JP3186729B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にプラスチック型ＣＣＤ中空ＰＫＧ（パッケ−
ジ）用を有する半導体装置に関する。
し、特にプラスチック型ＣＣＤ中空ＰＫＧ（パッケ−
ジ）用を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発熱源を有する半導体装置として
は、例えば特開昭６１−２２２３８４号公報の半導体装
置およびその製造方法や、特開平６−２８３６１６号公
報の半導体装置及び半導体装置用金型などが提案されて
いる。
は、例えば特開昭６１−２２２３８４号公報の半導体装
置およびその製造方法や、特開平６−２８３６１６号公
報の半導体装置及び半導体装置用金型などが提案されて
いる。
【０００３】前者はカラー固体撮像装置に関するもので
あり、図３にその斜視図を示す。図３において、透明基
板を有する固体撮像素子（ＣＣＤ）１０１をリードフレ
ーム１１２上に設置し、透明基板の上面に開口部１１８
を設けるべく、透明基板の外線を含み、半導体素子及び
リードフレーム１１２の一部を樹脂１１９で形成するよ
うになっている。
あり、図３にその斜視図を示す。図３において、透明基
板を有する固体撮像素子（ＣＣＤ）１０１をリードフレ
ーム１１２上に設置し、透明基板の上面に開口部１１８
を設けるべく、透明基板の外線を含み、半導体素子及び
リードフレーム１１２の一部を樹脂１１９で形成するよ
うになっている。
【０００４】また、後者もＣＣＤを有する半導体装置に
関するものであり、図４にその構成を示す断面図を示
す。図４において、凹み部２３０を有するプラスチック
リッド２２９を半導体チップ２０２（ＣＣＤエリアセン
サなど）が配された基台２２１に載せ、基台２２１との
間の隙間に接着剤２３２を入れて基台２２１と接着する
ようになっている。
関するものであり、図４にその構成を示す断面図を示
す。図４において、凹み部２３０を有するプラスチック
リッド２２９を半導体チップ２０２（ＣＣＤエリアセン
サなど）が配された基台２２１に載せ、基台２２１との
間の隙間に接着剤２３２を入れて基台２２１と接着する
ようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置においては、ＣＣＤの動作時、その
出力部にある信号増幅素子が発熱源となり、次に説明す
るような理由からここからの発熱が十分に放熱されない
ため、温度特性絡みの問題が発生していた。
た従来の半導体装置においては、ＣＣＤの動作時、その
出力部にある信号増幅素子が発熱源となり、次に説明す
るような理由からここからの発熱が十分に放熱されない
ため、温度特性絡みの問題が発生していた。
【０００６】すなわち、ＣＣＤはその機能上中空構造と
なっており、ＣＣＤ内の発熱源からの発熱は、内部の中
空部及びＣＣＤをマウントするアイランドを経路にして
放熱される。しかし、中空部の空気は熱伝導度が低く、
また、アイランドはＣＣＤの熱履歴緩和を考慮して、金
属部分を連続する台形状に打ち抜いて細くしていること
から、熱源からの放熱量が不充分になるのである。
なっており、ＣＣＤ内の発熱源からの発熱は、内部の中
空部及びＣＣＤをマウントするアイランドを経路にして
放熱される。しかし、中空部の空気は熱伝導度が低く、
また、アイランドはＣＣＤの熱履歴緩和を考慮して、金
属部分を連続する台形状に打ち抜いて細くしていること
から、熱源からの放熱量が不充分になるのである。
【０００７】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、発熱源からの発熱を迅速に放熱することが
可能な半導体装置を提供することを目的としている。
れたもので、発熱源からの発熱を迅速に放熱することが
可能な半導体装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、リードフレームのアイランド部が波型形状であり、
半導体チップに局在する発熱源直下のアイランド部にの
みフラット部を設けたことを特徴とし、これにより上記
目的を達成することができる（請求項１）。
は、リードフレームのアイランド部が波型形状であり、
半導体チップに局在する発熱源直下のアイランド部にの
みフラット部を設けたことを特徴とし、これにより上記
目的を達成することができる（請求項１）。
【０００９】本発明に係る半導体装置は、前記フラット
部の直下に放熱部材を突設したことを特徴とし、これに
より上記目的を達成することができる（請求項２）。
部の直下に放熱部材を突設したことを特徴とし、これに
より上記目的を達成することができる（請求項２）。
【００１０】また、本発明においては、前記半導体チッ
プはプラスチック型ＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣ
Ｄであり、前記発熱源は信号増幅用素子であることを特
徴とする（請求項３）。
プはプラスチック型ＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣ
Ｄであり、前記発熱源は信号増幅用素子であることを特
徴とする（請求項３）。
【００１１】（作用）本発明に係る半導体装置によれ
ば、発熱源直下のアイランド部の面積がフラット部によ
って拡大されるので、発熱源からの発熱を迅速に放熱で
きる（請求項１）。
ば、発熱源直下のアイランド部の面積がフラット部によ
って拡大されるので、発熱源からの発熱を迅速に放熱で
きる（請求項１）。
【００１２】また、発熱源直下のアイランド部の断面積
が放熱部材によって拡大されるので、発熱源からの発熱
を迅速に放熱できる（請求項２）。
が放熱部材によって拡大されるので、発熱源からの発熱
を迅速に放熱できる（請求項２）。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明に係る半導体装置の第１の実施の形態を示
す図、図２は本発明に係る半導体装置の第２の実施の形
態の断面図である。
実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明に係る半導体装置の第１の実施の形態を示
す図、図２は本発明に係る半導体装置の第２の実施の形
態の断面図である。
【００１４】（第１の実施の形態） 図１に示すように、本発明に係る第１の実施の形態の半
導体装置は、銅材を圧延、加工、成形することにより得
られるリ−ドフレ−ム１を使用している。このリードフ
レーム１には、半導体チップである例えばプラスチック
ＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４をマウントする
ためのアイランド部２が、台形状の打ち抜き部を連続的
に加工することにより設けられている。また、アイラン
ド部２の一部分には、打ち抜き加工をしないフラット部
２１が設けられている。なお、図中の符号３はインナー
リード部である。
導体装置は、銅材を圧延、加工、成形することにより得
られるリ−ドフレ−ム１を使用している。このリードフ
レーム１には、半導体チップである例えばプラスチック
ＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４をマウントする
ためのアイランド部２が、台形状の打ち抜き部を連続的
に加工することにより設けられている。また、アイラン
ド部２の一部分には、打ち抜き加工をしないフラット部
２１が設けられている。なお、図中の符号３はインナー
リード部である。
【００１５】プラスチックＣＣＤ中空ＰＫＧに封止され
たＣＣＤ４は、樹脂系の材料によってアイランド部２上
にマウントされる。このときには、プラスチックＣＣＤ
中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４に設けられている発熱
源、即ち信号増幅用素子部がフラット部２１の範囲内に
位置するように設置される。
たＣＣＤ４は、樹脂系の材料によってアイランド部２上
にマウントされる。このときには、プラスチックＣＣＤ
中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４に設けられている発熱
源、即ち信号増幅用素子部がフラット部２１の範囲内に
位置するように設置される。
【００１６】この半導体装置においては、プラスチック
ＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４内に局在する発
熱源である信号増幅用素子部からの発熱がその周囲の空
気と、信号増幅用素子部の直下のフラット部２１と、プ
ラスチックＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４の電
極（図示せず）及びインナーリード部３とを経て放熱さ
れる。
ＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４内に局在する発
熱源である信号増幅用素子部からの発熱がその周囲の空
気と、信号増幅用素子部の直下のフラット部２１と、プ
ラスチックＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４の電
極（図示せず）及びインナーリード部３とを経て放熱さ
れる。
【００１７】そして、上述のように本発明では、アイラ
ンド部２に打ち抜き加工をしないフラット部２１を設け
たので、このフラット部２１の熱容量がその他のアイラ
ンド部２より大きくなり、熱伝導度が高くなる。これに
より、発熱源である信号増幅用素子部からの発熱を迅速
に放熱することができるので、プラスチックＣＣＤ中空
ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４に温度特性絡みの問題が発
生するのを防止できる。
ンド部２に打ち抜き加工をしないフラット部２１を設け
たので、このフラット部２１の熱容量がその他のアイラ
ンド部２より大きくなり、熱伝導度が高くなる。これに
より、発熱源である信号増幅用素子部からの発熱を迅速
に放熱することができるので、プラスチックＣＣＤ中空
ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４に温度特性絡みの問題が発
生するのを防止できる。
【００１８】なお、上述のフラット部２１を含むアイラ
ンド部２の材料は、熱放散により有利な熱伝導度の高い
ものを選定する。例えばＣｕ系のＥＦＴＥＣ６４（５０
００×１０-4）等で熱伝導度の高い金属であればよく、
Ｃｕ系のＫＬＦ−４（１８００×１０-4cal/cmsec℃）
等を使用できる。
ンド部２の材料は、熱放散により有利な熱伝導度の高い
ものを選定する。例えばＣｕ系のＥＦＴＥＣ６４（５０
００×１０-4）等で熱伝導度の高い金属であればよく、
Ｃｕ系のＫＬＦ−４（１８００×１０-4cal/cmsec℃）
等を使用できる。
【００１９】（第２の実施の形態） 図２は、本発明に係る半導体装置の第２の実施の形態の
断面図である。この半導体装置は、半導体チップである
プラスチックＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４の
裏面側に、アイランド部２の一部が見えるように細長く
なっている開口部６，７が設けられている。開口部６は
アイランド部２に対応しており、開口部７はインナ−リ
−ド部３に対応している。なお、図中の符号５はエポキ
シ樹脂、８はキャップ、９は中空部である。
断面図である。この半導体装置は、半導体チップである
プラスチックＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４の
裏面側に、アイランド部２の一部が見えるように細長く
なっている開口部６，７が設けられている。開口部６は
アイランド部２に対応しており、開口部７はインナ−リ
−ド部３に対応している。なお、図中の符号５はエポキ
シ樹脂、８はキャップ、９は中空部である。
【００２０】これらの開口部６，７は、プラスチックＣ
ＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４と、インナーリ−
ド部３とを金属細線（図示せず）で接続する際に両接続
部を加熱するためにヒ−タブロック（図示せず）を当て
るためのものであり、金属細線の接続が終了した後は開
口部６，７をＵＶ硬化樹脂で埋めることにより密封して
いる。
ＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４と、インナーリ−
ド部３とを金属細線（図示せず）で接続する際に両接続
部を加熱するためにヒ−タブロック（図示せず）を当て
るためのものであり、金属細線の接続が終了した後は開
口部６，７をＵＶ硬化樹脂で埋めることにより密封して
いる。
【００２１】そして、このＵＶ硬化樹脂の熱伝導度は比
較的低いため、例えば銀ペーストなど熱伝導度の高い物
質によってアイランド部２の下部側に放熱部材、例えば
銅等の金属片２２を突設する。そして、この金属片２２
をＵＶ硬化樹脂に埋め込む。これによって、アイランド
部２と金属片２２との両方で放熱することが可能にな
る。
較的低いため、例えば銀ペーストなど熱伝導度の高い物
質によってアイランド部２の下部側に放熱部材、例えば
銅等の金属片２２を突設する。そして、この金属片２２
をＵＶ硬化樹脂に埋め込む。これによって、アイランド
部２と金属片２２との両方で放熱することが可能にな
る。
【００２２】したがって、アイランド部２に接触してい
るプラスチックＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４
内の発熱源である信号増幅用素子部からの放熱経路が拡
大され、放熱を迅速に行うことができる。この第２の実
施の形態と上述の第１の実施の形態は、それぞれ別々に
実施することができ、また、併用することにより更に大
きな相乗効果を上げることができる。
るプラスチックＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤ４
内の発熱源である信号増幅用素子部からの放熱経路が拡
大され、放熱を迅速に行うことができる。この第２の実
施の形態と上述の第１の実施の形態は、それぞれ別々に
実施することができ、また、併用することにより更に大
きな相乗効果を上げることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置によれば、発熱源直下のアイランド部の面積がフ
ラット部によって拡大されるので、発熱源からの発熱を
迅速に放熱でき、これにより、半導体チップの温度特性
に絡む問題が発生するのを防止できる（請求項１）。
体装置によれば、発熱源直下のアイランド部の面積がフ
ラット部によって拡大されるので、発熱源からの発熱を
迅速に放熱でき、これにより、半導体チップの温度特性
に絡む問題が発生するのを防止できる（請求項１）。
【００２４】また、発熱源直下のアイランド部の断面積
が放熱部材によって拡大されるので、これまた発熱源か
らの発熱を迅速に放熱でき、半導体チップの温度特性に
絡む問題が発生するのを防止できる（請求項２）。
が放熱部材によって拡大されるので、これまた発熱源か
らの発熱を迅速に放熱でき、半導体チップの温度特性に
絡む問題が発生するのを防止できる（請求項２）。
【図１】本発明に係る半導体装置の第１の実施の形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の第２の実施の形態の
断面図である。
断面図である。
【図３】従来のカラー固体撮像装置の斜視図である。
【図４】従来のＣＣＤを有する半導体装置の断面図であ
る。
る。
２ アイランド部 ４ プラスチック型ＣＣＤ中空ＰＫＧに封止されたＣＣ
Ｄ（半導体チップ） ２１ フラット部 ２２ 金属片（放熱部材）
Ｄ（半導体チップ） ２１ フラット部 ２２ 金属片（放熱部材）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−5726（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−209360（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−200025（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−161954（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148 H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームのアイランド部が波型形
状であり、半導体チップに局在する発熱源直下のアイラ
ンド部にのみフラット部を設けたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記フラット部の直下に放熱部材を突設
したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体チップはプラスチック型ＣＣ
Ｄ中空ＰＫＧに封止されたＣＣＤであり、前記発熱源は
信号増幅用素子であることを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02857699A JP3186729B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体装置 |
| TW89101811A TW449888B (en) | 1999-02-05 | 2000-02-02 | Lead frame used for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02857699A JP3186729B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228475A JP2000228475A (ja) | 2000-08-15 |
| JP3186729B2 true JP3186729B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=12252442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02857699A Expired - Fee Related JP3186729B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186729B2 (ja) |
| TW (1) | TW449888B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303484A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像装置、固体撮像素子収納用ケース及び製造方法 |
| JP4708175B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-06-22 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2008181951A (ja) | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JP5110575B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-12-26 | エムテックスマツムラ株式会社 | 中空パッケージ及び半導体装置 |
| CN111326429B (zh) * | 2020-03-06 | 2021-08-06 | 浙江工业职业技术学院 | 一种双基岛散热芯片封装工序 |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP02857699A patent/JP3186729B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-02 TW TW89101811A patent/TW449888B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000228475A (ja) | 2000-08-15 |
| TW449888B (en) | 2001-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |