JP3188157B2 - Light receiving element for semiconductor laser device and semiconductor laser device using the same - Google Patents
Light receiving element for semiconductor laser device and semiconductor laser device using the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置用
受光素子およびこれを用いた半導体レーザ装置に関し、
特に光ピックアップに使用するホログラムレーザ装置用
受光素子およびこれを用いたホログラムレーザ装置に関
するものである。The present invention relates to a light receiving element for a semiconductor laser device and a semiconductor laser device using the same.
In particular, the present invention relates to a light receiving element for a hologram laser device used for an optical pickup and a hologram laser device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６は、従来のホログラムレーザ装置を
示す斜視図である。なお、実際には図中の切欠はなく、
気密封止されてなるものである。FIG. 6 is a perspective view showing a conventional hologram laser device. Actually, there is no notch in the figure,
It is airtightly sealed.
【０００３】図６の如く、従来のホログラムレーザ装置
１は、金属製ステム２上にレーザダイオードチップ等の
半導体レーザ素子３ｂを含むレーザ出力部３、前記半導
体レーザ素子３ｂの後方からのレーザ光を受光し該レー
ザ光の出力をモニターするモニター用フォトダイオード
チップ等からなる光出力検出素子４、及び信号処理用分
割フォトダイオードチップ等からなる信号検出素子５が
搭載され、これらレーザ出力部３、光出力検出素子４及
び信号検出素子５は、外環境から保護のために、金属製
の保護キャップ６によって気密封止されてなる。As shown in FIG. 6, a conventional hologram laser device 1 includes a laser output unit 3 including a semiconductor laser element 3b such as a laser diode chip on a metal stem 2, and a laser beam from behind the semiconductor laser element 3b. A light output detecting element 4 composed of a monitoring photodiode chip or the like for receiving and monitoring the output of the laser light, and a signal detecting element 5 composed of a divided photodiode chip for signal processing and the like are mounted. The output detection element 4 and the signal detection element 5 are hermetically sealed by a metal protection cap 6 for protection from an external environment.
【０００４】前記レーザ出力部３は、金属製の台座部３
ａ上に半導体レーザ素子３ｂをマウントしたものであ
る。なお、本従来例では信号検出素子５についても前記
台座部３ａ上に配置されている。[0004] The laser output section 3 is made of a metal pedestal section 3.
The semiconductor laser device 3b is mounted on a. In the conventional example, the signal detecting element 5 is also arranged on the pedestal 3a.
【０００５】前記保護キャップ６は、金属製ステム２側
の面が開口した箱型からなり、開口面の周囲には鍔部６
ａが設けられており、該鍔部６ａと金属ステム２とを例
えば窒素雰囲気中にて溶着することで内部を気密封止す
るものである。また、該保護キャップ６は、ホログラム
素子７の固定台としても兼用されており、保護キャップ
６の上面には石英ガラス等からなるガラス窓６ｂが形成
され、該ガラス窓６ｂの上面にホログラム素子７が配置
されてなる。[0005] The protective cap 6 is formed in a box shape having an open surface on the side of the metal stem 2, and a flange 6 is provided around the open surface.
a is provided, and the inside is hermetically sealed by welding the flange 6a and the metal stem 2 in, for example, a nitrogen atmosphere. The protective cap 6 is also used as a fixing base for the hologram element 7. A glass window 6b made of quartz glass or the like is formed on the upper surface of the protective cap 6, and the hologram element 7 is formed on the upper surface of the glass window 6b. Is arranged.
【０００６】前記金属製ステム２には、リード端子８が
垂直方向に通され、このリード端子８とレーザ出力部
３、光出力検出素子４及び信号検出素子５とが金線９に
より接続される。ここで、前述したように保護キャップ
６内の気密性を保持するために、前記リード端子８と金
属製ステム２との間にはハーメチックシール１０が設け
られている。A lead terminal 8 is passed through the metal stem 2 in a vertical direction, and the lead terminal 8 is connected to the laser output unit 3, the light output detection element 4 and the signal detection element 5 by a gold wire 9. . Here, a hermetic seal 10 is provided between the lead terminal 8 and the metal stem 2 in order to maintain the airtightness in the protective cap 6 as described above.
【０００７】前記光出力検出素子４は、図７に示すよう
に、例えばＮ型シリコン基板１２の表面にＰ型拡散領域
１２ａが形成され、該表面上に酸化膜（ＳｉＯ2 ）１３
を備え、該酸化膜１３の上に電極部１４を備えるととも
に前記酸化膜１３の一部を除去して前記Ｐ型拡散領域１
２ａと電極部１４とを接続する配線部１５とを備えてな
り、前記電極部１４及び配線部１５がアルミニウムから
なるものである。図中、１６は裏面電極である。As shown in FIG. 7, the light output detecting element 4 has, for example, a P-type diffusion region 12a formed on the surface of an N-type silicon substrate 12, and an oxide film (SiO 2) 13 formed on the surface.
And an electrode portion 14 is provided on the oxide film 13 and a part of the oxide film 13 is removed to form the P-type diffusion region 1.
It and a wiring portion 15 for connecting the 2a and the electrode portion 14, the electrode portion 14 and the wiring portion 15 is made of Aluminum bromide. In the figure, reference numeral 16 denotes a back electrode.
【０００８】上記構成よりなるホログラムレーザ装置１
は、レーザ出力部３の半導体レーザ素子３ｂから出力さ
れたレーザ光がガラス窓６ｂ、ホログラム素子７を介し
て外部へ放射されて光ディスク（図示せず）に照射さ
れ、該光ディスクにて反射された反射光が前記ホログラ
ム素子７にて回折されて信号検出素子５にて受光される
ものである。これによって、前記光ディスクのトラッキ
ングを制御するものである。The hologram laser device 1 having the above configuration
The laser light emitted from the semiconductor laser element 3b of the laser output unit 3 is radiated to the outside through the glass window 6b and the hologram element 7 to irradiate an optical disc (not shown), and is reflected by the optical disc. The reflected light is diffracted by the hologram element 7 and received by the signal detection element 5. This controls the tracking of the optical disk.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のホログラムレーザ装置は、半導体レーザ素子３ｂ、信
号検出素子５、光出力検出素子４を個別にダイボンドを
していたが、近年、小型化が進み、前記半導体レーザ素
子３ｂを光出力検出素子４上に直接ダイボンドする方法
が提案されている。この場合、図８の如く、前記光出力
検出素子４上に半導体レーザ素子３ｂを直接ダイボンド
できる半導体レーザ素子搭載用パッド部（以下、単に
「パッド部」と称す。）１１を設ける必要があった。As described above [0004], the conventional hologram laser device, semiconductor Karadare chromatography The element 3b, the signal detection element 5, although the light output detection element 4 were individually die bonding, In recent years, miniaturization has progressed, and a method has been proposed in which the semiconductor laser element 3b is directly die-bonded onto the optical output detection element 4. In this case, as shown in FIG. 8, it is necessary to provide a semiconductor laser device mounting pad portion (hereinafter simply referred to as a “pad portion”) 11 on which the semiconductor laser device 3b can be directly die-bonded. .
【００１０】該パッド部１１に酸化膜１３との密着性が
高く加工性においても優れるアルミニウムを用いること
が考えられるが、アルミニウムで形成されたパッド部１
１は、半導体レーザ素子３ｂを直接ダイボンドができる
ろう材が無いため、直接ダイボンドすることが不可能で
あった。即ち、アルミニウムと密着性の良いろう材が無
いためである。[0010] While the use of Aluminum bromide also excellent in adhesion high workability between the oxide film 13 in the pad portion 11 is considered, the pad formed by Aluminum bromide section 1
In No. 1, direct die bonding was impossible because there was no brazing material that could directly die bond the semiconductor laser element 3b. That is because a good brazing material adhesion and Aluminum bromide no.
【００１１】前記パッド部１１に前記アルミニウムに代
わって金を用いれば、半導体レーザ素子３ｂをインジウ
ム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）等のろう材を用いて直接ダイ
ボンドすることが可能となるが、金は酸化膜１３との密
着性が悪くパッド部として用いるには種々問題があっ
た。[0011] By using the money on behalf of the Aluminum bromide in the pad portion 11, the semiconductor laser element 3b indium (In), but it is possible to directly die-bonded by using a brazing material of tin (Sn) or the like Gold has poor adhesion to the oxide film 13 and has various problems when used as a pad.
【００１２】また、近年、ホログラムレーザ装置は、小
型化が進み、従来の金属パッケージから樹脂パッケージ
に変わりつつあり、樹脂パッケージに対応できる電極構
造を有した半導体レーザ素子、信号検出素子、光出力検
出素子が必要となっている。即ち、樹脂パッケージのホ
ログラムレーザ装置は、従来例で示した金属パッケージ
のホログラムレーザ装置１に比べ、気密性が劣る（水分
等が侵入する）ため、これに対応できる電極構造を有し
たものが必要となっている。In recent years, the hologram laser device has been miniaturized, and has been changed from a conventional metal package to a resin package. The semiconductor laser device, the signal detection device, and the light output detection device have an electrode structure compatible with the resin package. An element is needed. That is, the hologram laser device of the resin package is inferior in airtightness (moisture and the like enters) as compared with the hologram laser device 1 of the metal package shown in the conventional example. It has become.
【００１３】しかしながら、例えば、従来のホログラム
レーザ装置に用いられる光出力検出素子４は、図７に示
すように、電極部１４及び配線部１５がアルミニウムか
らなり、該アルミニウムは、抵抗率が低く、Ｐ型，Ｎ型
シリコンに対してオーミックコンタクト性に優れてお
り、酸化膜１３との密着性も高く加工性においても優れ
ているが、化学的に不安定な状態であり、例えば水分が
侵入した場合に該水分によってアルミニウムが変質し、
腐食、断線を起こすことがあった。[0013] However, for example, the optical output detecting element 4 used in the conventional hologram laser device, as shown in FIG. 7, the electrode portions 14 and the wiring portion 15 are made of Aluminum chloride, the Aluminum bromide is resistance It has a low rate, is excellent in ohmic contact with P-type and N-type silicon, has high adhesion to oxide film 13 and is excellent in workability, but is in a chemically unstable state. Aluminum bromide is altered by the moisture when moisture has entered,
Corrosion and disconnection could occur.
【００１４】また、信号検出素子５においても、電極部
及び配線部がアルミニウムからなり、上記同様の問題が
発生した。[0014] Also, the signal detection element 5, the electrode portions and the wiring portions are made of Aluminum chloride, the same problem occurs.
【００１５】本発明は、上記課題に鑑み、半導体レーザ
素子が直接ダイボンドできるパッド部及び又は導電性が
良く極めて信頼性の高い電極部及び配線部を備えた半導
体レーザ装置用受光素子、およびこれを用いた半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とするものである。In view of the above problems, the present invention provides a light receiving element for a semiconductor laser device having a pad portion to which a semiconductor laser device can be directly die-bonded and / or an electrode portion and a wiring portion having high conductivity and extremely high reliability. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device used.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体レーザ装置用受光素子は、第１導電型領域が表面
に形成された第２導電型基板と、該第２導電型基板の表
面に形成された第１酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形
成された電極部と、前記第１酸化膜の一部を除去して前
記第１導電型領域と電極部とを接続する配線部とを備え
てなり、半導体レーザ装置のパッケージ部に半導体レー
ザ素子とともに封止される半導体レーザ装置用受光素子
において、前記第１酸化膜の表面にアルミニウム層、バ
リアーメタル層、金層を順次積層してなる半導体レーザ
素子搭載用パッド部を設けてなることを特徴とするもの
である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a light receiving element for a semiconductor laser device, comprising: a second conductivity type substrate having a first conductivity type region formed on a surface thereof; A first oxide film formed on the surface, an electrode portion formed on the surface of the first oxide film, and a portion of the first oxide film removed to connect the first conductivity type region to the electrode portion it and a wiring portion which, in a semiconductor laser device for the light receiving element to be sealed in the semiconductor laser element together with the package of the semiconductor laser device, Aluminum bromide layer on a surface of the first oxide film, the barrier metal layer And a pad portion for mounting a semiconductor laser element formed by sequentially laminating gold layers.
【００１７】また、本発明の請求項２記載の半導体レー
ザ装置用受光素子は、前記電極部及び配線部がアルミニ
ウム層、バリアーメタル層、金層が順次積層されてなる
ことを特徴とするものである。Further, the semiconductor laser device light receiving device according to claim 2 of the present invention, the electrode portions and the wiring portions Aluminum two <br/> um layer, barrier metal layer, a gold layer are sequentially stacked It is characterized by the following.
【００１８】さらに、本発明の請求項３記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、前記バリアーメタル層が、チタ
ン層、チタン，タングステンの合金層、モリブデン層又
はニッケル層等からなることを特徴とするものである。Further, in the light receiving element for a semiconductor laser device according to a third aspect of the present invention, the barrier metal layer comprises a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten, a molybdenum layer, a nickel layer, or the like. Things.
【００１９】加えて、本発明の請求項４記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、第１導電型領域が表面に形成さ
れた第２導電型基板と、該第２導電型基板の表面に形成
された第１酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形成された
電極部と、前記第１酸化膜の一部を除去して前記第１導
電型領域と電極部とを接続する配線部とを備えてなり、
半導体レーザ装置のパッケージ部に半導体レーザ素子と
ともに封止される半導体レーザ装置用受光素子におい
て、前記電極部及び配線部がアルムミウム層、バリアー
メタル層、金層が順次積層されてなることを特徴とする
ものである。In addition, according to a fourth aspect of the present invention, there is provided a light receiving element for a semiconductor laser device, wherein the first conductivity type region is formed on the surface of the second conductivity type substrate, and the second conductivity type substrate is formed on the surface of the second conductivity type substrate. A first oxide film, an electrode portion formed on the surface of the first oxide film, and a wiring portion for removing a part of the first oxide film and connecting the first conductivity type region to the electrode portion And
In the semiconductor laser device for a light receiving element is sealed <br/> both the semiconductor laser element in a package of the semiconductor laser device, the electrode portion and the wiring portion Ulm Mi um layer, barrier metal layer, laminated gold layer successively It is characterized by being done.
