JPH11220075A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ化するときにおける樹脂材のはみ
出しによる影響を少なくすることができるとともに、小
型化が可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。 【解決手段】 露出されているダイパッド１３の裏面外
周部分に溝２１を設け、パッケージ化されるときに、ダ
イパッド１３の裏面側にしみ出した樹脂材１６部分を溝
２１で受け、ダイパッドの裏面中央部へ樹脂材１６がし
み出すを防止できるようにした。また、最外リード１４
の一部１４ａでオーバーハング部を形成し、半導体装置
を最終外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハングに
欠けが発生するのを防ぐようにすることによってオーバ
ーハングの長さを短くし、半導体装置の小型化を図る。
出しによる影響を少なくすることができるとともに、小
型化が可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。 【解決手段】 露出されているダイパッド１３の裏面外
周部分に溝２１を設け、パッケージ化されるときに、ダ
イパッド１３の裏面側にしみ出した樹脂材１６部分を溝
２１で受け、ダイパッドの裏面中央部へ樹脂材１６がし
み出すを防止できるようにした。また、最外リード１４
の一部１４ａでオーバーハング部を形成し、半導体装置
を最終外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハングに
欠けが発生するのを防ぐようにすることによってオーバ
ーハングの長さを短くし、半導体装置の小型化を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の構造に関するものである。
装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５乃至図６は従来の樹脂封止型半導体
装置の一例を示すもので、図５はその装置を表面側より
見た外観斜視図、図６はその装置を裏面側より見た外観
斜視図、図７は図５のＢ−Ｂ線に沿う概略断面図であ
る。
装置の一例を示すもので、図５はその装置を表面側より
見た外観斜視図、図６はその装置を裏面側より見た外観
斜視図、図７は図５のＢ−Ｂ線に沿う概略断面図であ
る。
【０００３】図５乃至図７において、この樹脂封止型半
導体装置５１（以下、単に「半導体装置５１」という）
は、半導体チップ５２が銀ペーストを介してダイパッド
５３上に接着固定されているとともに、半導体チップ５
２の電極部（不図示）とリード（インナーリード）５４
とが金線５５で接続されている。さらに、リード５４の
一部とダイパッド５３の裏面を露出させ、その周囲を樹
脂材５６で封止し、パッケージ化された構造に作られて
いる。
導体装置５１（以下、単に「半導体装置５１」という）
は、半導体チップ５２が銀ペーストを介してダイパッド
５３上に接着固定されているとともに、半導体チップ５
２の電極部（不図示）とリード（インナーリード）５４
とが金線５５で接続されている。さらに、リード５４の
一部とダイパッド５３の裏面を露出させ、その周囲を樹
脂材５６で封止し、パッケージ化された構造に作られて
いる。
【０００４】そして、この半導体装置５１は、露出され
ているダイパッド５３の裏面を実装基板６１に当接させ
るとともに、リード５４を実装基板６１にハンダ付けし
て実装される。このようにして実装された半導体装置５
１では、ダイパッド５３が実装基板６１に当接されてい
ることによって、ダイパッド５３及び実装基板６１を通
して放熱することができる。
ているダイパッド５３の裏面を実装基板６１に当接させ
るとともに、リード５４を実装基板６１にハンダ付けし
て実装される。このようにして実装された半導体装置５
１では、ダイパッド５３が実装基板６１に当接されてい
ることによって、ダイパッド５３及び実装基板６１を通
して放熱することができる。
【０００５】ところで、この半導体装置５１の製造方法
を簡単に説明すると、この半導体装置５１は次の〜
の順により作られる。 まず、ダイパッド５３と、その周囲に配置されるリー
ド５４を有した図示せぬリードフレームを製造装置にセ
ットする。 このリードフレームのダイパッド５３に半導体チップ
５２を銀ペーストを介して接着固定する。 次に、半導体チップ５２の電極部とリード５４とを金
線５５で接続する。 続いて、リード５４の一部（外部リード）とダイパッ
ド５３の裏面を露出させて、その周囲を樹脂材５６で封
止し、パッケージを形成する。なお、以下の説明では、
樹脂材５６でパッケージ化されている部分を「パッケー
ジ５６」という。 次に、専用のリード成形金型を使用して、プレス切断
してリード５４をリードフレームから分離させると、図
５乃至図７に示す半導体装置５１が完成する。
を簡単に説明すると、この半導体装置５１は次の〜
の順により作られる。 まず、ダイパッド５３と、その周囲に配置されるリー
ド５４を有した図示せぬリードフレームを製造装置にセ
ットする。 このリードフレームのダイパッド５３に半導体チップ
５２を銀ペーストを介して接着固定する。 次に、半導体チップ５２の電極部とリード５４とを金
線５５で接続する。 続いて、リード５４の一部（外部リード）とダイパッ
ド５３の裏面を露出させて、その周囲を樹脂材５６で封
止し、パッケージを形成する。なお、以下の説明では、
樹脂材５６でパッケージ化されている部分を「パッケー
ジ５６」という。 次に、専用のリード成形金型を使用して、プレス切断
してリード５４をリードフレームから分離させると、図
５乃至図７に示す半導体装置５１が完成する。
【０００６】一般に、このようにして作られた半導体装
置５１は、図５及び図６に示すように、そのパッケージ
５６の形状は四隅に直角な部分を設けてなる四角形に作
られている。また、この半導体装置５１の構造の場合、
最も外側に設けられているリード５４ａ（図５参照）と
パッケージ５６の端５７との距離をオーバーハングＳと
いう。このオーバーハングＳは半導体装置５１を最終形
状にするのに、リード５４をリードフレームから切断さ
れる際の衝撃でパッケージ５６に欠損が生じないような
安全値で設計される。通常、このオーバーハング寸法は
約０．３mm位確保される。すなわち、両端で０．６mm位
確保される。
置５１は、図５及び図６に示すように、そのパッケージ
５６の形状は四隅に直角な部分を設けてなる四角形に作
られている。また、この半導体装置５１の構造の場合、
最も外側に設けられているリード５４ａ（図５参照）と
パッケージ５６の端５７との距離をオーバーハングＳと
いう。このオーバーハングＳは半導体装置５１を最終形
状にするのに、リード５４をリードフレームから切断さ
れる際の衝撃でパッケージ５６に欠損が生じないような
安全値で設計される。通常、このオーバーハング寸法は
約０．３mm位確保される。すなわち、両端で０．６mm位
確保される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来構造の半導体装置５１は、樹脂封止してパッケージ化
するとき、ダイパッド５３の裏面とパッケージ５６の裏
面が同一面に存在するため、封止圧力によりダイパッド
５３の裏面へ樹脂材のしみ出しが発生する可能性があ
る。図６の符号５８は樹脂材がダイパッド５３の裏面に
しみ出した状態を示している。このようにダイパッド５
３の裏面に樹脂材のしみ出し５８があると、半導体装置
５１を実装基板６１に実装するとき、しみ出し５８でダ
イパッド５３の裏面が実装基板６１の表面から浮き上が
り、ハンダ付け性の低下や放熱性の低下等の不具合が発
生し得る問題点があった。
来構造の半導体装置５１は、樹脂封止してパッケージ化
するとき、ダイパッド５３の裏面とパッケージ５６の裏
面が同一面に存在するため、封止圧力によりダイパッド
５３の裏面へ樹脂材のしみ出しが発生する可能性があ
る。図６の符号５８は樹脂材がダイパッド５３の裏面に
しみ出した状態を示している。このようにダイパッド５
３の裏面に樹脂材のしみ出し５８があると、半導体装置
５１を実装基板６１に実装するとき、しみ出し５８でダ
イパッド５３の裏面が実装基板６１の表面から浮き上が
り、ハンダ付け性の低下や放熱性の低下等の不具合が発
生し得る問題点があった。
【０００８】また、上述した従来構造の半導体装置５１
は、リード５４をリードフレームから切断して最終形状
にする際の衝撃でパッケージ５６に欠損が生じないよう
に、パッケージ両端のオーバーハング寸法を安全な値で
設計しているのでパッケージ５６の幅Ｗ（図６参照）が
必要以上に大きくなり、半導体装置５１の小型化の妨げ
となっている問題点があった。
は、リード５４をリードフレームから切断して最終形状
にする際の衝撃でパッケージ５６に欠損が生じないよう
に、パッケージ両端のオーバーハング寸法を安全な値で
設計しているのでパッケージ５６の幅Ｗ（図６参照）が
必要以上に大きくなり、半導体装置５１の小型化の妨げ
となっている問題点があった。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はパッケージ化するときにおける樹
脂材のはみ出しによる影響を少なくすることができると
ともに、小型化が可能な樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
のであり、その目的はパッケージ化するときにおける樹
脂材のはみ出しによる影響を少なくすることができると
ともに、小型化が可能な樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に発明においては、半導体素子が搭載されたダイパッド
または放熱板の裏面を露出させ、周囲を樹脂材で封止し
てなる樹脂封止型半導体装置において、前記ダイパッド
または放熱板の裏面に、このダイパッドまたは放熱板の
外周部分に沿って溝を設けてなる構造とした。この構造
では、パッケージ化されるときに、樹脂材がダイパッド
または放熱板の裏面側にしみ出した場合、このしみ出し
た部分がダイパッドまたは放熱板の裏面外周部分に設け
られている溝で受けられ、ダイパッドまたは放熱板の裏
面中央部へのしみ出しを防止できる。
に発明においては、半導体素子が搭載されたダイパッド
または放熱板の裏面を露出させ、周囲を樹脂材で封止し
てなる樹脂封止型半導体装置において、前記ダイパッド
または放熱板の裏面に、このダイパッドまたは放熱板の
外周部分に沿って溝を設けてなる構造とした。この構造
では、パッケージ化されるときに、樹脂材がダイパッド
または放熱板の裏面側にしみ出した場合、このしみ出し
た部分がダイパッドまたは放熱板の裏面外周部分に設け
られている溝で受けられ、ダイパッドまたは放熱板の裏
面中央部へのしみ出しを防止できる。
【００１１】また、上記目的を達成するために本発明に
おいては、半導体素子が搭載されたダイパッドまたは放
熱板の裏面を露出させ、周囲を樹脂材で封止してなると
ともに、前記パッケージの側面より複数のリードを導出
してなる樹脂封止樹脂封止型半導体装置において、前記
複数のリードのうちの、最外リードの一部でオーバーハ
ング部を形成してなる構造とした。この構造では、リー
ドは金属、封止樹脂はプラスチックでできており、機械
的強度はリードの方が強い。したがって、オーバーハン
グ部をリードの一部で補強する形になるので、半導体装
置を最終外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハング
に欠けが発生するのが防げる。これにより、オーバーハ
ングの長さを短くすることが可能になる。
おいては、半導体素子が搭載されたダイパッドまたは放
熱板の裏面を露出させ、周囲を樹脂材で封止してなると
ともに、前記パッケージの側面より複数のリードを導出
してなる樹脂封止樹脂封止型半導体装置において、前記
複数のリードのうちの、最外リードの一部でオーバーハ
ング部を形成してなる構造とした。この構造では、リー
ドは金属、封止樹脂はプラスチックでできており、機械
的強度はリードの方が強い。したがって、オーバーハン
グ部をリードの一部で補強する形になるので、半導体装
置を最終外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハング
に欠けが発生するのが防げる。これにより、オーバーハ
ングの長さを短くすることが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから技術的
に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの実施形態に限られるものではない
ものである。
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから技術的
に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの実施形態に限られるものではない
ものである。
【００１３】図１乃至図３は本発明に係る樹脂封止型半
導体装置の第１の実施形態を示すもので、図１はその装
置を裏面側より見た外観斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線
に沿う拡大断面図、図３はその装置の要部拡大図であ
る。
導体装置の第１の実施形態を示すもので、図１はその装
置を裏面側より見た外観斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線
に沿う拡大断面図、図３はその装置の要部拡大図であ
る。
【００１４】図１乃至図３において、この樹脂封止型半
導体装置１１（以下、単に「半導体装置１１」という）
は、半導体チップ１２が銀ペーストを介してダイパッド
１３上に接着固定されているとともに、半導体チップ１
２の電極部（不図示）とリード（インナーリード）１４
とが金線１５で接続されている。さらに、リード１４の
一部とダイパッド１３の裏面を露出させ、その周囲を樹
脂材１６で封止し、パッケージ化された構造に作られて
いる。すなわち、この基本構造は図５乃至図７に示した
従来の樹脂封止型半導体装置５１と同じである。
導体装置１１（以下、単に「半導体装置１１」という）
は、半導体チップ１２が銀ペーストを介してダイパッド
１３上に接着固定されているとともに、半導体チップ１
２の電極部（不図示）とリード（インナーリード）１４
とが金線１５で接続されている。さらに、リード１４の
一部とダイパッド１３の裏面を露出させ、その周囲を樹
脂材１６で封止し、パッケージ化された構造に作られて
いる。すなわち、この基本構造は図５乃至図７に示した
従来の樹脂封止型半導体装置５１と同じである。
【００１５】そして、この半導体装置１１も、図５乃至
図７に示した従来の半導体装置５１と同様に、露出され
ているダイパッド１３の裏面を実装基板（不図示）に当
接させるとともに、リード１４を実装基板にハンダ付け
して実装される。このようにして実装された半導体装置
１１では、図５乃至図７に示した半導体装置５１と同様
に、ダイパッド１３が実装基板に当接されていることに
よって、ダイパッド１３及び実装基板を通して放熱する
ことができる。
図７に示した従来の半導体装置５１と同様に、露出され
ているダイパッド１３の裏面を実装基板（不図示）に当
接させるとともに、リード１４を実装基板にハンダ付け
して実装される。このようにして実装された半導体装置
１１では、図５乃至図７に示した半導体装置５１と同様
に、ダイパッド１３が実装基板に当接されていることに
よって、ダイパッド１３及び実装基板を通して放熱する
ことができる。
【００１６】次に、本発明の実施形態の半導体装置１１
の構造において、図５乃至図７に示した従来の半導体装
置５１の構造と異なる点について説明する。まず本発明
の第１の実施形態の半導体装置１１では、ダイパッド１
３の露出されている裏面に、ダイパッド１３の外周端か
ら内側に０．５mm程移動された位置で、かつ約０．１mm
程のの深さで、ダイパッド１３の外周に沿って連続する
溝２１が周回して作られている。この溝２１には、樹脂
封止工程において、封止圧力によりダイパッド１３の裏
面にしみ出た樹脂材１６が受けられて溜まり、これによ
ってダイパッド１３の裏面中央部への樹脂材１６のしみ
出しを防止できる。
の構造において、図５乃至図７に示した従来の半導体装
置５１の構造と異なる点について説明する。まず本発明
の第１の実施形態の半導体装置１１では、ダイパッド１
３の露出されている裏面に、ダイパッド１３の外周端か
ら内側に０．５mm程移動された位置で、かつ約０．１mm
程のの深さで、ダイパッド１３の外周に沿って連続する
溝２１が周回して作られている。この溝２１には、樹脂
封止工程において、封止圧力によりダイパッド１３の裏
面にしみ出た樹脂材１６が受けられて溜まり、これによ
ってダイパッド１３の裏面中央部への樹脂材１６のしみ
出しを防止できる。
【００１７】また、本発明の第１の実施形態の半導体装
置１１では、図５乃至図７に示した従来の半導体装置５
１の構造において樹脂材５６で形成されていたオーバー
ハングＳを、複数のリード１４のうちの、図１中に符号
Ｅで示す４つの最外リード１４の一部１４ａを図１及び
図３に示すように、オーバーハングとなる部分までそれ
ぞれ突出させ、この一部１４ａでオーバーハング部を形
成している。この場合、リード１４は金属、樹脂材１６
はプラスチックでできており、機械的強度はリード１４
の方が強く、したがってリード１４の一部１４ａでオー
バーハングを補強する形になる。これにより、半導体装
置１１を最終外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハ
ングに欠けが発生するのが防げる。この結果、オーバー
ハングの長さを短くすることが可能になり、半導体装置
１１の小型化が可能になる。
置１１では、図５乃至図７に示した従来の半導体装置５
１の構造において樹脂材５６で形成されていたオーバー
ハングＳを、複数のリード１４のうちの、図１中に符号
Ｅで示す４つの最外リード１４の一部１４ａを図１及び
図３に示すように、オーバーハングとなる部分までそれ
ぞれ突出させ、この一部１４ａでオーバーハング部を形
成している。この場合、リード１４は金属、樹脂材１６
はプラスチックでできており、機械的強度はリード１４
の方が強く、したがってリード１４の一部１４ａでオー
バーハングを補強する形になる。これにより、半導体装
置１１を最終外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハ
ングに欠けが発生するのが防げる。この結果、オーバー
ハングの長さを短くすることが可能になり、半導体装置
１１の小型化が可能になる。
【００１８】次に、上記実施形態から見出せる効果を以
下に記載する。 ダイパッド１３の露出されている裏面に、連続した溝
２１を周回して設けているので、樹脂封止工程におい
て、封止圧力によりダイパッド１３の裏面にしみ出た樹
脂材１６を溝２１内に受け入れて溜めることができる。
これにより、ダイパッド１３の裏面中央部へ樹脂材１６
がしみ出すのを防止できる。この結果、ダイパッド１３
の裏面における露出面積を一定量確保できるとともに、
ダイパッド１３を実装基板に対して密着させて実装させ
ることができるので、放熱性の低下、ハンダ付け性の低
下を防止することが可能になる。 金属で作られているリード１４の一部１４ａでオーバ
ーハング部を形成しているので、オーバーハングの長さ
を短くすることが可能になり、半導体装置１１の小型化
が可能になる。なお、従来ではオーバーハング寸法が
０．３mm程度であったのに対して、本発明の構造の場合
では０．１１５mm程度まで短縮させることができ、パッ
ケージ１６の幅Ｗでは従来の構造に比べて０．３７mm程
度短縮させることができた。
下に記載する。 ダイパッド１３の露出されている裏面に、連続した溝
２１を周回して設けているので、樹脂封止工程におい
て、封止圧力によりダイパッド１３の裏面にしみ出た樹
脂材１６を溝２１内に受け入れて溜めることができる。
これにより、ダイパッド１３の裏面中央部へ樹脂材１６
がしみ出すのを防止できる。この結果、ダイパッド１３
の裏面における露出面積を一定量確保できるとともに、
ダイパッド１３を実装基板に対して密着させて実装させ
ることができるので、放熱性の低下、ハンダ付け性の低
下を防止することが可能になる。 金属で作られているリード１４の一部１４ａでオーバ
ーハング部を形成しているので、オーバーハングの長さ
を短くすることが可能になり、半導体装置１１の小型化
が可能になる。なお、従来ではオーバーハング寸法が
０．３mm程度であったのに対して、本発明の構造の場合
では０．１１５mm程度まで短縮させることができ、パッ
ケージ１６の幅Ｗでは従来の構造に比べて０．３７mm程
度短縮させることができた。
【００１９】図４は本発明に係る樹脂封止型半導体装置
の第２の実施形態を示す概略縦断側面図である。図４に
おいて図１乃至図３と同一符号を付したものは図１乃至
図３と同一のものを示している。その図４における半導
体装置１１は、半導体チップ１２が銀ペーストを介して
ダイパッド１３上に接着固定されているとともに、半導
体チップ１２の電極部（不図示）とリード（インナーリ
ード）１４とが金線１５で接続されている。また、ダイ
パッド１３の裏面には、このダイパッド１３よりも広い
面積を持つ金属製の放熱板２３が絶縁性の接着材を介し
て接着されている。そして、さらにリード１４の一部と
放熱板２３の裏面を露出させ、その周囲を樹脂材１６で
封止し、パッケージ化された構造に作られている。
の第２の実施形態を示す概略縦断側面図である。図４に
おいて図１乃至図３と同一符号を付したものは図１乃至
図３と同一のものを示している。その図４における半導
体装置１１は、半導体チップ１２が銀ペーストを介して
ダイパッド１３上に接着固定されているとともに、半導
体チップ１２の電極部（不図示）とリード（インナーリ
ード）１４とが金線１５で接続されている。また、ダイ
パッド１３の裏面には、このダイパッド１３よりも広い
面積を持つ金属製の放熱板２３が絶縁性の接着材を介し
て接着されている。そして、さらにリード１４の一部と
放熱板２３の裏面を露出させ、その周囲を樹脂材１６で
封止し、パッケージ化された構造に作られている。
【００２０】また、この第２の実施形態の構造では、上
記第１の実施形態の構造と同様に、放熱板２３の露出さ
れている裏面に、放熱板２３の外周端から内側に約０．
５mm移動され、かつ約０．１mmの深さで連続する溝２１
が、放熱板２３の外周に沿って一周して作られている。
すなわち、この溝２１には、上記第１の実施形態例の構
造と同様に、樹脂封止工程において、封止圧力により放
熱板２３の裏面にしみ出た樹脂材１６が受けられて溜ま
り、これによって放熱板２３の裏面中央部への樹脂材１
６のしみ出しが防止できる構造になっている。
記第１の実施形態の構造と同様に、放熱板２３の露出さ
れている裏面に、放熱板２３の外周端から内側に約０．
５mm移動され、かつ約０．１mmの深さで連続する溝２１
が、放熱板２３の外周に沿って一周して作られている。
すなわち、この溝２１には、上記第１の実施形態例の構
造と同様に、樹脂封止工程において、封止圧力により放
熱板２３の裏面にしみ出た樹脂材１６が受けられて溜ま
り、これによって放熱板２３の裏面中央部への樹脂材１
６のしみ出しが防止できる構造になっている。
【００２１】加えて、この第２の実施形態例では、図示
はしないが、第１の実施形態例の構造と同様に、最外リ
ード１４の一部をオーバーハングとなる部分まで突出さ
せ、その一部１でオーバーハング部を形成している構造
になっている。したがって、この実施形態例の構造の場
合でも、そのリード１４の一部でオーバーハングの部分
を補強するような形になるので、半導体装置１１を最終
外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハングに欠けが
発生するのが防げる。これにより、オーバーハングの長
さを短くすることが可能になり、半導体装置１１の小型
化が可能になる。
はしないが、第１の実施形態例の構造と同様に、最外リ
ード１４の一部をオーバーハングとなる部分まで突出さ
せ、その一部１でオーバーハング部を形成している構造
になっている。したがって、この実施形態例の構造の場
合でも、そのリード１４の一部でオーバーハングの部分
を補強するような形になるので、半導体装置１１を最終
外形に切断加工する際の衝撃でオーバーハングに欠けが
発生するのが防げる。これにより、オーバーハングの長
さを短くすることが可能になり、半導体装置１１の小型
化が可能になる。
【００２２】なお、上記各実施形態の構造では、ダイパ
ッド１３または放熱板２３の裏面に設けた溝２１は連続
し、かつ一本の周回した溝として形成した場合を例示し
たが、複数の溝としても良く、また連続する溝でなくて
も良い。
ッド１３または放熱板２３の裏面に設けた溝２１は連続
し、かつ一本の周回した溝として形成した場合を例示し
たが、複数の溝としても良く、また連続する溝でなくて
も良い。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ため、次のような効果を奏する。 ダイパッドまたは放熱板の裏面に溝を設けたことによ
って、ダイパッドまたは放熱板の裏面における露出面積
を一定量確保できるとともに、ダイパッドまたは放熱板
を実装基板に対して密着させて実装させることができる
ので、放熱性の低下、ハンダ付け性の低下を防止するこ
とが可能になる。 前記リードの最外リードの一部でオーバーハング部を
形成していることによってオーバーハングの長さを短く
することができるので、半導体装置の小型化が可能にな
る。
ため、次のような効果を奏する。 ダイパッドまたは放熱板の裏面に溝を設けたことによ
って、ダイパッドまたは放熱板の裏面における露出面積
を一定量確保できるとともに、ダイパッドまたは放熱板
を実装基板に対して密着させて実装させることができる
ので、放熱性の低下、ハンダ付け性の低下を防止するこ
とが可能になる。 前記リードの最外リードの一部でオーバーハング部を
形成していることによってオーバーハングの長さを短く
することができるので、半導体装置の小型化が可能にな
る。
【図１】本発明の第１の実施形態例に係る装置を裏面側
より見た外観斜視図である。
より見た外観斜視図である。
【図２】図２のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。
【図３】図３は図１及び図２に示す同上装置の要部拡大
図である。
図である。
【図４】本発明の第２の実施形態例に係る装置の概略縦
断側面図である。
断側面図である。
【図５】従来装置を上面側より見た外観斜視図である。
【図６】従来装置を裏面側より見た外観斜視図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図である。
１１…半導体装置、１２…半導体チップ、１３…ダイパ
ッド、１４…リード、１６…樹脂材、２１…溝、２３…
放熱板
ッド、１４…リード、１６…樹脂材、２１…溝、２３…
放熱板
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子が搭載されたダイパッドの裏
面を露出させ、周囲を樹脂材で封止してなる樹脂封止型
半導体装置において、 前記ダイパッドの裏面に、このダイパッドの外周部分に
沿って溝を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体素子が搭載された放熱板の裏面を
露出させ、周囲を樹脂材で封止してなる樹脂封止型半導
体装置において、 前記放熱板の裏面に、この放熱板の外周部分に沿って溝
を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 半導体素子が搭載されたダイパッドの裏
面を露出させ、周囲を樹脂材で封止してなるとともに、
前記パッケージの側面より複数のリードを導出してなる
樹脂封止型半導体装置において、 前記複数のリードのうちの、最外リードの一部でオーバ
ーハング部を形成してなることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項４】 半導体素子が搭載された放熱板の裏面を
露出させ、周囲を樹脂材で封止してなるとともに、前記
パッケージの側面より複数のリードを導出してなる樹脂
封止型半導体装置において、 前記複数のリードのうちの、最外リードの一部でオーバ
ーハング部を形成してなることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286898A JPH11220075A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286898A JPH11220075A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220075A true JPH11220075A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12094684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286898A Pending JPH11220075A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220075A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085591A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-30 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | チップパッドが放熱通路として用いられるリードフレーム及びこれを含む半導体パッケージ |
| JP2006135100A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007114126A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7504736B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor packaging mold and method of manufacturing semiconductor package using the same |
| WO2016092938A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 株式会社村田製作所 | パッケージ型パワー半導体、および、パッケージ型パワー半導体の実装構造 |
| JP2016134604A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016201447A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP2286898A patent/JPH11220075A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085591A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-30 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | チップパッドが放熱通路として用いられるリードフレーム及びこれを含む半導体パッケージ |
| JP2006135100A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7504736B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor packaging mold and method of manufacturing semiconductor package using the same |
| JP2007114126A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2016092938A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 株式会社村田製作所 | パッケージ型パワー半導体、および、パッケージ型パワー半導体の実装構造 |
| JPWO2016092938A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2017-09-07 | 株式会社村田製作所 | パッケージ型パワー半導体、および、パッケージ型パワー半導体の実装構造 |
| JP2016134604A (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-25 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016201447A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
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