JP3172630B2 - フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法 - Google Patents
フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法Info
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- JP3172630B2 JP3172630B2 JP30998393A JP30998393A JP3172630B2 JP 3172630 B2 JP3172630 B2 JP 3172630B2 JP 30998393 A JP30998393 A JP 30998393A JP 30998393 A JP30998393 A JP 30998393A JP 3172630 B2 JP3172630 B2 JP 3172630B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入出力を光で伝達する
フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法に関
する。
フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法に関
する。
【０００２】更に詳しくは、絶縁フィルム上に発光素子
と受光素子とを搭載してなるフィルムキャリア型光結合
装置およびその製造方法に関する。
と受光素子とを搭載してなるフィルムキャリア型光結合
装置およびその製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】近年、光結合装置（フォトカプラ）に対
する市場の要望は著しく、特にリードフレームを使用
し、透光性樹脂および遮光性樹脂により二重モールドす
るタイプの光結合装置へと移行している。しかも、その
普及率は、上昇の一途であるが電子部品の小型化、薄型
化が進むにつれ光結合装置自体の小型化、薄型化も要求
されている。
する市場の要望は著しく、特にリードフレームを使用
し、透光性樹脂および遮光性樹脂により二重モールドす
るタイプの光結合装置へと移行している。しかも、その
普及率は、上昇の一途であるが電子部品の小型化、薄型
化が進むにつれ光結合装置自体の小型化、薄型化も要求
されている。
【０００４】しかしながら、従来のリードフレームを使
用したトランスファーモールドタイプの光結合装置で
は、その強度および絶縁耐圧等を考慮すると寸法をある
程度確保しなければならず薄型化は、限界に達してい
る。
用したトランスファーモールドタイプの光結合装置で
は、その強度および絶縁耐圧等を考慮すると寸法をある
程度確保しなければならず薄型化は、限界に達してい
る。
【０００５】この流れに対して、薄型化をさらに進める
には、フィルムキャリア方式による光結合装置が望まれ
る。
には、フィルムキャリア方式による光結合装置が望まれ
る。
【０００６】このフィルムキャリア方式を採用した光結
合装置の構造の一つに、図９の如く、絶縁フィルム２３
の同一平面上に、発光素子２０である赤外発光ダイオー
ドチップと、受光素子２１であるフォトトランジスタチ
ップを搭載し、発光素子２０よりの光が絶縁フィルム２
３を通過し、反射膜２４によって反射し、その光を受光
素子２１により受けるという方式がある。
合装置の構造の一つに、図９の如く、絶縁フィルム２３
の同一平面上に、発光素子２０である赤外発光ダイオー
ドチップと、受光素子２１であるフォトトランジスタチ
ップを搭載し、発光素子２０よりの光が絶縁フィルム２
３を通過し、反射膜２４によって反射し、その光を受光
素子２１により受けるという方式がある。
【０００７】ここで、発光素子２０は、表面電極（アノ
ードまたはカソード）と裏面電極（カソードまたはアノ
ード）であるため絶縁フィルム２３とは、垂直方向にレ
イアウトし、両電極共、Ａｇペーストで電気的機械的接
続を行う。
ードまたはカソード）と裏面電極（カソードまたはアノ
ード）であるため絶縁フィルム２３とは、垂直方向にレ
イアウトし、両電極共、Ａｇペーストで電気的機械的接
続を行う。
【０００８】受光素子２１の二つの電極２７，２７′
は、図１０、図１１の如く受光面２５である一面にのみ
形成されており、該電極２７，２７′には絶縁フィルム
２３上の導体パターンに接続されるＡｕまたは半田のバ
ンプ状半田接続部２６，２６′が突出形成されている。
は、図１０、図１１の如く受光面２５である一面にのみ
形成されており、該電極２７，２７′には絶縁フィルム
２３上の導体パターンに接続されるＡｕまたは半田のバ
ンプ状半田接続部２６，２６′が突出形成されている。
【０００９】上記のようにして、バンプ状半田接続部２
６，２６′を形成した受光素子２１は、熱圧着にて絶縁
フィルム２３上の導体パターンに面ボンディングされ、
電気的機械的接続が行われる。
６，２６′を形成した受光素子２１は、熱圧着にて絶縁
フィルム２３上の導体パターンに面ボンディングされ、
電気的機械的接続が行われる。
【００１０】また、図９における絶縁フィルム２３の材
質には、ポリイミド、ポリエステル、ガラスエポキシ等
の樹脂材料を用いる。この絶縁フィルム２３上に形成す
る導体パターンの材料には、銅箔または圧延銅を用い絶
縁フィルム２３の穴抜き後、これにラミネートし、エッ
チング処理にてパターンニングを行う。
質には、ポリイミド、ポリエステル、ガラスエポキシ等
の樹脂材料を用いる。この絶縁フィルム２３上に形成す
る導体パターンの材料には、銅箔または圧延銅を用い絶
縁フィルム２３の穴抜き後、これにラミネートし、エッ
チング処理にてパターンニングを行う。
【００１１】そして、発光素子２０および受光素子２１
を搭載した後、遮光性のモールド樹脂２２によりモール
ドを行う。このモールド樹脂２２は、集積回路（ＩＣ）
のアッセンブリー工程で使用されるエポキシ樹脂製の樹
脂塊（Ｅペレット）等であり、熱で溶かしてモールディ
ングする。もしくは、薄型における寸法精度を向上させ
るために、トランスファーモールド技術を用いてモール
ドする方法もある。
を搭載した後、遮光性のモールド樹脂２２によりモール
ドを行う。このモールド樹脂２２は、集積回路（ＩＣ）
のアッセンブリー工程で使用されるエポキシ樹脂製の樹
脂塊（Ｅペレット）等であり、熱で溶かしてモールディ
ングする。もしくは、薄型における寸法精度を向上させ
るために、トランスファーモールド技術を用いてモール
ドする方法もある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のフィル
ムキャリア型光結合装置では、図９に示すように受光素
子２１を絶縁フィルム２３の導体パターンに搭載する方
式として、面ボンディングを採用しているため受光素子
２１に、前処理として図１０、図１１に示すバンプ処理
を施さなければならず、また、二つの電極２７，２７′
を受光面２５の一面より取り出す構造によりチップ面積
が大きくなりコストアップの要因となっていた。
ムキャリア型光結合装置では、図９に示すように受光素
子２１を絶縁フィルム２３の導体パターンに搭載する方
式として、面ボンディングを採用しているため受光素子
２１に、前処理として図１０、図１１に示すバンプ処理
を施さなければならず、また、二つの電極２７，２７′
を受光面２５の一面より取り出す構造によりチップ面積
が大きくなりコストアップの要因となっていた。
【００１３】また、発光素子２０よりの光は、絶縁フィ
ルム２３を通り反射膜２４により反射し、受光素子２１
に受光されるので、光が減衰し光効率が低下するという
欠点があった。
ルム２３を通り反射膜２４により反射し、受光素子２１
に受光されるので、光が減衰し光効率が低下するという
欠点があった。
【００１４】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で低コストで光効率の良いフィルムキャリア型光結合装
置およびその製造方法を提供するものである。
で低コストで光効率の良いフィルムキャリア型光結合装
置およびその製造方法を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のフィルムキャリア型光結合装置は、エッチ
ングにより形成された発光側導体パターンおよび受光側
パターンを有する絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの導
体パターン上に対向配置される発光素子およびバンプ処
理を施さず２電極がそれぞれ表裏面に形成された受光素
子と、対向配置した発光素子と受光素子間に介在される
光透過性物質と、前記両素子および光透過性物質を封止
する遮光性樹脂とからなることを特徴とする。
め、本発明のフィルムキャリア型光結合装置は、エッチ
ングにより形成された発光側導体パターンおよび受光側
パターンを有する絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの導
体パターン上に対向配置される発光素子およびバンプ処
理を施さず２電極がそれぞれ表裏面に形成された受光素
子と、対向配置した発光素子と受光素子間に介在される
光透過性物質と、前記両素子および光透過性物質を封止
する遮光性樹脂とからなることを特徴とする。
【００１６】また、請求項１記載のフィルムキャリア型
光結合装置において、前記受光素子は、前記受光側導体
パターンに対して垂直方向に載置されて前記表裏面の各
電極が垂直方向に導電ペーストにより接続されることを
特徴とする。また、本発明のフィルムキャリア型光結合
装置の製造方法は、フィルムキャリアテープ状の絶縁フ
ィルムに発光側導体パターンおよび受光側導体パターン
をエッチングにより形成する工程と、前記発光側導体パ
ターンに発光素子を載置して接続すると共に、前記受光
素子導体パターンにバンプ処理を施さず２電極がそれぞ
れ表裏面に形成された受光素子を垂直方向に載置して接
続し、前記発光素子および受光素子を対向配置する工程
と、前記発光素子と受光素子間に光透過性物質を介在さ
せる工程と、前記両素子および光透過性物質を遮光性樹
脂にて封止する工程とを含むことを特徴とする。
光結合装置において、前記受光素子は、前記受光側導体
パターンに対して垂直方向に載置されて前記表裏面の各
電極が垂直方向に導電ペーストにより接続されることを
特徴とする。また、本発明のフィルムキャリア型光結合
装置の製造方法は、フィルムキャリアテープ状の絶縁フ
ィルムに発光側導体パターンおよび受光側導体パターン
をエッチングにより形成する工程と、前記発光側導体パ
ターンに発光素子を載置して接続すると共に、前記受光
素子導体パターンにバンプ処理を施さず２電極がそれぞ
れ表裏面に形成された受光素子を垂直方向に載置して接
続し、前記発光素子および受光素子を対向配置する工程
と、前記発光素子と受光素子間に光透過性物質を介在さ
せる工程と、前記両素子および光透過性物質を遮光性樹
脂にて封止する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
【作用】上記構成により本発明によれば、受光素子も発
光素子と同様に絶縁フィルムに対して垂直搭載し、光軸
に対して発光素子と受光素子が直接対向する方式とした
ため、従来の反射タイプに比べて、１．５〜２．０倍の
光効率を有する光結合装置を提供できる。
光素子と同様に絶縁フィルムに対して垂直搭載し、光軸
に対して発光素子と受光素子が直接対向する方式とした
ため、従来の反射タイプに比べて、１．５〜２．０倍の
光効率を有する光結合装置を提供できる。
【００１８】また、受光素子を面ボンディング方式より
絶縁フィルムに対して垂直搭載方式としたため受光素子
へのバンプ処理が不要となり、かつ２電極を一平面上に
形成しないためチップ面積も小さくでき、従来から多用
されている表面と裏面に電極を形成する受光素子を利用
できるのでコストダウンが図れる。
絶縁フィルムに対して垂直搭載方式としたため受光素子
へのバンプ処理が不要となり、かつ２電極を一平面上に
形成しないためチップ面積も小さくでき、従来から多用
されている表面と裏面に電極を形成する受光素子を利用
できるのでコストダウンが図れる。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す光結合装置
の構成図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は、
縦断面図である。図２は、本発明の一実施例を示す工程
フローを示す図、図３は、同じく絶縁フィルムに開孔が
形成された状態を示す平面図、図４は、同じく絶縁フィ
ルムに導体パターンが形成された状態を示す平面図、図
５は、同じく絶縁フィルムに受発光素子および光透過性
物質が搭載された状態を示す平面図、図６は、同じく図
５において他の光透過性物質が搭載された状態を示す平
面図、図７は、同じく絶縁フィルム上の受発光素子およ
び光透過性物質が遮光性樹脂により封止された状態を示
す平面図および図８（ａ）は、バンプ処理を施さない受
光素子の構成図、（ｂ）は、該受光素子の搭載図であ
る。
の構成図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は、
縦断面図である。図２は、本発明の一実施例を示す工程
フローを示す図、図３は、同じく絶縁フィルムに開孔が
形成された状態を示す平面図、図４は、同じく絶縁フィ
ルムに導体パターンが形成された状態を示す平面図、図
５は、同じく絶縁フィルムに受発光素子および光透過性
物質が搭載された状態を示す平面図、図６は、同じく図
５において他の光透過性物質が搭載された状態を示す平
面図、図７は、同じく絶縁フィルム上の受発光素子およ
び光透過性物質が遮光性樹脂により封止された状態を示
す平面図および図８（ａ）は、バンプ処理を施さない受
光素子の構成図、（ｂ）は、該受光素子の搭載図であ
る。
【００２０】図１の如く、本実施例の光結合装置は、絶
縁フィルム１の上面に発光側導体パターン４および受光
側導体パターン５が形成され、前記発光側導体パターン
４および受光側導体パターン５にそれぞれ発光素子２お
よびバンプ処理を施さない受光素子３を搭載してなるも
のであって、その搭載方式として発光素子２よりの光を
受光素子３が直接受光できるよう絶縁フィルム１に対し
て垂直に両素子２，３をＡｇペースト６にて搭載し、前
記受発光素子２，３間に光パス路となる光路用フィルム
８を設け該光路用フィルム８、発光素子２および受光素
子３を遮光性樹脂９にて封止してなるものである。
縁フィルム１の上面に発光側導体パターン４および受光
側導体パターン５が形成され、前記発光側導体パターン
４および受光側導体パターン５にそれぞれ発光素子２お
よびバンプ処理を施さない受光素子３を搭載してなるも
のであって、その搭載方式として発光素子２よりの光を
受光素子３が直接受光できるよう絶縁フィルム１に対し
て垂直に両素子２，３をＡｇペースト６にて搭載し、前
記受発光素子２，３間に光パス路となる光路用フィルム
８を設け該光路用フィルム８、発光素子２および受光素
子３を遮光性樹脂９にて封止してなるものである。
【００２１】前記絶縁フィルム１は、耐熱性に優れたポ
リイミド樹脂が使用され、複数のデバイス用のものが帯
状になった状態で製造工程に供せられる。
リイミド樹脂が使用され、複数のデバイス用のものが帯
状になった状態で製造工程に供せられる。
【００２２】該絶縁フィルム１の下面には外乱光の侵入
を防止するため反射膜７が形成されている。該反射膜７
には、前記両導体パターン４，５と同一材料である銅箔
等が使用される。
を防止するため反射膜７が形成されている。該反射膜７
には、前記両導体パターン４，５と同一材料である銅箔
等が使用される。
【００２３】前記発光素子２には赤外発光ダイオードチ
ップが、前記受光素子３にはフォトトランジスタチップ
が使用されている。
ップが、前記受光素子３にはフォトトランジスタチップ
が使用されている。
【００２４】前記発光側導体パターン４および受光側導
体パターン５は、図４の如く、夫々銅箔等の導電性材料
を用いて前記絶縁フィルム１上面に所望の回路設計に基
づき形成されている。
体パターン５は、図４の如く、夫々銅箔等の導電性材料
を用いて前記絶縁フィルム１上面に所望の回路設計に基
づき形成されている。
【００２５】また、該電極パターン４，５の先端部は、
各素子２，３の各電極に搭載するよう略Ｌ字形に形成さ
れている。
各素子２，３の各電極に搭載するよう略Ｌ字形に形成さ
れている。
【００２６】前記光路用フィルム８は、透過率が良く絶
縁性に優れたポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等が使
用される。
縁性に優れたポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等が使
用される。
【００２７】また、前記遮光性樹脂９は、外乱光が受光
素子３に到達することを防止するため光吸収性を有する
黒色のエポキシ樹脂等が用いられる。
素子３に到達することを防止するため光吸収性を有する
黒色のエポキシ樹脂等が用いられる。
【００２８】上記構成の光結合装置の製造方法を以下に
説明する。また、本実施例の工程フローを図２に示す。
説明する。また、本実施例の工程フローを図２に示す。
【００２９】まず、一枚のフィルムキャリアテープ状の
絶縁フィルム１について、パンチング金型にて開孔１２
および切欠１０の抜きを行い図３の形状にする（ａ）。
絶縁フィルム１について、パンチング金型にて開孔１２
および切欠１０の抜きを行い図３の形状にする（ａ）。
【００３０】尚、図中、１１は、絶縁フィルム１の外周
を封止するための抜きを示し、１３は、樹脂封止領域を
示す。
を封止するための抜きを示し、１３は、樹脂封止領域を
示す。
【００３１】また、発光素子２および受光素子３の搭載
部の開孔１２は、次工程でＡｇペーストによるパターン
間ショートを防止するためのものである。
部の開孔１２は、次工程でＡｇペーストによるパターン
間ショートを防止するためのものである。
【００３２】その後、銅箔を絶縁フィルム１の全面にラ
ミネートした後、図４に示すようにエッチングにより必
要な銅箔を残し発光側導体パターン４および受光側導体
パターン５を形成する（ｂ）。
ミネートした後、図４に示すようにエッチングにより必
要な銅箔を残し発光側導体パターン４および受光側導体
パターン５を形成する（ｂ）。
【００３３】このようにして製作された絶縁フィルム１
に図５に示すように発光素子２である赤外発光ダイオー
ドチップを、発光側導体パターン４に対して垂直方向に
載置し、Ａｇペースト６で発光素子２の表面および裏面
電極と発光側導体パターン４の電気的機械的接続を行
う。
に図５に示すように発光素子２である赤外発光ダイオー
ドチップを、発光側導体パターン４に対して垂直方向に
載置し、Ａｇペースト６で発光素子２の表面および裏面
電極と発光側導体パターン４の電気的機械的接続を行
う。
【００３４】次に受光素子３であるフォトトランジスタ
チップを受光面を発光素子２側に向け、さらに受光側導
体パターン５に対して垂直方向に載置し、Ａｇペースト
６で受光面電極（表面）および裏面電極と受光側導体パ
ターン５の電気的機械的接続を行う。この時のバンプ処
理を施さない受光素子３の構造図を図８（ａ）に示し該
受光素子３の搭載図を図８（ｂ）に示す。
チップを受光面を発光素子２側に向け、さらに受光側導
体パターン５に対して垂直方向に載置し、Ａｇペースト
６で受光面電極（表面）および裏面電極と受光側導体パ
ターン５の電気的機械的接続を行う。この時のバンプ処
理を施さない受光素子３の構造図を図８（ａ）に示し該
受光素子３の搭載図を図８（ｂ）に示す。
【００３５】その後、Ａｇペースト６硬化のため高温放
置を行う。この状態で発光素子２と受光素子３の受光面
とは対向型となっている。
置を行う。この状態で発光素子２と受光素子３の受光面
とは対向型となっている。
【００３６】次に、発光素子２よりの光を効率良く受光
素子３に伝達するための光パス路となる光路用フィルム
８を受発光素子２，３に隣接して搭載する（ｃ）。
素子３に伝達するための光パス路となる光路用フィルム
８を受発光素子２，３に隣接して搭載する（ｃ）。
【００３７】この光路用フィルム８の材質は、発光素子
２のピーク波長が約９００〜９５０ｎｍ付近であるの
で、この光の透過率の良いポリイミド樹脂、ポリエステ
ル樹脂等を使用する。
２のピーク波長が約９００〜９５０ｎｍ付近であるの
で、この光の透過率の良いポリイミド樹脂、ポリエステ
ル樹脂等を使用する。
【００３８】また、図６に示すように光パス路としてド
ッキング樹脂と呼ばれるシリコーン樹脂８′を用いても
よい。
ッキング樹脂と呼ばれるシリコーン樹脂８′を用いても
よい。
【００３９】このようにして、発光素子２、受光素子３
および光路用フィルム８を絶縁フィルム１上に搭載した
のち遮光性樹脂９を用いて樹脂モールドを行う（ｄ）。
および光路用フィルム８を絶縁フィルム１上に搭載した
のち遮光性樹脂９を用いて樹脂モールドを行う（ｄ）。
【００４０】ここで、モールド方法は、薄型化を目的と
して寸法精度の良いトランスファーモールドにて行う。
このモールド後の形状を図７に示す。
して寸法精度の良いトランスファーモールドにて行う。
このモールド後の形状を図７に示す。
【００４１】その後、テーピング状態で連結して電極取
り出しパターンにハンダメッキを施した後、金型により
単品抜きをして図１に示すような形状の光結合装置が完
成する（ｅ）。
り出しパターンにハンダメッキを施した後、金型により
単品抜きをして図１に示すような形状の光結合装置が完
成する（ｅ）。
【００４２】このようにして出来上がった光結合装置
は、従来の反射方式のフィルムキャリアタイプに比べて
１．５〜２．０倍の光効率を有するので、より低発光素
子を使用でき、低入力タイプの光結合装置にまで発展的
に利用できる。
は、従来の反射方式のフィルムキャリアタイプに比べて
１．５〜２．０倍の光効率を有するので、より低発光素
子を使用でき、低入力タイプの光結合装置にまで発展的
に利用できる。
【００４３】また、受光素子３を面ボンディング方式よ
り絶縁フィルム１に対して垂直搭載方式としたため受光
素子３へのバンプ処理が不要となりコストダウンが図れ
る。尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではな
く本発明の範囲内で上記実施例に修正および変更を加え
得ることは勿論である。
り絶縁フィルム１に対して垂直搭載方式としたため受光
素子３へのバンプ処理が不要となりコストダウンが図れ
る。尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではな
く本発明の範囲内で上記実施例に修正および変更を加え
得ることは勿論である。
【００４４】例えば、発光素子２または受光素子３と光
路用フィルム８との間に隙間が生じる場合には、透明樹
脂等により隙間を埋めることとする。
路用フィルム８との間に隙間が生じる場合には、透明樹
脂等により隙間を埋めることとする。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明によればフィルム
キャリアタイプにおいて、発光素子とバンプ処理を施さ
ない受光素子を直接対向する方式とし、その両素子間を
光透過性物質にて光パス路を形成したことにより従来の
反射方式に比べて光効率の優れたフィルムキャリア型光
結合装置を提供できる。
キャリアタイプにおいて、発光素子とバンプ処理を施さ
ない受光素子を直接対向する方式とし、その両素子間を
光透過性物質にて光パス路を形成したことにより従来の
反射方式に比べて光効率の優れたフィルムキャリア型光
結合装置を提供できる。
【００４６】また、受光素子を、面ボンディング方式よ
り絶縁フィルムに対して垂直搭載方式としたため受光素
子へのバンプ処理が不要となりコストダウンが図れる。
り絶縁フィルムに対して垂直搭載方式としたため受光素
子へのバンプ処理が不要となりコストダウンが図れる。
【図１】本発明の一実施例を示す光結合装置の構成図で
あり同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は縦断面図であ
る。
あり同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は縦断面図であ
る。
【図２】本発明の一実施例を示す工程フローを示す図で
ある。
ある。
【図３】同じく絶縁フィルムに開孔が形成された状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】同じく絶縁フィルムに導体パターンが形成され
た状態を示す平面図である。
た状態を示す平面図である。
【図５】同じく絶縁フィルムに受発光素子および光透過
性物質が搭載された状態を示す平面図である。
性物質が搭載された状態を示す平面図である。
【図６】同じく図５において他の光透過性物質が搭載さ
れた状態を示す平面図である。
れた状態を示す平面図である。
【図７】同じく絶縁フィルム上の受発光素子および光透
過性物質が遮光性樹脂により封止された状態を示す平面
図である。
過性物質が遮光性樹脂により封止された状態を示す平面
図である。
【図８】（ａ）は、バンプ処理を施さない受光素子の構
成図、（ｂ）は、該受光素子の搭載図である。
成図、（ｂ）は、該受光素子の搭載図である。
【図９】従来の光結合装置を示す断面図である。
【図１０】同じくバンプ処理を施した受光素子の斜視図
である。
である。
【図１１】同じくその電極を示す断面図である。
１ 絶縁フィルム ２ 発光素子 ３ バンプ処理を施さない受光素子 ４ 発光側導体パターン ５ 受光側導体パターン ８ 光路用フィルム ９ 遮光性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/12
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチングにより形成された発光側導体
パターンおよび受光側導体パターンを有する絶縁フィル
ムと、 該絶縁フィルムの導体パターン上に対向配置される発光
素子およびバンプ処理を施さず２電極がそれぞれ表裏面
に形成された受光素子と、 対向配置した発光素子と受光素子間に介在される光透過
性物質と、 前記両素子および光透過性物質を封止する遮光性樹脂
と、 からなることを特徴とするフィルムキャリア型光結合装
置。 - 【請求項２】 前記受光素子は、前記受光側導体パター
ンに対して垂直方向に載置されて前記表裏面の各電極が
垂直方向に導電ペーストにより接続されることを特徴と
する請求項１記載のフィルムキャリア型光結合装置。 - 【請求項３】 フィルムキャリアテープ状の絶縁フィル
ムに発光側導体パターンおよび受光側導体パターンをエ
ッチングにより形成する工程と、 前記発光側導体パターンに発光素子を載置して接続する
と共に、前記受光素子導体パターンにバンプ処理を施さ
ず２電極がそれぞれ表裏面に形成された受光素子を垂直
方向に載置して接続し、前記発光素子および受光素子を
対向配置する工程と、 前記発光素子と受光素子間に光透過性物質を介在させる
工程と、 前記両素子および光透過性物質を遮光性樹脂にて封止す
る工程とを含むことを特徴とするフィルムキャリア型光
結合装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30998393A JP3172630B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30998393A JP3172630B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162032A JPH07162032A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3172630B2 true JP3172630B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=17999729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30998393A Expired - Fee Related JP3172630B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | フィルムキャリア型光結合装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172630B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101587269B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2016-01-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 플렉서블 테이프 캐리어 패키지 및 이의 제조 방법 및 플렉서블 테이프 캐리어 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP30998393A patent/JP3172630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101587269B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2016-01-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 플렉서블 테이프 캐리어 패키지 및 이의 제조 방법 및 플렉서블 테이프 캐리어 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07162032A (ja) | 1995-06-23 |
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