JP3186729B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にプラスチック型CCD中空PKG(パッケ−
ジ)用を有する半導体装置に関する。
し、特にプラスチック型CCD中空PKG(パッケ−
ジ)用を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、発熱源を有する半導体装置として
は、例えば特開昭61−222384号公報の半導体装
置およびその製造方法や、特開平6−283616号公
報の半導体装置及び半導体装置用金型などが提案されて
いる。
は、例えば特開昭61−222384号公報の半導体装
置およびその製造方法や、特開平6−283616号公
報の半導体装置及び半導体装置用金型などが提案されて
いる。
【0003】前者はカラー固体撮像装置に関するもので
あり、図3にその斜視図を示す。図3において、透明基
板を有する固体撮像素子(CCD)101をリードフレ
ーム112上に設置し、透明基板の上面に開口部118
を設けるべく、透明基板の外線を含み、半導体素子及び
リードフレーム112の一部を樹脂119で形成するよ
うになっている。
あり、図3にその斜視図を示す。図3において、透明基
板を有する固体撮像素子(CCD)101をリードフレ
ーム112上に設置し、透明基板の上面に開口部118
を設けるべく、透明基板の外線を含み、半導体素子及び
リードフレーム112の一部を樹脂119で形成するよ
うになっている。
【0004】また、後者もCCDを有する半導体装置に
関するものであり、図4にその構成を示す断面図を示
す。図4において、凹み部230を有するプラスチック
リッド229を半導体チップ202(CCDエリアセン
サなど)が配された基台221に載せ、基台221との
間の隙間に接着剤232を入れて基台221と接着する
ようになっている。
関するものであり、図4にその構成を示す断面図を示
す。図4において、凹み部230を有するプラスチック
リッド229を半導体チップ202(CCDエリアセン
サなど)が配された基台221に載せ、基台221との
間の隙間に接着剤232を入れて基台221と接着する
ようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置においては、CCDの動作時、その
出力部にある信号増幅素子が発熱源となり、次に説明す
るような理由からここからの発熱が十分に放熱されない
ため、温度特性絡みの問題が発生していた。
た従来の半導体装置においては、CCDの動作時、その
出力部にある信号増幅素子が発熱源となり、次に説明す
るような理由からここからの発熱が十分に放熱されない
ため、温度特性絡みの問題が発生していた。
【0006】すなわち、CCDはその機能上中空構造と
なっており、CCD内の発熱源からの発熱は、内部の中
空部及びCCDをマウントするアイランドを経路にして
放熱される。しかし、中空部の空気は熱伝導度が低く、
また、アイランドはCCDの熱履歴緩和を考慮して、金
属部分を連続する台形状に打ち抜いて細くしていること
から、熱源からの放熱量が不充分になるのである。
なっており、CCD内の発熱源からの発熱は、内部の中
空部及びCCDをマウントするアイランドを経路にして
放熱される。しかし、中空部の空気は熱伝導度が低く、
また、アイランドはCCDの熱履歴緩和を考慮して、金
属部分を連続する台形状に打ち抜いて細くしていること
から、熱源からの放熱量が不充分になるのである。
【0007】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、発熱源からの発熱を迅速に放熱することが
可能な半導体装置を提供することを目的としている。
れたもので、発熱源からの発熱を迅速に放熱することが
可能な半導体装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、リードフレームのアイランド部が波型形状であり、
半導体チップに局在する発熱源直下のアイランド部にの
みフラット部を設けたことを特徴とし、これにより上記
目的を達成することができる(請求項1)。
は、リードフレームのアイランド部が波型形状であり、
半導体チップに局在する発熱源直下のアイランド部にの
みフラット部を設けたことを特徴とし、これにより上記
目的を達成することができる(請求項1)。
【0009】本発明に係る半導体装置は、前記フラット
部の直下に放熱部材を突設したことを特徴とし、これに
より上記目的を達成することができる(請求項2)。
部の直下に放熱部材を突設したことを特徴とし、これに
より上記目的を達成することができる(請求項2)。
【0010】また、本発明においては、前記半導体チッ
プはプラスチック型CCD中空PKGに封止されたCC
Dであり、前記発熱源は信号増幅用素子であることを特
徴とする(請求項3)。
プはプラスチック型CCD中空PKGに封止されたCC
Dであり、前記発熱源は信号増幅用素子であることを特
徴とする(請求項3)。
【0011】(作用)本発明に係る半導体装置によれ
ば、発熱源直下のアイランド部の面積がフラット部によ
って拡大されるので、発熱源からの発熱を迅速に放熱で
きる(請求項1)。
ば、発熱源直下のアイランド部の面積がフラット部によ
って拡大されるので、発熱源からの発熱を迅速に放熱で
きる(請求項1)。
【0012】また、発熱源直下のアイランド部の断面積
が放熱部材によって拡大されるので、発熱源からの発熱
を迅速に放熱できる(請求項2)。
が放熱部材によって拡大されるので、発熱源からの発熱
を迅速に放熱できる(請求項2)。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態を示
す図、図2は本発明に係る半導体装置の第2の実施の形
態の断面図である。
実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態を示
す図、図2は本発明に係る半導体装置の第2の実施の形
態の断面図である。
【0014】(第1の実施の形態) 図1に示すように、本発明に係る第1の実施の形態の半
導体装置は、銅材を圧延、加工、成形することにより得
られるリ−ドフレ−ム1を使用している。このリードフ
レーム1には、半導体チップである例えばプラスチック
CCD中空PKGに封止されたCCD4をマウントする
ためのアイランド部2が、台形状の打ち抜き部を連続的
に加工することにより設けられている。また、アイラン
ド部2の一部分には、打ち抜き加工をしないフラット部
21が設けられている。なお、図中の符号3はインナー
リード部である。
導体装置は、銅材を圧延、加工、成形することにより得
られるリ−ドフレ−ム1を使用している。このリードフ
レーム1には、半導体チップである例えばプラスチック
CCD中空PKGに封止されたCCD4をマウントする
ためのアイランド部2が、台形状の打ち抜き部を連続的
に加工することにより設けられている。また、アイラン
ド部2の一部分には、打ち抜き加工をしないフラット部
21が設けられている。なお、図中の符号3はインナー
リード部である。
【0015】プラスチックCCD中空PKGに封止され
たCCD4は、樹脂系の材料によってアイランド部2上
にマウントされる。このときには、プラスチックCCD
中空PKGに封止されたCCD4に設けられている発熱
源、即ち信号増幅用素子部がフラット部21の範囲内に
位置するように設置される。
たCCD4は、樹脂系の材料によってアイランド部2上
にマウントされる。このときには、プラスチックCCD
中空PKGに封止されたCCD4に設けられている発熱
源、即ち信号増幅用素子部がフラット部21の範囲内に
位置するように設置される。
【0016】この半導体装置においては、プラスチック
CCD中空PKGに封止されたCCD4内に局在する発
熱源である信号増幅用素子部からの発熱がその周囲の空
気と、信号増幅用素子部の直下のフラット部21と、プ
ラスチックCCD中空PKGに封止されたCCD4の電
極(図示せず)及びインナーリード部3とを経て放熱さ
れる。
CCD中空PKGに封止されたCCD4内に局在する発
熱源である信号増幅用素子部からの発熱がその周囲の空
気と、信号増幅用素子部の直下のフラット部21と、プ
ラスチックCCD中空PKGに封止されたCCD4の電
極(図示せず)及びインナーリード部3とを経て放熱さ
れる。
【0017】そして、上述のように本発明では、アイラ
ンド部2に打ち抜き加工をしないフラット部21を設け
たので、このフラット部21の熱容量がその他のアイラ
ンド部2より大きくなり、熱伝導度が高くなる。これに
より、発熱源である信号増幅用素子部からの発熱を迅速
に放熱することができるので、プラスチックCCD中空
PKGに封止されたCCD4に温度特性絡みの問題が発
生するのを防止できる。
ンド部2に打ち抜き加工をしないフラット部21を設け
たので、このフラット部21の熱容量がその他のアイラ
ンド部2より大きくなり、熱伝導度が高くなる。これに
より、発熱源である信号増幅用素子部からの発熱を迅速
に放熱することができるので、プラスチックCCD中空
PKGに封止されたCCD4に温度特性絡みの問題が発
生するのを防止できる。
【0018】なお、上述のフラット部21を含むアイラ
ンド部2の材料は、熱放散により有利な熱伝導度の高い
ものを選定する。例えばCu系のEFTEC64(50
00×10-4)等で熱伝導度の高い金属であればよく、
Cu系のKLF−4(1800×10-4cal/cmsec℃)
等を使用できる。
ンド部2の材料は、熱放散により有利な熱伝導度の高い
ものを選定する。例えばCu系のEFTEC64(50
00×10-4)等で熱伝導度の高い金属であればよく、
Cu系のKLF−4(1800×10-4cal/cmsec℃)
等を使用できる。
【0019】(第2の実施の形態) 図2は、本発明に係る半導体装置の第2の実施の形態の
断面図である。この半導体装置は、半導体チップである
プラスチックCCD中空PKGに封止されたCCD4の
裏面側に、アイランド部2の一部が見えるように細長く
なっている開口部6,7が設けられている。開口部6は
アイランド部2に対応しており、開口部7はインナ−リ
−ド部3に対応している。なお、図中の符号5はエポキ
シ樹脂、8はキャップ、9は中空部である。
断面図である。この半導体装置は、半導体チップである
プラスチックCCD中空PKGに封止されたCCD4の
裏面側に、アイランド部2の一部が見えるように細長く
なっている開口部6,7が設けられている。開口部6は
アイランド部2に対応しており、開口部7はインナ−リ
−ド部3に対応している。なお、図中の符号5はエポキ
シ樹脂、8はキャップ、9は中空部である。
【0020】これらの開口部6,7は、プラスチックC
CD中空PKGに封止されたCCD4と、インナーリ−
ド部3とを金属細線(図示せず)で接続する際に両接続
部を加熱するためにヒ−タブロック(図示せず)を当て
るためのものであり、金属細線の接続が終了した後は開
口部6,7をUV硬化樹脂で埋めることにより密封して
いる。
CD中空PKGに封止されたCCD4と、インナーリ−
ド部3とを金属細線(図示せず)で接続する際に両接続
部を加熱するためにヒ−タブロック(図示せず)を当て
るためのものであり、金属細線の接続が終了した後は開
口部6,7をUV硬化樹脂で埋めることにより密封して
いる。
【0021】そして、このUV硬化樹脂の熱伝導度は比
較的低いため、例えば銀ペーストなど熱伝導度の高い物
質によってアイランド部2の下部側に放熱部材、例えば
銅等の金属片22を突設する。そして、この金属片22
をUV硬化樹脂に埋め込む。これによって、アイランド
部2と金属片22との両方で放熱することが可能にな
る。
較的低いため、例えば銀ペーストなど熱伝導度の高い物
質によってアイランド部2の下部側に放熱部材、例えば
銅等の金属片22を突設する。そして、この金属片22
をUV硬化樹脂に埋め込む。これによって、アイランド
部2と金属片22との両方で放熱することが可能にな
る。
【0022】したがって、アイランド部2に接触してい
るプラスチックCCD中空PKGに封止されたCCD4
内の発熱源である信号増幅用素子部からの放熱経路が拡
大され、放熱を迅速に行うことができる。この第2の実
施の形態と上述の第1の実施の形態は、それぞれ別々に
実施することができ、また、併用することにより更に大
きな相乗効果を上げることができる。
るプラスチックCCD中空PKGに封止されたCCD4
内の発熱源である信号増幅用素子部からの放熱経路が拡
大され、放熱を迅速に行うことができる。この第2の実
施の形態と上述の第1の実施の形態は、それぞれ別々に
実施することができ、また、併用することにより更に大
きな相乗効果を上げることができる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置によれば、発熱源直下のアイランド部の面積がフ
ラット部によって拡大されるので、発熱源からの発熱を
迅速に放熱でき、これにより、半導体チップの温度特性
に絡む問題が発生するのを防止できる(請求項1)。
体装置によれば、発熱源直下のアイランド部の面積がフ
ラット部によって拡大されるので、発熱源からの発熱を
迅速に放熱でき、これにより、半導体チップの温度特性
に絡む問題が発生するのを防止できる(請求項1)。
【0024】また、発熱源直下のアイランド部の断面積
が放熱部材によって拡大されるので、これまた発熱源か
らの発熱を迅速に放熱でき、半導体チップの温度特性に
絡む問題が発生するのを防止できる(請求項2)。
が放熱部材によって拡大されるので、これまた発熱源か
らの発熱を迅速に放熱でき、半導体チップの温度特性に
絡む問題が発生するのを防止できる(請求項2)。
【図1】本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の第2の実施の形態の
断面図である。
断面図である。
【図3】従来のカラー固体撮像装置の斜視図である。
【図4】従来のCCDを有する半導体装置の断面図であ
る。
る。
2 アイランド部 4 プラスチック型CCD中空PKGに封止されたCC
D(半導体チップ) 21 フラット部 22 金属片(放熱部材)
D(半導体チップ) 21 フラット部 22 金属片(放熱部材)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−5726(JP,A) 特開 平10−209360(JP,A) 特開 平10−200025(JP,A) 特開 平7−161954(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/14 - 27/148 H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項1】 リードフレームのアイランド部が波型形
状であり、半導体チップに局在する発熱源直下のアイラ
ンド部にのみフラット部を設けたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】 前記フラット部の直下に放熱部材を突設
したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記半導体チップはプラスチック型CC
D中空PKGに封止されたCCDであり、前記発熱源は
信号増幅用素子であることを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02857699A JP3186729B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体装置 |
TW89101811A TW449888B (en) | 1999-02-05 | 2000-02-02 | Lead frame used for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02857699A JP3186729B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000228475A JP2000228475A (ja) | 2000-08-15 |
JP3186729B2 true JP3186729B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=12252442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02857699A Expired - Fee Related JP3186729B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3186729B2 (ja) |
TW (1) | TW449888B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303484A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像装置、固体撮像素子収納用ケース及び製造方法 |
JP4708175B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-06-22 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2008181951A (ja) | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP5110575B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-12-26 | エムテックスマツムラ株式会社 | 中空パッケージ及び半導体装置 |
CN111326429B (zh) * | 2020-03-06 | 2021-08-06 | 浙江工业职业技术学院 | 一种双基岛散热芯片封装工序 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP02857699A patent/JP3186729B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-02 TW TW89101811A patent/TW449888B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000228475A (ja) | 2000-08-15 |
TW449888B (en) | 2001-08-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |