JP3159561B2 - 結晶性薄膜用電極 - Google Patents
結晶性薄膜用電極Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合酸化物の結晶酸化
膜用電極に関するものであり、特に、複合酸化物の結晶
酸化膜の結晶性向上に関する。
膜用電極に関するものであり、特に、複合酸化物の結晶
酸化膜の結晶性向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】永久双極子モーメントに基づく自発分極
を有する誘電体のうち、電界を加えることにより分極方
向を反転させることが可能なものを強誘電体と呼ぶ。強
誘電体の中でも、結晶内のイオンが平衡位置から変位す
ることによって自発分極を生じ、ＡＢＯ3の化学式を持
つものはペロブスカイト形強誘電体と呼ばれている。
を有する誘電体のうち、電界を加えることにより分極方
向を反転させることが可能なものを強誘電体と呼ぶ。強
誘電体の中でも、結晶内のイオンが平衡位置から変位す
ることによって自発分極を生じ、ＡＢＯ3の化学式を持
つものはペロブスカイト形強誘電体と呼ばれている。
【０００３】ペロブスカイト形強誘電体であるチタン酸
ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴという）はＰｂＺｒＯ3−Ｐ
ｂＴｉＯ3の二成分系固溶体磁器である。ＰＺＴを用い
た強誘電体薄膜は絶縁膜として半導体装置である強誘電
体メモリや強誘電体キャパシタ等に利用されている。
ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴという）はＰｂＺｒＯ3−Ｐ
ｂＴｉＯ3の二成分系固溶体磁器である。ＰＺＴを用い
た強誘電体薄膜は絶縁膜として半導体装置である強誘電
体メモリや強誘電体キャパシタ等に利用されている。
【０００４】ＰＺＴを用いた強誘電体キャパシタ４０に
ついて、図７を用いて説明する。強誘電体キャパシタ４
０においては、シリコン基板２上に順次、シリコン酸化
膜４、下部電極１３、ＰＺＴ薄膜８、上部電極１０が設
けられている。上部電極１０は、白金で構成されてお
り、下部電極１３は、チタン層５および白金層６から構
成されている。
ついて、図７を用いて説明する。強誘電体キャパシタ４
０においては、シリコン基板２上に順次、シリコン酸化
膜４、下部電極１３、ＰＺＴ薄膜８、上部電極１０が設
けられている。上部電極１０は、白金で構成されてお
り、下部電極１３は、チタン層５および白金層６から構
成されている。
【０００５】ＰＺＴ薄膜８の電気的特性を、図６のヒス
テリシスループに基づいて説明する。図６において、縦
軸は分極Ｐを示し、横軸は電界Ｅを示す。抗電圧よりも
大きな電圧を印加することにより、ＰＺＴ薄膜８は与え
られた電界の方向とほぼ同じ方向に分極する（図６Ｐ
１）。電圧が遮断されても、分極状態はほぼそのまま維
持される（図６Ｑ１）。残留分極を除去する場合は、反
対方向に電界を与える必要があり、逆方向に電圧が印加
される。これにより、分極状態が反転する（図６Ｒ
１）。電圧が遮断されても、反転状態はほぼそのまま維
持される（図６Ｓ１）。分極の反転は電界Ｅｃ2及び−
Ｅｃ2を分岐点として生じている。
テリシスループに基づいて説明する。図６において、縦
軸は分極Ｐを示し、横軸は電界Ｅを示す。抗電圧よりも
大きな電圧を印加することにより、ＰＺＴ薄膜８は与え
られた電界の方向とほぼ同じ方向に分極する（図６Ｐ
１）。電圧が遮断されても、分極状態はほぼそのまま維
持される（図６Ｑ１）。残留分極を除去する場合は、反
対方向に電界を与える必要があり、逆方向に電圧が印加
される。これにより、分極状態が反転する（図６Ｒ
１）。電圧が遮断されても、反転状態はほぼそのまま維
持される（図６Ｓ１）。分極の反転は電界Ｅｃ2及び−
Ｅｃ2を分岐点として生じている。
【０００６】このように、ＰＺＴ薄膜８を用いて半導体
装置を作製すると上記のような電気的特性が認められる
ため、ＰＺＴ薄膜８は強誘電体メモリや強誘電体キャパ
シタ等の絶縁部材として重要になっている。
装置を作製すると上記のような電気的特性が認められる
ため、ＰＺＴ薄膜８は強誘電体メモリや強誘電体キャパ
シタ等の絶縁部材として重要になっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
強誘電体体キャパシタ４０には次のような問題があっ
た。強誘電体キャパシタ４０の製造方法においては、Ｐ
ＺＴ薄膜８の配向性および結晶性を向上させるために
は、下部電極１３を形成する工程で、スパッタリングの
際、熱処理を行なう必要があった。したがって、リフト
オフ法を使用することができず、イオンミリングにより
形成した白金層を所定の形状に成形するようにしてい
た。
強誘電体体キャパシタ４０には次のような問題があっ
た。強誘電体キャパシタ４０の製造方法においては、Ｐ
ＺＴ薄膜８の配向性および結晶性を向上させるために
は、下部電極１３を形成する工程で、スパッタリングの
際、熱処理を行なう必要があった。したがって、リフト
オフ法を使用することができず、イオンミリングにより
形成した白金層を所定の形状に成形するようにしてい
た。
【０００８】なぜなら、リフトオフ法は不要な部分をレ
ジストで覆い、基板全面に層を形成した後、レジストと
ともに不要な部分の層を除去する方法である。一般にレ
ジストの耐熱温度は１３０℃程度であるので、スパッタ
リングの際、熱処理が必要な製法には用いることができ
ないからである。
ジストで覆い、基板全面に層を形成した後、レジストと
ともに不要な部分の層を除去する方法である。一般にレ
ジストの耐熱温度は１３０℃程度であるので、スパッタ
リングの際、熱処理が必要な製法には用いることができ
ないからである。
【０００９】しかし、イオンミリング法は、選択比がほ
とんどなく、基板表面にあたえるダメージが大きい。
とんどなく、基板表面にあたえるダメージが大きい。
【００１０】すなわち、従来の強誘電体キャパシタ４０
においては、基板表面にダメージを与えることなく、Ｐ
ＺＴ薄膜８の配向性および結晶性を向上させることはで
きなかった。
においては、基板表面にダメージを与えることなく、Ｐ
ＺＴ薄膜８の配向性および結晶性を向上させることはで
きなかった。
【００１１】この発明は、上記のような問題点を解決
し、基板表面に損傷を与えることなく、配向性の高い結
晶性薄膜を形成することができる複合酸化物の結晶酸化
膜用電極を提供することを目的とする。
し、基板表面に損傷を与えることなく、配向性の高い結
晶性薄膜を形成することができる複合酸化物の結晶酸化
膜用電極を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の複合酸化物の
結晶酸化膜用電極は、タンタルで構成された第１層と、
前記第１層の上にチタンで構成された第２層と、前記第
２層の上に白金で構成された層であってこの層の上には
複合酸化物の結晶性薄膜が形成される第３層、とを備え
ている。
結晶酸化膜用電極は、タンタルで構成された第１層と、
前記第１層の上にチタンで構成された第２層と、前記第
２層の上に白金で構成された層であってこの層の上には
複合酸化物の結晶性薄膜が形成される第３層、とを備え
ている。
【００１３】
【作用】請求項１の複合酸化物の結晶酸化膜用電極にお
いては、タンタルで構成された第１層と白金で構成され
た第３層との間に、チタンで構成された第２層を備えて
いる。したがって、測定結果に示すように、第３層の上
に形成する複合酸化物の結晶性を向上させることができ
る。
いては、タンタルで構成された第１層と白金で構成され
た第３層との間に、チタンで構成された第２層を備えて
いる。したがって、測定結果に示すように、第３層の上
に形成する複合酸化物の結晶性を向上させることができ
る。
【００１４】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。図１に本発明の一実施例による強誘電体キャパシタ
１を示す。
る。図１に本発明の一実施例による強誘電体キャパシタ
１を示す。
【００１５】図に示すように、強誘電体体キャパシタ１
は、シリコン基板２上に順次、シリコン酸化膜４、下部
電極１３、ＰＺＴ薄膜８、および上部電極１０が設けら
れている。上部電極１０は、白金で構成されており、下
部電極１３は、タンタル層１１、チタン層１２および白
金層６から構成されている。
は、シリコン基板２上に順次、シリコン酸化膜４、下部
電極１３、ＰＺＴ薄膜８、および上部電極１０が設けら
れている。上部電極１０は、白金で構成されており、下
部電極１３は、タンタル層１１、チタン層１２および白
金層６から構成されている。
【００１６】つぎに、図２を用いて、強誘電体キャパシ
タ１の製造方法を説明する。まず、半導体基板２（Ｓｉ
［１００］）の全面に６００ｎｍのシリコン酸化膜４
（ＳｉＯ2）を熱酸化により形成する。この状態で、下
部電極１３を形成する半導体基板領域以外を図２Ａに示
すように、レジスト６１で覆い、リフトオフ用レジスト
パターンを形成する。
タ１の製造方法を説明する。まず、半導体基板２（Ｓｉ
［１００］）の全面に６００ｎｍのシリコン酸化膜４
（ＳｉＯ2）を熱酸化により形成する。この状態で、下
部電極１３を形成する半導体基板領域以外を図２Ａに示
すように、レジスト６１で覆い、リフトオフ用レジスト
パターンを形成する。
【００１７】つぎに、図２Ｂに示すように、全面に、下
部電極１３を形成する。本実施例においては、ＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により、２０℃で以下の条件で行な
った。
部電極１３を形成する。本実施例においては、ＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により、２０℃で以下の条件で行な
った。
【００１８】1)タンタル層１１ ：アルゴン圧力［４ｍＴｏｒｒ］ ：高周波パワー［３００Ｗ／４インチφ］ ：膜厚［５０ｎｍ］ 2)チタン層１１ ：アルゴン圧力［１０ｍＴｏｒｒ］ ：高周波パワー［３００Ｗ／４インチφ］ ：膜厚［５ｎｍ］ 3)白金層６ ：アルゴン圧力［２ｍＴｏｒｒ］ ：高周波パワー［５００Ｗ／４インチφ］ ：膜厚［２００ｎｍ］ この状態で、レジスト６１を除去する。これにより、必
要部分の下部電極１３のみが、図２Ｃに示すように、シ
リコン酸化膜４の上に形成される。
要部分の下部電極１３のみが、図２Ｃに示すように、シ
リコン酸化膜４の上に形成される。
【００１９】つぎに、図２Ｄに示すように、下部電極１
３の上に、２３０ｎｍのＰＺＴ薄膜８を形成する。本実
施例においては、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ（ゾルゲル）法によっ
て、つぎのようにして、形成した。
３の上に、２３０ｎｍのＰＺＴ薄膜８を形成する。本実
施例においては、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ（ゾルゲル）法によっ
て、つぎのようにして、形成した。
【００２０】スピンコート法を用い、３０００ｒｐｍで
前記ＰＺＴ前駆体溶液を下部電極１３の上に塗布したの
ち、乾燥させる。本実施例においては、１５０℃のＮ2
雰囲気で１５分乾燥させた。つぎに、ベークする。本実
施例においては、４００℃の空気雰囲気で３０分ベーク
した。これらの塗布・乾燥・ベークの各工程を必要膜厚
になるまで繰り返す。本実施例においては、５回繰り返
すことにより、膜厚２３０ｎｍを得た。
前記ＰＺＴ前駆体溶液を下部電極１３の上に塗布したの
ち、乾燥させる。本実施例においては、１５０℃のＮ2
雰囲気で１５分乾燥させた。つぎに、ベークする。本実
施例においては、４００℃の空気雰囲気で３０分ベーク
した。これらの塗布・乾燥・ベークの各工程を必要膜厚
になるまで繰り返す。本実施例においては、５回繰り返
すことにより、膜厚２３０ｎｍを得た。
【００２１】つぎに、この構造体をＲＴＡ（Rapid Ther
mal Annealing）装置を用いて酸素雰囲気中700℃で１分
間熱処理を行う。これにより、ＰＺＴ薄膜８は焼結して
結晶化し成膜する。
mal Annealing）装置を用いて酸素雰囲気中700℃で１分
間熱処理を行う。これにより、ＰＺＴ薄膜８は焼結して
結晶化し成膜する。
【００２２】この状態から、ホトレジストを用いたエッ
チングを行ない、図２Ｄに示すように、ＰＺＴ薄膜８が
成形される。
チングを行ない、図２Ｄに示すように、ＰＺＴ薄膜８が
成形される。
【００２３】レジストを除去した後、下部電極１３の白
金層を形成したのと同様にして、リフトオフ用レジスト
パターンを形成したのち、ＲＦマグネトロンスパッタ法
により、温度条件２０℃、アルゴン圧力［２ｍＴｏｒ
ｒ］、高周波パワー［５００Ｗ／４インチφ］、膜厚
［２００ｎｍ］で白金層で構成された上部電極１０を形
成する。
金層を形成したのと同様にして、リフトオフ用レジスト
パターンを形成したのち、ＲＦマグネトロンスパッタ法
により、温度条件２０℃、アルゴン圧力［２ｍＴｏｒ
ｒ］、高周波パワー［５００Ｗ／４インチφ］、膜厚
［２００ｎｍ］で白金層で構成された上部電極１０を形
成する。
【００２４】なお、本実施例においては、複合酸化物の
結晶性薄膜として、強誘電体であるＰＺＴを用いたが、
他の強誘電体、例えば、ＰｂＴｉＯ3、チタン酸バリウ
ム、チタン酸ビスマス、ＰＬＺＴ等の強誘電性を示す物
質を用いてもよい。
結晶性薄膜として、強誘電体であるＰＺＴを用いたが、
他の強誘電体、例えば、ＰｂＴｉＯ3、チタン酸バリウ
ム、チタン酸ビスマス、ＰＬＺＴ等の強誘電性を示す物
質を用いてもよい。
【００２５】また、強誘電体ではなく、比誘電率の高い
物質（高誘電体）例えば、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＡｌ
2Ｏ4，ＳｒＦ2，ＴｉＯ2等を採用してもよい。高誘電体
に用いた場合も、結晶性が向上することにより、比誘電
率が良くなる。
物質（高誘電体）例えば、ＳｒＴｉＯ3、ＭｇＡｌ
2Ｏ4，ＳｒＦ2，ＴｉＯ2等を採用してもよい。高誘電体
に用いた場合も、結晶性が向上することにより、比誘電
率が良くなる。
【００２６】図３に、白金層とタンタル層との間のチタ
ン層１１の膜厚を０〜２０ｎｍとした場合の、ＰＺＴ＜
１１１＞の回析Ｘ線の相対強度を示す。
ン層１１の膜厚を０〜２０ｎｍとした場合の、ＰＺＴ＜
１１１＞の回析Ｘ線の相対強度を示す。
【００２７】ここで、数値αは、熱処理することなく従
来の電極構造（白金＋チタン）で下部電極を形成した場
合である。このデータから明らかなように、従来の電極
構造に比べて、白金層とタンタル層との間のチタン層１
１の膜厚を形成した電極構造の方が回析強度が大きくな
り、結晶性が向上している。
来の電極構造（白金＋チタン）で下部電極を形成した場
合である。このデータから明らかなように、従来の電極
構造に比べて、白金層とタンタル層との間のチタン層１
１の膜厚を形成した電極構造の方が回析強度が大きくな
り、結晶性が向上している。
【００２８】これにより、白金層６を形成する際、熱処
理しなくとも結晶性の優れたＰＺＴ薄膜を形成すること
ができる。したがって、リフトオフ法を用いて、基板に
損傷を与えることなく、白金層を形成することができ
る。
理しなくとも結晶性の優れたＰＺＴ薄膜を形成すること
ができる。したがって、リフトオフ法を用いて、基板に
損傷を与えることなく、白金層を形成することができ
る。
【００２９】また、白金層６とシリコン酸化膜４との間
に、タンタル層１１およびチタン層１１を有している
為、白金層６とシリコン酸化膜４との間での相互拡散を
防止し、シリコン酸化膜４の界面に白金シリサイド等が
形成されることがない。
に、タンタル層１１およびチタン層１１を有している
為、白金層６とシリコン酸化膜４との間での相互拡散を
防止し、シリコン酸化膜４の界面に白金シリサイド等が
形成されることがない。
【００３０】このように、本実施例によって、結晶性の
優れたＰＺＴ薄膜を形成することができる。これによ
り、蓄積電荷を多くできるとともに分極反転の回数が増
えても分極状態が変化しない強誘電体膜を提供すること
ができる。
優れたＰＺＴ薄膜を形成することができる。これによ
り、蓄積電荷を多くできるとともに分極反転の回数が増
えても分極状態が変化しない強誘電体膜を提供すること
ができる。
【００３１】図４は、上記のＰＺＴ薄膜を用いて作製し
た強誘電体不揮発性メモリ４１である。不揮発性メモリ
４１は、Ｐ型の基板２１の表面の一部にＮ型のウェル領
域２２が形成されている。
た強誘電体不揮発性メモリ４１である。不揮発性メモリ
４１は、Ｐ型の基板２１の表面の一部にＮ型のウェル領
域２２が形成されている。
【００３２】ウェル領域２２中のゲート膜２３下の両側
部分に高濃度のＰ型の不純物拡散層からなるソース領域
２５およびドレイン領域２６が形成されている。ソース
領域２５およびドレイン領域２６の間はチャネル領域３
０である。
部分に高濃度のＰ型の不純物拡散層からなるソース領域
２５およびドレイン領域２６が形成されている。ソース
領域２５およびドレイン領域２６の間はチャネル領域３
０である。
【００３３】チャネル領域３０上には、ＰＺＴ薄膜２３
が設けられ、さらに、ＰＺＴ薄膜２３上には、導電性の
材料からなるゲート電極２４が形成されている。なお、
ウェル領域２２の電極領域（高濃度のＮ型の不純物拡散
層）２７とソース領域２５とは接続されている。
が設けられ、さらに、ＰＺＴ薄膜２３上には、導電性の
材料からなるゲート電極２４が形成されている。なお、
ウェル領域２２の電極領域（高濃度のＮ型の不純物拡散
層）２７とソース領域２５とは接続されている。
【００３４】また、強誘電体キャパシタ１を用いて、図
５Ｂに示すように回路を構成して不揮発性メモリを構成
してもよい。
５Ｂに示すように回路を構成して不揮発性メモリを構成
してもよい。
【００３５】なお、本実施例においては、下部電極１３
は、順次タンタル層１１、チタン層１２および白金層６
から構成されている。しかし、チタン層１２を省略し、
下部電極１３をタンタル層１１および白金層６から構成
してもよい。このような構造としても、図３に示すよう
に、結晶性が向上する。
は、順次タンタル層１１、チタン層１２および白金層６
から構成されている。しかし、チタン層１２を省略し、
下部電極１３をタンタル層１１および白金層６から構成
してもよい。このような構造としても、図３に示すよう
に、結晶性が向上する。
【００３６】また、本発明によって形成した複合酸化物
をもちいて、各種のセンサ（光、温度、湿度、加速度
等）を形成したり、また、マイクロマシン等にも応用す
ることができる。
をもちいて、各種のセンサ（光、温度、湿度、加速度
等）を形成したり、また、マイクロマシン等にも応用す
ることができる。
【００３７】
【発明の効果】請求項１の複合酸化物の結晶酸化膜用電
極においては、タンタルで構成された第１層と白金で構
成された第３層との間に、チタンで構成された第２層を
備えている。したがって、第３層の上に形成する複合酸
化物の結晶性を向上させることができる。これにより、
第３層形成の際、熱処理をすることなく、配向性の高い
結晶性薄膜を形成することができる。すなわち、基板表
面に損傷を与えることなく、配向性の高い結晶性薄膜を
形成することができる複合酸化物の結晶酸化膜用電極を
提供することができる。
極においては、タンタルで構成された第１層と白金で構
成された第３層との間に、チタンで構成された第２層を
備えている。したがって、第３層の上に形成する複合酸
化物の結晶性を向上させることができる。これにより、
第３層形成の際、熱処理をすることなく、配向性の高い
結晶性薄膜を形成することができる。すなわち、基板表
面に損傷を与えることなく、配向性の高い結晶性薄膜を
形成することができる複合酸化物の結晶酸化膜用電極を
提供することができる。
【図１】本発明に係る強誘電体キャパシタ１の要部断面
図を示す図である。
図を示す図である。
【図２】強誘電体キャパシタ１の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】チタン層１１の膜厚を変化させた場合の、ＰＺ
Ｔ＜１１１＞の回析Ｘ線の相対強度を示す図である。
Ｔ＜１１１＞の回析Ｘ線の相対強度を示す図である。
【図４】本発明に係る結晶酸化膜用電極を用いた強誘電
体不揮発性メモリを示す図である。
体不揮発性メモリを示す図である。
【図５】強誘電体キャパシタ１を用いた不揮発性メモリ
の等価回路を示す。
の等価回路を示す。
【図６】従来のＰＺＴ薄膜のＥ−Ｐヒステリシスループ
を示す図である。
を示す図である。
【図７】従来の強誘電体キャパシタの要部断面を示す図
である。
である。
６・・・・白金層 １１・・・タンタル層 １２・・・チタン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47 H01L 29/872 H01L 21/822 H01L 27/04
Claims (1)
- 【請求項１】タンタルで構成された第１層、 前記第１層の上にチタンで構成された第２層、 前記第２層の上に白金で構成された層であって、この層
の上には、複合酸化物の結晶性薄膜が形成される第３
層、 を備えたことを特徴とする結晶性薄膜用電極。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06965993A JP3159561B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 結晶性薄膜用電極 |
| US08/801,761 US6507478B1 (en) | 1993-03-29 | 1997-02-18 | Device having a crystalline thin film of complex compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06965993A JP3159561B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 結晶性薄膜用電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283706A JPH06283706A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3159561B2 true JP3159561B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=13409188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06965993A Expired - Fee Related JP3159561B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 結晶性薄膜用電極 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6507478B1 (ja) |
| JP (1) | JP3159561B2 (ja) |
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| US6642129B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-11-04 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Parallel, individually addressable probes for nanolithography |
| US7247895B2 (en) * | 2001-07-26 | 2007-07-24 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electrostatic nanolithography probe actuation device and method |
| US20060289948A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | International Business Machines Corporation | Method to control flatband/threshold voltage in high-k metal gated stacks and structures thereof |
| EP1755137A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-21 | University of Teheran | A method of forming a carbon nanotube emitter, carbon nanotube emitter with applications in nano-printing and use thereof |
| US8623737B2 (en) * | 2006-03-31 | 2014-01-07 | Intel Corporation | Sol-gel and mask patterning for thin-film capacitor fabrication, thin-film capacitors fabricated thereby, and systems containing same |
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| US5348894A (en) * | 1993-01-27 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming electrical connections to high dielectric constant materials |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP06965993A patent/JP3159561B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-18 US US08/801,761 patent/US6507478B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |