JPH08313887A - プラズマアドレス表示パネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマアドレス表示パネル及びその製造方法Info
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- JPH08313887A JPH08313887A JP7166767A JP16676795A JPH08313887A JP H08313887 A JPH08313887 A JP H08313887A JP 7166767 A JP7166767 A JP 7166767A JP 16676795 A JP16676795 A JP 16676795A JP H08313887 A JPH08313887 A JP H08313887A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J17/38—Cold-cathode tubes
- H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
- H01J17/485—Plasma addressed liquid crystal displays [PALC]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマセルに形成される放電電極の耐久性
を上げると共に高精細化を図る。 【構成】 プラズマアドレス表示パネルは、列状の信号
電極5を備えた表示セル1、行状の放電電極9を備えた
プラズマセル2及び両セルの間に介在する誘電体シート
3を互いに重ねた積層構造を有する。信号電極5と放電
電極9の交差部に画素を規定する。プラズマセル2は空
隙を介して誘電体シート3に接合した絶縁基板8と、空
隙に封入され放電電極9に印加される電圧によりイオン
化する気体とから構成されている。放電電極9は絶縁基
板8の表面に行状に掘られた溝13に埋設された導電材
料からなる。
を上げると共に高精細化を図る。 【構成】 プラズマアドレス表示パネルは、列状の信号
電極5を備えた表示セル1、行状の放電電極9を備えた
プラズマセル2及び両セルの間に介在する誘電体シート
3を互いに重ねた積層構造を有する。信号電極5と放電
電極9の交差部に画素を規定する。プラズマセル2は空
隙を介して誘電体シート3に接合した絶縁基板8と、空
隙に封入され放電電極9に印加される電圧によりイオン
化する気体とから構成されている。放電電極9は絶縁基
板8の表面に行状に掘られた溝13に埋設された導電材
料からなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表示セルとプラズマセル
とを重ねた積層構造を有するプラズマアドレス表示パネ
ルに関する。より詳しくは、プラズマセルに形成される
放電電極の構造及び製造技術に関する。
とを重ねた積層構造を有するプラズマアドレス表示パネ
ルに関する。より詳しくは、プラズマセルに形成される
放電電極の構造及び製造技術に関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマセルを表示セルのアドレッシン
グに利用するプラズマアドレス表示パネルが知られてお
り、例えば特開平4−265931号公報に開示されて
いる。図5に示す様に、このプラズマアドレス表示パネ
ルは表示セル1とプラズマセル2と両者の間に介在する
共通の誘電体シート3とからなる積層構造を有してい
る。プラズマセル2は誘電体シート3に接合した下側の
絶縁基板8から構成されており、両者の空隙にイオン化
可能な気体が封入されている。ガラス等からなる絶縁基
板8の内表面にはストライプ状(行状)の放電電極9が
形成されている。放電電極9はスクリーン印刷法等によ
り平坦な絶縁基板8上に印刷焼成できるので、生産性や
作業性に優れている。複数の放電電極9を一対ずつ隔て
る様に隔壁10が形成されており、イオン化可能な気体
が封入された空隙を分割して放電チャネル12を構成す
る。この隔壁10もスクリーン印刷法等により形成で
き、その頂部が誘電体シート3の下面側に当接してい
る。隣接する隔壁10によって囲まれた一対の放電電極
9はアノードA及びカソードKとして機能し、両者の間
にプラズマ放電を発生させる。なお、誘電体シート3と
絶縁基板8はガラスフリット11等により互いに接合し
ている。
グに利用するプラズマアドレス表示パネルが知られてお
り、例えば特開平4−265931号公報に開示されて
いる。図5に示す様に、このプラズマアドレス表示パネ
ルは表示セル1とプラズマセル2と両者の間に介在する
共通の誘電体シート3とからなる積層構造を有してい
る。プラズマセル2は誘電体シート3に接合した下側の
絶縁基板8から構成されており、両者の空隙にイオン化
可能な気体が封入されている。ガラス等からなる絶縁基
板8の内表面にはストライプ状(行状)の放電電極9が
形成されている。放電電極9はスクリーン印刷法等によ
り平坦な絶縁基板8上に印刷焼成できるので、生産性や
作業性に優れている。複数の放電電極9を一対ずつ隔て
る様に隔壁10が形成されており、イオン化可能な気体
が封入された空隙を分割して放電チャネル12を構成す
る。この隔壁10もスクリーン印刷法等により形成で
き、その頂部が誘電体シート3の下面側に当接してい
る。隣接する隔壁10によって囲まれた一対の放電電極
9はアノードA及びカソードKとして機能し、両者の間
にプラズマ放電を発生させる。なお、誘電体シート3と
絶縁基板8はガラスフリット11等により互いに接合し
ている。
【0003】一方、表示セル1は上側の透明基板4を用
いて構成されている。ガラス等からなるこの透明基板4
は誘電体シート3に所定の間隙を介してシール材6等に
より接合されており、間隙には液晶7等の電気光学物質
が充填されている。透明基板4の内表面には信号電極5
が列状に形成されている。この信号電極5は行状の放電
電極9と直交している。信号電極5と放電チャネル12
の交差部分にマトリクス状の画素が規定される。
いて構成されている。ガラス等からなるこの透明基板4
は誘電体シート3に所定の間隙を介してシール材6等に
より接合されており、間隙には液晶7等の電気光学物質
が充填されている。透明基板4の内表面には信号電極5
が列状に形成されている。この信号電極5は行状の放電
電極9と直交している。信号電極5と放電チャネル12
の交差部分にマトリクス状の画素が規定される。
【0004】かかる構成を有するプラズマアドレス表示
パネルでは、プラズマ放電が行なわれる行状の放電チャ
ネル12を線順次で切り換え走査すると共に、この走査
に同期して表示セル1側の信号電極5に画像信号を印加
する事により表示駆動が行なわれる。放電チャネル12
内にプラズマ放電が発生すると内部は略一様にアノード
電位になり1行毎の画素選択が行なわれる。即ち放電チ
ャネルはサンプリングスイッチとして機能する。プラズ
マサンプリングスイッチが導通した状態で各画素に画像
信号が印加されると、サンプリングが行なわれ液晶7の
透過率が画素単位で制御できる。プラズマサンプリング
スイッチが非導通状態になった後にも画像信号はそのま
ま画素内にホールドされる。
パネルでは、プラズマ放電が行なわれる行状の放電チャ
ネル12を線順次で切り換え走査すると共に、この走査
に同期して表示セル1側の信号電極5に画像信号を印加
する事により表示駆動が行なわれる。放電チャネル12
内にプラズマ放電が発生すると内部は略一様にアノード
電位になり1行毎の画素選択が行なわれる。即ち放電チ
ャネルはサンプリングスイッチとして機能する。プラズ
マサンプリングスイッチが導通した状態で各画素に画像
信号が印加されると、サンプリングが行なわれ液晶7の
透過率が画素単位で制御できる。プラズマサンプリング
スイッチが非導通状態になった後にも画像信号はそのま
ま画素内にホールドされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図5に示したプラズマ
アドレス表示パネルにおいて、プラズマセル2に形成さ
れた放電電極9は、一般に絶縁基板8にスクリーン印刷
を適用して形成していた。即ち、ストライプ状のパタン
を有するスクリーンマスクを用いてペースト等の導電材
料を平坦な絶縁基板8の表面に転写し、加熱処理を施し
て放電電極に加工している。しかしながら、この様に印
刷焼成された放電電極は以下の様な解決すべき課題を有
している。先ず、第1に放電電極9の線幅が100μm
以下になるとスクリーン印刷ではパタニングが困難にな
る。従って、印刷焼成された放電電極9は少なくとも1
00μm以上の線幅を有している。この為、画素の高精
細化及び微細化が阻害されると共に画素の開口率も改善
できない。第2に、スクリーン印刷時のペーストのダレ
等により、放電電極9の寸法精度が良好でない。この
為、各放電チャネル12毎にプラズマ放電特性のバラツ
キが生じ、パネルの動作特性が安定化しない。第3に、
印刷焼成された放電電極9の厚みは高々20μm程度が
限界である。この為放電電極9の電気抵抗が高くなり、
パネルの画面サイズが大型化した場合等電圧降下の為均
一なプラズマ放電を実現できない。第4に、印刷焼成さ
れた導電材料では、放電電極9と絶縁基板8の密着性が
一般的に弱く剥離しやすい為信頼性の上で難点がある。
第5に、ガラス等からなる絶縁基板8と導電材料からな
る放電電極9との間には相当程度の熱膨張係数の差異が
あり、これにより絶縁基板8に反り変形が発生する。第
6に放電電極9が絶縁基板8の表面上に露出している
為、プラズマ粒子によりスパッタリングを受け、導電材
料を構成する粒子が被スパッタ物として飛散する。この
被スパッタ物がガラス等からなる絶縁基板8の表面に付
着すると透過率が悪くなり、パネルの耐用寿命が短くな
る。
アドレス表示パネルにおいて、プラズマセル2に形成さ
れた放電電極9は、一般に絶縁基板8にスクリーン印刷
を適用して形成していた。即ち、ストライプ状のパタン
を有するスクリーンマスクを用いてペースト等の導電材
料を平坦な絶縁基板8の表面に転写し、加熱処理を施し
て放電電極に加工している。しかしながら、この様に印
刷焼成された放電電極は以下の様な解決すべき課題を有
している。先ず、第1に放電電極9の線幅が100μm
以下になるとスクリーン印刷ではパタニングが困難にな
る。従って、印刷焼成された放電電極9は少なくとも1
00μm以上の線幅を有している。この為、画素の高精
細化及び微細化が阻害されると共に画素の開口率も改善
できない。第2に、スクリーン印刷時のペーストのダレ
等により、放電電極9の寸法精度が良好でない。この
為、各放電チャネル12毎にプラズマ放電特性のバラツ
キが生じ、パネルの動作特性が安定化しない。第3に、
印刷焼成された放電電極9の厚みは高々20μm程度が
限界である。この為放電電極9の電気抵抗が高くなり、
パネルの画面サイズが大型化した場合等電圧降下の為均
一なプラズマ放電を実現できない。第4に、印刷焼成さ
れた導電材料では、放電電極9と絶縁基板8の密着性が
一般的に弱く剥離しやすい為信頼性の上で難点がある。
第5に、ガラス等からなる絶縁基板8と導電材料からな
る放電電極9との間には相当程度の熱膨張係数の差異が
あり、これにより絶縁基板8に反り変形が発生する。第
6に放電電極9が絶縁基板8の表面上に露出している
為、プラズマ粒子によりスパッタリングを受け、導電材
料を構成する粒子が被スパッタ物として飛散する。この
被スパッタ物がガラス等からなる絶縁基板8の表面に付
着すると透過率が悪くなり、パネルの耐用寿命が短くな
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為以下の手段を講じた。即ち、本発明にか
かるプラズマアドレス表示パネルは基本的に、列状の信
号電極を備えた表示セル、行状の放電電極を備えたプラ
ズマセル及び両セルの間に介在する誘電体シートを互い
に重ねた積層構造を有する。信号電極と放電電極の交差
部に画素が規定される。前記プラズマセルは、空隙を介
して該誘電体シートに接合した絶縁基板と、該空隙に封
入され放電電極に印加される電圧によりイオン化する気
体とからなる。特徴事項として、前記放電電極は該絶縁
基板の表面に行状に掘られた溝に埋設された導電材料か
らなる。場合によっては、前記導電材料はその表面が該
絶縁基板の表面から陥没した位置にある。
題を解決する為以下の手段を講じた。即ち、本発明にか
かるプラズマアドレス表示パネルは基本的に、列状の信
号電極を備えた表示セル、行状の放電電極を備えたプラ
ズマセル及び両セルの間に介在する誘電体シートを互い
に重ねた積層構造を有する。信号電極と放電電極の交差
部に画素が規定される。前記プラズマセルは、空隙を介
して該誘電体シートに接合した絶縁基板と、該空隙に封
入され放電電極に印加される電圧によりイオン化する気
体とからなる。特徴事項として、前記放電電極は該絶縁
基板の表面に行状に掘られた溝に埋設された導電材料か
らなる。場合によっては、前記導電材料はその表面が該
絶縁基板の表面から陥没した位置にある。
【0007】本発明の他の側面によれば、プラズマアド
レス表示パネルは以下の工程により製造される。先ず、
絶縁基板の表面に行状に配列した溝を形成する工程を行
なう。次に、該溝に導電材料を充填した後加熱処理を施
し該導電材料を焼成して放電電極に加工する工程を行な
う。続いて、空隙を介して該絶縁基板の上に誘電体シー
トの一面を接合し、該空隙にイオン化可能な気体を封入
してプラズマセルを組み立てる工程を行なう。最後に、
予め列状の信号電極を備えた透明基板を所定の間隙を介
して該誘電体シートの他面に接合し、該間隙に電気光学
物質を導入して表示セルを組み立てる工程を行なう。こ
れらの工程により誘電体シートを介して表示セルとプラ
ズマセルを互いに重ねたプラズマアドレス表示パネルが
完成する。
レス表示パネルは以下の工程により製造される。先ず、
絶縁基板の表面に行状に配列した溝を形成する工程を行
なう。次に、該溝に導電材料を充填した後加熱処理を施
し該導電材料を焼成して放電電極に加工する工程を行な
う。続いて、空隙を介して該絶縁基板の上に誘電体シー
トの一面を接合し、該空隙にイオン化可能な気体を封入
してプラズマセルを組み立てる工程を行なう。最後に、
予め列状の信号電極を備えた透明基板を所定の間隙を介
して該誘電体シートの他面に接合し、該間隙に電気光学
物質を導入して表示セルを組み立てる工程を行なう。こ
れらの工程により誘電体シートを介して表示セルとプラ
ズマセルを互いに重ねたプラズマアドレス表示パネルが
完成する。
【0008】
【作用】本発明によれば、放電電極は絶縁基板の表面に
行状に掘られた溝に埋設されている。この溝は例えばフ
ォトリソグラフィを用いて精密にパタニングできる。従
って、高精度な放電電極が作成可能である。又、溝の深
さ寸法を適宜設定する事により、放電電極の厚みを増大
化でき、電気抵抗を低減化可能である。放電電極は溝に
埋め込まれる為、絶縁基板との密着性が強く、強固な放
電電極構造を構築できる。さらに、溝の側壁と導電材料
を密着化する一方、溝の底部と導電材料の間を非密着化
する事により、熱膨張係数の相異による絶縁基板の反り
を低減できる。加えて、導電材料の表面が絶縁基板の表
面から陥没した位置に設ける事で、プラズマ粒子のスパ
ッタリングによる影響を受けにくい構造が可能である。
行状に掘られた溝に埋設されている。この溝は例えばフ
ォトリソグラフィを用いて精密にパタニングできる。従
って、高精度な放電電極が作成可能である。又、溝の深
さ寸法を適宜設定する事により、放電電極の厚みを増大
化でき、電気抵抗を低減化可能である。放電電極は溝に
埋め込まれる為、絶縁基板との密着性が強く、強固な放
電電極構造を構築できる。さらに、溝の側壁と導電材料
を密着化する一方、溝の底部と導電材料の間を非密着化
する事により、熱膨張係数の相異による絶縁基板の反り
を低減できる。加えて、導電材料の表面が絶縁基板の表
面から陥没した位置に設ける事で、プラズマ粒子のスパ
ッタリングによる影響を受けにくい構造が可能である。
【0009】
【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図1は本発明にかかるプラズマアドレ
ス表示パネルの第1実施例を示す模式的な断面図であ
る。図示する様に、本プラズマアドレス表示パネルは表
示セル1とプラズマセル2と両者の間に介在する薄板ガ
ラス等からなる誘電体シート3とを互いに重ねた積層構
造を有する。表示セル1はガラス等からなる上側の透明
基板4を用いて構成されており、その内表面には透明導
電膜からなる複数本の信号電極5が列方向に沿って互い
に平行に形成されている。この透明基板4はシール材6
を用いて所定の間隙を介し誘電体シート3の上面に接着
されている。間隙内には液晶7等からなる電気光学物質
が封入充填されている。
詳細に説明する。図1は本発明にかかるプラズマアドレ
ス表示パネルの第1実施例を示す模式的な断面図であ
る。図示する様に、本プラズマアドレス表示パネルは表
示セル1とプラズマセル2と両者の間に介在する薄板ガ
ラス等からなる誘電体シート3とを互いに重ねた積層構
造を有する。表示セル1はガラス等からなる上側の透明
基板4を用いて構成されており、その内表面には透明導
電膜からなる複数本の信号電極5が列方向に沿って互い
に平行に形成されている。この透明基板4はシール材6
を用いて所定の間隙を介し誘電体シート3の上面に接着
されている。間隙内には液晶7等からなる電気光学物質
が封入充填されている。
【0010】一方プラズマセル2は同じくガラス等から
なる下側の絶縁基板8を用いて構成されている。絶縁基
板8の内側主面上には信号電極5と直交して行方向に延
在する放電電極9が形成されている。この放電電極9は
一対毎にアノードA及びカソードKとなりプラズマ放電
を発生させる。放電電極9を一対毎に隔てる様に隔壁1
0が形成されている。隔壁10の頂部は誘電体シート3
の下面側に当設しておりスペーサとしての役割も果た
す。絶縁基板8はガラスフリット11を用いて誘電体シ
ート3の下面に接合している。両者の間には気密封止さ
れた空隙が形成される。この空隙は隔壁10によって区
画されており個々に放電チャネル12を構成する。各放
電チャネル12内には一対のアノードA及びカソードK
が含まれる。気密な空隙の内部にはイオン化可能な気体
が封入されている。気体種は、例えばヘリウム、ネオ
ン、アルゴンあるいはこれらの混合気体から選ぶ事がで
きる。
なる下側の絶縁基板8を用いて構成されている。絶縁基
板8の内側主面上には信号電極5と直交して行方向に延
在する放電電極9が形成されている。この放電電極9は
一対毎にアノードA及びカソードKとなりプラズマ放電
を発生させる。放電電極9を一対毎に隔てる様に隔壁1
0が形成されている。隔壁10の頂部は誘電体シート3
の下面側に当設しておりスペーサとしての役割も果た
す。絶縁基板8はガラスフリット11を用いて誘電体シ
ート3の下面に接合している。両者の間には気密封止さ
れた空隙が形成される。この空隙は隔壁10によって区
画されており個々に放電チャネル12を構成する。各放
電チャネル12内には一対のアノードA及びカソードK
が含まれる。気密な空隙の内部にはイオン化可能な気体
が封入されている。気体種は、例えばヘリウム、ネオ
ン、アルゴンあるいはこれらの混合気体から選ぶ事がで
きる。
【0011】本発明の特徴事項として、放電電極9は、
絶縁基板8の表面に行状に掘られた溝13に埋設された
導電材料からなる。図示の例では、導電材料は溝13を
完全に埋めており、放電電極9の表面は絶縁基板8の表
面と同レベルにある。但し本発明はこれに限られるもの
ではなく、場合によっては放電電極9の表面が絶縁基板
8の表面から陥没した位置にあっても良い。むしろ、こ
の構成を採用するとプラズマ粒子のスパッタリングの影
響を受けにくくする事ができる。
絶縁基板8の表面に行状に掘られた溝13に埋設された
導電材料からなる。図示の例では、導電材料は溝13を
完全に埋めており、放電電極9の表面は絶縁基板8の表
面と同レベルにある。但し本発明はこれに限られるもの
ではなく、場合によっては放電電極9の表面が絶縁基板
8の表面から陥没した位置にあっても良い。むしろ、こ
の構成を採用するとプラズマ粒子のスパッタリングの影
響を受けにくくする事ができる。
【0012】引き続き図1を参照して本プラズマアドレ
ス表示パネルの製造方法を説明する。先ず絶縁基板8の
表面に行状に配列した溝13を形成する。この工程はフ
ォトレジストをマスクにしたサンドブラスト又はエッチ
ングにより行なえる。次に、溝13にペースト状の導電
材料を充填した後、加熱処理を施し導電材料を焼成して
放電電極9に加工する。この工程は、例えば、導電性の
ペーストを用いたスクリーン印刷法や、ブレード法によ
り行なう事ができる。さらに、空隙を介して絶縁基板8
の上に誘電体シート3の下面を接合し、空隙にイオン化
可能な気体を封入してプラズマセル2を組み立てる。最
後に、予め列状の信号電極5を備えた透明基板4を所定
の間隙を介して誘電体シート3の上面に接合し、間隙に
液晶7等の電気光学物質を導入して表示セル1を組み立
てる。
ス表示パネルの製造方法を説明する。先ず絶縁基板8の
表面に行状に配列した溝13を形成する。この工程はフ
ォトレジストをマスクにしたサンドブラスト又はエッチ
ングにより行なえる。次に、溝13にペースト状の導電
材料を充填した後、加熱処理を施し導電材料を焼成して
放電電極9に加工する。この工程は、例えば、導電性の
ペーストを用いたスクリーン印刷法や、ブレード法によ
り行なう事ができる。さらに、空隙を介して絶縁基板8
の上に誘電体シート3の下面を接合し、空隙にイオン化
可能な気体を封入してプラズマセル2を組み立てる。最
後に、予め列状の信号電極5を備えた透明基板4を所定
の間隙を介して誘電体シート3の上面に接合し、間隙に
液晶7等の電気光学物質を導入して表示セル1を組み立
てる。
【0013】図2は、本発明にかかるプラズマアドレス
表示パネルの第2実施例を示す要部断面図である。プラ
ズマセル2のみを示しており、その上に重ねられる表示
セルは図示を省略している。第2実施例は図1に示した
第1実施例と基本的には同一の構成を有しており、対応
する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にし
ている。異なる点は溝13に形成された放電電極9が陥
没形状を有している事である。即ち、放電電極9の表面
が絶縁基板8の表面より深い位置にある。この場合、放
電チャネル12内において、カソードKとアノードAの
間に発生するプラズマ放電の放電経路は円弧状もしくは
放物線状となる為、放電電極9の表面が溝13内に陥没
していても、動作特性上何等問題がない。
表示パネルの第2実施例を示す要部断面図である。プラ
ズマセル2のみを示しており、その上に重ねられる表示
セルは図示を省略している。第2実施例は図1に示した
第1実施例と基本的には同一の構成を有しており、対応
する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にし
ている。異なる点は溝13に形成された放電電極9が陥
没形状を有している事である。即ち、放電電極9の表面
が絶縁基板8の表面より深い位置にある。この場合、放
電チャネル12内において、カソードKとアノードAの
間に発生するプラズマ放電の放電経路は円弧状もしくは
放物線状となる為、放電電極9の表面が溝13内に陥没
していても、動作特性上何等問題がない。
【0014】図3は本発明にかかるプラズマアドレス表
示パネルの第3実施例を示す要部断面図である。理解を
容易にする為絶縁基板8のみを示している。基本的な構
成は図1及び図2に示した先の実施例と同様であり、対
応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる
点は、放電電極を形成する導電材料が溝13の底部のみ
に充填されている事である。この構造はスパッタリング
の影響を受けにくくパネルの長寿命化が可能であるとい
う利点がある。即ち、カソードKが溝13の底部にある
為、プラズマ粒子に含まれるイオン等でスパッタされて
も、被スパッタ物が溝13の外へ飛散する割合は小さ
い。従って、アノードAとカソードK間の絶縁性低下や
ガラス等からなる絶縁基板8の透過率低下が抑制され、
パネルの長寿命化につながる。なお、イオンや電子を媒
体とした放電経路は放物線状になるので、溝13の底部
に放電電極があっても、問題なくプラズマ放電が可能で
ある。
示パネルの第3実施例を示す要部断面図である。理解を
容易にする為絶縁基板8のみを示している。基本的な構
成は図1及び図2に示した先の実施例と同様であり、対
応する部分には対応する参照番号を付してある。異なる
点は、放電電極を形成する導電材料が溝13の底部のみ
に充填されている事である。この構造はスパッタリング
の影響を受けにくくパネルの長寿命化が可能であるとい
う利点がある。即ち、カソードKが溝13の底部にある
為、プラズマ粒子に含まれるイオン等でスパッタされて
も、被スパッタ物が溝13の外へ飛散する割合は小さ
い。従って、アノードAとカソードK間の絶縁性低下や
ガラス等からなる絶縁基板8の透過率低下が抑制され、
パネルの長寿命化につながる。なお、イオンや電子を媒
体とした放電経路は放物線状になるので、溝13の底部
に放電電極があっても、問題なくプラズマ放電が可能で
ある。
【0015】最後に、図4を参照して本発明の特徴事項
となる埋込型放電電極の作成方法を詳細に説明する。先
ず工程(A)でガラス基板21を用意する。このガラス
基板21の上に厚さ100μm程度の感光性フィルム
(フォトレジスト)22を塗布又は貼着する。次に工程
(B)に進み、所望のストライプパタンを描画したマス
ク23を使って感光性フィルム22を紫外線(UV)で
露光する。この後、弱アルカリ溶液等で感光性フィルム
22を現像し、不要部分を除去する。続いて工程(C)
に進み、サンドブラスト法等でガラス基板21に溝を掘
る。具体的には粒径が数μmないし数十μmのSiC等
の粉体を用いパタニングされたフィルム22を介してガ
ラス基板21の表面に高圧で噴射する。このサンドブラ
スト後アセトン等で不要になったフィルム22を剥離除
去する。工程(D)に進み、ブレード24を用いて導電
材料からなるペースト25を溝26に充填する。なお、
ブレード法に代えてスクリーン印刷法を用いても良い。
最後に工程(E)に進み、580℃程度の高温で加熱処
理を施し、ペーストを焼成して放電電極27に加工す
る。以上の工程により、図1に示した様な放電電極構造
が得られる。なお、ペースト充填方法の選択(ブレード
法、スクリーン印刷法等)と、ペーストの粘度調整等に
より、図1に示した完全充填型の放電電極構造に代え、
図2や図3に示した陥没型の放電電極構造を得る事がで
きる。
となる埋込型放電電極の作成方法を詳細に説明する。先
ず工程(A)でガラス基板21を用意する。このガラス
基板21の上に厚さ100μm程度の感光性フィルム
(フォトレジスト)22を塗布又は貼着する。次に工程
(B)に進み、所望のストライプパタンを描画したマス
ク23を使って感光性フィルム22を紫外線(UV)で
露光する。この後、弱アルカリ溶液等で感光性フィルム
22を現像し、不要部分を除去する。続いて工程(C)
に進み、サンドブラスト法等でガラス基板21に溝を掘
る。具体的には粒径が数μmないし数十μmのSiC等
の粉体を用いパタニングされたフィルム22を介してガ
ラス基板21の表面に高圧で噴射する。このサンドブラ
スト後アセトン等で不要になったフィルム22を剥離除
去する。工程(D)に進み、ブレード24を用いて導電
材料からなるペースト25を溝26に充填する。なお、
ブレード法に代えてスクリーン印刷法を用いても良い。
最後に工程(E)に進み、580℃程度の高温で加熱処
理を施し、ペーストを焼成して放電電極27に加工す
る。以上の工程により、図1に示した様な放電電極構造
が得られる。なお、ペースト充填方法の選択(ブレード
法、スクリーン印刷法等)と、ペーストの粘度調整等に
より、図1に示した完全充填型の放電電極構造に代え、
図2や図3に示した陥没型の放電電極構造を得る事がで
きる。
【0016】図4に示した工程により作成される埋込型
の放電電極は以下の様な利点を有する。先ず第1にスト
レイプ状のパタニング精度を決めるのは、感光性フィル
ムのフォトリソグラフィである為、直接スクリーン印刷
を適用するよりも、微細なストライプパタンを精度良く
作成できる。第2に、サンドブラスト法で100μm以
上の深さの溝を掘る事も可能であり、その分放電電極の
厚みが大きくなり電気抵抗を下げる事が可能である。第
3に、放電電極は絶縁基板に埋没している為、密着力が
強く強固である。第4に、絶縁基板と導電材料の熱膨張
係数の違いに起因する基板の反り変形を低減する事が可
能である。例えば、溝の底面に対する密着性を選択的に
弱め、溝の側壁のみで放電電極に対する密着力を確保す
れば良い。具体的には、ペーストの充填前に溝の底面に
剥離性のミクロ粉体層を下地として形成すれば良い。
の放電電極は以下の様な利点を有する。先ず第1にスト
レイプ状のパタニング精度を決めるのは、感光性フィル
ムのフォトリソグラフィである為、直接スクリーン印刷
を適用するよりも、微細なストライプパタンを精度良く
作成できる。第2に、サンドブラスト法で100μm以
上の深さの溝を掘る事も可能であり、その分放電電極の
厚みが大きくなり電気抵抗を下げる事が可能である。第
3に、放電電極は絶縁基板に埋没している為、密着力が
強く強固である。第4に、絶縁基板と導電材料の熱膨張
係数の違いに起因する基板の反り変形を低減する事が可
能である。例えば、溝の底面に対する密着性を選択的に
弱め、溝の側壁のみで放電電極に対する密着力を確保す
れば良い。具体的には、ペーストの充填前に溝の底面に
剥離性のミクロ粉体層を下地として形成すれば良い。
【0017】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、プ
ラズマセル内の放電電極は絶縁基板の表面に行状に掘ら
れた溝に埋設された導電材料からなる。場合によって
は、この導電材料は溝内で陥没している。この様な放電
電極構造は絶縁基板の表面にサンドブラスト法等でスト
ライプ状の溝を形成した後、ペースト等の導電材料を充
填した後加熱処理を施す事により得られる。従って、高
精細な放電電極のストライプパタンを精度良く作成する
事が可能である。又、放電電極の膜厚を容易に大きくで
きるので、電気抵抗が小さくなりその分放電特性が安定
化する。絶縁基板と密着性が強く強固な放電電極が作成
でき、パネルの信頼性が高まる。さらに、スパッタリン
グの影響を受けにくくなり、パネルの長寿命化が図れ
る。加えて、熱膨張係数の違いによる絶縁基板の反りを
低減化できる。
ラズマセル内の放電電極は絶縁基板の表面に行状に掘ら
れた溝に埋設された導電材料からなる。場合によって
は、この導電材料は溝内で陥没している。この様な放電
電極構造は絶縁基板の表面にサンドブラスト法等でスト
ライプ状の溝を形成した後、ペースト等の導電材料を充
填した後加熱処理を施す事により得られる。従って、高
精細な放電電極のストライプパタンを精度良く作成する
事が可能である。又、放電電極の膜厚を容易に大きくで
きるので、電気抵抗が小さくなりその分放電特性が安定
化する。絶縁基板と密着性が強く強固な放電電極が作成
でき、パネルの信頼性が高まる。さらに、スパッタリン
グの影響を受けにくくなり、パネルの長寿命化が図れ
る。加えて、熱膨張係数の違いによる絶縁基板の反りを
低減化できる。
【図1】本発明にかかるプラズマアドレス表示パネルの
第1実施例を示す全体断面図である。
第1実施例を示す全体断面図である。
【図2】本発明にかかるプラズマアドレス表示パネルの
第2実施例を示す要部断面図である。
第2実施例を示す要部断面図である。
【図3】本発明にかかるプラズマアドレス表示パネルの
第3実施例を示す要部断面図である。
第3実施例を示す要部断面図である。
【図4】本発明にかかるプラズマアドレス表示パネルの
製造方法を示す工程図である。
製造方法を示す工程図である。
【図5】従来のプラズマアドレス表示パネルの一例を示
す断面図である。
す断面図である。
1 表示セル 2 プラズマセル 3 誘電体シート 4 透明基板 5 信号電極 7 液晶 8 絶縁基板 9 放電電極 10 隔壁 12 放電チャネル 13 溝
Claims (3)
- 【請求項1】 列状の信号電極を備えた表示セル、行状
の放電電極を備えたプラズマセル及び両セルの間に介在
する誘電体シートを互いに重ねた積層構造を有し、信号
電極と放電電極の交差部に画素を規定するプラズマアド
レス表示パネルであって、 前記プラズマセルは、空隙を介して該誘電体シートに接
合した絶縁基板と、該空隙に封入され放電電極に印加さ
れる電圧によりイオン化する気体とからなり、 前記放電電極は、該絶縁基板の表面に行状に掘られた溝
に埋設された導電材料からなる事を特徴とするプラズマ
アドレス表示パネル。 - 【請求項2】 前記導電材料は、その表面が該絶縁基板
の表面から陥没した位置にある事を特徴とする請求項1
記載のプラズマアドレス表示パネル。 - 【請求項3】 絶縁基板の表面に行状に配列した溝を形
成する工程と、 該溝に導電材料を充填した後加熱処理を施し該導電材料
を焼成して放電電極に加工する工程と、 空隙を介して該絶縁基板の上に誘電体シートの一面を接
合し該空隙にイオン化可能な気体を封入してプラズマセ
ルを組み立てる工程と、 予め列状の信号電極を備えた透明基板を所定の間隙を介
して該誘電体シートの他面に接合し、該間隙に電気光学
物質を導入して表示セルを組み立てる工程とを行なうプ
ラズマアドレス表示パネルの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7166767A JPH08313887A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | プラズマアドレス表示パネル及びその製造方法 |
SG1996009753A SG48444A1 (en) | 1995-05-12 | 1996-05-07 | Plasma-addressed display panel and a method of manufacturing the same |
KR1019960014939A KR960042135A (ko) | 1995-05-12 | 1996-05-08 | 플라즈마어드레스표시패널 및 그 제조방법 |
EP96107293A EP0742570A3 (en) | 1995-05-12 | 1996-05-08 | Plasma-addressed display panel and a method of manufacturing the same |
CN96105881A CN1143790A (zh) | 1995-05-12 | 1996-05-10 | 等离子体寻址的显示板及其制造方法 |
US08/644,955 US5714841A (en) | 1995-05-12 | 1996-05-13 | Plasma-addressed electro-optical display with embedded electrodes |
US08/940,977 US5800232A (en) | 1995-05-12 | 1997-09-30 | Plasma-addressed display panel and a method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7166767A JPH08313887A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | プラズマアドレス表示パネル及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08313887A true JPH08313887A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=15837328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7166767A Pending JPH08313887A (ja) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | プラズマアドレス表示パネル及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5714841A (ja) |
EP (1) | EP0742570A3 (ja) |
JP (1) | JPH08313887A (ja) |
KR (1) | KR960042135A (ja) |
CN (1) | CN1143790A (ja) |
SG (1) | SG48444A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5898271A (en) * | 1996-04-25 | 1999-04-27 | U.S. Philips Corporation | Hollow cathodes with an I-beam or C-beam cross section for a plasma display device |
JPH09330663A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Nec Corp | 面放電形acプラズマディスプレイパネル |
JP3750239B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
JPH117002A (ja) * | 1997-06-05 | 1999-01-12 | Tektronix Inc | プラズマ・アドレス液晶パネル及びその製造方法 |
JPH113050A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Sony Corp | プラズマアドレス表示装置 |
US6130504A (en) * | 1997-07-11 | 2000-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma addressing display device and method for producing the same |
JPH11153969A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Sony Corp | 表示装置 |
US6016032A (en) * | 1997-12-15 | 2000-01-18 | Tektronix, Inc. | PALC panel with wire electrodes |
JP3481843B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-12-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH11295706A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Sony Corp | プラズマアドレス液晶表示装置 |
US6603262B2 (en) * | 1999-12-09 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same |
US6310665B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and optical addressing device |
JP2002075227A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 気体放電表示装置およびプラズマアドレス液晶表示装置ならびにその製造方法 |
KR100731031B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 면발광 램프 및 그 제조방법 |
JP4030722B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2008-01-09 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこの製造方法 |
USRE41914E1 (en) | 2002-05-10 | 2010-11-09 | Ponnusamy Palanisamy | Thermal management in electronic displays |
US6849935B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-02-01 | Sarnoff Corporation | Low-cost circuit board materials and processes for area array electrical interconnections over a large area between a device and the circuit board |
US6856083B2 (en) * | 2002-10-08 | 2005-02-15 | Pioneer Corporation | Display panel driving device |
KR20050032178A (ko) * | 2003-10-01 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 면광원 장치 및 이를 이용한 액정표시장치 |
WO2015143149A1 (en) | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Rotter Martin J | Shear tie system for vented roof ridge |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7317435A (nl) * | 1973-12-20 | 1975-06-24 | Philips Nv | Gasontladingspaneel. |
US4270823A (en) * | 1978-09-01 | 1981-06-02 | Burroughs Corporation | Method of forming conductors in slots in a plate |
GB2054259A (en) * | 1979-06-27 | 1981-02-11 | Modern Controls Inc | Gas discharge display device |
NL8003696A (nl) * | 1980-06-26 | 1982-01-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische ontladingsinrichting, welke een van een elektroden- patroon voorzien glazen substraat bevat en aldus ver- kregen elektrische ontladingsinrichting. |
US5077553A (en) * | 1988-01-19 | 1991-12-31 | Tektronix, Inc. | Apparatus for and methods of addressing data storage elements |
KR920004143B1 (ko) * | 1990-07-04 | 1992-05-25 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 표시소자 |
JPH04363092A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-12-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板に導電層を形成する方法 |
JP3013470B2 (ja) * | 1991-02-20 | 2000-02-28 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
JPH04265936A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-22 | Sony Corp | 画像表示装置の製造方法 |
JP3044804B2 (ja) * | 1991-02-20 | 2000-05-22 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
JP3173061B2 (ja) * | 1991-09-11 | 2001-06-04 | ソニー株式会社 | プラズマアドレス電気光学装置 |
JP3042079B2 (ja) * | 1991-09-11 | 2000-05-15 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
KR940004241B1 (ko) * | 1991-12-30 | 1994-05-19 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 어드레스 방식의 액정표시소자 |
KR940004296B1 (ko) * | 1991-12-31 | 1994-05-19 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 어드레스 방식의 액정표시소자 |
JP3283609B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2002-05-20 | 沖電気工業株式会社 | 表示パネルの製造方法 |
JP3264027B2 (ja) * | 1993-02-24 | 2002-03-11 | ソニー株式会社 | 放電セル及びその製造方法 |
FR2708170B1 (fr) * | 1993-07-19 | 1995-09-08 | Innovation Dev Cie Gle | Circuits électroniques à très haute conductibilité et de grande finesse, leurs procédés de fabrication, et dispositifs les comprenant. |
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- 1995-05-12 JP JP7166767A patent/JPH08313887A/ja active Pending
-
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- 1996-05-08 EP EP96107293A patent/EP0742570A3/en not_active Withdrawn
- 1996-05-08 KR KR1019960014939A patent/KR960042135A/ko not_active Application Discontinuation
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- 1996-05-13 US US08/644,955 patent/US5714841A/en not_active Expired - Fee Related
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US5800232A (en) | 1998-09-01 |
US5714841A (en) | 1998-02-03 |
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