JP3193995U - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】導通抵抗を低減し、漏れ電流を減少させ、容量値を高めて画素保持容量を大きくすることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１基板１１と、第１基板上に設置される第１絶縁層１１４と、第１絶縁層上に設置される第２絶縁層１１５と、第２絶縁層上に設置され、複数の線路を含む金属パターン層１１６とを含む。隣り合う２つの線路の間には、第２絶縁層を露出させる開口領域１１６ａが設けられる。線路の下方における第２絶縁層の厚さは、開口領域によって露出される第２絶縁層の厚さよりも厚い。【選択図】図６

Description

本考案は、表示装置に関し、特に、導通抵抗を低減し、漏れ電流を減少させ、容量値を高め、画素保持容量を大きくすることが可能な表示装置に関する。
表示装置技術の進歩に伴い、全ての表示装置は、小型化、薄型化、軽量化などの傾向にある。そのため、従来の陰極線管の代わりに、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置などのフラットパネルディスプレイを使用することが市販の表示装置の主流となっている。液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置は、適用可能な分野が多くて、例えば、日常生活中に使用される携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレイヤー、モバイルナビゲーション、テレビなどの表示装置の多くに適用されている。
液晶表示装置または有機発光ダイオード表示装置（有機ＥＬ表示装置）は現在市場で多くみられており、特に、液晶表示装置技術が成熟してきた。しかしながら、表示装置の発展に伴い、表示装置に対して消費者の要求する表示品質が日々向上しており、各メーカーは、より高品質の表示が必要な表示装置の開発を盛んに行っている。特に、有機ＥＬ表示装置技術は、各メーカーが開発する重要な課題の１つである。
上述した課題を鑑み、消費者の要求を満足するために、従来の液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置を基に、より優れた表示品質を有する表示装置を開発する必要がある。
本考案の主な目的は、導通抵抗を低減し、漏れ電流を減少させ、容量値を高めて画素保持容量を大きくすることが可能な表示装置を提供することである。
上記目的を達成するために、本考案に係る表示装置は、第１基板と、第１基板上に設置される第１絶縁層と、第１絶縁層上に設置される第２絶縁層と、第２絶縁層上に設置され、複数の線路を含む金属層とを含む。隣り合う２つの線路の間には、前記第２絶縁層を露出させる開口領域が設けられる。金属層の下方における第２絶縁層の厚さは、開口領域によって露出される第２絶縁層の厚さよりも厚い。より具体的に、本考案の金属層は金属パターン層である。金属層（特に、金属層の線路）の下方における第２絶縁層の厚さは、開口領域によって露出される第２絶縁層の厚さよりも厚い。
また、本考案に係る表示装置は、第１基板と、第１基板上に設置される第１絶縁層と、第１絶縁層上に設置される第２絶縁層と、第２絶縁層を部分的に被覆する金属層とを含む。金属層の下方（即ち、金属層で被覆される部分）における第２絶縁層の厚さは、金属層の下方以外（即ち、金属層で被覆されない部分）における第２絶縁層の厚さよりも厚い。
なお、本考案に係る表示装置では、金属層で被覆される第２絶縁層の厚さを厚くすることにより、導通抵抗を低減して漏れ電流を減少させることができる。さらに、開口領域によって露出され、金属層で被覆されていない第２絶縁層の厚さを薄くすることにより、容量値を高めて画素保持容量を大きくすることができる。
本考案に係る表示装置では、開口領域によって露出される第２絶縁層（即ち、非金属層の下方以外部分の第２絶縁層）の厚さが、金属層（特に、金属層の線路）の下方における第２絶縁層の厚さよりも薄い。好ましくは、開口領域によって露出される第２絶縁層の厚さが金属層の下方における第２絶縁層の厚さより約１０〜９５％薄く、より好ましくは、約２０〜８０％薄く、より一層好ましくは、約６５〜７５％薄い。
また、本考案に係る表示装置では、第１絶縁層及び第２絶縁層が本技術分野でよく使われる誘電体層材料、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等であってもよい。好ましくは、第１絶縁層が酸化シリコン層で、及び/または、第２絶縁層が窒化シリコン層である。
なお、本考案に係る表示装置では、第２絶縁層の下方に積層される第１絶縁層がサイドエッチングされる。より具体的に、第１絶縁層が第１側壁を有し、第２絶縁層が第２側壁を有すると、第１側壁が第２側壁に突出される。
本考案に係る表示装置では、第１基板上には封止材がさらに設けられてもよい。金属パターン層の下方における第２絶縁層の厚さは、封止材の下方における第２絶縁層の厚さよりも厚い。ここで、封止材の材料は、表示装置の種類に応じて決められてもよい。本考案に係る表示装置が液晶表示装置の場合、封止材は本技術分野でよく使われるシール材であってもよい。本考案に係る表示装置が有機ＥＬ表示装置の場合、封止材は、本技術分野でよく使われ、優れた水分遮断性及び気密性を有するガラスペーストであってもよい。
本考案に係る表示装置は、有機ＥＬ表示装置または液晶表示装置に適用することができる。本考案に係る表示装置は有機ＥＬ表示装置の場合、金属層（特に、金属パターン層の線路）上、且つ金属層で被覆されていない開口領域内に設けられる平坦層をさらに含んでもよい。また、この場合、本考案に係る表示装置は、有機ＥＬユニットをさらに含んでもよい。有機ＥＬユニットは、金属層（即ち、金属パターン層の線路）に電気的に接続される第１電極、第２電極、及び、第１電極と第２電極との間に挟設される有機発光層を含む。
一方、本考案に係る表示装置は液晶表示装置の場合、液晶表示ユニットをさらに含んでもよい。液晶表示ユニットは、金属層（即ち、金属パターン層の線路）に電気的に接続される第１電極、第２電極、及び、第１電極と第２電極との間に挟設される液晶層を含む。
本考案の表示装置によれば、導通抵抗を低減して漏れ電流を減少させるとともに、容量値を高めて画素保持容量を大きくすることができる。
本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の配線回路を示す模式図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部を示す断面模式図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部を示す断面模式図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部を示す断面模式図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の非表示領域の一部を示す模式図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の、図５のＰ−Ｐ’断面線における断面構造を示す模式図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の、図３に示す領域Ｅの拡大図である。 本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の、図１に示す封止材領域の断面構造を示す模式図である。 本考案の第２実施形態に係る液晶表示装置を示す断面模式図である。 本考案の第２実施形態に係る液晶表示装置の表示領域の一部を示す断面模式図である。
以下、本発明の利点及び特徴をより明確にするために、特定の実施形態を挙げて本発明を詳細に説明する。しかし、当然ながら本発明はこれらの実施形態に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。
＜第１実施形態＞
図１は、本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。有機ＥＬ表示装置の製造過程においては、まず、第１基板１１及び第２基板１２を準備する。第１基板１１上には、有機ＥＬユニット１５及び画素規定層１６が設置される。各画素規定層１６は、隣り合う２つの有機ＥＬユニット１５の間に設けられる。さらに、第２基板１２上には、複数の支持部材１４が設置される。まず、第２基板１２の縁部には、封止材１３（本実施形態の場合、ガラスペーストである）が、ディスペンス及び加熱焼成の工程により第２基板１２上に接合されて形成される。次に、第１基板１１及び第２基板１２を位置合わせする。第２基板１２に設置される支持部材１４は、画素開口１６１が形成されていない画素規定層１６の領域に対応する。その後、レーザ加熱により封止材１３を第１基板１１に接合させて、本実施形態の有機ＥＬ表示装置が得られる。
本実施形態において、第１基板１１及び第２基板１２は、いずれもガラス基板である。また、本実施形態の有機ＥＬ表示パネルは、表示領域Ａ及び非表示領域Ｂを含む。非表示領域Ｂとは、電線が分布する領域である。
なお、本実施形態において、各有機ＥＬユニット１５は、赤色光、緑色光及び青色光を発光することができるが、これに限定されない。例えば、有機ＥＬユニット１５は、白色光を生成する有機ＥＬユニットであってもよい。その場合、第２基板１２には、カラーフィルタ素子（図示せず）がさらに配置される必要がある。
図２は、本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素ユニットの配線回路を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、各画素ユニットは、走査線、データ線、容量線、電源供給線、スイッチング薄膜トランジスタ素子（例えば、図２に示すスイッチングＴＦＴ）、駆動薄膜トランジスタ素子（例えば、図２に示す駆動ＴＦＴ）、蓄積容量、及び、第１電極と第２電極とにそれぞれ接続される有機ＥＬ素子（例えば、図２に示すＯＬＥＤ）を含む。
図３は、本考案の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部を示す断面模式図である。図１及び図３に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、第１基板１１と、第１基板１１に対向して設置される第２基板１２とを含む。本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の薄膜トランジスタ素子として低温ポリシリコン薄膜トランジスタを採用する。図３に示すように、まず、表示領域Ａにおいて、第１基板１１を準備し、その上方には、窒化シリコン緩衝層１０１及び酸化シリコン緩衝層１０２を順次に設置する。さらに、薄膜トランジスタ素子領域Ｔにおいて、酸化シリコン緩衝層１０２上には、アモルファスシリコンにレーザを照射してアニールすることにより形成したポリシリコン層１０３をさらに配置する。次に、第１基板１１上には、酸化シリコン絶縁層１０４、第１金属層１１１、ゲート絶縁層１１２、及びモリブデン金属層１１１’を順次に形成する。薄膜トランジスタ素子領域Ｔ内に位置する第１金属層１１１はゲートとして機能する。ゲート絶縁層１１２の材料は、本技術分野でよく用いる絶縁層材料、例えば、酸化シリコンである。次に、ゲート絶縁層１１２及びモリブデン金属層１１１’上には、第１絶縁層１１４、第２絶縁層１１５及び第２金属層１１６を順次に積層する。薄膜トランジスタ素子領域Ｔ内に位置する第２金属層１１６は、ゲート絶縁層１１２、第１絶縁層１１４、及び第２絶縁層１１５を貫通してポリシリコン層１０３に接続される。最後、平坦層１１７、第１電極１５１及び画素規定層１６を順次に形成する。第１電極１５１は、平坦層１１７且つ平坦層１１７の平坦層開口１１７ａ内に設置されて第２金属層１１６に電気的に接続される。画素規定層１６には、画素開口１６１がさらに設けられる。
ここで、第１金属層１１１及び第２金属層１１６は線路として用いられる。例えば、図３に示すように、第１金属層１１１をスイッチング薄膜トランジスタ素子のゲートとし、第２金属層１１６をスイッチング薄膜トランジスタ素子のソース及びドレインとして機能する。第２金属層１１６は、金属パターン層であって、その下方の第２絶縁層１１５を露出させるための開口領域１１６ａを含む。第１金属層１１１により形成されたゲート及び走査線は互いに電気的に接続される。第２金属層１１６により形成されたソース／ドレイン及びデータ線は互いに電気的に接続される。
また、本実施形態において、第１金属層１１１及び第２金属層１１６の材料は、本技術分野でよく用いる導電性材料、例えば、金属、合金、金属酸化物、金属酸窒化物、または本技術分野でよく用いる他の電極材料であってもよいが、金属材料であることが好ましい。本実施形態において、第１金属層１１１がモリブデンで、第２金属層１１６が、第１基板１１上から順次に積層されるＴｉ層、Ａｌ層及びＴｉ層の複合金属層である。
図３に示す低温ポリシリコン薄膜トランジスタ以外、ＩＧＺＯ薄膜トランジスタは、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に用いられてもよい。図４Ａ及び図４Ｂのそれぞれは、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の一部を示す断面模式図である。図４Ａに示すように、第１基板１１の上方には、第１金属層１１１、ゲート絶縁層１１２、半導体層１１３、第１絶縁層１１４、第２絶縁層１１５及び第２金属層１１６が順次に積層された薄膜トランジスタ素子が設置される。第２金属層１１６は、半導体層１１３に接続される。また、半導体層１１３の材料はＩＧＺＯである。第１金属層１１１及び第２金属層１１６は上記のとおりである。それから、第２金属層１１６及びそれの開口領域１１６ａには、保護層開口１１８ａを有する保護層１１８がさらに積層される。保護層１１８には、平坦層開口１１７ａを有する平坦層１１７が積層される。保護層開口１１８ａ及び平坦層開口１１７ａによって第２金属層１１６が露出される。
また、図４Ａに示すように、平坦層１１７及び平坦層開口１１７ａには、第１電極１５１が形成されて、画素開口１６１を有する画素規定層１６がさらに形成される。その後、図４Ｂに示すように、画素規定層１６の上方及び第１電極１５１の上方かつ画素開口１６１中には、有機発光層１５２及び第２電極１５３が順次に積層されると、本実施形態に係る有機ＥＬユニット１５が完成される。このように、図４Ｂに示すように、本実施形態の有機ＥＬユニット１５は、順次に積層される第１電極１５１、有機発光層１５２及び第２電極１５３を含む。さらに、第１電極１５１は、第２金属層１１６に電気的に接続される。また、画素規定層１６は、第１電極１５１と有機発光層１５２との間に設けられ、画素規定層１６の画素開口１６１によって発光領域を規定する。
図３に示す低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、または、図４Ａ及び図４Ｂに示すＩＧＺＯ薄膜トランジスタを問わず、本実施形態において、第１絶縁層１１４及び第２絶縁層１１５としては、本技術分野でよく用いる誘電体層材料、例えば、酸化シリコン及び窒化シリコン等を用いてもよい。本実施形態では、第１絶縁層１１４が酸化シリコン層で、第２絶縁層１１５が窒化シリコン層である。
図３に示す低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、または、図４Ａ及び図４Ｂに示すＩＧＺＯ薄膜トランジスタを問わず、本実施形態において、第１電極１５１及び第２電極１５３としては、本技術分野でよく用いる透明電極または半透明電極を用いてもよい。ここで、透明電極は、透明酸化物電極（ＴＣＯ電極）、例えば、ＩＴＯ電極またはＩＺＯ電極であってもよい。半透明電極は、金属薄膜電極、例えば、マグネシウム銀合金膜電極、金薄膜電極、白金薄膜電極、アルミ薄膜電極等であってもよい。さらに、必要に応じて、本考案の第１電極１５１及び第２電極１５３の少なくとも一方は、透明電極と半透明電極の複合電極、例えば、ＴＣＯ電極と白金薄膜電極の複合電極であってもよい。ここでは、第１電極１５１、有機発光層１５２及び第２電極１５３を含む有機ＥＬ素子のみを例として挙げられるが、これに限定されない。本技術分野でよく用いる他の有機ＥＬ素子は、いずれも本考案の有機ＥＬ表示パネルに適用されることができる。例えば、電子輸送層、電子注入層、正孔輸送層、正孔注入層、及び電子と正孔の輸送や結合を容易にする他の層を含む有機ＥＬ素子は、いずれも本考案に適用されることができる。
図５は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の非表示領域の一部を示す模式図である。図１及び図５に示すように、非表示領域Ｂにおいて、第１基板１１の上方には、第１金属層１１１、第１絶縁層（図示せず）、第２絶縁層（図示せず）、及び第２金属層１１６が順次に積層される。ここで、第１金属層１１１及び第２金属層１１６は、電線として機能するとともに、接続領域Ｒ１において互いに電気的に接続される。
図６は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の、図５のＰ−Ｐ’断面線における断面構造を示す模式図である。図６に示すように、第１金属層１１１は第１基板１１上に設置され、第１絶縁層１１４は第１金属層１１１上に設置され、第２絶縁層１１５は第１絶縁層１１４上に設置され、第２金属層１１６は第２絶縁層１１５上に設置される。第２金属層１１６は、パターン化された金属層であって線路を含む。図５及び図６に示すように、隣り合う２つの線路の間には、第２絶縁層１１５を露出させる開口領域１１６ａが設けられる。
また、図７は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の、図３に示す領域Ｅの拡大図である。図７に示すように、第２金属層１１６で被覆される第２絶縁層１１５（即ち、第２金属層１１６の線路の下方にある第２絶縁層１１５）の厚さＴ１は、開口領域１１６ａによって露出される第２絶縁層１１５（即ち、第２金属層１１６で被覆されず、第２金属層１１６の下方に位置していない第２絶縁層１１５）の厚さＴ２よりも厚い。好ましくは、開口領域１１６ａによって露出される第２絶縁層１１５の厚さＴ２が、第２金属層１１６で被覆される第２絶縁層１１５の厚さＴ１より約１０〜９５％薄い。より好ましくは、厚さＴ２が厚さＴ１より約２０〜８０％薄い。より一層好ましくは、厚さＴ２が厚さＴ１より約６５〜７５％薄い。本実施形態では、厚さＴ２が厚さＴ１より約７０％薄く、即ち、厚さＴ２が厚さＴ１の３０％のみである。
本考案では、有機ＥＬ表示装置の一部の領域における第２絶縁層の厚さについて説明するが、有機ＥＬ表示装置の他の領域（説明されていない領域）でも、第２絶縁層の厚さが同じく設計されることは、当業者に理解されたい。
さらに、図６に示すように、第２絶縁層１１５の下方に積層される第１絶縁層１１４はサイドエッチングされる。具体的に、第１絶縁層１１４が第１側壁１１４ａを有し、第２絶縁層１１５が第２側壁１１５ａを有すると、第１側壁１１４ａが第２側壁１１５ａに突出される。
図８は、図１の封止材１３領域の断面構造を示す模式図である。図１及び図８に示すように、第１基板１１上には、封止材１３がさらに設けられる。図３、図４Ａ〜４Ｂ及び図８に示すように、第２金属層１１６で被覆される第２絶縁層１１５の厚さは、封止材１３の下方における第２絶縁層の厚さよりも厚い。
＜第２実施形態＞
図９は、本考案の第２実施形態に係る液晶表示装置を示す断面模式図である。図９に示すように、液晶表示装置の製造過程においては、まず、それぞれの上方に異なる素子（図示せず）が設けられる第１基板１１及び第２基板１２を準備する。例えば、一部の実施形態において、第１基板１１の上方には薄膜トランジスタユニット（図１０に示す）が設けられ、一方、第２基板１２の上方にはカラーフィルタ素子（図示せず）が設けられる。また、他の一部の実施形態において、カラーフィルタ素子及び薄膜トランジスタユニットは同時に第１基板１１に設けられる。さらに、第１基板１１及び第２基板１２のいずれか一方には複数のスペーサ１７が設けられ、且つ第２基板１２の縁部に先に封止材１３（本実施形態では、封止材１３がシール材である）が形成される。第１基板１１及び第２基板１２を位置合わせた後、滴下方式の液晶注入工程、液晶吸込み工程、または本技術分野でよく知られる他の液晶注入工程により、第１基板１１及び第２基板１２からなる空間に液晶分子を注入して液晶表示ユニット１８を形成する。このように、本実施形態の液晶表示装置が得られる。
図１０は、本考案の第２実施形態に係る液晶表示装置の表示領域の一部を示す断面模式図である。図１０に示すように、本実施形態において、第１基板１１の上方には、第１金属層１１１、ゲート絶縁層１１２、第１絶縁層１１４、第２絶縁層１１５、半導体層１１３及び第２金属層１１６が順次に積層された薄膜トランジスタ素子が設置される。また、第２金属層１１６上及びその開口領域１１６ａ中には、保護層１１８がさらに積層される。保護層１１８上には、第２金属層１１６に電気的に接続される第１電極１５１がさらに形成される。ここで、保護層１１８の材料は、本技術分野でよく用いる酸化シリコン等のパッシベーション層材料であってもよい。なお、本実施形態において、第２絶縁層１１５の厚さと第２金属層１１６の厚さとの関係は、第１実施形態と同様であるため、ここでその詳細を省略する。
また、図１０に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、液晶表示ユニット１８を含む。液晶表示ユニット１８は、第１電極１５１、第２電極１５３、及び第１電極１５１と第２電極１５３との間に挟設される液晶層１８１を含む。第２金属層１１６は、第１電極１５１に電気的に接続される。また、本実施形態に係る液晶表示装置では、第２電極１５３が第２基板１２上に設けられ、第２基板１２上には、カラーフィルタ素子（図示せず）がさらに設けられる。
なお、本実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板１１の下方に設けられ、且つ液晶層１８１に入射光を供給するためのバックライトモジュールをさらに含んでもよい。
以上により、本考案による表示装置では、金属層（即ち、上記の実施形態の第２金属層）で被覆される第２絶縁層の厚さを厚くすることで、導通抵抗を低減することができるほか、漏れ電流を減少させることもできる。さらに、開口領域（即ち、上記の実施形態の、第２金属層で被覆されていない開口領域）によって露出される第２絶縁層の厚さを薄くすることで、容量値を高めて画素保持容量を大きくすることができる。これにより、表示装置の表示品質を向上して、電子機器を求める消費者の要求を満たすことができる。
なお、本考案の上記の実施形態に係る表示装置は、本技術分野の、表示ディスプレイを必要とする電子装置、例えば、表示装置、携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレイヤー、モバイルナビゲーション機器、テレビなどに適用することができる。
本考案の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本考案を限定するものではない。本考案の明細書および図面による各種の変動および修正は、本考案の保護を求める範囲内に属するものである。
１０１ 窒化シリコン緩衝層
１０２ 酸化シリコン緩衝層
１０３ ポリシリコン層
１０４ 酸化シリコン絶縁層
１１ 第１基板
１１１ 第１金属層
１１１’ モリブデン金属層
１１２ ゲート絶縁層
１１３ 半導体層
１１４ 第１絶縁層
１１４ａ 第１側壁
１１５ 第２絶縁層
１１５ａ 第２側壁
１１６ 第２金属層
１１６ａ 開口領域
１１７ 平坦層
１１７ａ 平坦層開口
１１８ 保護層
１１８ａ 保護層開口
１２ 第２基板
１３ 封止材
１４ 支持部材
１５ 有機ＥＬユニット
１５１ 第１電極
１５２ 有機発光層
１５３ 第２電極
１６ 画素規定層
１６１ 画素開口
１７ スペーサ
１８ 液晶表示ユニット
１８１ 液晶層
２４ 薄膜トランジスタユニット
２５ 蓄積電極
Ａ 表示領域
Ｂ 非表示領域
Ｅ 領域
Ｒ１ 接続領域
Ｔ 薄膜トランジスタ素子領域
Ｔ１、Ｔ２ 厚さ
Ｐ−Ｐ’ 断面線

Claims (18)

  1. 表示装置であって、
    第１基板と、
    前記第１基板上に設置される第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層上に設置される第２絶縁層と、
    前記第２絶縁層上に設置され、複数の線路を含み、且つ隣り合う２つの線路の間に前記第２絶縁層を露出させる開口領域が形成される金属パターン層と、を含み、
    前記複数の線路の下方における前記第２絶縁層の厚さは、前記開口領域によって露出される前記第２絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする表示装置。
  2. 前記開口領域によって露出される前記第２絶縁層の厚さは、前記金属パターン層の下方における前記第２絶縁層の厚さより約１０〜９５％薄くなっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１絶縁層は、酸化シリコン層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第２絶縁層は、窒化シリコン層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記第１絶縁層は、第１側壁を有し、
    前記第２絶縁層は、第２側壁を有し、
    前記第１側壁は、前記第２側壁に突出されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記第１基板上には、封止材がさらに設けられ、
    前記金属パターン層の下方における前記第２絶縁層の厚さは、前記封止材の下方における前記第２絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記表示装置は、有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記金属パターン層及び前記開口領域内に設けられる平坦層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 有機ＥＬユニットをさらに含み、
    前記有機ＥＬユニットは、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に挟設される有機発光層を含み、
    前記金属パターン層は、前記第１電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  10. 前記表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  11. 液晶表示ユニットをさらに含み、
    前記液晶表示ユニットは、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に挟設される液晶層を含み、
    前記金属パターン層は、前記第１電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
  12. 表示装置であって、
    第１基板と、
    前記第１基板上に設置される第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層上に設置される第２絶縁層と、
    前記第２絶縁層を部分的に被覆する金属層と、を含み、
    前記金属層の下方における前記第２絶縁層の厚さは、前記金属層の下方以外における前記第２絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする表示装置。
  13. 前記金属層の下方以外における前記第２絶縁層の厚さは、前記金属層の下方における前記第２絶縁層の厚さより約１０〜９５％薄くなっていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  14. 前記第１絶縁層は、酸化シリコン層であることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  15. 前記第２絶縁層は、窒化シリコン層であることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  16. 前記第１絶縁層は、第１側壁を有し、
    前記第２絶縁層は、第２側壁を有し、
    前記第１側壁は、前記第２側壁に突出されることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  17. 前記第１基板上には、封止材がさらに設けられ、
    前記金属層の下方における前記第２絶縁層の厚さは、前記封止材の下方における前記第２絶縁層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  18. 前記表示装置は、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107437554A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 三星显示有限公司 显示装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI553836B (zh) 2014-05-07 2016-10-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置
US10528172B2 (en) * 2016-06-17 2020-01-07 Microsoft Technology Licensing, Llc Pressure sensor for display devices
CN106252357B (zh) * 2016-08-24 2019-05-21 武汉华星光电技术有限公司 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶面板
US11133580B2 (en) * 2017-06-22 2021-09-28 Innolux Corporation Antenna device
CN109326634B (zh) * 2018-09-30 2020-11-06 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109785760B (zh) * 2019-01-16 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Led显示屏模组及显示装置
CN109904208B (zh) * 2019-03-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器及其制备方法、显示装置
CN116830830A (zh) * 2022-01-25 2023-09-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244417A (ja) 1993-02-15 1994-09-02 Sharp Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US8101467B2 (en) * 2003-10-28 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same, and liquid crystal television receiver
KR20050070240A (ko) 2003-12-30 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2006245031A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
US8101990B2 (en) 2005-05-31 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20070113893A (ko) 2006-05-26 2007-11-29 삼성전자주식회사 유기 절연막 조성물 및 이를 이용하는 이중 두께를 갖는유기 절연막의 제조방법
KR20080055069A (ko) 2006-12-14 2008-06-19 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이를 구비하는 액정 표시 장치
KR20080076459A (ko) * 2007-02-16 2008-08-20 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
JP2009076879A (ja) 2007-08-24 2009-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR101525805B1 (ko) * 2008-06-11 2015-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101015851B1 (ko) * 2009-02-09 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101566428B1 (ko) * 2009-03-13 2015-11-06 삼성디스플레이 주식회사 배선의 접촉부 및 그 제조 방법
KR101056250B1 (ko) * 2009-10-21 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101182234B1 (ko) * 2010-05-28 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101776655B1 (ko) * 2010-07-01 2017-09-11 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 그 제조 방법, 및 상기 어레이 기판을 포함하는 표시 장치
KR20120009733A (ko) 2010-07-20 2012-02-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR101735587B1 (ko) * 2010-09-06 2017-05-25 삼성디스플레이 주식회사 포토 센서, 포토 센서 제조 방법 및 표시 장치
TW201338171A (zh) * 2012-03-15 2013-09-16 Wintek Corp 薄膜電晶體、其製作方法及應用其之主動矩陣顯示面板
KR102051465B1 (ko) * 2012-06-18 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP2014032983A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Sony Corp 半導体装置、表示装置および電子機器
TWI535003B (zh) * 2013-05-24 2016-05-21 群創光電股份有限公司 有機發光顯示裝置
TWI553836B (zh) 2014-05-07 2016-10-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107437554A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 三星显示有限公司 显示装置
CN107437554B (zh) * 2016-05-27 2023-08-15 三星显示有限公司 显示装置

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