JP3150168B2 - Method for forming thick film pattern on plasma display substrate - Google Patents
Method for forming thick film pattern on plasma display substrateInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネルの製造工程において、プラズマディスプレイ基板
上に障壁パターンを形成するプラズマディスプレイ基板
の厚膜パターン形成方法に関するものである。The present invention relates, in the manufacturing process of the plasma display panel, the present invention relates to thick film pattern forming method of the plasma display substrate to form a barrier pattern in a plasma display substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、プラズマディスプレイ基板の厚膜
パターン形成方法としては、ガラスやセラミックの基板
上に導体或いは絶縁体用のペーストをスクリーン印刷に
よりパターン状に印刷を行った後にこのペーストを乾
燥、焼成する工程を繰り返して厚膜パターンを形成する
方法が知られている。また、最近では、ガラス等の基板
の上にセラミック材料で厚膜パターンを形成することが
種々の分野で行われてきているが、この場合にも、セラ
ミック材料をバインダー中に分散させてペースト状とし
たものを用い、前記したのと同様にして、スクリーン印
刷により重ね印刷を行った後に乾燥、焼成する工程を繰
り返すことにより厚膜パターンを形成するようにしてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming a thick film pattern on a plasma display substrate, a paste for a conductor or an insulator is printed in a pattern on a glass or ceramic substrate by screen printing, and then the paste is dried. There is known a method of forming a thick film pattern by repeating a firing step. Recently, forming a thick film pattern with a ceramic material on a substrate such as glass has been performed in various fields. In this case, too, the ceramic material is dispersed in a binder to form a paste. In the same manner as described above, a thick film pattern is formed by repeating the steps of performing overprinting by screen printing, followed by drying and firing.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来のスクリーン印刷
によりプラズマディスプレイ基板上に厚膜パターンを形
成する方法においては、上述のように複数回のスクリー
ン印刷により重ね刷りをして所定の厚さにする必要があ
るが、この方法では例えば５０〜１００μｍの厚膜を得
るために５〜１０回の重ね刷りを必要とし、そのたびご
とに乾燥工程が入ることとなり、その結果として極めて
生産性が悪く歩留りを低下させるという問題点があっ
た。さらに、ペーストの粘度、チクソトロピー等により
パターンの線幅精度が損なわれるという問題点もあっ
た。In a conventional method of forming a thick film pattern on a plasma display substrate by screen printing, as described above, overprinting is performed by a plurality of times of screen printing to obtain a predetermined thickness. However, this method requires 5 to 10 overprints in order to obtain a thick film of, for example, 50 to 100 μm, each time requiring a drying step, and as a result, the productivity is extremely poor and the yield is low. There was a problem that it reduced. Further, there is a problem that the line width accuracy of the pattern is impaired due to the viscosity of the paste, thixotropy and the like.
【０００４】本発明は、このような従来技術の問題点を
解消するために創案されたものであり、生産性を改善し
歩留りを向上させ、かつ良好な線幅精度を得ることので
きるプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法
を提供することを目的としている。The present invention has been made in order to solve such problems of the prior art, and a plasma display capable of improving productivity, improving yield, and obtaining good line width accuracy. It is an object of the present invention to provide a method for forming a thick film pattern on a substrate.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン
形成方法は、電極パターンが形成された基板上に障壁パ
ターンを形成するパターン形成材料を予め所定の膜厚で
塗布し、基板を加熱してパターン形成材料の上部にドラ
イフィルムをラミネートした後、該ドライフィルムをフ
ォトリソグラフィー法によりパターニングして所望パタ
ーンに応じたサンドブラスト用マスクを形成し、そのサ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト処理を行
ってから、最後に焼成を行って障壁を基板上で結着させ
ることにより、電極パターンが形成された基板上に目的
とする障壁パターンを得ることを特徴とするものであ
る。In order to achieve the above object, a method for forming a thick film pattern of a plasma display substrate according to the present invention comprises a method of forming a pattern forming material for forming a barrier pattern on a substrate on which an electrode pattern is formed. After coating with a predetermined film thickness, laminating a dry film on top of the pattern forming material by heating the substrate, forming a mask for sandblasting according to a desired pattern by patterning the dry film by a photolithography method, After performing sandblasting through a mask for sandblasting, finally baking and binding the barrier on the substrate, thereby obtaining a desired barrier pattern on the substrate on which the electrode pattern is formed. Is what you do.
【０００６】この厚膜パターン形成方法を図１により具
体的に説明する。まず、（ａ）に示すように、ガラス基
板１の上にパターン形成材料２を塗布し、基板を加熱し
てパターン形成材料２の上部にドライフィルム３をラミ
ネートした後、目的パターンに合った露光マスク４を介
して紫外線５により露光してから現像することにより、
（ｂ）に示すように、パターン形成材料２の上面にドラ
イフィルム３からなるサンドブラスト用マスク６を形成
する。しかる後、（ｃ）に示すように、サンドブラスト
７により不要部分の除去を行うことによりパターンを形
成する。次いで、焼成或いは薬品処理を行うことによ
り、（ｄ）に示すように、サンドブラスト用マスク６を
除去して目的とする厚膜パターンを得る。This method of forming a thick film pattern will be specifically described with reference to FIG. First, as shown in (a), a pattern forming material 2 is applied on a glass substrate 1 and the substrate is heated.
Dry film 3 on top of pattern forming material 2
After sulfonates and developed after exposure by ultraviolet 5 through an exposure mask 4 that matches the target pattern,
(B), Dora the upper surface of the pattern forming material 2
A sand blast mask 6 made of the film 3 is formed. Thereafter, as shown in (c), an unnecessary portion is removed by sandblasting 7 to form a pattern. Then, by performing firing or chemical treatment, to obtain a thick film pattern you intended to remove such, sandblast mask 6 shown in (d).
【０００７】[0007]
【作用】上記構成の厚膜パターン形成方法によれば、基
板上に所定の厚さでパターン形成材料を塗布した後、マ
スクを介してサンドブラストにより不要部分を除去する
ことにより、最終的に必要とする厚さのパターンが１回
の操作で形成される。According to the method for forming a thick film pattern having the above-mentioned structure, after a pattern forming material is applied on a substrate to a predetermined thickness, unnecessary portions are removed by sand blasting through a mask, so that a finally necessary material is obtained. The thickness of the pattern is formed in one operation.
【０００８】[0008]
【実施例】実施例について図面を参照して説明する。An embodiment will be described with reference to the drawings.
【０００９】図２及び図３は本発明に係るプラズマディ
スプレイ基板の厚膜パターン形成方法の実施例を示す工
程図であり、図２は電極パターンを形成する工程を、ま
た、図３はその電極の間に障壁を形成する工程を示して
いる。FIGS. 2 and 3 are process diagrams showing an embodiment of a method for forming a thick film pattern on a plasma display substrate according to the present invention. FIG. 2 shows a process for forming an electrode pattern, and FIG. 3 shows a step of forming a barrier between them.
【００１０】ここで、本実施例においては、サンドブラ
スト用マスクを構成するドライフィルムとして、光硬化
型ドライフィルム（東京応化工業製、ＯＳＢＲフィル
ム）を用いた。しかしながら、この選択は本発明を限定
するものではなく、目的とするパターン寸法、パターン
形成材料の種類、サンドブラスト処理のマスクとしての
適性に応じて適切なドライフィルムを適宜選択すればよ
いものである。In this embodiment, a photocurable dry film (OSBR film, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was used as a dry film constituting the sandblast mask. However, this selection does not limit the present invention, and an appropriate dry film may be appropriately selected according to the target pattern dimensions, the type of the pattern forming material, and the suitability as a mask for sandblasting.
【００１１】以下、図２に示す各工程を順を追って説明
する。Hereinafter, each step shown in FIG. 2 will be described step by step.
【００１２】まず、（ａ）に示すように、ガラス基板１
１の上にパターン形成材料である電極ペースト１２をス
クリーン印刷により塗布しその厚みを２０μｍとした。
そして、電極ペースト１２中の有機バインダーに含まれ
る溶剤を除去するために基板１１ごと１００〜１６０℃
で乾燥を行って次の工程へ供した。次いで、（ｂ）に示
すように、基板１１を５０〜８０℃に加熱し、前記のサ
ンドブラスト用マスクを構成するドライフィルム１３を
ラミネートした後、（ｃ）に示すように、超高圧水銀灯
を光源とする平行光をプリンターを用い、線幅６０μ
ｍ、ピッチ１２０μｍのラインパターンマスク１４を介
して紫外線１５によりパターン露光を行った。露光条件
は、３６５ｎｍで測定した時に、強度２００μｗ／ｃｍ
2 、照射量７０ｍＪ／ｃｍ2 である。続いて、（ｄ）に
示す現像工程では、無水炭酸ナトリウム０．２ｗｔ％水
溶液により液温３０〜５０℃でスプレー現像を行った。
以上の工程により線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍのサ
ンドブラスト用マスク１６が得られた。その後、乾燥工
程を経て（ｅ）のサンドブラスト１７による不要部分の
除去処理を行った。ここでは、研磨材として褐色溶融ア
ルミナ＃８００を用い、噴出圧力１ｋｇ／ｃｍ2 でサン
ドブラスト処理を行うことにより、線幅６０μｍ、ピッ
チ１２０μｍ、高さ２０μｍの電極１８のパターンを得
た。First, as shown in FIG.
Electrode paste 12 as a pattern forming material was applied on top of 1 by screen printing to have a thickness of 20 μm.
Then, in order to remove the solvent contained in the organic binder in the electrode paste 12, the substrate 11 is removed at 100 to 160 ° C.
, And provided to the next step. Next, as shown in (b), the substrate 11 is heated to 50 to 80 ° C., and the dry film 13 constituting the above-mentioned sandblast mask is laminated, and then, as shown in (c), a super-high pressure mercury lamp is used as a light source. Using a printer, parallel light with a line width of 60μ
Pattern exposure was performed using ultraviolet rays 15 through a line pattern mask 14 having a pitch of 120 μm and a pitch of 120 μm. Exposure conditions are as follows: when measured at 365 nm, intensity 200 μw / cm
2. Irradiation dose is 70 mJ / cm 2 . Subsequently, in the developing step shown in (d), spray development was performed at a liquid temperature of 30 to 50 ° C. using a 0.2 wt% aqueous solution of anhydrous sodium carbonate.
Through the above steps, a sand blast mask 16 having a line width of 60 μm and a pitch of 120 μm was obtained. After that, through a drying step, the unnecessary portion was removed by the sandblast 17 in (e). Here, a pattern of the electrode 18 having a line width of 60 μm, a pitch of 120 μm, and a height of 20 μm was obtained by performing sandblasting at a blowing pressure of 1 kg / cm 2 using brown fused alumina # 800 as an abrasive.
【００１３】次に、図３に示す工程を順を追って説明す
る。Next, the steps shown in FIG. 3 will be described step by step.
【００１４】まず、（ａ）に示すように、障壁パターン
形成材料としてのセラミック材料１９を図２の工程で得
られたパターンの上から基板１１にブレードコート法に
より塗布し、厚みを２００μｍとした。そして、１００
〜１６０℃で乾燥を行い、次の工程へ供した。次いで、
（ｂ）に示すように、基板を５０〜８０℃に加熱し、前
記したのと同じドライフィルム２０をラミネートした
後、（ｃ）に示すように、線幅６０μｍ、ピッチ１２０
μｍのラインパターンマスク２１を介して紫外線２２に
よりパターン露光を行った。露光条件は、図２（ｃ）の
場合と同様である。続いて、前記条件と同様の条件で現
像を行い、（ｄ）に示すように、線幅６０μｍ、ピッチ
１２０μｍのサンドブラスト用マスク２３を得た。その
後、（ｅ）のサンドブラスト２４による不要部分の除去
工程では、研磨材として褐色溶融アルミナ＃４００を用
い、噴出圧力３ｋｇ／ｃｍ2 でサンドブラスト処理を行
うことにより、線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、高さ
２００μｍの前記セラミック材料による障壁２５のパタ
ーンを得た。この際、電極１８の上部には先のマスク１
６が残っており、これが電極１８の表面を保護している
ため、電極１８はダメージを受けない。そして、続く
（ｆ）に示す工程では、ピーク温度５８５℃、保持時間
１０〜２０分の条件で焼成を行い、前記電極１８及び障
壁２５をガラス基板１１上で結着させると同時にサンド
ブラスト用マスク１６，２３を焼失せしめた。以上の工
程により線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、高さ１８μ
ｍの電極１８、及び線幅６０μｍ、ピッチ１２０μｍ、
高さ１８０μｍの障壁２５の厚膜パターンが得られたFirst, as shown in FIG. 2A, a ceramic material 19 as a barrier pattern forming material is applied to the substrate 11 from above the pattern obtained in the step of FIG. 2 by a blade coating method to a thickness of 200 μm. . And 100
Drying was performed at 〜160 ° C. and provided for the next step. Then
As shown in (b), after heating the substrate to 50 to 80 ° C. and laminating the same dry film 20 as described above, as shown in (c), the line width is 60 μm, and the pitch is 120.
Pattern exposure was performed by ultraviolet rays 22 through a μm line pattern mask 21. The exposure conditions are the same as in the case of FIG. Subsequently, development was performed under the same conditions as described above to obtain a sandblast mask 23 having a line width of 60 μm and a pitch of 120 μm as shown in FIG. Then, in the step (e) of removing unnecessary portions by sandblasting 24, brown fused alumina # 400 is used as an abrasive, and sandblasting is performed at an ejection pressure of 3 kg / cm 2 to obtain a line width of 60 μm, a pitch of 120 μm, and a height of 120 μm. A 200 μm barrier 25 pattern of the ceramic material was obtained. At this time, the mask 1 above the electrode 18
6 remains, which protects the surface of the electrode 18, so that the electrode 18 is not damaged. Then, in the subsequent step (f), baking is performed under the conditions of a peak temperature of 585 ° C. and a holding time of 10 to 20 minutes to bind the electrode 18 and the barrier 25 on the glass substrate 11 and at the same time, to form the sand blast mask 16. , 23 were burned. Through the above steps, the line width is 60 μm, the pitch is 120 μm, and the height is 18 μm.
m electrode 18, line width 60 μm, pitch 120 μm,
A thick film pattern of the barrier 25 having a height of 180 μm was obtained.
【００１５】[0015]
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.
【００１６】１回の操作で高さ１００μｍ以上の厚膜パ
ターンが得られるため、これまでのスクリーン印刷法に
よる厚膜パターン形成の積層法に比べ、処理時間が短縮
されると共に、位置合わせ等の操作も１回でよいため、
工程の簡略化を図ることができる。Since a thick film pattern having a height of 100 μm or more can be obtained by a single operation, the processing time is shortened and the position adjustment and the like are performed in comparison with the conventional lamination method of forming a thick film pattern by screen printing. Since the operation only needs to be performed once,
The process can be simplified.
【００１７】また、サンドブラスト用マスクの形成にフ
ォトリソグラフィー法を用いることにより、高精細パタ
ーン及び基板の大型化への対応が可能となる。Further, by using a photolithography method for forming a sandblast mask, it is possible to cope with a high-definition pattern and an increase in the size of a substrate.
【図１】本発明のプラズマディスプレイ基板の厚膜パタ
ーン形成方法を説明するための工程図である。FIG. 1 is a process diagram illustrating a method of forming a thick film pattern on a plasma display substrate according to the present invention.
【図２】電極パターン形成の工程図である。2 is a process diagram of electrodes patterned.
【図３】障壁パターン形成の工程図である。3 is a process diagram of barriers patterning.
１，１１ 基板 ２，１２，１９ パターン形成材料 ３，１３，２０ ドライフィルム ６，１６，２３ サンドブラスト用マスク ７，１７，２４ サンドブラスト1,11 Substrate 2,12,19 Pattern forming material 3,13,20 Dry film 6,16,23 Sandblast mask 7,17,24 Sandblast
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−242548（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−86477（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−294180（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−301934（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−123744（ＪＰ，Ａ) （社）日本プリント回路工業会編, 「プリント回路技術便覧」，日刊工業新 聞社，昭和52年２月28日，ｐ．480−485 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 17/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-242548 (JP, A) JP-A-3-86477 (JP, A) JP-A-3-294180 (JP, A) JP-A-2-294 301934 (JP, A) JP-A-4-123744 (JP, A) Japan Printed Circuit Manufacturers Association, edited by "Printed Circuit Technology Handbook", Nikkan Kogyo Shinbunsha, February 28, 1977, p. 480-485 (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 9/02 H01J 17/04
Claims (1)
パターンを形成するパターン形成材料を予め所定の膜厚
で塗布し、基板を加熱してパターン形成材料の上部にド
ライフィルムをラミネートした後、該ドライフィルムを
フォトリソグラフィー法によりパターニングして所望パ
ターンに応じたサンドブラスト用マスクを形成し、その
サンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト処理を
行ってから、最後に焼成を行って障壁を基板上で結着さ
せることにより、電極パターンが形成された基板上に目
的とする障壁パターンを得ることを特徴とするプラズマ
ディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法。1. A pattern forming material for forming a barrier pattern is applied in a predetermined thickness on a substrate on which an electrode pattern is formed , and the substrate is heated to laminate a dry film on the pattern forming material. The dry film is patterned by a photolithography method to form a sand blasting mask corresponding to a desired pattern, subjected to sand blasting through the sand blasting mask, and finally fired to bind a barrier on the substrate. And thereby obtaining a desired barrier pattern on the substrate on which the electrode pattern has been formed .
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|---|---|---|---|
| JP20558391A JP3150168B2 (en) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Method for forming thick film pattern on plasma display substrate |
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| JP19522798A Division JP3240997B2 (en) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | Method for forming thick film pattern electrode on plasma display substrate |
| JP19522898A Division JP3110719B2 (en) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | Method for forming thick film pattern on plasma display substrate |
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Families Citing this family (3)
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| JP2008124030A (en) * | 2007-11-30 | 2008-05-29 | Jsr Corp | Conductive paste composition, transfer film and plasma display panel |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20558391A patent/JP3150168B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| （社）日本プリント回路工業会編，「プリント回路技術便覧」，日刊工業新聞社，昭和５２年２月２８日，ｐ．４８０−４８５ |
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