JP3224075B2 - チップインダクタ - Google Patents
チップインダクタInfo
- Publication number
- JP3224075B2 JP3224075B2 JP12439795A JP12439795A JP3224075B2 JP 3224075 B2 JP3224075 B2 JP 3224075B2 JP 12439795 A JP12439795 A JP 12439795A JP 12439795 A JP12439795 A JP 12439795A JP 3224075 B2 JP3224075 B2 JP 3224075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip inductor
- internal
- multilayer chip
- magnetic flux
- conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品として電気回
路に使用されるチップインダクタに関し、とくに小形で
ある積層チップインダクタに関する。さらに具体的に
は、本発明は、積層チップインダクタの構造に関する。
路に使用されるチップインダクタに関し、とくに小形で
ある積層チップインダクタに関する。さらに具体的に
は、本発明は、積層チップインダクタの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層チップインダクタは電子部品
として広く知られており、図６の（Ａ）ならびに（Ｂ）
に示されるように、磁性体材料６３を用いた閉磁路タイ
プの積層チップインダクタ６１と、低透磁率の材料６４
を用いた開磁路タイプの積層チップインダクタ６２と
の、二種類がある。なお、図中の６５、６６はそれぞれ
コイル形の内部導体をしめし、６７、６８はそれぞれ磁
束を示している。
として広く知られており、図６の（Ａ）ならびに（Ｂ）
に示されるように、磁性体材料６３を用いた閉磁路タイ
プの積層チップインダクタ６１と、低透磁率の材料６４
を用いた開磁路タイプの積層チップインダクタ６２と
の、二種類がある。なお、図中の６５、６６はそれぞれ
コイル形の内部導体をしめし、６７、６８はそれぞれ磁
束を示している。
【０００３】図６の（Ｂ）に示される、低透磁率材料６
４を用いた開磁路型の積層チップインダクタ６２は、イ
ンダクタンスが低く、安定しているため、高周波回路で
良く使用されている。しかしながら、開磁路型の積層チ
ップインダクタ６２は、図示されるように、磁束６８が
インダクタ本体である低透磁率材料６４の外に出るた
め、取り付けられた積層チップインダクタ６２の周囲に
ある物体質の影響を受けてしまうという問題点がある。
４を用いた開磁路型の積層チップインダクタ６２は、イ
ンダクタンスが低く、安定しているため、高周波回路で
良く使用されている。しかしながら、開磁路型の積層チ
ップインダクタ６２は、図示されるように、磁束６８が
インダクタ本体である低透磁率材料６４の外に出るた
め、取り付けられた積層チップインダクタ６２の周囲に
ある物体質の影響を受けてしまうという問題点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】もともと電子部品であ
るチップインダクタは、回路基板の上に他の電子部品と
共に実装されて使用される。したがって、内部のコイル
パタ−ンの巻き周回方向が、回路基板に対して、水平で
あるか、垂直であるかによって、磁束に与える影響が異
なるため、結果として、チップインダクタのインダクタ
ンス値が変化するという問題点があった。このため従来
は、回路基板に対するコイルパタ−ンの周回方向が、一
定になるように、すなわち、通常は垂直になるようにし
ていた。
るチップインダクタは、回路基板の上に他の電子部品と
共に実装されて使用される。したがって、内部のコイル
パタ−ンの巻き周回方向が、回路基板に対して、水平で
あるか、垂直であるかによって、磁束に与える影響が異
なるため、結果として、チップインダクタのインダクタ
ンス値が変化するという問題点があった。このため従来
は、回路基板に対するコイルパタ−ンの周回方向が、一
定になるように、すなわち、通常は垂直になるようにし
ていた。
【０００５】そのための方法として、直方形の幅と厚み
の差によるチップの形状により、あるいは識別マ−クな
どを用いて、たとえば、テ−プ・アセンブリ方式のテ−
ピング時に、チップインダクタの方向が揃うようにして
いた。この方法により、テ−ピングされたチップインダ
クタのコイルパタ−ンの周回方向は、一定方向に揃えら
れて、実装時のインダクタンス値も安定化することがで
