JPS62176174A - 光電変換装置作成方法 - Google Patents
光電変換装置作成方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非単結晶半導体を用いた光電変換装置において
、非単結晶半導体層を形成する際この半導体層内に不本
意に形成されてしまう空孔またはピンホールにより光電
変換装置の第１の電極と第２の電極とが、これらの空孔
またはピンホールを通して、互いにショートあるいはリ
ーク状態となった光電変換装置を修復することを特徴と
した光電変換半導体の作成方法に関するものであります
。
、非単結晶半導体層を形成する際この半導体層内に不本
意に形成されてしまう空孔またはピンホールにより光電
変換装置の第１の電極と第２の電極とが、これらの空孔
またはピンホールを通して、互いにショートあるいはリ
ーク状態となった光電変換装置を修復することを特徴と
した光電変換半導体の作成方法に関するものであります
。
「従来技術」
従来、光電変換装置としては数ｄの小面積のＰＩＮ接合
を有する非単結晶半導体を用いた物が主であった。また
最近は数１０００ｃｎｆと大面積の光電変換装置を作り
、その単位面積当たりの製造原価を下げようとする試み
がある。しかし、このような光電変換装置は、非単結晶
半導体層の一部に空孔。
を有する非単結晶半導体を用いた物が主であった。また
最近は数１０００ｃｎｆと大面積の光電変換装置を作り
、その単位面積当たりの製造原価を下げようとする試み
がある。しかし、このような光電変換装置は、非単結晶
半導体層の一部に空孔。
ピンホール、クラック等を必ず有しており、その部分が
短絡電流部（ショート）または弱いリーク部となってし
まうため、大面積の光電変換装置を作製した場合、この
短絡電流部または弱いリーク部の為に曲線因子（Ｆ Ｆ
）の低下が激しくエネルギー変換効率の低下を誘発し、
製造歩留まりが悪く結果として単位面積当たりの製造原
価を下げることは非常に困難だった・ このため、大面積の光電変換装置を作製する際において
、電流短絡部のみを選択的に除去する方法が求められて
いる。その代表例として特開昭６０−４６０８０が示さ
れている。この発明は、ＰＩＮ接合を有する半導体上に
電極を形成し、さらにその表面をエツチング溶液に浸し
、加えて電流を流すことにより電流短絡部のみを選択的
に除去することを特徴としている。そのため使用する溶
液はエツチング溶液であり、その具体例がその明細書３
７６頁左上４ＭＬ９〜右下ａＬ１に示されている。これ
によるとショートしている半導体上のＩＴＯを選択的に
エツチング除去する。そのための電解液としての０．０
１〜１χの塩化水素、０．０５モルのＮａＣｌ塩希釈溶
液を用いている。
短絡電流部（ショート）または弱いリーク部となってし
まうため、大面積の光電変換装置を作製した場合、この
短絡電流部または弱いリーク部の為に曲線因子（Ｆ Ｆ
）の低下が激しくエネルギー変換効率の低下を誘発し、
製造歩留まりが悪く結果として単位面積当たりの製造原
価を下げることは非常に困難だった・ このため、大面積の光電変換装置を作製する際において
、電流短絡部のみを選択的に除去する方法が求められて
いる。その代表例として特開昭６０−４６０８０が示さ
れている。この発明は、ＰＩＮ接合を有する半導体上に
電極を形成し、さらにその表面をエツチング溶液に浸し
、加えて電流を流すことにより電流短絡部のみを選択的
に除去することを特徴としている。そのため使用する溶
液はエツチング溶液であり、その具体例がその明細書３
７６頁左上４ＭＬ９〜右下ａＬ１に示されている。これ
によるとショートしている半導体上のＩＴＯを選択的に
エツチング除去する。そのための電解液としての０．０
１〜１χの塩化水素、０．０５モルのＮａＣｌ塩希釈溶
液を用いている。
しかし、かかる電解液でＩＴＯおよびその下のショート
部の半導体を除去する従来公知の方法は、他の多くの欠
点を有する。即ちこの除去された領域に対しその後の工
程において選択的に絶縁物をコートシなければならない
。さらに故水溶液中に非単結晶半導体層を浸積するため
、金属被膜等は、この工程力＜６冬了した後に形成しな
ければならなかった。またこの工程の際に半導体層に吸
着した不純物イオンおよび水分等を十分に除却する工程
が必要となり製造原価を引き上げることになってしまっ
た。
部の半導体を除去する従来公知の方法は、他の多くの欠
点を有する。即ちこの除去された領域に対しその後の工
程において選択的に絶縁物をコートシなければならない
。さらに故水溶液中に非単結晶半導体層を浸積するため
、金属被膜等は、この工程力＜６冬了した後に形成しな
ければならなかった。またこの工程の際に半導体層に吸
着した不純物イオンおよび水分等を十分に除却する工程
が必要となり製造原価を引き上げることになってしまっ
た。
「発明の目的」
本発明は、これらの欠点をなくするためにショート個所
をウェットエツチングを行い除去するのではなく、ショ
ート個所を光電変換装置に逆バイアス）を加え、電気的
に絶縁化する（以下この工程をＲＢを行うという）。す
なわち、光電変換装置のＰ型非単結晶半導体層側の電極
に負の電圧をＮ型非単結晶半導体層側の電極に正の電圧
を印加することにより、不良個所を修復しようというも
のです。
をウェットエツチングを行い除去するのではなく、ショ
ート個所を光電変換装置に逆バイアス）を加え、電気的
に絶縁化する（以下この工程をＲＢを行うという）。す
なわち、光電変換装置のＰ型非単結晶半導体層側の電極
に負の電圧をＮ型非単結晶半導体層側の電極に正の電圧
を印加することにより、不良個所を修復しようというも
のです。
以下に図面に従って本発明を説明する。
第１図は、本発明の概要を示すものである。わかりやす
くする為、光電変換装置としては非晶質珪素半導体を用
いたＰＩＮ構造となっている。
くする為、光電変換装置としては非晶質珪素半導体を用
いたＰＩＮ構造となっている。
構造としては硝子基板（１）、第１の電極（２）Ｐ型ａ
−３ｉ（３）、Ｔ型ａ−５ｉ （４） 、 Ｎ型ａ−５
ｉ（５）、第２の電極（６）となっている。本発明は特
にこの構造のみに限定されるものではない。この第１の
電極（２）に負の電圧、第２の電極（６）に正の電圧が
印加されるように電ｍ （７）を接続する。そしてこの
電源（７）の出力をＯＶよりゆっくり連続して、約８Ｖ
まで増加していった時の回路に流れる電流と電圧の関係
を示すのが第２図のグラフである。
−３ｉ（３）、Ｔ型ａ−５ｉ （４） 、 Ｎ型ａ−５
ｉ（５）、第２の電極（６）となっている。本発明は特
にこの構造のみに限定されるものではない。この第１の
電極（２）に負の電圧、第２の電極（６）に正の電圧が
印加されるように電ｍ （７）を接続する。そしてこの
電源（７）の出力をＯＶよりゆっくり連続して、約８Ｖ
まで増加していった時の回路に流れる電流と電圧の関係
を示すのが第２図のグラフである。
第２図（ａ）において、実線（１０）は印加電圧が約５
．５ｖ付近までは、電圧の増加に従って電流も増加して
いる。０〜ＩＶまでの抵抗値は８．６Ωと大変小さく光
電変換装置の半導体層中に短絡電流部（８）が存在する
ことが容易に想像し得る。この後、電圧を増していくと
電流値の若干の落ち込み（２６） 、 （２７） 、
（２８）等が数多（みられ、約５．５ｖ以降急に電流が
流れなくなる。以後、約８Ｖまで電圧を印加しても電流
はほぼ一定である。この時の抵抗値は、約８００ΩでＯ
〜１ｖの時に比べ９０倍も上杭が増した。これ以後、再
びこの光電変換装置に逆バイアス電圧を印加しても、第
２図（ｂ）の実線（１１）のようになり、はぼ一定の抵
抗値を示し電流が急に流れたりすることはなく、個々の
光電変換装置の特性により異なるが、８Ｖを印加した時
最大で１５ｍＡＬか電流が流れない。抵抗値としては５
００Ω以上だった。すなわち、０■から５．５ｖまで電
圧を加えている間に、半導体層中の空孔あるいはピンホ
ールにより形成された短絡電流部にのみ電流が流れ、そ
の短絡電流部は焼は切れたか、または電気的に絶縁化さ
れてしまった為に、再び電圧を加えても異常な電流が流
れることはない。
．５ｖ付近までは、電圧の増加に従って電流も増加して
いる。０〜ＩＶまでの抵抗値は８．６Ωと大変小さく光
電変換装置の半導体層中に短絡電流部（８）が存在する
ことが容易に想像し得る。この後、電圧を増していくと
電流値の若干の落ち込み（２６） 、 （２７） 、
（２８）等が数多（みられ、約５．５ｖ以降急に電流が
流れなくなる。以後、約８Ｖまで電圧を印加しても電流
はほぼ一定である。この時の抵抗値は、約８００ΩでＯ
〜１ｖの時に比べ９０倍も上杭が増した。これ以後、再
びこの光電変換装置に逆バイアス電圧を印加しても、第
２図（ｂ）の実線（１１）のようになり、はぼ一定の抵
抗値を示し電流が急に流れたりすることはなく、個々の
光電変換装置の特性により異なるが、８Ｖを印加した時
最大で１５ｍＡＬか電流が流れない。抵抗値としては５
００Ω以上だった。すなわち、０■から５．５ｖまで電
圧を加えている間に、半導体層中の空孔あるいはピンホ
ールにより形成された短絡電流部にのみ電流が流れ、そ
の短絡電流部は焼は切れたか、または電気的に絶縁化さ
れてしまった為に、再び電圧を加えても異常な電流が流
れることはない。
一般に、光電変換装置のようにダイオード特性を持つも
のに素子が破壊しない程度に逆バイアス電圧（ＲＢ）を
加えると、高抵抗（例えばＲ８とする）を示し、第１図
のように電流力＜＞衆れる事はない。今、半導体層中に
空孔子はピンホールによる短絡電流部（ショート）が存
在したとすると、その部分の抵抗値（例えばＲＩ＋Ｒ２
＋”’−’Ｒｎとする。）は明らかに小さく 、Ｒｏ＞
＞ＲＩＲ２・・・Ｒｎである。この時電流は低抵抗の
短絡電流部を選択的に流れる。この空孔またはピンホー
ルは、半導体層形成時のほこりごみやフレーク等により
発生するものであるから、短絡電流部の面積は非常に小
さい。よってこの微少面積に電流が流れるために発熱し
、局所的に非常に高温となり短絡電流部を形成する物質
が、焼は切れる、気化蒸発する、表面が酸化する溶は出
る等、理由は、はっきりとはしないが、結果として絶縁
されてしまう。この為、一度ＲＢを行った光電変換装置
は並列抵抗が増加し開放電圧が増加することになり、エ
ネルギー変換効率の向上につかるのである。このＲＢを
行う際に印加する逆バイアス電圧は、不良個所に過大電
流を流しうるちのであればどのような形でもよい。
のに素子が破壊しない程度に逆バイアス電圧（ＲＢ）を
加えると、高抵抗（例えばＲ８とする）を示し、第１図
のように電流力＜＞衆れる事はない。今、半導体層中に
空孔子はピンホールによる短絡電流部（ショート）が存
在したとすると、その部分の抵抗値（例えばＲＩ＋Ｒ２
＋”’−’Ｒｎとする。）は明らかに小さく 、Ｒｏ＞
＞ＲＩＲ２・・・Ｒｎである。この時電流は低抵抗の
短絡電流部を選択的に流れる。この空孔またはピンホー
ルは、半導体層形成時のほこりごみやフレーク等により
発生するものであるから、短絡電流部の面積は非常に小
さい。よってこの微少面積に電流が流れるために発熱し
、局所的に非常に高温となり短絡電流部を形成する物質
が、焼は切れる、気化蒸発する、表面が酸化する溶は出
る等、理由は、はっきりとはしないが、結果として絶縁
されてしまう。この為、一度ＲＢを行った光電変換装置
は並列抵抗が増加し開放電圧が増加することになり、エ
ネルギー変換効率の向上につかるのである。このＲＢを
行う際に印加する逆バイアス電圧は、不良個所に過大電
流を流しうるちのであればどのような形でもよい。
以下に実施例を示す。なお、本発明は実施例のみに限定
されることはない。
されることはない。
実施例１゜
本実施例で用いた光電変換装置は第１図に示された物と
ほぼ同様の構造をとっている硝子基板（１）上に、ＩＴ
Ｏ−ＳｎＯｚの第１の電極（２） 、 Ｐ型ａ−ＳｉＣ
（３）、Ｉ型ａ−３＋ （４） ＋ Ｎ型、ｃｒ−Ｃ−
５ｉ （５）を形成し、第２の電極（６）として、ＩＴ
ＯとＡｇとＡ１の積層電極を用いている。この光電変換
装置は集積化されておらず、素子面積は４．５９ｃＪで
あった。ＲＢを行う前、この構造の光電変換装置１５０
個のエネルギー変換効率は３〜１０χとばらつきがひど
く、７％以上の効率を持つ素子の歩留まりは３０χ程度
であった。
ほぼ同様の構造をとっている硝子基板（１）上に、ＩＴ
Ｏ−ＳｎＯｚの第１の電極（２） 、 Ｐ型ａ−ＳｉＣ
（３）、Ｉ型ａ−３＋ （４） ＋ Ｎ型、ｃｒ−Ｃ−
５ｉ （５）を形成し、第２の電極（６）として、ＩＴ
ＯとＡｇとＡ１の積層電極を用いている。この光電変換
装置は集積化されておらず、素子面積は４．５９ｃＪで
あった。ＲＢを行う前、この構造の光電変換装置１５０
個のエネルギー変換効率は３〜１０χとばらつきがひど
く、７％以上の効率を持つ素子の歩留まりは３０χ程度
であった。
このようなサンプル１５０個に対し、第１図に示した方
法でＲＢを行う。すなわちＰ型ａ−３ｉＣ（３）側のＩ
ＴＯ，５ｎＯｚ （２）に対し負の電極をＮ型ｐ −Ｃ
−５ｉ （５）側のＩＴＯ−Ａｇ−へ１（６）に正の電
極を接続してゆき、電源（７）の出力を徐々に増してゆ
き、本実施例では８ｖまで加えた。この時、第２図の
５．５ｖ付近のように急に電流が回路上を流れなくなる
点（ＲＢ上エンドイントという）は、３〜５ｖ付近に多
かった。
法でＲＢを行う。すなわちＰ型ａ−３ｉＣ（３）側のＩ
ＴＯ，５ｎＯｚ （２）に対し負の電極をＮ型ｐ −Ｃ
−５ｉ （５）側のＩＴＯ−Ａｇ−へ１（６）に正の電
極を接続してゆき、電源（７）の出力を徐々に増してゆ
き、本実施例では８ｖまで加えた。この時、第２図の
