JP3216875B2 - シリカ及びシリカの製造方法 - Google Patents

シリカ及びシリカの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はシリカに関し、さら
に詳しく言うと、焼成処理後においても高い比表面積を
有するとともに高強度を保持して、たとえば半導体の樹
脂封止剤フィラーとして好適に利用することのできるシ
リカに関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】たとえ
ば半導体の樹脂封止剤フィラーとして、天然シリカの粉
砕品あるいは溶融シリカが用いられている。
【0003】ところで、このような半導体の樹脂封止剤
フィラーにおいては、比表面積の高いことおよび高強度
であることが望まれる。
【0004】すなわち、樹脂封止剤フィラーの比表面積
および強度が低いと、表面処理に使用されるシランカッ
プリング剤、あるいはエポキシ樹脂組成物などのマトリ
ックス樹脂組成物と、樹脂封止剤フィラーとの接着性が
充分ではなくなって、所期の性能を有する半導体を得る
ことができない。
【0005】しかしながら、従来より用いられている天
然シリカの粉砕品あるいは溶融シリカにおいては、焼成
処理後の比表面積が低く、また強度も充分ではないとい
う問題がある。
【0006】一方、金属触媒用担体としてのシリカゲル
の表面処理法として、加圧下で、水およびアルコールの
存在下に熱処理する方法が知られている(日本化学会
誌、1985,(6),1016〜1023頁参
照。)。
【0007】ところが、この方法によって得られるシリ
カを、樹脂封止剤フィラーに用いた場合には、依然とし
て表面処理に使用されるシランカップリング剤、あるい
はエポキシ樹脂組成物などのマトリックス樹脂組成物と
シリカとの充分な接着性を達成することはできない。
【0008】したがって、焼成処理後の比表面積が高く
て、しかも高強度を保持するシリカが望まれているのが
実状である。
【0009】本発明は前記の事情に基いてなされたもの
である。
【0010】本発明の目的は、焼成処理後においても高
い比表面積を有するとともに高強度を保持して、たとえ
ば半導体の樹脂封止剤フィラーとして好適に利用するこ
とのできるシリカを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明者が鋭意検討を重ねた結果、焼成処理を行な
った後においても高い比表面積を有するとともに高強度
を保持する特定のシリカは、たとえば半導体の樹脂封止
剤フィラーとして用いた場合に、表面処理に使用される
シランカップリング剤、あるいはエポキシ樹脂組成物な
どのマトリックス樹脂組成物との充分な接着性を有する
こと、および特定のシリカを特定の条件下に加圧および
加熱処理すると、前述の利点を有する特定のシリカを効
率良く容易に製造することができることを見い出して、
本発明に到達した。
【0012】前記課題を解決するための手段は、ケイ酸
エステルから加圧加熱ゾルゲル法により得られた乾燥シ
リカを950〜1080℃の温度で焼成処理した後の比
表面積が50m2 /gを超え、300m2 /g以下であ
ることを特徴とするシリカであり、また、その他の手段
は、ケイ酸エステルから疎水性媒体処理加圧加熱ゾルゲ
ル法により得られた乾燥シリカを950〜1080℃の
温度で焼成処理した後の比表面積が50m 2 /gを超
え、300m 2 /g以下であることを特徴とするシリカ
であり、ケイ酸エステルから加圧加熱ゾルゲル法により
得られた乾燥シリカを950〜1080℃の温度で焼成
処理することにより、比表面積が50m2 /gを超え、
300m2 /g以下であるシリカを得ることを特徴とす
るシリカの製造方法であり、ケイ酸エステルから疎水性
媒体処理加圧加熱ゾルゲル法により得られた乾燥シリカ
を950〜1080℃の温度で焼成処理することによ
り、比表面積が50m 2 /gを超え、300m 2 /g以
下であるシリカを得ることを特徴とするシリカの製造方
法である。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明のシリカは、ケイ酸エステ
ルから加圧加熱ゾルゲル法又は疎水性媒体処理加圧加熱
ゾルゲル法により得られる未処理シリカを焼成した後、
粉砕して得ることができる。
【0014】焼成温度は、950〜1080℃である。
【0015】この焼成温度が950℃未満であると、充
分な機械的強度を有するシリカが得られないことがあ
る。一方、1080℃より高くしても、それに相当する
効果は奏されず、却って高比表面積かつ高強度のシリカ
を得ることができないことがある。
