書換
えフラグレジスタ（４）３０５のレジスタの数は１２８
個となる。

【００４７】カラーまたは階調表示に対応したＦＬＣＤ
２０１を対象にする場合は、ＦＬＣＤユニット２０２の
１ピクセルが複数ビットで構成されており、それらの書
き換えを個別に制御する場合は書換えフラグレジスタ群
３０３のレジスタ数は、その分増加する。書換えフラグ
レジスタ（１）３０２を下位レジスタ、書換えフラグレ
ジスタ（４）３０５を上位レジスタと定義すると、下位
レジスタが部分書込み検出部２１４により、フラグセッ
トされた場合、その情報は無条件で上位レジスタに影響
を与えることになる。

【００４８】セレクタ２１５はＡ／Ｄ変換器２１１から
のデジタル温度情報により書換えフラグレジスタ（１）
３０２〜（４）３０５のいずれかの出力を選択し、部分
書換制御部２１７に対して、書換えライン情報として供
給する。ＦＬＣＤユニット２０２の温度と走査ライン書
換え時間との関係が、図６におけるＡであるとき、書換
えフラグレジスタ群３０１の選択は温度により行われ
る。

【００４９】すなわち、低温時には走査ライン書換時間
が長くなるので、書換えフラグレジスタ（１）３０２の
出力がセレクタ２１５で選択される。これにより、ＦＬ
ＣＤユニット２０２の書換えは、書換えの必要な走査ラ
イン、すなわちＶＲＡＭ２１２の内容の変更があった部
分のみについて実行することになる。

【００５０】また高温時には、走査ライン書換時間が短
くなるので書換えフラグレジスタ（４）３０５の出力が
セレクタ２１５で選択され、これは書換えフラグレジス
タ（１）３０２に比べて４倍の冗長度があるが、この書
換えフラグレジスタ（４）３０５のフラグ情報により走
査ラインの書換えを行う。

【００５１】すなわち、ひとつのフラグがＯＮの場合無
条件に４走査ラインの書換えが行われる。

【００５２】これらの書換え制御は部分書換制御部２１
７が行い、書換えフラグレジスタ群３０１のフラグ情報
により走査ライン書換えが必要となった場合には、ＣＲ
ＴＣ２１３が行っていたインタレース表示を止めさせ
て、部分書換制御部２１７がＶＲＡＭ２１２のアクセス
を行う。ＣＲＴＣ２１３と部分書換制御部２１７が表示
のためにＶＲＡＭ２１２をアクセスすることになるが、
この両者のアクセスはアドレス制御部２１８により部分
書換制御部２１７の制御に基づいて調停される。

【００５３】またアドレス制御部２１８は更にＦＬＣＤ
ユニット２０２の書き換える走査ラインの情報をＣＲＴ
Ｃ２１３又は部分書換制御部２１７から供給される信号
により生成し、インタフェース２１９に供給する。イン
タフェース２１９はアドレス制御部２１８から供給され
た走査ラインの情報と、ＶＲＡＭ２１２から読み出され
た表示データをＦＬＣＤ２０１に送出する。７０５に
て、ＣＲＴＣ２１３の状態とチェックする。７０６に
て、部分書換制御部２１７は書換えフラグレジスタ群３
０１のフラグがＯＮの情報にもとづき走査ラインの書換
えを、ひとつのフラグについて行う。そして、７０７に
て、走査ラインの書換えを行うごとに当該フラグをクリ
アさせる。この場合７０８にて上位フラグは、フラグＯ
Ｎになった場合と同様に、無条件で影響を受けることは
図３より明らかである。

【００５４】また、下位レジスタについては、クリアさ
れた当該フラグを波及フラグとするすべてのフラグにつ
いてクリアとする。

【００５５】（他の実施例１）次に他の実施例につい
て、図８を用いて説明する。図において、７０１〜７０
８は図７と同様の動作である。

【００５６】図８は、部分書換えを行っている場合に書
換えフラグレジスタ群３０１の選択が変更になる温度変
化があった場合の動作を示すフローチャートである。８
０１にて、温度変化を検出し、図６に示す温域変化があ
ったかどうかを検出する。温域変化があった場合は、８
０２及び８０３にて、書換えフラグレジスタの変更を行
うに先立って、リフレッシュ走査を行い、部分書換制御
部２１７により、書換えフラグレジスタ群３０１の内容
をすべてクリアする。その後、図７に示す同様の動作を
行う。

【００５７】以上のように本実施例によると、リフレッ
シュ走査を行い、その後、部分書込みの検出を行うた
め、温度の変化による表示速度の影響をおさえることが
できる。

【００５８】（他の実施例２）次に、他の実施例につい
て、図１０を用いて説明する。

【００５９】ＶＲＡＭ２１２に対する書き換えが発生し
たときに行う、表示画面の部分書換えだけでなく、ＶＲ
ＡＭ２１２に対する書き換えが発生していない通常のリ
フレッシュサイクルに本発明を適用した場合を述べる。

【００６０】書換えフラグレジスタ群３０１の内部論理
が図３に示す通りであり、かつ、リフレッシュ時のイン
ターレスを１６ラインおきに、すなわち１６フィールド
書き込んで１フレームが終了するとする。書換えフラグ
レジスタ（１）３０２に対して１ライン、１７ライン、
３３ライン…と、１６ラインおきにフラグレジスタをＯ
Ｎすれば他の書換えフラグレジスタの状態は図９に示す
ようになる。ここで高温時における上位フラグレジスタ
が選択され、それによりリフレッシュ動作を行うようい
ま、書換えフラグレジスタ（３）３０４が選択されてい
るとする。この場合、ライン１〜４に対応したフラグが
ＯＮとなっているので、ライン１〜４を走査し、次にラ
イン１７〜２０に対応したフラグがＯＮしているので１
７〜２０ラインを走査し、１００９〜１０１２を走査し
て一フィールド完了となる。なお、走査したラインに対
応するフラグがクリアされるのはいうまでもない。以
下、同様に、未走査の５〜８ラインの走査、２１〜２４
の走査と順に行い、４フィールド走査が完了した時点で
１フレームのリフレッシュが完了となる。これをくり返
すことでリフレッシュ動作となる。

【００６１】ここで、Ｎは走査ラインのオフセット値を
示し、Ｍは走査ラインのＮに足す値を示し、Ｉはひとつ
のフラグが対応する走査ラインの数を示す。９０１に
て、Ｉ，Ｎ，Ｍに初期値を設定する。この初期値は、あ
らかじめ設定されメインメモリ１０４又はＲＯＭ１０３
に格納された値又はキーボード１０９等から入力できる
様にしてもよい。

【００６２】次に温度により、書換えフラグレジスタ群
３０１のどのレジスタが選択されているかを判断する。
９０１にて書換えフラグレジスタ（１）３０２が選択さ
れているかどうか判断し選択されていないときは、９０
２にてＩに２をセットする。以下同様に９０３〜９０７
まで実行される。

【００６３】ここでは書換えフラグレジスタ（３）３０
４が選択されているので、Ｉ＝４であり、９０５から９
０８へと移る。９０８にて、Ｎ＋Ｍ番目のラインが転送
され、ＭにＭ＋１が入力される。９０９にてＭ＝Ｉがチ
ェックされる。すなわち、９０８と９０９にて、４本の
ラインが順次上の１ラインから転送される。

【００６４】９１０にて、ＮにＮ＋１６が入力される。
これは１６ラインおきであるためである。９１１にて、
Ｍに０が入力される。これは転送する４本のラインの最
上位のラインから転送をするためである。９１２にてＮ
が１０２４より大きいかどうか、すなわち、一画面の全
走査ラインを越えたかどうかがチェックされる。越えて
いない場合は、９０８から順次実行される。越えた場合
は９１３にて、Ｎが１０２４と等しいかどうか、すなわ
ち、全走査ラインが実行されたかどうかチェックされ
る。Ｎと１０２４が等しいときは、９０１から繰り返
し、実行される。Ｎと１０２４が等しくないときは、全
走査ラインが走査されていないので、ＮにＮ−１０２４
＋Ｉが入力され９０８から順次実行される。

【００６５】以上のように、通常のリフレッシュにも適
用することができる。

【００６６】（他の実施例３）書換えフラグレジスタ群
３０１の構成は図３においては、次のようになってい
る。

【００６７】すなわち、１．最低位レジスタ（書換えフラグレジスタ（１）３０
２）は画面の各ラインに対応、２．書換えフラグレジスタの数は４本、３．上位レジスタへの演算は２入力ＯＲ論理、である。

【００６８】これは一例を示したもので、表示デバイス
の温度特性、制御回路規模等により当然最適化されるも
のである。例えば、図１１に示すように、１．最低位レジスタはフラグひとつが画面の２ラインに
対応、２．書換えフラグレジスタの数は２本、３．上位レジスタへの演算は４入力ＯＲ論理とすること
により、レジスタの数を減らし、上位、下位レジスタを
切換える制御回路を含めて、構成が簡素化できる利点が
ある。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画面の各走査ラインに対応した書換えフラグレジスタを
複数持ち、温度等の環境の変化により書換えフラグレジ
スタを切り換えて使用することにより、表示装置を最適
にアクセスすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示制御装置を備えた表示装置を用い
た情報処理システムのブロック図。

【図２】ＦＬＣＤインタフェースの詳細を示すブロック
図。

【図３】書換えフラグレジスタ群を示す図。

【図４】ＦＬＣＤの表示画面と書換えフラグレジスタ群
との関係を示す概念図。

【図５】インタフェース２１９から供給する信号のタイ
ムチャート。

【図６】温度とＦＬＣＤの書換え時間の関係を示す図。

【図７】本実施例の動作を示すフローチャート。

【図８】他の実施例１の動作を示すフローチャート。

【図９】リフレッシュ動作時の書換えフラグレジスタ群
の一例を示す概念図。

【図１０】リフレッシュの動作を示すフローチャート。

【図１１】書換えフラグレジスタ群の他の一例を示す
図。

【符号の説明】

２０１ＦＬＣＤインタフェース２０２ＦＬＣＤユニット２０３温度センサ２１１Ａ／Ｄ変換器２１２ＶＲＡＭ２１３ＣＲＴＣ２１４部分書込み検出部２１５セレクタ２１６タイミング制御部２１７部分書換制御部２１８アドレス制御部２１９インターフェース３０１書換フラグレジスタ群

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者島倉正美東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者森本はじめ東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者棚橋淳一東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者坂下達也東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者伊奈謙三東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G09G 3/36 G02F 1/133 560 G06F 15/02 315

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】温度依存特性のある表示素子を有する表
示装置の表示の表示状態を更新する表示制御装置であっ
て、前記表示装置の所定の数の表示ライン毎に対応した第１
のフラグを有する第１フラグ手段と、前記表示素子の更新を行う表示ラインに対応する第１の
フラグをセットする設定手段と、前記第１のフラグの複数に対応し、対応する複数の第１
のフラグの少なくとも１つがセットされた場合にセット
される第２のフラグを有する第２フラグ手段と、前記表示装置の温度情報を検知する検知手段と、前記検知手段の検知に基づき、前記第１フラグ手段又は
前記第２フラグ手段の何れかを選択する選択手段と、前記選択手段で選択された前記第１フラグ手段又は第２
フラグ手段に基づいて、前記表示装置の表示ラインの駆
動を制御する制御手段とを有することを特徴とする表示
制御装置。
【請求項２】前記表示装置に表示するデータを供給す
る供給手段と、前記供給手段から供給されるデータを記憶する記憶手段
と、前記供給されたデータが記憶される前記記憶手段の記憶
位置を検出する検出手段とを有し、前記設定手段が、前記検出手段で検出された記憶位置に
基づいて前記第１フラグ手段の第１のフラグを設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】前記制御手段は、選択された第１フラグ
手段又は第２フラグ手段の中から、設定されているフラ
グが示す位置のデータを、前記記憶手段から読み出して
前記表示装置を制御することを特徴とする請求項２に記
載の表示制御装置。
【請求項４】前記表示装置が強誘電性液晶表示装置で
あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に
記載の表示制御装置。
【請求項５】温度依存特性のある表示素子を有する表
示装置の表示状態を更新する表示制御方法であって、前記表示装置に表示するデータを供給し、前記供給されるデータを記憶手段に記憶し、前記供給されたデータが記憶される前記記憶手段の記憶
位置を検出し、前記検出した記憶位置に基づき、前記表示装置の所定の
数の表示ライン毎に対応した第１フラグ、及び、前記第
１のフラグの複数に対応した第２のフラグを設定し、前記表示装置の温度情報に基づき選択された前記第１フ
ラグ又は前記第２フラグの何れかのフラグの設定に基づ
いて、前記表示装置の表示ラインの駆動を制御すること
を特徴とする表示制御方法。
【請求項６】前記表示装置が強誘電性液晶表示装置で
あることを特徴とする請求項５に記載の表示制御方法。