JPH1187576A - 基 板 - Google Patents
基 板Info
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- JPH1187576A JPH1187576A JP24912197A JP24912197A JPH1187576A JP H1187576 A JPH1187576 A JP H1187576A JP 24912197 A JP24912197 A JP 24912197A JP 24912197 A JP24912197 A JP 24912197A JP H1187576 A JPH1187576 A JP H1187576A
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- Japan
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- substrate
- heating element
- heat sink
- mold
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板本体にモールドにより保護された状態で
装着される発熱部品の放熱性を向上させる。 【解決手段】 基板は、基板本体10と、基板本体10
に取り付けられた半導体素子21、22とを有してい
る。半導体素子21、22を保護するために絶縁モール
ド30を設ける場合、半導体素子21、22の背面が露
出するようになされる。これにより半導体素子の放熱が
良好に行われる。
装着される発熱部品の放熱性を向上させる。 【解決手段】 基板は、基板本体10と、基板本体10
に取り付けられた半導体素子21、22とを有してい
る。半導体素子21、22を保護するために絶縁モール
ド30を設ける場合、半導体素子21、22の背面が露
出するようになされる。これにより半導体素子の放熱が
良好に行われる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ等の
電子機器に用いられる基板に関する。
電子機器に用いられる基板に関する。
【0002】
【従来の技術】図8および図9に従来の基板の構造を示
す。なお、本明細書において「基板本体」という用語は
半導体素子等の各種部品が実装される板状部材を意味
し、「基板」という用語は「基板本体」および基板本体
上に実装された各種部品の組立体を意味する。
す。なお、本明細書において「基板本体」という用語は
半導体素子等の各種部品が実装される板状部材を意味
し、「基板」という用語は「基板本体」および基板本体
上に実装された各種部品の組立体を意味する。
【0003】図8に示すように、基板は基板本体1と半
導体素子2とを備え、半導体素子2は基板本体1上にベ
アチップの状態でフェイスダウン実装されている。半導
体素子2は樹脂モールド3により封止され保護されてい
る。基板は、電子機器の筐体内に配置されており、基板
本体1上の半導体素子2の冷却は、基板が格納される電
子機器の筐体(図示せず)に設けられたスリット等の隙
間(図示せず)から筐体内に導入される空気を基板本体
1の表面に沿って流すことにより行われている。なお、
図8および図9において、符号6で示す部材はコネクタ
である。
導体素子2とを備え、半導体素子2は基板本体1上にベ
アチップの状態でフェイスダウン実装されている。半導
体素子2は樹脂モールド3により封止され保護されてい
る。基板は、電子機器の筐体内に配置されており、基板
本体1上の半導体素子2の冷却は、基板が格納される電
子機器の筐体(図示せず)に設けられたスリット等の隙
間(図示せず)から筐体内に導入される空気を基板本体
1の表面に沿って流すことにより行われている。なお、
図8および図9において、符号6で示す部材はコネクタ
である。
【0004】半導体素子2が発生する熱は、樹脂モール
ド3の層を通して空気中へ放熱されることになるが、樹
脂モールド3の熱伝導率は比較的低いため、半導体素子
2の冷却効率を高めることは困難である。また、図9に
示すように、冷却を促進するために接着剤5を介してヒ
ートシンク4を樹脂モールド3上に取り付けたものもあ
るが、この場合にも半導体素子2とヒートシンク4との
間に樹脂モールド3が介在するため、冷却効率を高める
ことは困難である。
ド3の層を通して空気中へ放熱されることになるが、樹
脂モールド3の熱伝導率は比較的低いため、半導体素子
2の冷却効率を高めることは困難である。また、図9に
示すように、冷却を促進するために接着剤5を介してヒ
ートシンク4を樹脂モールド3上に取り付けたものもあ
るが、この場合にも半導体素子2とヒートシンク4との
間に樹脂モールド3が介在するため、冷却効率を高める
ことは困難である。
【0005】本発明は、上記実状を鑑みなされたもので
あり、基板本体上にモールドにより保護された状態で取
り付けられる発熱部品の冷却効率を向上させることがで
きる実装手法を提供し、もって放熱性能の高い基板を提
供することを目的とする。
あり、基板本体上にモールドにより保護された状態で取
り付けられる発熱部品の冷却効率を向上させることがで
きる実装手法を提供し、もって放熱性能の高い基板を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、基板において、基板本体と、前記基板
本体に設けられた発熱体とを備え、所定の前記発熱体の
一部分が露出するように、前記発熱体を覆うモールドを
設けたことを特徴としている。
めに、本発明は、基板において、基板本体と、前記基板
本体に設けられた発熱体とを備え、所定の前記発熱体の
一部分が露出するように、前記発熱体を覆うモールドを
設けたことを特徴としている。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【0008】[第1の実施形態]まず、図1乃至図4を
参照して第1の実施形態について説明する。
参照して第1の実施形態について説明する。
【0009】図1に示すように、基板は、基板本体10
と、基板本体10上に実装された半導体素子(発熱体)
21、22と、半導体素子21、22の周囲を覆い保護
する絶縁性材料例えば樹脂材料からなる絶縁モールド3
0とを備えている。なお、本明細書において、「モール
ド」なる用語は、モールディングされた結果形成される
部材自体を意味する用語として用いられる。図1乃至図
3において符号6で示す部材はコネクタである。
と、基板本体10上に実装された半導体素子(発熱体)
21、22と、半導体素子21、22の周囲を覆い保護
する絶縁性材料例えば樹脂材料からなる絶縁モールド3
0とを備えている。なお、本明細書において、「モール
ド」なる用語は、モールディングされた結果形成される
部材自体を意味する用語として用いられる。図1乃至図
3において符号6で示す部材はコネクタである。
【0010】半導体素子21、22は、それぞれベアチ
ップの状態で基板本体10上にフェイスダウン実装され
ている。
ップの状態で基板本体10上にフェイスダウン実装され
ている。
【0011】これら半導体素子21、22のうち半導体
素子21は、半導体素子22に比べてより高い放熱効率
が要求される素子である。すなわち、半導体素子21
は、半導体素子22と比べて、単位時間当たりの発熱量
がより多い素子であるか、若しくは耐熱温度がより低い
等の理由により、より効率的な冷却が求められる素子で
ある。
素子21は、半導体素子22に比べてより高い放熱効率
が要求される素子である。すなわち、半導体素子21
は、半導体素子22と比べて、単位時間当たりの発熱量
がより多い素子であるか、若しくは耐熱温度がより低い
等の理由により、より効率的な冷却が求められる素子で
ある。
【0012】図1に示すように、半導体素子21、22
は、基板本体10と半導体素子21、22とが接触する
面と略平行な面である背面部21a、22aが露出した
状態で、絶縁モールド30に覆われている。
は、基板本体10と半導体素子21、22とが接触する
面と略平行な面である背面部21a、22aが露出した
状態で、絶縁モールド30に覆われている。
【0013】このような構成を採ることにより、基板本
体10表面に沿って空気を流して冷却を行う場合、半導
体素子21、22の背面部21a、22aが直接空気に
接触するため、絶縁モールド30で半導体素子21、2
2の全面が覆われている場合(従来技術を示す図8およ
び図9を比較して参照)に比べて、効率よく冷却するこ
とができる。
体10表面に沿って空気を流して冷却を行う場合、半導
体素子21、22の背面部21a、22aが直接空気に
接触するため、絶縁モールド30で半導体素子21、2
2の全面が覆われている場合(従来技術を示す図8およ
び図9を比較して参照)に比べて、効率よく冷却するこ
とができる。
【0014】なお、図1に示す実施形態においては、半
導体素子21、22の背面部21a、22aの一部が絶
縁モールド30により覆われているが、これに代えて、
図2に示すように、半導体素子21、22の背面部21
a、22aの全面を露出させるようにしてもよい。
導体素子21、22の背面部21a、22aの一部が絶
縁モールド30により覆われているが、これに代えて、
図2に示すように、半導体素子21、22の背面部21
a、22aの全面を露出させるようにしてもよい。
【0015】また、図1および図2に示す実施形態にお
いては、半導体素子21、22の両方(複数設けられた
半導体素子の全て)が背面部21a、22aを露出させ
ているが、これに限定されるものではない。すなわち図
3に示すように、複数の半導体素子のうち、相対的に高
い放熱効率が要求される半導体素子(この場合、半導体
素子21)の背面部21aのみを露出させるようにして
もよい。
いては、半導体素子21、22の両方(複数設けられた
半導体素子の全て)が背面部21a、22aを露出させ
ているが、これに限定されるものではない。すなわち図
3に示すように、複数の半導体素子のうち、相対的に高
い放熱効率が要求される半導体素子(この場合、半導体
素子21)の背面部21aのみを露出させるようにして
もよい。
【0016】次に、半導体素子の背面部を露出させて絶
縁モールド30を形成する方法について説明する。図4
(a)に示すように、まず、半導体素子21、22を基
板に取り付けた後、半導体素子21の背面部21a上に
ダム41、42を立設し、さらにこれらダム41、42
を挟んで基板本体10上にダム43、44を立設する。
しかる後、ダム41とダム43との間およびダム42と
ダム44との間の空間に樹脂(絶縁性材料)を流し込
む。なおダム41とダム42との間の空間には樹脂は流
し込まない。
縁モールド30を形成する方法について説明する。図4
(a)に示すように、まず、半導体素子21、22を基
板に取り付けた後、半導体素子21の背面部21a上に
ダム41、42を立設し、さらにこれらダム41、42
を挟んで基板本体10上にダム43、44を立設する。
しかる後、ダム41とダム43との間およびダム42と
ダム44との間の空間に樹脂(絶縁性材料)を流し込
む。なおダム41とダム42との間の空間には樹脂は流
し込まない。
【0017】これにより図4(b)に示すように、半導
体素子21は、その背面部21aを露出させた状態で絶
縁モールド30により囲まれる。
体素子21は、その背面部21aを露出させた状態で絶
縁モールド30により囲まれる。
【0018】この場合、ダム41〜44、特にダム41
およびダム42を金属や熱伝導率の高いセラミクス等の
高熱伝導性材料により形成することにより、半導体素子
上のダム41、42の内壁41a,42aが拡大伝熱面
として作用し、半導体素子21の冷却を促進することが
できる。
およびダム42を金属や熱伝導率の高いセラミクス等の
高熱伝導性材料により形成することにより、半導体素子
上のダム41、42の内壁41a,42aが拡大伝熱面
として作用し、半導体素子21の冷却を促進することが
できる。
【0019】なお、より高い放熱効率が要求される半導
体素子21の周囲の絶縁モールド30を構成する材料の
熱伝導率は、他の発熱部品の周囲の絶縁モールド30の
材料の熱伝導率より大きいことが好ましいが、上記方法
によれば、ダムの数を増やすことにより、絶縁モールド
を構成する材料を部位ごとに変更することも可能とな
る。
体素子21の周囲の絶縁モールド30を構成する材料の
熱伝導率は、他の発熱部品の周囲の絶縁モールド30の
材料の熱伝導率より大きいことが好ましいが、上記方法
によれば、ダムの数を増やすことにより、絶縁モールド
を構成する材料を部位ごとに変更することも可能とな
る。
【0020】[第2の実施形態]次に、図5により、第
2の実施形態について説明する。なお、第2の実施形態
において第1の実施形態と同一部分については同一符号
を付し、重複する説明は省略する。この第2の実施形態
においては、複数設けられた半導体素子(発熱体)に対
して少なくとも1のヒートシンクが設けられる。また、
第2の実施形態において、基板本体10、半導体素子2
1、22および絶縁モールド30の構成は、第1の実施
形態の図3に示したものと同一である。
2の実施形態について説明する。なお、第2の実施形態
において第1の実施形態と同一部分については同一符号
を付し、重複する説明は省略する。この第2の実施形態
においては、複数設けられた半導体素子(発熱体)に対
して少なくとも1のヒートシンクが設けられる。また、
第2の実施形態において、基板本体10、半導体素子2
1、22および絶縁モールド30の構成は、第1の実施
形態の図3に示したものと同一である。
【0021】図5に示すように、半導体素子21、22
の背面部21a、22aの上方には、複数のフィン51
を有するヒートシンク50が設けられている。このヒー
トシンク50は、導電性接着材60を介して、半導体素
子21、22に取り付けられている。
の背面部21a、22aの上方には、複数のフィン51
を有するヒートシンク50が設けられている。このヒー
トシンク50は、導電性接着材60を介して、半導体素
子21、22に取り付けられている。
【0022】また、ヒートシンク50の底部53(フィ
ンベース部)のうち半導体素子21に対向する部分に
は、凸部52が形成されている。このヒートシンク50
の凸部52は、半導体素子21の背面部21aすなわち
半導体素子21の露出する面に取り付けられている。
ンベース部)のうち半導体素子21に対向する部分に
は、凸部52が形成されている。このヒートシンク50
の凸部52は、半導体素子21の背面部21aすなわち
半導体素子21の露出する面に取り付けられている。
【0023】このような構成を採ることにより、半導体
素子21とヒートシンク50との間に介在する導電性接
着剤60の厚さが非常に薄くなるため、複数設けられた
半導体素子21、22のうち、より高い放熱効率が要求
される半導体素子21に対して重点的に冷却が行えるよ
うになっている。
素子21とヒートシンク50との間に介在する導電性接
着剤60の厚さが非常に薄くなるため、複数設けられた
半導体素子21、22のうち、より高い放熱効率が要求
される半導体素子21に対して重点的に冷却が行えるよ
うになっている。
【0024】また、ヒートシンク50の底部53に凸部
52があることにより、複数設けられた半導体素子の背
面部の高さが揃っていない場合においても、ヒートシン
ク50を取付ける導電性接着剤60の厚さが接着時に自
ずと調整されるため、半導体素子にかかる機械的な応力
を抑えることができる。
52があることにより、複数設けられた半導体素子の背
面部の高さが揃っていない場合においても、ヒートシン
ク50を取付ける導電性接着剤60の厚さが接着時に自
ずと調整されるため、半導体素子にかかる機械的な応力
を抑えることができる。
【0025】また、ヒートシンク50は導電性接着剤6
0を介して半導体素子21、22に取り付けられている
ため、ヒートシンク50を接地することにより、半導体
素子21、22の背面部21a,22aを接地すること
ができる。
0を介して半導体素子21、22に取り付けられている
ため、ヒートシンク50を接地することにより、半導体
素子21、22の背面部21a,22aを接地すること
ができる。
【0026】なお、上記構成に加えて、図6に示すよう
にヒートシンク50に更に取付部54を設け、この取付
部54を基板本体10と接触させるとともにビス55等
により基板本体に固定するようにしてもよい。この場
合、ヒートシンク50は、半導体素子21が絶縁モール
ド30から露出する部分すなわち背面部21aと、基板
本体10とに接触して設けられることになる。このよう
な構成とすることにより、ヒートシンク50をより安定
して取り付けることができ、また、半導体素子21の背
面部21aの電気的な接地を容易に行うことができる。
にヒートシンク50に更に取付部54を設け、この取付
部54を基板本体10と接触させるとともにビス55等
により基板本体に固定するようにしてもよい。この場
合、ヒートシンク50は、半導体素子21が絶縁モール
ド30から露出する部分すなわち背面部21aと、基板
本体10とに接触して設けられることになる。このよう
な構成とすることにより、ヒートシンク50をより安定
して取り付けることができ、また、半導体素子21の背
面部21aの電気的な接地を容易に行うことができる。
【0027】なお、本実施形態においては、複数の半導
体素子21、22に対して1のヒートシンク50が設け
られているが、これに限定されるものではなく、複数の
半導体素子に対して1以上のヒートシンクが設けられて
いてもよく、例えば半導体素子21、22それぞれにヒ
ートシンクを設けてもよい。
体素子21、22に対して1のヒートシンク50が設け
られているが、これに限定されるものではなく、複数の
半導体素子に対して1以上のヒートシンクが設けられて
いてもよく、例えば半導体素子21、22それぞれにヒ
ートシンクを設けてもよい。
【0028】また、本実施形態においても、図3に示す
第1の実施形態と同様に、発熱量が小さい半導体素子2
2については、絶縁モールド30で背面部が覆われてい
てもよい。
第1の実施形態と同様に、発熱量が小さい半導体素子2
2については、絶縁モールド30で背面部が覆われてい
てもよい。
【0029】[第3の実施の形態]次に、図7により第
3の実施形態について説明する。第3の実施形態は第2
の実施形態に対して、半導体素子およびヒートシンクを
囲む覆い部材が更に設けられている点が異なり、他は第
2の実施形態と略同一である。第3の実施形態において
第2の実施形態と同一部分については同一符号を付し、
重複する説明は省略する。
3の実施形態について説明する。第3の実施形態は第2
の実施形態に対して、半導体素子およびヒートシンクを
囲む覆い部材が更に設けられている点が異なり、他は第
2の実施形態と略同一である。第3の実施形態において
第2の実施形態と同一部分については同一符号を付し、
重複する説明は省略する。
【0030】図7に示すように、覆い部材70は、絶縁
モールド30に囲まれた半導体素子21、22および半
導体素子21、22上に設けられたヒートシンク50を
取り囲むように配置されている。
モールド30に囲まれた半導体素子21、22および半
導体素子21、22上に設けられたヒートシンク50を
取り囲むように配置されている。
【0031】この覆い部材70は、頂面部71、一対の
側面部72、取付部73とからなる。覆い部材70の頂
面部71の内面は、ヒートシンク50の各フィン51の
先端に接着されている。この覆い部材70は、取付部7
3においてビス等により基板本体10に固定されてい
る。
側面部72、取付部73とからなる。覆い部材70の頂
面部71の内面は、ヒートシンク50の各フィン51の
先端に接着されている。この覆い部材70は、取付部7
3においてビス等により基板本体10に固定されてい
る。
【0032】図7に示すように、覆い部材70の頂面部
71の内面の高さは、半導体素子21の高さとヒートシ
ンク50の凸部52の底面を基準としたフィン51の高
さとの和とほぼ等しくなっている。
71の内面の高さは、半導体素子21の高さとヒートシ
ンク50の凸部52の底面を基準としたフィン51の高
さとの和とほぼ等しくなっている。
【0033】また、ヒートシンク50と半導体素子2
1、22との間には熱伝導率の高いぺースト状の材料6
5が介在している。なお、ぺースト状の材料65を設け
ることに代えて、熱伝導性接着剤によりヒートシンク5
0と半導体素子21、22とを接着してもよい。
1、22との間には熱伝導率の高いぺースト状の材料6
5が介在している。なお、ぺースト状の材料65を設け
ることに代えて、熱伝導性接着剤によりヒートシンク5
0と半導体素子21、22とを接着してもよい。
【0034】このような構成とすることにより、覆い部
材70および基板本体10とに囲まれる空間を空気流路
として使用することができる。そしてこの空気流路にフ
ァン等を用いて空気を流すことにより、半導体素子2
1、22をより効率的に冷却することができる。
材70および基板本体10とに囲まれる空間を空気流路
として使用することができる。そしてこの空気流路にフ
ァン等を用いて空気を流すことにより、半導体素子2
1、22をより効率的に冷却することができる。
【0035】また、覆い部材70は、ネジ等により基板
本体10に強固に固着することが可能であるため、接続
部の経年変化によりヒートシンク50が脱落することを
抑制することができる。
本体10に強固に固着することが可能であるため、接続
部の経年変化によりヒートシンク50が脱落することを
抑制することができる。
【0036】また、覆い部材70をヒートシンク50の
フィン51先端に予め接着しておくことにより、取り扱
い時にフィン51を曲げてしまう等の事故から保護する
ことができる。
フィン51先端に予め接着しておくことにより、取り扱
い時にフィン51を曲げてしまう等の事故から保護する
ことができる。
【0037】なお、上記実施形態においては、覆い部材
70とヒートシンク50のフィン51を接着することと
したが、これに代えて覆い部材70とヒートシンク50
とを一体成形してもよい。また、ヒートシンク50のフ
ィン51先端は覆い部材70の内面と単に接触している
だけでもよい。
70とヒートシンク50のフィン51を接着することと
したが、これに代えて覆い部材70とヒートシンク50
とを一体成形してもよい。また、ヒートシンク50のフ
ィン51先端は覆い部材70の内面と単に接触している
だけでもよい。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板本体にモールドにより保護された状態で装着される
発熱体の放熱性を向上させることができる。
基板本体にモールドにより保護された状態で装着される
発熱体の放熱性を向上させることができる。
【図1】本発明の第1の実施形態を示す図であって、基
板の構造を示す断面図。
板の構造を示す断面図。
【図2】本発明の第1の実施形態の変形例を示す図。
【図3】本発明の第1の実施形態の他の変形例を示す
図。
図。
【図4】本発明に係る基板の製造方法を示す図。
【図5】本発明の第2の実施形態を示す図であって、基
板の構造を示す断面図。
板の構造を示す断面図。
【図6】第2の実施形態の変形例を示す図。
【図7】本発明の第3の実施形態を示す図であって、基
板の構造を示す断面図。
板の構造を示す断面図。
【図8】従来の基板の構造を示す断面図。
【図9】従来の基板の構造を示す断面図。
10 基板本体 21、22 発熱部品(半導体素子) 30 モールド 50 ヒートシンク 70 覆い部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 生 方 浩 東京都青梅市末広町2丁目9番地 株式会 社東芝青梅工場内 (72)発明者 槙 田 貞 夫 東京都青梅市末広町2丁目9番地 株式会 社東芝青梅工場内 (72)発明者 富 岡 健太郎 東京都青梅市末広町2丁目9番地 株式会 社東芝青梅工場内
Claims (11)
- 【請求項1】基板本体と、 前記基板本体に設けられた発熱体と、を備え、 所定の前記発熱体の一部分が露出するように、前記発熱
体を覆うモールドを設けたことを特徴とする基板。 - 【請求項2】前記モールドは、前記基板本体と前記発熱
体とが接触する接触部分と略平行な前記発熱体の部分を
露出させて、前記発熱体を覆うことを特徴とする請求項
1に記載の基板。 - 【請求項3】前記発熱体が露出する部分に、ヒートシン
クが設けられることを特徴とする請求項1に記載の基
板。 - 【請求項4】前記ヒートシンクは、導電性接着剤によ
り、前記発熱体に取り付けられていることを特徴とする
請求項3に記載の基板。 - 【請求項5】前記ヒートシンクは、前記発熱体が前記モ
ールドから露出する部分と、前記基板本体とに接触して
設けられることを特徴とする請求項3または4に記載の
基板。 - 【請求項6】前記基板本体に取り付けられるとともに前
記発熱体および前記ヒートシンクを囲む覆い部材を更に
備え、 この覆い部材は、前記基板本体とともに空気流路を区画
することを特徴とする請求項3に記載の基板。 - 【請求項7】前記ヒートシンクに形成されるフィンに、
前記覆い部材が取り付けられることを特徴とする請求項
6に記載の基板。 - 【請求項8】前記ヒートシンクは、複数の前記発熱体に
対して、少なくとも1つ以上設けられることを特徴とす
る請求項3または4に記載の基板。 - 【請求項9】前記ヒートシンクに、所定の前記発熱体に
対して、前記発熱体と対向する部分に、凸部が形成され
ることを特徴とする請求項3または4に記載の基板。 - 【請求項10】前記所定の発熱体は、複数の前記発熱体
のうち、相対的に高い放熱効率が要求される発熱体であ
ることを特徴とする請求項1に記載の基板。 - 【請求項11】相対的に高い放熱効率が要求される前記
発熱体を覆う前記モールドを構成する材料の熱伝導率
は、他の前記発熱体を覆う前記モールドを構成する材料
の熱伝導率よりも大きいことを特徴とする請求項10に
記載の基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24912197A JPH1187576A (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 基 板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24912197A JPH1187576A (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 基 板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1187576A true JPH1187576A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17188260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24912197A Pending JPH1187576A (ja) | 1997-09-12 | 1997-09-12 | 基 板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1187576A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270638A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Nec Corp | 半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置 |
JP2007019316A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Omron Corp | 放熱機能を備えた部品実装基板構造及びこの放熱機能を備えた部品実装基板構造の製造方法 |
US11776865B2 (en) | 2018-02-20 | 2023-10-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
-
1997
- 1997-09-12 JP JP24912197A patent/JPH1187576A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270638A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Nec Corp | 半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置 |
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JP4569405B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-10-27 | オムロン株式会社 | 放熱機能を備えた部品実装基板構造及びこの放熱機能を備えた部品実装基板構造の製造方法 |
US11776865B2 (en) | 2018-02-20 | 2023-10-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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