JP3143616B2 - 太陽電池の短絡部除去方法 - Google Patents
太陽電池の短絡部除去方法Info
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Description
を用いた薄膜太陽電池に生じた短絡部を除去する方法に
関する。さらに詳しくは、本発明は、上記薄膜太陽電池
において、発電に寄与する光電変換半導体層を挟む基板
側電極と裏面側電極の電極間に耐電圧以下の逆方向電圧
を印加して、その際に発生したジュール熱により短絡部
を除去または酸化して絶縁する方法に関する。
図3に示されるように、薄膜太陽電池10は、絶縁性基
板1の一つの面に、第1の電極2、光電変換半導体層
3、および第2の電極4をそれぞれ所定のパターンに加
工して順次積層することにより構成される太陽電池セル
5を複数設けた構造を有する。光電変換半導体層3は、
たとえばpin接合を有するアモルファスシリコン系半
導体層により構成されている。こうした構造により、太
陽電池セル5aの第1の電極2aと隣接する太陽電池セ
ル5bの第2の電極4b、太陽電池セル5bの第1の電
極2bと隣接する太陽電池セル5cの第2の電極4cが
直列に接続される。
製造時に光電変換半導体層にピンホールが生じると、太
陽電池セルの第1の電極と第2の電極とが短絡すること
がある。短絡が生じた太陽電池セルは発電に寄与しなく
なるため、太陽電池の光電変換効率が低下する。この問
題に対処するために、太陽電池セルの正負の電極間に逆
方向電圧(逆バイアス電圧)を印加して短絡部を除去す
る処理(逆バイアス処理)が行われる。この処理では、
光電変換半導体層に逆方向電圧を印加することにより短
絡部に電流を集中させ、発生したジュール熱によって短
絡部の金属を飛散させたり金属を酸化して絶縁体とする
ことにより短絡部を除去する。
光電変換半導体層3bに生じた第1の電極2bと第2の
電極4bとの短絡部を除去する場合について説明する。
この場合、太陽電池セル5bの第2の電極4bおよび隣
接する太陽電池セル5cの第2の電極4c(この第2の
電極4cは、太陽電池セル5bの第1の電極2bに直列
接続されている)にそれぞれ第1および第2のプローブ
6a、6bを接触させ、発電に寄与する光電変換半導体
層3bを挟む第1の電極2bと第2の電極4b間に耐電
圧以下の逆方向電圧を印加する。
6b間に直流の逆方向電圧またはパルス状の矩形波をな
す逆方向電圧を供給することにより逆バイアス処理を実
施していた。
8〜10Vである。こうした太陽電池セルに対して、図
1の従来技術に示すように、最初から4V以上(耐電圧
以下)の比較的高い直流の逆方向電圧またはパルス状の
矩形波をなす逆方向電圧を印加すると、かえって短絡部
が除去しにくい状態になることがある。すなわち、短絡
部が除去されずに残っている状態では本来的に逆方向電
圧とリーク電流(短絡部を流れる電流)とは比例してリ
ニアなV−I特性を示し、短絡部が除去された後にリー
ク電流が急激に減少するはずである。しかし、最初から
比較的高い逆方向電圧を印加した場合には観測されるリ
ーク電流が想定されるV−I特性の直線よりも大きくな
ることがある。こうした太陽電池セルに対して最初の電
圧値よりも高い電圧値を有する逆方向電圧を印加して
も、さらにリーク電流の増加傾向が顕著になり、短絡部
をより一層除去しにくくなることが多い。
池に生じた短絡部を除去する際に、逆方向電圧の印加に
よりかえって短絡部の状態が悪化することを防止しなが
ら短絡部を除去することができ、太陽電池の光電変換特
性の改善に有利な方法を提供することを目的とする。
部除去方法は、逆方向電圧を印加してリーク電流を測定
し、その結果をフィードバックしてその後の逆方向電圧
印加処理の条件を変更するものである。
板上に第1の電極層、半導体層、第2の電極層が順次形
成された1又は複数の太陽電池セルを含む太陽電池の短
絡部を除去する方法であって、各太陽電池セルの正負の
両極に対して、所定の電圧値を有する逆方向電圧を印加
してリーク電流を測定し、リーク電流が許容値以下にな
った時点で逆方向電圧印加処理を終了することを特徴と
する。
各太陽電池セルの正負の両極に対して、所定の電圧値を
有する逆方向電圧を印加してリーク電流を測定し、リー
ク電流が許容値を超えている場合に前回の電圧値よりも
高い電圧値を有する逆方向電圧を印加して再度リーク電
流を測定する。そして、リーク電流が増加傾向を示すか
否かに応じて、その後の逆方向電圧印加処理を終了する
か続行するかを決定する。具体的には、リーク電流が増
加傾向を示さない場合にはより高い電圧値を有する逆方
向電圧を印加してリーク電流を測定する処理を繰り返
す。この場合、最終的にリーク電流が許容値以下になっ
た時点で逆方向電圧印加処理を終了する。一方、リーク
電流が増加傾向を示した場合にはその時点で逆方向電圧
印加処理を終了する。
加処理の際に測定されるリーク電流の変化の傾向から、
その太陽電池セルの短絡部が除去可能であるか、または
除去しにくくなる性質のものであるかを判断できること
を利用している。本発明によれば、太陽電池セルの短絡
部が除去可能である場合にはより高い電圧値で逆方向電
圧印加処理を続行して短絡部を確実に除去し、短絡部が
除去しにくくなる性質のものである場合には逆方向電圧
印加処理を終了して短絡部がさらに悪化するのを防止す
るという判断を適切に決定でき、最適な逆方向電圧印加
処理が可能になる。
印加する逆方向電圧の電圧値は2V以下に設定される。
これは、上述したように最初から高い電圧値を有する逆
方向電圧を印加すると、短絡部の除去が困難になるおそ
れがあるためである。
はパルス状の矩形波でもよいが、周期的に変化する波形
を示す逆方向電圧を印加することが好ましい。このよう
な逆方向電圧の波形としては、正弦波、正弦波の半波ま
たはノコギリ波が挙げられる。
容量Cと逆方向の抵抗Rで定義される時定数にマッチン
グさせることが好ましい。逆方向電圧の周波数を上記の
ように設定すると、印加電圧の波形を電源電圧の波形に
追随させることができる。具体的には、逆方向電圧の周
波数は20〜1000Hz、さらに50〜120Hzの
範囲に設定される。
除去方法についてより詳細に説明する。
は、絶縁性基板1上に、第1の電極2、光電変換半導体
層3および第2の電極4をそれぞれ所定のパターンに加
工して順次積層することにより構成される太陽電池セル
5を複数設けた構造を有し、各太陽電池セル5a、5
b、5cは互いに直列に接続されている。
脂基板などを用いた場合、第1の電極2としてはITO
(Indium Tin Oxide:酸化錫を混入した酸化インジウ
ム)などの透明電極材料が、第2の電極4としては金属
電極材料が用いられる。一方、絶縁性基板1として透光
性を示さない基板材料を用いた場合、第1の電極2とし
て金属電極材料が、第2の電極4として透明電極材料が
用いられる。
導体の場合、非晶質シリコン、水素化非晶質シリコン、
水素化非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイ
トライドなどのほか、シリコンとゲルマニウムや錫など
の他の金属との非晶質シリコン系合金などの材料が用い
られる。また、半導体層はシリコン系に限られず、Cd
S系、GaAs系、InP系などの材料を用いて構成し
てもよい。これらの非晶質半導体層または微結晶半導体
層はpin型、nip型、ni型、pn型、MIS型、
ヘテロ接合型、ホモ接合型、ショットキーバリアー型ま
たはこれらを組み合わせた形をなすように構成される。
の両極に対して、最初に2V以下の電圧値を有する逆方
向電圧を印加してリーク電流を測定する。その結果、リ
ーク電流が許容値以下になった時点で逆バイアス処理を
終了する。たとえば、図1(A)は、1Vの逆方向電圧
を印加した時にリーク電流が許容電流値以下になったた
め逆バイアス処理を終了した場合を示している。
定されたリーク電流が許容電流値を超えていた場合の処
理の例を図1(B)に示す。この場合、1回目に1Vの
逆方向電圧を印加した時に測定されるリーク電流値I1
は許容電流値を超えている。そこで、1回目の電圧値よ
りも高い電圧値(この例では1回目の2倍の2V)を有
する逆方向電圧を印加して再びリーク電流値I2を測定
し、2回目のリーク電流値I2を1回目のリーク電流値
I1と比較する。たとえば、1回目に対する2回目のリ
ーク電流値の比(I2/I1)が2倍より小さい(増加傾
向を示さない)場合には、その太陽電池セルの短絡部は
除去可能であると判断できる。そこで、さらに2回目の
電圧値よりも高い電圧値(この例では3V)を有する逆
方向電圧を印加して再びリーク電流値I3を測定し、3
回目のリーク電流値I3を1回目または2回目のリーク
電流値と比較する。上記と同様に3回目のリーク電流が
増加傾向を示さない場合には、短絡部は除去可能である
と判断できる。そこで、さらに3回目の電圧値よりも高
い電圧値(この例では4V)を有する逆方向電圧を印加
して再びリーク電流値を測定する。この例では、4Vの
逆方向電圧を印加したことによりリーク電流値が許容電
流値以下になっているので、その時点で逆バイアス処理
を終了する。このような方法により、除去可能な短絡部
を確実に除去することができる。
定されたリーク電流が許容電流値を超えていた場合の別
の処理の例を説明する(図1には図示せず)。この場合
も、1回目に1Vの逆方向電圧を印加した時のリーク電
流値I1が許容電流値を超えているものとする。そこ
で、1回目の電圧値よりも高い電圧値(この例では2
V)を有する逆方向電圧を印加して再びリーク電流値I
2を測定し、2回目のリーク電流値I2を1回目のリーク
電流値I1と比較する。このとき、両者のリーク電流値
の比(I2/I1)が2倍を超え、たとえば3倍以上であ
る(増加傾向を示している)場合には、その太陽電池セ
ルの短絡部は除去が困難になる性質を示している判断で
きる。そこで、こうしたリーク電流の増加傾向が観測さ
れた場合には、その時点で逆バイアス処理を終了する。
このような方法により、短絡部の状態がさらに悪化する
ことを防止できる。
定する方法としては、上記のように1回目のリーク電流
値I1に対する2回目のリーク電流値I2の比が、1回目
の逆方向電圧値に対する2回目の逆方向電圧値の比より
大きいか小さいかを判定する方法のほかに、以下のよう
な方法を用いることもできる。たとえば、1回目に1V
の逆方向電圧を印加してリーク電流値I1を求め、2回
目に2Vの逆方向電圧を印加してリーク電流値I2を求
めた後、3回目の処理として再度1Vの逆方向電圧を印
加してリーク電流値I1’を求める。そして、3回目の
リーク電流値I1’が1回目にリーク電流値I1よりも大
きく、たとえば1.5倍になった場合にリーク電流値が
増加傾向を示していると判定し、その時点で逆バイアス
処理を終了する。
の状況は異なるため、上記のような処理は各太陽電池セ
ルごとに様々な態様で逆バイアス処理がなされる。
両極間に周期的に変化する波形を示す逆方向電圧を供給
することが好ましい。このような逆方向電圧の波形の例
を図2(A)〜(C)に示す。図2(A)に示す逆方向
電圧の波形は正弦波である。図2(B)に示す逆方向電
圧の波形は正弦波の半波である。図2(C)に示す逆方
向電圧の波形はノコギリ波である。
することによって、逆方向電圧値がピーク値から徐々に
0V近傍に近づくにつれて、第1および第2の電極2、
4間に蓄積された電荷を減少させることができ、正常な
部分の破壊を抑制できる。
を示す逆方向電圧は、逆方向成分を主として、一部順方
向成分(−0.5V以下)を含んでいてもよい。このよ
うに、順方向成分を含む逆方向電圧を印加すると、順方
向成分の印加時に第1および第2の電極2、4間に蓄積
された電荷をさらに減少させることができ、正常な部分
の破壊を抑制できる。
従って逆バイアス処理を行い、効果を比較した。60個
の太陽電池セルを直列に集積した太陽電池の各セルに対
して、本発明による逆バイアス処理を行った場合、60
個のセルのうち55個のセルで良好な光電変換特性が認
められた。一方、従来の方法に従い、ピーク値4Vの矩
形波パルスを印加して逆バイアス処理を行った場合、6
0個のセルのうち良好な光電変換特性が認められたのは
50個だけであった。これらの結果から、本発明による
短絡部除去方法は極めて有効であることがわかる。
短絡部除去方法を用いれば、短絡部を除去する際に、逆
方向電圧の印加によりかえって短絡部の状態が悪化する
ことを防止しながら短絡部を確実に除去することができ
るので、太陽電池の光電変換特性の改善に大きく寄与す
る。
ク電流の変化を示す図。
図。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に第1の電極層、半導体層、第2
の電極層が順次形成された1又は複数の太陽電池セルを
含む太陽電池に周波数20〜1000Hzで周期的に変
化する波形を示す逆方向電圧を印加して短絡部を除去す
る方法であって、 前記各太陽電池セルの正負の両極に対して、最初に2V
以下の一定ピーク値を有する逆方向電圧を印加してリー
ク電流を測定し、リーク電流が許容値以下になった場合
に逆方向電圧印加処理を終了し、リーク電流が許容値を超えている場合に前回のピーク値
よりも高い一定ピーク値を有する逆方向電圧を印加して
リーク電流を測定し、リーク電流が増加傾向を示さない
場合にはリーク電流が許容値以下になるまでさらに高い
一定ピーク値を有する逆方向電圧を印加してリーク電流
を測定する処理を繰り返し、リーク電流が増加傾向を示
した場合には逆方向電圧印加処理を終了する ことを特徴
とする太陽電池の短絡部除去方法。 - 【請求項2】 前記逆方向電圧の波形が正弦波、正弦波
の半波またはノコギリ波であることを特徴とする請求項
1記載の太陽電池の短絡部除去方法。 - 【請求項3】 前記逆方向電圧の周波数が50〜120
Hzであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池の
短絡部除去方法。
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WO2011104880A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 株式会社エヌエフ回路設計ブロック | 太陽電池の改修方法、太陽電池の製造方法、この製造方法により製造された太陽電池、太陽電池の改修装置、太陽電池の製造装置及び検査装置、これらの装置を製造工程に用いた太陽電池 |
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