【0016】本発明のシリカの形状は、粉砕形、球状お
よび棒状のいずれであってもよい。
【0017】粉砕形の場合、その粒度分布には特に制限
はなく、用途に応じて適宜に設定することができるが、
たとえば半導体の樹脂封止剤フィラーに用いるときに
は、粒度分布に適当な幅があり、平均径8〜15μmで
あることが好ましい。また、球状あるいは棒状の場合に
も、平均径、平均長さ等については特に制限はなく、用
途に応じて適宜に設定することができるが、たとえば球
状シリカを半導体の樹脂封止剤フィラーに用いるときに
は、その平均径が、1〜50μmφであることが好まし
く、棒状シリカを半導体の樹脂封止剤フィラーに用いる
ときには、平均長さ1〜50μm、平均径1〜5μmφ
であることが好ましい。
【0018】本発明のシリカを、たとえば半導体の樹脂
封止剤フィラーに用いると、表面処理に使用されるシラ
ンカップリング剤、あるいはエポキシ樹脂組成物などの
マトリックス樹脂組成物との充分な接着性を発揮して、
接着不良に起因する機械的強度の低下を改善することが
できる。
【0019】また、本発明のシリカは、たとえば触媒担
体、各種充填材などにも好適に利用可能である。
【0020】そして、このような利点を有する本発明の
シリカは、次に詳述する方法により効率良く製造するこ
とができる。
【0021】本発明において、使用に供される前記未処
理シリカは、ケイ酸エステルから加圧加熱ゾルゲル法
は疎水性媒体処理加圧加熱ゾルゲル法により得られるも
のである。
【0022】具体的には、前記加圧加熱ゾルゲル法は、
ケイ酸エステルを加水分解してゾル液を調製し、次い
で、このゾル液の加熱処理により得られるゼリー状ゲル
、加圧加熱処理を含む以後の操作に供する方法であっ
、粉砕形シリカを得ることができる。一方、前記疎水
性媒体処理ゾルゲル法は、前記ゾル液を疎水性媒体中に
乳化分散させた後に、加圧加熱処理を含む以後の操作に
供する方法であって、球状あるいは棒状のシリカを得る
ことができる。
【0023】前記ケイ酸エステルとしては、たとえばテ
トラメトキシシランを好適に使用することができる。
【0024】また、球状あるいは棒状シリカを得る際に
使用される前記疎水性媒体としては、たとえば1−ブタ
ノール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノー
ル、ベンゼン、トルエン、キシレンなどが挙げられる。
【0025】本発明においては、次いで、前記未処理シ
リカを、圧力容器内の水中で、2〜16kg/cm2
圧力下に、2〜100時間、温度100〜200℃で
加熱処理する。
【0026】使用に供される前記圧力容器は、前記の条
件の加圧処理および加熱処理に耐えることのできるもの
であれば、特に制限はなく、たとえばオートクレーブを
好適に使用することができる。
【0027】前記圧力容器内に投入される水は、純度の
高いものであることが望ましく、たとえば超純水を好適
に使用することができる。
【0028】前記圧力容器内における前記未処理シリカ
と前記水との割合は、通常、前記水50重量部に対して
前記未処理シリカが50重量部以下である。前記水50
重量部に対する前記未処理シリカの割合が50重量部を
超えると、焼成後に高い比表面積を有するシリカが得ら
れないことがある。
【0029】本発明においては、通常、以下の条件下
に、前記圧力容器内の水中で、前記未処理シリカの処理
が進行する。
【0030】すなわち、前記圧力容器内の圧力は、通
常、2〜16kg/cm2 、好ましくは4〜10kg/
cm2 である。この圧力が2kg/cm2 未満である
と、焼成後に高い比表面積を有するシリカが得られない
ことがある。一方、16kg/cm2 を超えてもそれに
相当する効果は奏されないことがある。
【0031】また、前記加熱温度は、通常、100〜2
00℃、好ましくは170〜190℃である。この温度
が100℃より低いと処理に長時間を要したり、焼成後
に高い比表面積を有するシリカが得られなかったりする
ことがある。一方、200℃を超えても、それに相当す
る効果は奏されず、エネルギー効率の点で不利になる。
【0032】処理時間は、通常、2〜100時間、好ま
しくは12〜18時間である。この処理時間が2時間未
満であると、充分な処理が行なえず、焼成後に高い比表
面積を有する所望のシリカが得られないことがある。一
方、100時間より長くても、それに相当する効果は奏
されず、却って生産効率が低下することがある。
【0033】本発明においては、以上の処理を行なった
後、通常、水と湿潤シリカとを濾別する。
【0034】濾別により得られた湿潤シリカは、通常、
乾燥させた後に、焼成処理に供される。
【0035】焼成温度は、通常、950〜1080℃、
好ましくは1000〜1073℃である。この温度が9
50℃より低いと、充分な機械的強度を有するシリカが
得られないことがある。一方、1080℃より高くして
も、それに相当する効果は奏されないことがあり、エネ
ルギー効率の点で不利になる。
【0036】前記焼成処理には、たとえば電気炉を好適
に使用することができる。
【0037】このようにして得られるシリカは、たとえ
ばその形状が粉砕形であれば、ボールミル等を使用して
粉砕してもよいし、球状あるいは棒状であれば、そのま
ま使用に供することができる。
【0038】いずれにせよ、本発明のシリカは、温度9
50〜1080℃で焼成した後の比表面積が50m2
gを超え、300m2 /g以下、好ましくは50m2
gを超え、270m2 /g以下である。
【0039】この比表面積が著しく低いと、たとえば半
導体の樹脂封止剤フィラーに用いた場合に、表面処理に
使用されるシランカップリング剤、あるいはエポキシ樹
脂組成物などのマトリックス樹脂組成物との充分な接着
性が得られないことがある。
【0040】本発明におけるシリカの製造方法は、上述
した操作に従って行うことが可能であり加圧加熱ゾル
ゲル法又は疎水性媒体処理加圧加熱ゾルゲル法によりケ
イ酸エステルから得られる未処理シリカを原料に用いる
ことにより、焼成後においても高い比表面積および高強
度を有する本発明のシリカを、効率良く製造することが
可能である。
【0041】
【実施例】次に、本発明の実施例および比較例を示し、
本発明について、さらに具体的に説明する。
【0042】(実施例1)20lのフラスコに超純水4
810gを入れて、温度15℃の水浴中で、撹拌下にテ
トラメトキシシラン5074gを3時間かけて滴下した
後、1時間熟成させて加水分解液(以下、ゾル液と称す
る。)を得た。
【0043】得られたゾル液を、ロータリーエバポレー
ター用の20lフラスコに移し、このフラスコをエバポ
レーターに取り付けた。
【0044】オイルバスを加熱してゾル液をゲル化した
後、乾燥させた。このときのオイルバスの温度は180
℃であった。また、得られた乾燥シリカの含水率は約1
0%であり、比表面積は708m2 /gであった。
【0045】次いで、この乾燥シリカ1.2kgと超純
水1.4kgとを容量1990mlのオートクレーブに
充分混合して投入した。
【0046】その後、オートクレーブを180℃に加熱
したオイルバスに投入し、18時間処理した。このと
き、オートクレーブの圧力計は5.0kg/cm2 を示
した。
【0047】この操作を2回行なって乾燥シリカ2.4
kgを処理した。
【0048】処理後、超純水とシリカとを濾別して、得
られたシリカを電気炉を用いて、温度1000℃にて4
時間焼成して、焼成シリカ1.7kgを得た。
【0049】この焼成シリカの比表面積は169m2
gであった。
【0050】この焼成シリカ1.7kgを、容量7.3
lのアルミナポットミルに入れ、次いで、アルミナボー
ル(25mmφ)約2.9lを投入して粉砕を開始し
た。
【0051】粉砕終了後、1.6kgのシリカを得た。
【0052】得られたシリカの比表面積は180m2
gであった。
【0053】また、このシリカの粒度分布は次の通りで
あった。
【0054】なお、比表面積の測定には比表面積自動測
定装置(マイクロメリティックス社製;「フローソーブ
2300形」)を使用するとともに、粒度分布の測定に
はレーザー粒度分布測定装置(シーラス社製;「CIL
AS 715形」 )を使用した。
【0055】 (実施例2)ケイ酸エステルのゾル液を疎水性媒体中に
乳化分散させて得られた湿潤した球状シリカ40gと超
純水140gとを容量200mlのオートクレーブに充
分混合して投入した。
【0056】その後、オートクレーブを180℃に加熱
したオイルバスに投入し、2時間処理した。このとき、
オートクレーブの圧力計は10kg/cm2 を示した。
【0057】処理後、超純水とシリカとを濾別して、得
られた湿潤シリカを、温度180℃のオイルバス中で、
ロータリーエバポレーターを用いて乾燥させて乾燥球状
シリカ10gを得た。
【0058】この乾燥球状シリカの比表面積は470m
2 /gであった。
【0059】次いで、電気炉を用いて、この乾燥球状シ
リカを、温度1000℃にて4時間焼成して、焼成シリ
カ8gを得た。
【0060】この焼成シリカの比表面積は70m2 /g
であった。
【0061】また、得られたシリカの粒度分布は次の通
りであった。
【0062】 (実施例3)前記実施例2において、オートクレーブで
の加熱時間を2時間から15時間に変えたほかは、前記
実施例2と同様にして実施した。
【0063】得られた乾燥球状シリカは10gであり、
その比表面積は292m2 /gであった。
【0064】また、得られたシリカは8gであり、その
比表面積は253m2 /gであった。
【0065】さらに、得られたシリカの粒度分布は次の
通りであった。
【0066】 (実施例4)前記実施例2において、球状シリカに代え
て棒状シリカを用いるとともに、オートクレーブでの加
熱時間を2時間から18時間に変えたほかは、前記実施
例2と同様にして実施した。
【0067】得られた乾燥棒状シリカは15gであり、
その比表面積は252m2 /gであった。
【0068】また、得られたシリカは13gであり、S
EM観察を行なった結果、長さ50μm、直径10μm
であり、その比表面積は200m2 /gであった。
【0069】(比較例1)前記実施例1において、オー
トクレーブを用いた加熱処理を行なわなかったほかは、
前記実施例1と同様にしてシリカ1.7kgを得た。
【0070】焼成シリカの比表面積は1.4m2 /gで
あった。
【0071】また、粉砕処理を行なって得られたシリカ
の比表面積は3.1m2 /gであり、粒度分布は次の通
りであった。
【0072】 (比較例2)前記実施例1において、オートクレーブを
用いた加熱処理を行なわないとともに、電気炉による焼
成温度を1000℃から1073℃に変えたほかは、前
記実施例1と同様にしてシリカ1.7kgを得た。
【0073】焼成シリカの比表面積は0.7m2 /gで
あった。
【0074】また、粉砕処理を行なって得られたシリカ
の比表面積は2.5m2 /gであり、粒度分布は次の通
りであった。
【0075】 (比較例3)前記実施例2において、オートクレーブを
用いた加熱処理を行なわなかったほかは、前記実施例2
と同様にして球状シリカ10gを得た。
【0076】使用した乾燥球状シリカの比表面積は70
9m2 /gであった。
【0077】また、得られた球状シリカの比表面積は
0.6m2 /gであり、粒度分布は次の通りであった。
【0078】 (比較例4)前記実施例4において、オートクレーブを
用いた加熱処理を行なわなかったほかは、前記実施例4
と同様にして棒状シリカを得た。
【0079】得られた乾燥棒状シリカは15gであり、
その比表面積は645m2 /gであった。
【0080】また、得られたシリカは13gであり、S
EM観察を行なった結果、長さ50μm、直径10μm
であり、その比表面積は2.8m2 /gであった。
【0081】(評価) 実施例1〜実施例4および比較例1〜比較例4の結果か
ら明らかなように、前記実施例1〜実施例4により得ら
れた請求項1および請求項2に記載のシリカ、又は、請
求項3および請求項4に記載のシリカの製造方法により
製造されたシリカは、焼成後の比表面積が著しく向上し
ていることを確認した。
【0082】
【発明の効果】本発明によると、特定の焼成温度で焼成
した後の比表面積が特定の範囲にあるので、たとえば半
導体の樹脂封止剤フィラーに使用した場合に、表面処理
に使用されるシランカップリング剤、あるいはエポキシ
樹脂組成物などのマトリックス樹脂組成物との接着性の
低下がなくて、機械的強度の向上を図ることが可能であ
り、またたとえば触媒担体、各種充填材などにも好適に
利用可能である等の利点を有する工業的に有用なシリカ
を提供することができる。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ケイ酸エステルから加圧加熱ゾルゲル法
    により得られた乾燥シリカを950〜1080℃の温度
    で焼成処理した後の比表面積が50m2 /gを超え、3
    00m2 /g以下であることを特徴とするシリカ。
  2. 【請求項2】 ケイ酸エステルから疎水性媒体処理加圧
    加熱ゾルゲル法により得られた乾燥シリカを950〜1
    080℃の温度で焼成処理した後の比表面積が50m 2
    /gを超え、300m 2 /g以下であることを特徴とす
    るシリカ。
  3. 【請求項3】 ケイ酸エステルから加圧加熱ゾルゲル法
    により得られた乾燥シリカを950〜1080℃の温度
    で焼成処理することにより、比表面積が50m 2 /gを
    超え、300m 2 /g以下であるシリカを得ることを特
    徴とするシリカの製造方法。
  4. 【請求項4】 ケイ酸エステルから疎水性媒体処理加圧
    加熱ゾルゲル法により得られた乾燥シリカを950〜1
    080℃の温度で焼成処理することにより、比表面積が
    50m 2 /gを超え、300m 2 /g以下であるシリカ
    を得ることを特徴とするシリカの製造方法。
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