JP3188157B2 - 半導体レーザ装置用受光素子およびこれを用いた半導体レーザ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置用
受光素子およびこれを用いた半導体レーザ装置に関し、
特に光ピックアップに使用するホログラムレーザ装置用
受光素子およびこれを用いたホログラムレーザ装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は、従来のホログラムレーザ装置を
示す斜視図である。なお、実際には図中の切欠はなく、
気密封止されてなるものである。

【０００３】図６の如く、従来のホログラムレーザ装置
１は、金属製ステム２上にレーザダイオードチップ等の
半導体レーザ素子３ｂを含むレーザ出力部３、前記半導
体レーザ素子３ｂの後方からのレーザ光を受光し該レー
ザ光の出力をモニターするモニター用フォトダイオード
チップ等からなる光出力検出素子４、及び信号処理用分
割フォトダイオードチップ等からなる信号検出素子５が
搭載され、これらレーザ出力部３、光出力検出素子４及
び信号検出素子５は、外環境から保護のために、金属製
の保護キャップ６によって気密封止されてなる。

【０００４】前記レーザ出力部３は、金属製の台座部３
ａ上に半導体レーザ素子３ｂをマウントしたものであ
る。なお、本従来例では信号検出素子５についても前記
台座部３ａ上に配置されている。

【０００５】前記保護キャップ６は、金属製ステム２側
の面が開口した箱型からなり、開口面の周囲には鍔部６
ａが設けられており、該鍔部６ａと金属ステム２とを例
えば窒素雰囲気中にて溶着することで内部を気密封止す
るものである。また、該保護キャップ６は、ホログラム
素子７の固定台としても兼用されており、保護キャップ
６の上面には石英ガラス等からなるガラス窓６ｂが形成
され、該ガラス窓６ｂの上面にホログラム素子７が配置
されてなる。

【０００６】前記金属製ステム２には、リード端子８が
垂直方向に通され、このリード端子８とレーザ出力部
３、光出力検出素子４及び信号検出素子５とが金線９に
より接続される。ここで、前述したように保護キャップ
６内の気密性を保持するために、前記リード端子８と金
属製ステム２との間にはハーメチックシール１０が設け
られている。

【０００７】前記光出力検出素子４は、図７に示すよう
に、例えばＮ型シリコン基板１２の表面にＰ型拡散領域
１２ａが形成され、該表面上に酸化膜（ＳｉＯ2 ）１３
を備え、該酸化膜１３の上に電極部１４を備えるととも
に前記酸化膜１３の一部を除去して前記Ｐ型拡散領域１
２ａと電極部１４とを接続する配線部１５とを備えてな
り、前記電極部１４及び配線部１５がアルミニウムから
なるものである。図中、１６は裏面電極である。

【０００８】上記構成よりなるホログラムレーザ装置１
は、レーザ出力部３の半導体レーザ素子３ｂから出力さ
れたレーザ光がガラス窓６ｂ、ホログラム素子７を介し
て外部へ放射されて光ディスク（図示せず）に照射さ
れ、該光ディスクにて反射された反射光が前記ホログラ
ム素子７にて回折されて信号検出素子５にて受光される
ものである。これによって、前記光ディスクのトラッキ
ングを制御するものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のホログラムレーザ装置は、半導体レーザ素子３ｂ、信
号検出素子５、光出力検出素子４を個別にダイボンドを
していたが、近年、小型化が進み、前記半導体レーザ素
子３ｂを光出力検出素子４上に直接ダイボンドする方法
が提案されている。この場合、図８の如く、前記光出力
検出素子４上に半導体レーザ素子３ｂを直接ダイボンド
できる半導体レーザ素子搭載用パッド部（以下、単に
「パッド部」と称す。）１１を設ける必要があった。

【００１０】該パッド部１１に酸化膜１３との密着性が
高く加工性においても優れるアルミニウムを用いること
が考えられるが、アルミニウムで形成されたパッド部１
１は、半導体レーザ素子３ｂを直接ダイボンドができる
ろう材が無いため、直接ダイボンドすることが不可能で
あった。即ち、アルミニウムと密着性の良いろう材が無
いためである。

【００１１】前記パッド部１１に前記アルミニウムに代
わって金を用いれば、半導体レーザ素子３ｂをインジウ
ム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）等のろう材を用いて直接ダイ
ボンドすることが可能となるが、金は酸化膜１３との密
着性が悪くパッド部として用いるには種々問題があっ
た。

【００１２】また、近年、ホログラムレーザ装置は、小
型化が進み、従来の金属パッケージから樹脂パッケージ
に変わりつつあり、樹脂パッケージに対応できる電極構
造を有した半導体レーザ素子、信号検出素子、光出力検
出素子が必要となっている。即ち、樹脂パッケージのホ
ログラムレーザ装置は、従来例で示した金属パッケージ
のホログラムレーザ装置１に比べ、気密性が劣る（水分
等が侵入する）ため、これに対応できる電極構造を有し
たものが必要となっている。

【００１３】しかしながら、例えば、従来のホログラム
レーザ装置に用いられる光出力検出素子４は、図７に示
すように、電極部１４及び配線部１５がアルミニウムか
らなり、該アルミニウムは、抵抗率が低く、Ｐ型，Ｎ型
シリコンに対してオーミックコンタクト性に優れてお
り、酸化膜１３との密着性も高く加工性においても優れ
ているが、化学的に不安定な状態であり、例えば水分が
侵入した場合に該水分によってアルミニウムが変質し、
腐食、断線を起こすことがあった。

【００１４】また、信号検出素子５においても、電極部
及び配線部がアルミニウムからなり、上記同様の問題が
発生した。

【００１５】本発明は、上記課題に鑑み、半導体レーザ
素子が直接ダイボンドできるパッド部及び又は導電性が
良く極めて信頼性の高い電極部及び配線部を備えた半導
体レーザ装置用受光素子、およびこれを用いた半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体レーザ装置用受光素子は、第１導電型領域が表面
に形成された第２導電型基板と、該第２導電型基板の表
面に形成された第１酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形
成された電極部と、前記第１酸化膜の一部を除去して前
記第１導電型領域と電極部とを接続する配線部とを備え
てなり、半導体レーザ装置のパッケージ部に半導体レー
ザ素子とともに封止される半導体レーザ装置用受光素子
において、前記第１酸化膜の表面にアルミニウム層、バ
リアーメタル層、金層を順次積層してなる半導体レーザ
素子搭載用パッド部を設けてなることを特徴とするもの
である。

【００１７】また、本発明の請求項２記載の半導体レー
ザ装置用受光素子は、前記電極部及び配線部がアルミニ
ウム層、バリアーメタル層、金層が順次積層されてなる
ことを特徴とするものである。

【００１８】さらに、本発明の請求項３記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、前記バリアーメタル層が、チタ
ン層、チタン，タングステンの合金層、モリブデン層又
はニッケル層等からなることを特徴とするものである。

【００１９】加えて、本発明の請求項４記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、第１導電型領域が表面に形成さ
れた第２導電型基板と、該第２導電型基板の表面に形成
された第１酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形成された
電極部と、前記第１酸化膜の一部を除去して前記第１導
電型領域と電極部とを接続する配線部とを備えてなり、
半導体レーザ装置のパッケージ部に半導体レーザ素子と
ともに封止される半導体レーザ装置用受光素子におい
て、前記電極部及び配線部がアルムミウム層、バリアー
メタル層、金層が順次積層されてなることを特徴とする
ものである。

【００２０】加えて、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、前記配線部のアルミニウム層と
バリアーメタル層との間に第２酸化膜を介在してなるこ
とを特徴とするものである。

【００２１】加えて、本発明の請求項６記載の半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
の光出力をモニターする光出力検出素子と、前記半導体
レーザ素子にて出射した光が光ディスクに照射され該光
ディスクにて反射された反射光を受光する信号検出素子
と、前記半導体レーザ素子、光出力検出素子及び信号検
出素子を封止し前記半導体レーザ素子からの出射光を外
部に放射する位置にホログラム素子を備えたパッケージ
部とを備えてなる半導体レーザ装置において、前記光出
力検出素子が上記請求項１記載の半導体レーザ装置用受
光素子からなり、該光出力検出素子の半導体レーザ素子
搭載用パッド部に前記半導体レーザ素子が搭載されてな
ることを特徴とするものである。

【００２２】上記構成によれば、本発明の請求項１記載
の半導体レーザ装置用受光素子は、第１酸化膜の表面に
アルミニウム層、チタン層，チタンとタングステンとの
合金層，モリブデン層又はニッケル層等からなるバリア
ーメタル層、金層が順次積層されてなる半導体レーザ素
子搭載用パッド部を設けてなる構成なので、該半導体レ
ーザ素子搭載用パッド部を介して半導体レーザ素子を安
定して搭載することができる。

【００２３】具体的に説明すると、前記半導体レーザ素
子搭載用パッド部のアルミニウム層と第１酸化膜とが密
着性に優れており、また、前記アルミニウム層と金層と
の間にバリアーメタル層を介すことにより前記アルミニ
ウム層上に金層を設けることが可能となり、該金層はろ
う材等を介して半導体レーザ素子を搭載することが可能
であるため、素子搭載用パッド部を介して安定して半導
体レーザ素子を搭載すること可能となる。

【００２４】また、本発明の請求項２記載の半導体レー
ザ装置用受光素子は、前記配線部及び電極部がアルミニ
ウム層、チタン層，チタンとタングステンとの合金層，
モリブデン層又はニッケル層等からなるバリアーメタル
層、金層が順次積層されてなる構成なので、パッケージ
部が樹脂パッケージからなる半導体レーザ装置にも適用
することができる。

【００２５】具体的に説明すると、前記電極部、配線部
及び素子搭載用パッド部の表面となる金層は化学的に安
定しており、樹脂パッケージ内に水分等が侵入した場合
であっても、前記電極部、配線部及び素子搭載用パッド
部に腐食、断線が発生することがないからである。

【００２６】さらに、本発明の請求項４記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、前記配線部及び電極部がアルミ
ニウム層、チタン層，チタンとタングステンとの合金
層，モリブデン層又はニッケル層等からなるバリアーメ
タル層、金層が順次積層されてなる構成なので、パッケ
ージ部が樹脂パッケージからなる半導体レーザ装置にも
適用することができる。

【００２７】具体的に説明すると、前記電極部及び配線
部の表面となる金層は化学的に安定しており、樹脂パッ
ケージ内に水分等が侵入した場合であっても、前記電極
部及び配線部に腐食、断線が発生することがないからで
ある。

【００２８】加えて、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、配線部のアルミニウム層とバリ
アーメタル層との間に第２酸化膜を介在させてなる構成
なので、信頼性を向上することができる。

【００２９】具体的に説明すると、例えば、半導体レー
ザ装置用受光素子は第１導電性基板の表面にアルムミニ
ウム層が形成された後に、前記第１導電性基板の裏面に
裏面電極が形成されるが、その裏面電極形成の前に前記
第２酸化膜を形成することにより、裏面電極形成時に前
記配線部のアルミニウム層に傷が入ることを防止でき
る。これにより、前記配線部に断線等が発生することが
なくなり、半導体レーザ装置用受光素子の信頼性が向上
される。

【００３０】加えて、本発明の請求項６記載の半導体レ
ーザ装置は、光出力検出素子が上記請求項１記載の半導
体レーザ装置用受光素子からなり、該光出力検出素子の
半導体レーザ素子搭載用パッド部に前記半導体レーザ素
子が搭載されてなる構成なので、従来、半導体レーザ素
子を搭載していた金属製の台座部が不要となり、従来と
比較して小型化、薄型化、コスト低減が可能である。

【００３１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例よりな
る半導体レーザ装置用受光素子を用いてなる超小型ホロ
グラムレーザ装置を示す図であり、（ａ）は斜視図であ
り、（ｂ）は要部拡大斜視図である。

【００３２】図示の如く、該ホログラムレーザ装置２１
は、リードフレーム２２が樹脂によってインサートモー
ルドされた樹脂製ステム（樹脂パッケージ）２３内の中
空部に設けられた台座部２３ａ上に、後述する半導体レ
ーザ素子２７のレーザ光の出力をモニターする光出力検
出用受光素子付Ｓｉ−サブマウント（以下、単に「サブ
マウント」と称す。）２４、レーザ光立ち上げ用ミラー
２５及び信号検出用分割フォトダイオードチップ等から
なる信号検出素子２６が搭載され、前記サブマウント２
４上にレーザダイオードチップ等からなる半導体レーザ
素子２７が搭載され、窒素雰囲気中にて前記樹脂製ステ
ム２３の上面の窓部を覆うようにホログラム素子２８を
搭載することによって前記中空部を気密封止してなる構
造からなる。

【００３３】前記サブマウント２４は、図２（ｇ）に示
すように、Ｎ型シリコン基板３２の表面にＰ型拡散領域
３２ａが形成され、該表面上に第１酸化膜（ＳｉＯ₂）
３３を備え、該酸化膜３３の上に電極部３４及び素子搭
載用パッド部（以下、単に「パッド部」と称す。）３６
を備えるとともに前記酸化膜３３の一部を除去して前記
Ｐ型拡散領域３２ａと電極部３４とを接続する配線部３
５を備えてなり、前記電極部３４及び配線部３５並びに
パッド部３６がアルミニウム層３７、バリアーメタル層
３８、金層３９，４０を順次積層してなる構造からな
る。

【００３４】前記バリアーメタル層３８は、例えばチタ
ン層，チタンとタングステンの合金層又はモリブデン層
等からなり、前記アルミニウム層３７と金層３９，４０
との積層を可能とするものである。即ち、アルムミウム
と金とは直接的な密着性が弱く、前記バリアーメタル層
３８を介在させなければ前記アルミニウム層３７の上に
金層３９，４０を設けることができないからである。

【００３５】図中、４１は裏面電極である。

【００３６】以下、上述したサブマウント２４の製造方
法を、以下図２に従って説明する。

【００３７】まず、Ｎ型シリコン基板３２の所定の位置
にＰ型不純物の拡散を行いＰ型拡散領域３２ａを形成
し、該Ｐ型拡散領域３２ａが形成されたＮ型シリコン基
板３２の略々全表面に熱酸化又はＣＶＤ法で第１酸化膜
（ＳｉＯ₂ ）３３を形成する。

【００３８】次に、図２（ａ）の如く、酸化膜３３が形
成されたシリコン基板３２に電極部３４の形成を行うた
め、フォトリソ技術を用いてコンタクト窓４２を形成す
る。次に、図２（ｂ）の如く、電子ビーム蒸着法又はス
パッタ蒸着法により電極部形成領域、配線部形成領域、
パッド部形成領域にアルミニウム層３７を形成する。こ
の後、Ｎ型シリコン基板３２とアルミニウム層３７との
オーミックコンタクトを取るため、また第１酸化膜３３
とアルミニウム層３７との密着性を向上させるため、５
００℃前後の温度でシンターを行う。

【００３９】次に、Ｎ型シリコン基板３２の裏面に金属
を蒸着法又はスパッタ法にて形成し、熱処理を施して裏
面電極４１を形成する。

【００４０】次に、図２（ｃ）の如く、バリアーメタル
層３８を蒸着法又はスパッタ法にて形成し、該バリアー
メタル層３８上に第１の金層３９を蒸着法又はスパッタ
法あるいはメッキ法にて形成する。

【００４１】次に、図２（ｄ）の如く、フォトリソ技術
を用いて前記電極部形成領域、配線部形成領域及びパッ
ド部形成領域以外の部分をフォトレジスト４３にて覆
う。ここで、フォトレジストの開口部（フォトレジスト
４３にて覆わない部分）は前記電極部形成領域、配線部
形成領域及びパッド部形成領域よりも少し大きく開口し
ておく。

【００４２】次に、図２（ｅ）の如く、電界メッキ法に
てフォトレジスト４３の開口部を前記第１の金層３９よ
り１ケタ以上厚い第２の金層４０を形成する。該形成
は、予め第１の金層３９を形成しているため、メッキは
スムーズに行われ、第２の金層４０の膜厚も安定して形
成することができる。

【００４３】次に、図２（ｆ）の如く、非メッキ面に形
成したフォトレジスト４３を専用ハクリ液を用いて除去
する。ここで、前記第２の金層４０をエッチングしても
該第２の金層４０は第１の金層３９より１ケタ以上厚く
形成されているので、電極部３４、配線部３５及びパッ
ド部３６表面に第２の金層４０が残り、図２（ｇ）の如
く、該電極部３４、配線部３５及びパッド部３６は表面
に第２の金層４０が露出した形状となる。上述したバリ
アーメタル層（例えば、チタンとタングステンとの合金
層）３８、第１の金層３９及び第２の金層４０の層厚の
具体的な数値を一例として述べると、バリアーメタル層
３８の層厚を０．２μｍとし、第１の金層３９を０．０
８μｍとし、第２の金層４０を３〜５μｍとする。

【００４４】上記構成によれば、本実施例のサブマウン
ト２４は、第１酸化膜３３の表面にアルミニウム層３
７、チタン層，チタンとタングステンとの合金層，モリ
ブデン層等からなるバリアーメタル層３８、金層３９，
４０が順次積層されてなるパッド部３６を設けてなる構
成なので、該パッド部３６のアルミニウム層３７と第１
酸化膜３３とが密着性に優れており、また、前記アルミ
ニウム層３７と金層３９との間にバリアーメタル層３８
を介すことにより前記アルミニウム層３７上に金層３
９，４０を設けることが可能となり、該金層４０はろう
材等を介してレーザダイオードチップ２７を搭載するこ
とが可能であるため、前記パッド部３６を介して安定し
て半導体レーザ素子２７を搭載すること可能となる。

【００４５】該サブマウント２４をホログラムレーザ装
置に用いることにより、従来のように別途、金属製の台
座部を用いる必要がなくなり、半導体レーザ装置として
の小型化、薄型化、コスト低減が可能となる。

【００４６】また、前記配線部３５及び電極部３４につ
いてもアルミニウム層３７、チタン層，チタンとタング
ステンとの合金層，モリブデン層等からなるバリアーメ
タル層３８、金層３９，４０が順次積層されてなる構成
なので、樹脂パッケージからなるホログラムレーザ装置
にも適用することができる。

【００４７】即ち、前記電極部３４、配線部３５及びパ
ッド部３６の表面となる金層４０は化学的に安定してお
り、樹脂パッケージ内、即ち中空部に水分等が侵入した
場合であっても、前記電極部３４、配線部３５及びパッ
ド部３６に腐食、断線が発生することがないからであ
る。

【００４８】上記実施例においては、光出力検出素子２
４に半導体レーザ素子を搭載できるようにし、且つ樹脂
パッケージにも対応できる構造したが、個々に対応する
構造としても良い。

【００４９】即ち、従来例のような金属パッケージの半
導体レーザ装置に用いるのであれば、半導体レーザ素子
２７を直接ダイボンドする部分、即ちパッド部３６の
み、アルミニウム層３７，バリアーメタル層３８，金層
３９，４０を順次積層すれば良い。

【００５０】また、樹脂パッケージの半導体レーザ装置
に用い、レーザダイオードチップ２７を従来のようなサ
ブマウントを用いて搭載するのであれば、上記実施例の
構造においてパッド部３６を設ける必要はない。即ち、
前記サブマウント２４を２分して左半分の構造とする。

【００５１】以下、サブマウントの他の実施例を説明す
る。本実施例について、上記実施例のサブマウント２４
と相違する点のみ説明する。

【００５２】本実施例のサブマウント２４は、電極部３
４及び配線部３５並びにパッド部３６がアルミニウム層
３７、ニッケル層（バリアーメタル層）４４、第３の金
層４５を順次積層してなる構造である。即ち、バリアー
メタル層４４にニッケル層を用いた点で上記実施例のサ
ブマウント２４と異なる。

【００５３】該サブマウント２４ａの製造方法を、以下
図３に従って説明する。

【００５４】まず、Ｎ型シリコン基板３２の所定の位置
にＰ型不純物の拡散を行いＰ型拡散領域３２ａを形成
し、該Ｐ型拡散領域３２ａが形成されたＮ型シリコン基
板３２の略々全表面に熱酸化又はＣＶＤ法で第１酸化膜
（ＳｉＯ₂ ）３３を形成する。

【００５５】次に、図３（ａ）の如く、酸化膜３３が形
成されたＮ型シリコン基板３２に電極部３４の形成を行
うため、フォトリソ技術を用いてコンタクト窓４２を形
成する。次に、図３（ｂ）の如く、電子ビーム蒸着法又
はスパッタ蒸着法により電極部形成領域、配線部形成領
域、パッド部形成領域にアルミニウム層３７を形成す
る。この後、Ｎ型シリコン基板３２とアルミニウム層３
７とのオーミックコンタクトを取るため、また酸化膜３
３とアルミニウム層３７との密着性を向上させるため、
５００℃前後の温度でシンターを行う。

【００５６】次に、シリコン基板３２の裏面に金属を蒸
着法又はスパッタ法にて形成し、熱処理を施して裏面電
極４１を形成する。

【００５７】次に、図３（ｃ）の如く、フォトリソ技術
を用いて電極部形成領域、配線部形成領域及びパッド部
形成領域以外の部分をフォトレジスト４３にて覆う。こ
こで、フォトレジストの開口部（フォトレジスト４３に
て覆わない部分）は前記電極部形成領域、配線部形成領
域及びパッド部形成領域よりも少し大きく開口してお
く。

【００５８】次に、図３（ｄ）の如く、無電界メッキ法
にて前記アルミニウム層３７上をニッケルで所定の厚み
までメッキし、ニッケル層４４を形成する。該ニッケル
メッキ終了後連続して無電界メッキ法にてニッケル層４
４の上に所定の厚みまで金をメッキし、第３の金層４５
を形成する。

【００５９】次に、図３（ｅ）の如く、非メッキ面に形
成したフォトレジスト４３を専用ハクリ液を用いて除去
することにより、電極部３４、配線部３５及びパッド部
３６は表面に第３の金層４５が露出した形状となる。

【００６０】上述したニッケル層４４及び第３の金層４
５の層厚の具体的な数値を一例として述べると、ニッケ
ル層４４の層厚を２〜３μｍとし、第３の金層４５を
０．５〜２μｍとする。

【００６１】図４は、光出力検出素子のさらに他の実施
例を示す図であり、図２（ｇ）に示す実施例の光出力検
出素子（サブマウント２４）と相違する点のみ説明す
る。

【００６２】該光出力検出素子（モニター用フォトダイ
オードチップ）２４ｂは、図２（ｇ）に示すサブマウン
ト２４の左半分よりなる構造であって、配線部３５のア
ルミニウム層３７とバリアーメタル層３８との間に第２
酸化膜（ＳｉＯ₂）４６を介在させてなる構造である。

【００６３】該光出力検出素子２４ｂの製造方法を上記
実施例のサブマウント２４の製造方法と相違する点のみ
説明すると、アルミニウム層３７形成後のシンター処理
後であって、裏面電極４１の形成前に前記第２酸化膜４
６を形成する。具体的に説明すると、表面全面を熱酸化
又はＣＶＤ法で第２酸化膜でカバーした後、フォトリソ
技術で電極部形成領域の一部又は全面積の前記第２酸化
膜を除去して形成する。なお、図５（ａ）乃至（ｄ）に
該光出力検出素子２４ｂの製造工程図を示す。

【００６４】このように、裏面電極４１形成の前に前記
第２酸化膜４６を形成することにより、裏面電極４１形
成時に前記アルミニウム層（配線部）３７に傷が入るこ
とを防止できる。これにより、前記配線部３７に断線等
が発生することがなくなり、特性劣化，動作不良等が生
じなくなり、光出力検出素子２４ｂの信頼性が向上され
る。

【００６５】なお、上述した実施例においては、レーザ
光モニター用フォトダイオードを用いて説明したが、信
号処理用分割ダイオードの電極部，配線部も同様に形成
することにより、樹脂パッケージの半導体レーザ装置に
対応させることができる。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の半導体レーザ装置用受光素子によれば、第１酸化
膜の表面にアルミニウム層、チタン層，チタンとタング
ステンとの合金層，モリブデン層又はニッケル層からな
るバリアーメタル層、金層が順次積層されてなる半導体
レーザ素子搭載用パッド部を設けてなる構成なので、該
半導体レーザ素子搭載用パッド部を介して半導体レーザ
素子を安定して搭載することができる。

【００６７】また、本発明の請求項２，又は４記載の半
導体レーザ装置用受光素子によれば、前記配線部及び電
極部がアルミニウム層、チタン層，チタンとタングステ
ンとの合金層，モリブデン層又はニッケル層からなるバ
リアーメタル層、金層が順次積層されてなる構成なの
で、パッケージ部が樹脂パッケージからなる半導体レー
ザ装置にも適用することができる。

【００６８】さらに、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子によれば、配線部のアルミニウム層
とバリアーメタル層との間に第２酸化膜を介在させてな
る構成なので、信頼性を向上することができる。

【００６９】加えて、本発明の請求項６記載の半導体レ
ーザ装置によれば、光出力検出素子が上記請求項１記載
の半導体レーザ装置用受光素子からなり、該光出力検出
素子の半導体レーザ素子搭載用パッド部に前記半導体レ
ーザ素子が搭載されてなる構成なので、従来、半導体レ
ーザ素子を搭載していた金属製の台座部が不要となり、
従来と比較して小型化、薄型化、コスト低減が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例よりなる光出力検出素子及び
これを用いた半導体レーザ装置を示す図であり、（ａ）
は斜視図であり、（ｂ）は要部拡大斜視図である。

【図２】図１に示す光出力検出素子の製造工程図であ
る。

【図３】他の実施例よりなる光出力検出素子の製造工程
図である。

【図４】光出力検出素子のさらにに他の実施例を示す断
面図である。

【図５】図４に示す光出力検出素子の製造工程図であ
る。

【図６】従来例を示す斜視図である。

【図７】図６に示す光出力検出素子の断面図である。

【図８】提案例におけるレーザ光モニター用フォトダイ
オードの構造を示す断面図である。

【符号の説明】

２１ ホログラムレーザ装置（半導体レーザ装置） ２３ 樹脂製ステム（樹脂パッケージ） ２４，２４ａ 光出力検出用受光素子付Ｓｉ−サブマウ
ント（光出力検出素子) ２４ｂ 光出力検出素子 ２５ レーザ光立ち上げ用ミラー ２６ 信号検出用分割フォトダイオード（信号検出素
子） ２７ レーザダイオードチップ（半導体レーザ素子） ２８ ホログラム素子 ３２ シリコン基板 ３３ 第１酸化膜 ３４ 電極部 ３５ 配線部 ３６ 半導体レーザ素子搭載用パッド部 ３７ アルミニウム層 ３８，４４ バリアーメタル層 ３９ 第１の金層 ４０ 第２の金層 ４１ 裏面電極 ４２ コンタクト窓 ４３ フォトレジスト ４５ 第３の金層 ４６ 第２酸化膜

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−177135（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−5990（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−84358（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−158969（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−81048（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 31/00 - 31/119 H01S 5/00 - 5/50

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型領域が表面に形成された第２
   導電型基板と、該第２導電型基板の表面に形成された第
   １酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形成された電極部
   と、前記第１酸化膜の一部を除去して前記第１導電型領
   域と電極部とを接続する配線部とを備えてなり、半導体
   レーザ装置のパッケージ部に半導体レーザ素子とともに
   封止される半導体レーザ装置用受光素子において、 前記第１酸化膜の表面にアルミニウム層、該アルミニウ
   ム層を被覆するバリアーメタル層、金層を順次積層して
   なる半導体レーザ素子搭載用パッド部を設けてなること
   を特徴とする半導体レーザ装置用受光素子。
2. 【請求項２】 前記電極部及び配線部はアルミニウム
   層、該アルミニウム層を被覆するバリアーメタル層、金
   層が順次積層されてなることを特徴とする請求項１記載
   の半導体レーザ装置用受光素子。
3. 【請求項３】 前記バリアーメタル層は、チタン層、チ
   タン，タングステンの合金層、モリブデン層又はニッケ
   ル層等からなることを特徴とする請求項１又は２記載の
   半導体レーザ装置用受光素子。
4. 【請求項４】 第１導電型領域が表面に形成された第２
   導電型基板と、該第２導電型基板の表面に形成された第
   １酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形成された電極部
   と、前記第１酸化膜の一部を除去して前記第１導電型領
   域と電極部とを接続する配線部とを備えてなり、半導体
   レーザ装置のパッケージ部に半導体レーザ素子とともに
   封止される半導体レーザ装置用受光素子において、 前記電極部及び配線部はアルミニウム層、該アルミニウ
   ム層を被覆するバリアーメタル層、金層が順次積層され
   てなることを特徴とする半導体レーザ装置用受光素子。
5. 【請求項５】 前記配線部のアルミニウム層とバリアー
   メタル層との間に第２酸化膜を介在してなることを特徴
   とする請求項４記載の半導体レーザ装置用受光素子。
6. 【請求項６】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
   子の光出力をモニターする光出力検出素子と、前記半導
   体レーザ素子にて出射した光が光ディスクに照射され該
   光ディスクにて反射された反射光を受光する信号検出素
   子と、前記半導体レーザ素子、光出力検出素子及び信号
   検出素子を封止し前記半導体レーザ素子からの出射光を
   外部に放射する位置にホログラム素子を備えたパッケー
   ジ部とを備えてなる半導体レーザ装置において、 前記光出力検出素子が上記請求項１記載の半導体レーザ
   装置用受光素子からなり、該光出力検出素子の半導体レ
   ーザ素子搭載用パッド部に前記半導体レーザ素子が搭載
   されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。