５．５ｖ付近のように急に電流が回路上を流れなくなる
点（ＲＢ上エンドイントという）は、３〜５ｖ付近に多
かった。
１５０個にＲＢを行った結果を表１．に示す。
表１゜
表１．においてＲｓｈとは光電変換装置に逆バイアス電
圧を１■加えた時の抵抗値のことを示しています。
圧を１■加えた時の抵抗値のことを示しています。
実施例２゜
本実施例で用いた光電変換装置は、第１図に示さη、た
物と、はぼ同様の構造をとっている硝子基板（１）上に
ＩＴＯ−３ｎＯｚの第１の電極（２）、Ｐ型ａ−３ｉ（
３）Ｉ型ａ−３ｉ （４） 、 Ｎ型ａ−３ｉ （５）
を形成し、第２の電極（６）としてＡｔを用いている。
物と、はぼ同様の構造をとっている硝子基板（１）上に
ＩＴＯ−３ｎＯｚの第１の電極（２）、Ｐ型ａ−３ｉ（
３）Ｉ型ａ−３ｉ （４） 、 Ｎ型ａ−３ｉ （５）
を形成し、第２の電極（６）としてＡｔを用いている。
その他は実施例１とほぼ同様である。１５０個について
ＲＢを行ったがＲ８前後の光電変換装置のその代表的な
特性を第５図に示す。曲線（２２）はＲＢ前の特性であ
り、ＲＢ後は曲ｙＡ（２３）である。生データを表２に
示す。
ＲＢを行ったがＲ８前後の光電変換装置のその代表的な
特性を第５図に示す。曲線（２２）はＲＢ前の特性であ
り、ＲＢ後は曲ｙＡ（２３）である。生データを表２に
示す。
表２
このように素子としては、はとんど使用不可能な物を完
全に使用可能な素子としてリペアすることができ、さら
に１つのサンプルにＲＢを行い、すベアをするのに要す
る時間は、わずか１０〜２０秒程度であった。そして１
５０個のサンプルのＲ８前後の特性を表３に示す。
全に使用可能な素子としてリペアすることができ、さら
に１つのサンプルにＲＢを行い、すベアをするのに要す
る時間は、わずか１０〜２０秒程度であった。そして１
５０個のサンプルのＲ８前後の特性を表３に示す。
表３
実施例３
本実施例で用いた光電変換装置は、第３図（ａ）に示さ
れた物とほぼ同様の構造をとっている硝子基板（１２）
上に、ＩＴＯ／５ｎＯｚの第１の電極（１３） 、 Ｐ
型ａ−３ｉＣ（１４）、 Ｉ型ａ−Ｓｔ （１４） 、
Ｎ型ｐ −ｃ−５ｔ （１４） 、を形成し、第２の
電極（１５）として、ＩＴＯとＡｇとＡＩの積Ｎ電極を
用いている。この光電変換装置は１５段に集積化されて
おり素子面積は６９．８３ ｃ＋＋Ｉであった。ＲＢを
行う前この構造の光電変換装置５０個の７％以上の効率
を持つ素子の歩留まりは３０％程度であった。
れた物とほぼ同様の構造をとっている硝子基板（１２）
上に、ＩＴＯ／５ｎＯｚの第１の電極（１３） 、 Ｐ
型ａ−３ｉＣ（１４）、 Ｉ型ａ−Ｓｔ （１４） 、
Ｎ型ｐ −ｃ−５ｔ （１４） 、を形成し、第２の
電極（１５）として、ＩＴＯとＡｇとＡＩの積Ｎ電極を
用いている。この光電変換装置は１５段に集積化されて
おり素子面積は６９．８３ ｃ＋＋Ｉであった。ＲＢを
行う前この構造の光電変換装置５０個の７％以上の効率
を持つ素子の歩留まりは３０％程度であった。
このようなサンプル５０個に対し、第３図に示した方法
でＲＢを行う。すなわちＰ型ａ−３ｉｃ側のｒＴＯ−Ｓ
ｎＯｚ （１３）に対し負の電極を、Ｎ型ｕ−Ｃ−Ｓｉ
側のＩＴＯ−Ａｇ−ＡＩ（１５）に正の電極を各々接続
してゆき、電源（１６）の出力を徐々に増してゆき本実
施例では１段の素子に対し８ｖまで加えた。この時、第
２図の５．５ｖ付近のように急に電流が回路上を流れな
くなる点（ＲＢエンドポイントという）は、４〜６■付
近に多かった。５０個にＲＢを行った結果を表４に示す
。
でＲＢを行う。すなわちＰ型ａ−３ｉｃ側のｒＴＯ−Ｓ
ｎＯｚ （１３）に対し負の電極を、Ｎ型ｕ−Ｃ−Ｓｉ
側のＩＴＯ−Ａｇ−ＡＩ（１５）に正の電極を各々接続
してゆき、電源（１６）の出力を徐々に増してゆき本実
施例では１段の素子に対し８ｖまで加えた。この時、第
２図の５．５ｖ付近のように急に電流が回路上を流れな
くなる点（ＲＢエンドポイントという）は、４〜６■付
近に多かった。５０個にＲＢを行った結果を表４に示す
。
表４
このようにＲＢ後の変換効率は、非常によくなりしかも
、ばらつきが殆どなく９．５ ±５％以内に５０個のサ
ンプルすべてが入っていた。
、ばらつきが殆どなく９．５ ±５％以内に５０個のサ
ンプルすべてが入っていた。
実施例４
本実施例で用いた光電変換装置は、第４図すに示された
物とほぼ同様の構造をとっている硝子基板（１７）上に
Ｍｏの第１の電極（１８）、 Ｎ型ａ−３ｉ （１９）
、 Ｉ型ａ−３ｉ（１９）、 Ｐ型ａ−３ｉ（１９
）を形成し、第２の電極（２０）としてＩＴＯを用いて
いる。その他は実施例３とほぼ同様である。５０個につ
いてＲＢを行ったがＲ８前後の光電変換装置のその代表
的な特性を第６図に示す。曲線（２４）はＲＢ前の特性
でありＲＢ後は曲線（２５）である。
物とほぼ同様の構造をとっている硝子基板（１７）上に
Ｍｏの第１の電極（１８）、 Ｎ型ａ−３ｉ （１９）
、 Ｉ型ａ−３ｉ（１９）、 Ｐ型ａ−３ｉ（１９
）を形成し、第２の電極（２０）としてＩＴＯを用いて
いる。その他は実施例３とほぼ同様である。５０個につ
いてＲＢを行ったがＲ８前後の光電変換装置のその代表
的な特性を第６図に示す。曲線（２４）はＲＢ前の特性
でありＲＢ後は曲線（２５）である。
このサンプルの生データを表５に示す。
表５
このようにＦＦ（曲線因子）の特性が特に向上し変換効
率の向上に結びついている。そして５０個のサンプルの
Ｒ８前後の特性を表６に示す。
率の向上に結びついている。そして５０個のサンプルの
Ｒ８前後の特性を表６に示す。
表６
本実施例においては、１５段全部を同時にＲＢを行った
。このように行う際、本実施のように光電変換装置一段
ずつに各々電源を設けても、または１５段全部に逆バイ
アス電圧を印加して、各段には素子が破壊しないように
回路上の工夫を行ってもよい。また１５段同時にＲＢを
行うと、時間を短縮することが可能であり生産コストの
引き下げに有効である。
。このように行う際、本実施のように光電変換装置一段
ずつに各々電源を設けても、または１５段全部に逆バイ
アス電圧を印加して、各段には素子が破壊しないように
回路上の工夫を行ってもよい。また１５段同時にＲＢを
行うと、時間を短縮することが可能であり生産コストの
引き下げに有効である。
実施例５
実施例１と全く同じ構造のサンプルを用い、５０個につ
いてＲＢを行った後にＲＢ用の接続端子をはずすことな
く、すぐに光電変換装置の特性測定を行った。すなわち
サンプルのＰ型半導体層側の電極（２）に負の電極を、
逆にＮ型半導体層側の電極（６）に正の電極を接続し、
実施例１と同様の方法で光電変換装置にＲＢを行い、光
電変換装置のりベア及び歩留まりの向上を行った後、該
電極の接続をはずすことなく電極の極性を反転させ、光
電変換効率測定用光、本実施例ではＡ Ｍ １ （１０
０ｍＷ／Ｃ（）をサンプルに照射し、光電変換装置の特
性測定を行った。この際電極の極性を反転させるのは電
源上の操作で行っても回路を切り換えて行ってもよい。
いてＲＢを行った後にＲＢ用の接続端子をはずすことな
く、すぐに光電変換装置の特性測定を行った。すなわち
サンプルのＰ型半導体層側の電極（２）に負の電極を、
逆にＮ型半導体層側の電極（６）に正の電極を接続し、
実施例１と同様の方法で光電変換装置にＲＢを行い、光
電変換装置のりベア及び歩留まりの向上を行った後、該
電極の接続をはずすことなく電極の極性を反転させ、光
電変換効率測定用光、本実施例ではＡ Ｍ １ （１０
０ｍＷ／Ｃ（）をサンプルに照射し、光電変換装置の特
性測定を行った。この際電極の極性を反転させるのは電
源上の操作で行っても回路を切り換えて行ってもよい。
本実施例のようにＲＢと特性測定を連続してほぼ同時に
行うことが出来るため、光電変換装置作成の原価を大幅
に引き下げることが可能となった。
行うことが出来るため、光電変換装置作成の原価を大幅
に引き下げることが可能となった。
以上実施例で示したように、本発明により従来は不良品
として処分されるような光電変換装置を十分に使用可能
なものにまでリペアすることができる。
として処分されるような光電変換装置を十分に使用可能
なものにまでリペアすることができる。
さらに良品に対しては、製品の特性のバラツキをなくす
ることができ歩留まり率は大幅に向上した。
ることができ歩留まり率は大幅に向上した。
また一度ＲＢを行った光電変換装置は、不良個所を完全
に修復されたために、再び特性が劣化することはなかっ
た。
に修復されたために、再び特性が劣化することはなかっ
た。
また光電変換装置の製造が完全に終了してがら行う為に
、従来の製造工程を全く変更することなく製品の歩留ま
りを向上させることができる。
、従来の製造工程を全く変更することなく製品の歩留ま
りを向上させることができる。
本発明により光電変換装置の並列抵抗成分が増すために
、集積化した光電変換装置の場合、特にＦＦの改善につ
ながり変換効率が向上する。
、集積化した光電変換装置の場合、特にＦＦの改善につ
ながり変換効率が向上する。
また集積化構造の場合、各段間時にＲＢを行う事が出来
るためＲＢ工程の所要時間は単一構造の場合と全く同じ
であるという特徴を有する。またＲＢ工程と光電変換装
置の特性測定工程を同時に行うことが可能な為、生産コ
ストを低くすることが可能となります。
るためＲＢ工程の所要時間は単一構造の場合と全く同じ
であるという特徴を有する。またＲＢ工程と光電変換装
置の特性測定工程を同時に行うことが可能な為、生産コ
ストを低くすることが可能となります。
本発明は実施例のみに限定されるものではなく、幅広い
構造の素子に対し応用可能である。
構造の素子に対し応用可能である。
第１図は本発明の概略を示す図である。
第２図は本発明のＲ８前後で逆バイアスを加えた時、光
電変換装置に流れる電流値を示す。 第３図は集積化した光電変換装置の場合の本発明の概略
図を示す。 第４図はＲＢの終了点の最大の電流電圧を示すグラフで
ある。 第５図及び第６図はＲ８前後での光電変換装置の特性を
しめす。
電変換装置に流れる電流値を示す。 第３図は集積化した光電変換装置の場合の本発明の概略
図を示す。 第４図はＲＢの終了点の最大の電流電圧を示すグラフで
ある。 第５図及び第６図はＲ８前後での光電変換装置の特性を
しめす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する基板上に第１の電極を形成する工
程と該電極上に、ＰＩＮまたはＮＩＰ接合を少なくとも
１つ以上有する非単結晶半導体層を形成する工程と該非
単結晶半導体層上に第２の電極を形成する工程と、これ
らの工程の後、前記非単結晶半導体層の両端に逆バイア
ス電圧を加え、非単結晶半導体層の不良個所を修復する
工程と、この工程の後、逆バイアス電圧印加用の接続端
子を光電変換装置より、はずすことなく光電変換装置の
特性を測定する工程を有することを特徴とする光電変換
装置作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記修復工程終了
後の光電変換装置に逆バイアス電圧８Ｖを加えても１５
ｍＡ以上の電流が流れないことを特徴とする光電変換装
置作成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017429A JPS62176174A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光電変換装置作成方法 |
| AU68050/87A AU580903B2 (en) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Method for manufacturing photoelectric conversion devices |
| US07/007,780 US4806496A (en) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Method for manufacturing photoelectric conversion devices |
| CN87100588A CN1008580B (zh) | 1986-01-29 | 1987-02-02 | 光电转换器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017429A JPS62176174A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光電変換装置作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176174A true JPS62176174A (ja) | 1987-08-01 |
Family
ID=11943772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017429A Pending JPS62176174A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光電変換装置作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176174A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180370A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Clean Venture 21:Kk | 光電変換装置の製造方法 |
| WO2008041454A1 (fr) * | 2006-10-03 | 2008-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Appareil de traitement de polarisation inverse pour un dispositif de conversion photoélectrique et procédé pour un traitement de polarisation inverse |
| WO2009020073A1 (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置 |
| JP2009194082A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sharp Corp | 薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置 |
| WO2012029282A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4166918A (en) * | 1978-07-19 | 1979-09-04 | Rca Corporation | Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61017429A patent/JPS62176174A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4166918A (en) * | 1978-07-19 | 1979-09-04 | Rca Corporation | Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4631033B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-02-16 | 株式会社クリーンベンチャー２１ | 光電変換装置の製造方法 |
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| US8134111B2 (en) | 2006-10-03 | 2012-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reverse bias processing apparatus and reverse bias processing method for photoelectric conversion devices |
| WO2009020073A1 (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置 |
| JPWO2009020073A1 (ja) * | 2007-08-06 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置 |
| JP2012138637A (ja) * | 2007-08-06 | 2012-07-19 | Sharp Corp | 薄膜光電変換モジュールの解析方法 |
| US8349623B2 (en) | 2007-08-06 | 2013-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing thin film photoelectric conversion module |
| JP2009194082A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sharp Corp | 薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置 |
| US8679862B2 (en) | 2008-02-13 | 2014-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and device for manufacturing thin film photoelectric conversion module |
| WO2012029282A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
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