JP3200503B2 - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30405—Details
- H01J2237/30416—Handling of data
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
Landscapes
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体装置の製造
に関わり、特に半導体基板等の物体上に電子ビーム等の
荷電粒子ビームにより半導体パターンを描画する際に自
在なパターンの露光が可能な電子ビーム露光方法および
露光装置に関する。
に関わり、特に半導体基板等の物体上に電子ビーム等の
荷電粒子ビームにより半導体パターンを描画する際に自
在なパターンの露光が可能な電子ビーム露光方法および
露光装置に関する。
【０００２】電子ビームリソグラフィは集積密度の大き
な先端的な半導体集積回路を製造する上で必須の技術で
ある。電子ビームリソグラフィを使うことにより、０．
０５μｍ以下の幅を有するパターンを０．０２μｍ以下
のアラインメント誤差で露光することが可能である。こ
のため、電子ビームリソグラフィは２５６Ｍビットある
いは１Ｇビットを超えるような大きな記憶容量を有する
ＤＲＡＭ、あるいは非常に強力な演算機能を備えた高速
マイクロプロセッサを始めとする将来の半導体装置の製
造において中心的な役割を果たすと考えられている。
な先端的な半導体集積回路を製造する上で必須の技術で
ある。電子ビームリソグラフィを使うことにより、０．
０５μｍ以下の幅を有するパターンを０．０２μｍ以下
のアラインメント誤差で露光することが可能である。こ
のため、電子ビームリソグラフィは２５６Ｍビットある
いは１Ｇビットを超えるような大きな記憶容量を有する
ＤＲＡＭ、あるいは非常に強力な演算機能を備えた高速
マイクロプロセッサを始めとする将来の半導体装置の製
造において中心的な役割を果たすと考えられている。
【０００３】ところで、かかる半導体装置の製造におい
ては、素子パターンの分解能もさることながら、製造時
のスループットが本質的な重要性を持っている。電子ビ
ームリソグラフィでは単一の集束電子ビームを使って描
画を行うため、この点で全パターンを一回の露光で行え
る従来の光露光方法に比べて不利にならざるを得ない。
然し、従来の光露光方法は分解能の限界に到達しつつあ
り、したがって将来の高速・高機能半導体装置の製造に
おいては電子ビーム露光方法に頼らざるをえない事情が
存在する。
ては、素子パターンの分解能もさることながら、製造時
のスループットが本質的な重要性を持っている。電子ビ
ームリソグラフィでは単一の集束電子ビームを使って描
画を行うため、この点で全パターンを一回の露光で行え
る従来の光露光方法に比べて不利にならざるを得ない。
然し、従来の光露光方法は分解能の限界に到達しつつあ
り、したがって将来の高速・高機能半導体装置の製造に
おいては電子ビーム露光方法に頼らざるをえない事情が
存在する。
【０００４】このような状況下で、電子ビーム露光のス
ループットを向上させる様々な試みがなされている。例
えば、本発明の出願人は先にいわゆるブロック露光方法
を提案した。このブロック露光方法では、素子パターン
が多数の基本パターンに分解され、電子ビームはこれら
の基本パターンに従って整形される。ブロック露光方法
は比較的少数の基本的なパターンが繰り返されることが
多い半導体メモリ装置の露光に特に適しており、現在約
１ｃｍ2 ／秒のスループットが達成されている。
ループットを向上させる様々な試みがなされている。例
えば、本発明の出願人は先にいわゆるブロック露光方法
を提案した。このブロック露光方法では、素子パターン
が多数の基本パターンに分解され、電子ビームはこれら
の基本パターンに従って整形される。ブロック露光方法
は比較的少数の基本的なパターンが繰り返されることが
多い半導体メモリ装置の露光に特に適しており、現在約
１ｃｍ2 ／秒のスループットが達成されている。
【０００５】一方、マイクロプロセッサのような、複雑
かつ多様な論理回路を含む半導体装置では、ブロック露
光方法は露光能率が低下してしまう問題点を有する。こ
れは、ブロック露光方法で形成できるパターンが少数の
基本的なパターンの組み合わせに限定されてしまうこと
に起因している。ブロック露光法で不規則な露光パター
ンを形成しようとすると、静電あるいは電磁偏向器によ
りいわゆる可変矩形ビームを形成する必要があるが、か
かる可変ビーム整形は偏向器の静定時間や制御系の動作
速度等に起因して、露光効率が低下してしまう問題点を
有する。
かつ多様な論理回路を含む半導体装置では、ブロック露
光方法は露光能率が低下してしまう問題点を有する。こ
れは、ブロック露光方法で形成できるパターンが少数の
基本的なパターンの組み合わせに限定されてしまうこと
に起因している。ブロック露光法で不規則な露光パター
ンを形成しようとすると、静電あるいは電磁偏向器によ
りいわゆる可変矩形ビームを形成する必要があるが、か
かる可変ビーム整形は偏向器の静定時間や制御系の動作
速度等に起因して、露光効率が低下してしまう問題点を
有する。
【０００６】
【従来の技術】このような、複雑かつ多様な論理回路を
含む半導体装置の露光を高速で実行するため、描画パタ
ーンを小さな露光ドットよりなるドットパターンとして
表現し、各ドットを形成する電子ビームをオンオフす
る、いわゆるブランキングアパーチャアレイを備えた電
子ビーム露光装置が提案されている。
含む半導体装置の露光を高速で実行するため、描画パタ
ーンを小さな露光ドットよりなるドットパターンとして
表現し、各ドットを形成する電子ビームをオンオフす
る、いわゆるブランキングアパーチャアレイを備えた電
子ビーム露光装置が提案されている。
【０００７】図１０はブランキングアパーチャアレイを
使った従来の電子ビーム露光装置の概要を示す。図１０
を参照するに、電子ビーム露光装置は一般に電子ビーム
を形成しこれを集束させる電子光学系１００と、電子光
学系１００を制御する制御系２００とよりなる。電子光
学系１００は電子ビーム源として電子銃１０１を含み、
電子銃１０１は電子ビームを所定の光軸Ｏに沿って発散
電子ビームとして発射する。
使った従来の電子ビーム露光装置の概要を示す。図１０
を参照するに、電子ビーム露光装置は一般に電子ビーム
を形成しこれを集束させる電子光学系１００と、電子光
学系１００を制御する制御系２００とよりなる。電子光
学系１００は電子ビーム源として電子銃１０１を含み、
電子銃１０１は電子ビームを所定の光軸Ｏに沿って発散
電子ビームとして発射する。
【０００８】電子銃１０１で形成された電子ビームはア
パーチャ板１０２に形成されたビーム整形用アパーチャ
１０２ａを通されて整形される。アパーチャ１０２ａは
光軸Ｏに整合して形成されており、入射電子ビームを矩
形断面形状に整形する。
パーチャ板１０２に形成されたビーム整形用アパーチャ
１０２ａを通されて整形される。アパーチャ１０２ａは
光軸Ｏに整合して形成されており、入射電子ビームを矩
形断面形状に整形する。
【０００９】整形された電子ビームは電子レンズ１０３
により、ブランキングアパーチャアレイ（ＢＡＡ）を形
成されたＢＡＡマスク１１０上に集束される。その際、
レンズ１０３は前記矩形開口の像をＢＡＡマスク１１０
上に投影する。ＢＡＡマスク１１０上には半導体基板上
に描画される多数の露光ドットに対応して多数の微細な
アパーチャが形成され、各アパーチャには静電偏向器が
形成されている。この静電偏向器は駆動信号Ｅにより制
御され、非励起状態では電子ビームをそのまま通過させ
るが、励起状態では通過電子ビームを偏向させ、その結
果通過電子ビームの方向が光軸Ｏから外れる。その結
果、以下に説明するように、前記半導体基板上には、非
励起状態のアパーチャに対応した露光ドットパターンが
形成される。
により、ブランキングアパーチャアレイ（ＢＡＡ）を形
成されたＢＡＡマスク１１０上に集束される。その際、
レンズ１０３は前記矩形開口の像をＢＡＡマスク１１０
上に投影する。ＢＡＡマスク１１０上には半導体基板上
に描画される多数の露光ドットに対応して多数の微細な
アパーチャが形成され、各アパーチャには静電偏向器が
形成されている。この静電偏向器は駆動信号Ｅにより制
御され、非励起状態では電子ビームをそのまま通過させ
るが、励起状態では通過電子ビームを偏向させ、その結
果通過電子ビームの方向が光軸Ｏから外れる。その結
果、以下に説明するように、前記半導体基板上には、非
励起状態のアパーチャに対応した露光ドットパターンが
形成される。
【００１０】ＢＡＡマスク１１０を通った電子ビームは
縮小光学系を形成する電子レンズ１０４および１０５を
通った後光軸Ｏ上の焦点ｆ1 において集束され、その際
選択された開口部の像が焦点ｆ1 において結像する。こ
うして集束された電子ビームは、ラウンドアパーチャ板
１１３に形成されたラウンドアパーチャ１１３ａを通っ
た後、別の縮小光学系を形成する電子レンズ１０６，１
０７により、移動自在なステージ１１４上に保持された
半導体基板１１５上に集束され前記ＢＡＡマスク１１０
の像が基板１１５上に結像する。ここで、電子レンズ１
０７は対物レンズとして作用し、焦点補正および収差補
正のための補正コイル１０８，１０９や集束電子ビーム
を基板表面上で移動させるための偏向器１１１，１１２
等を含んでいる。
縮小光学系を形成する電子レンズ１０４および１０５を
通った後光軸Ｏ上の焦点ｆ1 において集束され、その際
選択された開口部の像が焦点ｆ1 において結像する。こ
うして集束された電子ビームは、ラウンドアパーチャ板
１１３に形成されたラウンドアパーチャ１１３ａを通っ
た後、別の縮小光学系を形成する電子レンズ１０６，１
０７により、移動自在なステージ１１４上に保持された
半導体基板１１５上に集束され前記ＢＡＡマスク１１０
の像が基板１１５上に結像する。ここで、電子レンズ１
０７は対物レンズとして作用し、焦点補正および収差補
正のための補正コイル１０８，１０９や集束電子ビーム
を基板表面上で移動させるための偏向器１１１，１１２
等を含んでいる。
【００１１】レンズ１０４とレンズ１０５の中間には静
電偏向器１１６が形成されており、偏向器１１６を駆動
することにより電子ビームの経路が板１１３のラウンド
アパーチャ１１３ａを通る光軸Ｏから外される。その結
果、半導体基板上において電子ビームを高速でオン／オ
フすることが可能になる。また、先に説明したＢＡＡマ
スク１１０上のアパーチャにおいて静電偏向器の励起に
伴い偏向された電子ビームも前記ラウンドアパーチャ１
１３ａを外れるため、半導体基板上に到達することがな
く、その結果、基板１１５上において前記露光ドットパ
ターンの制御が可能になる。
電偏向器１１６が形成されており、偏向器１１６を駆動
することにより電子ビームの経路が板１１３のラウンド
アパーチャ１１３ａを通る光軸Ｏから外される。その結
果、半導体基板上において電子ビームを高速でオン／オ
フすることが可能になる。また、先に説明したＢＡＡマ
スク１１０上のアパーチャにおいて静電偏向器の励起に
伴い偏向された電子ビームも前記ラウンドアパーチャ１
１３ａを外れるため、半導体基板上に到達することがな
く、その結果、基板１１５上において前記露光ドットパ
ターンの制御が可能になる。
【００１２】かかる露光動作の制御のために、図１０の
電子ビーム露光装置は制御系２００を使用する。制御系
２００には描画したい半導体装置の素子パターンに関す
るデータを記憶する磁気ディスク装置や磁気テープ装置
等の外部記憶装置２０１が含まれる。
電子ビーム露光装置は制御系２００を使用する。制御系
２００には描画したい半導体装置の素子パターンに関す
るデータを記憶する磁気ディスク装置や磁気テープ装置
等の外部記憶装置２０１が含まれる。
【００１３】記憶装置２０１に記憶されたデータはＣＰ
Ｕ２０２により読み出され、データ展開回路２０３によ
ってデータ圧縮を解除されることにより、ＢＡＡマスク
１１０上の個々の開口部を所望の露光パターンに従って
オンオフする露光ドットデータに変換される。後程図１
１を参照しながら説明するが、図１０の電子ビーム露光
装置は露光パターンの微妙な修正を可能にするために、
基板１１５上の各露光点をＮ回、独立な露光パターンで
重複露光するように構成されており、このためデータ展
開回路２０３はＮ個の回路２０３1 〜２０３N より構成
され、各々の回路２０３1 〜２０３N はＣＰＵ２０２か
ら供給される露光データをもとに、前記Ｎ回の重複露光
に使われるＮ個の独立な露光ドットパターンデータを発
生させる。
Ｕ２０２により読み出され、データ展開回路２０３によ
ってデータ圧縮を解除されることにより、ＢＡＡマスク
１１０上の個々の開口部を所望の露光パターンに従って
オンオフする露光ドットデータに変換される。後程図１
１を参照しながら説明するが、図１０の電子ビーム露光
装置は露光パターンの微妙な修正を可能にするために、
基板１１５上の各露光点をＮ回、独立な露光パターンで
重複露光するように構成されており、このためデータ展
開回路２０３はＮ個の回路２０３1 〜２０３N より構成
され、各々の回路２０３1 〜２０３N はＣＰＵ２０２か
ら供給される露光データをもとに、前記Ｎ回の重複露光
に使われるＮ個の独立な露光ドットパターンデータを発
生させる。
【００１４】個々の回路２０３1 〜２０３N は、前記Ｃ
ＰＵ２０２から供給される露光データを保持するバッフ
ァメモリ２０３ａと、前記バッファメモリ２０３ａに保
持された露光データをもとに露光ドットパターンを表す
ドットパターンデータを発生させるデータ展開部２０３
ｂと、前記データ展開部２０３ｂで展開されたドットパ
ターンデータを保持するキャンバスメモリ２０３ｃとに
より構成され、データ展開回路２０４はキャンバスメモ
リ２０３ｃに保持されているドットパターンデータを、
対応する出力バッファ回路２０４に供給する。すなわ
ち、出力バッファ回路２０４は、Ｎ個のデータ展開回路
２０３1 〜２０３N に対応してＮ個の保持回路２０４1
〜２０４N を含んでおり、各々の保持回路、例えば回路
２０４1 はＢＡＡマスク１１０上においてＸ方向に整列
した合計１２８個の開口部に対応して１２８個の回路２
０４1 〜２０４128 を含んでいる。その際、前記１２８
個の回路２０４1 〜２０４128 の各々は、前記開口部を
オンオフする１ビットのデータを前記キャンバスメモリ
２０３ｃから供給され、これを保持する。さらに、前記
回路２０４1 〜２０４N は、保持している１ビットデー
タを対応するＤ／Ａ変換器２０５1 〜２０５N でアナロ
グ信号に変換の後ＢＡＡマスク１１０に供給する。その
結果、前記ＢＡＡマスク１１０上のＹ方向に整列した開
口部に協働する静電偏向器が逐次駆動される。
ＰＵ２０２から供給される露光データを保持するバッフ
ァメモリ２０３ａと、前記バッファメモリ２０３ａに保
持された露光データをもとに露光ドットパターンを表す
ドットパターンデータを発生させるデータ展開部２０３
ｂと、前記データ展開部２０３ｂで展開されたドットパ
ターンデータを保持するキャンバスメモリ２０３ｃとに
より構成され、データ展開回路２０４はキャンバスメモ
リ２０３ｃに保持されているドットパターンデータを、
対応する出力バッファ回路２０４に供給する。すなわ
ち、出力バッファ回路２０４は、Ｎ個のデータ展開回路
２０３1 〜２０３N に対応してＮ個の保持回路２０４1
〜２０４N を含んでおり、各々の保持回路、例えば回路
２０４1 はＢＡＡマスク１１０上においてＸ方向に整列
した合計１２８個の開口部に対応して１２８個の回路２
０４1 〜２０４128 を含んでいる。その際、前記１２８
個の回路２０４1 〜２０４128 の各々は、前記開口部を
オンオフする１ビットのデータを前記キャンバスメモリ
２０３ｃから供給され、これを保持する。さらに、前記
回路２０４1 〜２０４N は、保持している１ビットデー
タを対応するＤ／Ａ変換器２０５1 〜２０５N でアナロ
グ信号に変換の後ＢＡＡマスク１１０に供給する。その
結果、前記ＢＡＡマスク１１０上のＹ方向に整列した開
口部に協働する静電偏向器が逐次駆動される。
【００１５】図１０の電子ビーム露光装置はさらに、外
部記憶装置２０１に記憶された制御プログラムにもとづ
いてＣＰＵ２０２から制御信号を供給され、前記データ
展開回路２０３および出力バッファ回路２０４の動作、
データ展開回路２０３からバッファ回路２０４へのデー
タ転送、さらにＤ／Ａ変換器２０５によるＢＡＡマスク
１１０の駆動の制御を行なう露光制御装置２０６を備え
ている。また、露光制御装置２０６はさらに主偏向器制
御回路２０７および副偏向器制御回路２０８を介して主
偏向器１１１および副偏向器１１２を制御し、電子ビー
ムを基板１１５上で走査させる。一方、主偏向器制御回
路２０７はさらに歪み補正回路２０７ａを含み、歪み補
正回路２０７ａは収差を、スティグ補正回路２０７ｂを
介して補正コイル１０９を駆動することにより補正す
る。また、補正回路２０７ａは焦点補正を、フォーカス
補正回路２０７ｃを介してフォーカス補正コイル１０８
を駆動することにより行なう。
部記憶装置２０１に記憶された制御プログラムにもとづ
いてＣＰＵ２０２から制御信号を供給され、前記データ
展開回路２０３および出力バッファ回路２０４の動作、
データ展開回路２０３からバッファ回路２０４へのデー
タ転送、さらにＤ／Ａ変換器２０５によるＢＡＡマスク
１１０の駆動の制御を行なう露光制御装置２０６を備え
ている。また、露光制御装置２０６はさらに主偏向器制
御回路２０７および副偏向器制御回路２０８を介して主
偏向器１１１および副偏向器１１２を制御し、電子ビー
ムを基板１１５上で走査させる。一方、主偏向器制御回
路２０７はさらに歪み補正回路２０７ａを含み、歪み補
正回路２０７ａは収差を、スティグ補正回路２０７ｂを
介して補正コイル１０９を駆動することにより補正す
る。また、補正回路２０７ａは焦点補正を、フォーカス
補正回路２０７ｃを介してフォーカス補正コイル１０８
を駆動することにより行なう。
【００１６】さらに、図１０の装置は電子ビームを集束
する際に生じるクーロン反発力によるビームの広がりを
補正するために、リフォーカス制御回路２０３ｅを設け
られ、リフォーカス制御回路２０３ｅは露光ドットパタ
ーンに対応して電子レンズ１０６の強度を適宜調整す
る。
する際に生じるクーロン反発力によるビームの広がりを
補正するために、リフォーカス制御回路２０３ｅを設け
られ、リフォーカス制御回路２０３ｅは露光ドットパタ
ーンに対応して電子レンズ１０６の強度を適宜調整す
る。
【００１７】次に、ＢＡＡマスク１１０の構成を図１１
を参照しながら簡単に説明する。
を参照しながら簡単に説明する。
【００１８】図１１を参照するに、ＢＡＡマスク１１０
上にはＸ方向に整列した１２８個の開口部よりなる複数
の開口部列Ａ1 ，Ａ2 ，Ｂ1 ，Ｂ2 ，・・・が形成さ
れ、その際ＸおよびＹ方向に相互に１ピッチずれた２列
の開口部列、例えば開口部列Ａ 1 およびＡ2 ，Ｂ1 およ
びＢ2 ，・・・が互いにまとまって複数の開口部群Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄを形成する。かかる開口部群の各々は、図示
した例ではＹ方向に単一の開口部しか有さないが、実際
にはＹ方向に整列した複数の開口部を含んでおり、典型
的な例ではＢＡＡマスク上には開口部列Ａ1 ，Ｂ1 ，Ｃ
1 およびＤ1 、あるいは開口部列Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 およ
びＤ2 の各々に対応して合計１０２４個の開口部がＹ方
向に整列して形成される。その結果、かかるＢＡＡマス
ク１１０は各開口部群に対応してマトリクス状に配列し
た複数の電子ビーム要素よりなる電子ビーム群を形成
し、各電子ビーム要素は基板１１５上に典型的には０．
０５μｍ×０．０５μｍの大きさの露光ドットを露光す
る。その際、最大で１０２４×１２８個の露光ドット
が、基板１１５上に一斉に露光される。
上にはＸ方向に整列した１２８個の開口部よりなる複数
の開口部列Ａ1 ，Ａ2 ，Ｂ1 ，Ｂ2 ，・・・が形成さ
れ、その際ＸおよびＹ方向に相互に１ピッチずれた２列
の開口部列、例えば開口部列Ａ 1 およびＡ2 ，Ｂ1 およ
びＢ2 ，・・・が互いにまとまって複数の開口部群Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄを形成する。かかる開口部群の各々は、図示
した例ではＹ方向に単一の開口部しか有さないが、実際
にはＹ方向に整列した複数の開口部を含んでおり、典型
的な例ではＢＡＡマスク上には開口部列Ａ1 ，Ｂ1 ，Ｃ
1 およびＤ1 、あるいは開口部列Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 およ
びＤ2 の各々に対応して合計１０２４個の開口部がＹ方
向に整列して形成される。その結果、かかるＢＡＡマス
ク１１０は各開口部群に対応してマトリクス状に配列し
た複数の電子ビーム要素よりなる電子ビーム群を形成
し、各電子ビーム要素は基板１１５上に典型的には０．
０５μｍ×０．０５μｍの大きさの露光ドットを露光す
る。その際、最大で１０２４×１２８個の露光ドット
が、基板１１５上に一斉に露光される。
【００１９】前記電子ビーム群を構成する電子ビーム要
素は偏向器１１１，１１２により図中Ｙ方向に走査さ
れ、基板上の前記１０２４×１２８個の各点には、各開
口部群Ａ〜Ｄに対応した露光ドットが最大で１０２４回
重複して露光される。より具体的に説明すると、基板１
１５上には開口部列Ａ1 に対応して露光された露光ドッ
ト列に重複して、開口部列Ｂ1 に対応した露光ドット列
が露光され、さらにその上に開口部列Ｃ1 ，Ｄ1 に対応
した露光ドット列が逐次重複して露光される。同様な工
程が開口部列Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 ，Ｄ2 の露光についても
成立する。すなわち、開口部列Ａ2 に対応した露光ドッ
ト列が露光された後、それに重複して開口部列Ｂ2 ，Ｃ
2 ，Ｄ2 に対応する露光ドット列が逐次重複して露光さ
れる。ただし、開口部列Ａ1 による露光ドットと開口部
列Ａ2 による露光ドットは相互に補間してＸ方向に整列
した単一の露光ドット列を形成する。各開口部群におい
て開口部列を相互に１ピッチずらして形成することによ
り、ＢＡＡマスク１１０により整形された電子ビーム要
素が相互に接近し過ぎた場合に生じるクーロン相互作用
を最小化することが可能になる。かかるクーロン相互作
用が生じると、先にも説明したように電子ビーム要素が
相互に反発して電子レンズの実効的な焦点距離が長くな
ってしまう。
素は偏向器１１１，１１２により図中Ｙ方向に走査さ
れ、基板上の前記１０２４×１２８個の各点には、各開
口部群Ａ〜Ｄに対応した露光ドットが最大で１０２４回
重複して露光される。より具体的に説明すると、基板１
１５上には開口部列Ａ1 に対応して露光された露光ドッ
ト列に重複して、開口部列Ｂ1 に対応した露光ドット列
が露光され、さらにその上に開口部列Ｃ1 ，Ｄ1 に対応
した露光ドット列が逐次重複して露光される。同様な工
程が開口部列Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 ，Ｄ2 の露光についても
成立する。すなわち、開口部列Ａ2 に対応した露光ドッ
ト列が露光された後、それに重複して開口部列Ｂ2 ，Ｃ
2 ，Ｄ2 に対応する露光ドット列が逐次重複して露光さ
れる。ただし、開口部列Ａ1 による露光ドットと開口部
列Ａ2 による露光ドットは相互に補間してＸ方向に整列
した単一の露光ドット列を形成する。各開口部群におい
て開口部列を相互に１ピッチずらして形成することによ
り、ＢＡＡマスク１１０により整形された電子ビーム要
素が相互に接近し過ぎた場合に生じるクーロン相互作用
を最小化することが可能になる。かかるクーロン相互作
用が生じると、先にも説明したように電子ビーム要素が
相互に反発して電子レンズの実効的な焦点距離が長くな
ってしまう。
【００２０】図１１のＢＡＡマスク１１０では、開口部
群Ａの開口部列と、これに隣接する開口部群Ｂの対応す
る開口部列、例えば開口部列Ａ1 を形成する開口部と開
口部列Ｂ1 を形成する開口部列とは、ＸおよびＹ方向に
１／４ピッチずつずらされている。同様な関係は開口部
列Ａ2 とＢ2 ，Ｂ1 とＣ1 ，Ｂ2 とＣ2 等についても成
立している。すなわち、一般にＮ列の開口部群を有する
露光マスクにおいては、一の開口部群中の開口部とこれ
に隣接する開口部群中の対応する開口部とはＸおよびＹ
方向に、ＭをＮより小さい任意の整数としてＭ／Ｎピッ
チ（Ｍ＜Ｎ）だけずらされる。
群Ａの開口部列と、これに隣接する開口部群Ｂの対応す
る開口部列、例えば開口部列Ａ1 を形成する開口部と開
口部列Ｂ1 を形成する開口部列とは、ＸおよびＹ方向に
１／４ピッチずつずらされている。同様な関係は開口部
列Ａ2 とＢ2 ，Ｂ1 とＣ1 ，Ｂ2 とＣ2 等についても成
立している。すなわち、一般にＮ列の開口部群を有する
露光マスクにおいては、一の開口部群中の開口部とこれ
に隣接する開口部群中の対応する開口部とはＸおよびＹ
方向に、ＭをＮより小さい任意の整数としてＭ／Ｎピッ
チ（Ｍ＜Ｎ）だけずらされる。
【００２１】かかるＭ／Ｎピッチシフト構成を有するＢ
ＡＡマスクを使って露光をする場合、最も単純には同一
の露光データが開口部列Ａ1 ，Ｂ1 ，Ｃ1 ，Ｄ1 、ある
いは開口部列Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 ，Ｄ2 と逐次おくられ
て、露光ドットが所望の露光量で重複露光され、所望の
露光パターンの露光がなされる。一方、かかるＢＡＡマ
スク１１０では、各開口部列で露光データを変化させる
ことにより、非常に微妙な露光パターンの修正が可能で
ある。このため、図１１に示すＢＡＡマスク１１０は、