きた。
の差によるチップの形状により、あるいは識別マ−クな
どを用いて、たとえば、テ−プ・アセンブリ方式のテ−
ピング時に、チップインダクタの方向が揃うようにして
いた。この方法により、テ−ピングされたチップインダ
クタのコイルパタ−ンの周回方向は、一定方向に揃えら
れて、実装時のインダクタンス値も安定化することがで
きた。
【０００６】しかしながら、電子回路の高性能化の進展
により、インダクタンス値の偏差値が狭い範囲内に求め
られるようになると、チップインダクタのコイルパタ−
ンの周回方向を揃えただけでは、インダクタンス値の偏
差が十分に抑えられないという事態が発生した。
により、インダクタンス値の偏差値が狭い範囲内に求め
られるようになると、チップインダクタのコイルパタ−
ンの周回方向を揃えただけでは、インダクタンス値の偏
差が十分に抑えられないという事態が発生した。
【０００７】この原因を調査したところ、小形直方体で
あるチップインダクタの内部構造が、非対称であること
が判明した。言い換えると、チップインダクタによって
発生する磁束が、非対称になっていることが判明した。
あるチップインダクタの内部構造が、非対称であること
が判明した。言い換えると、チップインダクタによって
発生する磁束が、非対称になっていることが判明した。
【０００８】このため、コイルパタ−ンの周回方向のみ
を等しくしても、直方体であるチップインダクタの取り
付け位置の、左右を入れ替えたり、あるいは上下を入れ
替えると、チップインダクタのインダクタンス値が変化
してしまい、インダクタンス値の偏差が大きくなってし
まうという欠点があった。
を等しくしても、直方体であるチップインダクタの取り
付け位置の、左右を入れ替えたり、あるいは上下を入れ
替えると、チップインダクタのインダクタンス値が変化
してしまい、インダクタンス値の偏差が大きくなってし
まうという欠点があった。
【０００９】上述のことを、図４ならびに図５にもとづ
き、さらに具体的に説明する。図４の（Ａ）は従来例の
積層チップインダクタ４１の斜視図を示し、図４の
（Ｂ）は積層チップインダクタ４１の正面からの概略的
な断面図を示し、図４の（Ｃ）は積層チップインダクタ
４１の平面からの概略的な断面図を示している。図中の
４２は方向識別用のマ−ク、４３、４４はそれぞれ外部
電極である。また、図中の４５、４６はそれぞれ引き出
し用の内部導体であり、この内部導体４５、４６の間に
コイルパタ−ンの内部導体４９が形成されている。な
お、図中の４８は、コイルパタ−ンの内部導体４９によ
る磁束である。
き、さらに具体的に説明する。図４の（Ａ）は従来例の
積層チップインダクタ４１の斜視図を示し、図４の
（Ｂ）は積層チップインダクタ４１の正面からの概略的
な断面図を示し、図４の（Ｃ）は積層チップインダクタ
４１の平面からの概略的な断面図を示している。図中の
４２は方向識別用のマ−ク、４３、４４はそれぞれ外部
電極である。また、図中の４５、４６はそれぞれ引き出
し用の内部導体であり、この内部導体４５、４６の間に
コイルパタ−ンの内部導体４９が形成されている。な
お、図中の４８は、コイルパタ−ンの内部導体４９によ
る磁束である。
【００１０】図５の（Ａ）は、積層チップインダクタ４
１が回路基板などに搭載された時の状態を概略的に示し
ている。この斜視図に於いては、たとえば、積層チップ
インダクタ４１の隣に他の電子部品５１が搭載されてい
る。なお、図中の５２、５３、５４はそれぞれ、回路基
板の導体パタ−ンである。
１が回路基板などに搭載された時の状態を概略的に示し
ている。この斜視図に於いては、たとえば、積層チップ
インダクタ４１の隣に他の電子部品５１が搭載されてい
る。なお、図中の５２、５３、５４はそれぞれ、回路基
板の導体パタ−ンである。
【００１１】電子部品５１は、図４の磁束４８の流れに
影響を与える物質、例えば磁性体とか、金属とかを含む
もので構成されている。すなわち、電子部品５１の多く
は金属を含むから、ほとんどの電子部品５１が磁束４８
の流れに影響を与えると考えて良いことは、勿論であ
る。
影響を与える物質、例えば磁性体とか、金属とかを含む
もので構成されている。すなわち、電子部品５１の多く
は金属を含むから、ほとんどの電子部品５１が磁束４８
の流れに影響を与えると考えて良いことは、勿論であ
る。
【００１２】図５の（Ａ）のような配置で、積層チップ
インダクタ４１を搭載した場合、言い換えると、積層チ
ップインダクタ４１を基本位置にして搭載した場合、図
４（Ｂ）、（Ｃ）の断面図を考慮すると、引き出し用の
内部導体４５、４６が、他の電子部品５１から離れたサ
イドに位置していることになる。この基本位置にある積
層チップインダクタ４１のインダクタンス値は、２２．
０ｎＨであった。
インダクタ４１を搭載した場合、言い換えると、積層チ
ップインダクタ４１を基本位置にして搭載した場合、図
４（Ｂ）、（Ｃ）の断面図を考慮すると、引き出し用の
内部導体４５、４６が、他の電子部品５１から離れたサ
イドに位置していることになる。この基本位置にある積
層チップインダクタ４１のインダクタンス値は、２２．
０ｎＨであった。
【００１３】図５の（Ｂ）のような配置で、積層チップ
インダクタ４１を搭載した場合、言い換えると、図４の
（Ｃ）を紙面上の中心で１８０度回転した状態、すなわ
ち、図５（Ａ）の基本位置で左右を入れ替えた状態の場
合、引き出し用の内部導体４５、４６が、他の電子部品
５１のサイドに位置することになる。この時の、積層チ
ップインダクタ４１のインダクタンス値は、２２．８ｎ
Ｈであった。
インダクタ４１を搭載した場合、言い換えると、図４の
（Ｃ）を紙面上の中心で１８０度回転した状態、すなわ
ち、図５（Ａ）の基本位置で左右を入れ替えた状態の場
合、引き出し用の内部導体４５、４６が、他の電子部品
５１のサイドに位置することになる。この時の、積層チ
ップインダクタ４１のインダクタンス値は、２２．８ｎ
Ｈであった。
【００１４】また、図示省略したが、図５の（Ａ）のよ
うな状態で、積層チップインダクタ４１を上下逆にした
場合、すなわち天地逆に搭載した場合、引き出し用の内
部導体４５、４６が、他の電子部品５１のサイドに位置
すると共に、導電パタ−ン５３、５４による影響が異な
ることになる。この場合の、積層チップインダクタ４１
のインダクタンス値は、２１．３ｎＨであった。
うな状態で、積層チップインダクタ４１を上下逆にした
場合、すなわち天地逆に搭載した場合、引き出し用の内
部導体４５、４６が、他の電子部品５１のサイドに位置
すると共に、導電パタ−ン５３、５４による影響が異な
ることになる。この場合の、積層チップインダクタ４１
のインダクタンス値は、２１．３ｎＨであった。
【００１５】さらに図示省略したが、図５の（Ｂ）のよ
うな状態で、積層チップインダクタ４１を上下逆にした
場合、すなわち天地逆に搭載した場合、言い換えると、
引き出し用の内部導体４５、４６が、他の電子部品５１
から離れたサイドに位置すると共に、導電パタ−ン５
３、５４による影響が異なることになる。この状態の、
積層チップインダクタ４１のインダクタンス値は、２
２．２ｎＨであった。
うな状態で、積層チップインダクタ４１を上下逆にした
場合、すなわち天地逆に搭載した場合、言い換えると、
引き出し用の内部導体４５、４６が、他の電子部品５１
から離れたサイドに位置すると共に、導電パタ−ン５
３、５４による影響が異なることになる。この状態の、
積層チップインダクタ４１のインダクタンス値は、２
２．２ｎＨであった。
【００１６】以上のことからも明らかなように、直方体
の積層チップインダクタを搭載する位置状態によって、
言い換えると、積層チップインダクタの取り付け姿勢に
よって、インダクタンス値の偏差値が大きくなるという
問題点があった。本発明は、直方体の積層チップインダ
クタの取り付け姿勢がどのようであっても、インダクタ
ンス値の偏差値が小になるようにする目的から開発され
たものである。
の積層チップインダクタを搭載する位置状態によって、
言い換えると、積層チップインダクタの取り付け姿勢に
よって、インダクタンス値の偏差値が大きくなるという
問題点があった。本発明は、直方体の積層チップインダ
クタの取り付け姿勢がどのようであっても、インダクタ
ンス値の偏差値が小になるようにする目的から開発され
たものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上述の諸問題を解消する
ため、本発明のチップインダクタは、小形直方体の中央
に一個のコイル形状の内部導体が形成され、この内部導
体の上下各端に、それぞれ外部電極への引き出し用内部
導体が形成されているチップインダクタにおいて、一対
になる前記引き出し用内部導体に対応して、一対になる
磁束補正用内部導体をそれぞれ形成し、前記チップイン
ダクタの内部構造を対称的にしたことを特徴としてい
る。
ため、本発明のチップインダクタは、小形直方体の中央
に一個のコイル形状の内部導体が形成され、この内部導
体の上下各端に、それぞれ外部電極への引き出し用内部
導体が形成されているチップインダクタにおいて、一対
になる前記引き出し用内部導体に対応して、一対になる
磁束補正用内部導体をそれぞれ形成し、前記チップイン
ダクタの内部構造を対称的にしたことを特徴としてい
る。
【００１８】さらに詳しく述べると、本発明のチップイ
ンダクタは、低い透磁率の材料からなる小形直方体の中
央に、一個のコイル形状の内部導体が形成され、この内
部導体の上下各端にそれぞれ、外部電極への引き出し用
内部導体が形成されているチップインダクタにおいて、
一対になる前記引き出し用内部導体に対応して、一対に
なる磁束補正用内部導体をそれぞれ形成し、前記チップ
インダクタの内部構造を対称的にしたことを特徴として
いる。
ンダクタは、低い透磁率の材料からなる小形直方体の中
央に、一個のコイル形状の内部導体が形成され、この内
部導体の上下各端にそれぞれ、外部電極への引き出し用
内部導体が形成されているチップインダクタにおいて、
一対になる前記引き出し用内部導体に対応して、一対に
なる磁束補正用内部導体をそれぞれ形成し、前記チップ
インダクタの内部構造を対称的にしたことを特徴として
いる。
【００１９】
【作用】この結果、チップインダクタの磁束の対称性が
改善されることになって、チップインダクタの取り付け
方向によるインダクタンス値の変化を抑えられることに
なった。言い換えると、直方体であるチップインダクタ
の取り付け位置の姿勢について、左右を入れ替えたり、
あるいは上下を入れ替えても、チップインダクタのイン
ダクタンス値の変化がなくほぼ一定することになった。
すなわち、インダクタンス値の偏差が小さくなった。
改善されることになって、チップインダクタの取り付け
方向によるインダクタンス値の変化を抑えられることに
なった。言い換えると、直方体であるチップインダクタ
の取り付け位置の姿勢について、左右を入れ替えたり、
あるいは上下を入れ替えても、チップインダクタのイン
ダクタンス値の変化がなくほぼ一定することになった。
すなわち、インダクタンス値の偏差が小さくなった。
【００２０】
【実施例】以下に本発明を、その実施例について、添付
の図面を参照して説明する。図１の（Ａ）は、本発明に
よる積層チップインダクタの実施例を示す斜視図であ
り、図１の（Ｂ）は同上実施例を正面からみた概略的な
断面図であり、図１の（Ｃ）は同上実施例を平面からみ
た概略的な断面図である。
の図面を参照して説明する。図１の（Ａ）は、本発明に
よる積層チップインダクタの実施例を示す斜視図であ
り、図１の（Ｂ）は同上実施例を正面からみた概略的な
断面図であり、図１の（Ｃ）は同上実施例を平面からみ
た概略的な断面図である。
【００２１】図中の１は小形の直方体である積層チップ
インダクタ、２は方向識別用のマ−クで、積層チップイ
ンダクタ１の上面一端寄りに形成されている。３、４は
それぞれ外部電極で、積層チップインダクタ１の両端部
をそれぞれ覆って形成されている。また、図中の５、６
はそれぞれ引き出し用の内部導体で、これら一対の内部
導体５、６は一対になる外部電極３、４にそれぞれ接続
されている。９はコイル形状の内部導体で、積層チップ
インダクタ１の中央に形成され、その上下の両端は一対
になる内部導体５、６にそれぞれ接続されている。
インダクタ、２は方向識別用のマ−クで、積層チップイ
ンダクタ１の上面一端寄りに形成されている。３、４は
それぞれ外部電極で、積層チップインダクタ１の両端部
をそれぞれ覆って形成されている。また、図中の５、６
はそれぞれ引き出し用の内部導体で、これら一対の内部
導体５、６は一対になる外部電極３、４にそれぞれ接続
されている。９はコイル形状の内部導体で、積層チップ
インダクタ１の中央に形成され、その上下の両端は一対
になる内部導体５、６にそれぞれ接続されている。
【００２２】７、１０は磁束補正用の内部導体で、引き
出し用の内部導体５、６の位置に対応して、内部導体
５、６の無い部分に形成されている。言い換えると、磁
束補正用の内部導体７、１０はダミ−であって、内部導
体５、６、７、１０を四個にすることにより、直方体で
ある積層チップインダクタ１の内部構造を改善してほぼ
対称性にするものである。なお、一対の磁束補正用の内
部導体７、１０はそれぞれ、一対の外部電極３、４にそ
れぞれ接続されている。また、図中の８はそれぞれ積層
チップインダクタ１によって形成される磁束を示してい
る。
出し用の内部導体５、６の位置に対応して、内部導体
５、６の無い部分に形成されている。言い換えると、磁
束補正用の内部導体７、１０はダミ−であって、内部導
体５、６、７、１０を四個にすることにより、直方体で
ある積層チップインダクタ１の内部構造を改善してほぼ
対称性にするものである。なお、一対の磁束補正用の内
部導体７、１０はそれぞれ、一対の外部電極３、４にそ
れぞれ接続されている。また、図中の８はそれぞれ積層
チップインダクタ１によって形成される磁束を示してい
る。
【００２３】前述の従来例と比較するため、上述の磁束
補正用の内部導体を用いた積層チップインダクタを作
り、インダクタンス値を測定した。図５の（Ａ）のよう
な配置で、実施例の積層チップインダクタ１を搭載した
場合、この時の積層チップインダクタ１のインダクタン
ス値は、２２．０ｎＨであった。図５の（Ｂ）のような
配置状態で、積層チップインダクタ１を搭載した場合、
この時の積層チップインダクタ１のインダクタンス値
は、２２．１ｎＨであった。図５（Ａ）の基本位置を上
下逆に入れ替えた状態の場合、この時の積層チップイン
ダクタ１のインダクタンス値は、２１．９ｎＨであっ
た。図５（Ｂ）の基本位置を天地逆に入れ替えた状態の
場合、この時の積層チップインダクタ１のインダクタン
ス値は、２２．０ｎＨであった 以下に、実施例と従来例とのインダクタンス値を比較し
た表を、要約して記載する。
補正用の内部導体を用いた積層チップインダクタを作
り、インダクタンス値を測定した。図５の（Ａ）のよう
な配置で、実施例の積層チップインダクタ１を搭載した
場合、この時の積層チップインダクタ１のインダクタン
ス値は、２２．０ｎＨであった。図５の（Ｂ）のような
配置状態で、積層チップインダクタ１を搭載した場合、
この時の積層チップインダクタ１のインダクタンス値
は、２２．１ｎＨであった。図５（Ａ）の基本位置を上
下逆に入れ替えた状態の場合、この時の積層チップイン
ダクタ１のインダクタンス値は、２１．９ｎＨであっ
た。図５（Ｂ）の基本位置を天地逆に入れ替えた状態の
場合、この時の積層チップインダクタ１のインダクタン
ス値は、２２．０ｎＨであった 以下に、実施例と従来例とのインダクタンス値を比較し
た表を、要約して記載する。
【００２４】
【表１】
【００２５】この表１からも明らかなごとく、本発明に
よる実施例の積層チップインダクタは、磁束の対称性が
改善されており、積層チップインダクタの取り付け方向
が、どのような姿勢であっても、インダクタンスの値に
はほとんど変動が見られなく、安定したインダクタンス
値が示されている。
よる実施例の積層チップインダクタは、磁束の対称性が
改善されており、積層チップインダクタの取り付け方向
が、どのような姿勢であっても、インダクタンスの値に
はほとんど変動が見られなく、安定したインダクタンス
値が示されている。
【００２６】ここでさらに、本発明による他の実施例を
説明する。図２の（Ａ）は本発明による第二の実施例を
正面から見た概略的な断面図であり、図２の（Ｂ）は同
じ実施例を平面から見た概略的な断面図である。図２の
実施例が、図１の実施例と異なるところは、対になる磁
束補正用の内部導体１７、２０の位置が隅部で対向して
いることにある。言い換えると、図２の実施例は、積層
チップインダクタ２１の中央部に形成される筒形状の内
部導体２９の上下両端の一方が、折り返されているた
め、図２の場合では内部導体２６が折り戻されているた
め、形成される四個の内部導体１７、２０、２５、２６
が、直方体である積層チップインダクタ２１の相対する
隅部に、それぞれが形成されている対称性の場合をしめ
す。
説明する。図２の（Ａ）は本発明による第二の実施例を
正面から見た概略的な断面図であり、図２の（Ｂ）は同
じ実施例を平面から見た概略的な断面図である。図２の
実施例が、図１の実施例と異なるところは、対になる磁
束補正用の内部導体１７、２０の位置が隅部で対向して
いることにある。言い換えると、図２の実施例は、積層
チップインダクタ２１の中央部に形成される筒形状の内
部導体２９の上下両端の一方が、折り返されているた
め、図２の場合では内部導体２６が折り戻されているた
め、形成される四個の内部導体１７、２０、２５、２６
が、直方体である積層チップインダクタ２１の相対する
隅部に、それぞれが形成されている対称性の場合をしめ
す。
【００２７】図３の（Ａ）は本発明による第三の実施例
を正面から見た概略的な断面図であり、図３の（Ｂ）は
同じ実施例を平面から見た概略的な断面図である。図３
の実施例が、図１の実施例と異なるところは、対になる
磁束補正用の内部導体２７、３０の位置が、積層チップ
インダクタ３１の相対する端部中央で対向していること
にある。言い換えると、図３の実施例は、積層チップイ
ンダクタ３１の中央部に形成されるコイル形状の内部導
体３９の上下両端が、それぞれ折り曲げられているた
め、形成される四個の内部導体２７、３０、３５、３６
が、直方体である積層チップインダクタ３１の相対する
端部の中央上下に、それぞれ形成されている対称性の場
合をしめす。
を正面から見た概略的な断面図であり、図３の（Ｂ）は
同じ実施例を平面から見た概略的な断面図である。図３
の実施例が、図１の実施例と異なるところは、対になる
磁束補正用の内部導体２７、３０の位置が、積層チップ
インダクタ３１の相対する端部中央で対向していること
にある。言い換えると、図３の実施例は、積層チップイ
ンダクタ３１の中央部に形成されるコイル形状の内部導
体３９の上下両端が、それぞれ折り曲げられているた
め、形成される四個の内部導体２７、３０、３５、３６
が、直方体である積層チップインダクタ３１の相対する
端部の中央上下に、それぞれ形成されている対称性の場
合をしめす。
【００２８】
【発明の効果】以上のごとくなる本発明は、直方体の中
央に一個のコイル形状になる内部導体が形成され、この
内部導体の上下各端に、それぞれ引き出し用の内部導体
が形成されているチップインダクタにおいて、一対にな
る前記引き出し用の内部導体に対応して、一対になる磁
束補正用の内部導体を形成し、前記チップインダクタの
内部構造を対称的にしたことを特徴とするから、チップ
インダクタの磁束の対称性が改善されることになって、
結果として、チップインダクタの取り付け方向によるイ
ンダクタンス値の変化が抑えられることになるという大
きな効果がある。
央に一個のコイル形状になる内部導体が形成され、この
内部導体の上下各端に、それぞれ引き出し用の内部導体
が形成されているチップインダクタにおいて、一対にな
る前記引き出し用の内部導体に対応して、一対になる磁
束補正用の内部導体を形成し、前記チップインダクタの
内部構造を対称的にしたことを特徴とするから、チップ
インダクタの磁束の対称性が改善されることになって、
結果として、チップインダクタの取り付け方向によるイ
ンダクタンス値の変化が抑えられることになるという大
きな効果がある。
【００２９】言い換えると、直方体であるチップインダ
クタの取り付け姿勢位置の左右を入れ替えたり、あるい
は取り付け姿勢位置の上下を入れ替えても、チップイン
ダクタのインダクタンス値の変化がほぼ一定になって、
インダクタンス値の偏差が小さくなり、高周波回路の高
性能化が可能になるという大きな効果が得られる。
クタの取り付け姿勢位置の左右を入れ替えたり、あるい
は取り付け姿勢位置の上下を入れ替えても、チップイン
ダクタのインダクタンス値の変化がほぼ一定になって、
インダクタンス値の偏差が小さくなり、高周波回路の高
性能化が可能になるという大きな効果が得られる。
【図１】（Ａ）は本発明による第一の実施例を示す斜視
図、（Ｂ）は同じ実施例を正面からみた概略的な断面
図、（Ｃ）は同上実施例を平面からみた概略的な断面図
である。
図、（Ｂ）は同じ実施例を正面からみた概略的な断面
図、（Ｃ）は同上実施例を平面からみた概略的な断面図
である。
【図２】（Ａ）は本発明による第二の実施例を正面から
見た概略的な断面図、（Ｂ）は同じ実施例を平面から見
た概略的な断面図である。
見た概略的な断面図、（Ｂ）は同じ実施例を平面から見
た概略的な断面図である。
【図３】（Ａ）は本発明による第三の実施例を正面から
見た概略的な断面図、（Ｂ）は同じ実施例を平面から見
た概略的な断面図である。
見た概略的な断面図、（Ｂ）は同じ実施例を平面から見
た概略的な断面図である。
【図４】（Ａ）は従来例をしめす斜視図、（Ｂ）は同じ
従来例を正面からみた概略的な断面図、（Ｃ）は同上従
来例を平面からみた概略的な断面図である。
従来例を正面からみた概略的な断面図、（Ｃ）は同上従
来例を平面からみた概略的な断面図である。
【図５】（Ａ）ならびに（Ｂ）はそれぞれ、従来例の使
用状態を説明するための斜視図である。
用状態を説明するための斜視図である。
【図６】（Ａ）ならびに（Ｂ）は、それぞれ従来例の説
明図である。
明図である。
１ 積層チップインダクタ ２ 方向識別用のマ−ク ３、４ 外部電極 ５、６ 引き出し用の内部導体 ７、１０ 磁束補正用の内部導体 ９ コイルパタ−ンの内部導体
Claims (2)
- 【請求項１】 小形直方体の中央に一個のコイル形状の
内部導体が形成され、この内部導体の上下各端に、それ
ぞれ外部電極への引き出し用内部導体が形成されている
チップインダクタにおいて、一対になる前記引き出し用
内部導体に対応して、一対になる磁束補正用内部導体を
それぞれ形成し、前記チップインダクタの内部構造を対
称的にしたことを特徴とするチップインダクタ。 - 【請求項２】 低い透磁率の材料からなる小形直方体の
中央に、一個のコイル形状の内部導体が形成され、この
内部導体の上下各端に、それぞれ外部電極への引き出し
用内部導体が形成されているチップインダクタにおい
て、一対になる前記引き出し用内部導体に対応して、一
対になる磁束補正用内部導体をそれぞれ形成し、前記チ
ップインダクタの内部構造を対称的にしたことを特徴と
するチップインダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439795A JP3224075B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | チップインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12439795A JP3224075B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | チップインダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298212A JPH08298212A (ja) | 1996-11-12 |
| JP3224075B2 true JP3224075B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=14884430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12439795A Expired - Fee Related JP3224075B2 (ja) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | チップインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224075B2 (ja) |
-
1995
- 1995-04-25 JP JP12439795A patent/JP3224075B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08298212A (ja) | 1996-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10847312B2 (en) | Coil component | |
| US9736942B2 (en) | Coil component, its manufacturing method, and circuit substrate provided with the coil component | |
| TW516049B (en) | Spiral inductor | |
| US8314743B2 (en) | Portable electronic device | |
| US9196415B2 (en) | Coil component | |
| US8604993B2 (en) | Antenna coil to be mounted on a circuit board and antenna device | |
| US10170836B2 (en) | Coil antenna device and antenna module | |
| JP3554209B2 (ja) | 面実装型コイル部品 | |
| JP4532167B2 (ja) | チップコイルおよびチップコイルを実装した基板 | |
| KR20000076821A (ko) | 코일 및 표면 실장형 코일 부품 | |
| US11133126B2 (en) | Coil component | |
| US11217372B2 (en) | Coil component | |
| JP4490698B2 (ja) | チップコイル | |
| JP3224075B2 (ja) | チップインダクタ | |
| JP3317213B2 (ja) | 巻線型チップインダクタ | |
| JP2005317725A (ja) | 電子部品 | |
| JP2004253930A (ja) | アイソレータ | |
| WO2024154391A1 (ja) | コイル部品、およびフィルタ回路 | |
| KR100281191B1 (ko) | 적층형 칩 인덕터 | |
| JPH0479305A (ja) | インダクタンス素子 | |
| JPH06163269A (ja) | チップコイル | |
| JPH0644113U (ja) | インピーダンス素子 | |
| JP3074785B2 (ja) | プリントコイル | |
| JPH097844A (ja) | 複合部品及びそれを用いたｄｃ−ｄｃ変換器 | |
| JPS62190628A (ja) | 近接スイツチ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010717 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070824 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |