JP3153755B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
体キャリアに対して半導体素子がフェースダウンで実装
されるタイプの半導体装置の製造方法に関するものであ
り、特に半導体キャリアと半導体素子との逆マウントを
防止した半導体装置の製造方法に関するものである。
方法として、フリップチップ実装工法を用いたパッケー
ジの検討がなされている。
照しながら説明する。図10はチップサイズパッケージ
(CSP)と呼ばれる従来の半導体装置の平面図、図1
1はその底面図、図12は図10のA−A1線に沿った
断面図である。
uバンプ2の形成された半導体素子3が、フェースダウ
ン方式、すなわち表面側を下向きにして多層回路基板で
ある略正方形の半導体キャリア4に接合されている。半
導体キャリア4の上面には半導体素子3との導通のため
の複数の電極5が形成されており、電極5と半導体素子
3上に形成された二段形状のAuバンプ2とが導電性接
着剤6で接合されている。そして、接合された半導体素
子3と半導体キャリア4との間の隙間と、半導体素子3
の端部がエポキシ系封止樹脂7によって充填被覆されて
いる。半導体素子3の端部と半導体キャリア4にかかる
部分は、封止樹脂7のフィレット部である。また半導体
キャリア4上の電極5は、配線パターン8により半導体
キャリア4表面で引き回され、ビア9により半導体キャ
リア4の裏面の外部電極端子10に導通されている。な
お、半導体キャリア4表面の配線パターン8は、ビア9
により積層基板である半導体キャリア4の内部で引き回
されて、図11に示すように、半導体キャリア4の裏面
で外部電極端子10の配列を構成する。
略正方形状の半導体キャリア4の左上、右上、右下に位
置認識のための認識マーク11a,11b,11cが形
成されており、プリント基板等への実装の際は、この認
識マーク11a,11cによって上下左右の位置認識を
し、それにもとづいて実装していた。
図面を参照しながら説明する。図13〜図17は従来の
半導体装置の製造方法を工程順に示した断面図である。
なお図16は半導体キャリアを示す平面図である。
電極パッド1上にワイヤーボンディング法(ボールボン
ディング法)を用いて、Auバンプ2(Au二段突起)
を形成する。この方法はAuワイヤー先端に形成したボ
ールをアルミニウム電極に熱圧接することにより、二段
突起の下段部を形成し(第1ボンド)、さらにワイヤー
ボンダーのキャピラリを移動させることにより形成した
Auワイヤーループをもって二段突起の上段部を形成す
る(第2ボンド)。この状態においては、Au二段突起
の高さが均一でなくかつ頭頂部の平坦性にも欠けている
ために、Au二段突起を加圧することにより高さの均一
化と頭頂部の平坦化、いわゆるレベリングを行なう。
のAuバンプ2に導電性接着剤6を供給する。導電性接
着剤6としては、前述と同様に信頼性、熱応力などを考
慮してたとえばバインダーとしてエポキシレジン、導体
フィラーとしてAg−Pd合金によりなる接着剤を用い
ている。
表面を下向きにして実装する方法であるフリップチップ
方式によって、半導体素子3上の導電性接着剤6が供給
されたAuバンプ2と、表面の電極5が配線パターン8
により表面引き回しされ、ビア9によりその内部で引き
回されてその裏面の外部電極端子10に導通された半導
体キャリア4の電極5とを位置精度よく合わせて接合し
た後、一定の温度にて熱硬化させる。この半導体素子3
と半導体キャリア4との接合は、図16の半導体キャリ
ア4の概略平面図に示すように、半導体キャリア4の左
上、右上、右下の認識マーク11a,11b,11cの
うち、左上、右下の認識マーク11a,11cを認識し
て行なうもので、左上、右下に認識マークが存在するか
どうかにより行なうものである。
止樹脂7を半導体素子3の周辺端部と、半導体素子3と
半導体キャリア4との間に形成された隙間に注入し、一
定の温度にて封止樹脂を硬化させ樹脂モールドし、半導
体装置を完成させていた。
半導体キャリア4と半導体素子3との接合工程時の認識
は、自動工程の省時間化のため、半導体キャリア4の左
上、右上、右下の認識マーク11a,11b,11cの
うち、左上、右下の認識マーク11a,11cの存在を
認識して行なうものであり、半導体キャリア4と半導体
素子3との接合工程の初期の段階で、図18の半導体キ
ャリア4の概略平面図に示すように、半導体キャリア4
のセッティングを180度間違えてセットした場合で
も、対角上の2点の認識であるので、そのまま正常認識
し、半導体素子3を接合すると逆マウントになってしま
うという課題があった。また同様に完成した半導体装置
においても、プリント基板等への実装時は、半導体キャ
リア4の11a,11cの対角上の2点の認識であるの
で、セッティングを180度間違えてセットした場合で
も、そのまま正常と認識し、逆マウントになってしまう
おそれがあった。
のであって、フリップチップ実装における半導体素子と
半導体キャリアとの接合に着目し、半導体素子が逆マウ
ントされることがないように、平面形状が略正方形状の
半導体キャリアを正しく認識して、半導体素子と半導体
キャリアとを接合することができる半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
め本発明における半導体装置の製造方法は、半導体素子
上の電極パッド上にバンプ電極を形成する工程、第1面
にバンプ接続用電極と配線パターンと、第2面に配線パ
ターンとその内部で導通された外部電極端子とを有した
半導体キャリアの、第1面上のバンプ接続用電極に対し
て、半導体素子のバンプ電極を接合する工程、ならび
に、半導体素子と半導体キャリアとの隙間に封止樹脂を
注入して樹脂封止を行なう工程とを有する半導体装置の
製造方法であって、半導体キャリア上に半導体素子を接
合する工程が、半導体キャリアの対角線上の異なる形状
の二つの認識マークで半導体キャリアの方向の認識を行
なう工程を有するものである。
の異なる形状の二つの認識マークで半導体キャリアの方
向の認識をするので、人為的ミスにより半導体キャリア
のセッティングを180度間違えてセットした場合で
も、実装装置によって半導体キャリアの方向が180度
ずれていることを正しく認識し、マウンター停止等のエ
ラーを発生させることで、半導体素子の逆マウントを防
止することができる。
て図面を参照しながら説明する。
平面図、図2はその底面図、図3は図1のA−A1線に
沿った断面図である。
uバンプ2の形成された半導体素子3が、フェースダウ
ン方式、すなわち表面側を下にして多層回路基板である
半導体キャリア4に接合されている。その半導体キャリ
ア4の上面には半導体素子3との導通のための複数の電
極5が形成されており、その電極5と半導体素子3上に
形成された二段形状のAuバンプ2とが導電性接着剤6
で接合されている。そして接合された半導体素子3と半
導体キャリア4との間の隙間と、半導体素子3の端部は
エポキシ系の封止樹脂7により充填被覆されている。半
導体素子3の端部と半導体キャリア4にかかる部分は、
封止樹脂7のフィレット部である。また半導体キャリア
4上の電極5は、配線パターン8により半導体キャリア
4表面で引き回され、ビア9により半導体キャリア4の
裏面の外部電極端子10に導通されている。なお、半導
体キャリア4表面の配線パターン8は、ビア9により積
層基板である半導体キャリア4の内部で引き回されて、
図2に示すように、半導体キャリア4の裏面で外部電極
端子10の配列を構成する。
に、平面形状が略正方形状の半導体キャリア4の左上、
右上、右下に位置認識のための認識マーク12a,12
b,12cが形成されており、プリント基板等への実装
の際、この認識マーク12a,12cにもとづいて上下
左右の位置認識を行なってから、実装する。これら認識
マーク12a,12cのうち、認識マーク12aは認識
マーク12cと形状が異なり、認識マーク12cよりも
大きい円形のマークとしている。
を認識マーク12cよりも寸法の大きいマークとするこ
とにより、プリント基板等へ実装する際、半導体キャリ
ア4の方向を180度間違えてセットした場合でも、実
装装置は確実に180度方向が逆になっていることを認
識するので、逆マウントを防止することができる。
ついて、図面を参照しながら説明する。図4〜図9は本
実施の形態を工程順に示した図である。なお図7,図8
は半導体キャリアを示す平面図である。
極パッド1上にワイヤーボンディング法(ボールボンデ
ィング法)を用いて、Auバンプ2(Au二段突起)を
形成する。この方法はAuワイヤー先端に形成したボー
ルをアルミニウム電極に熱圧接することにより、二段突
起の下段部を形成し(第1ボンド)、さらにワイヤーボ
ンダーのキャピラリを移動させることにより形成したA
uワイヤーループをもって二段突起の上段部を形成する
(第2ボンド)。前記状態においては、Au二段突起の
高さは均一でなくかつ頭頂部の平坦性にも欠けているた
めにAu二段突起を加圧することにより高さの均一化と
頭頂部の平坦化、いわゆるレベリングを行なう。
Auバンプ2に導電性接着剤6を供給する。導電性接着
剤6としては、前記同様に信頼性、熱応力などを考慮し
て、たとえばバインダーとしてエポキシレジン、導体フ
ィラーとしてAg−Pd合金によりなる接着剤を用いて
いる。
面を下にして実装する方法であるフリップチップ方式に
よって、半導体素子3上の導電性接着剤6が供給された
Auバンプ2と、表面の電極5が配線パターン8により
表面引き回しされ、ビア9によりその内部で引き回され
てその裏面の外部電極端子10に導通された半導体キャ
リア4の前記電極5とを位置精度よく合わせて接合した
後、一定の温度にて熱硬化させる。
接合は、図7の半導体キャリア4の概略平面図に示すよ
うに、半導体キャリア4の左上、右上、右下の認識マー
ク12a,12b,12cのうち、左上、右下の認識マ
ーク12a,12cを認識して行なうもので、左上、右
下に認識マークが存在するかどうかにより行なう。この
工程では、半導体キャリア4に付された認識マーク12
a,12cにおいて、12aの方を12cよりも大きく
したので、初期の段階で、図8の半導体キャリア4の概
略平面図に示すように、人為的ミスにより半導体キャリ
ア4のセッティングを180度間違えてセットした場合
でも、マウンター(実装装置)は、半導体キャリア4の
方向が180度ズレていることを正しく認識し、マウン
ター停止等のエラーを発生させ、半導体素子3の逆マウ
ントを防止することができる。
止樹脂7を半導体素子3の周辺端部と、半導体素子3と
半導体キャリア4との間に形成された隙間に注入し、一
定の温度にて封止樹脂を硬化させ樹脂モールドし、半導
体装置を完成させていた。
半導体キャリア4の作製方法について説明する。まずセ
ラミック粉末をガラス粉末と溶剤と共に混合ミルに投入
し、回転混合粉砕を行なう。さらに有機バインダーを添
加しさらに混合する。このセラミック粉末は通常アルミ
ナを主体とするが特に熱伝導性を向上させるために窒化
アルミニウム(AlN)、炭化珪素(SiC)等の粉末
も添加する。十分混合を行なった後、得られる泥しょ
う、いわゆるスラリーはグリーンシート成型のために搬
送シート上に任意の厚みで塗布される。厚みの調整はド
クターブレード法等を用いる。搬送シート上のスラリー
は、赤外線および熱風を用いてその溶剤を乾燥すること
により、弾力性に富み導電ペースト印刷時のペースト溶
剤の浸透性にすぐれたグリーンシートとなる。このグリ
ーンシートに対して位置合わせ手法として配線ルール2
00μm以上の場合には、グリーンシートに直接ガイド
穴を設け、200μm未満の場合には、ガイド穴を有し
た保持枠に張り付ける。次にグリーンシートの表裏の電
気的導通が必要な部分に機械的加工法にて穴を設ける。
この穴に印刷法にてCu粉末を主成分とした導電性ペー
ストを充填する。次にグリーンシート表面に必要な回路
を印刷した後乾燥を行い適当な荷重にて印刷された回路
をグリーンシート中に埋没させる。この目的は回路が印
刷されたグリーンシート表面を平坦にすることにより、
次の工程である積層工程における積層不良、いわゆるデ
ラミネーションを防止するためである。積層工程におい
ては、グリーンシートに設けられたガイド穴もしくは保
持枠のガイド穴により精度よく積層されたグリーンシー
トを加圧することにより強固に接着する。こうして完成
したセラミックキャリアの背面に形成された格子状電極
にSn−Pbの共晶はんだクリームを塗布する。そして
整列治具を用いて高融点はんだボールを塗布されたはん
だクリームに供給した後、リフロー炉等を用いて加熱溶
融することによりはんだ突起バンプである外部電極端子
を形成し、半導体キャリア4を形成する。なお、認識マ
ーク12の形成は、マウンターに設けられている認識装
置によって識別可能なインクなどの材料により形成す
る。
よれば、半導体キャリア4は、認識マーク12aを認識
マーク12cよりも大きくして有しており、プリント基
板等へ実装する際、半導体キャリア4の方向を180度
間違えてセットした場合でも、実装装置は確実に180
度方向が逆になっていることを認識するので、逆マウン
トを防止することができる。
特に半導体キャリア4と半導体素子3との接合工程にお
いて、半導体キャリア4の方向認識を半導体キャリア4
の対角に設けた認識マークにもとづいて行なうものであ
り、半導体キャリア4の左上の認識マーク12aと右下
の認識マーク12cとの形状を両者で異なるように形成
し、マウンターに180度方向を間違えてセットした場
合でも、間違いを確実に認識することができ、半導体キ
ャリア4に半導体素子3が逆マウントされることを防止
することができる。
面形状が略正方形状の半導体キャリアが、他と異なる形
状、色などの認識マークを有しており、プリント基板等
へ実装する際、半導体キャリアの方向を180度間違え
てセットした場合でも、実装装置は確実に180度方向
が逆になっていることを認識できるので、逆マウントを
防止できるものである。
ば、特に半導体キャリアと半導体素子との接合工程にお
いて、半導体キャリアの方向認識を半導体キャリアの対
角に設けた認識マークにより行なうものであり、半導体
キャリアの左上の認識マークと右下の認識マークとの形
状を両者で異なるように形成し、人為的ミスでマウンタ
ーに180度方向を間違えてセットした場合でも、間違
いを確実に認識することができ、半導体キャリアに半導
体素子が逆マウントされることを防止することができ
る。
説明するための工程断面図
説明するための工程断面図
説明するための工程断面図
の一例の平面図
の他の例の平面図
説明するための工程断面図
の工程断面図
の工程断面図
の工程断面図
た半導体キャリアの一例の平面図
の工程断面図
た半導体キャリアの他の例の平面図
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体素子上の電極パッド上にバンプ電
極を形成する工程、第1面にバンプ接続用電極と配線パ
ターン、第2面に前記配線パターンおよびその内部で導
通された外部電極端子を有した半導体キャリアの、前記
第1面上のバンプ接続用電極に対して、前記半導体素子
のバンプ電極を接合する工程、ならびに、前記半導体素
子と半導体キャリアとの隙間に封止樹脂を注入し、樹脂
封止を行なう工程を有し、前記半導体キャリア上に半導
体素子を接合する工程が、前記半導体キャリアに設けた
二つの認識マークで前記半導体キャリアの方向の認識を
行なう工程を有していることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項2】 半導体素子上の電極パッド上にバンプ電
極を形成する工程、第1面にバンプ接続用電極と配線パ
ターンと、第2面に前記配線パターンとその内部で導通
された外部電極端子とを有した半導体キャリアの、前記
第1面上のバンプ接続用電極に対して、前記半導体素子
のバンプ電極を接合する工程、ならびに、前記半導体素
子と半導体キャリアとの隙間に封止樹脂を注入し、樹脂
封止を行なう工程を有し、前記半導体キャリア上に前記
半導体素子を接合する工程が、前記半導体キャリアに設
けた対角線上の異なる形状の二つの認識マークで前記半
導体キャリアの方向の認識を行なう工程を有しているこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 半導体キャリアが略正方形状であること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34023395A JP3153755B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP34023395A JP3153755B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH09181098A JPH09181098A (ja) | 1997-07-11 |
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Family Applications (1)
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JP34023395A Expired - Fee Related JP3153755B2 (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
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JP5232460B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2013-07-10 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ |
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-
1995
- 1995-12-27 JP JP34023395A patent/JP3153755B2/ja not_active Expired - Fee Related
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