【００２０】加えて、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、前記配線部のアルミニウム層と
バリアーメタル層との間に第２酸化膜を介在してなるこ
とを特徴とするものである。[0020] In addition, the semiconductor laser device light receiving device according to claim 5 of the present invention, characterized by being obtained by interposing a second oxide layer between the Aluminum bromide layer and the barrier metal layer of the wiring portion It is assumed that.
【００２１】加えて、本発明の請求項６記載の半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
の光出力をモニターする光出力検出素子と、前記半導体
レーザ素子にて出射した光が光ディスクに照射され該光
ディスクにて反射された反射光を受光する信号検出素子
と、前記半導体レーザ素子、光出力検出素子及び信号検
出素子を封止し前記半導体レーザ素子からの出射光を外
部に放射する位置にホログラム素子を備えたパッケージ
部とを備えてなる半導体レーザ装置において、前記光出
力検出素子が上記請求項１記載の半導体レーザ装置用受
光素子からなり、該光出力検出素子の半導体レーザ素子
搭載用パッド部に前記半導体レーザ素子が搭載されてな
ることを特徴とするものである。In addition, a semiconductor laser device according to a sixth aspect of the present invention is a semiconductor laser device, a light output detection device for monitoring the light output of the semiconductor laser device, and a light output from the semiconductor laser device. a signal detection element for receiving a light reflected by the irradiated on the optical disc optical disc, emitting the semiconductor laser device, the optical output detecting element and a signal detecting element and sealing the light emitted from the semiconductor laser element to the outside 2. A semiconductor laser device comprising: a package section having a hologram element at a position where the light output detection element is formed of the light receiving element for a semiconductor laser device according to claim 1; The semiconductor laser device is mounted on a mounting pad portion.
【００２２】上記構成によれば、本発明の請求項１記載
の半導体レーザ装置用受光素子は、第１酸化膜の表面に
アルミニウム層、チタン層，チタンとタングステンとの
合金層，モリブデン層又はニッケル層等からなるバリア
ーメタル層、金層が順次積層されてなる半導体レーザ素
子搭載用パッド部を設けてなる構成なので、該半導体レ
ーザ素子搭載用パッド部を介して半導体レーザ素子を安
定して搭載することができる。According to the above construction, the semiconductor laser device light receiving device according to claim 1 of the present invention, <br/> Aluminum bromide layer on the surface of the first oxide layer, a titanium layer, an alloy of titanium and tungsten Layer, a barrier metal layer made of a molybdenum layer, a nickel layer, or the like, and a semiconductor laser device mounting pad portion in which a gold layer is sequentially laminated. Can be mounted stably.
【００２３】具体的に説明すると、前記半導体レーザ素
子搭載用パッド部のアルミニウム層と第１酸化膜とが密
着性に優れており、また、前記アルミニウム層と金層と
の間にバリアーメタル層を介すことにより前記アルミニ
ウム層上に金層を設けることが可能となり、該金層はろ
う材等を介して半導体レーザ素子を搭載することが可能
であるため、素子搭載用パッド部を介して安定して半導
体レーザ素子を搭載すること可能となる。[0023] Specifically, the semiconductor laser device Aluminum bromide layer of the mounting pad unit and the first oxide film has excellent adhesion, and between the Aluminum bromide layer and a gold layer it is possible to by interposing a barrier metal layer provided a gold layer on the Al mini <br/> um layer, gold layer can for mounting the semiconductor laser element via a brazing material or the like Therefore, the semiconductor laser device can be mounted stably via the device mounting pad portion.
【００２４】また、本発明の請求項２記載の半導体レー
ザ装置用受光素子は、前記配線部及び電極部がアルミニ
ウム層、チタン層，チタンとタングステンとの合金層，
モリブデン層又はニッケル層等からなるバリアーメタル
層、金層が順次積層されてなる構成なので、パッケージ
部が樹脂パッケージからなる半導体レーザ装置にも適用
することができる。Further, the semiconductor laser device light receiving device according to claim 2 of the present invention, the wiring portion and electrode portion Aluminum two <br/> um layer, a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten,
Since a barrier metal layer made of a molybdenum layer or a nickel layer or the like and a gold layer are sequentially laminated, the present invention can be applied to a semiconductor laser device in which a package portion is made of a resin package.
【００２５】具体的に説明すると、前記電極部、配線部
及び素子搭載用パッド部の表面となる金層は化学的に安
定しており、樹脂パッケージ内に水分等が侵入した場合
であっても、前記電極部、配線部及び素子搭載用パッド
部に腐食、断線が発生することがないからである。More specifically, the gold layer on the surface of the electrode section, the wiring section, and the element mounting pad section is chemically stable, and even if moisture or the like enters the resin package. This is because corrosion and disconnection do not occur in the electrode section, the wiring section and the element mounting pad section.
【００２６】さらに、本発明の請求項４記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、前記配線部及び電極部がアルミ
ニウム層、チタン層，チタンとタングステンとの合金
層，モリブデン層又はニッケル層等からなるバリアーメ
タル層、金層が順次積層されてなる構成なので、パッケ
ージ部が樹脂パッケージからなる半導体レーザ装置にも
適用することができる。Furthermore, the semiconductor laser device light receiving device according to claim 4 of the present invention, the wiring portion and electrode portion Aluminum <br/> bromide layer, a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten, molybdenum layer Alternatively, since a barrier metal layer composed of a nickel layer or the like and a gold layer are sequentially laminated, the present invention can be applied to a semiconductor laser device in which a package portion is composed of a resin package.
【００２７】具体的に説明すると、前記電極部及び配線
部の表面となる金層は化学的に安定しており、樹脂パッ
ケージ内に水分等が侵入した場合であっても、前記電極
部及び配線部に腐食、断線が発生することがないからで
ある。More specifically, the gold layer serving as the surface of the electrode portion and the wiring portion is chemically stable, and even if moisture or the like enters the resin package, the gold layer serving as the surface of the electrode portion and the wiring portion can be formed. This is because no corrosion or disconnection occurs in the portion.
【００２８】加えて、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子は、配線部のアルミニウム層とバリ
アーメタル層との間に第２酸化膜を介在させてなる構成
なので、信頼性を向上することができる。[0028] In addition, the semiconductor laser device light receiving device according to claim 5 of the present invention, the second oxide film since construction comprising interposed between the Aluminum bromide layer and the barrier metal layer of the wiring portion, trust Performance can be improved.
【００２９】具体的に説明すると、例えば、半導体レー
ザ装置用受光素子は第１導電性基板の表面にアルムミニ
ウム層が形成された後に、前記第１導電性基板の裏面に
裏面電極が形成されるが、その裏面電極形成の前に前記
第２酸化膜を形成することにより、裏面電極形成時に前
記配線部のアルミニウム層に傷が入ることを防止でき
る。これにより、前記配線部に断線等が発生することが
なくなり、半導体レーザ装置用受光素子の信頼性が向上
される。[0029] Specifically, for example, a light receiving element for a semiconductor laser device after alum mini <br/> um layer is formed on the surface of the first conductive substrate, the back surface to the back surface of the first conductive substrate electrodes are formed, but by forming the second oxide layer before the back electrode formation, it is possible to prevent the scratches into the Al mini um layer of the wiring portion when the back electrode is formed. Accordingly, disconnection or the like does not occur in the wiring portion, and the reliability of the light receiving element for a semiconductor laser device is improved.
【００３０】加えて、本発明の請求項６記載の半導体レ
ーザ装置は、光出力検出素子が上記請求項１記載の半導
体レーザ装置用受光素子からなり、該光出力検出素子の
半導体レーザ素子搭載用パッド部に前記半導体レーザ素
子が搭載されてなる構成なので、従来、半導体レーザ素
子を搭載していた金属製の台座部が不要となり、従来と
比較して小型化、薄型化、コスト低減が可能である。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser device, wherein the optical output detecting element comprises the light receiving element for a semiconductor laser device according to the first aspect of the present invention. Since the semiconductor laser element is mounted on the pad portion, a metal pedestal portion on which the semiconductor laser element is conventionally mounted becomes unnecessary, and the size, thickness, and cost can be reduced as compared with the related art. is there.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例よりな
る半導体レーザ装置用受光素子を用いてなる超小型ホロ
グラムレーザ装置を示す図であり、（ａ）は斜視図であ
り、（ｂ）は要部拡大斜視図である。FIG. 1 is a view showing an ultra-compact hologram laser device using a light receiving element for a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a perspective view, and FIG. (b) is an enlarged perspective view of a main part.
【００３２】図示の如く、該ホログラムレーザ装置２１
は、リードフレーム２２が樹脂によってインサートモー
ルドされた樹脂製ステム（樹脂パッケージ）２３内の中
空部に設けられた台座部２３ａ上に、後述する半導体レ
ーザ素子２７のレーザ光の出力をモニターする光出力検
出用受光素子付Ｓｉ−サブマウント（以下、単に「サブ
マウント」と称す。）２４、レーザ光立ち上げ用ミラー
２５及び信号検出用分割フォトダイオードチップ等から
なる信号検出素子２６が搭載され、前記サブマウント２
４上にレーザダイオードチップ等からなる半導体レーザ
素子２７が搭載され、窒素雰囲気中にて前記樹脂製ステ
ム２３の上面の窓部を覆うようにホログラム素子２８を
搭載することによって前記中空部を気密封止してなる構
造からなる。As shown, the hologram laser device 21
Is a light output for monitoring a laser light output of a semiconductor laser element 27 described later on a pedestal portion 23a provided in a hollow portion of a resin stem (resin package) 23 in which a lead frame 22 is insert-molded with resin. detecting light-receiving element with S i-submount (hereinafter, simply referred to as "submount".) 24, signal detection element 26 consisting of split mirror 25 and the signal detecting launching laser light photodiode chip, etc. are mounted, The submount 2
The semiconductor laser device 27 made of a laser diode chip or the like is mounted on the substrate 4, and the hologram device 28 is mounted in a nitrogen atmosphere so as to cover the window on the upper surface of the resin stem 23, so that the hollow portion is hermetically sealed. It consists of a stationary structure.
【００３３】前記サブマウント２４は、図２（ｇ）に示
すように、Ｎ型シリコン基板３２の表面にＰ型拡散領域
３２ａが形成され、該表面上に第１酸化膜（ＳｉＯ2）
３３を備え、該酸化膜３３の上に電極部３４及び素子搭
載用パッド部（以下、単に「パッド部」と称す。）３６
を備えるとともに前記酸化膜３３の一部を除去して前記
Ｐ型拡散領域３２ａと電極部３４とを接続する配線部３
５を備えてなり、前記電極部３４及び配線部３５並びに
パッド部３６がアルミニウム層３７、バリアーメタル層
３８、金層３９，４０を順次積層してなる構造からな
る。In the submount 24, as shown in FIG. 2G, a P-type diffusion region 32a is formed on a surface of an N-type silicon substrate 32, and a first oxide film (SiO 2 ) is formed on the surface.
An electrode portion 34 and an element mounting pad portion (hereinafter simply referred to as a “pad portion”) 36 are provided on the oxide film 33.
And a wiring portion 3 for connecting the P-type diffusion region 32a and the electrode portion 34 by removing a part of the oxide film 33.
It includes a 5, made from a structure wherein electrode portions 34 and the wiring portion 35 and the pad portion 36 is formed by laminating Aluminum bromide layer 37, the barrier metal layer 38, the gold layer 39 and 40 sequentially.
【００３４】前記バリアーメタル層３８は、例えばチタ
ン層，チタンとタングステンの合金層又はモリブデン層
等からなり、前記アルミニウム層３７と金層３９，４０
との積層を可能とするものである。即ち、アルムミウム
と金とは直接的な密着性が弱く、前記バリアーメタル層
３８を介在させなければ前記アルミニウム層３７の上に
金層３９，４０を設けることができないからである。[0034] The barrier metal layer 38 is, for example, a titanium layer, made of a titanium alloy layer of tungsten or molybdenum layer and the like, the Aluminum bromide layer 37 and gold layer 39, 40
And can be laminated. That is, Alm Mi um and weak direct adhesion to the gold, it is not possible to provide a gold layer 39, 40 on the Aluminum bromide layer 37 to be interposed the barrier metal layer 38.
【００３５】図中、４１は裏面電極である。In the drawing, reference numeral 41 denotes a back electrode.
【００３６】以下、上述したサブマウント２４の製造方
法を、以下図２に従って説明する。Hereinafter, a method of manufacturing the above-described submount 24 will be described with reference to FIG.
【００３７】まず、Ｎ型シリコン基板３２の所定の位置
にＰ型不純物の拡散を行いＰ型拡散領域３２ａを形成
し、該Ｐ型拡散領域３２ａが形成されたＮ型シリコン基
板３２の略々全表面に熱酸化又はＣＶＤ法で第１酸化膜
（ＳｉＯ2 ）３３を形成する。First, a P-type impurity is diffused at a predetermined position of the N-type silicon substrate 32 to form a P-type diffusion region 32a, and substantially all of the N-type silicon substrate 32 on which the P-type diffusion region 32a is formed. A first oxide film (SiO 2 ) 33 is formed on the surface by thermal oxidation or CVD.
【００３８】次に、図２（ａ）の如く、酸化膜３３が形
成されたシリコン基板３２に電極部３４の形成を行うた
め、フォトリソ技術を用いてコンタクト窓４２を形成す
る。次に、図２（ｂ）の如く、電子ビーム蒸着法又はス
パッタ蒸着法により電極部形成領域、配線部形成領域、
パッド部形成領域にアルミニウム層３７を形成する。こ
の後、Ｎ型シリコン基板３２とアルミニウム層３７との
オーミックコンタクトを取るため、また第１酸化膜３３
とアルミニウム層３７との密着性を向上させるため、５
００℃前後の温度でシンターを行う。Next, as shown in FIG. 2A, in order to form an electrode portion 34 on the silicon substrate 32 on which the oxide film 33 is formed, a contact window 42 is formed by using a photolithography technique. Next, as shown in FIG. 2B, an electrode portion forming region, a wiring portion forming region,
Forming an Aluminum bromide layer 37 in the pad portion formation region. Thereafter, since the ohmic contact of the N-type silicon substrate 32 and Aluminum bromide layer 37, also the first oxide film 33
To improve the adhesion between the Aluminum um layer 37 and, 5
Sintering is performed at a temperature of about 00 ° C.
【００３９】次に、Ｎ型シリコン基板３２の裏面に金属
を蒸着法又はスパッタ法にて形成し、熱処理を施して裏
面電極４１を形成する。Next, a metal is formed on the back surface of the N-type silicon substrate 32 by a vapor deposition method or a sputtering method, and heat treatment is performed to form a back electrode 41.
【００４０】次に、図２（ｃ）の如く、バリアーメタル
層３８を蒸着法又はスパッタ法にて形成し、該バリアー
メタル層３８上に第１の金層３９を蒸着法又はスパッタ
法あるいはメッキ法にて形成する。Next, as shown in FIG. 2C, a barrier metal layer 38 is formed by an evaporation method or a sputtering method, and a first gold layer 39 is formed on the barrier metal layer 38 by an evaporation method, a sputtering method, or plating. It is formed by a method.
【００４１】次に、図２（ｄ）の如く、フォトリソ技術
を用いて前記電極部形成領域、配線部形成領域及びパッ
ド部形成領域以外の部分をフォトレジスト４３にて覆
う。ここで、フォトレジストの開口部（フォトレジスト
４３にて覆わない部分）は前記電極部形成領域、配線部
形成領域及びパッド部形成領域よりも少し大きく開口し
ておく。Next, as shown in FIG. 2D, portions other than the electrode portion forming region, the wiring portion forming region and the pad portion forming region are covered with a photoresist 43 by using a photolithography technique. Here, the opening of the photoresist (the portion not covered by the photoresist 43) is slightly larger than the electrode forming region, the wiring forming region, and the pad forming region.
【００４２】次に、図２（ｅ）の如く、電界メッキ法に
てフォトレジスト４３の開口部を前記第１の金層３９よ
り１ケタ以上厚い第２の金層４０を形成する。該形成
は、予め第１の金層３９を形成しているため、メッキは
スムーズに行われ、第２の金層４０の膜厚も安定して形
成することができる。Next, as shown in FIG. 2E, a second gold layer 40 having an opening of a photoresist 43 one digit or more thicker than the first gold layer 39 is formed by an electroplating method. In this formation, since the first gold layer 39 is formed in advance, the plating is performed smoothly, and the thickness of the second gold layer 40 can be formed stably.
【００４３】次に、図２（ｆ）の如く、非メッキ面に形
成したフォトレジスト４３を専用ハクリ液を用いて除去
する。ここで、前記第２の金層４０をエッチングしても
該第２の金層４０は第１の金層３９より１ケタ以上厚く
形成されているので、電極部３４、配線部３５及びパッ
ド部３６表面に第２の金層４０が残り、図２（ｇ）の如
く、該電極部３４、配線部３５及びパッド部３６は表面
に第２の金層４０が露出した形状となる。上述したバリ
アーメタル層（例えば、チタンとタングステンとの合金
層）３８、第１の金層３９及び第２の金層４０の層厚の
具体的な数値を一例として述べると、バリアーメタル層
３８の層厚を０．２μｍとし、第１の金層３９を０．０
８μｍとし、第２の金層４０を３〜５μｍとする。Next, as shown in FIG. 2 (f), the photoresist 4 3 formed in the non-plating surface is removed using a dedicated peeling liquid. Here, even if the second gold layer 40 is etched, the second gold layer 40 is formed to be at least one digit thicker than the first gold layer 39, so that the electrode portion 34, the wiring portion 35, and the pad portion are formed. The second gold layer 40 remains on the surface 36, and as shown in FIG. 2G, the electrode portion 34, the wiring portion 35, and the pad portion 36 have a shape in which the second gold layer 40 is exposed on the surface. The specific numerical values of the thickness of the barrier metal layer (for example, an alloy layer of titanium and tungsten) 38, the first gold layer 39, and the second gold layer 40 will be described as an example. The layer thickness is 0.2 μm and the first gold layer 39 is 0.0
8 μm, and the second gold layer 40 has a thickness of 3 to 5 μm.
【００４４】上記構成によれば、本実施例のサブマウン
ト２４は、第１酸化膜３３の表面にアルミニウム層３
７、チタン層，チタンとタングステンとの合金層，モリ
ブデン層等からなるバリアーメタル層３８、金層３９，
４０が順次積層されてなるパッド部３６を設けてなる構
成なので、該パッド部３６のアルミニウム層３７と第１
酸化膜３３とが密着性に優れており、また、前記アルミ
ニウム層３７と金層３９との間にバリアーメタル層３８
を介すことにより前記アルミニウム層３７上に金層３
９，４０を設けることが可能となり、該金層４０はろう
材等を介してレーザダイオードチップ２７を搭載するこ
とが可能であるため、前記パッド部３６を介して安定し
て半導体レーザ素子２７を搭載すること可能となる。According to the above arrangement, the sub-mount 24 of this embodiment, Aluminum bromide layer 3 on the surface of the first oxide film 33
7, a barrier metal layer 38 composed of a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten, a molybdenum layer, a gold layer 39,
Because 40 of is provided with a pad portion 36 formed by sequentially stacking configuration, and Aluminum bromide layer 37 of the pad portion 36 first
And oxide film 33 is excellent in adhesion, also the barrier metal layer between the Aluminum <br/> um layer 37 and gold layer 39 38
Gold layer 3 on the Aluminum bromide layer 37 by interposing a
9,40 it is possible to provide a, for gold layer 40 is capable of mounting a laser diode chip 27 via a brazing material or the like, stable semiconductor laser device through the pads 3 6 27 Can be installed.
【００４５】該サブマウント２４をホログラムレーザ装
置に用いることにより、従来のように別途、金属製の台
座部を用いる必要がなくなり、半導体レーザ装置として
の小型化、薄型化、コスト低減が可能となる。By using the submount 24 in a hologram laser device, it is not necessary to use a separate metal pedestal as in the prior art, and it is possible to reduce the size, thickness and cost of the semiconductor laser device. .
【００４６】また、前記配線部３５及び電極部３４につ
いてもアルミニウム層３７、チタン層，チタンとタング
ステンとの合金層，モリブデン層等からなるバリアーメ
タル層３８、金層３９，４０が順次積層されてなる構成
なので、樹脂パッケージからなるホログラムレーザ装置
にも適用することができる。[0046] Also, Aluminum bromide layer 37 also the wiring portion 35 and the electrode 34, a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten, the barrier metal layer 38 made of molybdenum layers and the like, laminated gold layer 39 are sequentially The configuration described above can be applied to a hologram laser device including a resin package.
【００４７】即ち、前記電極部３４、配線部３５及びパ
ッド部３６の表面となる金層４０は化学的に安定してお
り、樹脂パッケージ内、即ち中空部に水分等が侵入した
場合であっても、前記電極部３４、配線部３５及びパッ
ド部３６に腐食、断線が発生することがないからであ
る。That is, the gold layer 40 which is the surface of the electrode portion 34, the wiring portion 35 and the pad portion 36 is chemically stable, and the moisture or the like enters the resin package, that is, the hollow portion. This is because no corrosion or disconnection occurs in the electrode portion 34, the wiring portion 35, and the pad portion 36.
【００４８】上記実施例においては、光出力検出素子２
４に半導体レーザ素子を搭載できるようにし、且つ樹脂
パッケージにも対応できる構造したが、個々に対応する
構造としても良い。In the above embodiment, the light output detecting element 2
Although the semiconductor laser device can be mounted on the device 4 and the structure can be adapted to a resin package, the structure can be individually adapted.
【００４９】即ち、従来例のような金属パッケージの半
導体レーザ装置に用いるのであれば、半導体レーザ素子
２７を直接ダイボンドする部分、即ちパッド部３６の
み、アルミニウム層３７，バリアーメタル層３８，金層
３９，４０を順次積層すれば良い。[0049] That is, if used in a semiconductor laser device of the metal package as in the prior art, part of die bonding the semiconductor laser element 27 directly, i.e. pad portion 36 only, Aluminum bromide layer 37, the barrier metal layer 38, gold The layers 39 and 40 may be sequentially stacked.
【００５０】また、樹脂パッケージの半導体レーザ装置
に用い、レーザダイオードチップ２７を従来のようなサ
ブマウントを用いて搭載するのであれば、上記実施例の
構造においてパッド部３６を設ける必要はない。即ち、
前記サブマウント２４を２分して左半分の構造とする。Further, if the laser diode chip 27 is mounted using a conventional submount for use in a resin packaged semiconductor laser device, it is not necessary to provide the pad portion 36 in the structure of the above embodiment. That is,
The submount 24 is divided into two parts to form a left half structure.
【００５１】以下、サブマウントの他の実施例を説明す
る。本実施例について、上記実施例のサブマウント２４
と相違する点のみ説明する。Hereinafter, another embodiment of the submount will be described. In this embodiment, the submount 24 of the above embodiment is used.
Only the differences will be described.
【００５２】本実施例のサブマウント２４は、電極部３
４及び配線部３５並びにパッド部３６がアルミニウム層
３７、ニッケル層（バリアーメタル層）４４、第３の金
層４５を順次積層してなる構造である。即ち、バリアー
メタル層４４にニッケル層を用いた点で上記実施例のサ
ブマウント２４と異なる。The submount 24 of the present embodiment has the
4 and the wiring portion 35 and the pad portion 36 Aluminum bromide layer 37, a nickel layer (barrier metal layer) 44, a structure in which a third of the gold layer 45 are sequentially laminated. That is, it differs from the submount 24 of the above embodiment in that a nickel layer is used for the barrier metal layer 44.
【００５３】該サブマウント２４ａの製造方法を、以下
図３に従って説明する。A method of manufacturing the submount 24a will be described below with reference to FIG.
【００５４】まず、Ｎ型シリコン基板３２の所定の位置
にＰ型不純物の拡散を行いＰ型拡散領域３２ａを形成
し、該Ｐ型拡散領域３２ａが形成されたＮ型シリコン基
板３２の略々全表面に熱酸化又はＣＶＤ法で第１酸化膜
（ＳｉＯ2 ）３３を形成する。First, a P-type impurity is diffused at a predetermined position of the N-type silicon substrate 32 to form a P-type diffusion region 32a, and substantially all of the N-type silicon substrate 32 on which the P-type diffusion region 32a is formed. A first oxide film (SiO 2 ) 33 is formed on the surface by thermal oxidation or CVD.
【００５５】次に、図３（ａ）の如く、酸化膜３３が形
成されたＮ型シリコン基板３２に電極部３４の形成を行
うため、フォトリソ技術を用いてコンタクト窓４２を形
成する。次に、図３（ｂ）の如く、電子ビーム蒸着法又
はスパッタ蒸着法により電極部形成領域、配線部形成領
域、パッド部形成領域にアルミニウム層３７を形成す
る。この後、Ｎ型シリコン基板３２とアルミニウム層３
７とのオーミックコンタクトを取るため、また酸化膜３
３とアルミニウム層３７との密着性を向上させるため、
５００℃前後の温度でシンターを行う。Next, as shown in FIG. 3A, a contact window 42 is formed using a photolithography technique in order to form an electrode portion 34 on the N-type silicon substrate 32 on which the oxide film 33 is formed. Next, as shown in FIG. 3 (b), the electrode portion formation region by an electron beam evaporation method or sputter deposition method, a wiring portion forming region and a Aluminum bromide layer 37 in the pad portion formation region. Thereafter, N-type silicon substrate 32 and Aluminum bromide layer 3
7 and an oxide film 3
To improve the adhesion between the 3 and Aluminum bromide layer 37,
Sintering is performed at a temperature of about 500 ° C.
【００５６】次に、シリコン基板３２の裏面に金属を蒸
着法又はスパッタ法にて形成し、熱処理を施して裏面電
極４１を形成する。Next, a metal is formed on the back surface of the silicon substrate 32 by an evaporation method or a sputtering method, and a heat treatment is performed to form a back electrode 41.
【００５７】次に、図３（ｃ）の如く、フォトリソ技術
を用いて電極部形成領域、配線部形成領域及びパッド部
形成領域以外の部分をフォトレジスト４３にて覆う。こ
こで、フォトレジストの開口部（フォトレジスト４３に
て覆わない部分）は前記電極部形成領域、配線部形成領
域及びパッド部形成領域よりも少し大きく開口してお
く。Next, as shown in FIG. 3C, portions other than the electrode portion forming region, the wiring portion forming region and the pad portion forming region are covered with a photoresist 43 by using a photolithography technique. Here, the opening of the photoresist (the portion not covered by the photoresist 43) is slightly larger than the electrode forming region, the wiring forming region, and the pad forming region.
【００５８】次に、図３（ｄ）の如く、無電界メッキ法
にて前記アルミニウム層３７上をニッケルで所定の厚み
までメッキし、ニッケル層４４を形成する。該ニッケル
メッキ終了後連続して無電界メッキ法にてニッケル層４
４の上に所定の厚みまで金をメッキし、第３の金層４５
を形成する。Next, as shown in FIG. 3 (d), the Aluminum bromide layer 37 above was plated up to a predetermined thickness with nickel in an electroless plating method to form a nickel layer 44. After the nickel plating, the nickel layer 4 is continuously formed by electroless plating.
4 is plated with gold to a predetermined thickness, and a third gold layer 45 is plated.
To form
【００５９】次に、図３（ｅ）の如く、非メッキ面に形
成したフォトレジスト４３を専用ハクリ液を用いて除去
することにより、電極部３４、配線部３５及びパッド部
３６は表面に第３の金層４５が露出した形状となる。Next, as shown in FIG. 3E, by removing the photoresist 43 formed on the non-plated surface using a special brush solution, the electrode portion 34, the wiring portion 35 and the pad portion 36 are formed on the surface. The third gold layer 45 is exposed.
【００６０】上述したニッケル層４４及び第３の金層４
５の層厚の具体的な数値を一例として述べると、ニッケ
ル層４４の層厚を２〜３μｍとし、第３の金層４５を
０．５〜２μｍとする。The above-described nickel layer 44 and third gold layer 4
Taking a specific example of the layer thickness of 5 as an example, the layer thickness of the nickel layer 44 is 2 to 3 μm, and the thickness of the third gold layer 45 is 0.5 to 2 μm.
【００６１】図４は、光出力検出素子のさらに他の実施
例を示す図であり、図２（ｇ）に示す実施例の光出力検
出素子（サブマウント２４）と相違する点のみ説明す
る。FIG. 4 is a view showing still another embodiment of the light output detecting element, and only the points different from the light output detecting element (submount 24) of the embodiment shown in FIG. 2 (g) will be described.
【００６２】該光出力検出素子（モニター用フォトダイ
オードチップ）２４ｂは、図２（ｇ）に示すサブマウン
ト２４の左半分よりなる構造であって、配線部３５のア
ルミニウム層３７とバリアーメタル層３８との間に第２
酸化膜（ＳｉＯ2）４６を介在させてなる構造である。 [0062] The light output detection element (monitoring photodiode chip) 24b is a Li Cheng structure by the left half of the submount 24 shown in FIG. 2 (g), the wiring portion 35 A <br/> Le Mi chloride layer 37 and the second between the barrier metal layer 38
This structure has an oxide film (SiO 2 ) 46 interposed therebetween .
【００６３】該光出力検出素子２４ｂの製造方法を上記
実施例のサブマウント２４の製造方法と相違する点のみ
説明すると、アルミニウム層３７形成後のシンター処理
後であって、裏面電極４１の形成前に前記第２酸化膜４
６を形成する。具体的に説明すると、表面全面を熱酸化
又はＣＶＤ法で第２酸化膜でカバーした後、フォトリソ
技術で電極部形成領域の一部又は全面積の前記第２酸化
膜を除去して形成する。なお、図５（ａ）乃至（ｄ）に
該光出力検出素子２４ｂの製造工程図を示す。[0063] When the manufacturing method of the light output detection element 24b will be described only the difference from the manufacturing method of the submount 24 of the above embodiment, even after sintering process of Aluminum um layer 37 after the formation of the back electrode 41 Before forming the second oxide film 4
6 is formed. More specifically, after the entire surface is covered with a second oxide film by thermal oxidation or CVD, the second oxide film is formed by removing part or the entire area of the electrode formation region by photolithography. 5 (a) to 5 (d) show manufacturing process diagrams of the light output detection element 24b.
【００６４】このように、裏面電極４１形成の前に前記
第２酸化膜４６を形成することにより、裏面電極４１形
成時に前記アルミニウム層（配線部）３７に傷が入るこ
とを防止できる。これにより、前記配線部３７に断線等
が発生することがなくなり、特性劣化，動作不良等が生
じなくなり、光出力検出素子２４ｂの信頼性が向上され
る。[0064] By thus forming the second oxide layer 46 prior to the back electrode 41 formed, it is possible to prevent the scratches entering the Aluminum bromide layer (wiring portion) 37 at the back surface electrode 41 formed. As a result, disconnection or the like does not occur in the wiring portion 37, characteristic deterioration, operation failure, and the like do not occur, and the reliability of the optical output detection element 24b is improved.
【００６５】なお、上述した実施例においては、レーザ
光モニター用フォトダイオードを用いて説明したが、信
号処理用分割ダイオードの電極部，配線部も同様に形成
することにより、樹脂パッケージの半導体レーザ装置に
対応させることができる。In the above-described embodiment, the description has been made using the laser light monitoring photodiode. However, the electrode portion and the wiring portion of the divided diode for signal processing are formed in the same manner, so that the semiconductor laser device of the resin package is formed. Can be made to correspond.
【００６６】[0066]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の半導体レーザ装置用受光素子によれば、第１酸化
膜の表面にアルミニウム層、チタン層，チタンとタング
ステンとの合金層，モリブデン層又はニッケル層からな
るバリアーメタル層、金層が順次積層されてなる半導体
レーザ素子搭載用パッド部を設けてなる構成なので、該
半導体レーザ素子搭載用パッド部を介して半導体レーザ
素子を安定して搭載することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention,
According to the semiconductor laser device light receiving device according, Aluminum bromide layer on the surface of the first oxide layer, a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten, a barrier metal layer of molybdenum layer or a nickel layer, a gold layer are sequentially Since the semiconductor laser device mounting pad portion is provided in a stacked manner, the semiconductor laser device can be mounted stably via the semiconductor laser device mounting pad portion.
【００６７】また、本発明の請求項２，又は４記載の半
導体レーザ装置用受光素子によれば、前記配線部及び電
極部がアルミニウム層、チタン層，チタンとタングステ
ンとの合金層，モリブデン層又はニッケル層からなるバ
リアーメタル層、金層が順次積層されてなる構成なの
で、パッケージ部が樹脂パッケージからなる半導体レー
ザ装置にも適用することができる。[0067] Further, according to the semiconductor laser device light receiving device according to claim 2, or 4 of the present invention, the wiring portion and electrode portion Aluminum bromide layer, a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten, molybdenum Since the barrier metal layer and the gold layer made of a layer or a nickel layer are sequentially laminated, the present invention can also be applied to a semiconductor laser device having a package portion made of a resin package.
【００６８】さらに、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置用受光素子によれば、配線部のアルミニウム層
とバリアーメタル層との間に第２酸化膜を介在させてな
る構成なので、信頼性を向上することができる。[0068] Further, according to the semiconductor laser device light receiving device according to claim 5 of the present invention, the second oxide film since construction comprising interposed between the Aluminum bromide layer and the barrier metal layer of the wiring portion, Reliability can be improved.
【００６９】加えて、本発明の請求項６記載の半導体レ
ーザ装置によれば、光出力検出素子が上記請求項１記載
の半導体レーザ装置用受光素子からなり、該光出力検出
素子の半導体レーザ素子搭載用パッド部に前記半導体レ
ーザ素子が搭載されてなる構成なので、従来、半導体レ
ーザ素子を搭載していた金属製の台座部が不要となり、
従来と比較して小型化、薄型化、コスト低減が可能とな
る。In addition, according to the semiconductor laser device of the sixth aspect of the present invention, the light output detecting element comprises the light receiving element for the semiconductor laser device of the first aspect, and the semiconductor laser element of the light output detecting element Since the configuration is such that the semiconductor laser device is mounted on the mounting pad portion, the metal base portion on which the semiconductor laser device has been mounted conventionally becomes unnecessary,
It is possible to reduce the size, thickness, and cost as compared with the related art.
【図１】本発明の一実施例よりなる光出力検出素子及び
これを用いた半導体レーザ装置を示す図であり、（ａ）
は斜視図であり、（ｂ）は要部拡大斜視図である。FIG. 1 is a diagram showing an optical output detection element according to an embodiment of the present invention and a semiconductor laser device using the same, FIG.
Is a perspective view, and (b) is an enlarged perspective view of a main part.
【図２】図１に示す光出力検出素子の製造工程図であ
る。FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the light output detection element shown in FIG.
【図３】他の実施例よりなる光出力検出素子の製造工程
図である。FIG. 3 is a manufacturing process diagram of a light output detection element according to another embodiment.
【図４】光出力検出素子のさらにに他の実施例を示す断
面図である。FIG. 4 is a sectional view showing still another embodiment of the light output detection element.
【図５】図４に示す光出力検出素子の製造工程図であ
る。FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the optical output detection element shown in FIG. 4;
【図６】従来例を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a conventional example.
【図７】図６に示す光出力検出素子の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the light output detection element shown in FIG.
【図８】提案例におけるレーザ光モニター用フォトダイ
オードの構造を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a structure of a laser light monitoring photodiode according to a proposed example.
２１ ホログラムレーザ装置（半導体レーザ装置） ２３ 樹脂製ステム（樹脂パッケージ） ２４，２４ａ 光出力検出用受光素子付Ｓｉ−サブマウ
ント（光出力検出素子) ２４ｂ 光出力検出素子 ２５ レーザ光立ち上げ用ミラー ２６ 信号検出用分割フォトダイオード（信号検出素
子） ２７ レーザダイオードチップ（半導体レーザ素子） ２８ ホログラム素子 ３２ シリコン基板 ３３ 第１酸化膜 ３４ 電極部 ３５ 配線部 ３６ 半導体レーザ素子搭載用パッド部 ３７ アルミニウム層 ３８，４４ バリアーメタル層 ３９ 第１の金層 ４０ 第２の金層 ４１ 裏面電極 ４２ コンタクト窓 ４３ フォトレジスト ４５ 第３の金層 ４６ 第２酸化膜21 hologram laser device (semiconductor laser device) 23 resin stem (resin package) 24, 24a light output detection for S i-submount with the light receiving element (optical output detecting element) 24b light output detection device 25 the laser beam raising mirror 26 Divided Photodiode for Signal Detection (Signal Detection Element) 27 Laser Diode Chip (Semiconductor Laser Element) 28 Hologram Element 32 Silicon Substrate 33 First Oxide Film 34 Electrode 35 Wiring 36 Semiconductor Laser Element Mounting Pad 37 Aluminum Layer 38 , 44 barrier metal layer 39 first gold layer 40 second gold layer 41 back electrode 42 contact window 43 photoresist 45 third gold layer 46 second oxide film
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−177135（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−5990（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−84358（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−158969（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−81048（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/00 - 31/119 H01S 5/00 - 5/50 Continuation of the front page (56) References JP-A-6-177135 (JP, A) JP-A-6-5990 (JP, A) JP-A 2-84358 (JP, U) JP-A 61-158969 (JP) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 31/00-31/119 H01S 5/00-5/50
Claims (6)
導電型基板と、該第２導電型基板の表面に形成された第
１酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形成された電極部
と、前記第１酸化膜の一部を除去して前記第１導電型領
域と電極部とを接続する配線部とを備えてなり、半導体
レーザ装置のパッケージ部に半導体レーザ素子とともに
封止される半導体レーザ装置用受光素子において、 前記第１酸化膜の表面にアルミニウム層、該アルミニウ
ム層を被覆するバリアーメタル層、金層を順次積層して
なる半導体レーザ素子搭載用パッド部を設けてなること
を特徴とする半導体レーザ装置用受光素子。A first conductive type region formed on a surface of the second conductive type region;
Removing a conductive type substrate, a first oxide film formed on a surface of the second conductive type substrate, an electrode portion formed on a surface of the first oxide film, and a part of the first oxide film; it and a wiring part that connects the first conductivity type region and the electrode portion, the semiconductor laser element together with the package of the semiconductor laser device
In the semiconductor laser device for the light receiving element to be sealed, the surface Aluminum bromide layer of the first oxide film, a barrier metal layer covering said aluminum layer, a semiconductor laser element mounting pad unit comprising a gold layer are sequentially stacked A light receiving element for a semiconductor laser device, comprising:
層、該アルミニウム層を被覆するバリアーメタル層、金
層が順次積層されてなることを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ装置用受光素子。Wherein said electrode portions and the wiring portions Aluminum bromide layer, the barrier metal layer covering the aluminum layer, the light-receiving semiconductor laser device according to claim 1, wherein the gold layer is characterized by comprising sequentially laminated element.
タン，タングステンの合金層、モリブデン層又はニッケ
ル層等からなることを特徴とする請求項１又は２記載の
半導体レーザ装置用受光素子。3. The light-receiving element for a semiconductor laser device according to claim 1, wherein said barrier metal layer comprises a titanium layer, an alloy layer of titanium and tungsten, a molybdenum layer, a nickel layer, or the like.
導電型基板と、該第２導電型基板の表面に形成された第
１酸化膜と、該第１酸化膜の表面に形成された電極部
と、前記第１酸化膜の一部を除去して前記第１導電型領
域と電極部とを接続する配線部とを備えてなり、半導体
レーザ装置のパッケージ部に半導体レーザ素子とともに
封止される半導体レーザ装置用受光素子において、 前記電極部及び配線部はアルミニウム層、該アルミニウ
ム層を被覆するバリアーメタル層、金層が順次積層され
てなることを特徴とする半導体レーザ装置用受光素子。4. A second conductive type region formed on a surface of the second conductive type region.
Removing a conductive type substrate, a first oxide film formed on a surface of the second conductive type substrate, an electrode portion formed on a surface of the first oxide film, and a part of the first oxide film; it and a wiring part that connects the first conductivity type region and the electrode portion, the semiconductor laser element together with the package of the semiconductor laser device
In the semiconductor laser device for the light receiving element to be sealed, the electrode portions and the wiring portions semiconductor laser device characterized by Aluminum bromide layer, the barrier metal layer covering said aluminum layer, a gold layer are sequentially stacked Light receiving element.
メタル層との間に第２酸化膜を介在してなることを特徴
とする請求項４記載の半導体レーザ装置用受光素子。5. A semiconductor laser device for the light-receiving element according to claim 4, characterized in that interposed a second oxide layer between the Aluminum bromide layer and the barrier metal layer of the wiring portion.
子の光出力をモニターする光出力検出素子と、前記半導
体レーザ素子にて出射した光が光ディスクに照射され該
光ディスクにて反射された反射光を受光する信号検出素
子と、前記半導体レーザ素子、光出力検出素子及び信号
検出素子を封止し前記半導体レーザ素子からの出射光を
外部に放射する位置にホログラム素子を備えたパッケー
ジ部とを備えてなる半導体レーザ装置において、 前記光出力検出素子が上記請求項１記載の半導体レーザ
装置用受光素子からなり、該光出力検出素子の半導体レ
ーザ素子搭載用パッド部に前記半導体レーザ素子が搭載
されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。6. A semiconductor laser element, an optical output detection element for monitoring an optical output of the semiconductor laser element, and a light emitted from the semiconductor laser element irradiating an optical disk and reflecting light reflected by the optical disk. It comprises a signal detecting element for receiving, the semiconductor laser device, in a position to emit the emitted light to the outside of the light output detection element and a signal detecting element from the sealing to the semiconductor laser device and a package unit having a hologram element 2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the light output detecting element comprises the light receiving element for a semiconductor laser device according to claim 1, wherein the semiconductor laser element is mounted on a semiconductor laser element mounting pad of the light output detecting element. A semiconductor laser device characterized by the above-mentioned.
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