電子ビームが基板で反射あるいは散乱されることにより
余分な露光を生じてしまういわゆる近接効果を補正する
のに極めて有用である。図１１のＢＡＡマスク１１０を
使うことにより、前記のＹ方向への電子ビーム走査を各
開口部列Ａ 1 〜Ｄ2 に対応して基板１１５上のＹ方向に
異なった位置で一斉に行なうことができ、近接効果を効
率的に補正することが可能になる。
ＡＡマスクを使って露光をする場合、最も単純には同一
の露光データが開口部列Ａ1 ，Ｂ1 ，Ｃ1 ，Ｄ1 、ある
いは開口部列Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 ，Ｄ2 と逐次おくられ
て、露光ドットが所望の露光量で重複露光され、所望の
露光パターンの露光がなされる。一方、かかるＢＡＡマ
スク１１０では、各開口部列で露光データを変化させる
ことにより、非常に微妙な露光パターンの修正が可能で
ある。このため、図１１に示すＢＡＡマスク１１０は、
電子ビームが基板で反射あるいは散乱されることにより
余分な露光を生じてしまういわゆる近接効果を補正する
のに極めて有用である。図１１のＢＡＡマスク１１０を
使うことにより、前記のＹ方向への電子ビーム走査を各
開口部列Ａ 1 〜Ｄ2 に対応して基板１１５上のＹ方向に
異なった位置で一斉に行なうことができ、近接効果を効
率的に補正することが可能になる。
【００２２】図１２は、ＣＰＵ２０２からデータ展開部
２０３のバッファメモリ、例えばバッファメモリ２０３
ａに供給される露光パターンの例を示す。図１２を参照
するに、白丸は露光ドットを表し、白丸の集合により露
光パターンＰが表現される。図中、露光パターンＰは縦
方向に延在する複数のセルストライプに分割され、一方
各セルストライプは横方向に整列した１２８個の露光ド
ットの集合によるビットラインより形成されている。典
型的な場合、セルストライプは長手方向に約１００μ
ｍ、横手方向に約１０μｍのサイズを有する。
２０３のバッファメモリ、例えばバッファメモリ２０３
ａに供給される露光パターンの例を示す。図１２を参照
するに、白丸は露光ドットを表し、白丸の集合により露
光パターンＰが表現される。図中、露光パターンＰは縦
方向に延在する複数のセルストライプに分割され、一方
各セルストライプは横方向に整列した１２８個の露光ド
ットの集合によるビットラインより形成されている。典
型的な場合、セルストライプは長手方向に約１００μ
ｍ、横手方向に約１０μｍのサイズを有する。
【００２３】図１３はデータ展開部の構成を、データ処
理ユニット２０３1 を例に説明するための図である。
理ユニット２０３1 を例に説明するための図である。
【００２４】図１３を参照するに、外部記憶装置２０１
から供給される露光データはパターン形状をあらわす形
状データＯＰ，Ｘ方向およびＹ方向の始点をあらわす始
点データＸ0 ，Ｙ0 、Ｘ方向に延在するパターンの大き
さを表すデータＸ1 およびＹ方向に延在するパターンの
大きさを表すデータＹ1 とよりなり、このうち、形状デ
ータＯＰは直接に展開部中の制御装置２１７およびブロ
ックパターンライブラリ２１９に、また始点データＹ0
は同じくデータ展開部中のアドレスカウンタ２０３ｄに
供給される。一方、始点データＸ0 はビットマップデー
タシフタ２１２に供給され、さらにデータＸ1 がブロッ
クパターンライブラリ２１９に供給され、ブロックパタ
ーンライブラリ２１９は供給されたデータＯＰおよびＸ
1 を保持する。
から供給される露光データはパターン形状をあらわす形
状データＯＰ，Ｘ方向およびＹ方向の始点をあらわす始
点データＸ0 ，Ｙ0 、Ｘ方向に延在するパターンの大き
さを表すデータＸ1 およびＹ方向に延在するパターンの
大きさを表すデータＹ1 とよりなり、このうち、形状デ
ータＯＰは直接に展開部中の制御装置２１７およびブロ
ックパターンライブラリ２１９に、また始点データＹ0
は同じくデータ展開部中のアドレスカウンタ２０３ｄに
供給される。一方、始点データＸ0 はビットマップデー
タシフタ２１２に供給され、さらにデータＸ1 がブロッ
クパターンライブラリ２１９に供給され、ブロックパタ
ーンライブラリ２１９は供給されたデータＯＰおよびＸ
1 を保持する。
【００２５】ブロックパターンライブラリ２１９から読
み出されたデータＸ1 はレジスタ２１１に保持された後
ビットマップデータシフタ２１２に供給され、始点デー
タＸ 0 に基づいて原点が移動される。このようにして形
成された１ライン分のビットマップデータはＸレジスタ
２１３に保持される。
み出されたデータＸ1 はレジスタ２１１に保持された後
ビットマップデータシフタ２１２に供給され、始点デー
タＸ 0 に基づいて原点が移動される。このようにして形
成された１ライン分のビットマップデータはＸレジスタ
２１３に保持される。
【００２６】Ｘレジスタ２１３に保持されたビットマッ
プデータは、ついで加算器２１４および減算器２１５に
供給され、キャンバスメモリ２０３ｃに既に書き込まれ
ている露光パターンビットマップデータのうち、対応す
るビットラインのビットマップデータに対して加算ある
いは減算される。その結果露光ドットが既に蓄積されて
いる露光パターンビットマップに対して追加されたり削
除されたりする。加算器２１４および減算器２１５のい
ずれを使うかの制御はデータ展開部２０３中の制御装置
２１７により、形状データＯＰにもとづいてなされる。
また、形状データＯＰによっては、加算および減算のい
ずれもなされない場合もある。このようにして処理され
た１ビットライン分のビットマップデータはＯＲ回路２
１６において処理された後、メモリ書込み用のテンポラ
リレジスタ２１８を経てキャンバスメモリ２０３ｃ中
の、アドレスカウンタ２０３ｄで指定されたアドレスに
記憶される。このアドレスは、先に説明した始点データ
Ｙ0 に対して増加されている。また、制御装置２１７は
図１０の露光制御装置２０６によって制御され、形状デ
ータＯＰに基づいてキャンバスメモリ２０３ｃ，テンポ
ラリレジスタ２１８，加算器および減算器２１４，２１
５を制御する。
プデータは、ついで加算器２１４および減算器２１５に
供給され、キャンバスメモリ２０３ｃに既に書き込まれ
ている露光パターンビットマップデータのうち、対応す
るビットラインのビットマップデータに対して加算ある
いは減算される。その結果露光ドットが既に蓄積されて
いる露光パターンビットマップに対して追加されたり削
除されたりする。加算器２１４および減算器２１５のい
ずれを使うかの制御はデータ展開部２０３中の制御装置
２１７により、形状データＯＰにもとづいてなされる。
また、形状データＯＰによっては、加算および減算のい
ずれもなされない場合もある。このようにして処理され
た１ビットライン分のビットマップデータはＯＲ回路２
１６において処理された後、メモリ書込み用のテンポラ
リレジスタ２１８を経てキャンバスメモリ２０３ｃ中
の、アドレスカウンタ２０３ｄで指定されたアドレスに
記憶される。このアドレスは、先に説明した始点データ
Ｙ0 に対して増加されている。また、制御装置２１７は
図１０の露光制御装置２０６によって制御され、形状デ
ータＯＰに基づいてキャンバスメモリ２０３ｃ，テンポ
ラリレジスタ２１８，加算器および減算器２１４，２１
５を制御する。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１０の電
子ビーム露光装置では、先にも説明したように図１１に
示すＢＡＡマスク１１０上の各開口部を、順次Ｙ方向に
走査する。このため、データ展開回路２０３中のキャン
バスメモリ２０３ｃからドットパターンデータを読み出
す場合、Ｙ方向に整列した各列毎に読出しを行なう必要
がある。一方、従来のキャンバスメモリ２０３ｃは、一
般的にＳＲＡＭ等の高速メモリを使っているため、書込
みの際は図１３に示すようにアドレスカウンタ２０３ｄ
によりＹアドレスを指定することにより、書込みレジス
タ２１８に保持されているデータを一行毎に一括して書
き込むことができ、高速な書込みが可能である。一方、
かかるキャンバスメモリからドットパターンデータを読
み出す場合には、Ｙアドレスを順次変化させながら一行
一行読出を行うため、このようにして読み出されたドッ
トパターンデータにもとづいて図１１に示したようなＢ
ＡＡマスクを電子ビームの走査に対応して駆動する場合
には、読み出されたドットパターンデータを各列毎に並
びかえる必要がある。
子ビーム露光装置では、先にも説明したように図１１に
示すＢＡＡマスク１１０上の各開口部を、順次Ｙ方向に
走査する。このため、データ展開回路２０３中のキャン
バスメモリ２０３ｃからドットパターンデータを読み出
す場合、Ｙ方向に整列した各列毎に読出しを行なう必要
がある。一方、従来のキャンバスメモリ２０３ｃは、一
般的にＳＲＡＭ等の高速メモリを使っているため、書込
みの際は図１３に示すようにアドレスカウンタ２０３ｄ
によりＹアドレスを指定することにより、書込みレジス
タ２１８に保持されているデータを一行毎に一括して書
き込むことができ、高速な書込みが可能である。一方、
かかるキャンバスメモリからドットパターンデータを読
み出す場合には、Ｙアドレスを順次変化させながら一行
一行読出を行うため、このようにして読み出されたドッ
トパターンデータにもとづいて図１１に示したようなＢ
ＡＡマスクを電子ビームの走査に対応して駆動する場合
には、読み出されたドットパターンデータを各列毎に並
びかえる必要がある。
【００２８】また、キャンバスメモリ２０３ｃとして従
来のメモリを使った構成では、キャンバスメモリからド
ットパターンデータを読み出す場合にＹアドレスを順次
変化させながら一行一行逐次読出しを行うため、読出し
動作が必然的に遅くなり、特にクロック速度が４００Ｍ
Ｈｚを超える高速な露光動作を行なう電子ビーム露光装
置では、メモリからのドットパターンの読出しが露光動
作のボトルネックとなる可能性がある。
来のメモリを使った構成では、キャンバスメモリからド
ットパターンデータを読み出す場合にＹアドレスを順次
変化させながら一行一行逐次読出しを行うため、読出し
動作が必然的に遅くなり、特にクロック速度が４００Ｍ
Ｈｚを超える高速な露光動作を行なう電子ビーム露光装
置では、メモリからのドットパターンの読出しが露光動
作のボトルネックとなる可能性がある。
【００２９】そこで、本発明は上記の問題点を解決し
た、新規で有用な電子ビーム露光装置を提供することを
概括的目的とする。
た、新規で有用な電子ビーム露光装置を提供することを
概括的目的とする。
【００３０】本発明のより具体的な目的は、物体上に露
光パターンを露光ドットの集合として描画する電子ビー
ム露光装置において、露光ドットパターンを格納した露
光パターンメモリから、電子ビームの走査方向に対応し
た一連の露光ドットパターンを、読み出すことのできる
データ展開回路を備えた電子ビーム露光装置を提供する
ことにある。
光パターンを露光ドットの集合として描画する電子ビー
ム露光装置において、露光ドットパターンを格納した露
光パターンメモリから、電子ビームの走査方向に対応し
た一連の露光ドットパターンを、読み出すことのできる
データ展開回路を備えた電子ビーム露光装置を提供する
ことにある。
【００３１】本発明の他の目的は、露光ドットパターン
を格納した露光パターンメモリを備え、前記露光パター
ンメモリに格納された露光ドットパターンに基づいて物
体上に露光パターンを露光ドットの集合として描画する
電子ビーム露光装置において、前記露光パターンメモリ
を、電子ビームの走査方向に対応した一連の露光ドット
パターンを非常に高速に出力することのできる構成とし
た電子ビーム露光装置を提供することにある。
を格納した露光パターンメモリを備え、前記露光パター
ンメモリに格納された露光ドットパターンに基づいて物
体上に露光パターンを露光ドットの集合として描画する
電子ビーム露光装置において、前記露光パターンメモリ
を、電子ビームの走査方向に対応した一連の露光ドット
パターンを非常に高速に出力することのできる構成とし
た電子ビーム露光装置を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を、
電子ビームを形成し、これを所定の光軸に沿って被露光
物体に向かって照射する電子ビーム源と、前記電子ビー
ムを前記被露光物体上に集束する集束手段と、前記電子
ビームを前記光軸に対して偏向して、前記被露光物体上
において前記電子ビームを走査させる偏向手段と、前記
光軸上において前記電子ビーム源と前記被露光物体との
間に設けられ、行列状に配列した複数の開口部を形成さ
れ、前記複数の開口部において前記電子ビームを整形し
て、前記被露光物体上に描画される露光パターンを構成
する個々の露光ドットに対応した複数の電子ビーム要素
を形成するＢＡＡマスクと、前記ＢＡＡマスク上の複数
の開口部の各々に対応して設けられ、駆動信号を供給さ
れて前記開口部を通過する電子ビームを前記駆動信号に
応じてオンオフする駆動手段と、前記露光パターンに対
応する露光データを供給され、前記露光データにもとづ
いて前記被露光物体上に露光される露光ドットをあらわ
すドットパターンデータを発生させるデータ展開手段
と、前記データ展開手段で発生されたドットパターンデ
ータを格納するパターンメモリ手段と；前記データ展開
手段で発生したドットパターンデータを前記パターンメ
モリ手段に書込み、また前記パターンメモリ手段から読
み出す書込み／読出し制御手段と、露光動作を制御する
露光制御装置とを備えた電子ビーム露光装置において、
前記パターンメモリ手段は行列状に配列したメモリセル
よりなり、前記書込み／読出し制御手段は前記メモリセ
ル中に、ドットパターンデータを一行ずつ逐次書込み、
また一行ずつ逐次読出す書込み／読出し部と、前記書込
み／読出し部で読み出された一行分のドットパターンデ
ータを多ビットデータの形で格納するレジスタ部と、前
記レジスタ部に格納された前記多ビットデータのうちの
一のビットを選択するビット選択手段と、複数のセルを
有し、前記ビット選択手段で選択されたビットを、前記
メモリセルアレイからの読出しに応じて逐次供給される
シフトレジスタとよりなり、前記シフトレジスタは前記
ＢＡＡマスク上に形成された一列分の開口部の各々を、
前記複数のセルの出力信号によりそれぞれ駆動すること
を特徴とする電子ビーム露光装置により、または電子ビ
ームを形成し、これを所定の光軸に沿って被露光物体に
向かって照射する電子ビーム源と、前記電子ビームを前
記被露光物体上に集束する集束手段と、前記電子ビーム
を前記光軸に対して偏向して、前記被露光物体上におい
て前記電子ビームを走査させる偏向手段と、前記光軸上
において前記電子ビーム源と前記被露光物体との間に設
けられ、行列状に配列した複数の開口部を形成され、前
記複数の開口部において前記電子ビームを整形して、前
記被露光物体上に描画される露光パターンを構成する個
々の露光ドットに対応した複数の電子ビーム要素を形成
するＢＡＡマスクと、前記ＢＡＡマスク上の複数の開口
部の各々に対応して設けられ、駆動信号を供給されて前
記開口部を通過する電子ビームを前記駆動信号に応じて
オンオフする駆動手段と、前記露光パターンに対応する
露光データを供給され、前記露光データにもとづいて前
記被露光物体上に露光される露光ドットをあらわすドッ
トパターンデータを発生させるデータ展開手段と、前記
データ展開手段で発生されたドットパターンデータを格
納するパターンメモリ手段と；前記データ展開手段で発
生したドットパターンデータを前記パターンメモリに書
込み、また前記パターンメモリから読み出す書込み／読
出し制御手段と、、露光動作を制御する制御装置とを備
えた電子ビーム露光装置において、前記パターンメモリ
手段は前記ＢＡＡマスク上に行列状に形成された複数の
開口部に対応して行列状に形成された複数のラッチ回路
と、前記複数のラッチ回路の各列に対応して形成された
出力ゲート手段とにより構成され、一つの行を構成する
ラッチ回路の各々は、前記データ展開手段から１行分の
ドットパターンデータを構成する１ビットデータをそれ
ぞれ供給され、前記１行分のラッチ回路の各々は行選択
信号を共通に供給され前記行選択信号に応じて前記デー
タ展開手段から供給された１ビットデータを保持し、前
記出力ゲート手段は列を選択する列選択信号を供給され
前記列選択信号に応じて各々のラッチ回路に保持された
前記ドットパターンを各列毎に一斉に出力し；前記書込
み／読出し制御手段は前記制御装置により制御され、前
記行選択信号および列選択信号を形成することを特徴と
する電子ビーム露光装置により、達成する。
電子ビームを形成し、これを所定の光軸に沿って被露光
物体に向かって照射する電子ビーム源と、前記電子ビー
ムを前記被露光物体上に集束する集束手段と、前記電子
ビームを前記光軸に対して偏向して、前記被露光物体上
において前記電子ビームを走査させる偏向手段と、前記
光軸上において前記電子ビーム源と前記被露光物体との
間に設けられ、行列状に配列した複数の開口部を形成さ
れ、前記複数の開口部において前記電子ビームを整形し
て、前記被露光物体上に描画される露光パターンを構成
する個々の露光ドットに対応した複数の電子ビーム要素
を形成するＢＡＡマスクと、前記ＢＡＡマスク上の複数
の開口部の各々に対応して設けられ、駆動信号を供給さ
れて前記開口部を通過する電子ビームを前記駆動信号に
応じてオンオフする駆動手段と、前記露光パターンに対
応する露光データを供給され、前記露光データにもとづ
いて前記被露光物体上に露光される露光ドットをあらわ
すドットパターンデータを発生させるデータ展開手段
と、前記データ展開手段で発生されたドットパターンデ
ータを格納するパターンメモリ手段と；前記データ展開
手段で発生したドットパターンデータを前記パターンメ
モリ手段に書込み、また前記パターンメモリ手段から読
み出す書込み／読出し制御手段と、露光動作を制御する
露光制御装置とを備えた電子ビーム露光装置において、
前記パターンメモリ手段は行列状に配列したメモリセル
よりなり、前記書込み／読出し制御手段は前記メモリセ
ル中に、ドットパターンデータを一行ずつ逐次書込み、
また一行ずつ逐次読出す書込み／読出し部と、前記書込
み／読出し部で読み出された一行分のドットパターンデ
ータを多ビットデータの形で格納するレジスタ部と、前
記レジスタ部に格納された前記多ビットデータのうちの
一のビットを選択するビット選択手段と、複数のセルを
有し、前記ビット選択手段で選択されたビットを、前記
メモリセルアレイからの読出しに応じて逐次供給される
シフトレジスタとよりなり、前記シフトレジスタは前記
ＢＡＡマスク上に形成された一列分の開口部の各々を、
前記複数のセルの出力信号によりそれぞれ駆動すること
を特徴とする電子ビーム露光装置により、または電子ビ
ームを形成し、これを所定の光軸に沿って被露光物体に
向かって照射する電子ビーム源と、前記電子ビームを前
記被露光物体上に集束する集束手段と、前記電子ビーム
を前記光軸に対して偏向して、前記被露光物体上におい
て前記電子ビームを走査させる偏向手段と、前記光軸上
において前記電子ビーム源と前記被露光物体との間に設
けられ、行列状に配列した複数の開口部を形成され、前
記複数の開口部において前記電子ビームを整形して、前
記被露光物体上に描画される露光パターンを構成する個
々の露光ドットに対応した複数の電子ビーム要素を形成
するＢＡＡマスクと、前記ＢＡＡマスク上の複数の開口
部の各々に対応して設けられ、駆動信号を供給されて前
記開口部を通過する電子ビームを前記駆動信号に応じて
オンオフする駆動手段と、前記露光パターンに対応する
露光データを供給され、前記露光データにもとづいて前
記被露光物体上に露光される露光ドットをあらわすドッ
トパターンデータを発生させるデータ展開手段と、前記
データ展開手段で発生されたドットパターンデータを格
納するパターンメモリ手段と；前記データ展開手段で発
生したドットパターンデータを前記パターンメモリに書
込み、また前記パターンメモリから読み出す書込み／読
出し制御手段と、、露光動作を制御する制御装置とを備
えた電子ビーム露光装置において、前記パターンメモリ
手段は前記ＢＡＡマスク上に行列状に形成された複数の
開口部に対応して行列状に形成された複数のラッチ回路
と、前記複数のラッチ回路の各列に対応して形成された
出力ゲート手段とにより構成され、一つの行を構成する
ラッチ回路の各々は、前記データ展開手段から１行分の
ドットパターンデータを構成する１ビットデータをそれ
ぞれ供給され、前記１行分のラッチ回路の各々は行選択
信号を共通に供給され前記行選択信号に応じて前記デー
タ展開手段から供給された１ビットデータを保持し、前
記出力ゲート手段は列を選択する列選択信号を供給され
前記列選択信号に応じて各々のラッチ回路に保持された
前記ドットパターンを各列毎に一斉に出力し；前記書込
み／読出し制御手段は前記制御装置により制御され、前
記行選択信号および列選択信号を形成することを特徴と
する電子ビーム露光装置により、達成する。
【００３３】
【作用】本発明の第１の特徴によれば、パターンメモリ
から一行一行読み出されたドットターンデータにもとづ
いて、ＢＡＡマスクによる露光に適した列方向に整列し
たドットパターンデータを逐次形成することが可能にな
る。その結果、電子ビームの走査に伴って逐次露光パタ
ーンを変化させ、異なった露光パターンを重複露光する
ことにより、被露光物体上に描画される露光パターンを
微妙に変化させることが可能になる。
から一行一行読み出されたドットターンデータにもとづ
いて、ＢＡＡマスクによる露光に適した列方向に整列し
たドットパターンデータを逐次形成することが可能にな
る。その結果、電子ビームの走査に伴って逐次露光パタ
ーンを変化させ、異なった露光パターンを重複露光する
ことにより、被露光物体上に描画される露光パターンを
微妙に変化させることが可能になる。
【００３４】本発明の第２の特徴によれば、パターンメ
モリとしてドットパターンを読み書きする際に必ず各行
毎にアドレスが選択される構成のＳＲＡＭやＤＲＡＭ等
の従来のメモリ装置の代わりに、アドレスの選択が各行
毎にも各列毎にも自在に行なえるラッチ回路の配列を使
うため、メモリへのデータ展開手段からのドットパター
ンデータの書込みを行選択信号に応じて各行毎に一斉に
行なうことが可能であり、一方メモリからのドットパタ
ーンデータの読出しを列選択信号に応じて各列毎に一斉
に行なうことが可能である。行選択信号は実際には書込
みクロックとして与えられ、どの行を選択するかは書込
み／読出し制御手段において、前記データ展開手段で形
成されたドットパターンデータ中Ｙ方向すなわち列方向
のアドレスを表すデータに基づいて実行される。一方、
ドットパターンデータを読み出す場合には前記列選択信
号により一列分のラッチ回路を前記出力ゲート手段によ
り選択し、その結果一列分のドットパターンデータが一
斉に出力される。ここで、ラッチ回路の配列において列
方向はＢＡＡマスク上の列方向、すなわち露光時におけ
る電子ビームの走査方向に対応しているため、列方向に
ドットパターンデータを読み出し、前記ドットパターン
データを使ってＢＡＡマスク上の各開口部をオンオフす
ることにより、電子ビームの走査に対応して露光パター
ンを逐次変化させることができる。その際、ドットパタ
ーンの読出しは瞬時に行なわれるので、従来のように行
アドレスを逐次変化させながらメモリからドットパター
ンを読出し、読みだされたドットパターンデータを各列
毎に並びかえる必要がなくなる。その結果、露光が非常
に高速に、例えば４００ＭＨｚ程度のクロックで実行さ
れても、データの読出しが露光に追従できないような問
題は生じない。
モリとしてドットパターンを読み書きする際に必ず各行
毎にアドレスが選択される構成のＳＲＡＭやＤＲＡＭ等
の従来のメモリ装置の代わりに、アドレスの選択が各行
毎にも各列毎にも自在に行なえるラッチ回路の配列を使
うため、メモリへのデータ展開手段からのドットパター
ンデータの書込みを行選択信号に応じて各行毎に一斉に
行なうことが可能であり、一方メモリからのドットパタ
ーンデータの読出しを列選択信号に応じて各列毎に一斉
に行なうことが可能である。行選択信号は実際には書込
みクロックとして与えられ、どの行を選択するかは書込
み／読出し制御手段において、前記データ展開手段で形
成されたドットパターンデータ中Ｙ方向すなわち列方向
のアドレスを表すデータに基づいて実行される。一方、
ドットパターンデータを読み出す場合には前記列選択信
号により一列分のラッチ回路を前記出力ゲート手段によ
り選択し、その結果一列分のドットパターンデータが一
斉に出力される。ここで、ラッチ回路の配列において列
方向はＢＡＡマスク上の列方向、すなわち露光時におけ
る電子ビームの走査方向に対応しているため、列方向に
ドットパターンデータを読み出し、前記ドットパターン
データを使ってＢＡＡマスク上の各開口部をオンオフす
ることにより、電子ビームの走査に対応して露光パター
ンを逐次変化させることができる。その際、ドットパタ
ーンの読出しは瞬時に行なわれるので、従来のように行
アドレスを逐次変化させながらメモリからドットパター
ンを読出し、読みだされたドットパターンデータを各列
毎に並びかえる必要がなくなる。その結果、露光が非常
に高速に、例えば４００ＭＨｚ程度のクロックで実行さ
れても、データの読出しが露光に追従できないような問
題は生じない。
【００３５】
【実施例】次に、本発明の第１実施例を図１を参照しな
がら説明する。本実施例は、図１０の電子ビーム露光装
置においてキャンバスメモリ２０３ｃから読み出された
データを並びかえる並びかえ回路の構成に関する。
がら説明する。本実施例は、図１０の電子ビーム露光装
置においてキャンバスメモリ２０３ｃから読み出された
データを並びかえる並びかえ回路の構成に関する。
【００３６】図５を参照するに、図示の回路は図１３の
構成に対応しており、露光データＯＰ，Ｘ0 ，Ｙ0 ，Ｘ
1 ，Ｙ1 をもとにデータ展開回路２０３ｂで展開された
ドットパターンデータが、アドレスカウンタ２０３ｄで
指定されたＹアドレスに格納される。
構成に対応しており、露光データＯＰ，Ｘ0 ，Ｙ0 ，Ｘ
1 ，Ｙ1 をもとにデータ展開回路２０３ｂで展開された
ドットパターンデータが、アドレスカウンタ２０３ｄで
指定されたＹアドレスに格納される。
【００３７】読出時には、アドレスカウンタ２０３ｄ
が、Ｙアドレスを逐次変化させることにより、キャンバ
スメモリ２０３ｃ中に格納されたドットパターンデータ
を一行一行読み出し、このようにして読み出された一行
分のドットパターンデータはレジスタ２０３ｆ中に格納
される。前記一行分のドットパターンデータは更にビッ
ト選択回路２０３ｇに転送され、ビット選択回路２０３
ｇは制御回路２１７により制御されてＢＡＡマスク１１
０上の特定の列に対応する特定のビットのデータをラッ
チ回路２０３ｈに出力する。ラッチ回路２０３ｈはＢＡ
Ａマスク１１０上の開口部列に対応した数だけ設けられ
ており、アドレスカウンタ２０３ｄによるＹアドレスの
逐次的な選択に対応して、前記所定列のドットパターン
データを逐次出力バッファ回路２０５を構成するシフト
レジスタに供給する。シフトレジスタ２０５中の各セル
は、ＢＡＡマスク１１０上でＹ方向に整列した開口部列
中の各々の開口部に対応しており、Ｙ方向への電子ビー
ムの走査に伴ってＢＡＡマスク１１０上の開口部に設け
られた静電偏向器を逐次駆動する。
が、Ｙアドレスを逐次変化させることにより、キャンバ
スメモリ２０３ｃ中に格納されたドットパターンデータ
を一行一行読み出し、このようにして読み出された一行
分のドットパターンデータはレジスタ２０３ｆ中に格納
される。前記一行分のドットパターンデータは更にビッ
ト選択回路２０３ｇに転送され、ビット選択回路２０３
ｇは制御回路２１７により制御されてＢＡＡマスク１１
０上の特定の列に対応する特定のビットのデータをラッ
チ回路２０３ｈに出力する。ラッチ回路２０３ｈはＢＡ
Ａマスク１１０上の開口部列に対応した数だけ設けられ
ており、アドレスカウンタ２０３ｄによるＹアドレスの
逐次的な選択に対応して、前記所定列のドットパターン
データを逐次出力バッファ回路２０５を構成するシフト
レジスタに供給する。シフトレジスタ２０５中の各セル
は、ＢＡＡマスク１１０上でＹ方向に整列した開口部列
中の各々の開口部に対応しており、Ｙ方向への電子ビー
ムの走査に伴ってＢＡＡマスク１１０上の開口部に設け
られた静電偏向器を逐次駆動する。
【００３８】明らかに、図１に示す構成では、１列分の
データを読み出す際の読出しが逐次実行されるため、Ｂ
ＡＡマスク上の静電偏向器を駆動するのに時間がかかっ
てしまう。
データを読み出す際の読出しが逐次実行されるため、Ｂ
ＡＡマスク上の静電偏向器を駆動するのに時間がかかっ
てしまう。
【００３９】図２および３は、図１の電子ビーム露光装
置における露光動作のタイミングを示すタイミングチャ
ートであり、このうち図２は、図１のキャンバスメモリ
２０３ｃにドットパターンデータを格納する展開モード
の動作を示し、一方図３はキャンバスメモリ２０３ｃか
らドットパターンを読み出す読出しモードの動作を示
す。
置における露光動作のタイミングを示すタイミングチャ
ートであり、このうち図２は、図１のキャンバスメモリ
２０３ｃにドットパターンデータを格納する展開モード
の動作を示し、一方図３はキャンバスメモリ２０３ｃか
らドットパターンを読み出す読出しモードの動作を示
す。
【００４０】最初に図２を参照するに、図１の制御装置
２１７にはクロック信号ＳＹＳＣＬＫがシステムクロッ
クとして連続的に供給されており、初期化信号＿ＲＳＴ
により初期化状態に設定される。より具体的には、初期
化信号＿ＲＳＴがローレベル状態になると制御装置２１
７が初期化状態に設定され、制御装置２１７はローレベ
ル状態のリセット信号ＣＬＲを出力してアドレスカウン
タ２０３ｄをリセットする。一方＿ＲＳＴ信号がハイレ
ベル状態に遷移すると制御装置２１７の初期化状態は解
除され、装置２１７はビット展開モードに入り、起動信
号ＳＴＡの入来に備えて待機する。
２１７にはクロック信号ＳＹＳＣＬＫがシステムクロッ
クとして連続的に供給されており、初期化信号＿ＲＳＴ
により初期化状態に設定される。より具体的には、初期
化信号＿ＲＳＴがローレベル状態になると制御装置２１
７が初期化状態に設定され、制御装置２１７はローレベ
ル状態のリセット信号ＣＬＲを出力してアドレスカウン
タ２０３ｄをリセットする。一方＿ＲＳＴ信号がハイレ
ベル状態に遷移すると制御装置２１７の初期化状態は解
除され、装置２１７はビット展開モードに入り、起動信
号ＳＴＡの入来に備えて待機する。
【００４１】起動信号ＳＴＡが供給されると、制御装置
２１７はリセット信号ＣＬＲのレベルをハイレベルに遷
移させてアドレスカウンタ２０３ｄのをリセットを解除
すると同時に制御信号ＣＮＴ４を出力してバッファ２０
３1 より出力されるドットパターンデータＹ0 ，Ｙ1 を
アドレスカウンタ２０３ｄに供給する。一方アドレスカ
ウンタ２０３ｄはデータＹ0 ，Ｙ1 をもとに、行選択開
始アドレスと終了アドレスを割り出し、これに基づいて
メモリ２０３ｃ中のメモリセル行を選択する。次いで、
制御装置２１７は制御信号ＣＮＴ１をテンポラリレジス
タ２１８に、また行選択信号＿ＣＳをメモリ２０３ｃに
出力し、その結果テンポラリレジスタ２１８は前記選択
された行からドットパターンデータを読み出してこれを
ラッチする。同時に、制御装置２１７はＸレジスタ２１
３に制御信号ＣＮＴ３を出力してこれにバッファ２０３
1 からデータＯＰ，Ｘ1 ，Ｘ2 を読み込ませる。さら
に、制御装置２１７は制御信号ＣＮＴ２を論理演算器２
１４，２１５に出力し、その結果を再びテンポラリレジ
スタ２１８に格納する。その結果、既にキャンバスメモ
リ２０３ｃに格納されているドットパターンデータが、
Ｘレジスタに転送されたデータＯＰ，Ｘ1 ，Ｘ2 にもと
づいて修正され、あるいは新たにキャンバスメモリ２０
３ｃ中にデータＯＰ，Ｘ1 ，Ｘ2 が格納される。
２１７はリセット信号ＣＬＲのレベルをハイレベルに遷
移させてアドレスカウンタ２０３ｄのをリセットを解除
すると同時に制御信号ＣＮＴ４を出力してバッファ２０
３1 より出力されるドットパターンデータＹ0 ，Ｙ1 を
アドレスカウンタ２０３ｄに供給する。一方アドレスカ
ウンタ２０３ｄはデータＹ0 ，Ｙ1 をもとに、行選択開
始アドレスと終了アドレスを割り出し、これに基づいて
メモリ２０３ｃ中のメモリセル行を選択する。次いで、
制御装置２１７は制御信号ＣＮＴ１をテンポラリレジス
タ２１８に、また行選択信号＿ＣＳをメモリ２０３ｃに
出力し、その結果テンポラリレジスタ２１８は前記選択
された行からドットパターンデータを読み出してこれを
ラッチする。同時に、制御装置２１７はＸレジスタ２１
３に制御信号ＣＮＴ３を出力してこれにバッファ２０３
1 からデータＯＰ，Ｘ1 ，Ｘ2 を読み込ませる。さら
に、制御装置２１７は制御信号ＣＮＴ２を論理演算器２
１４，２１５に出力し、その結果を再びテンポラリレジ
スタ２１８に格納する。その結果、既にキャンバスメモ
リ２０３ｃに格納されているドットパターンデータが、
Ｘレジスタに転送されたデータＯＰ，Ｘ1 ，Ｘ2 にもと
づいて修正され、あるいは新たにキャンバスメモリ２０
３ｃ中にデータＯＰ，Ｘ1 ，Ｘ2 が格納される。
【００４２】さらに、制御装置２１７は書込みクロック
ＲＷおよび行選択信号＿ＣＳをメモリ２０３ｃに出力
し、テンポラリレジスタ２１８の内容がキャンバスメモ
リ２０３ｃに転送・格納される。メモリ２０３ｃの行ア
ドレスを前記行選択開始アドレスから終了アドレスまで
逐次変化させることにより、キャンバスメモリ２０３ｃ
中にはドットパターンが１行ずつ、逐次書き込まれる。
ＲＷおよび行選択信号＿ＣＳをメモリ２０３ｃに出力
し、テンポラリレジスタ２１８の内容がキャンバスメモ
リ２０３ｃに転送・格納される。メモリ２０３ｃの行ア
ドレスを前記行選択開始アドレスから終了アドレスまで
逐次変化させることにより、キャンバスメモリ２０３ｃ
中にはドットパターンが１行ずつ、逐次書き込まれる。
【００４３】次に、図１の装置におけるドットパターン
の読出しをおこなう読出しモードの動作を図３を参照し
ながら説明する。
の読出しをおこなう読出しモードの動作を図３を参照し
ながら説明する。
【００４４】読出しモードは、リセット信号＿ＲＳＴが
ハイレベル状態において、起動信号ＳＴＡが供給される
ことにより開始される。すなわち、制御装置２１７は起
動信号ＳＴＡに応じて制御信号ＣＮＴ４をアドレスカウ
ンタ２０３ｄに出力してバッファ２０３1 より出力され
るドットパターンデータＹ0 ，Ｙ1 をアドレスカウンタ
２０３ｄに供給する。一方アドレスカウンタ２０３ｄは
データＹ0 ，Ｙ1 をもとに、行選択開始アドレスと終了
アドレスを割り出し、これに基づいてメモリ２０３ｃ中
のメモリセル行を選択する。次いで、制御装置２１７は
制御信号ＣＮＴ５をレジスタ２０３ｆに供給して前記選
択されたメモリセル行に格納されているドットパターン
データを読出し、これを保持する。さらに、制御装置２
１７は別の制御信号ＣＮＴ６をビット検出回路２０３ｇ
に供給し、ビット検出回路２０３ｇは所定のメモリセル
列に対応するドットパターンデータのビットを選択し、
これをラッチ回路２０３ｈに供給する。ラッチ回路はこ
のようにして供給された１ビットのドットパターンデー
タを保持し、さらにこれをシフトレジスタ２０５に供給
する。そこで、キャンバスメモリ２０３ｃのメモリセル
行を開始行から終了行まで逐次変化させることにより、
１列分の１ビットドットパターンデータがシフトレジス
タ２０５中に逐次格納され、ＢＡＡマスク１１０を駆動
する。勿論、ビット選択回路２０３ｇに共同するラッチ
回路２０３ｈおよびシフトレジスタ２０５は、キャンバ
スメモリ２０３ｃ中のメモリセル列に対応する数だけ設
けられている。このように、本実施例によれば、キャン
バスメモリ２０３ｃ中に１行１行格納された１ビットド
ットパターンを１行１行読み出してこれを列方向になら
びかえることが可能になる。
ハイレベル状態において、起動信号ＳＴＡが供給される
ことにより開始される。すなわち、制御装置２１７は起
動信号ＳＴＡに応じて制御信号ＣＮＴ４をアドレスカウ
ンタ２０３ｄに出力してバッファ２０３1 より出力され
るドットパターンデータＹ0 ，Ｙ1 をアドレスカウンタ
２０３ｄに供給する。一方アドレスカウンタ２０３ｄは
データＹ0 ，Ｙ1 をもとに、行選択開始アドレスと終了
アドレスを割り出し、これに基づいてメモリ２０３ｃ中
のメモリセル行を選択する。次いで、制御装置２１７は
制御信号ＣＮＴ５をレジスタ２０３ｆに供給して前記選
択されたメモリセル行に格納されているドットパターン
データを読出し、これを保持する。さらに、制御装置２
１７は別の制御信号ＣＮＴ６をビット検出回路２０３ｇ
に供給し、ビット検出回路２０３ｇは所定のメモリセル
列に対応するドットパターンデータのビットを選択し、
これをラッチ回路２０３ｈに供給する。ラッチ回路はこ
のようにして供給された１ビットのドットパターンデー
タを保持し、さらにこれをシフトレジスタ２０５に供給
する。そこで、キャンバスメモリ２０３ｃのメモリセル
行を開始行から終了行まで逐次変化させることにより、
１列分の１ビットドットパターンデータがシフトレジス
タ２０５中に逐次格納され、ＢＡＡマスク１１０を駆動
する。勿論、ビット選択回路２０３ｇに共同するラッチ
回路２０３ｈおよびシフトレジスタ２０５は、キャンバ
スメモリ２０３ｃ中のメモリセル列に対応する数だけ設
けられている。このように、本実施例によれば、キャン
バスメモリ２０３ｃ中に１行１行格納された１ビットド
ットパターンを１行１行読み出してこれを列方向になら
びかえることが可能になる。
【００４５】ところで、図１の実施例で説明した電子ビ
ーム露光装置では、１列分のドットパターンデータを得
るのにキャンバスメモリ２０３ｃの全ての行を読み出す
必要があり、しかもかかる読出は逐次実行されるため時
間がかかってしまう。このため、例えば４００ＭＨｚ以
上のクロック速度で動作するような高速の電子ビーム露
光装置では、メモリ２０３ｃからのドットパターンの読
出しが露光動作スピードのボトルネックとなる可能性が
ある。そこで、上記の問題を解決した電子ビーム露光装
置のデータ展開回路の構成を、本発明の第２実施例によ
り、図４（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら説明する。ここ
で、図４（Ａ）は図１３に示した従来のＳＲＡＭ等のキ
ャンバスメモリ２０３ｃを置き換える、ラッチアレイ３
００を使ったキャンバスメモリの全体構成を示し、図４
（Ｂ）は図１３（Ａ）のラッチアレイ３００を構成する
個々のラッチエレメント３０１を示す。また、図１３
（Ｃ）は、図１３（Ｂ）のラッチエレメントと共同する
出力ゲート回路の構成を示す。
ーム露光装置では、１列分のドットパターンデータを得
るのにキャンバスメモリ２０３ｃの全ての行を読み出す
必要があり、しかもかかる読出は逐次実行されるため時
間がかかってしまう。このため、例えば４００ＭＨｚ以
上のクロック速度で動作するような高速の電子ビーム露
光装置では、メモリ２０３ｃからのドットパターンの読
出しが露光動作スピードのボトルネックとなる可能性が
ある。そこで、上記の問題を解決した電子ビーム露光装
置のデータ展開回路の構成を、本発明の第２実施例によ
り、図４（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら説明する。ここ
で、図４（Ａ）は図１３に示した従来のＳＲＡＭ等のキ
ャンバスメモリ２０３ｃを置き換える、ラッチアレイ３
００を使ったキャンバスメモリの全体構成を示し、図４
（Ｂ）は図１３（Ａ）のラッチアレイ３００を構成する
個々のラッチエレメント３０１を示す。また、図１３
（Ｃ）は、図１３（Ｂ）のラッチエレメントと共同する
出力ゲート回路の構成を示す。
【００４６】まず図１３（Ｂ）を参照するに、個々のラ
ッチエレメント３０１は、電源電圧を供給される電源端
子ＰＲＥと、１ビットの入力データを供給されるデータ
入力端子Ｄと、書込みクロックＷＣＬＫｎを供給される
クロック端子ＣＬＫと、保持されたデータを出力するデ
ータ出力端子Ｑと、リセットパルス＿ＲＳＴを供給され
るリセット端子Ｒとを有し、クロックパルスＣＬＫに応
じてデータ入力端子Ｄに供給されたデータを保持する。
保持されたデータは前記データ出力端子Ｑに出力され、
さらにリセット端子Ｒに供給されるリセットパルスＣＬ
Ｒに応じてクリアされる。
ッチエレメント３０１は、電源電圧を供給される電源端
子ＰＲＥと、１ビットの入力データを供給されるデータ
入力端子Ｄと、書込みクロックＷＣＬＫｎを供給される
クロック端子ＣＬＫと、保持されたデータを出力するデ
ータ出力端子Ｑと、リセットパルス＿ＲＳＴを供給され
るリセット端子Ｒとを有し、クロックパルスＣＬＫに応
じてデータ入力端子Ｄに供給されたデータを保持する。
保持されたデータは前記データ出力端子Ｑに出力され、
さらにリセット端子Ｒに供給されるリセットパルスＣＬ
Ｒに応じてクリアされる。
【００４７】図１３（Ａ）のキャンバスメモリでは、図
１３（Ｂ）に示すラッチエレメント３０１が行列状に配
列されて前記ラッチアレイ３００を形成し、その際ラッ
チアレイ中の行方向が前記ＢＡＡマスク上の開口部の行
方向、すなわちＸ方向に対応し、またラッチアレイ中の
列方向が前記ＢＡＡマスク上の開口部の列方向、すなわ
ちＹ方向に対応する。従って、ＢＡＡマスク１１０上で
開口部がＸ方向に１２８個、Ｙ方向に１０２４個配列し
ている場合には、ラッチエレメント３０１も行方向に１
０２４個、列方向に１２８個配列する。
１３（Ｂ）に示すラッチエレメント３０１が行列状に配
列されて前記ラッチアレイ３００を形成し、その際ラッ
チアレイ中の行方向が前記ＢＡＡマスク上の開口部の行
方向、すなわちＸ方向に対応し、またラッチアレイ中の
列方向が前記ＢＡＡマスク上の開口部の列方向、すなわ
ちＹ方向に対応する。従って、ＢＡＡマスク１１０上で
開口部がＸ方向に１２８個、Ｙ方向に１０２４個配列し
ている場合には、ラッチエレメント３０１も行方向に１
０２４個、列方向に１２８個配列する。
【００４８】ラッチアレイ３００中において、個々のエ
レメント３０１はリセット端子Ｒを共通に接続されてリ
セットパルス＿ＲＳＴにより一括してリセットされ、こ
れに伴いアレイ３００中に保持されていたドットパター
ンデータは一括して消去される。さらに、各列を構成す
るラッチエレメント３０１はデータ入力端子Ｄを共通に
接続され、リード／ライトクロックＲ＿Ｗでオンオフさ
れるリード／ライトゲート３０２を介してデータ展開回
路２０３ｂ中の出力レジスタ２１８（図１３参照）に保
持された一行分のドットパターンデータを構成する１ビ
ットデータを供給される。例えば、図１３（Ａ）中にお
いて左端の列を構成する各ラッチエレメント３０１のデ
ータ入力端子Ｄには、データ展開回路から１ビットドッ
トパターンデータＲＯ0 がゲート３０２を介して供給さ
れる。同様に、中央の列を構成するラッチエレメントの
データ入力端子Ｄには１ビットドットパターンデータＲ
Ｏ 1 が、また右端の列を構成するラッチエレメントのデ
ータ入力端子Ｄには１ビットドットパターンデータＲＯ
2 が供給される。
レメント３０１はリセット端子Ｒを共通に接続されてリ
セットパルス＿ＲＳＴにより一括してリセットされ、こ
れに伴いアレイ３００中に保持されていたドットパター
ンデータは一括して消去される。さらに、各列を構成す
るラッチエレメント３０１はデータ入力端子Ｄを共通に
接続され、リード／ライトクロックＲ＿Ｗでオンオフさ
れるリード／ライトゲート３０２を介してデータ展開回
路２０３ｂ中の出力レジスタ２１８（図１３参照）に保
持された一行分のドットパターンデータを構成する１ビ
ットデータを供給される。例えば、図１３（Ａ）中にお
いて左端の列を構成する各ラッチエレメント３０１のデ
ータ入力端子Ｄには、データ展開回路から１ビットドッ
トパターンデータＲＯ0 がゲート３０２を介して供給さ
れる。同様に、中央の列を構成するラッチエレメントの
データ入力端子Ｄには１ビットドットパターンデータＲ
Ｏ 1 が、また右端の列を構成するラッチエレメントのデ
ータ入力端子Ｄには１ビットドットパターンデータＲＯ
2 が供給される。
【００４９】一方、ラッチアレイ３００中において、行
方向に整列した各ラッチエレメント３０１はクロック入
力端子ＣＬＫを互いに共通に接続され、各行を構成する
ラッチエレメントにはクロックＷＣＬＫ0 〜ＷＣＬＫ2
が供給される。例えば、アレイ３００中の下端の行を構
成する各ラッチエレメントのクロック入力端子ＣＬＫに
はクロックＷＣＬＫ0 が供給され、中央の行を構成する
ラッチエレメントのクロック入力端子ＣＬＫにはクロッ
クＷＣＬＫ1 が供給される。同様に、上端の行を構成す
る各ラッチエレメントのクロック入力端子ＣＬＫにはク
ロックＷＣＬＫ 2 が供給される。そこで、データ展開回
路２０３ｂで形成されたドットパターンデータ中におい
て開口部の行を指定するデータＹ0 ，Ｙ1 にもとづい
て、いずれかの行に対応するクロックを選択的に供給す
ることにより、選択されて行を構成するラッチエレメン
トに、１行分のドットパターンデータを一括して書き込
むことが可能になる。換言すると、図４（Ａ）の構成の
メモリを使うことにより、データ展開回路２０３ｂで形
成されたドットパターンデータを、一行ずつラッチエレ
メントに書き込むことが可能になる。
方向に整列した各ラッチエレメント３０１はクロック入
力端子ＣＬＫを互いに共通に接続され、各行を構成する
ラッチエレメントにはクロックＷＣＬＫ0 〜ＷＣＬＫ2
が供給される。例えば、アレイ３００中の下端の行を構
成する各ラッチエレメントのクロック入力端子ＣＬＫに
はクロックＷＣＬＫ0 が供給され、中央の行を構成する
ラッチエレメントのクロック入力端子ＣＬＫにはクロッ
クＷＣＬＫ1 が供給される。同様に、上端の行を構成す
る各ラッチエレメントのクロック入力端子ＣＬＫにはク
ロックＷＣＬＫ 2 が供給される。そこで、データ展開回
路２０３ｂで形成されたドットパターンデータ中におい
て開口部の行を指定するデータＹ0 ，Ｙ1 にもとづい
て、いずれかの行に対応するクロックを選択的に供給す
ることにより、選択されて行を構成するラッチエレメン
トに、１行分のドットパターンデータを一括して書き込
むことが可能になる。換言すると、図４（Ａ）の構成の
メモリを使うことにより、データ展開回路２０３ｂで形
成されたドットパターンデータを、一行ずつラッチエレ
メントに書き込むことが可能になる。
【００５０】ところで、図４（Ａ）の構成では、各ラッ
チエレメント３０１には、図４（Ｃ）に示す構成を有し
出力端子Ｑに出力される出力データＣＤｎを読み出す読
出ゲート３０２が設けられている。読出しゲート３０２
は直列接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタ３０２
ａおよびＰチャネルＭＯＳトランジスタ３０２ｂより構
成され、ラッチエレメント３０１の出力データＣＤｎは
トランジスタ３０２ａとトランジスタ３０２ｂの中間ノ
ードに供給される。その結果、トランジスタ３０２ａを
制御信号ＣＡｎによりターンオンすることにより、ラッ
チエレメント３０１に保持されていた１ビットドットパ
ターンデータをＢＡＡマスク１１０を駆動する駆動回路
２０４（図１参照）に出力することが可能になる。ま
た、トランジスタ３０２ｂを別の制御信号ＲＡｎにより
ターンオンすることにより、同じ１ビットドットパター
ンデータを別の読出しゲート３０３を介してデータ展開
回路２０３ｂに戻すことも可能になる。データ展開回路
２０３ｂは、かかるキャンバスメモリ３００から戻され
たデータに、露光パターンの形状をあらわすＯＰデータ
をもとに修正を施し、これを再びメモリ３００に格納す
る。
チエレメント３０１には、図４（Ｃ）に示す構成を有し
出力端子Ｑに出力される出力データＣＤｎを読み出す読
出ゲート３０２が設けられている。読出しゲート３０２
は直列接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタ３０２
ａおよびＰチャネルＭＯＳトランジスタ３０２ｂより構
成され、ラッチエレメント３０１の出力データＣＤｎは
トランジスタ３０２ａとトランジスタ３０２ｂの中間ノ
ードに供給される。その結果、トランジスタ３０２ａを
制御信号ＣＡｎによりターンオンすることにより、ラッ
チエレメント３０１に保持されていた１ビットドットパ
ターンデータをＢＡＡマスク１１０を駆動する駆動回路
２０４（図１参照）に出力することが可能になる。ま
た、トランジスタ３０２ｂを別の制御信号ＲＡｎにより
ターンオンすることにより、同じ１ビットドットパター
ンデータを別の読出しゲート３０３を介してデータ展開
回路２０３ｂに戻すことも可能になる。データ展開回路
２０３ｂは、かかるキャンバスメモリ３００から戻され
たデータに、露光パターンの形状をあらわすＯＰデータ
をもとに修正を施し、これを再びメモリ３００に格納す
る。
【００５１】図４（Ａ）の構成において、各行を構成す
るラッチエレメント３０１に協働する読出ゲート３０２
は、前記制御信号ＣＡｎが共通に供給されるように接続
されている。例えば、図４（Ａ）中左端の列を構成する
各ラッチエレメント３０２では、協働するゲート３０２
を構成するトランジスタ３０２ａのゲートに制御信号Ｃ
Ａ0 が一斉に供給されてこれをターンオンする。その結
果、前記一列のラッチエレメント３０２に保持されてい
たデータがそれぞれの出力ラインＣＤ0 〜ＣＤ 2 に一斉
に出力される。同様に、制御信号ＣＡ1 がアレイ３００
中央の列を構成する各ラッチエレメントに協働するゲー
ト３０２を一斉にターンオンし、その結果中央のラッチ
エレメント列に保持されている１ビットドットパターン
データがそれぞれの出力ラインＣＤ0 〜ＣＤ2 上に一斉
に出力される。さらに、制御信号ＣＡ2 がアレイ３００
右端の列を構成する各ラッチエレメントに協働するゲー
ト３０２を一斉にターンオンし、その結果右端のラッチ
エレメント列に保持されている１ビットドットパターン
データがそれぞれの出力ラインＣＤ0 〜ＣＤ2 上に一斉
に出力される。そこで、制御信号ＣＡ1 〜ＣＡｎを列選
択信号として与えることにより、選択された列を構成す
るラッチエレメント中に保持されていた１ビットドット
パターンデータを、列毎に一括して読み出すことが可能
になる。
るラッチエレメント３０１に協働する読出ゲート３０２
は、前記制御信号ＣＡｎが共通に供給されるように接続
されている。例えば、図４（Ａ）中左端の列を構成する
各ラッチエレメント３０２では、協働するゲート３０２
を構成するトランジスタ３０２ａのゲートに制御信号Ｃ
Ａ0 が一斉に供給されてこれをターンオンする。その結
果、前記一列のラッチエレメント３０２に保持されてい
たデータがそれぞれの出力ラインＣＤ0 〜ＣＤ 2 に一斉
に出力される。同様に、制御信号ＣＡ1 がアレイ３００
中央の列を構成する各ラッチエレメントに協働するゲー
ト３０２を一斉にターンオンし、その結果中央のラッチ
エレメント列に保持されている１ビットドットパターン
データがそれぞれの出力ラインＣＤ0 〜ＣＤ2 上に一斉
に出力される。さらに、制御信号ＣＡ2 がアレイ３００
右端の列を構成する各ラッチエレメントに協働するゲー
ト３０２を一斉にターンオンし、その結果右端のラッチ
エレメント列に保持されている１ビットドットパターン
データがそれぞれの出力ラインＣＤ0 〜ＣＤ2 上に一斉
に出力される。そこで、制御信号ＣＡ1 〜ＣＡｎを列選
択信号として与えることにより、選択された列を構成す
るラッチエレメント中に保持されていた１ビットドット
パターンデータを、列毎に一括して読み出すことが可能
になる。
【００５２】図５は、図４（Ａ）に示すキャンバスメモ
リ３００を使った電子ビーム露光装置のデータ展開回路
の全体的な構成を示す。図５の構成は図１の構成に類似
しており、図１で説明した部分には同一の参照符号を付
してその説明を省略する。
リ３００を使った電子ビーム露光装置のデータ展開回路
の全体的な構成を示す。図５の構成は図１の構成に類似
しており、図１で説明した部分には同一の参照符号を付
してその説明を省略する。
【００５３】図５を参照するに、本実施例の構成では、
列方向のアドレスを指定する第２のアドレスカウンタ３
０４が設けられ、アドレスカウンタ３０４はデマルチプ
レクサ３０５を介して前記列選択信号ＣＡｎを出力する
ことにより、キャンバスメモリ３００中の一の列を選択
する。キャンバスメモリ３００中の一の列を選択するこ
とにより読み出された１列分のドットパターンデータ
は、ラッチ回路３０６に保持された後シフトレジスタ２
０５に供給される。
列方向のアドレスを指定する第２のアドレスカウンタ３
０４が設けられ、アドレスカウンタ３０４はデマルチプ
レクサ３０５を介して前記列選択信号ＣＡｎを出力する
ことにより、キャンバスメモリ３００中の一の列を選択
する。キャンバスメモリ３００中の一の列を選択するこ
とにより読み出された１列分のドットパターンデータ
は、ラッチ回路３０６に保持された後シフトレジスタ２
０５に供給される。
【００５４】図６はビット展開モードにおける図５の装
置の動作を示すタイミングチャートである。本実施例に
おけるビット展開モードの動作は図１の装置の場合と実
質的に同一であり、従って図６のタイミングチャートも
図１のものと実質的に同一である。
置の動作を示すタイミングチャートである。本実施例に
おけるビット展開モードの動作は図１の装置の場合と実
質的に同一であり、従って図６のタイミングチャートも
図１のものと実質的に同一である。
【００５５】一方、図７は読出しモードにおける図５の
装置の動作を示すタイミングチャートである。
装置の動作を示すタイミングチャートである。
【００５６】図７を参照するに、読出しモードは、リセ
ットパルス＿ＲＳＴがハイレベル状態において起動信号
ＳＴＡが供給されることにより開始され、起動信号ＳＴ
Ａに応じて制御装置２１７がクリアパルスＲＣＬＲをア
ドレスカウンタ３０３に供給しこれをリセットする。さ
らに制御回路２１７が制御信号ＣＮＴ５を供給すること
により、アドレスカウンタ３０４はデマルチプレクサ３
０５を介してキャンバスメモリ３００中の一の列を選択
し、選択された列に対応するドットパターンデータがラ
ッチ３０６に出力される。図７よりわかるように、単一
の制御信号ＣＮＴ５に対応して１列分のドットパターン
が同時に読み出されるため、図９の装置では読出し動作
が非常に高速に実行できる。
ットパルス＿ＲＳＴがハイレベル状態において起動信号
ＳＴＡが供給されることにより開始され、起動信号ＳＴ
Ａに応じて制御装置２１７がクリアパルスＲＣＬＲをア
ドレスカウンタ３０３に供給しこれをリセットする。さ
らに制御回路２１７が制御信号ＣＮＴ５を供給すること
により、アドレスカウンタ３０４はデマルチプレクサ３
０５を介してキャンバスメモリ３００中の一の列を選択
し、選択された列に対応するドットパターンデータがラ
ッチ３０６に出力される。図７よりわかるように、単一
の制御信号ＣＮＴ５に対応して１列分のドットパターン
が同時に読み出されるため、図９の装置では読出し動作
が非常に高速に実行できる。
【００５７】図８は図４（Ｂ）に示すラッチエレメント
の具体的な構成の一例を示した回路図である。
の具体的な構成の一例を示した回路図である。
【００５８】図８を参照するに、ラッチエレメントはＥ
ＣＬゲート構成を有し、フリップフロップを構成するバ
イポーラトランジスタＴ1 〜Ｔ4 を含む。フリップフロ
ップに保持されるデータはトランジスタＴ5 を介して書
き込まれ、トランジスタＴ6を介して消去される。さら
に、フリップフロップへの書込みはクロック信号ＷＣＬ
Ｋｎにより制御される。図８の構成自体は周知のもので
あり、説明を省略する。
ＣＬゲート構成を有し、フリップフロップを構成するバ
イポーラトランジスタＴ1 〜Ｔ4 を含む。フリップフロ
ップに保持されるデータはトランジスタＴ5 を介して書
き込まれ、トランジスタＴ6を介して消去される。さら
に、フリップフロップへの書込みはクロック信号ＷＣＬ
Ｋｎにより制御される。図８の構成自体は周知のもので
あり、説明を省略する。
【００５９】図９は図４（Ａ）に示すキャンバスメモリ
３００のレイアウトの一例を示す。
３００のレイアウトの一例を示す。
【００６０】図９を参照するに、本実施例では読出しゲ
ート３０２とラッチエレメント３０１とが別々の配列を
形成し、ラッチエレメント３０１の配列はアドレスカウ
ンタ２０３ｄおよびこれに協働するデマルチプレクサに
より一行ずつ駆動され、一方読出しゲート３０２の配列
はアドレスカウンタおよびこれに協働するデマルチプレ
クサ３０５により一列ずつ駆動される。さらに、ラッチ
エレメント３０１の配列と読出しゲート３０２の配列と
の間には別の読出し回路３０３が設けられ、ラッチエレ
メント３０１の配列中に格納された一行分のドットパタ
ーンデータを読み出してデータ展開回路２０３ｂに戻
す。
ート３０２とラッチエレメント３０１とが別々の配列を
形成し、ラッチエレメント３０１の配列はアドレスカウ
ンタ２０３ｄおよびこれに協働するデマルチプレクサに
より一行ずつ駆動され、一方読出しゲート３０２の配列
はアドレスカウンタおよびこれに協働するデマルチプレ
クサ３０５により一列ずつ駆動される。さらに、ラッチ
エレメント３０１の配列と読出しゲート３０２の配列と
の間には別の読出し回路３０３が設けられ、ラッチエレ
メント３０１の配列中に格納された一行分のドットパタ
ーンデータを読み出してデータ展開回路２０３ｂに戻
す。
【００６１】本実施例の構成によれば、ラッチエレメン
ト３０１の配列と読出しゲート３０２の配列を別々に構
成したことにより、回路のレイアウトが簡単になる。
ト３０１の配列と読出しゲート３０２の配列を別々に構
成したことにより、回路のレイアウトが簡単になる。
【００６２】以上、本発明を好ましい実施例に基づいて
説明したが、本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨内において様々な変形および変更
が可能である。
説明したが、本発明は上記の実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨内において様々な変形および変更
が可能である。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、キャンバスメモリ中に
一行ずつ格納されたドットパターンデータを一列ずつ読
出すことが可能になり、その結果ＢＡＡマスクを、電子
ビームの走査方向に沿って、高速で駆動することが可能
になる。
一行ずつ格納されたドットパターンデータを一列ずつ読
出すことが可能になり、その結果ＢＡＡマスクを、電子
ビームの走査方向に沿って、高速で駆動することが可能
になる。
【図１】本発明の第１実施例による電子ビーム露光装置
における制御装置の構成を示す図である。
における制御装置の構成を示す図である。
【図２】図１の制御装置の動作を説明するタイミングチ
ャートである。
ャートである。
【図３】図１の制御装置の動作を説明する別のタイミン
グチャートである。
グチャートである。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２実施例による電
子ビーム露光装置のキャンバスメモリの構成を示す図で
ある。
子ビーム露光装置のキャンバスメモリの構成を示す図で
ある。
【図５】図４のキャンバスメモリを使った電子ビーム露
光装置の制御装置の構成を示す図である。
光装置の制御装置の構成を示す図である。
【図６】図５の装置の動作を説明する図である。
【図７】図５の装置の動作を説明する別の図である。
【図８】図４（Ｂ）に示すラッチエレメントの構成を示
す回路図である。
す回路図である。
【図９】本発明の第３実施例による構成を示す図であ
る。
る。
【図１０】従来の電子ビーム露光装置の全体的な構成を
示す図である。
示す図である。
【図１１】図１０の電子ビーム露光装置において使われ
るＢＡＡマスクの構成を示す図である。
るＢＡＡマスクの構成を示す図である。
【図１２】図１１のＢＡＡマスクで露光される露光ドッ
トパターンの例を示す図である。
トパターンの例を示す図である。
【図１３】図１０の電子ビーム露光装置で使われるデー
タ展開回路の構成を示す図である。
タ展開回路の構成を示す図である。
１００ 電子光学系 １０１ 電子ビーム源 １０２，１０２ａ 電子ビーム整形部 １０３，１０４，１０５，１０６，１０７ 電子レンズ １０８ フォーカス補正コイル １０９ スティグ補正コイル １１０ ＢＡＡマスク １１１ 主偏向器 １１２ 副偏向器 １１３ ラウンドアパーチャ板 １１３ａ ラウンドアパーチャ １１４ 移動ステージ １１５ 基板 １１６ ブランキング偏向器 ２００ 露光制御系 ２０１ 外部記憶装置 ２０２ ＣＰＵ ２０３，２０３1 〜２０３N データ展開回路 ２０３ａ バッファメモリ ２０３ｂ データ展開部 ２０３ｃ キャンバスメモリ ２０３ｄ アドレスカウンタ ２０３ｅ リフォーカス回路 ２０３ｆ レジスタ ２０３ｇ ビット選択回路 ２０３ｈ ラッチ回路 ２０４，２０４1 〜２０４N ，２０４1 〜２０４128
ＢＡＡデータ格納および出力回路 ２０５，２０５1 〜２０５N ＢＡＡ駆動回路 ２０６ 露光制御回路 ２０７ 主偏向制御回路 ２０７ａ 歪み補正回路 ２０７ｂ スティグ補正回路 ２０７ｃ フォーカス補正回路 ２０８ 副偏向制御回路 ２０９ ステージ制御回路 ２１０ オートローダ制御回路 ２１１ レジスタ ２１２ ビットマップデータシフタ ２１３ Ｘレジスタ ２１４ 加算器 ２１５ 減算器 ２１６ ＯＲ回路 ２１７ 制御装置 ２１８ テンポラリレジスタ ３００ ラッチアレイ ３０１ ラッチエレメント ３０２ 列選択ゲート回路 ３０２ａ，３０２ｂ 出力トランジスタ ３０３ 行選択ゲート回路 ３０４ アドレスカウンタ ３０５ デマルチプレクサ ３０６ 出力バッファ回路
ＢＡＡデータ格納および出力回路 ２０５，２０５1 〜２０５N ＢＡＡ駆動回路 ２０６ 露光制御回路 ２０７ 主偏向制御回路 ２０７ａ 歪み補正回路 ２０７ｂ スティグ補正回路 ２０７ｃ フォーカス補正回路 ２０８ 副偏向制御回路 ２０９ ステージ制御回路 ２１０ オートローダ制御回路 ２１１ レジスタ ２１２ ビットマップデータシフタ ２１３ Ｘレジスタ ２１４ 加算器 ２１５ 減算器 ２１６ ＯＲ回路 ２１７ 制御装置 ２１８ テンポラリレジスタ ３００ ラッチアレイ ３０１ ラッチエレメント ３０２ 列選択ゲート回路 ３０２ａ，３０２ｂ 出力トランジスタ ３０３ 行選択ゲート回路 ３０４ アドレスカウンタ ３０５ デマルチプレクサ ３０６ 出力バッファ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−174715（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−283130（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−69125（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267135（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (9)
- 【請求項１】 電子ビームを形成し、これを所定の光軸
に沿って被露光物体に向かって照射する電子ビーム源
と、前記電子ビームを前記被露光物体上に集束する集束
手段と、前記電子ビームを前記光軸に対して偏向して、
前記被露光物体上において前記電子ビームを走査させる
偏向手段と、前記光軸上において前記電子ビーム源と前
記被露光物体との間に設けられ、行列状に配列した複数
の開口部を形成され、前記複数の開口部において前記電
子ビームを整形して、前記被露光物体上に描画される露
光パターンを構成する個々の露光ドットに対応した複数
の電子ビーム要素を形成するＢＡＡマスクと、前記ＢＡ
Ａマスク上の複数の開口部の各々に対応して設けられ、
駆動信号を供給されて前記開口部を通過する電子ビーム
を前記駆動信号に応じてオンオフする駆動手段と、前記
露光パターンに対応する露光データを供給され、前記露
光データにもとづいて前記被露光物体上に露光される露
光ドットをあらわすドットパターンデータを発生させる
データ展開手段と、前記データ展開手段で発生されたド
ットパターンデータを格納するパターンメモリ手段と；
前記データ展開手段で発生したドットパターンデータを
前記パターンメモリ手段に書込み、また前記パターンメ
モリ手段から読み出す書込み／読出し制御手段と、露光
動作を制御する露光制御装置とを備えた電子ビーム露光
装置において、 前記パターンメモリ手段は前記ＢＡＡマスク上に行列状
に形成された複数の開口部に対応して行列状に形成され
た複数のラッチエレメントと、前記複数のラッチエレメ
ントの各列に対応して形成された出力ゲート手段とによ
り構成され、一つの行を構成するラッチエレメントの各
々は、前記データ展開手段から１行分のドットパターン
データを構成する１ビットデータをそれぞれ供給され、
前記１行分のラッチエレメントの各々は、行選択信号を
共通に供給され前記行選択信号に応じて前記データ展開
手段から供給された１ビットデータを保持し、前記出力
ゲート手段は、列を選択する列選択信号を供給され前記
列選択信号に応じて各々のラッチエレメントに保持され
た前記ドットパターンを各列毎に一斉に出力し；前記書
込み／読出し制御手段は前記制御装置により制御され、
前記行選択信号および列選択信号を形成することを特徴
とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】 前記パターンメモリ手段を構成するラッ
チエレメントの各々は、前記ドットパターンデータを構
成する１ビットデータを供給される第１の入力端子と、
書込みクロックを供給される第２の入力端子と、保持し
たデータを出力する出力端子とを備え、前記列方向に整
列したラッチエレメントの各々は、各列において、前記
第１の入力端子を前記列に対応した入力ラインに共通に
接続され、前記各列の入力ラインには、前記１行分のド
ットパターンデータを構成する複数の１ビットデータの
うち、対応する１ビットデータが前記データ展開手段か
ら一斉に供給され、前記行方向に整列したラッチエレメ
ントの各々は、各行において、前記第２の入力端子を前
記行に対応した行制御ラインに共通に接続され、前記各
行の行制御ラインには書込み制御信号が、前記露光制御
装置から選択的に供給され、前記パターンメモリ手段を
構成するラッチエレメントの各々は、前記書込み制御信
号に応じて前記第１の入力端子に供給された１ビットデ
ータを保持することを特徴とする請求項１記載の電子ビ
ーム露光装置。 - 【請求項３】 前記データ展開手段は前記書込み制御信
号を、前記各行の行制御ラインに逐次、選択的に供給す
ることを特徴とする請求項２記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項４】 前記出力ゲート手段は、前記パターンメ
モリ手段を構成する前記ラッチエレメントの各々に対応
して設けられた出力トランジスタよりなり、前記出力ト
ランジスタの各々は、対応するラッチエレメントの出力
端子に接続され、前記列方向に整列したラッチエレメン
トに対応する前記出力トランジスタは、各列において、
前記列に対応する列制御ラインに共通に接続され、前記
列制御ラインには読出し制御信号が、前記露光制御装置
から選択的に供給され、前記出力トランジスタは前記読
出し制御信号に応じてターンオンされることを特徴とす
る請求項２記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項５】 前記行方向に整列したラッチエレメント
の各々に対応して設けられた出力トランジスタは、各行
において、前記行に対応する出力ラインに共通に接続さ
れ、前記パターンメモリ手段を構成するラッチエレメン
トの各々は、前記第２の入力端子に供給された読出し制
御信号に応じて、前記出力端子から、保持しているデー
タを出力することを特徴とする請求項４記載の電子ビー
ム露光装置。 - 【請求項６】 前記パターンメモリ手段を構成するラッ
チエレメントの各々は、共通にリセットラインに接続さ
れてリセット信号を供給されるリセット端子を有し、前
記露光制御手段は前記リセットラインにリセット信号を
一斉に供給して前記パターンメモリ手段を構成するラッ
チエレメントを一斉にリセットすることを特徴とする請
求項１記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項７】 前記パターンメモリ手段を構成するラッ
チエレメントは行列状に配置されて第１のアレイを構成
し、前記ラッチエレメントに対応する出力トランジスタ
は行列状に配置されて第２の、別のアレイを構成するこ
とを特徴とする請求項４記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項８】 さらに、前記パターンメモリを構成する
複数のラッチエレメントの各列に対応して形成された第
２の出力ゲート手段を備え、前記第２の出力ゲート手段
は、前記ラッチエレメントの各行毎に選択され、前記選
択された１行分のラッチエレメントに保持されていた１
ビットドットパターンデータを前記データ展開手段に戻
すことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光装
置。 - 【請求項９】 電子ビームを形成し、これを所定の光軸
に沿って被露光物体に向かって照射する電子ビーム源
と、前記電子ビームを前記被露光物体上に集束する集束
手段と、前記電子ビームを前記光軸に対して偏向して、
前記被露光物体上において前記電子ビームを走査させる
偏向手段と、前記光軸上において前記電子ビーム源と前
記被露光物体との間に設けられ、行列状に配列した複数
の開口部を形成され、前記複数の開口部において前記電
子ビームを整形して、前記被露光物体上に描画される露
光パターンを構成する個々の露光ドットに対応した複数
の電子ビーム要素を形成するＢＡＡマスクと、前記ＢＡ
Ａマスク上の複数の開口部の各々に対応して設けられ、
駆動信号を供給されて前記開口部を通過する電子ビーム
を前記駆動信号に応じてオンオフする駆動手段と、前記
露光パターンに対応する露光データを供給され、前記露
光データにもとづいて前記被露光物体上に露光される露
光ドットをあらわすドットパターンデータを発生させる
データ展開手段と、前記データ展開手段で発生されたド
ットパターンデータを格納するパターンメモリ手段と；
前記データ展開手段で発生したドットパターンデータを
前記パターンメモリ手段に書込み、また前記パターンメ
モリ手段から読み出す書込み／読出し制御手段と、露光
動作を制御する露光制御装置とを備えた電子ビーム露光
装置において、 前記パターンメモリ手段は行列状に配列したメモリセル
よりなり、 前記書込み／読出し制御手段は前記メモリセル中に、ド
ットパターンデータを一行ずつ逐次書込み、また一行ず
つ逐次読出す書込み／読出し部と、前記書込み／読出し
部で読み出された一行分のドットパターンデータを多ビ
ットデータの形で格納するレジスタ部と、前記レジスタ
部に格納された前記多ビットデータのうちの一のビット
を選択するビット選択手段と、複数のセルを有し、前記
ビット選択手段で選択されたビットを、前記メモリセル
アレイからの読出しに応じて逐次供給されるシフトレジ
スタとよりなり、前記シフトレジスタは前記ＢＡＡマス
ク上に形成された一列分の開口部の各々を、前記複数の
セルの出力信号によりそれぞれ駆動することを特徴とす
る電子ビーム露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15572693A JP3200503B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 電子ビーム露光装置 |
| US08/241,409 US5448075A (en) | 1993-06-25 | 1994-05-11 | Electron-beam exposure system having an improved rate of exposure throughput |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15572693A JP3200503B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142316A JPH07142316A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3200503B2 true JP3200503B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=15612130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15572693A Expired - Fee Related JP3200503B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5448075A (ja) |
| JP (1) | JP3200503B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH07191199A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法 |
| US5528048A (en) | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
| US5841145A (en) * | 1995-03-03 | 1998-11-24 | Fujitsu Limited | Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam |
| JP3544759B2 (ja) * | 1995-09-07 | 2004-07-21 | 富士通株式会社 | マルチ荷電粒子ビーム露光方法 |
| JP3461076B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2003-10-27 | 富士通株式会社 | 高速データ読み出し可能な荷電粒子ビーム露光装置及び方法 |
| US5909658A (en) * | 1996-06-18 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | High speed electron beam lithography pattern processing system |
| US20010017355A1 (en) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Kazui Mizuno | Electron beam lithography apparatus and lithography method |
| JP3940310B2 (ja) * | 2002-04-04 | 2007-07-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法 |
| JP4220209B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2009-02-04 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法 |
| DE102005020089A1 (de) * | 2005-04-29 | 2006-08-10 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Lithographieverfahren |
| US8026495B2 (en) * | 2005-10-28 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Charged particle beam exposure system |
| US10984982B2 (en) | 2017-03-16 | 2021-04-20 | Nikon Corporation | Charged particle beam optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, control apparatus, control method, information generation apparatus, information generation method and device manufacturing method |
| WO2018167936A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及びリソグラフィ方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369282A (en) * | 1992-08-03 | 1994-11-29 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15572693A patent/JP3200503B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-11 US US08/241,409 patent/US5448075A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5448075A (en) | 1995-09-05 |
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