JPH09148600A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
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- JPH09148600A JPH09148600A JP7329956A JP32995695A JPH09148600A JP H09148600 A JPH09148600 A JP H09148600A JP 7329956 A JP7329956 A JP 7329956A JP 32995695 A JP32995695 A JP 32995695A JP H09148600 A JPH09148600 A JP H09148600A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バイパスダイオードを外付けしたりすること
なく、逆バイアス状態になったときの破壊，過熱等から
の保護を図って逆方向電流をバイパスするようにした太
陽電池を提供する。 【解決手段】 半導体層４の面内で逆方向電流が他の部
分より流れ易いバイパス部６を形成する。
なく、逆バイアス状態になったときの破壊，過熱等から
の保護を図って逆方向電流をバイパスするようにした太
陽電池を提供する。 【解決手段】 半導体層４の面内で逆方向電流が他の部
分より流れ易いバイパス部６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる太陽電池
セルとしての太陽電池に関し、詳しくは逆方向電流のバ
イパス機能を備えた太陽電池に関する。
セルとしての太陽電池に関し、詳しくは逆方向電流のバ
イパス機能を備えた太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種太陽電池は複数個を直列接
続して太陽電池モジュールとして使用される。
続して太陽電池モジュールとして使用される。
【０００３】そして、この太陽電池のダイオード特性は
単結晶タイプであれば図４の実線イに示すようになり、
多結晶タイプであれば同図の破線ロに示すようになる。
単結晶タイプであれば図４の実線イに示すようになり、
多結晶タイプであれば同図の破線ロに示すようになる。
【０００４】なお、図４は太陽電池セルの電流−電圧特
性を示し、第１象限Ａが逆方向の特性であり、第３象限
Ｂが順方向の特性である。
性を示し、第１象限Ａが逆方向の特性であり、第３象限
Ｂが順方向の特性である。
【０００５】そして、前記の太陽電池モジュールに部分
的に日の当らない個所が生じ、そのうちの１個の太陽電
池がいわゆる陰の状態になった場合、この太陽電池はモ
ジュール内の他の太陽電池の出力が逆方向電圧として印
加され、逆バイアス状態になる。
的に日の当らない個所が生じ、そのうちの１個の太陽電
池がいわゆる陰の状態になった場合、この太陽電池はモ
ジュール内の他の太陽電池の出力が逆方向電圧として印
加され、逆バイアス状態になる。
【０００６】このとき、単結晶タイプの太陽電池モジュ
ールであれば、図４の実線イからも明らかなように、陰
の太陽電池は比較的高い逆方向電圧（降伏電圧）が印加
されるまで逆方向電流がほとんど流れず、そのため、他
の太陽電池が出力状態にあるにもかかわらず、太陽電池
モジュールの出力が０になる。
ールであれば、図４の実線イからも明らかなように、陰
の太陽電池は比較的高い逆方向電圧（降伏電圧）が印加
されるまで逆方向電流がほとんど流れず、そのため、他
の太陽電池が出力状態にあるにもかかわらず、太陽電池
モジュールの出力が０になる。
【０００７】しかも、陰の太陽電池に前記の降伏値電圧
以上の逆方向電圧が印加されると、その逆方向電流が急
増し、場合によっては陰の太陽電池が破壊される。
以上の逆方向電圧が印加されると、その逆方向電流が急
増し、場合によっては陰の太陽電池が破壊される。
【０００８】また、多結晶タイプの太陽電池モジュール
であれば、図４の破線ロからも明らかなように、陰の太
陽電池は逆方向電圧に応じて比較的緩やかな指数関数特
性で逆方向電流が増加し、他の太陽電池の出力を浪費し
て発熱し、過熱状態になるとともに太陽電池モジュール
の出力が低下する。
であれば、図４の破線ロからも明らかなように、陰の太
陽電池は逆方向電圧に応じて比較的緩やかな指数関数特
性で逆方向電流が増加し、他の太陽電池の出力を浪費し
て発熱し、過熱状態になるとともに太陽電池モジュール
の出力が低下する。
【０００９】一方、特開平７−１３５３３４号公報（Ｈ
０１Ｌ ３１／０４２）には、この種太陽電池の表面側
にバイパスダイオードを取付け、逆バイアス状態になっ
たときに前記バイパスダイオードにより他の太陽電池の
出力をバイパスして逆方向電圧の印加による太陽電池の
破壊，過熱等を防止することが記載されている。
０１Ｌ ３１／０４２）には、この種太陽電池の表面側
にバイパスダイオードを取付け、逆バイアス状態になっ
たときに前記バイパスダイオードにより他の太陽電池の
出力をバイパスして逆方向電圧の印加による太陽電池の
破壊，過熱等を防止することが記載されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記公報に記載の従来
の太陽電池の場合、バイパスダイオードを外付けして搭
載する構成であるため、太陽電池の製造工程の他にバイ
パスダイオードの製造工程及びこのダイオードを取付け
る工程を要し、製造工程が複雑化して容易に製造するこ
とができず、しかも、必要な部材（材料）が増加して高
価になる等の問題点がある。
の太陽電池の場合、バイパスダイオードを外付けして搭
載する構成であるため、太陽電池の製造工程の他にバイ
パスダイオードの製造工程及びこのダイオードを取付け
る工程を要し、製造工程が複雑化して容易に製造するこ
とができず、しかも、必要な部材（材料）が増加して高
価になる等の問題点がある。
【００１１】また、表面の一部にバイパスダイオードが
突出して取付けられるため、太陽電池表面が平坦になら
ない問題点等もある。
突出して取付けられるため、太陽電池表面が平坦になら
ない問題点等もある。
【００１２】本発明は、バイパスダイオードを外付けし
たりすることなく、逆バイアス状態になったときの破
壊，過熱等からの保護を図って逆方向電流をバイパスす
るようにした太陽電池及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
たりすることなく、逆バイアス状態になったときの破
壊，過熱等からの保護を図って逆方向電流をバイパスす
るようにした太陽電池及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、この出願の請求項１の太陽電池においては、半導
体層の面内で逆方向電流が他の部分より流れ易いバイパ
ス部を形成する。
めに、この出願の請求項１の太陽電池においては、半導
体層の面内で逆方向電流が他の部分より流れ易いバイパ
ス部を形成する。
【００１４】したがって、太陽電池の内部に従来のバイ
パスダイオードに相当するバイパス部が設けられ、この
バイパス部により逆バイアス状態時の破壊，過熱等が防
止される。
パスダイオードに相当するバイパス部が設けられ、この
バイパス部により逆バイアス状態時の破壊，過熱等が防
止される。
【００１５】しかも、表面に従来のバイパスダイオード
等が突出することもなく、太陽電池の表面が平坦にな
る。
等が突出することもなく、太陽電池の表面が平坦にな
る。
【００１６】また、この出願の請求項２の太陽電池の製
造方法においては、半導体層に局部的に耐圧以上の逆方
向電圧を印加してバイパス部を形成する。
造方法においては、半導体層に局部的に耐圧以上の逆方
向電圧を印加してバイパス部を形成する。
【００１７】したがって、製造工程が複雑化することな
く、また、必要な部材が増加することもなく、半導体層
にバイパス部を設けて簡単かつ安価に逆方向電流のバイ
パス機能を有する太陽電池が製造される。
く、また、必要な部材が増加することもなく、半導体層
にバイパス部を設けて簡単かつ安価に逆方向電流のバイ
パス機能を有する太陽電池が製造される。
【００１８】さらに、この出願の請求項３の太陽電池の
製造方法においては、イオン注入法，熱拡散法等により
半導体層に局部的に不純物を高濃度にドープしてバイパ
ス部を形成する。
製造方法においては、イオン注入法，熱拡散法等により
半導体層に局部的に不純物を高濃度にドープしてバイパ
ス部を形成する。
【００１９】したがって、製造途中に不純物を高濃度に
ドープする簡単かつ安価な手法によりバイパス部を形成
して逆方向電流のバイパス機能を有する太陽電池が製造
される。
ドープする簡単かつ安価な手法によりバイパス部を形成
して逆方向電流のバイパス機能を有する太陽電池が製造
される。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態につき、図１
ないし図３を参照して説明する。 （１形態）まず、本発明の実施の１形態について、図１
及び図２を参照して説明する。図１の（ａ），（ｂ）は
単結晶タイプの約１０cm角の太陽電池１の平面図，正面
図であり、この太陽電池１はつぎのようにして製造され
たものである。
ないし図３を参照して説明する。 （１形態）まず、本発明の実施の１形態について、図１
及び図２を参照して説明する。図１の（ａ），（ｂ）は
単結晶タイプの約１０cm角の太陽電池１の平面図，正面
図であり、この太陽電池１はつぎのようにして製造され
たものである。
【００２１】すなわち、基板となるＢ（ボロン）濃度が
１０16ａｔｏｍｓ／cm3 のｐ型の単結晶を引上げ法で成
長してｐ層２とし、つぎに、前記単結晶の表面部に８０
０〜９００℃の熱拡散によりＰＯＣｌ3 のソースガス雰
囲気中でリン（Ｐ）を濃度１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／
cm3 でドープして厚さ０．５〜１．０μｍのｎ層３を形
成し、厚さ２００〜３００μｍのＰＮ接合の半導体層４
を作成する。
１０16ａｔｏｍｓ／cm3 のｐ型の単結晶を引上げ法で成
長してｐ層２とし、つぎに、前記単結晶の表面部に８０
０〜９００℃の熱拡散によりＰＯＣｌ3 のソースガス雰
囲気中でリン（Ｐ）を濃度１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／
cm3 でドープして厚さ０．５〜１．０μｍのｎ層３を形
成し、厚さ２００〜３００μｍのＰＮ接合の半導体層４
を作成する。
【００２２】さらに、ｎ層３の上部にＴｉＯｘ，ＳｉＮ
ｘ等からなる厚さ６００〜８００Åの反射防止用の絶縁
膜（ＡＲ膜）５を形成する。
ｘ等からなる厚さ６００〜８００Åの反射防止用の絶縁
膜（ＡＲ膜）５を形成する。
【００２３】つぎに、半導体層４に後述のバイパス部を
形成する。
形成する。
【００２４】ところで、半導体層４にその耐圧以上の逆
方向電圧を局部的に印加すると、その後、その部分が他
の部分より低い電圧で降伏して大きな逆方向電流を流す
ようになることが、実験等によって判明した。
方向電圧を局部的に印加すると、その後、その部分が他
の部分より低い電圧で降伏して大きな逆方向電流を流す
ようになることが、実験等によって判明した。
【００２５】そして、ここでは逆方向電流が通流したと
きの熱放散効果等も考慮し、例えば半導体層４の表面の
１cm間隔の（９×９＝）８１個所にその上部の絶縁膜５
の表面から針状のプローブを一斉に又は順次に接触し、
これらのプローブと半導体層４の裏面に接触した対向電
極との間に、プローブを正とする極性の太陽電池１の耐
圧以上の電圧（逆方向電圧）を瞬時（１〜数秒程度）印
加する。
きの熱放散効果等も考慮し、例えば半導体層４の表面の
１cm間隔の（９×９＝）８１個所にその上部の絶縁膜５
の表面から針状のプローブを一斉に又は順次に接触し、
これらのプローブと半導体層４の裏面に接触した対向電
極との間に、プローブを正とする極性の太陽電池１の耐
圧以上の電圧（逆方向電圧）を瞬時（１〜数秒程度）印
加する。
【００２６】この逆方向電圧の大きさは、太陽電池１が
図４の実線イのダイオード特性を有する場合、その耐圧
が約２５Ｖであるため、例えば３０Ｖにする。
図４の実線イのダイオード特性を有する場合、その耐圧
が約２５Ｖであるため、例えば３０Ｖにする。
【００２７】そして、この耐圧以上の逆方向電圧の印加
により、半導体層４は同一平面内の等間隔の８１個所そ
れぞれに、逆方向電流が他の部分より流れ易い直径１μ
ｍ程度の微小断面積のバイパス部６が形成される。
により、半導体層４は同一平面内の等間隔の８１個所そ
れぞれに、逆方向電流が他の部分より流れ易い直径１μ
ｍ程度の微小断面積のバイパス部６が形成される。
【００２８】これらのバイパス部６は半導体層４の他の
部分より低い逆方向電圧の印加により降伏して大きな逆
方向電流を通し、前記公報に記載されたたバイパスダイ
オードと同様に機能する。
部分より低い逆方向電圧の印加により降伏して大きな逆
方向電流を通し、前記公報に記載されたたバイパスダイ
オードと同様に機能する。
【００２９】つぎに、電極の作成に移り、裏面側の電極
として、ｐ層２の裏面側にＡｌ層の裏面電極７及びその
裏面の集電極としての２本の並行なバスバー８を形成
し、また、表面側の電極として、絶縁膜５の表面上に細
線状の等間隔の多数のフィンガー９と，これらのフィン
ガー９に直交する２本の平行なバスバー１０とを形成す
る。なお、バスバー８，１０及びフィンガー９はスクリ
ーン印刷法により形成され、Ａｇを主成分とする。
として、ｐ層２の裏面側にＡｌ層の裏面電極７及びその
裏面の集電極としての２本の並行なバスバー８を形成
し、また、表面側の電極として、絶縁膜５の表面上に細
線状の等間隔の多数のフィンガー９と，これらのフィン
ガー９に直交する２本の平行なバスバー１０とを形成す
る。なお、バスバー８，１０及びフィンガー９はスクリ
ーン印刷法により形成され、Ａｇを主成分とする。
【００３０】また、バイパス部６及びフィンガー９，バ
スバー１０の集電極の部分は光電変換を行わないいわゆ
る無効面積部分であり、これらの部分の占有面積を少し
でも低減することが太陽電池１全体の変換効率等の面か
ら重要である。
スバー１０の集電極の部分は光電変換を行わないいわゆ
る無効面積部分であり、これらの部分の占有面積を少し
でも低減することが太陽電池１全体の変換効率等の面か
ら重要である。
【００３１】そこで、この例では図１の（ａ）等からも
明らかなように、バイパス部６をフィンガー９及びバス
バー１０に重合するように配列して形成し、無効面積部
分を極力小さくしている。
明らかなように、バイパス部６をフィンガー９及びバス
バー１０に重合するように配列して形成し、無効面積部
分を極力小さくしている。
【００３２】以上のようにして製造された単結晶タイプ
の太陽電池１は、半導体層４の各バイパス部６の作用に
基づき、そのダイオード特性がバイパス部６のない図４
の実線イの従来特性から図２の実線ハの特性に変わり、
とくに、その逆方向の特性からも明らかなように、従来
より低い逆方向電圧の印加により降伏して出力可能な逆
方向電流が急増し、前記従来のバイパスダイオードを外
付けして搭載することなく、太陽電池１自身に逆方向電
流のバイパス機能を備える。
の太陽電池１は、半導体層４の各バイパス部６の作用に
基づき、そのダイオード特性がバイパス部６のない図４
の実線イの従来特性から図２の実線ハの特性に変わり、
とくに、その逆方向の特性からも明らかなように、従来
より低い逆方向電圧の印加により降伏して出力可能な逆
方向電流が急増し、前記従来のバイパスダイオードを外
付けして搭載することなく、太陽電池１自身に逆方向電
流のバイパス機能を備える。
【００３３】そして、逆方向電流がバイパス部６を通る
ため、逆方向電流による太陽電池１の発熱が少なく、し
かも、バイパス部６が半導体層４に複数個分散して形成
されるため、逆方向電流により太陽電池１に発生した熱
はこの電池１内の全域に分散されて効率よく冷却され
る。
ため、逆方向電流による太陽電池１の発熱が少なく、し
かも、バイパス部６が半導体層４に複数個分散して形成
されるため、逆方向電流により太陽電池１に発生した熱
はこの電池１内の全域に分散されて効率よく冷却され
る。
【００３４】したがって、太陽電池１を複数個直列接続
してモジュールとして使用する場合、例えば、そのうち
の１個の太陽電池１が陰の太陽電池になっても、他の太
陽電池１の発電出力は陰の太陽電池１のバイパス部６を
通って取出され、太陽電池モジュールの出力が０になら
ず、しかも、他の太陽電池１の出力に基づく陰の太陽電
池１の逆方向の印加電圧が過大にならず、逆方向電圧に
よる陰の太陽電池１の破壊等も防止され、さらに、数枚
〜数十枚毎或いはモジュール毎に設けられる従来のバイ
パスダイオードを省くこともできる。
してモジュールとして使用する場合、例えば、そのうち
の１個の太陽電池１が陰の太陽電池になっても、他の太
陽電池１の発電出力は陰の太陽電池１のバイパス部６を
通って取出され、太陽電池モジュールの出力が０になら
ず、しかも、他の太陽電池１の出力に基づく陰の太陽電
池１の逆方向の印加電圧が過大にならず、逆方向電圧に
よる陰の太陽電池１の破壊等も防止され、さらに、数枚
〜数十枚毎或いはモジュール毎に設けられる従来のバイ
パスダイオードを省くこともできる。
【００３５】そして、太陽電池１の製造途中に半導体層
４に耐圧以上の逆方向電圧を印加して各バイパス部６を
形成するのみであるため、製造工程の複雑化及び必要な
部材の増加等なく、太陽電池１に逆方向電流のバイパス
機能が付加される。
４に耐圧以上の逆方向電圧を印加して各バイパス部６を
形成するのみであるため、製造工程の複雑化及び必要な
部材の増加等なく、太陽電池１に逆方向電流のバイパス
機能が付加される。
【００３６】また、太陽電池１内に各バイパス部６が形
成され、その表面に従来のバイパスダイオードが突出し
て取付けられたりせず、太陽電池１の表面が平坦になる
利点もある。なお、図２の実線ハからも明らかなように
バイパス部６を形成しても太陽電池１の順方向の出力特
性にはほとんど影響がない。
成され、その表面に従来のバイパスダイオードが突出し
て取付けられたりせず、太陽電池１の表面が平坦になる
利点もある。なお、図２の実線ハからも明らかなように
バイパス部６を形成しても太陽電池１の順方向の出力特
性にはほとんど影響がない。
【００３７】（他の形態）つぎに、本発明の実施の他の
形態について、図３を参照して説明する。この形態にお
いては、図３に示すように、半導体層４にイオン注入
法，熱拡散法等により不純物を高濃度にドープし、図１
の各バイパス部６と同様のバイパス部６’を形成して太
陽電池１を製造する。
形態について、図３を参照して説明する。この形態にお
いては、図３に示すように、半導体層４にイオン注入
法，熱拡散法等により不純物を高濃度にドープし、図１
の各バイパス部６と同様のバイパス部６’を形成して太
陽電池１を製造する。
【００３８】すなわち、半導体層４のｐ層２について
は、例えばＢ（ボロン）又はＳｉＢアロイをターゲット
とするイオン注入により、図１の（ａ）の８１個所に相
当する複数個所に１０18ａｔｏｍｓ／cm3 以上の高濃度
に不純物Ｂ+ をドープし、局部的に高濃度のｐ+ ドープ
部１１を形成する。
は、例えばＢ（ボロン）又はＳｉＢアロイをターゲット
とするイオン注入により、図１の（ａ）の８１個所に相
当する複数個所に１０18ａｔｏｍｓ／cm3 以上の高濃度
に不純物Ｂ+ をドープし、局部的に高濃度のｐ+ ドープ
部１１を形成する。
【００３９】また、半導体層４のｎ層３については、例
えばＰ（リン）又はＳｉＰアロイをターゲットとするイ
オン注入により、ｐ+ ドープ部１１に対応する各所に、
１０21ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の高濃度に不純物Ｐ- をド
ープし、局部的に高濃度のｎ+ ドープ部１２を形成す
る。
えばＰ（リン）又はＳｉＰアロイをターゲットとするイ
オン注入により、ｐ+ ドープ部１１に対応する各所に、
１０21ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の高濃度に不純物Ｐ- をド
ープし、局部的に高濃度のｎ+ ドープ部１２を形成す
る。
【００４０】そして、各対のｐ+ ドープ部１１，ｎ+ ド
ープ部１２によりバイパス部６’それぞれを形成する。
ープ部１２によりバイパス部６’それぞれを形成する。
【００４１】このとき、バイパス部６’により図１のバ
イパス部６と同様の逆方向電流のバイパス機能が太陽電
池１に設けられる。
イパス部６と同様の逆方向電流のバイパス機能が太陽電
池１に設けられる。
【００４２】そのため、この形態の場合は不純物を高濃
度にドープして１形態の場合とほぼ同様の効果が得られ
る。
度にドープして１形態の場合とほぼ同様の効果が得られ
る。
【００４３】ところで、前記両形態においては、単結晶
タイプの太陽電池に適用した場合について説明したが、
多結晶タイプ，アモルファスシリコンタイプの太陽電池
についても同様に適用することができるのは勿論であ
る。
タイプの太陽電池に適用した場合について説明したが、
多結晶タイプ，アモルファスシリコンタイプの太陽電池
についても同様に適用することができるのは勿論であ
る。
【００４４】そして、バイパス部６，６’の個数，大き
さ及び配置等はどのようであってもよく、適用する太陽
電池のタイプ，大きさ等に応じて適当に設定すればよ
い。
さ及び配置等はどのようであってもよく、適用する太陽
電池のタイプ，大きさ等に応じて適当に設定すればよ
い。
【００４５】また、バイパス部６を形成するときに印加
する電圧（逆方向電圧）の大きさ及びバイパス部６’を
形成するときにドープする不純物，その濃度等は、両形
態のものに限られるものではない。
する電圧（逆方向電圧）の大きさ及びバイパス部６’を
形成するときにドープする不純物，その濃度等は、両形
態のものに限られるものではない。
【００４６】
【発明の効果】本発明は、以下に記載する効果を奏す
る。請求項１の太陽電池の場合、半導体層の面内で逆方
向電流が他の部分より流れ易いバイパス部を形成したた
め、内部に従来のバイパスダイオードに相当するバイパ
ス部を設けて逆方向電流のバイパス機能が付加され、バ
イパス部により逆バイアス状態時の破壊，過熱等を防止
することができる。
る。請求項１の太陽電池の場合、半導体層の面内で逆方
向電流が他の部分より流れ易いバイパス部を形成したた
め、内部に従来のバイパスダイオードに相当するバイパ
ス部を設けて逆方向電流のバイパス機能が付加され、バ
イパス部により逆バイアス状態時の破壊，過熱等を防止
することができる。
【００４７】しかも、表面に従来のバイパスダイオード
等が突出することもなく、太陽電池の表面が平坦になる
利点もある。
等が突出することもなく、太陽電池の表面が平坦になる
利点もある。
【００４８】さらに、この太陽電池を複数個用いて太陽
電池モジュール等を形成するときに、従来のモジュール
間等の逆バイアス防止用のダイオードを省くことができ
る利点もある。
電池モジュール等を形成するときに、従来のモジュール
間等の逆バイアス防止用のダイオードを省くことができ
る利点もある。
【００４９】請求項２の太陽電池の製造方法の場合、半
導体層に局部的に耐圧以上の逆方向電圧を印加して前記
バイパス部を形成したため、製造工程が複雑化すること
なく、また、必要な部材が増加することもなく、簡単か
つ安価に逆方向電流のバイパス機能を有する太陽電池を
製造することができる。
導体層に局部的に耐圧以上の逆方向電圧を印加して前記
バイパス部を形成したため、製造工程が複雑化すること
なく、また、必要な部材が増加することもなく、簡単か
つ安価に逆方向電流のバイパス機能を有する太陽電池を
製造することができる。
【００５０】請求項３の太陽電池の製造方法において
は、イオン注入法，熱拡散法等により半導体層に局部的
に不純物を高濃度にドープして前記バイパス部を形成し
たため、製造途中に不純物を高濃度にドープする簡単か
つ安価な手法により前記バイパス部を形成して逆方向電
流のバイパス機能を有する太陽電池を製造することがで
きる。
は、イオン注入法，熱拡散法等により半導体層に局部的
に不純物を高濃度にドープして前記バイパス部を形成し
たため、製造途中に不純物を高濃度にドープする簡単か
つ安価な手法により前記バイパス部を形成して逆方向電
流のバイパス機能を有する太陽電池を製造することがで
きる。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の実施の１形態の太陽
電池の平面図，正面図である。
電池の平面図，正面図である。
【図２】図１の太陽電池の電流−電圧特性図である。
【図３】本発明の実施の他の形態の太陽電池の一部の正
面図である。
面図である。
【図４】従来の太陽電池の電流−電圧特性図である。
１ 太陽電池 ４ 半導体層 ６，６’ バイパス部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体層の面内で逆方向電流が他の部分
より流れ易いバイパス部を形成したことを特徴とする太
陽電池。 - 【請求項２】 半導体層に局部的に耐圧以上の逆方向電
圧を印加して前記バイパス部を形成することを特徴とす
る太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 イオン注入法，熱拡散法等により半導体
層に局部的に不純物を高濃度にドープして前記バイパス
部を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0985233A1 (en) | 1997-05-30 | 2000-03-15 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Solar cell and process of manufacturing the same |
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-
1995
- 1995-11-24 JP JP32995695A patent/JP3332699B2/ja not_active Expired - Fee Related
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