JP3173061B2

JP3173061B2 - プラズマアドレス電気光学装置

Info

Publication number: JP3173061B2
Application number: JP25870091A
Authority: JP
Inventors: 武広蠣崎
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-09-11
Filing date: 1991-09-11
Publication date: 2001-06-04
Anticipated expiration: 2016-06-04
Also published as: US5408245A; KR930006614A; KR100239807B1; JPH0572519A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶セル等の電気光学セ
ルとプラズマセルの二層構造からなるプラズマアドレス
電気光学装置例えば液晶表示装置に関する。より詳しく
は、選択的なプラズマ放電によりアドレッシングを行な
うプラズマセルの構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、従来のマトリクスタイプ液晶表
示装置を高解像度化及び高コントラスト化する為の手段
としては、所謂アクティブマトリクスアドレス方式が一
般に採用されている。この方式は各画素毎に薄膜トラン
ジスタ等のスイッチング素子を設け、これを線順次で駆
動するものである。しかしながらこの方式の場合、薄膜
トランジスタの様な半導体素子を多数基板上に設ける必
要があり、特に大面積化した時に歩留りが悪くなるとい
う欠点がある。

【０００３】そこで改善手段として、ブザク等は、特開
平１−２１７３９６号公報において、薄膜トランジスタ
等からなるスイッチング素子の代りに選択的なプラズマ
放電に基くプラズマスイッチを利用する方式を提案して
いる。以下、プラズマスイッチを利用して液晶セルを駆
動する表示装置の構成を簡単に説明する。このプラズマ
アドレス液晶表示装置は、図１０に示す様に、液晶セル
１０１とプラズマセル１０２とを共通の誘電体隔壁１０
３を介して積層した構造を有している。プラズマセル１
０２はガラス基板１０４を用いて構成されている。この
基板１０４の表面には互いに平行な複数の長溝１０５が
形成されている。各長溝１０５は隔壁１０３によって塞
がれており個々に分離したプラズマ室１０６を形成して
いる。隣接するプラズマ室１０６は凸条部１０７によっ
て互いに隔てられている。各プラズマ室１０６の内部に
はイオン化可能なガスが封入されている。さらに、各長
溝１０５の底面部には一対の電極１０８，１０９が溝の
長手方向に延設されている。この一対の電極がプラズマ
室１０６内のガスをイオン化して放電プラズマを発生す
る為のアノード及びカソードとして機能する。

【０００４】一方液晶セル１０１は上側のガラス基板１
１０を用いて構成されている。基板１１０と隔壁１０３
との間には液晶層１１１が充填されている。この基板１
１０の内側表面には透明導電膜からなる互いに平行な複
数の信号電極１１２が形成されている。この信号電極１
１２はプラズマ室１０６と直交しており、両者の交差部
分がマトリクス状に配列された個々の画素に対応してい
る。

【０００５】上述したプラズマアドレス表示装置を駆動
するには、プラズマ室１０６毎に線順次でプラズマ放電
を行ない局在化した放電領域を作る。この放電領域が走
査単位となる。線順次走査と同期して液晶セル１０１側
の信号電極１１２にアナログ駆動電圧を印加する事によ
り画素の駆動を行なう。即ち、放電領域はサンプリング
スイッチとして機能しサンプリングされた画素にアナロ
グ駆動電圧がサンプリングホールドされる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したタイプの表示
装置は選択的なプラズマ放電を繰り返し行ない液晶セル
のアドレッシングを行なうものである。プラズマ放電は
一対の放電電極即ちアノード電極とカソード電極との間
に高電圧を印加して行なわれる。放電電極は一般に金属
薄膜等から構成されている。繰り返し放電により電極は
摩耗及び腐蝕の危険性に曝される。特に、水分や酸素等
の不純物が存在すると電極腐蝕は著しく加速され劣化が
進みプラズマセルの長寿命化を図る事ができない。これ
らの劣化要因となる不純物は外部から侵入したり内部で
発生する危険性がある。

【０００７】従って、従来劣化要因を除去する為に、プ
ラズマセルは無機材料で構成され気密のプラズマ室を形
成する為にフリットシールを行なっていた。加えて構成
材料からのアウトガスを除く為にベーキング処理も施し
ていた。従って、プラズマセルの製造は高温処理が中心
となっている。この為、製造コストが高くなるとともに
大型化が困難であるという問題点があった。

【０００８】一方、液晶セルの製造は低温処理が中心と
なる。必然的にプラズマセルを組み立てた後液晶セルを
組み立てる事になるので製造上の様々な制約が生じると
いう問題点がある。例えば図１１に従来の製造工程を示
す。先ず、基板１０４の表面に長溝１０５をエッチング
で形成する。次に、長溝１０５の底面にアノード電極１
０８及びカソード電極１０９等のプラズマ電極を形成す
る。

【０００９】次に誘電体隔壁１０３をフリットシール１
１３を用いて基板１０４に接着する。隔壁１０３もガラ
ス等の無機材料が用いられる。フリットシール１１３は
気密性を高める為に用いられ４００℃程度の高温焼成処
理が必要となる。引き続き、ベーキング処理を行ないプ
ラズマ室内のアウトガスを予め除去する。これも高温処
理である。

【００１０】最後に、高分子接着剤等の有機シール１１
４を用いて液晶セル基板１１０を接着する。接着剤の硬
化温度は例えば１５０℃程度であり低温処理が中心とな
る。最後に隔壁１０３と基板１１０との間の間隙に液晶
層１１１を充填する。この時、液晶層の厚みを数μｍオ
ーダーで精密に制御する必要があり上述した間隙寸法を
一定にしなければならない。しかしながら、高温処理の
施されたプラズマセル上に一定の間隙を有する液晶セル
を組み立てる事は困難であり且つ歩留りが悪い。液晶セ
ルの組み立てをプラズマセルに先行させる事も考えられ
るが、プラズマセルの処理温度あるいはプロセス温度が
液晶セルに比べて高いので不可能である。以上述べた様
々な問題点は全てプラズマセルをハーメチックシールし
なければならない事に起因している。

【００１１】そこで、本発明はハーメチックシール構造
でなくとも長寿命を維持する事のできるプラズマ電極構
成を提供する事を第１の目的とする。

【００１２】ハーメチックシールに付随する問題点とし
てプラズマセルの耐圧性が挙げられる。プラズマセル内
には一定圧力でイオン化可能なガスが封入される。この
ガス圧力が大気圧より低い場合には大きな外圧を受け変
形する惧れがある。この変形を防止する為には支柱が必
要となりセル構造並びに製造工程が複雑になるという問
題点がある。逆に、ガスを大気圧で封入した場合には、
航空機輸送中等において減圧下に曝された時破裂の危険
性がある。

【００１３】そこで、本発明は外気圧の影響を受ける事
が無い耐圧性に優れたプラズマセル構造を提供する事を
第２の目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決し本発明の目的を達成する為に以下の手段が講
じられた。即ち、本発明にかかるプラズマアドレス電気
光学装置は主面に沿って互いに平行に配置された複数の
第１電極あるいは信号電極を有する第１の基板を有して
いる。この第１の基板に対向して第２の基板が配置され
ている。第２の基板の主面上には前記信号電極と直交し
且つ互いに平行に配置された複数の第２電極あるいはプ
ラズマ電極が形成されている。さらに、このプラズマ電
極を被覆する様に絶縁膜が形成されている。第１の基板
と第２の基板間には液晶層等の電気光学材料層が間挿さ
れている。この電気光学材料層と第２の基板の間にはイ
オン化可能なガスを封入する為のプラズマ室が設けられ
ている。かかる構成において、隣接するプラズマ電極間
で一方をアノードとし他方をカソードとして該絶縁膜を
介した放電と、一方をカソードとし他方をアノードとし
て該絶縁膜を介した放電とを交互に行なってガスを選択
的にイオン化し、このイオン化ガスが局在する放電領域
を走査単位として各放電時にアノード側となる第２電極
を基準にして、前記信号電極と放電領域の交差部に存在
する電気光学材料層を駆動する。

【００１５】あるいは、絶縁膜によって被覆されたプラ
ズマ電極に代えて化学的に不活性な金属膜からなるプラ
ズマ電極を備える様にしても良い。

【００１６】本発明の他の側面によれば、プラズマ電極
を絶縁膜で被覆する構造とするかあるいはプラズマ電極
を化学的に不活性な金属膜で構成する事に加えて、プラ
ズマ室に外気と連通する為の開口部を設けている。そし
て、イオン化可能なガス種として空気を利用している。

【００１７】

【作用】本発明によれば、プラズマ電極は絶縁膜によっ
て保護されている。あるいは、プラズマ電極は化学的に
不活性な貴金属材料から構成されている。従って、従来
に比し水分や酸素等の不純物に起因する腐蝕に対して強
い特性を有する。従って、従来の様に無機材料及び高温
処理を必要とするハーチメックシール構造に代えて有機
材料及び低温処理を利用するシール構造を採用できる。
従って、大面積化が容易になるとともに、液晶セルと同
程度の処理温度でプラズマセルを組み立てる事ができ
る。この為、製造工程に制限が無くなり、例えばプラズ
マセルの組み立てに先立って液晶セルを組み立てる事が
できる。この場合には液晶層の厚みを極めて均一に制御
可能である。なお、プラズマ電極を絶縁膜で被覆した場
合には従来のＤＣプラズマ放電駆動に代えてＡＣプラズ
マ放電駆動を採用する事になる。

【００１８】又、本発明の他の側面によればプラズマ室
は気密封止されておらず外気圧と連通している。従っ
て、如何なる圧力条件下においてもセルの内部と外部に
圧力差が生ぜず耐圧性が問題となる事が無い。なお、必
然的にイオン化可能なガス種が大気圧の空気となり放電
効率が低下する。しかしながら、プラズマアドレス表示
装置においてはプラズマセルは発光源として用いられる
のではなく線順次走査の為のスイッチとして用いられる
為効率の低下は障害とならない。

【００１９】

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１は本発明にかかるプラズマアドレ
ス液晶表示装置の一実施例を示す断面図である。なお、
本発明は液晶表示装置に限られるものではなく、広くプ
ラズマアドレス電気光学装置一般に適用可能である事は
言うまでもない。本装置は液晶セル１とプラズマセル２
と両者の間に介在する共通の誘電体隔壁３とからなる積
層構造を有している。液晶セル１はガラス基板４を用い
て構成されている。勿論透明プラスチック材料を代りに
用いても良い。基板４の内側表面には透明導電材料から
なる複数本の互いに平行な信号電極Ｄが形成されてい
る。基板４は有機又は高分子接着剤からなるシーラ５を
用いて所定の間隙を介して隔壁３に接着されている。こ
の間隙内には液晶層６が充填されている。液晶層６は電
気光学材料層である。

【００２０】一方、プラズマセル２は基板７を用いて構
成される。この基板７はガラス材料でも良いが製造コス
トを下げる為高分子材料あるいはプラスチック材料等の
有機材料を用いても良い。基板７の表面には複数本の互
いに平行な長溝８が設けられている。この長溝８は信号
電極Ｄと直交する方向に延設されている。長溝８は例え
ば金型を用いて基板７と一体的に成形できる。個々の長
溝８の底部には一対の電極Ａ及びＢが形成されている。
これらの電極がプラズマ電極９である。プラズマ電極９
は真空蒸着あるいはスパッタリングにより堆積された金
属膜をエッチングによりパタニングして得られる。プラ
ズマ電極９の表面は絶縁膜１０により被覆されている。
この絶縁膜１０は例えばスパッタリングあるいは真空蒸
着により二酸化シリコン等を堆積して得られる誘電膜で
ある。基板７は有機接着剤等を用いて隔壁３に接着され
る。この様にして、各長溝８は封止され個々に分離した
プラズマ室１１を構成する。プラズマ室１１の内部はイ
オン化可能なガスで充填されており放電領域を形成す
る。即ち、一対のプラズマ電極Ａ及びＢの間に高電圧を
印加するとガスがイオン化しプラズマ放電が生じる。こ
の放電領域が行走査単位となり信号電極Ｄが列駆動単位
となる。両単位の間にマトリクス配列された画素が規定
される。イオン化可能なガス種としては例えばアルゴ
ン、ネオン、ヘリウムあるいはこれらの混合気体又は空
気等から選ぶ事ができる。なお、本例においては電気光
学材料層として流体の液晶層が用いられている為隔壁３
を必要しているが、ＰＬＺＴ等の固体電気光学材料を用
いた時は隔壁３を取り除く事も可能である。

【００２１】本例においてはプラズマ電極９は絶縁膜１
０によって被覆保護されている。従って、仮に水分や酸
素等の不純物が存在していても電極腐蝕が進行しない。
この為、プラズマセル２はハーメチックシール構造を必
要とせず有機基板材料及び有機接着材料を用いて液晶セ
ル１と同程度の低温処理プロセスで組み立て可能であ
る。この為、液晶セル１を先に組み立てプラズマセル２
を後工程で重ねる事もできる。加えて、アウトガス放出
の為の高温ベーキングを行なう必要も無い。

【００２２】図２は１個のプラズマ室１１を切り取って
表わした模式図である。プラズマ室１１の内部にはイオ
ン化可能なガスが充填されている。一対のプラズマ電極
Ａ及びＢの間に所定の高電圧を印加するとプラズマ放電
が起こる。

【００２３】例えば一方のプラズマ電極Ｂをアノードと
して接地電位に接続するとともに他方のプラズマ電極Ａ
をカソードとして−２００Ｖを印加する。この様にする
と放電領域１２の略全域がアノード電位に略等しくな
る。なおこのプラズマ放電は実際には絶縁膜１０を介し
て行なわれる。放電領域１２が略全体的にアノード電位
になると各画素の一端部を構成する誘電体隔壁３にアノ
ード電位が与えられる。一方、プラズマ放電が終了する
とプラズマ室１１は浮遊電位となる。この為、放電領域
１２は所謂プラズマスイッチとして機能する。又、一対
の電極Ａ及びＢの極性を反転させても全く同様なプラズ
マ放電が起こり、点線で示す様に放電領域は略全体に渡
ってアノード電位に保持される。図１に示す実施例にお
いてはプラズマ電極９は絶縁膜１０によって被覆されて
いる。従って、一対のプラズマ電極Ａ，Ｂの各々をアノ
ード及びカソードに固定し所謂ＤＣ放電を行なうと絶縁
膜１０に電荷が蓄積され放電は停止してしまう。従っ
て、本実施例においては１フィールド毎に一対の電極
Ａ，Ｂの極性を反転させる所謂ＡＣ放電を採用してい
る。

【００２４】図３は図１に示すプラズマアドレス液晶表
示装置に用いられる駆動回路を示すブロック図である。
この駆動回路は信号回路２１と走査回路２２と制御回路
２３とから構成されている。信号回路２１には信号電極
Ｄ１ないしＤｍが各々バッファを介して接続されてい
る。又、走査回路２２にはプラズマ電極Ａ１ないしＡｎ
とＢ１ないしＢｎがバッファを介して交互に接続されて
いる。走査回路２２は一対のプラズマ電極（Ａ１，Ｂ
１）ないし（Ａｎ，Ｂｎ）を線順次で選択走査し行走査
単位となる放電領域を形成する。一方、信号回路２１は
線順次走査に同期して各信号電極Ｄ１ないしＤｍにアナ
ログ駆動電圧を印加する。即ち、信号電極Ｄ１ないしＤ
ｍは列駆動単位となる。この列駆動単位と行走査単位と
の交差部に画素２４が規定される。

【００２５】図４は図３に示す４個の画素２４を切り出
して模式的に示したものである。個々の画素２４は、信
号電極（Ｄ１，Ｄ２）と隔壁３とにより挟持された液晶
層６からなるサンプリングキャパシタとプラズマサンプ
リングスイッチ（Ｓ１，Ｓ２）との直列接続からなる。
前述した様に、一対のプラズマ電極（Ａ１，Ｂ１）ある
いは（Ａ２，Ｂ２）に沿って形成される放電領域はプラ
ズマスイッチとして機能するのでスイッチのシンボルマ
ークＳ１，Ｓ２で表わしている。プラズマサンプリング
スイッチが導通すると対応するサンプリングキャパシタ
にアナログ駆動電圧が印加され各画素の点灯あるいは消
灯が制御される。プラズマサンプリングスイッチが非導
通状態となった後にも画素にはアナログ駆動電圧が保持
されるので所謂サンプリングホールドが行なわれる。

【００２６】図５は図４に示す個々の画素２４の等価回
路図である。サンプリングキャパシタＣ_Sは、液晶層の
容量成分Ｃ_LCと誘電体隔壁の容量成分Ｃ_Iとの直列接続
からなる。プラズマサンプリングスイッチＳが導通する
と信号回路２１によりサンプリングキャパシタＣ_Sの充
電を行なう。プラズマサンプリングスイッチＳの導通動
作は一対のプラズマ電極Ａ及びＢに走査回路２２を用い
て所定のＡＣ放電電圧を印加する事により行なわれる。
放電電圧の極性はフィールド毎に切り換えられる。プラ
ズマ放電は電極を被覆する絶縁膜を介して行なわれる。
各プラズマ電極Ａ，Ｂには各々絶縁膜の容量成分Ｃ_A，
Ｃ_Bが接続する事になる。容量成分Ｃ_A，Ｃ_Bに注入さ
れる電荷は放電電圧の極性を反転する事により放電電流
を介して充放電され電荷蓄積は生じない。従って、ＡＣ
放電を行なう事により放電は断続的に維持される。

【００２７】図６はＡＣ放電駆動に用いられる電圧波形
の一例を示す。最初の線順次走査が行なわれる第１フィ
ールド期間において、最初の１行又は１ラインサンプリ
ング期間に、一方のプラズマ電極Ａ１には例えば０Ｖの
パルス電圧Ｖ_A1が印加され、他方のプラズマ電極Ｂ１に
は−２００Ｖのパルス電圧Ｖ_B1が印加される。この様に
して、プラズマ電極Ａ１がアノードとなりプラズマ電極
Ｂ１がカソードとなってプラズマ放電が発生する。放電
領域は略全体に渡ってアノード電位に保持されプラズマ
スイッチが導通する。次に、第２フィールド期間におい
て最初の１ラインサンプリング期間に、極性の反転した
パルス電圧が印加される。この時には、プラズマ電極Ａ
１がカソードとなりプラズマ電極Ｂ１がアノードとなっ
てプラズマ放電が発生する。この時にも、放電領域は略
全体に渡ってアノード電位となりプラズマスイッチが導
通する。第１フィールド及び第２フィールドを合せて１
フレームを構成し所謂ＡＣプラズマ放電が行なわれる。

【００２８】図７は本発明にかかるプラズマアドレス電
気光学装置の他の実施例を示す模式的な断面図である。
図１に示す実施例と同一の構成要素については同一の参
照番号を付して理解を容易にしている。本実施例におい
ては、アノード電極Ａとカソード電極Ｋが所定の間隔を
介して交互に配列した構造を有している。これらのアノ
ード電極及びカソード電極がプラズマ電極９である。プ
ラズマ電極９は化学的に不活性な金属膜をフォトリソグ
ラフィ及びエッチングを用いてパタニングする事により
得られる。不活性な金属膜の材料としては化学的に安定
な貴金属例えば金、白金、パラジウム等が用いられる。
これらの貴金属は化学的に安定且つ不活性であり不純物
ガスの存在下においてもプラズマ電極腐蝕が進行しな
い。従って、プラズマセルをハーメチックシール構造に
しなくとも長期の寿命を保証できる。この為、本実施例
においては隔壁３及び基板７を有機材料あるいは高分子
材料で構成している。又これらの接着に高分子材料から
なるシール１３を用いている。従って、低温処理でセル
組み立てを行なう事ができる。併せて、アウトガス除去
の為のベーキングも低温処理で行なっている。

【００２９】図１に示す実施例と異なり、本実施例にお
いてはプラズマ室１１は基板全体に渡って連続する密閉
空間となっている。しかしながら、放電領域１２を一対
のカソード電極Ｋ及びアノード電極Ａの間に実質上局在
化する事ができるので図１に示す実施例と同様な線順次
走査を行なう事ができる。この場合、放電によって発生
するイオン粒子の拡散による解像度の劣化が懸念され
る。しかしながら、これについては次の様にして解決で
きる。先ず、良く知られている様にプラズマ室１１に封
入されるガスの圧力については、これが高い程イオン粒
子の平均自由行程が小さくなり局在化の傾向となる。従
って、ガス圧力をある程度高く設定する事により放電プ
ラズマを適当な広がりに制御する事が可能となる。但
し、ガス圧力を高くすると放電開始電圧が高くなる場合
がある。これについては、パッシェンの法則により、隣
接するアノード電極Ａとカソード電極Ｋの間隔をガス圧
力に反比例して小さくする事で制御できる。ガス圧力や
電極間隔の最適値は使用するガス種によっても異なる
が、例えばネオンとアルゴンの混合ガスを使用し電極間
隔を０．１mmとした場合、１気圧で放電が可能であっ
た。

【００３０】図８は図７に示す実施例から切り出された
１画素に相当する等価回路を示している。図５に示す先
の実施例の等価回路と同一の構成要素については同一の
参照符号を付し理解を容易にしている。本実施例におい
ては、プラズマ電極が絶縁膜によって被覆されていない
のでＤＣ放電方式が採用されている。即ち、アノード電
極は常に接地されているとともに、カソード電極Ｋには
走査回路２２を介して直流の高電圧パルスが印加され
る。

【００３１】最後に図９を参照してさらに他の実施例を
説明する。本例においても図１に示す実施例と同一の構
成要素については同一の参照番号を付して理解を容易に
している。プラズマセル２を構成する基板７の表面は所
定の深さでサライ加工が施されており隔壁３と接着する
事によりプラズマ室１１を形成している。基板７の底面
に沿ってプラズマ電極９が形成されている。この表面は
絶縁膜１０により被覆されており不純物から保護されて
いる。あるいは、プラズマ電極９を、化学的に不活性な
金属膜のパタニングで形成する場合にはこの絶縁膜１０
を除去する事が可能である。何れの場合でも、プラズマ
電極９は不純物に起因する腐蝕劣化に強い特性を有して
いる。

【００３２】先に説明した実施例と異なり本例において
はプラズマ室１１は密閉空間となっておらず、開口１４
を介して外気に連通している。従ってプラズマ室１１に
充填されるイオン化可能なガス種は空気となる。ガス種
として大気圧の空気を用いた場合プラズマ発生効率は比
較的低くなる。しかしながら、本発明においてはプラズ
マ放電が画像表示に直接用いられるのではなくアドレッ
シング用のプラズマスイッチに利用されるのでプラズマ
の発生効率即ち発光効率は問題とならない。

【００３３】プラズマ室１１は外気と連通しているので
余圧あるいは負圧による機械的ストレスを受けない。従
って、従来と異なり耐圧性に優れたプラズマセルを得る
事ができる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、プ
ラズマ電極を絶縁膜で被覆する事により、あるいはプラ
ズマ電極を化学的に不活性な金属薄膜で形成する事によ
り、プラズマ電極の耐蝕性を向上できるのでプラズマセ
ル構造を従来に比し簡略化できる。例えば、セル構成材
料として高分子材料を用いる事ができ組み立て処理温度
及びベーキング処理温度を低くできるので大面積のプラ
ズマアドレス電気光学装置を安価に且つ効率良く製造で
きるという効果がある。加えて、プラズマ電極の耐蝕性
が向上した事により、プラズマセル構造を外気に連通す
る開放型にできるので耐圧性を改善できるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるプラズマアドレス電気光学装置
の一実施例を示す断面図である。

【図２】図１の実施例から１個のプラズマ室１１を切り
出して示した模式図である。

【図３】図１の実施例に用いられる駆動回路の一例を示
すブロック図である。

【図４】図１の実施例から４個の画素を切り取って示し
た模式図である。

【図５】個々の画素に対応する等価回路図である。

【図６】図３に示す駆動回路の動作を説明する為の波形
図である。

【図７】本発明の他の実施例を示す断面図である。

【図８】図７の実施例に含まれる個々の画素に対応する
等価回路図である。

【図９】本発明のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。

【図１０】従来のプラズマアドレス電気光学装置を示す
部分破断斜視図である。

【図１１】従来のプラズマアドレス電気光学装置の製造
工程図である。

【符号の説明】

１液晶セル２プラズマセル３隔壁４ガラス基板６液晶層７基板８長溝９プラズマ電極１０絶縁膜１１プラズマ室１３シール１４開口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1333 G02F 1/133 G02F 1/1343 G09F 9/00 - 9/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】主面上に互いに略平行に配置された複数
の第１電極を有する第１の基板と、前記第１電極と略直交し且つ主面上に互いに略平行に配
置された複数の第２電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板の間に間挿された電気
光学材料層と、前記電気光学材料層と前記第２の基板間に設けられてお
りイオン化可能なガスを封入する為のプラズマ室とから
なるプラズマアドレス電気光学装置において、前記第２の基板の主面上に形成される第２電極が絶縁膜
で被覆されていると共に、隣接する第２電極間で一方を
アノードとし他方をカソードとして該絶縁膜を介した放
電と、一方をカソードとし他方をアノードとして該絶縁
膜を介した放電とを交互に行なって前記ガスを選択的に
イオン化し、このイオン化ガスが局在する放電領域を走
査単位として各放電時にアノード側となる第２電極を基
準にして前記第１電極と放電領域の交差部に存在する電
気光学材料層を駆動する様に構成したことを特徴とする
プラズマアドレス電気光学装置。
【請求項２】主面上に互いに略平行に配置された複数
の第１電極を有する第１の基板と、前記第１電極と略直交し且つ主面上に互いに略平行に設
けられた第２電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板間に間挿された電気光
学材料層と、前記電気光学材料層と前記第２の基板間に設けられてお
りイオン化可能なガスを封入する為のプラズマ室とから
なるプラズマアドレス電気光学装置において、前記第２の基板の主面上に形成される第２電極が化学的
に不活性な金属膜からなるとともに、隣接する第２電極
間の放電により前記ガスを選択的にイオン化し、このイ
オン化ガスが局在する放電領域を走査単位として前記第
１電極と放電領域の交差部に存在する電気光学材料層を
駆動する様に構成したことを特徴とするプラズマアドレ
ス電気光学装置。
【請求項３】前記プラズマ室は外気と連通する開口部
を有し、該開口部を介して充填された空気を選択的にイ
オン化し、このイオン化された空気が局在する放電領域
を走査単位として該電気光学材料層を駆動することを特
徴とする請求項１又は２記載のプラズマアドレス電気光
学装置。