JP3197540B2 - 基板素片、及びフレキシブル基板 - Google Patents

基板素片、及びフレキシブル基板

Info

Publication number
JP3197540B2
JP3197540B2 JP28708999A JP28708999A JP3197540B2 JP 3197540 B2 JP3197540 B2 JP 3197540B2 JP 28708999 A JP28708999 A JP 28708999A JP 28708999 A JP28708999 A JP 28708999A JP 3197540 B2 JP3197540 B2 JP 3197540B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
metal wiring
film
piece
flexible substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP28708999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000294685A (ja
Inventor
英之 栗田
正人 谷口
雅之 中村
啓之 菱沼
秀次 波木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Sony Chemicals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26366059&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3197540(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Sony Chemicals Corp filed Critical Sony Chemicals Corp
Priority to JP28708999A priority Critical patent/JP3197540B2/ja
Priority to US09/494,040 priority patent/US6717064B1/en
Priority to CNB001046969A priority patent/CN1192421C/zh
Priority to KR10-2000-0005356A priority patent/KR100517033B1/ko
Priority to CNB2004100040575A priority patent/CN1299325C/zh
Priority to EP00102407A priority patent/EP1026929A3/en
Publication of JP2000294685A publication Critical patent/JP2000294685A/ja
Publication of JP3197540B2 publication Critical patent/JP3197540B2/ja
Application granted granted Critical
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
    • H05K3/4617—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination characterized by laminating only or mainly similar single-sided circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0347—Overplating, e.g. for reinforcing conductors or bumps; Plating over filled vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09481—Via in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09563—Metal filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4647—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer around previously made via studs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフレキシブル基板の
技術分野にかかり、特に、微細な導電性バンプを形成で
きるフレキシブル基板製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、所望の回路パターンを印刷し
たフレキシブル基板は多用されており、近年では、使用
される箇所の形状に応じた種々の形状のフレキシブル基
板が求められている。
【０００３】図１１(ａ)は、Ｔ字形形状のフレキシブル
基板１５２を、長方形形状の原反１５０から裁断する場
合の配置状態を示しており、この図では、６枚のフレキ
シブル基板１５２を得ることができる。
【０００４】しかし、上記のような異形のフレキシブル
基板１５２を裁断する場合には、原反１５０が無駄に捨
てられる部分が多い。
【０００５】そこで従来技術でも対策が採られており、
複雑な形状のフレキシブル基板を簡単な形状の基板素片
に分解し、それらを張り合わせ、１枚のフレキシブル基
板を作製している。図１１(ｃ)は、上記フレキシブル基
板１５２と同一形状のフレキシブル基板１５５を、長方
形形状の２種類の基板素片１５３、１５４を貼り合わせ
て形成する場合を示している。
【０００６】図１１(ｂ)に示すように、簡単な形状の基
板素片１５３、１５４を上記原反１５０から裁断する場
合、原反を有効に利用することが可能である。この図１
１(ｂ)の場合、各基板素片１５３、１５４はそれぞれ８
枚ずつ取れるから、それらを貼り合わせるとフレキシブ
ル基板１５５が８枚得られる。従って、Ｔ字形形状のフ
レキシブル基板１５２を直接裁断する場合よりも多数枚
数が得られる。
【０００７】しかし、基板素片となるフレキシブル基板
を複数枚貼り合わせて１枚のフレキシブル基板を形成す
る場合、各基板素片１５３、１５４を機械的、及び電気
的に接続させる必要がある。
【０００８】上記のような基板素片１５３、１５４は、
予め原反１５０上に形成された導電性バンプによって接
続されている。この原反１５０の従来技術の製造方法を
説明する。
【０００９】図１０(ａ)を参照し、符号１１３はポリイ
ミドフィルムから成る基体であり、その表面にはパター
ニングされた銅箔から成る金属配線１１２が貼り付けら
れている。この銅箔１１２上には、ポリイミドフィルム
から成るカバーレイ１１１が貼り付けられている。
【００１０】先ず、カバーレイフィルム１１１の所定位
置にレーザ光１１４を照射し(同図(ｂ))、開口部１１５
を形成する(同図(ｂ))。基体１１３には接続口１２３が
設けられており、その接続口１２３内には金属配線１１
２の底面が露出しており、形成された開口部１１５内に
は、金属配線１１２の表面が露出している。
【００１１】その状態から、基体１１３の裏面側に保護
フィルムを形成し、接続口１２３を保護した後、銅メッ
キを行い、保護フィルムを剥離すると、銅メッキによっ
て開口部１１５内に銅が成長し、導電性バンプ１１６が
形成される(同図(ｃ))。
【００１２】その状態の原反１５０から基板素片１５
３、１５４を裁断する。同図(ｅ)の符号１５３、１５４
は、裁断後の基板素片を示しており、二枚の基板素片１
５３、１５４の部材は、添字ａ、ｂによって区別する。
【００１３】二枚の基板素片１５３、１５４のうち、一
方の基板素片１５４の導電性バンプ１１６ｂを、他方の
基板素片１５３の接続口１２３ａに向け、異方導電性フ
ィルム１６０を介して、導電性バンプ１１６ｂ先端を接
続口１２３ａ内に露出する金属配線１１２ａに当接さ
せ、異方導電性フィルム１６０によって二枚の基板素片
１５３、１５４を貼り合わせると、異形のフレキシブル
基板１５５が得られる。
【００１４】このフレキシブル基板１５５内の二層の金
属配線１１２ａ、１１２ｂは、異方導電性フィルム１６
０内に分散された導電性粒子によって電気的に接続され
ており、二枚の基板素片１５３、１５４間は、異方導電
性フィルム１６０の接着力によって互いに貼付されてい
る。
【００１５】そして、上記のようなフレキシブル基板１
５５に集積回路素子等の半導体チップを実装する場合、
導電性バンプ１１６ａ上に異方導電性フィルムを配置
し、半導体素子のボンディングパッドを、異方導電性フ
ィルムを介して導電性バンプ１１６に当接させ、圧着す
る。半導体素子内部の回路は、異方導電性フィルム内の
導電性粒子及び導電性バンプ１１６ａ、１１６ｂを介し
て、金属配線１１２ａ、１１２ｂに接続される。
【００１６】上記のような基板素片１５３、１５４を貼
り合わせてフレキシブル基板１５５を作製した場合、薄
く、軽く、且つ、折り曲げ自在であり、所望形状のもの
が得られることから近年盛んに用いられている。
【００１７】しかしながら、上記のようにレーザ光１１
４を用いて開口部１１５を形成する場合、開口部１１５
底面に露出した金属配線１１２表面にポリイミドフィル
ム１１１の残渣が残ってしまう。そのため、従来技術で
は開口部１１５を形成した後、薬液に浸漬し、残渣の除
去を行っているが、開口部１１５が微細化するに従い、
薬液が開口部１１５内に入りずらくなり、残渣が除去し
ずらくなる。
【００１８】残渣が除去できない場合、開口部１１５毎
に銅の析出速度が異なってしまい、均一な導電性バンプ
１１６を形成できなくなる。
【００１９】また、堅牢なポリイミドフィルム(カバー
レイ１１１)にレーザ光１１４を照射して開口部１１５
を形成しているため、微細な開口部１１５(４０μｍ〜
５０μｍ程度)を形成すると、開口径がばらつき、その
結果、形成される導電性バンプ１１６の径や高さにばら
つきを生じ、半導体素子との接触不良が発生するという
問題がある。近年では開口部１１５の一層の微細化が求
められているが、高出力のレーザ光１１４のスポット径
を絞るのが難しく、４０μｍよりも小径の開口部１１５
を形成できない。
【００２０】更に、基板素片１５３、１５４同士を異方
導電性フィルム１６０によって貼付するため、フレキシ
ブル基板１５５が高価になるという問題がある。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、微細パターンを有する基板素片から、低コスト
のフレキシブル基板を得ることにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基板素片であって、所定形
状にパターニングされた金属配線と、前記金属配線の一
方の面側に配置された支持フィルムと、前記金属配線の
他方の面側に配置され、熱圧着の際に表面が接着性を発
現する樹脂被膜とを有し、前記支持フィルムには、前記
金属配線表面が露出する接続口が設けられ、前記樹脂被
膜上には、前記金属配線に接続された導電性バンプが突
き出されていることを特徴とする。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の基板素片であって、前記支持フィル
ムは、ポリイミドから成ることを特徴とする。請求項３
記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記
載の基板素片であって、前記支持フィルム表面には、粗
面化層が形成されていることを特徴とする。請求項４記
載の発明は、フレキシブル基板であって、請求項１乃至
請求項３のいずれか１項記載の基板素片を少なくとも二
枚有し、一方の基板素片の前記導電性バンプ先端が他方
の基板素片の前記接続口内に露出する金属配線表面に当
接され、前記一方の基板素片の前記被膜の接着力によ
り、前記基板素片同士が貼付されたことを特徴とする。
請求項５記載の発明は、フレキシブル基板であって、所
定形状にパターニングされた金属配線と、前記金属配線
の一方の面側に配置された支持フィルムと、前記金属配
線の他方の面側に配置された樹脂被膜とを有し、前記支
持フィルムには、前記金属配線表面が露出する接続口が
設けられ、前記樹脂被膜上には、前記金属配線に接続さ
れた導電性バンプが突き出された基板素片の少なくとも
二枚が、樹脂フィルムを間に挟み、一方の基板素片の前
記導電性バンプが、他の基板素片の前記接続口内に露出
する金属配線表面に当接され、互いに貼付されたことを
特徴とする。請求項６記載の発明は、請求項４又は請求
項５のいずれか１項記載のフレキシブル基板であって、
前記一方の基板素片と前記他方の基板素片とは、加熱さ
れながら互いに押圧されて接着されたことを特徴とす
る。請求項７記載の発明は、電気装置であって、請求項
４乃至請求項６のいずれか１項記載のフレキシブル基板
と、内部回路に接続された導電性バンプが設けられた半
導体素子とを有する電気装置であって、該フレキシブル
基板表面に位置する前記接続口の底面の、前記金属配線
表面に、異方導電性フィルムを介して、前記半導体素子
の導電性バンプが接続されたことを特徴とする。
【００２３】本発明は上記のように構成されており、基
板素片の片面には支持フィルムが配置され、他方の面に
は樹脂被膜が配置されている。
【００２４】支持フィルムには接続口が設けられ、その
底面には金属配線表面がランドとして露出するようにさ
れており、被膜上には、金属配線に接続された導電性バ
ンプ先端が突き出されている。
【００２５】樹脂被膜表面が熱可塑性を有している場
合、例えば、非熱可塑性の樹脂被膜表面に熱可塑性の樹
脂被膜が積層されている場合、熱可塑性の部分の樹脂被
膜は接着力を有しているから、導電性バンプ先端を、他
の基板素片の接続口内の金属配線に当接させ、熱圧着す
ると、基板素片間の金属配線(銅配線)が樹脂被膜の接着
力によって接続され、複数の基板素片から成るフレキシ
ブル基板を得られる。
【００２６】樹脂被膜が非熱可塑性である場合、基板素
片同士を貼り合わせるためには基板素片間に熱可塑性の
樹脂フィルムを挟み込めばよい。
【００２７】熱可塑性の樹脂被膜や非熱可塑性の樹脂被
膜はポリイミドで構成することができる。また、支持フ
ィルムもポリイミドで構成することができる。ポリイミ
ドを用いた場合、熱に対して安定性が高い基板素片を得
ることができる。
【００２８】また、支持フィルム表面を粗面化すれば接
着性を有する熱可塑性の樹脂被膜又は樹脂フィルムとの
親和性が向上するので、複数の基板素片を強固に接続す
ることができる。粗面化される支持フィルムをポリイミ
ドで構成すると、粗面化による作用がより有効である。
樹脂被膜が非熱可塑性である場合、支持フィルムと共
に、樹脂被膜に粗面化処理を施してもよい。
【００２９】上記のようなフレキシブル基板は、少なく
とも片面に導電性バンプが突き出され、他方の面には接
続口が配置されている。導電性バンプ側には熱可塑性の
被膜が設けられているから、半導体素子をそのフレキシ
ブル基板に接続する場合、半導体素子のランドを導電性
バンプに当接させ、被膜の接着力によって半導体素子を
フレキシブル基板に貼付できるが、より確実には、半導
体素子に大径の導電性バンプを設け、異方導電性フィル
ムを介してフレキシブル基板の開口部内に露出する金属
配線表面に当接させ、異方導電性フィルムの接着力によ
って、半導体素子をフレキシブル基板に搭載するとよ
い。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明を図面を用いて説明する。
図１(ａ)〜(ｅ)、図２(ｆ)〜(ｊ)、図３(ｋ)〜(ｎ)、図
４(ｏ)〜(ｐ)、図５(ｑ)、(ｒ)、図６、図７は、本発明
のフレキシブル基板の一例の製造工程図である。
【００３１】図１(ａ)を参照し、先ず、金属箔１１(こ
こでは厚み１８μｍの圧延銅箔を用いた)を用意する。
次に、同図(ｂ)を参照し、金属箔１１の裏面に保護フィ
ルム１２を貼付し、表面に、紫外線露光可能なマスクフ
ィルム(旭化成(株)製ドライフィルム：ＳＰＧ−１５２)
１３を貼付する(マスクフィルム１３の貼付条件は、こ
こでは温度１３０℃、ラインスピード２ｍ／分で行っ
た)。
【００３２】次に、所定パターンが形成されたガラスマ
スクを用い、マスクフィルム１３を露光(露光光強度１
００ｍＪ)し、薬液で現像し、後述する複数の導電性バ
ンプ１６に対応する位置に、開口部１５をそれぞれ形成
する(同図(ｃ))。このときの開口部１５の直径は、マス
クのパターン直径が３０μ〜５０μｍの円に対し、±
２．５μｍの精度で形成できる。高さは±２μｍの精度
で形成できる。
【００３３】次に、全体を銅メッキ用の電解液に浸漬
し、電流を流すと、開口部１５底面に露出した金属箔１
１表面に銅が成長し、導電性バンプ１６が形成される
(同図(ｄ))。
【００３４】マスクフィルム１３の現像後は、開口部１
５の底部には、残渣が無く、清浄な金属箔１１表面が露
出しているので、各導電性バンプ１６は、均一な高さに
形成される。
【００３５】次に、アルカリを用い、マスクフィルム１
３と保護フィルム１２を除去する(同図(ｅ))。この状態
では金属箔１１表面に茸形状の導電性バンプ１６が直立
しており、金属箔１１裏面にキャリアフィルム１７を貼
付し(図２(ｆ))、次いで、金属箔１１表面にポリイミド
前駆体から成る樹脂原料を塗布・乾燥し、そのポリイミ
ド前駆体から成る樹脂被膜１８を形成する(同図(ｇ))。
【００３６】この樹脂被膜１８は、導電性バンプ１６上
及びその近傍で盛り上がるが、導電性バンプ１６から離
れた位置では平坦になる。平坦な部分の厚みは導電性バ
ンプ１６の高さより薄くなるように形成し、導電性バン
プ１６の先端が樹脂被膜１８上の平坦な部分から突き出
るようにしておく。
【００３７】樹脂被膜１８は、熱可塑性を有していて
も、有していなくてもよい。熱可塑性を有しておらず、
熱硬化性である場合は、その樹脂被膜１８の表面に、更
に熱可塑性の樹脂被膜を積層させることができる。
【００３８】図(ｈ)の符号１９は、樹脂被膜１８上に塗
布・乾燥された樹脂原料の被膜を示しており、２層の樹
脂被膜１８、１９が積層されている。ここでは、上層の
樹脂被膜１９は、その下層の樹脂被膜１８と異なり、熱
可塑性のものを用いている。
【００３９】また、下層の樹脂被膜１８が熱可塑性を有
している場合でも、１回の塗布・乾燥だけでは、膜厚が
薄すぎる場合は、樹脂被膜１８上に、更にポリイミド前
駆体から成る樹脂原料を塗布・乾燥し積層させてもよ
い。
【００４０】次に、樹脂被膜１８、１９の上方位置から
アルカリ溶液をスプレーにて噴霧し、表面をエッチング
し、導電性バンプ１６先端部を露出させる(同図(ｉ))。
【００４１】エッチング条件の例としては、２５℃、２
０秒間の噴霧を行うと、表面を２μ〜５μｍエッチング
することができる。なお、アルカリ溶液の噴霧ではな
く、プラズマクリーナによるエッチングでもよい。
【００４２】次に、裏面のキャリアフィルム１７を剥離
した後、加熱(２８０℃１０分)すると、樹脂被膜１８、
１９がフィルム化し、金属箔１１表面に、２層構造のポ
リイミドフィルムから成る樹脂フィルムが形成される
(同図(ｊ))。
【００４３】次に、図３(ｋ)を参照し、金属箔１１の裏
面に感光性樹脂フィルムを貼付し、感光性樹脂フィルム
を露光・現像し、所定形状にパターニングし、マスクフ
ィルム２１を形成する。同図符号２２は、マスクフィル
ム２１の開口部分を示している。
【００４４】次いで、エッチングすると、開口部分２２
の底面に露出する銅箔１１が除去され、マスクフィルム
２１のパターンが金属箔１１に転写される。金属箔１１
は、開口部２２と同じパターンによって分離され、所望
形状の金属配線１４が得られる(同図(ｌ))。
【００４５】この金属配線１４は、図８に示すように細
長の配線部分１４1及び後述する接続部分と、導電性バ
ンプ１６の成長続部分１４2とに大別される。
【００４６】次に、マスクフィルム２１を除去し、金属
配線１４の裏面を露出させた後(同図(ｍ))、その部分に
ポリイミド前駆体を塗布・乾燥しポリイミド前駆体から
成るフィルムを形成した後、その表面に感光性レジスト
を塗布し、金属配線１４裏面のポリイミド前駆体フィル
ムをパターンニングする。次いで、感光性レジストを剥
離した後、加熱すると、ポリイミド前駆体フィルムが硬
化され、金属配線１４裏面にポリイミドから成る支持フ
ィルム２４が形成される(同図(ｎ))。
【００４７】同図(ｎ)の符号８０は、支持フィルム２４
が形成された状態の原反を示している。この原反に形成
された支持フィルム２４は、底面に金属配線１４が露出
する接続口２６を有しており、金属配線１１の、その表
面部分がランド２３にされている。
【００４８】次に、原反８０から簡単な形状の基板素片
を切り出す。図４(ｏ)の符号８１ａ、８１ｂは、二種類
の基板素片を示しており、図３(ｎ)と同じ部材には、同
じ数字を付し、二種類の基板素片８１ａ、８１ｂ及び後
述する他の基板素片８１ｃの部材は、添字ａ、ｂ、ｃを
付して区別する。
【００４９】二種類の基板素片８１ａ、８１ｂのうち、
一方の基板素片８１ｂの導電性バンプ１６ｂを他方の基
板素片８１ａの開口部２６ａに向け、互いに密着させる
と導電性バンプ１６ｂ先端が開口部２６ａ内のランド２
３ａに当接される。このとき、一方の基板素片８１ｂ表
面の熱可塑性の樹脂被膜１９ｂが他方の基板素片８１ａ
の支持フィルム２４ａ表面に当接される。
【００５０】熱可塑性の樹脂被膜１９(１９ａ、１９ｂ)
は接着性を有しているため、上記のように基板素片８１
ａ、８１ｂ同士を密着させた状態で加熱しながら押圧す
ると、二枚の基板素片８１ａ、８１が張り合わされる。
その状態では、熱可塑性の樹脂被膜１９ｂやその下層の
樹脂被膜１８ｂが圧縮されるので、導電性バンプ１６ｂ
はランド２３ａに強く押圧された状態が維持され、二枚
の基板素片８１ａ、８１ｂの金属配線１４ａ、１４ｂ同
士は電気的に接続される。
【００５１】図５(ｑ)の符号８１ｃは、３枚目の基板素
片を示しており、その表面の導電性バンプ１６ｃを、上
述した貼り合わせられた基板素片８１ｂ裏面の接続口２
６ｂに向け、密着させ、加熱しながら押圧すると、金属
バンプ１６ｃ先端がランド２３ｂに当接される。３枚目
の基板素片８１ｃは、その表面の熱可塑性の樹脂被膜１
９ｃによって、基板素片８１ｂに貼付される。
【００５２】同図(ｒ)の符号８３は、３枚の基板素片８
１ａ、８１ｂ、８１ｃが上記の手順で貼り合わされたフ
レキシブル基板を示している。
【００５３】このフレキシブル基板８３では、金属配線
１４の両面(表面及び裏面)が、樹脂被膜１８、１９や支
持フィルム２４によって保護されており、図５(ｒ)で
は、図面最下方の基板素片８１ａの導電性バンプ１６ａ
先端部が突き出されている。他方、最上層の基板素片８
１ｃのランド部分は表面に露出している。
【００５４】このフレキシブル基板８３の使用方法を説
明する。
【００５５】図６を参照し、符号５０は集積回路素子等
の半導体素子、符号６０は異方導電性フィルム、符号７
０はプリント基板を示している。
【００５６】半導体素子５０は、半導体基板５１表面に
導電性バンプ５６が設けられており、フレキシブル基板
８３表面に露出するランド２３ｃ上に異方導電性フィル
ム６０を配置し、半導体素子５０の導電性バンプ５６
を、異方導電性フィルム６０を介してランド２３ｃに当
接させ、加熱しながら押圧すると、半導体素子５０は、
フレキシブル基板８３に貼付される。
【００５７】フレキシブル基板８３裏面に突き出された
導電性バンプ１６ａは、プリント基板７０の本体７１上
に設けられているランド７７に当接させ、ランド７７を
溶融させる等でプリント基板７０に接続させることがで
きる。
【００５８】図７の符号８４は、半導体素子５０が搭載
され、プリント基板７０上に実装された状態のフレキシ
ブル基板を示している。同図では、フレキシブル基板８
３裏面に露出する熱可塑性の樹脂被膜１９ａは、プリン
ト基板７０の本体７１から離れているが、フレキシブル
基板８３の柔軟性によって、本体７１と樹脂被膜１９ａ
とが接触している部分では、樹脂被膜１９ａの接着力に
よって、フレキシブル基板８３と本体７１とが互いに固
定されるようになっている。
【００５９】なお、上記実施例では、導電性バンプ１６
を形成した後、接続口２６を有する支持フィルム２４
と、樹脂被膜１８、１９を形成しており、レーザ光を用
いて樹脂フィルムに開口部を形成する必要がない。従っ
て、微細な導電性バンプを精度良く形成することができ
る。
【００６０】上記の導電性バンプ１６を形成する際に
は、メッキにより銅を成長させていたが、他の金属を用
いることも可能である。また、金属箔１１についても、
銅に限定されるものではない。樹脂被膜１８、１９は１
層構造でも２層構造でもよいが、接着力のある樹脂被膜
１９が表面に露出しているのが望ましい。樹脂被膜１
８、１９の材質はポリイミドに限定されるものではな
い。
【００６１】なお、銅から成る導電性バンプ１６表面は
メッキ等により、金の被膜(膜厚１μ〜２μｍ程度)を形
成しておくことが望ましい。
【００６２】原反８０に形成した金属バンプ１６は、銅
メッキによって成長させた、開口部１５の底面に露出す
る金属配線に半田ボール等の金属粒子を接続し、金属バ
ンプとしてもよい。大径の金属粒子を設ければ、プリン
ト基板７０との接続に用いることもできる。この場合、
予め原反８０に金属粒子を接続させておいてもよいし、
基板素片に裁断した後、又は基板素片をフレキシブル基
板に組み立てた後で金属ボールを接続することもでき
る。
【００６３】上記実施例では、フレキシブル基板の片面
は、金属バンプ又は接続口のいずれか一方が設けられて
いたが、両面に金属バンプが設けられた基板素片を用い
れば、両面の全部に金属バンプを有するフレキシブル基
板や、両面の一部に金属バンプを有するフレキシブル基
板を製造することもできる。
【００６４】逆に、両面の全部又は両面の一部に開口部
が設けられたフレキシブル基板を得ることができる。
【００６５】また、上記実施例では、パターニングされ
たポリイミド前駆体フィルムを硬化させ、形成された支
持フィルム２４をそのまま樹脂被膜１９と接着させてい
たが本発明はこれに限定されるものでは無い。
【００６６】図９（ａ）を参照し、同図符号９１は上記
基板素片８１と同様の構造の基板素片を示している。こ
の基板素片９１の支持フィルム２４表面にはシリカゲル
やアルミナなどの無機質の粉体が高速で噴射され（サン
ドブラスト法）、形成された粗面化層２８が形成されて
いる。この粗面化層２８は粗面化されていない支持フィ
ルム２４表面に比べ、接着材との高い親和性を有してい
る。
【００６７】同図符号９１ａ、９１ｂ、９１ｃで示され
た、粗面化層を有する複数の基板素片を貼り合わせ（同
図（ｂ））、図５（ｒ）で示されたフレキシブル基板８
３と同様の工程でフレキシブル基板９３を作成すると、
基板素片９１ａ、９１ｂ、９１ｃ間に配置された粗面化
層２８ａ、２８ｂは、熱圧着の際、接着性を発現した熱
可塑性の樹脂被膜１９ｂ、１９ｃに密着し、強固に接着
される。
【００６８】このフレキシブル基板９３は、粗面化層を
介して基板素片９１ａ、９１ｂ、９１ｃ間が強固に接続
されているので、粗面化層を有しないフレキシブル基板
８３に比べ、より高い信頼性を有している。
【００６９】次に、上記実施例で説明したフレキシブル
基板８３、９３と同じ構造のフレキシブル基板を作成
し、高温保存試験（２６０℃、１時間）を行い、試験前
と後の接着強度を測定した。その測定結果を下記表に示
す。
【００７０】
【表１】
【００７１】実施例１〜４は支持フィルム表面に粗面化
層を有する基板素片同士を貼り合わせて形成したフレキ
シブル基板の場合を示している。それらのうち、実施例
１〜３では熱可塑性の樹脂被膜の材料に熱可塑性ポリイ
ミドを用いており、実施例４ではエポキシ系接着剤を用
いている。実施例１〜３および実施例４では粗面化度は
異なっており、表中にそれぞれの値を示している。
【００７２】他方、実施例５、６は、粗面化層を有しな
い基板素片同士を貼り合わせて形成したフレキシブル基
板の場合である。実施例５では熱可塑性の樹脂被膜の材
料として熱可塑性ポリイミドを用い、実施例６ではエポ
キシ系接着剤を用いている。
【００７３】実施例１〜４と実施例５、６とを比較する
と、粗面化層によって接着強度が強くなることがわか
る。実施例１〜３では高温保存試験後の接着強度が高
く、粗面化層の形成は、熱可塑性の樹脂被膜が熱可塑性
ポリイミドで構成されている場合に特に有効であること
がわかる。
【００７４】それに対し、実施例４の場合は、高温試験
後の接着強度が、粗面化層を有していない実施例５の場
合と同程度の大きさになっている。
【００７５】この実施例４は粗面化層を有しているが、
熱可塑性の樹脂被膜はエポキシ系接着剤で構成されてい
る。高温保存試験の温度はエポキシ系接着剤のガラス転
移温度を超えており、その結果、粗面化処理の効果が消
失したと考えられる。
【００７６】なお、上記実施例では粗面化方法としてサ
ンドブラスト法を用いたがそれに限定されるものではな
い。例えば、他の粗面化方法としてレーザーやアルカリ
溶液を用いて支持フィルム表面をエッチングする方法、
粗面の雛型を支持フィルム表面にプレスする方法、表面
の粗い電解銅箔上に支持フィルムを形成する方法等、要
するに、熱可塑性の皮膜に接着される支持フィルム表面
に粗面化層が形成されていればよい。
【００７７】
【発明の効果】簡単な形状の基板素片から複雑な形状の
フレキシブル基板を製造できるので、原反に無駄が生じ
ない。基板素片の支持フィルム表面を粗面化しておく
と、フレキシブル基板の基板素片間をより強固に接続す
ることができる。同じ工程で作製した原反を用い、所望
形状のフレキシブル基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】(ａ)〜(ｅ)：本発明の基板素片の一例を製造す
るための工程図の前半
【図２】(ｆ)〜(ｊ)：その工程図の続き
【図３】(ｋ)〜(ｎ)：更にその工程図の続き
【図４】(ｏ)、(ｐ)：基板素片の貼付方法を説明するた
めの工程図
【図５】(ｑ)、(ｒ)：更に基板素片を貼付する場合の工
程図
【図６】本発明のフレキシブル基板に半導体素子を搭載
する方法を説明するための図
【図７】本発明の電気装置を示す図
【図８】基板素片上の金属配線と導電性バンプを示す図
【図９】（ａ）：本発明の他の例の基板素片を説明する
ための図 （ｂ）：本発明の他の例の基板素片を貼り合わせて形成
したフレキシブル基板を説明するための図
【図１０】(ａ)〜(ｅ)：従来技術のフレキシブル基板の
製造工程を説明するための図
【図１１】(ａ)〜(ｃ)：異形のフレキシブル基板の製造
方法を説明するための図
【符号の説明】
１１……金属箔 １４……金属配線 １６……導電性バンプ １８……熱可塑性を有さない樹脂被膜 １９……熱可塑性の樹脂被膜 ２４……支持フィルム ２６……接続口 ２８……粗面化層 ５０……半導体素子 ５６……半導体素子の導電性バンプ ６０……異方導電性フィルム ８０……原反 ８１(８１ａ、８１ｂ)……基板素片 ８３……フレキシブル基板 ８４……電気装置
フロントページの続き (72)発明者 菱沼 啓之 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケ ミカル株式会社 第２工場内 (72)発明者 波木 秀次 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケ ミカル株式会社 第２工場内 (56)参考文献 特開 平10−256688（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−80436（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H05K 1/03 H05K 1/14

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】所定形状にパターニングされた金属配線
    と、 前記金属配線の一方の面側に配置された支持フィルム
    と、 前記金属配線の他方の面側に配置され、熱圧着の際に表
    面が接着性を発現する樹脂被膜とを有し、 前記支持フィルムには、前記金属配線表面が露出する接
    続口が設けられ、 前記樹脂被膜上には、前記金属配線に接続された導電性
    バンプが突き出されていることを特徴とする基板素片。
  2. 【請求項２】前記支持フィルムは、ポリイミドから成る
    ことを特徴とする請求項１記載の基板素片。
  3. 【請求項３】前記支持フィルム表面には、粗面化層が形
    成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２の
    いずれか１項記載の基板素片。
  4. 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載
    の基板素片を少なくとも二枚有し、 一方の基板素片の前記導電性バンプ先端が他方の基板素
    片の前記接続口内に露出する金属配線表面に当接され、 前記一方の基板素片の前記被膜の接着力により、前記基
    板素片同士が貼付されたことを特徴とするフレキシブル
    基板。
  5. 【請求項５】所定形状にパターニングされた金属配線
    と、 前記金属配線の一方の面側に配置された支持フィルム
    と、 前記金属配線の他方の面側に配置された樹脂被膜とを有
    し、 前記支持フィルムには、前記金属配線表面が露出する接
    続口が設けられ、 前記樹脂被膜上には、前記金属配線に接続された導電性
    バンプが突き出された基板素片の少なくとも二枚が、樹
    脂フィルムを間に挟み、一方の基板素片の前記導電性バ
    ンプが、他の基板素片の前記接続口内に露出する金属配
    線表面に当接され、 互いに貼付されたことを特徴とするフレキシブル基板。
  6. 【請求項６】前記一方の基板素片と前記他方の基板素片
    とは、加熱されながら互いに押圧されて接着された請求
    項４又は請求項５のいずれか１項記載のフレキシブル基
    板。
  7. 【請求項７】請求項４乃至請求項６のいずれか１項記載
    のフレキシブル基板と、 内部回路に接続された導電性バンプが設けられた半導体
    素子とを有する電気装置であって、 該フレキシブル基板表面に位置する前記接続口の底面
    の、前記金属配線表面に、異方導電性フィルムを介し
    て、前記半導体素子の導電性バンプが接続されたことを
    特徴とする電気装置。
JP28708999A 1999-02-05 1999-10-07 基板素片、及びフレキシブル基板 Expired - Fee Related JP3197540B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28708999A JP3197540B2 (ja) 1999-02-05 1999-10-07 基板素片、及びフレキシブル基板
US09/494,040 US6717064B1 (en) 1999-02-05 2000-01-31 Substrate piece and flexible substrate
CNB2004100040575A CN1299325C (zh) 1999-02-05 2000-02-03 衬底元片及软衬底
KR10-2000-0005356A KR100517033B1 (ko) 1999-02-05 2000-02-03 기판 소편 및 플렉서블 기판
CNB001046969A CN1192421C (zh) 1999-02-05 2000-02-03 衬底元片及软衬底
EP00102407A EP1026929A3 (en) 1999-02-05 2000-02-03 Elemental piece of flexible printed wiring board and flexible printed wiring board

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-28035 1999-02-05
JP2803599 1999-02-05
JP28708999A JP3197540B2 (ja) 1999-02-05 1999-10-07 基板素片、及びフレキシブル基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000294685A JP2000294685A (ja) 2000-10-20
JP3197540B2 true JP3197540B2 (ja) 2001-08-13

Family

ID=26366059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28708999A Expired - Fee Related JP3197540B2 (ja) 1999-02-05 1999-10-07 基板素片、及びフレキシブル基板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6717064B1 (ja)
EP (1) EP1026929A3 (ja)
JP (1) JP3197540B2 (ja)
KR (1) KR100517033B1 (ja)
CN (2) CN1299325C (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020092163A1 (en) * 1999-01-05 2002-07-18 James Fraivillig Mounting a flexible printed circuit to a heat sink
JP4590088B2 (ja) * 2000-11-22 2010-12-01 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 フレキシブル基板素片、及び、多層フレキシブル配線板
JP3910493B2 (ja) * 2002-06-14 2007-04-25 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4738895B2 (ja) * 2005-05-31 2011-08-03 日本メクトロン株式会社 ビルドアップ型多層フレキシブル回路基板の製造方法
KR100747336B1 (ko) * 2006-01-20 2007-08-07 엘에스전선 주식회사 이방성 도전 필름을 이용한 회로기판의 접속 구조체, 이를위한 제조 방법 및 이를 이용한 접속 상태 평가방법
DE102006015198A1 (de) 2006-04-01 2007-10-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verbindungseinrichtung für elektronische Bauelemente
JP5188256B2 (ja) * 2008-04-30 2013-04-24 新光電気工業株式会社 キャパシタ部品の製造方法
JP6087810B2 (ja) * 2010-05-20 2017-03-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フレキシブル回路カバーフィルム接着強化
JP5512578B2 (ja) * 2011-03-14 2014-06-04 日本メクトロン株式会社 ビルドアップ型多層フレキシブル回路基板の製造方法
CN103517558B (zh) * 2012-06-20 2017-03-22 碁鼎科技秦皇岛有限公司 封装基板制作方法
ES2654803T3 (es) * 2015-08-03 2018-02-15 Pari Pharma Gmbh Método de fabricación de un cabezal vibratorio para un generador de aerosol y cabezal vibratorio para un generador de aerosol
US9786790B2 (en) 2015-12-10 2017-10-10 Industrial Technology Research Institute Flexible device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1126370A (en) 1965-12-29 1968-09-05 British Aircraft Corp Ltd Improvements relating to printed circuits
FR2204940B1 (ja) 1972-10-27 1976-01-30 Thomson Csf Fr
US4528485A (en) 1982-04-13 1985-07-09 General Electric Company Electronically commutated motor, method of operating such, control circuit, laundry machine and drive therefor
US5374469A (en) 1991-09-19 1994-12-20 Nitto Denko Corporation Flexible printed substrate
JP3088877B2 (ja) 1992-06-25 2000-09-18 日東電工株式会社 フィルムキャリアの製造方法および半導体装置
US5306546A (en) 1992-12-22 1994-04-26 Hughes Aircraft Company Multi chip module substrate
CA2109687A1 (en) 1993-01-26 1995-05-23 Walter Schmidt Method for the through plating of conductor foils
US5719354A (en) * 1994-09-16 1998-02-17 Hoechst Celanese Corp. Monolithic LCP polymer microelectronic wiring modules
JP2855414B2 (ja) * 1995-04-13 1999-02-10 日本メクトロン株式会社 磁気ヘッド用中継基板及びその製造法
JPH08316271A (ja) 1995-05-12 1996-11-29 Nitto Denko Corp フィルムキャリアおよびこれを用いた半導体装置
WO1997001437A1 (en) * 1995-06-28 1997-01-16 Fraivillig Materials Company Circuit board laminates and method of making
JP3176542B2 (ja) * 1995-10-25 2001-06-18 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH10178145A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置用絶縁基板
JP3559418B2 (ja) 1997-03-17 2004-09-02 株式会社東芝 プリント回路基板を備えた磁気ヘッド組立体、およびこれを備えた磁気ディスク装置
JPH1117315A (ja) * 1997-06-26 1999-01-22 Nippon Mektron Ltd 可撓性回路基板の製造法
JP3063839B2 (ja) * 1997-11-18 2000-07-12 日本電気株式会社 実装部品の実装構造および実装方法
US6163957A (en) * 1998-11-13 2000-12-26 Fujitsu Limited Multilayer laminated substrates with high density interconnects and methods of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP1026929A2 (en) 2000-08-09
CN1299325C (zh) 2007-02-07
KR100517033B1 (ko) 2005-09-26
CN1192421C (zh) 2005-03-09
EP1026929A3 (en) 2002-06-12
CN1536613A (zh) 2004-10-13
JP2000294685A (ja) 2000-10-20
CN1268769A (zh) 2000-10-04
US6717064B1 (en) 2004-04-06
KR20000057906A (ko) 2000-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5744758A (en) Multilayer circuit board and process of production thereof
JP3670917B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US6063647A (en) Method for making circuit elements for a z-axis interconnect
JP2000106482A (ja) フレキシブル基板製造方法
JP2000165050A (ja) 高密度相互接続を有する多層ラミネ―ト基板とその製造方法
JPH03148846A (ja) Ｉｃ搭載用可撓性回路基板及びその製造法
JP2001024333A (ja) 多層基板、及びモジュール
JP3197540B2 (ja) 基板素片、及びフレキシブル基板
JP2002290022A (ja) 配線基板およびその製造方法ならびに電子装置
JP2004247668A (ja) 積層用中間配線部材、配線板及びそれらの製造方法
JP3299679B2 (ja) 多層配線基板及びその製造方法
KR100393271B1 (ko) 다층 전자부품탑재용 기판의 제조 방법
JP3587748B2 (ja) 多層フレキシブル配線板及び多層フレキシブル配線板製造方法
WO1998043295A1 (fr) Plaquette de circuit et son procede de production
JP3925752B2 (ja) バンプ付き配線基板及び半導体パッケ−ジの製造法
JP4097310B2 (ja) 多層回路基板の製造方法
JP2006303338A (ja) 多層回路基板とその製造方法
JP4590088B2 (ja) フレキシブル基板素片、及び、多層フレキシブル配線板
JP4712940B2 (ja) 電子部材の製造方法
JP2001144211A (ja) 半導体チップ及びその製造方法
JP2002094241A (ja) ビルドアッププリント配線板
JPH1070365A (ja) 多層回路基板の製造方法
JP2918994B2 (ja) 回路基板及び多層回路基板の製造方法
JP2003243816A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP3429743B2 (ja) 配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090608

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608

Year of fee payment: 12

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees