JP3150168B2 - プラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法Info
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- JP3150168B2 JP3150168B2 JP20558391A JP20558391A JP3150168B2 JP 3150168 B2 JP3150168 B2 JP 3150168B2 JP 20558391 A JP20558391 A JP 20558391A JP 20558391 A JP20558391 A JP 20558391A JP 3150168 B2 JP3150168 B2 JP 3150168B2
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- Japan
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- thick film
- forming
- plasma display
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネルの製造工程において、プラズマディスプレイ基板
上に障壁パターンを形成するプラズマディスプレイ基板
の厚膜パターン形成方法に関するものである。
パネルの製造工程において、プラズマディスプレイ基板
上に障壁パターンを形成するプラズマディスプレイ基板
の厚膜パターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマディスプレイ基板の厚膜
パターン形成方法としては、ガラスやセラミックの基板
上に導体或いは絶縁体用のペーストをスクリーン印刷に
よりパターン状に印刷を行った後にこのペーストを乾
燥、焼成する工程を繰り返して厚膜パターンを形成する
方法が知られている。また、最近では、ガラス等の基板
の上にセラミック材料で厚膜パターンを形成することが
種々の分野で行われてきているが、この場合にも、セラ
ミック材料をバインダー中に分散させてペースト状とし
たものを用い、前記したのと同様にして、スクリーン印
刷により重ね印刷を行った後に乾燥、焼成する工程を繰
り返すことにより厚膜パターンを形成するようにしてい
る。
パターン形成方法としては、ガラスやセラミックの基板
上に導体或いは絶縁体用のペーストをスクリーン印刷に
よりパターン状に印刷を行った後にこのペーストを乾
燥、焼成する工程を繰り返して厚膜パターンを形成する
方法が知られている。また、最近では、ガラス等の基板
の上にセラミック材料で厚膜パターンを形成することが
種々の分野で行われてきているが、この場合にも、セラ
ミック材料をバインダー中に分散させてペースト状とし
たものを用い、前記したのと同様にして、スクリーン印
刷により重ね印刷を行った後に乾燥、焼成する工程を繰
り返すことにより厚膜パターンを形成するようにしてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のスクリーン印刷
によりプラズマディスプレイ基板上に厚膜パターンを形
成する方法においては、上述のように複数回のスクリー
ン印刷により重ね刷りをして所定の厚さにする必要があ
るが、この方法では例えば５０〜１００μｍの厚膜を得
るために５〜１０回の重ね刷りを必要とし、そのたびご
とに乾燥工程が入ることとなり、その結果として極めて
生産性が悪く歩留りを低下させるという問題点があっ
た。さらに、ペーストの粘度、チクソトロピー等により
パターンの線幅精度が損なわれるという問題点もあっ
た。
によりプラズマディスプレイ基板上に厚膜パターンを形
成する方法においては、上述のように複数回のスクリー
ン印刷により重ね刷りをして所定の厚さにする必要があ
るが、この方法では例えば５０〜１００μｍの厚膜を得
るために５〜１０回の重ね刷りを必要とし、そのたびご
とに乾燥工程が入ることとなり、その結果として極めて
生産性が悪く歩留りを低下させるという問題点があっ
た。さらに、ペーストの粘度、チクソトロピー等により
パターンの線幅精度が損なわれるという問題点もあっ
た。
【０００４】本発明は、このような従来技術の問題点を
解消するために創案されたものであり、生産性を改善し
歩留りを向上させ、かつ良好な線幅精度を得ることので
きるプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法
を提供することを目的としている。
解消するために創案されたものであり、生産性を改善し
歩留りを向上させ、かつ良好な線幅精度を得ることので
きるプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法
を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン
形成方法は、電極パターンが形成された基板上に障壁パ
ターンを形成するパターン形成材料を予め所定の膜厚で
塗布し、基板を加熱してパターン形成材料の上部にドラ
イフィルムをラミネートした後、該ドライフィルムをフ
ォトリソグラフィー法によりパターニングして所望パタ
ーンに応じたサンドブラスト用マスクを形成し、そのサ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト処理を行
ってから、最後に焼成を行って障壁を基板上で結着させ
ることにより、電極パターンが形成された基板上に目的
とする障壁パターンを得ることを特徴とするものであ
る。
に、本発明のプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン
形成方法は、電極パターンが形成された基板上に障壁パ
ターンを形成するパターン形成材料を予め所定の膜厚で
塗布し、基板を加熱してパターン形成材料の上部にドラ
イフィルムをラミネートした後、該ドライフィルムをフ
ォトリソグラフィー法によりパターニングして所望パタ
ーンに応じたサンドブラスト用マスクを形成し、そのサ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト処理を行
ってから、最後に焼成を行って障壁を基板上で結着させ
ることにより、電極パターンが形成された基板上に目的
とする障壁パターンを得ることを特徴とするものであ
る。
【０００６】この厚膜パターン形成方法を図１により具
体的に説明する。まず、（ａ）に示すように、ガラス基
板１の上にパターン形成材料２を塗布し、基板を加熱し
てパターン形成材料２の上部にドライフィルム３をラミ
ネートした後、目的パターンに合った露光マスク４を介
して紫外線５により露光してから現像することにより、
（ｂ）に示すように、パターン形成材料２の上面にドラ
イフィルム３からなるサンドブラスト用マスク６を形成
する。しかる後、（ｃ）に示すように、サンドブラスト
７により不要部分の除去を行うことによりパターンを形
成する。次いで、焼成或いは薬品処理を行うことによ
り、（ｄ）に示すように、サンドブラスト用マスク６を
除去して目的とする厚膜パターンを得る。
体的に説明する。まず、（ａ）に示すように、ガラス基
板１の上にパターン形成材料２を塗布し、基板を加熱し
てパターン形成材料２の上部にドライフィルム３をラミ
ネートした後、目的パターンに合った露光マスク４を介
して紫外線５により露光してから現像することにより、
（ｂ）に示すように、パターン形成材料２の上面にドラ
イフィルム３からなるサンドブラスト用マスク６を形成
する。しかる後、（ｃ）に示すように、サンドブラスト
７により不要部分の除去を行うことによりパターンを形
成する。次いで、焼成或いは薬品処理を行うことによ
り、（ｄ）に示すように、サンドブラスト用マスク６を
除去して目的とする厚膜パターンを得る。
【０００７】
【作用】上記構成の厚膜パターン形成方法によれば、基
板上に所定の厚さでパターン形成材料を塗布した後、マ
スクを介してサンドブラストにより不要部分を除去する
ことにより、最終的に必要とする厚さのパターンが１回
の操作で形成される。
板上に所定の厚さでパターン形成材料を塗布した後、マ
スクを介してサンドブラストにより不要部分を除去する
ことにより、最終的に必要とする厚さのパターンが１回
の操作で形成される。
【０００８】
【実施例】実施例について図面を参照して説明する。
【０００９】図２及び図３は本発明に係るプラズマディ
スプレイ基板の厚膜パターン形成方法の実施例を示す工
程図であり、図２は電極パターンを形成する工程を、ま
た、図３はその電極の間に障壁を形成する工程を示して
いる。
スプレイ基板の厚膜パターン形成方法の実施例を示す工
程図であり、図２は電極パターンを形成する工程を、ま
た、図３はその電極の間に障壁を形成する工程を示して
いる。
【００１０】ここで、本実施例においては、サンドブラ
スト用マスクを構成するドライフィルムとして、光硬化
型ドライフィルム（東京応化工業製、ＯＳＢＲフィル
ム）を用いた。しかしながら、この選択は本発明を限定
するものではなく、目的とするパターン寸法、パターン
形成材料の種類、サンドブラスト処理のマスクとしての
適性に応じて適切なドライフィルムを適宜選択すればよ
いものである。
スト用マスクを構成するドライフィルムとして、光硬化
型ドライフィルム（東京応化工業製、ＯＳＢＲフィル
ム）を用いた。しかしながら、この選択は本発明を限定
するものではなく、目的とするパターン寸法、パターン
形成材料の種類、サンドブラスト処理のマスクとしての
適性に応じて適切なドライフィルムを適宜選択すればよ
いものである。
【００１１】以下、図２に示す各工程を順を追って説明
する。
する。
【００１２】まず、（ａ）に示すように、ガラス基板１
１の上にパターン形成材料である電極ペースト１２をス
クリーン印刷により塗布しその厚みを２０μｍとした。
そして、電極ペースト１２中の有機バインダーに含まれ
る溶剤を除去するために基板１１ごと１００〜１６０℃
で乾燥を行って次の工程へ供した。次いで、（ｂ）に示
すように、基板１１を５０〜８０℃に加熱し、前記のサ
ンドブラスト用マスクを構成するドライフィルム１３を
ラミネートした後、（ｃ）に示すように、超高圧水銀灯
を光源とする平行光をプリンターを用い、線幅６０μ
ｍ、ピッチ１２０μｍのラインパターンマスク１４を介
して紫外線１５によりパターン露光を行った。露光条件
は、３６５ｎｍで測定した時に、強度２００μｗ／ｃｍ
2 、照射量７０ｍＪ／ｃｍ2 である。続いて、（ｄ）に
示す現像工程では、無水炭酸ナトリウム０．２ｗｔ％水
溶液により液温３０〜５０℃でスプレー現像を行った。
以上の工程により線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍのサ
ンドブラスト用マスク１６が得られた。その後、乾燥工
程を経て（ｅ）のサンドブラスト１７による不要部分の
除去処理を行った。ここでは、研磨材として褐色溶融ア
ルミナ＃８００を用い、噴出圧力１ｋｇ／ｃｍ2 でサン
ドブラスト処理を行うことにより、線幅６０μｍ、ピッ
チ１２０μｍ、高さ２０μｍの電極１８のパターンを得
た。
１の上にパターン形成材料である電極ペースト１２をス
クリーン印刷により塗布しその厚みを２０μｍとした。
そして、電極ペースト１２中の有機バインダーに含まれ
る溶剤を除去するために基板１１ごと１００〜１６０℃
で乾燥を行って次の工程へ供した。次いで、（ｂ）に示
すように、基板１１を５０〜８０℃に加熱し、前記のサ
ンドブラスト用マスクを構成するドライフィルム１３を
ラミネートした後、（ｃ）に示すように、超高圧水銀灯
を光源とする平行光をプリンターを用い、線幅６０μ
ｍ、ピッチ１２０μｍのラインパターンマスク１４を介
して紫外線１５によりパターン露光を行った。露光条件
は、３６５ｎｍで測定した時に、強度２００μｗ／ｃｍ
2 、照射量７０ｍＪ／ｃｍ2 である。続いて、（ｄ）に
示す現像工程では、無水炭酸ナトリウム０．２ｗｔ％水
溶液により液温３０〜５０℃でスプレー現像を行った。
以上の工程により線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍのサ
ンドブラスト用マスク１６が得られた。その後、乾燥工
程を経て（ｅ）のサンドブラスト１７による不要部分の
除去処理を行った。ここでは、研磨材として褐色溶融ア
ルミナ＃８００を用い、噴出圧力１ｋｇ／ｃｍ2 でサン
ドブラスト処理を行うことにより、線幅６０μｍ、ピッ
チ１２０μｍ、高さ２０μｍの電極１８のパターンを得
た。
【００１３】次に、図３に示す工程を順を追って説明す
る。
る。
【００１４】まず、（ａ）に示すように、障壁パターン
形成材料としてのセラミック材料１９を図２の工程で得
られたパターンの上から基板１１にブレードコート法に
より塗布し、厚みを２００μｍとした。そして、１００
〜１６０℃で乾燥を行い、次の工程へ供した。次いで、
（ｂ）に示すように、基板を５０〜８０℃に加熱し、前
記したのと同じドライフィルム２０をラミネートした
後、（ｃ）に示すように、線幅６０μｍ、ピッチ１２０
μｍのラインパターンマスク２１を介して紫外線２２に
よりパターン露光を行った。露光条件は、図２（ｃ）の
場合と同様である。続いて、前記条件と同様の条件で現
像を行い、（ｄ）に示すように、線幅６０μｍ、ピッチ
１２０μｍのサンドブラスト用マスク２３を得た。その
後、（ｅ）のサンドブラスト２４による不要部分の除去
工程では、研磨材として褐色溶融アルミナ＃４００を用
い、噴出圧力３ｋｇ／ｃｍ2 でサンドブラスト処理を行
うことにより、線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、高さ
２００μｍの前記セラミック材料による障壁２５のパタ
ーンを得た。この際、電極１８の上部には先のマスク１
６が残っており、これが電極１８の表面を保護している
ため、電極１８はダメージを受けない。そして、続く
（ｆ）に示す工程では、ピーク温度５８５℃、保持時間
１０〜２０分の条件で焼成を行い、前記電極１８及び障
壁２５をガラス基板１１上で結着させると同時にサンド
ブラスト用マスク１６，２３を焼失せしめた。以上の工
程により線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、高さ１８μ
ｍの電極１８、及び線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、
高さ１８０μｍの障壁２５の厚膜パターンが得られた
形成材料としてのセラミック材料１９を図２の工程で得
られたパターンの上から基板１１にブレードコート法に
より塗布し、厚みを２００μｍとした。そして、１００
〜１６０℃で乾燥を行い、次の工程へ供した。次いで、
（ｂ）に示すように、基板を５０〜８０℃に加熱し、前
記したのと同じドライフィルム２０をラミネートした
後、（ｃ）に示すように、線幅６０μｍ、ピッチ１２０
μｍのラインパターンマスク２１を介して紫外線２２に
よりパターン露光を行った。露光条件は、図２（ｃ）の
場合と同様である。続いて、前記条件と同様の条件で現
像を行い、（ｄ）に示すように、線幅６０μｍ、ピッチ
１２０μｍのサンドブラスト用マスク２３を得た。その
後、（ｅ）のサンドブラスト２４による不要部分の除去
工程では、研磨材として褐色溶融アルミナ＃４００を用
い、噴出圧力３ｋｇ／ｃｍ2 でサンドブラスト処理を行
うことにより、線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、高さ
２００μｍの前記セラミック材料による障壁２５のパタ
ーンを得た。この際、電極１８の上部には先のマスク１
６が残っており、これが電極１８の表面を保護している
ため、電極１８はダメージを受けない。そして、続く
（ｆ）に示す工程では、ピーク温度５８５℃、保持時間
１０〜２０分の条件で焼成を行い、前記電極１８及び障
壁２５をガラス基板１１上で結着させると同時にサンド
ブラスト用マスク１６，２３を焼失せしめた。以上の工
程により線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、高さ１８μ
ｍの電極１８、及び線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、
高さ１８０μｍの障壁２５の厚膜パターンが得られた
【００１５】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。
ので、次に記載する効果を奏する。
【００１６】１回の操作で高さ１００μｍ以上の厚膜パ
ターンが得られるため、これまでのスクリーン印刷法に
よる厚膜パターン形成の積層法に比べ、処理時間が短縮
されると共に、位置合わせ等の操作も１回でよいため、
工程の簡略化を図ることができる。
ターンが得られるため、これまでのスクリーン印刷法に
よる厚膜パターン形成の積層法に比べ、処理時間が短縮
されると共に、位置合わせ等の操作も１回でよいため、
工程の簡略化を図ることができる。
【００１７】また、サンドブラスト用マスクの形成にフ
ォトリソグラフィー法を用いることにより、高精細パタ
ーン及び基板の大型化への対応が可能となる。
ォトリソグラフィー法を用いることにより、高精細パタ
ーン及び基板の大型化への対応が可能となる。
【図１】本発明のプラズマディスプレイ基板の厚膜パタ
ーン形成方法を説明するための工程図である。
ーン形成方法を説明するための工程図である。
【図２】電極パターン形成の工程図である。
【図３】障壁パターン形成の工程図である。
１，１１ 基板 ２，１２，１９ パターン形成材料 ３，１３，２０ ドライフィルム ６，１６，２３ サンドブラスト用マスク ７，１７，２４ サンドブラスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−242548（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−86477（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−294180（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−301934（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−123744（ＪＰ，Ａ) （社）日本プリント回路工業会編, 「プリント回路技術便覧」，日刊工業新 聞社，昭和52年２月28日，ｐ．480−485 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 17/04
Claims (1)
- 【請求項１】 電極パターンが形成された基板上に障壁
パターンを形成するパターン形成材料を予め所定の膜厚
で塗布し、基板を加熱してパターン形成材料の上部にド
ライフィルムをラミネートした後、該ドライフィルムを
フォトリソグラフィー法によりパターニングして所望パ
ターンに応じたサンドブラスト用マスクを形成し、その
サンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト処理を
行ってから、最後に焼成を行って障壁を基板上で結着さ
せることにより、電極パターンが形成された基板上に目
的とする障壁パターンを得ることを特徴とするプラズマ
ディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20558391A JP3150168B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | プラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20558391A JP3150168B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | プラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19522798A Division JP3240997B2 (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | プラズマディスプレイ基板の厚膜パターン電極形成方法 |
| JP19522898A Division JP3110719B2 (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | プラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128966A JPH05128966A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3150168B2 true JP3150168B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=16509285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20558391A Expired - Lifetime JP3150168B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | プラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3150168B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE509201C2 (sv) | 1994-07-20 | 1998-12-14 | Sandvik Ab | Aluminiumoxidbelagt verktyg |
| US6428945B1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-06 | Au Optronics Corp. | Method of forming barrier ribs used in a plasma display panel |
| JP2008124030A (ja) * | 2007-11-30 | 2008-05-29 | Jsr Corp | 導電性ペースト組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネル |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20558391A patent/JP3150168B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| （社）日本プリント回路工業会編，「プリント回路技術便覧」，日刊工業新聞社，昭和５２年２月２８日，ｐ．４８０−４８５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05128966A (ja) | 1993-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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