JP3201576B2 - 半導体薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたプラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP3201576B2 JP3201576B2 JP33969695A JP33969695A JP3201576B2 JP 3201576 B2 JP3201576 B2 JP 3201576B2 JP 33969695 A JP33969695 A JP 33969695A JP 33969695 A JP33969695 A JP 33969695A JP 3201576 B2 JP3201576 B2 JP 3201576B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- time
- thin film
- semiconductor thin
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子産業における
半導体薄膜の製造方法及びそれに用いるプラズマＣＶＤ
装置に関するものであって、特に、太陽電池等の光半導
体デバイスに最適な半導体薄膜の製造方法及びプラズマ
ＣＶＤ装置に関するものである。
半導体薄膜の製造方法及びそれに用いるプラズマＣＶＤ
装置に関するものであって、特に、太陽電池等の光半導
体デバイスに最適な半導体薄膜の製造方法及びプラズマ
ＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、プラズマを用いた気相からの薄膜
形成方法は、金属膜、半導体膜、誘電体膜等の広範囲に
わたって用いられるようになってきた。特に、プラズマ
ＣＶＤ装置を用いて４族水素化合物をプラズマ状態にす
ることにより４族水素化合物を活性種に分解した上で基
板上に堆積させる。これにより形成される水素化アモル
ファスシリコン系薄膜（水素化アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、水素化アモルファスシリコンカーボ
ン（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）、水素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）等）については、半導
体として最も重要なｐｎ制御が報告されて以来、精力的
な研究開発が行われ、電卓などの民生用太陽電池や液晶
表示デバイス、感光ドラム、各種センサーの心臓部の半
導体薄膜として実用化に貢献している。
形成方法は、金属膜、半導体膜、誘電体膜等の広範囲に
わたって用いられるようになってきた。特に、プラズマ
ＣＶＤ装置を用いて４族水素化合物をプラズマ状態にす
ることにより４族水素化合物を活性種に分解した上で基
板上に堆積させる。これにより形成される水素化アモル
ファスシリコン系薄膜（水素化アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、水素化アモルファスシリコンカーボ
ン（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）、水素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）等）については、半導
体として最も重要なｐｎ制御が報告されて以来、精力的
な研究開発が行われ、電卓などの民生用太陽電池や液晶
表示デバイス、感光ドラム、各種センサーの心臓部の半
導体薄膜として実用化に貢献している。
【０００３】このような半導体薄膜を用いたデバイスの
応用範囲をさらに広げ、マーケットを拡大していくため
に、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜されるこ
とが望まれている。例えば、水素化アモルファスシリコ
ン系薄膜を用いたアモルファス太陽電池を例に説明する
と、電卓などに用いられている民生用以外に大きな用途
展開が期待される電力用の太陽電池として実用化するた
めには、既存の商用電力と競合できる低コスト化を図る
ことが不可欠である。本願発明者らのコスト分析によれ
ば、既存の商用電力と競合できる低コスト化を図るため
には、水素化アモルファスシリコン系薄膜の成膜速度
は、現状の成膜速度より一桁程度速い高速化、具体的に
は６００Å／分程度の高速成膜であって、しかも高品質
な膜を高歩留まりで堆積することが必要である。
応用範囲をさらに広げ、マーケットを拡大していくため
に、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜されるこ
とが望まれている。例えば、水素化アモルファスシリコ
ン系薄膜を用いたアモルファス太陽電池を例に説明する
と、電卓などに用いられている民生用以外に大きな用途
展開が期待される電力用の太陽電池として実用化するた
めには、既存の商用電力と競合できる低コスト化を図る
ことが不可欠である。本願発明者らのコスト分析によれ
ば、既存の商用電力と競合できる低コスト化を図るため
には、水素化アモルファスシリコン系薄膜の成膜速度
は、現状の成膜速度より一桁程度速い高速化、具体的に
は６００Å／分程度の高速成膜であって、しかも高品質
な膜を高歩留まりで堆積することが必要である。
【０００４】しかしながら、プラズマＣＶＤ法におい
て、供給する高周波電力を高めたり、原料ガスの供給量
を増加させることにより高速成膜の実現は可能である
が、このような方法で半導体膜を６００Å／分程度の高
速成膜条件下で成膜しようとすると、多量のポリシラン
パウダーが発生し、結局、低歩留まりの膜しか得られな
かった（以下「従来プラズマＣＶＤ法１」という）。
て、供給する高周波電力を高めたり、原料ガスの供給量
を増加させることにより高速成膜の実現は可能である
が、このような方法で半導体膜を６００Å／分程度の高
速成膜条件下で成膜しようとすると、多量のポリシラン
パウダーが発生し、結局、低歩留まりの膜しか得られな
かった（以下「従来プラズマＣＶＤ法１」という）。
【０００５】一方、このようなパウダー発生の問題点を
解決できるプラズマＣＶＤ法を用いたａ−Ｓｉ：Ｈ膜の
高速成膜の取り組みとして、高周波発振回路に周期的に
オン・オフを行う発振回路を組み合わせ、図１（ａ）に
示されるように、周期的オン・オフを行った変調高周波
電源を励起電源に用いたプラズマＣＶＤ法（Ａｐｐｌ.
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５３（１９８８）１２６３、Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ. ５7（１９９０)１６１６、
応用物理第６２巻第７号（１９９３）６９９）が提案さ
れている（以下「従来プラズマＣＶＤ法２」という）。
解決できるプラズマＣＶＤ法を用いたａ−Ｓｉ：Ｈ膜の
高速成膜の取り組みとして、高周波発振回路に周期的に
オン・オフを行う発振回路を組み合わせ、図１（ａ）に
示されるように、周期的オン・オフを行った変調高周波
電源を励起電源に用いたプラズマＣＶＤ法（Ａｐｐｌ.
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５３（１９８８）１２６３、Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ. ５7（１９９０)１６１６、
応用物理第６２巻第７号（１９９３）６９９）が提案さ
れている（以下「従来プラズマＣＶＤ法２」という）。
【０００６】この従来プラズマＣＶＤ法２では、周期的
オン・オフの周波数１ｋＨｚ、デューティ比５０％（従
って、オン時間は５００μｓｅｃ）近傍の成膜条件で成
膜速度３００Å／分〜６００Å／分程度のａ−Ｓｉ：Ｈ
膜を堆積させた場合、従来プラズマＣＶＤ法１と比べ
て、反応装置内には、いわゆるボリシランのパウダー発
生が顕著に抑さえられるという効果が認められている。
反応装置内に堆積されるパウダーは、装置メンテナンス
頻度を増加させるばかりではなく、このようなパウダー
が基板に付着すれば製品の歩留まりを低下させる。従っ
て、高速成膜でパウダー発生を抑制できる従来プラズマ
ＣＶＤ法２は生産ラインのスループット、及び歩留まり
を高める方法と言える。
オン・オフの周波数１ｋＨｚ、デューティ比５０％（従
って、オン時間は５００μｓｅｃ）近傍の成膜条件で成
膜速度３００Å／分〜６００Å／分程度のａ−Ｓｉ：Ｈ
膜を堆積させた場合、従来プラズマＣＶＤ法１と比べ
て、反応装置内には、いわゆるボリシランのパウダー発
生が顕著に抑さえられるという効果が認められている。
反応装置内に堆積されるパウダーは、装置メンテナンス
頻度を増加させるばかりではなく、このようなパウダー
が基板に付着すれば製品の歩留まりを低下させる。従っ
て、高速成膜でパウダー発生を抑制できる従来プラズマ
ＣＶＤ法２は生産ラインのスループット、及び歩留まり
を高める方法と言える。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来プラズマＣＶＤ法２においては、次に示す問題があ
った。上記の従来プラズマＣＶＤ法２で得られたａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜の膜構造の赤外吸収スペクトルデータを本願発
明者が詳細に分析すると、通常の６０Å／分程度の低速
で堆積された高品質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜に対して以下に示
すような差異が観測された。すなわち、通常の６０Å／
分程度の低速で堆積された高品質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜で
は、２０００ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈ結合がほとんどであ
るのに対して、上記の従来プラズマＣＶＤ法２による高
速成膜では２０９０ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈ2結合がＳｉ
−Ｈ結合と同程度に存在した。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜中に含ま
れるＳｉ−Ｈ2結合は、半導体膜の光導電率、及び光導
電率／暗導電率の比を低下させ、ひいては光半導体デバ
イスの性能を低下させる。このことから、従来プラズマ
ＣＶＤ法２によるａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜では、反応装置
内でのパウダー発生を抑止しながら高速成膜できるが、
膜構造の変化に伴う光導電率、及び光導電率／暗導電率
の比の低下を招いてしまうことになり、太陽電池等の光
半導体デバイスの半導体薄膜としては不適であることが
判明した。
従来プラズマＣＶＤ法２においては、次に示す問題があ
った。上記の従来プラズマＣＶＤ法２で得られたａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜の膜構造の赤外吸収スペクトルデータを本願発
明者が詳細に分析すると、通常の６０Å／分程度の低速
で堆積された高品質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜に対して以下に示
すような差異が観測された。すなわち、通常の６０Å／
分程度の低速で堆積された高品質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜で
は、２０００ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈ結合がほとんどであ
るのに対して、上記の従来プラズマＣＶＤ法２による高
速成膜では２０９０ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈ2結合がＳｉ
−Ｈ結合と同程度に存在した。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜中に含ま
れるＳｉ−Ｈ2結合は、半導体膜の光導電率、及び光導
電率／暗導電率の比を低下させ、ひいては光半導体デバ
イスの性能を低下させる。このことから、従来プラズマ
ＣＶＤ法２によるａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜では、反応装置
内でのパウダー発生を抑止しながら高速成膜できるが、
膜構造の変化に伴う光導電率、及び光導電率／暗導電率
の比の低下を招いてしまうことになり、太陽電池等の光
半導体デバイスの半導体薄膜としては不適であることが
判明した。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、ポリシラン
パウダーの発生を抑制しつつ高速成膜を達成し、かつ太
陽電池等の光半導体デバイスとしても充分に活用できる
高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方
法を用いたプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、ポリシラン
パウダーの発生を抑制しつつ高速成膜を達成し、かつ太
陽電池等の光半導体デバイスとしても充分に活用できる
高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方
法を用いたプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体薄膜
の製造方法は、高周波電力を周期的にオンオフさせて４
族水素化合物あるいは４族水素化合物の誘導体をプラズ
マ状態にして基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法
であって、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ 2 結合の含有
比が小さくなるように、周波数が２７. １２ＭＨｚの高
周波電力を、予め設定されたオン時間に基づいて、周期
的にオンオフさせることを特徴としており、そのことに
より上記目的が達成される。
の製造方法は、高周波電力を周期的にオンオフさせて４
族水素化合物あるいは４族水素化合物の誘導体をプラズ
マ状態にして基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法
であって、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ 2 結合の含有
比が小さくなるように、周波数が２７. １２ＭＨｚの高
周波電力を、予め設定されたオン時間に基づいて、周期
的にオンオフさせることを特徴としており、そのことに
より上記目的が達成される。
【００１０】また、本発明による半導体薄膜の製造方法
は、高周波電力を周期的にオンオフさせて４族水素化合
物あるいは４族水素化合物の誘導体をプラズマ状態にし
て基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法であって、
Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ 2 結合の含有比が小さく
なるように、周波数が２７. １２ＭＨｚ以上の高周波電
力を、予め設定されたオン時間に基づいて、周期的にオ
ンオフさせることを特徴としており、そのことにより上
記目的が達成される。
は、高周波電力を周期的にオンオフさせて４族水素化合
物あるいは４族水素化合物の誘導体をプラズマ状態にし
て基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法であって、
Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ 2 結合の含有比が小さく
なるように、周波数が２７. １２ＭＨｚ以上の高周波電
力を、予め設定されたオン時間に基づいて、周期的にオ
ンオフさせることを特徴としており、そのことにより上
記目的が達成される。
【００１１】
【００１２】
【００１３】本発明によるプラズマＣＶＤ装置は、半導
体薄膜の製造方法に用いるプラズマＣＶＤ装置であっ
て、プラズマ生成エネルギーを供給する高周波電力発生
手段と、エネルギーの供給の有無を時分割制御する制御
手段とを備えることを特徴としており、そのことにより
上記目的が達成される。
体薄膜の製造方法に用いるプラズマＣＶＤ装置であっ
て、プラズマ生成エネルギーを供給する高周波電力発生
手段と、エネルギーの供給の有無を時分割制御する制御
手段とを備えることを特徴としており、そのことにより
上記目的が達成される。
【００１４】
【００１５】以下、本発明の作用を説明する。
【００１６】プラズマ生成の電力供給のオン時間幅を、
他の条件を従来プラズマＣＶＤ法２と同じにして、例え
ばその１０分の１以下と極めて短時間に制御することに
より、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比を
減少させることができ、光導電率、及び光導電率／暗導
電率の比の良好な膜を得られる。具体的には本発明の電
力供給のオン時間幅を、５０μｓｅｃ以下にすることに
より、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ2結合の含有比を
減少させることができた。
他の条件を従来プラズマＣＶＤ法２と同じにして、例え
ばその１０分の１以下と極めて短時間に制御することに
より、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比を
減少させることができ、光導電率、及び光導電率／暗導
電率の比の良好な膜を得られる。具体的には本発明の電
力供給のオン時間幅を、５０μｓｅｃ以下にすることに
より、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ2結合の含有比を
減少させることができた。
【００１７】Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ2結合の含
有比を減少させることができるのはプラズマでのＳｉＨ
やＳｉＨ2などの活性種の２次反応で生成されるクラス
ター分子の発生を抑止できているためと思われる。この
クラスター分子発生の時間スケールは、［（プラズマ内
の長寿命活性種（この場合ＳｉＨ3）以外の活性種（こ
の場合ＳｉＨ2など）と反応する母ガス（この場合Ｓｉ
Ｈ4）との２次反応速度定数）×（母ガス分子の数）］
の逆数の時間で与えられることが、筆者らの理論的考察
によって判明しているので、この時間スケールでプラズ
マ生成のエネルギー供給を間欠的に行えばよいことにな
る。
有比を減少させることができるのはプラズマでのＳｉＨ
やＳｉＨ2などの活性種の２次反応で生成されるクラス
ター分子の発生を抑止できているためと思われる。この
クラスター分子発生の時間スケールは、［（プラズマ内
の長寿命活性種（この場合ＳｉＨ3）以外の活性種（こ
の場合ＳｉＨ2など）と反応する母ガス（この場合Ｓｉ
Ｈ4）との２次反応速度定数）×（母ガス分子の数）］
の逆数の時間で与えられることが、筆者らの理論的考察
によって判明しているので、この時間スケールでプラズ
マ生成のエネルギー供給を間欠的に行えばよいことにな
る。
【００１８】さらに、２７．１２ＭＨｚ以上の高・高周
波プラズマにすることにより、ガスの分解効率を増加さ
せることができ、同じ投入電力においても１３．５６Ｍ
Ｈｚの場合と比較して堆積速度を増加させることが可能
である。また、２７．１２ＭＨｚ以上の高・高周波化を
行うことにより、従来用いられてきた１３．５６ＭＨｚ
の場合と比較して、プラズマポテンシャルを低く抑える
ことができ、膜に対するイオン種によるダメージが減少
し、膜の高品質化を図ることができる。以上のことから
２７．１２ＭＨｚ以上の高・高周波をプラズマ生成源と
して用い、さらにプラズマ生成のエネルギーを間欠的に
供給することにより、一層の高速・高品質化が可能とな
る。
波プラズマにすることにより、ガスの分解効率を増加さ
せることができ、同じ投入電力においても１３．５６Ｍ
Ｈｚの場合と比較して堆積速度を増加させることが可能
である。また、２７．１２ＭＨｚ以上の高・高周波化を
行うことにより、従来用いられてきた１３．５６ＭＨｚ
の場合と比較して、プラズマポテンシャルを低く抑える
ことができ、膜に対するイオン種によるダメージが減少
し、膜の高品質化を図ることができる。以上のことから
２７．１２ＭＨｚ以上の高・高周波をプラズマ生成源と
して用い、さらにプラズマ生成のエネルギーを間欠的に
供給することにより、一層の高速・高品質化が可能とな
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
について説明する。
について説明する。
【００２０】本実施の形態は、４族水素化合物の原料ガ
スとしてモノシランを用いて太陽電池用の半導体薄膜で
あるａ−Ｓｉ：Ｈ膜を成膜した場合である。なお、原料
ガスとして、モノシランに限ることなく４族水素化合物
の誘導体であるＳｉＨ2Ｆ2、ＳｉＨＦ3、ＳｉＨ2Ｃ１2
を用いることもできる。
スとしてモノシランを用いて太陽電池用の半導体薄膜で
あるａ−Ｓｉ：Ｈ膜を成膜した場合である。なお、原料
ガスとして、モノシランに限ることなく４族水素化合物
の誘導体であるＳｉＨ2Ｆ2、ＳｉＨＦ3、ＳｉＨ2Ｃ１2
を用いることもできる。
【００２１】図２に、本実施の形態に使用したプラズマ
ＣＶＤ装置の模式図を示す。この装置は、いわゆる容量
結合型のプラズマＣＶＤ装置であり、反応室１のカソー
ド電極２と高周波電源３および変調用電源４とがマッチ
ング回路５を介して接続され、カソード電極２と基板６
を固定したアノード電極７との間の領域においてプラズ
マ８を発生させるという構造を有している。ここで、基
板６には、赤外吸収スペクトルを評価を行うために結晶
シリコンウエハーを用いている。
ＣＶＤ装置の模式図を示す。この装置は、いわゆる容量
結合型のプラズマＣＶＤ装置であり、反応室１のカソー
ド電極２と高周波電源３および変調用電源４とがマッチ
ング回路５を介して接続され、カソード電極２と基板６
を固定したアノード電極７との間の領域においてプラズ
マ８を発生させるという構造を有している。ここで、基
板６には、赤外吸収スペクトルを評価を行うために結晶
シリコンウエハーを用いている。
【００２２】このプラズマＣＶＤ装置においては、流量
コントローラ（図示せず）によって５００ｓｃｃｍのシ
ランガスを反応室１に流量制御しながら導入し（導入口
を図示せず）、一定の流量割合で排気して、反応室１内
の圧力０．６２Ｔｏｒｒに維持している。また、高周波
電源３の発振周波数は２７．１２ＭＨｚで、この高周波
電力に直流的にオン・オフを一定周期で繰り返す変調用
電源４の低周波電力を重ね合わせ、図１（ｂ）に示すよ
うに、２７．１２ＭＨｚの高周波電力を周期的にオン・
オフする変調高周波電力を発生させる。この変調高周波
電力は、マッチング回路５を介してカソード電極２に供
給されており、これによりカソード電極２とアノード電
極７との間の領域でプラズマ８が発生することになる。
このようにして、シランプラズマを両電極間に発生させ
ることによって、基板６上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積させ
ることができる。本実施の形態では、高周波電力を直流
的にオン・オフを一定周期で繰り返したが、プラズマ生
成のための高周波電力を完全にオフせずとも、プラズマ
生成のオン・オフを行うことができればよい。なお、本
実施の形態においては、基板温度を２７０℃に設定し
た。図３に、変調高周波の１周期のオフ時間を５０μｓ
ｅｃと固定した上記成膜条件下において、変調高周波の
１周期のオン時間をパラメータとして、オン時間を５μ
ｓｅｃから１００μｓｅｃまで変えた時に得られた膜の
赤外吸収スペクトル解析によるＳｉ−Ｈ結合及びＳｉ−
Ｈ2結合の結合水素量の原子％結果を示す。上記成膜条
件のうち、成膜速度を約６００Å／分に保つように高周
波電力のパワーを２００Ｗから１ｋＷまで調整した。図
３から、明らかなように、膜中のＳｉ−Ｈ2結合は、オ
ン時間５０μｓｅｃ付近から減少し始め、５μｓｅｃで
は、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ2結合の含有比が１
０％程度まで低下している。このデータは、濃度及び含
有比のいずれについても通常の成膜速度が約６０Å／分
程度の低速膜と同等の高品質な膜が形成されていること
を示している。これにより、成膜速度６００Å／分とい
う高速成膜条件下でも、光導電率及び光導電率／暗導電
率の比の優れた膜を得ることができた。なお、Ｓｉ−Ｈ
結合に対するＳｉ−Ｈ2結合の含有比は２０％以下であ
れば、太陽電池としては実用上問題がない。
コントローラ（図示せず）によって５００ｓｃｃｍのシ
ランガスを反応室１に流量制御しながら導入し（導入口
を図示せず）、一定の流量割合で排気して、反応室１内
の圧力０．６２Ｔｏｒｒに維持している。また、高周波
電源３の発振周波数は２７．１２ＭＨｚで、この高周波
電力に直流的にオン・オフを一定周期で繰り返す変調用
電源４の低周波電力を重ね合わせ、図１（ｂ）に示すよ
うに、２７．１２ＭＨｚの高周波電力を周期的にオン・
オフする変調高周波電力を発生させる。この変調高周波
電力は、マッチング回路５を介してカソード電極２に供
給されており、これによりカソード電極２とアノード電
極７との間の領域でプラズマ８が発生することになる。
このようにして、シランプラズマを両電極間に発生させ
ることによって、基板６上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積させ
ることができる。本実施の形態では、高周波電力を直流
的にオン・オフを一定周期で繰り返したが、プラズマ生
成のための高周波電力を完全にオフせずとも、プラズマ
生成のオン・オフを行うことができればよい。なお、本
実施の形態においては、基板温度を２７０℃に設定し
た。図３に、変調高周波の１周期のオフ時間を５０μｓ
ｅｃと固定した上記成膜条件下において、変調高周波の
１周期のオン時間をパラメータとして、オン時間を５μ
ｓｅｃから１００μｓｅｃまで変えた時に得られた膜の
赤外吸収スペクトル解析によるＳｉ−Ｈ結合及びＳｉ−
Ｈ2結合の結合水素量の原子％結果を示す。上記成膜条
件のうち、成膜速度を約６００Å／分に保つように高周
波電力のパワーを２００Ｗから１ｋＷまで調整した。図
３から、明らかなように、膜中のＳｉ−Ｈ2結合は、オ
ン時間５０μｓｅｃ付近から減少し始め、５μｓｅｃで
は、Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ2結合の含有比が１
０％程度まで低下している。このデータは、濃度及び含
有比のいずれについても通常の成膜速度が約６０Å／分
程度の低速膜と同等の高品質な膜が形成されていること
を示している。これにより、成膜速度６００Å／分とい
う高速成膜条件下でも、光導電率及び光導電率／暗導電
率の比の優れた膜を得ることができた。なお、Ｓｉ−Ｈ
結合に対するＳｉ−Ｈ2結合の含有比は２０％以下であ
れば、太陽電池としては実用上問題がない。
【００２３】本実施の形態の成膜条件でＳｉ−Ｈ結合に
対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比が０.５より小さくなるオ
ン時間の時間スケールは、本願発明者の理論的考察から
導き出された式 [（２次反応速度定数）×（ＳｉＨ4分
子の数）］の逆数によって３０μｓｅｃ以下と見積ら
れ、本実施の形態で膜の高品質化の傾向が現れた５０μ
ｓｅｃ以下と良く一致している。
対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比が０.５より小さくなるオ
ン時間の時間スケールは、本願発明者の理論的考察から
導き出された式 [（２次反応速度定数）×（ＳｉＨ4分
子の数）］の逆数によって３０μｓｅｃ以下と見積ら
れ、本実施の形態で膜の高品質化の傾向が現れた５０μ
ｓｅｃ以下と良く一致している。
【００２４】従って、本発明の製造方法及びプラズマＣ
ＶＤ装置を用いて、プラズマ生成エネルギーの供給を、
［（プラズマ内の長寿命活性種以外の活性種と反応する
母ガスとの２次反応速度定数）×（母ガス分子の数）］
の逆数の時間以下の供給時間で間欠的に供給すると、成
膜速度約６００Å／分という従来より一桁早い成膜速度
で高品質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜が得られた。ここで、プラズ
マ生成エネルギーをある供給時間で間欠的に供給すると
は、図１（ｂ）に示すように一定時間ｔの期間は変調高
周波電力をオンして、それ以外の期間はオフにして間欠
的にエネルギーを供給する供給方式をことをいう。な
お、本実施の形態では反応室内にパウダー発生はほとん
ど観測されなかった。
ＶＤ装置を用いて、プラズマ生成エネルギーの供給を、
［（プラズマ内の長寿命活性種以外の活性種と反応する
母ガスとの２次反応速度定数）×（母ガス分子の数）］
の逆数の時間以下の供給時間で間欠的に供給すると、成
膜速度約６００Å／分という従来より一桁早い成膜速度
で高品質なａ−Ｓｉ：Ｈ膜が得られた。ここで、プラズ
マ生成エネルギーをある供給時間で間欠的に供給すると
は、図１（ｂ）に示すように一定時間ｔの期間は変調高
周波電力をオンして、それ以外の期間はオフにして間欠
的にエネルギーを供給する供給方式をことをいう。な
お、本実施の形態では反応室内にパウダー発生はほとん
ど観測されなかった。
【００２５】以上の本実施の形態では、オフ時間は５０
μｓｅｃと固定したが、オフ時間は、１μｓｅｃから１
００００μｓｅｃまでの範囲であればよく、望ましく
は、１０μｓｅｃから１００μｓｅｃまでの範囲であれ
ばよい。さらに、上記実施の形態では、オン時間とオフ
時間の割合は一定であるが、必ずしも一定でなくてもよ
く、上記オン時間とオフ時間の範囲内であれば、成膜中
にその割合を変化させてもよい。
μｓｅｃと固定したが、オフ時間は、１μｓｅｃから１
００００μｓｅｃまでの範囲であればよく、望ましく
は、１０μｓｅｃから１００μｓｅｃまでの範囲であれ
ばよい。さらに、上記実施の形態では、オン時間とオフ
時間の割合は一定であるが、必ずしも一定でなくてもよ
く、上記オン時間とオフ時間の範囲内であれば、成膜中
にその割合を変化させてもよい。
【００２６】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。
説明する。
【００２７】第１の実施の形態よりもさらに高速化を図
るために、モノシランガスの流量を第１の実施の形態の
倍の１０００ｓｃｃｍに制御した。それ以外のプラズマ
ＣＶＤ装置、及び成膜条件は、特に断らない限り、第１
の実施の形態と同じ条件である。本実施の形態では、成
膜速度が約１３００Å／分に達し、第１の実施の形態の
倍の高速化を図ることができた。
るために、モノシランガスの流量を第１の実施の形態の
倍の１０００ｓｃｃｍに制御した。それ以外のプラズマ
ＣＶＤ装置、及び成膜条件は、特に断らない限り、第１
の実施の形態と同じ条件である。本実施の形態では、成
膜速度が約１３００Å／分に達し、第１の実施の形態の
倍の高速化を図ることができた。
【００２８】図４に、変調高周波の１周期のオフ時間は
５０μｓｅｃと固定して、オン時間を１０μｓｅｃから
１００μｓｅｃまで変えた時に得られた膜の赤外吸収ス
ペクトル解析によるＳｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｈ2結合の
結合水素量の原子％結果を示す。成膜条件のうち、成膜
速度を約１３００Å／分に保つように高周波電力のパワ
ーを４００Ｗから１．５ｋＷまで調整した。本実施の形
態でも、オン時間が５０μｓｅｃ付近からＳｉ−Ｈ2結
合が減少し始め、高品質な膜が得られている。
５０μｓｅｃと固定して、オン時間を１０μｓｅｃから
１００μｓｅｃまで変えた時に得られた膜の赤外吸収ス
ペクトル解析によるＳｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｈ2結合の
結合水素量の原子％結果を示す。成膜条件のうち、成膜
速度を約１３００Å／分に保つように高周波電力のパワ
ーを４００Ｗから１．５ｋＷまで調整した。本実施の形
態でも、オン時間が５０μｓｅｃ付近からＳｉ−Ｈ2結
合が減少し始め、高品質な膜が得られている。
【００２９】また、本実施の形態の成膜条件でＳｉ−Ｈ
結合に対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比が０.５より小さく
なるオン時間の時間スケールを前掲の式を用いて見積る
と、反応ガス圧力が第１の実施の形態と同じ圧力の０．
６５Ｔｏｒｒなので、第１の実施の形態と同じ計算値の
３０μｓｅｃとなり、本実施の形態でも膜の高品質化の
傾向が現れた５０μｓｅｃ以下と良く一致していると言
える。
結合に対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比が０.５より小さく
なるオン時間の時間スケールを前掲の式を用いて見積る
と、反応ガス圧力が第１の実施の形態と同じ圧力の０．
６５Ｔｏｒｒなので、第１の実施の形態と同じ計算値の
３０μｓｅｃとなり、本実施の形態でも膜の高品質化の
傾向が現れた５０μｓｅｃ以下と良く一致していると言
える。
【００３０】以上の本実施の形態では、オフ時間は５０
μｓｅｃと固定したが、オフ時間は、１μｓｅｃから１
００００μｓｅｃまでの範囲であればよく、望ましく
は、１０μｓｅｃから１００μｓｅｃまでの範囲であれ
ばよい。さらに、上記実施の形態では、オン時間とオフ
時間の割合は一定であるが、必ずしも一定でなくてもよ
く、上記オン時間とオフ時間の範囲内であれば、成膜中
にその割合を変化させてもよい。
μｓｅｃと固定したが、オフ時間は、１μｓｅｃから１
００００μｓｅｃまでの範囲であればよく、望ましく
は、１０μｓｅｃから１００μｓｅｃまでの範囲であれ
ばよい。さらに、上記実施の形態では、オン時間とオフ
時間の割合は一定であるが、必ずしも一定でなくてもよ
く、上記オン時間とオフ時間の範囲内であれば、成膜中
にその割合を変化させてもよい。
【００３１】さらに、本発明の第３の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００３２】第１の実施の形態に対して、さらに膜の品
質改善するために、高周波電力の周波数を８１．３６Ｍ
Ｈｚに設定した。それ以外のプラズマＣＶＤ装置、及び
成膜条件は、特に断らない限り、第１の実施の形態と同
じ条件である。本実施の形態では同じ成膜速度で、高品
質膜の１つの指標である光導電率／暗導電率の比が１×
１０7と従来の１３．５６ＭＨｚの場合と比較して約１
桁改善することができた。また、周波数の増加により高
周波電力のパワーが１／４程度で同等の堆積速度を得る
こともできた。
質改善するために、高周波電力の周波数を８１．３６Ｍ
Ｈｚに設定した。それ以外のプラズマＣＶＤ装置、及び
成膜条件は、特に断らない限り、第１の実施の形態と同
じ条件である。本実施の形態では同じ成膜速度で、高品
質膜の１つの指標である光導電率／暗導電率の比が１×
１０7と従来の１３．５６ＭＨｚの場合と比較して約１
桁改善することができた。また、周波数の増加により高
周波電力のパワーが１／４程度で同等の堆積速度を得る
こともできた。
【００３３】図５に、変調高周波の１周期のオン時間
を、オフ時間は５０μｓｅｃと固定して１０μｓｅｃか
ら１００μｓｅｃまで変えた時に得られた膜の赤外吸収
スペクトル解析によるＳｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｈ2結合
の結合水素量の原子％結果を示す。成膜条件の中で、成
膜速度を約６００Å／分に保つように、オン時間が短く
なるにつれ高周波電力のパワーを５０Ｗから２５０Ｗま
で大きくした。本実施の形態でも、オン時間が５０μｓ
ｅｃ以下からＳｉ−Ｈ2結合が減少し始め、高品質な膜
が得られている。また、図でＳｉ‐ＨとＳｉ‐Ｈ2を合
計した膜中のトータルの結合水素量は、第１の実施の形
態及び第２の実施の形態に比べて減少しており、８１．
３６ＭＨｚという高・高周波での成膜による特長がここ
にも現れている。
を、オフ時間は５０μｓｅｃと固定して１０μｓｅｃか
ら１００μｓｅｃまで変えた時に得られた膜の赤外吸収
スペクトル解析によるＳｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｈ2結合
の結合水素量の原子％結果を示す。成膜条件の中で、成
膜速度を約６００Å／分に保つように、オン時間が短く
なるにつれ高周波電力のパワーを５０Ｗから２５０Ｗま
で大きくした。本実施の形態でも、オン時間が５０μｓ
ｅｃ以下からＳｉ−Ｈ2結合が減少し始め、高品質な膜
が得られている。また、図でＳｉ‐ＨとＳｉ‐Ｈ2を合
計した膜中のトータルの結合水素量は、第１の実施の形
態及び第２の実施の形態に比べて減少しており、８１．
３６ＭＨｚという高・高周波での成膜による特長がここ
にも現れている。
【００３４】上述した８１．３６ＭＨｚという高・高周
波での成膜による膜の品質の改善（光導電率／暗導電率
の比で、従来の１３．５６ＭＨｚの場合と比較しで、一
桁程度向上）、また、膜中のトータルの結合水素量低減
などの特長は、より高い周波数でもみられた。
波での成膜による膜の品質の改善（光導電率／暗導電率
の比で、従来の１３．５６ＭＨｚの場合と比較しで、一
桁程度向上）、また、膜中のトータルの結合水素量低減
などの特長は、より高い周波数でもみられた。
【００３５】一方、本実施の形態の成膜条件でＳｉ−Ｈ
結合に対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比が０.５より小さく
なるオン時間の時間スケールを前掲の式を用いて見積る
と、反応ガス圧力が第１の実施の形態と同じ圧力の０．
６５Ｔｏｒｒなので、第１の実施の形態と同じ計算値の
３０μｓｅｃとなり、本実施の形態でも膜の高品質化の
傾向が現れた５０μｓｅｃ以下と良く一致している。
結合に対するＳｉ‐Ｈ2結合の含有比が０.５より小さく
なるオン時間の時間スケールを前掲の式を用いて見積る
と、反応ガス圧力が第１の実施の形態と同じ圧力の０．
６５Ｔｏｒｒなので、第１の実施の形態と同じ計算値の
３０μｓｅｃとなり、本実施の形態でも膜の高品質化の
傾向が現れた５０μｓｅｃ以下と良く一致している。
【００３６】以上の実施の形態では、オフ時間は５０μ
ｓｅｃと固定したが、オフ時間は、１μｓｅｃから１０
０００μｓｅｃまでの範囲であればよく、望ましくは、
１０μｓｅｃから１００μｓｅｃまでの範囲であればよ
い。さらに、上記実施の形態では、オン時間とオフ時間
の割合は一定であるが、必ずしも一定でなくてもよく、
上記オン時間とオフ時間の範囲内であれば、成膜中にそ
の割合を変化させてもよい。
ｓｅｃと固定したが、オフ時間は、１μｓｅｃから１０
０００μｓｅｃまでの範囲であればよく、望ましくは、
１０μｓｅｃから１００μｓｅｃまでの範囲であればよ
い。さらに、上記実施の形態では、オン時間とオフ時間
の割合は一定であるが、必ずしも一定でなくてもよく、
上記オン時間とオフ時間の範囲内であれば、成膜中にそ
の割合を変化させてもよい。
【００３７】以上の実施の形態では、水素化アモルファ
スシリコンａ−Ｓｉ：Ｈ膜を例にとって説明してきた
が、４族水素化合物を原科ガスとして作製される、狭バ
ンドギャップのａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜あるいは広バンドギ
ャップのａ−ＳｉＣ：Ｈ膜などのアモルファスシリコン
系合金膜の同種元素同士の高速、高品質化にも、本発明
が有効である。
スシリコンａ−Ｓｉ：Ｈ膜を例にとって説明してきた
が、４族水素化合物を原科ガスとして作製される、狭バ
ンドギャップのａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜あるいは広バンドギ
ャップのａ−ＳｉＣ：Ｈ膜などのアモルファスシリコン
系合金膜の同種元素同士の高速、高品質化にも、本発明
が有効である。
【００３８】また、以上の実施の形態は、太陽電池等の
光半導体デバイスに最適であるが、光が動作上関与しな
いＴＦＴ等の半導体デバイス全般にも適用できる。
光半導体デバイスに最適であるが、光が動作上関与しな
いＴＦＴ等の半導体デバイス全般にも適用できる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、次の効果が得られる。
【００４０】（１）水素化アモルファス薄膜を高速で堆
積した場合にも、光導電率、及び光導電率／暗導電率の
比の優れた高品質な半導体薄膜が高歩留まりで得られ、
太陽電池、感光ドラム、各種光センサー等の光半導体デ
バイス及びＴＦＴ等の半導体薄膜として連用できる。
積した場合にも、光導電率、及び光導電率／暗導電率の
比の優れた高品質な半導体薄膜が高歩留まりで得られ、
太陽電池、感光ドラム、各種光センサー等の光半導体デ
バイス及びＴＦＴ等の半導体薄膜として連用できる。
【００４１】（２）高スループットで生産することが可
能となり、低コストで高性能の半導体デバイスを提供で
きるようになる。
能となり、低コストで高性能の半導体デバイスを提供で
きるようになる。
【図１】（ａ）は従来の高周波電力を周期的にオン・オ
フした変調高周波電力の模式図である。（ｂ）は本発明
の高周波電力を周期的にオン・オフした変調高周波電力
の模式図である。
フした変調高周波電力の模式図である。（ｂ）は本発明
の高周波電力を周期的にオン・オフした変調高周波電力
の模式図である。
【図２】第１〜第３の実施の形態に使用したプラズマＣ
ＶＤ装置の模式図である。
ＶＤ装置の模式図である。
【図３】第１の実施の形態の実験結果を示す図である。
【図４】第２の実施の形態の実験結果を示す図である。
【図５】第３の実施の形態の実験結果を示す図である。
１ 反応室 ２ カソード電極 ３ 高周波電源 ４ 変調用電源 ５ マッチング回路 ６ 基板 ７ アノード電極
フロントページの続き (72)発明者 山本 義宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 高木 小枝 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−156451（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217908（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291045（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−37818（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−73620（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291048（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 H01L 31/04 H05H 1/46
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波電力を周期的にオンオフさせて４
族水素化合物あるいは４族水素化合物の誘導体をプラズ
マ状態にして基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法
であって、 Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ 2 結合の含有比が小さく
なるように、周波数が２７. １２ＭＨｚの高周波電力
を、予め設定されたオン時間に基づいて、周期的にオン
オフさせることを特徴とする 半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 高周波電力を周期的にオンオフさせて４
族水素化合物あるいは４族水素化合物の誘導体をプラズ
マ状態にして基板上に堆積させる半導体薄膜の製造方法
であって、 Ｓｉ−Ｈ結合に対するＳｉ−Ｈ 2 結合の含有比が小さく
なるように、周波数が２７. １２ＭＨｚ以上の高周波電
力を、予め設定されたオン時間に基づいて、周期的にオ
ンオフさせることを特徴とする 半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１、請求項２に記載の半導体薄膜
の製造方法に用いるプラズマＣＶＤ装置であって、プラ
ズマ生成エネルギーを供給する高周波電力発生手段と、
エネルギーの供給の有無を時分割制御する制御手段とを
備えたプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33969695A JP3201576B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-12-26 | 半導体薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたプラズマｃｖｄ装置 |
| US08/601,990 US5618758A (en) | 1995-02-17 | 1996-02-15 | Method for forming a thin semiconductor film and a plasma CVD apparatus to be used in the method |
| DE69633754T DE69633754T2 (de) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | Herstellungsverfahren für einen dünnen Halbleiterfilm |
| EP96301052A EP0727826B1 (en) | 1995-02-17 | 1996-02-16 | A method for forming a thin semiconductor film |
| US08/783,283 US6009828A (en) | 1995-02-17 | 1997-01-10 | Method for forming a thin semiconductor film and a plasma CVD apparatus to be used in the method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-29087 | 1995-02-17 | ||
| JP2908795 | 1995-02-17 | ||
| JP33969695A JP3201576B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-12-26 | 半導体薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288228A JPH08288228A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3201576B2 true JP3201576B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=26367245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33969695A Expired - Fee Related JP3201576B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-12-26 | 半導体薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201576B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4646460B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2011-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4692878B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-06-01 | 富士電機システムズ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2008004813A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Sharp Corp | シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置およびシリコン系薄膜光電変換素子 |
| JP5514413B2 (ja) | 2007-08-17 | 2014-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| TWI606490B (zh) * | 2010-07-02 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體膜的製造方法，半導體裝置的製造方法，和光電轉換裝置的製造方法 |
-
1995
- 1995-12-26 JP JP33969695A patent/JP3201576B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08288228A (ja) | 1996-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6548380B1 (en) | Semiconductor thin film, semiconductor device employing the same, methods for manufacturing the same and device for manufacturing a semiconductor thin film | |
| US8414985B2 (en) | Plasma deposition of a thin film | |
| US8383210B2 (en) | Method of forming a film by deposition from a plasma | |
| US4818560A (en) | Method for preparation of multi-layer structure film | |
| JP2003273023A (ja) | Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、その方法の実施に用いる装置、その方法を用いて形成した膜、およびその膜を用いて形成したデバイス | |
| EP0727826B1 (en) | A method for forming a thin semiconductor film | |
| JP2008124111A (ja) | プラズマｃｖｄ法によるシリコン系薄膜の形成方法 | |
| JP2002093721A (ja) | 堆積膜形成方法及び装置 | |
| JP3201576B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP4733627B2 (ja) | 珪素の析出法 | |
| JP2003197536A (ja) | プラズマｃｖｄ装置、非晶質シリコン系薄膜及びその製造方法 | |
| JP3208274B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法及びそれに用いるプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3807127B2 (ja) | シリコン系薄膜の形成方法 | |
| JPH05156451A (ja) | プラズマｃｖｄ法及び装置 | |
| JP2002164290A (ja) | 多結晶シリコン膜の製造方法 | |
| JPH0817738A (ja) | 結晶性半導体薄膜形成方法 | |
| JPH04372118A (ja) | 非晶質半導体薄膜の製造法 | |
| JP3061811B2 (ja) | 非単結晶薄膜の作製方法 | |
| JP4282047B2 (ja) | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3040247B2 (ja) | シリコン薄膜の製造法 | |
| JPS6332863B2 (ja) | ||
| JP2659394B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH1174201A (ja) | 非単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH06291061A (ja) | アモルファスシリコン膜の形成方法 | |
| JP2750955B2 (ja) | 非晶質合金半導体薄膜作製装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010606 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090622 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |