JP3142782B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び磁気記憶装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び
磁気記憶装置に関する。
気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び
磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高密度化、大容量化
に対応した再生ヘッドとして、磁界の強さに応じて電気
抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドが
使用されている。磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、Ｍ
Ｒヘッドという）は、例えば図１４(a) に示すように、
軟磁性層101 と非磁性層102 と磁気抵抗効果層103 を重
ね、その両端に磁区制御磁性層106,107 と一対のリード
104,105 を重ねた構造を有している。そして、リード10
4,105 を介して磁気抵抗効果層103 のセンス領域Ｗにバ
イアス電流Ｉs を流し、センス領域Ｗの磁化Ｍの方向を
外部磁界によって変化させることにより、センス領域Ｗ
の抵抗を変化させるものである。抵抗の変化は電圧の変
化として検出される。磁気抵抗効果層103 の抵抗値が大
きくなるほど磁気ヘッドの再生出力が大きくなるが、そ
の反対に磁気ヘッドの感度が鈍くなる。
に対応した再生ヘッドとして、磁界の強さに応じて電気
抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドが
使用されている。磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、Ｍ
Ｒヘッドという）は、例えば図１４(a) に示すように、
軟磁性層101 と非磁性層102 と磁気抵抗効果層103 を重
ね、その両端に磁区制御磁性層106,107 と一対のリード
104,105 を重ねた構造を有している。そして、リード10
4,105 を介して磁気抵抗効果層103 のセンス領域Ｗにバ
イアス電流Ｉs を流し、センス領域Ｗの磁化Ｍの方向を
外部磁界によって変化させることにより、センス領域Ｗ
の抵抗を変化させるものである。抵抗の変化は電圧の変
化として検出される。磁気抵抗効果層103 の抵抗値が大
きくなるほど磁気ヘッドの再生出力が大きくなるが、そ
の反対に磁気ヘッドの感度が鈍くなる。
【０００３】そこで、ＭＲヘッドの抵抗値を適正に調整
することが要求される。その抵抗値の調整方法の１つと
して、磁気ヘッドの軟磁性層101 から磁気抵抗効果層10
3 のうち磁気記録媒体との対向部を研磨してリード104,
105 間のその抵抗値を変える方法がある。その研磨は、
軟磁性層101 から磁気抵抗効果層103 のうち磁気記録媒
体に対向する面に対して行われる。研磨によって磁気抵
抗効果層103 などが低くなるほどその抵抗は大きくなる
関係にある。この場合の磁気抵抗効果層103 などの高さ
h は、磁気記録媒体面に垂直方向の高さである。
することが要求される。その抵抗値の調整方法の１つと
して、磁気ヘッドの軟磁性層101 から磁気抵抗効果層10
3 のうち磁気記録媒体との対向部を研磨してリード104,
105 間のその抵抗値を変える方法がある。その研磨は、
軟磁性層101 から磁気抵抗効果層103 のうち磁気記録媒
体に対向する面に対して行われる。研磨によって磁気抵
抗効果層103 などが低くなるほどその抵抗は大きくなる
関係にある。この場合の磁気抵抗効果層103 などの高さ
h は、磁気記録媒体面に垂直方向の高さである。
【０００４】しかし、研磨によるＭＲヘッドの抵抗の調
整は手間がかかり、しかも、抵抗調整の精度が高くない
といった不都合がある。また、ＭＲヘッドでは、マイグ
レーションによる寿命の短縮化という問題がある。マイ
グレーションは、バイアス電流により磁気抵抗効果層な
どが溶断する現象である。
整は手間がかかり、しかも、抵抗調整の精度が高くない
といった不都合がある。また、ＭＲヘッドでは、マイグ
レーションによる寿命の短縮化という問題がある。マイ
グレーションは、バイアス電流により磁気抵抗効果層な
どが溶断する現象である。
【０００５】そこで、研磨のバラツキ、マイグレーショ
ンなどを考慮して、ＭＲヘッドに流す電流、即ちバイア
ス電流の大きさを最適化することが行われている。バイ
アス電流の大きさを最適化するために、まず、図１４
(b) に示すように、ＭＲヘッドの抵抗値( ＭＲ抵抗値)
とバイアス電流の座標に寿命曲線を描く。その寿命曲線
は、実験結果から求められる。
ンなどを考慮して、ＭＲヘッドに流す電流、即ちバイア
ス電流の大きさを最適化することが行われている。バイ
アス電流の大きさを最適化するために、まず、図１４
(b) に示すように、ＭＲヘッドの抵抗値( ＭＲ抵抗値)
とバイアス電流の座標に寿命曲線を描く。その寿命曲線
は、実験結果から求められる。
【０００６】この寿命曲線において、バイアス電流を決
める場合には、ＭＲヘッドの抵抗の大きさに上限を設け
て、その上限を超える抵抗値のＭＲヘッドは使用しない
ことを前提としている。そして、図１４(b) の寿命曲線
に基づいて、抵抗値が上限のＭＲヘッドに許容できる最
大限のバイアス電流Ｊｏを全てのＭＲヘッドのバイアス
電流として決定する。
める場合には、ＭＲヘッドの抵抗の大きさに上限を設け
て、その上限を超える抵抗値のＭＲヘッドは使用しない
ことを前提としている。そして、図１４(b) の寿命曲線
に基づいて、抵抗値が上限のＭＲヘッドに許容できる最
大限のバイアス電流Ｊｏを全てのＭＲヘッドのバイアス
電流として決定する。
【０００７】バイアス電流の決定の方法としては、その
他に次のようなものがある。まず、図１５に示すよう
に、所定のバイアス電流Ｉs をＭＲヘッドに流し、ＭＲ
ヘッド高さh と寿命の関係を予め調査しておき、所望年
数よりも長い寿命が得られるＭＲヘッドの高さを有する
ＭＲヘッドだけを使用する方法が採用されている。
他に次のようなものがある。まず、図１５に示すよう
に、所定のバイアス電流Ｉs をＭＲヘッドに流し、ＭＲ
ヘッド高さh と寿命の関係を予め調査しておき、所望年
数よりも長い寿命が得られるＭＲヘッドの高さを有する
ＭＲヘッドだけを使用する方法が採用されている。
【０００８】さらに、図１６に示すように、所定のバイ
アス電流Ｉs をＭＲヘッドに流し、ＭＲヘッドの高さｈ
と出力電圧波形の振幅Ｖiso を予め調査しておき、所望
の値よりも大きな振幅が得られるＭＲヘッド高さｈを有
するＭＲヘッドだけを使用する方法も採用されている。
アス電流Ｉs をＭＲヘッドに流し、ＭＲヘッドの高さｈ
と出力電圧波形の振幅Ｖiso を予め調査しておき、所望
の値よりも大きな振幅が得られるＭＲヘッド高さｈを有
するＭＲヘッドだけを使用する方法も採用されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】それらの方法によって
バイアス電流Ｉs を決めると、抵抗値の小さなＭＲヘッ
ドにも小さな電流を流すことになるので高い出力が得ら
れなくなる。しかも、このような方法によれば、抵抗値
の上限を決めることが必要になるので、その抵抗よりも
大きな抵抗を有するＭＲヘッドは使用できずに、無駄が
生じることになる。
バイアス電流Ｉs を決めると、抵抗値の小さなＭＲヘッ
ドにも小さな電流を流すことになるので高い出力が得ら
れなくなる。しかも、このような方法によれば、抵抗値
の上限を決めることが必要になるので、その抵抗よりも
大きな抵抗を有するＭＲヘッドは使用できずに、無駄が
生じることになる。
【００１０】本発明の目的は、磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドのバイアス電流を最適値に設定するとともに、ＭＲヘ
ッドの使用効率を高めることができる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法、及
びその方法によって調整された磁気ヘッドを備えた磁気
記憶装置を提供することを目的とする。
ドのバイアス電流を最適値に設定するとともに、ＭＲヘ
ッドの使用効率を高めることができる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法、及
びその方法によって調整された磁気ヘッドを備えた磁気
記憶装置を提供することを目的とする。
【００１１】
（手段）上記した課題は、図６に例示するように、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドに調査用電流を流し、前記磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの端子にかかる電圧を測定し、前記
調査用電流と前記電圧に基づいて前記磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの抵抗を演算し、予め調査された寿命と前記抵
抗の関係から前記磁気抵抗効果型ヘッドに流す磁気抵抗
効果バイアス電流の大きさの許容範囲を求め、前記許容
範囲内で最適バイアス電流を決定することを特徴とする
磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整方法に
よって解決する。
抵抗効果型磁気ヘッドに調査用電流を流し、前記磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの端子にかかる電圧を測定し、前記
調査用電流と前記電圧に基づいて前記磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの抵抗を演算し、予め調査された寿命と前記抵
抗の関係から前記磁気抵抗効果型ヘッドに流す磁気抵抗
効果バイアス電流の大きさの許容範囲を求め、前記許容
範囲内で最適バイアス電流を決定することを特徴とする
磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整方法に
よって解決する。
【００１２】上記した磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイ
アス電流の調整方法において、前記最適バイアス電流
は、前記磁気抵抗効果バイアス電流の前記許容範囲内に
おいて最もスライスレベルマージンが最大になる値に設
定されることを特徴とする。上記した磁気抵抗効果型磁
気ヘッドのバイアス電流の調整方法において、前記最適
バイアス電流のデータを記憶手段に格納するステップを
有することを特徴とする。この場合、前記最適バイアス
電流の前記データは、前記記憶手段を構成する磁気ディ
スクに格納されることを特徴とする。また、前記最適バ
イアス電流の前記データは、前記記憶手段を構成する半
導体記憶デバイスに格納されることを特徴とする。
アス電流の調整方法において、前記最適バイアス電流
は、前記磁気抵抗効果バイアス電流の前記許容範囲内に
おいて最もスライスレベルマージンが最大になる値に設
定されることを特徴とする。上記した磁気抵抗効果型磁
気ヘッドのバイアス電流の調整方法において、前記最適
バイアス電流のデータを記憶手段に格納するステップを
有することを特徴とする。この場合、前記最適バイアス
電流の前記データは、前記記憶手段を構成する磁気ディ
スクに格納されることを特徴とする。また、前記最適バ
イアス電流の前記データは、前記記憶手段を構成する半
導体記憶デバイスに格納されることを特徴とする。
【００１３】上記した課題は、図５に例示するように、
上記した磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調
整方法によって決定された最適バイアス電流を出力する
バイアス電流供給手段２１ｂと、前記バイアス供給手段
から前記最適バイアス電流が供給される磁気抵抗効果型
磁気ヘッド１０と、 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１
０に対向する磁気記憶媒体８とを有することを特徴とす
る磁気記憶装置によって解決する。
上記した磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調
整方法によって決定された最適バイアス電流を出力する
バイアス電流供給手段２１ｂと、前記バイアス供給手段
から前記最適バイアス電流が供給される磁気抵抗効果型
磁気ヘッド１０と、 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１
０に対向する磁気記憶媒体８とを有することを特徴とす
る磁気記憶装置によって解決する。
【００１４】上記した課題は、図５に例示するように、
磁気抵抗効果型磁気ヘッド１０へのバイアス電流の供給
を制御する電流制御手段２１ｂと、前記バイアス電流が
供給されている前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１０の両
端にかかる電圧を検出する電圧検出手段２１ｃと、前記
電圧検出手段２１ｃから出力された前記電圧のデータと
前記電流制御手段２１ｂから供給された前記バイアス電
流のデータに基づいて前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１
０の抵抗を求める抵抗値演算手段５０ａと、前記磁気抵
抗効果型磁気ヘッド１０の抵抗値と前記バイアス電流の
値と寿命の関係を示す寿命データを記憶する寿命データ
記憶手段５０ｂと、前記抵抗値演算手段によって求めた
前記抵抗の値と前記寿命データとに基づいて前記バイア
ス電流の大きさの許容範囲を求めるバイアス電流許容範
囲設定手段５０ｃと、前記バイアス電流の大きさの前記
許容範囲内で最適バイアス電流を決定する最適バイアス
電流設定手段５０ｅと、前記最適バイアス電流設定手段
により決定された前記最適バイアス電流のデータを格納
する記憶手段８とを有することを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置によって解決
する。
磁気抵抗効果型磁気ヘッド１０へのバイアス電流の供給
を制御する電流制御手段２１ｂと、前記バイアス電流が
供給されている前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１０の両
端にかかる電圧を検出する電圧検出手段２１ｃと、前記
電圧検出手段２１ｃから出力された前記電圧のデータと
前記電流制御手段２１ｂから供給された前記バイアス電
流のデータに基づいて前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１
０の抵抗を求める抵抗値演算手段５０ａと、前記磁気抵
抗効果型磁気ヘッド１０の抵抗値と前記バイアス電流の
値と寿命の関係を示す寿命データを記憶する寿命データ
記憶手段５０ｂと、前記抵抗値演算手段によって求めた
前記抵抗の値と前記寿命データとに基づいて前記バイア
ス電流の大きさの許容範囲を求めるバイアス電流許容範
囲設定手段５０ｃと、前記バイアス電流の大きさの前記
許容範囲内で最適バイアス電流を決定する最適バイアス
電流設定手段５０ｅと、前記最適バイアス電流設定手段
により決定された前記最適バイアス電流のデータを格納
する記憶手段８とを有することを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置によって解決
する。
【００１５】上記した磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイ
アス電流の調整装置において、磁気記録媒体のトラック
幅に対するスライスレベルマージンを求めるスライスレ
ベルマージン測定手段５０を有し、前記最適バイアス電
流設定手段５０は、前記バイアス電流の前記許容範囲内
において前記スライスレベルマージンが最大になる値を
求めて前記最適バイアス電流を決定することを特徴とす
る。
アス電流の調整装置において、磁気記録媒体のトラック
幅に対するスライスレベルマージンを求めるスライスレ
ベルマージン測定手段５０を有し、前記最適バイアス電
流設定手段５０は、前記バイアス電流の前記許容範囲内
において前記スライスレベルマージンが最大になる値を
求めて前記最適バイアス電流を決定することを特徴とす
る。
【００１６】（作用）次に、本発明の作用について説明
する。本発明によれば、ＭＲヘッドの抵抗値と寿命との
関係からバイアス電流の大きさを許容する範囲を求め、
その範囲内で最適バイアス電流を設定するようにしたの
で、抵抗の小さなＭＲヘッドの出力が大きくなる。
する。本発明によれば、ＭＲヘッドの抵抗値と寿命との
関係からバイアス電流の大きさを許容する範囲を求め、
その範囲内で最適バイアス電流を設定するようにしたの
で、抵抗の小さなＭＲヘッドの出力が大きくなる。
【００１７】また、その範囲内でスライスレベルマージ
ンが最大になるバイアス電流を最適バイアス電流に設定
とすると、ＭＲヘッドの能力を十分に活用することがで
き、マイグレーションによる劣化が防止される。しか
も、従来のように全てのＭＲヘッドに同じバイアス電流
を流す場合には、抵抗が高すぎるとして磁気ディスク装
置に組み込まれなかったＭＲヘッドにも最適なバイアス
電流を流すことになるので、ＭＲヘッドの無駄をなくす
ことができる。
ンが最大になるバイアス電流を最適バイアス電流に設定
とすると、ＭＲヘッドの能力を十分に活用することがで
き、マイグレーションによる劣化が防止される。しか
も、従来のように全てのＭＲヘッドに同じバイアス電流
を流す場合には、抵抗が高すぎるとして磁気ディスク装
置に組み込まれなかったＭＲヘッドにも最適なバイアス
電流を流すことになるので、ＭＲヘッドの無駄をなくす
ことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。まず、本発明の磁気ディス
ク装置の内部構造を説明する。図１は、その内部構造の
平面図、図２は図１のＩ−Ｉ線断面図である。図１及び
図２において、磁気ディスク装置１の筐体は、ベースプ
レート２とカバー３から構成されている。
を図面に基づいて説明する。まず、本発明の磁気ディス
ク装置の内部構造を説明する。図１は、その内部構造の
平面図、図２は図１のＩ−Ｉ線断面図である。図１及び
図２において、磁気ディスク装置１の筐体は、ベースプ
レート２とカバー３から構成されている。
【００１９】ベースプレート２内において、１つのコー
ナー寄りの領域にはアクチュエータ４が横方向に回動自
在となるように軸４ａで支えられている。アクチュエー
タ３の軸３ａよりも後方の部分にはボイスコイルモータ
（以下、ＶＣＭという）５が取り付けられる一方、その
前方部にはアーム６が取付けられている。また、ベース
プレート１のほぼ中央領域にはスピンドルモータ（以
下、ＳＰＭという）７が取付けられている。そのスピン
ドルモータ７の回転軸には、複数の円板状の磁気記録媒
体（以下、磁気ディスクという）８の中央孔が貫通さ
れ、しかもそれらの磁気ディスク８は厚さ方向に間隔を
おいて固定されている。
ナー寄りの領域にはアクチュエータ４が横方向に回動自
在となるように軸４ａで支えられている。アクチュエー
タ３の軸３ａよりも後方の部分にはボイスコイルモータ
（以下、ＶＣＭという）５が取り付けられる一方、その
前方部にはアーム６が取付けられている。また、ベース
プレート１のほぼ中央領域にはスピンドルモータ（以
下、ＳＰＭという）７が取付けられている。そのスピン
ドルモータ７の回転軸には、複数の円板状の磁気記録媒
体（以下、磁気ディスクという）８の中央孔が貫通さ
れ、しかもそれらの磁気ディスク８は厚さ方向に間隔を
おいて固定されている。
【００２０】磁気ディスク８の枚数をｎ枚（ｎは自然
数）とすると、データ面は２ｎ面となるので、各データ
面毎に対向するアーム６はアクチュエータ４に２ｎ個取
付けられる。それぞれのアーム６の先端近傍には、図３
(a) に示すように、再生用ヘッドとしてＭＲヘッド１
０、記録用ヘッドとして誘導型ヘッド１１を有するスラ
イダ９が装着されている。
数）とすると、データ面は２ｎ面となるので、各データ
面毎に対向するアーム６はアクチュエータ４に２ｎ個取
付けられる。それぞれのアーム６の先端近傍には、図３
(a) に示すように、再生用ヘッドとしてＭＲヘッド１
０、記録用ヘッドとして誘導型ヘッド１１を有するスラ
イダ９が装着されている。
【００２１】ＭＲヘッド１０は、図３(b) に示すよう
に、例えばNiFeRh又はNiFeCrよりなるＳＡＬ層１０ａ、
Cuよりなる非磁性層１０ｂ、NiFeよりなる磁気抵抗効果
層１０ｃを有しており、その両側にはCoCrPtなどの硬質
磁性材又はFeMnなどの反強磁性材からなる磁区御御磁性
層１０ｄが接続されている。磁気抵抗効果層１０ｃの磁
化容易磁区は、磁区制御磁性層１０ｄによってセンス電
流Ｊの流れる方向になるように制御されている。さら
に、ＳＡＬ層１０ａから磁気抵抗効果層１０ｃは長方形
に形成され、その磁区制御磁性層１０ｄの上には金より
なる一対のリード１０ｅが接続されている。
に、例えばNiFeRh又はNiFeCrよりなるＳＡＬ層１０ａ、
Cuよりなる非磁性層１０ｂ、NiFeよりなる磁気抵抗効果
層１０ｃを有しており、その両側にはCoCrPtなどの硬質
磁性材又はFeMnなどの反強磁性材からなる磁区御御磁性
層１０ｄが接続されている。磁気抵抗効果層１０ｃの磁
化容易磁区は、磁区制御磁性層１０ｄによってセンス電
流Ｊの流れる方向になるように制御されている。さら
に、ＳＡＬ層１０ａから磁気抵抗効果層１０ｃは長方形
に形成され、その磁区制御磁性層１０ｄの上には金より
なる一対のリード１０ｅが接続されている。
【００２２】そのＳＡＬ層１０ａでは、一対のリード１
０ｅ間のセンス電流Ｊにより生じる磁界によって磁化Ｍ
1 の方向が制御されてセンス電流Ｊに対し垂直となる。
さらに、ＳＡＬ層１０ａの磁化Ｍ1 から生じるバイアス
磁界Ｈb によって磁気抵抗効果層１０ｃの磁化Ｍ2 は磁
化容易軸から角度θで傾くことになる。これにより、磁
気抵抗効果層１０ｃの抵抗が信号磁界Ｈsig に対して線
形に変化することになる。
０ｅ間のセンス電流Ｊにより生じる磁界によって磁化Ｍ
1 の方向が制御されてセンス電流Ｊに対し垂直となる。
さらに、ＳＡＬ層１０ａの磁化Ｍ1 から生じるバイアス
磁界Ｈb によって磁気抵抗効果層１０ｃの磁化Ｍ2 は磁
化容易軸から角度θで傾くことになる。これにより、磁
気抵抗効果層１０ｃの抵抗が信号磁界Ｈsig に対して線
形に変化することになる。
【００２３】ＳＡＬ層１０ａからリード１０ｅまでは、
第１及び第２の非磁性絶縁層１０ｆ，１０ｇによって挟
まれ、さらに第１及び第２の非磁性制御層１０ｆ，１０
ｇは第１及び第２の磁気シールド層１２，１３によって
挟まれている。磁気抵抗効果層１０ｃは、図４に示すよ
うな抵抗率・磁界特性曲線を有しているが、バイアス磁
界を与えることによって信号磁界Ｈsig に対する抵抗変
化の線形性が得られる。なお、バイアス磁界Ｈa はＳＡ
Ｌ層１０ａの磁化Ｍ1 から生じる磁界であるので、セン
ス電流Ｊの大きさによって変化する。
第１及び第２の非磁性絶縁層１０ｆ，１０ｇによって挟
まれ、さらに第１及び第２の非磁性制御層１０ｆ，１０
ｇは第１及び第２の磁気シールド層１２，１３によって
挟まれている。磁気抵抗効果層１０ｃは、図４に示すよ
うな抵抗率・磁界特性曲線を有しているが、バイアス磁
界を与えることによって信号磁界Ｈsig に対する抵抗変
化の線形性が得られる。なお、バイアス磁界Ｈa はＳＡ
Ｌ層１０ａの磁化Ｍ1 から生じる磁界であるので、セン
ス電流Ｊの大きさによって変化する。
【００２４】一方、誘導型ヘッド１１は、第２の磁気シ
ールド層１３と第３の磁気シールド層１４の間に形成さ
れた絶縁層１１ａと、その絶縁層１１ａ内を通る誘導コ
イル１１ｂとを有している。また、第３の磁気シールド
層１４の先端は細くなって記録用の磁界を発生させるコ
アとなり、第２の磁気シールド層１３との間には記録用
ギャップが形成されている。
ールド層１３と第３の磁気シールド層１４の間に形成さ
れた絶縁層１１ａと、その絶縁層１１ａ内を通る誘導コ
イル１１ｂとを有している。また、第３の磁気シールド
層１４の先端は細くなって記録用の磁界を発生させるコ
アとなり、第２の磁気シールド層１３との間には記録用
ギャップが形成されている。
【００２５】このように、ＭＲヘッド１０、誘導型ヘッ
ド１１及びアーム６が取付けられているアクチュエータ
４の隣の領域には、ヘッド半導体集積回路（以下、ヘッ
ドＩＣという）２１を搭載したフレキシブルプリント回
路基板（以下、ＦＰＣ基板という）２０が取付けられて
いる。このＦＰＣ基板２０からは、フレキシブルバンド
２２がアクチュエータ４の側部に引き出されている。フ
レキシブルバンド２２上に形成された配線パターン（不
図示）は、ＭＲヘッド１０のリード１０ｅや誘導型ヘッ
ド１１の誘導コイル１１ｂから引き出された配線に接続
され、これにより、ヘッドＩＣ２１と再生用ヘッド１０
は電気的に接続され、さらに、ヘッドＩＣ２１は誘導型
ヘッド１１に電気的に接続されている。ヘッドＩＣ２１
は、リード、ライト、サーボ情報を読み取ったり、ヘッ
ド選択などをおこなう回路構成となっている。
ド１１及びアーム６が取付けられているアクチュエータ
４の隣の領域には、ヘッド半導体集積回路（以下、ヘッ
ドＩＣという）２１を搭載したフレキシブルプリント回
路基板（以下、ＦＰＣ基板という）２０が取付けられて
いる。このＦＰＣ基板２０からは、フレキシブルバンド
２２がアクチュエータ４の側部に引き出されている。フ
レキシブルバンド２２上に形成された配線パターン（不
図示）は、ＭＲヘッド１０のリード１０ｅや誘導型ヘッ
ド１１の誘導コイル１１ｂから引き出された配線に接続
され、これにより、ヘッドＩＣ２１と再生用ヘッド１０
は電気的に接続され、さらに、ヘッドＩＣ２１は誘導型
ヘッド１１に電気的に接続されている。ヘッドＩＣ２１
は、リード、ライト、サーボ情報を読み取ったり、ヘッ
ド選択などをおこなう回路構成となっている。
【００２６】また、磁気ディスク８の近傍には防塵用フ
ィルタ２３が取り付けられており、磁気ディスク８の回
転に伴って筐体内を流れる空気中のゴミを吸着するよう
になっている。このような磁気ディスク装置１のベース
プレート２の下側には、図５に示すようなコントロール
ユニット３１を有するプリント基板３０が取付けられて
いる。そのコントロールユニット３１は、ヘッドＩＣ２
１、ＶＣＭ５、ＳＰＭ７に接続されている。
ィルタ２３が取り付けられており、磁気ディスク８の回
転に伴って筐体内を流れる空気中のゴミを吸着するよう
になっている。このような磁気ディスク装置１のベース
プレート２の下側には、図５に示すようなコントロール
ユニット３１を有するプリント基板３０が取付けられて
いる。そのコントロールユニット３１は、ヘッドＩＣ２
１、ＶＣＭ５、ＳＰＭ７に接続されている。
【００２７】コントロールユニット３１は、インターフ
ェース（Ｉ／Ｆ）３２、ハードディスクコントローラ
（以下、ＨＤＣという）３３、バッファメモリ３４、リ
ードチャネル（ＲＤＣ）３５、ＭＣＵ（Micro Controll
er Unit)３６、発振回路３７、プログラムメモリ３８、
サーボコントローラ３９などを有している。バッファメ
モリ３４は、ＤＲＡＭのような半導体記憶デバイスから
構成されている。
ェース（Ｉ／Ｆ）３２、ハードディスクコントローラ
（以下、ＨＤＣという）３３、バッファメモリ３４、リ
ードチャネル（ＲＤＣ）３５、ＭＣＵ（Micro Controll
er Unit)３６、発振回路３７、プログラムメモリ３８、
サーボコントローラ３９などを有している。バッファメ
モリ３４は、ＤＲＡＭのような半導体記憶デバイスから
構成されている。
【００２８】ハードディスクコントローラ３３は、磁気
ディスク装置１の外部にあるホストシステム５０との間
でインターフェース３２を介して入出力に必要な各種の
コマンドやデータの転送を行う。また、ハードディスク
コントローラ３３は、データを格納するための書換え可
能なバッファメモリ（ＲＡＭ）３４に接続され、さら
に、データバスＤＢを介してＭＣＵ３６に接続されてい
る。
ディスク装置１の外部にあるホストシステム５０との間
でインターフェース３２を介して入出力に必要な各種の
コマンドやデータの転送を行う。また、ハードディスク
コントローラ３３は、データを格納するための書換え可
能なバッファメモリ（ＲＡＭ）３４に接続され、さら
に、データバスＤＢを介してＭＣＵ３６に接続されてい
る。
【００２９】ＭＣＵ３６は、ＭＰＵ（Micro Processer
Unit) ３６ａ、デジタルアナログコンバータ回路（以下
ＤＡＣ回路という）３６ｂ、アナログデジタルコンバー
タ回路（以下、ＡＤＣという）３６ｃ、ＲＡＭ（不図
示）、ＲＯＭ（不図示）などを有している。このＭＣＵ
３６は、発振回路３７や論理回路４０からのクロックを
入力するとともに、ショックセンサー半導体集積回路４
１からの信号を入力するように構成されている。
Unit) ３６ａ、デジタルアナログコンバータ回路（以下
ＤＡＣ回路という）３６ｂ、アナログデジタルコンバー
タ回路（以下、ＡＤＣという）３６ｃ、ＲＡＭ（不図
示）、ＲＯＭ（不図示）などを有している。このＭＣＵ
３６は、発振回路３７や論理回路４０からのクロックを
入力するとともに、ショックセンサー半導体集積回路４
１からの信号を入力するように構成されている。
【００３０】ＤＡＣ回路３６ｂは、ＭＰＵ３６ａを介し
てＨＤＣ３３から入力したデジタルのセンス電流設定デ
ータをアナログ電圧に変換し、そのアナログ電圧をヘッ
ドＩＣ２１内のＭＲバイアス電流制御回路２１ａに出力
する。ＭＲバイアス電流制御回路２１ａは、ＤＡＣ回路
３６ｂからのアナログ電圧に比例した大きさのＭＲバイ
アス電流ＪをＭＲヘッド１０に供給する。
てＨＤＣ３３から入力したデジタルのセンス電流設定デ
ータをアナログ電圧に変換し、そのアナログ電圧をヘッ
ドＩＣ２１内のＭＲバイアス電流制御回路２１ａに出力
する。ＭＲバイアス電流制御回路２１ａは、ＤＡＣ回路
３６ｂからのアナログ電圧に比例した大きさのＭＲバイ
アス電流ＪをＭＲヘッド１０に供給する。
【００３１】また、ＡＤＣ回路３６ｃは、ヘッドＩＣ２
１内のＭＲバイアス電圧検出回路２１ｃから出力された
ＭＲヘッド電圧信号の大きさをアナログからデジタルに
変換するものである。そして、ＡＤＣ回路３６ｃから出
力されたデジタルのＭＲヘッド電圧信号は、データバス
ＢＳ、ＨＤＣ３３、インターフェース３２を介してホス
トシステム５０に入力される。
１内のＭＲバイアス電圧検出回路２１ｃから出力された
ＭＲヘッド電圧信号の大きさをアナログからデジタルに
変換するものである。そして、ＡＤＣ回路３６ｃから出
力されたデジタルのＭＲヘッド電圧信号は、データバス
ＢＳ、ＨＤＣ３３、インターフェース３２を介してホス
トシステム５０に入力される。
【００３２】上記した論理回路４０は、発振回路３７か
らの第１のクロックに基づいて各種のコントロールに必
要な第２のクロックを発生する回路で、この第２のクロ
ックはＨＤＣ３３にも出力されている。また、ショック
サンサ半導体集積回路４１は、衝撃を受けたショックセ
ンサ４２からの衝撃検出信号が所定の値を越えた時点で
その衝撃検出信号をＭＰＵ３６ａに出力するものであ
る。衝撃検出信号を受けたＭＰＵ３６ａは、リードチャ
ネル３５が書込み動作中であればこの書込み動作を強制
終了させる信号をリードチャネル３５に出力する。
らの第１のクロックに基づいて各種のコントロールに必
要な第２のクロックを発生する回路で、この第２のクロ
ックはＨＤＣ３３にも出力されている。また、ショック
サンサ半導体集積回路４１は、衝撃を受けたショックセ
ンサ４２からの衝撃検出信号が所定の値を越えた時点で
その衝撃検出信号をＭＰＵ３６ａに出力するものであ
る。衝撃検出信号を受けたＭＰＵ３６ａは、リードチャ
ネル３５が書込み動作中であればこの書込み動作を強制
終了させる信号をリードチャネル３５に出力する。
【００３３】リードチャネル３５は、ＨＤＣ３３からの
指令によりＭＲヘッド１０を１個、又は誘導型ヘッド１
１を１個だけ選択するためのヘッド選択回路３５ａと、
ＨＤＣ３３からの信号に基づいてヘッドＩＣ２１に記録
信号Ｓw を出力するデータ変調回路３５ｂと、ヘッドＩ
Ｃ２１から入力した再生信号Ｓr を復調するデータ復調
回路３５ｃを有している。
指令によりＭＲヘッド１０を１個、又は誘導型ヘッド１
１を１個だけ選択するためのヘッド選択回路３５ａと、
ＨＤＣ３３からの信号に基づいてヘッドＩＣ２１に記録
信号Ｓw を出力するデータ変調回路３５ｂと、ヘッドＩ
Ｃ２１から入力した再生信号Ｓr を復調するデータ復調
回路３５ｃを有している。
【００３４】データ復調回路３５ｃは、モディファイド
・リオバイナリとして知られた電圧レベル検出方式であ
るＰＲ４ＭＬ（Pertial Response Class 4 Maximum Lik
elyhood ）方式を採用している。一方、データ変調回路
３５ｂは、データ復調回路３５ｃのＰＲ４ＭＬ方式に対
応したデータの変調を行い、その変調した信号に基づい
て誘導型ヘッド１１に磁界を発生させ、これにより磁気
ディスク８のデータ面に磁気記録を行う。
・リオバイナリとして知られた電圧レベル検出方式であ
るＰＲ４ＭＬ（Pertial Response Class 4 Maximum Lik
elyhood ）方式を採用している。一方、データ変調回路
３５ｂは、データ復調回路３５ｃのＰＲ４ＭＬ方式に対
応したデータの変調を行い、その変調した信号に基づい
て誘導型ヘッド１１に磁界を発生させ、これにより磁気
ディスク８のデータ面に磁気記録を行う。
【００３５】なお、データ復調回路３５ｃ及びデータ変
調回路３５ｂは電圧レベル検出のためにＰＲ４ＭＬ方式
を採用しているが、従来の出力波形ピーク検出方式を使
用してもよい。ヘッドＩＣ２１内のヘッド切換回路２１
ａは、ヘッド選択回路３５ａの指令信号に基づいて選択
した１つのＭＲヘッド１０又は誘導型ヘッド１１から１
つを選択する。しかもヘッドＩＣ２１は選択したＭＲヘ
ッド１０をＭＲバイアス電流制御回路２１ｂの出力側や
データ復調回路３５ｃの入力側に接続したり、或いは選
択した誘導型ヘッド１１をデータ変調回路３５ｂの入力
側に接続する。
調回路３５ｂは電圧レベル検出のためにＰＲ４ＭＬ方式
を採用しているが、従来の出力波形ピーク検出方式を使
用してもよい。ヘッドＩＣ２１内のヘッド切換回路２１
ａは、ヘッド選択回路３５ａの指令信号に基づいて選択
した１つのＭＲヘッド１０又は誘導型ヘッド１１から１
つを選択する。しかもヘッドＩＣ２１は選択したＭＲヘ
ッド１０をＭＲバイアス電流制御回路２１ｂの出力側や
データ復調回路３５ｃの入力側に接続したり、或いは選
択した誘導型ヘッド１１をデータ変調回路３５ｂの入力
側に接続する。
【００３６】ヘッドＩＣ２１は、上記した磁気ヘッド切
換回路３５ａ、データ変調回路３５ｂなどの他にサーボ
情報を読み取る回路などを有している。プログラムメモ
リ３８には、磁気ディスク装置１の電源投入立ち上げ時
に使用する立ち上げプログラム（ブートプログラム）が
格納されている。このブートプログラムには、立ち上げ
時に全てのＭＲヘッド１０にデフォルトのバイアス電流
を流すためのデータを有している。プログラムメモリ３
８は、データバスＤＢを介してＨＤＣ３３、ＭＣＵ３６
との間でデータを送受するようになっている。
換回路３５ａ、データ変調回路３５ｂなどの他にサーボ
情報を読み取る回路などを有している。プログラムメモ
リ３８には、磁気ディスク装置１の電源投入立ち上げ時
に使用する立ち上げプログラム（ブートプログラム）が
格納されている。このブートプログラムには、立ち上げ
時に全てのＭＲヘッド１０にデフォルトのバイアス電流
を流すためのデータを有している。プログラムメモリ３
８は、データバスＤＢを介してＨＤＣ３３、ＭＣＵ３６
との間でデータを送受するようになっている。
【００３７】ブートプログラムによる磁気ディスク８の
立ち上げの動作は、磁気ディスク８に記録された制御プ
ログラムデータをＭＲヘッド１０により再生してバッフ
ァメモリ３４に格納する動作を含んでいる。この制御プ
ログラムには、ＭＲヘッド１０毎の最適バイアス電流デ
ータが記録されているので、磁気ディスク装置１の立ち
上げ動作を終えた後には、その電流データに基づいてＭ
Ｒヘッド１０の個々に最適バイアス電流が流されること
になる。
立ち上げの動作は、磁気ディスク８に記録された制御プ
ログラムデータをＭＲヘッド１０により再生してバッフ
ァメモリ３４に格納する動作を含んでいる。この制御プ
ログラムには、ＭＲヘッド１０毎の最適バイアス電流デ
ータが記録されているので、磁気ディスク装置１の立ち
上げ動作を終えた後には、その電流データに基づいてＭ
Ｒヘッド１０の個々に最適バイアス電流が流されること
になる。
【００３８】なお、上記したＶＣＭ５の動作とＳＰＭ８
の回転は、サーボコントローラ３９を介してＭＣＵ３６
からの信号によって制御される。以上のような構成に加
えて、本発明の磁気ディスク装置にあってはヘッドＩＣ
内に、ＭＲバイアス電圧検出回路２１ｃを有している。
ＭＲバイアス電圧検出回路２１ｃは、所定のバイアス電
流が供給されているＭＲヘッド１０の一対のリード１０
ｅ間にかかる電圧を検出する回路で、その検出された電
圧のデータはＡＤＣ回路３６ｃによってデジタル信号に
変化された後に、データバスＤＢ、ＨＤＣ３３、インタ
ーフェース３２を通してホストシステム５０へ出力され
る。
の回転は、サーボコントローラ３９を介してＭＣＵ３６
からの信号によって制御される。以上のような構成に加
えて、本発明の磁気ディスク装置にあってはヘッドＩＣ
内に、ＭＲバイアス電圧検出回路２１ｃを有している。
ＭＲバイアス電圧検出回路２１ｃは、所定のバイアス電
流が供給されているＭＲヘッド１０の一対のリード１０
ｅ間にかかる電圧を検出する回路で、その検出された電
圧のデータはＡＤＣ回路３６ｃによってデジタル信号に
変化された後に、データバスＤＢ、ＨＤＣ３３、インタ
ーフェース３２を通してホストシステム５０へ出力され
る。
【００３９】上記した構成を有する磁気ディスク装置内
において、ＭＲヘッド毎に最適なバイアス電流を設定す
るための方法を図６に示すフローチャートに沿って説明
する。そのバイアス電流の最適値の決定は、磁気ディス
ク装置製造過程におけるドライブパラメータ設定工程で
行われる。
において、ＭＲヘッド毎に最適なバイアス電流を設定す
るための方法を図６に示すフローチャートに沿って説明
する。そのバイアス電流の最適値の決定は、磁気ディス
ク装置製造過程におけるドライブパラメータ設定工程で
行われる。
【００４０】まず、図７に示すように、磁気ディスク装
置を製造する工場内のホストシステム５０から、インタ
ーフェース３２を通して、抵抗測定用のバイアス電流Ｊ
1 をＭＲヘッド１０に流すようにＨＤＣ３３へ指示す
る。その指示信号を受けたＨＤＣ３３は、ＤＡＣ３６ｃ
を介して抵抗測定用電流供給指令信号をＭＲバイアス電
流制御回路２１ｂへ出力する。その抵抗測定用電流供給
指令信号を受けたＭＲバイアス電流制御回路２１ｂは、
プログラムに従った順に個々のＭＲヘッド１０にバイア
ス電流Ｊ1 を流す。ＭＲヘッド１０の選択はヘッド選択
回路３５ａ、ヘッド切換回路２１ａによって行われる。
置を製造する工場内のホストシステム５０から、インタ
ーフェース３２を通して、抵抗測定用のバイアス電流Ｊ
1 をＭＲヘッド１０に流すようにＨＤＣ３３へ指示す
る。その指示信号を受けたＨＤＣ３３は、ＤＡＣ３６ｃ
を介して抵抗測定用電流供給指令信号をＭＲバイアス電
流制御回路２１ｂへ出力する。その抵抗測定用電流供給
指令信号を受けたＭＲバイアス電流制御回路２１ｂは、
プログラムに従った順に個々のＭＲヘッド１０にバイア
ス電流Ｊ1 を流す。ＭＲヘッド１０の選択はヘッド選択
回路３５ａ、ヘッド切換回路２１ａによって行われる。
【００４１】これにより、バイアス電流Ｊ1 が流されて
いるＭＲヘッド１０の両端には、ＭＲヘッド抵抗とバイ
アス電流値Ｊ1 を積算した値の電圧Ｖ1 がかかる。その
電圧Ｖ1 は抵抗測定用電圧Ｖ1 としてＭＲバイアス電圧
検出回路２１ｃにより検出されてＡＤＣ３６ｃ、データ
バスＤＢ及びＨＤＣ３３を通してバッファメモリ３４へ
出力される。抵抗測定用電圧Ｖ1 は、検出対象となった
ＭＲヘッド１０と関連付けられてバッファメモリ３４に
格納される。ホストシステム５０では、バッファメモリ
３４に格納されたＭＲヘッド１０の個々の抵抗測定用電
圧Ｖ1 のデータを、ＨＤＣ３３、インターフェース３２
を介して取り入れる。なおＶ1 は、基準電圧（例えば接
地電圧）Ｖｇに対する電位差を示している。
いるＭＲヘッド１０の両端には、ＭＲヘッド抵抗とバイ
アス電流値Ｊ1 を積算した値の電圧Ｖ1 がかかる。その
電圧Ｖ1 は抵抗測定用電圧Ｖ1 としてＭＲバイアス電圧
検出回路２１ｃにより検出されてＡＤＣ３６ｃ、データ
バスＤＢ及びＨＤＣ３３を通してバッファメモリ３４へ
出力される。抵抗測定用電圧Ｖ1 は、検出対象となった
ＭＲヘッド１０と関連付けられてバッファメモリ３４に
格納される。ホストシステム５０では、バッファメモリ
３４に格納されたＭＲヘッド１０の個々の抵抗測定用電
圧Ｖ1 のデータを、ＨＤＣ３３、インターフェース３２
を介して取り入れる。なおＶ1 は、基準電圧（例えば接
地電圧）Ｖｇに対する電位差を示している。
【００４２】さらに、ホストシステム５０の抵抗測定演
算回路５０ａでは、図８に示すように、抵抗測定用電圧
Ｖ1 と抵抗測定用のバイアス電流Ｊ1 のデータに基づい
てオームの法則によりＭＲヘッド１０毎に抵抗Ｒ1 を算
出する。図３(a) に示したＭＲヘッド１０のリード１０
ｅ間のコア幅Ｗは殆ど均一であり、しかも、ＭＲヘッド
１０における一対のリード１０ｅ間のセンス領域Ｗの各
層の抵抗値とセンス領域Ｗの各層の高さ（ＭＲ高さ）ｈ
は反比例関係にあるので、ホストシステム５０により算
出された抵抗値によりＭＲヘッド１０の個々のＭＲ高さ
ｈが求められる。なお、図３(a),(b) に示すＳＡＬ層１
０ａから磁気抵抗効果層１０ｃまでの各層の単位面積当
たりの抵抗率は、それらの材料と膜厚によって決まる。
算回路５０ａでは、図８に示すように、抵抗測定用電圧
Ｖ1 と抵抗測定用のバイアス電流Ｊ1 のデータに基づい
てオームの法則によりＭＲヘッド１０毎に抵抗Ｒ1 を算
出する。図３(a) に示したＭＲヘッド１０のリード１０
ｅ間のコア幅Ｗは殆ど均一であり、しかも、ＭＲヘッド
１０における一対のリード１０ｅ間のセンス領域Ｗの各
層の抵抗値とセンス領域Ｗの各層の高さ（ＭＲ高さ）ｈ
は反比例関係にあるので、ホストシステム５０により算
出された抵抗値によりＭＲヘッド１０の個々のＭＲ高さ
ｈが求められる。なお、図３(a),(b) に示すＳＡＬ層１
０ａから磁気抵抗効果層１０ｃまでの各層の単位面積当
たりの抵抗率は、それらの材料と膜厚によって決まる。
【００４３】なお、ＭＲ抵抗ｒ0 は、次の式で求められ
る。ただし、ＤはＭＲヘッドのコア幅、ηは磁気抵抗効
果層などの比抵抗、ｈはＭＲヘッドの高さ、ｔは磁気抵
抗効果層などの膜厚、Ｂは定数である。 ｒ0 ＝（Ｄη／ｈｔ）＋Ｂ 次に、ホストシステム５０のバイアス電流許容範囲判別
回路５０ｃは、寿命データ記憶回路５０ｂに格納されて
いる寿命データと抵抗Ｒ1 との値に基づいて、バイアス
電流の調整可能な範囲をＭＲヘッド１０毎に算出する。
寿命曲線は、図９のようにＭＲヘッドの抵抗値とバイア
ス電流の関数で示され、図９の曲線のよりも小さな値、
即ち図９の斜線で示す領域がバイアス電流値の調整可能
な範囲である。
る。ただし、ＤはＭＲヘッドのコア幅、ηは磁気抵抗効
果層などの比抵抗、ｈはＭＲヘッドの高さ、ｔは磁気抵
抗効果層などの膜厚、Ｂは定数である。 ｒ0 ＝（Ｄη／ｈｔ）＋Ｂ 次に、ホストシステム５０のバイアス電流許容範囲判別
回路５０ｃは、寿命データ記憶回路５０ｂに格納されて
いる寿命データと抵抗Ｒ1 との値に基づいて、バイアス
電流の調整可能な範囲をＭＲヘッド１０毎に算出する。
寿命曲線は、図９のようにＭＲヘッドの抵抗値とバイア
ス電流の関数で示され、図９の曲線のよりも小さな値、
即ち図９の斜線で示す領域がバイアス電流値の調整可能
な範囲である。
【００４４】このようなバイアス電流の設定、抵抗測定
用電圧Ｖ1 の測定、抵抗Ｒ1 の演算及びＭＲヘッド高さ
ｈの演算といった一連の処理は、１つのＭＲヘッドにつ
いて行われた後に、別のＭＲヘッドについても同様に行
われる。なお、寿命曲線は予め測定しておいたデータに
基づいて描かれ、その算出の方法については後述する。
用電圧Ｖ1 の測定、抵抗Ｒ1 の演算及びＭＲヘッド高さ
ｈの演算といった一連の処理は、１つのＭＲヘッドにつ
いて行われた後に、別のＭＲヘッドについても同様に行
われる。なお、寿命曲線は予め測定しておいたデータに
基づいて描かれ、その算出の方法については後述する。
【００４５】全てのＭＲヘッド１０について抵抗値の演
算とＭＲバイアス電流値の選定を終えた後に、コアズレ
補正を行うためにＭＲヘッド１０をシークする。コアズ
レは、ＭＲヘッド１０の中心と誘導型ヘッド１１の中心
のトラック幅方向の相対的なずれである。その際、スラ
イスレベルマージン（オフセットマージンともいう）を
同時に測定する。スライスレベルマージンというのは、
磁気ディスク８の所定のトラックの中心から直径方向に
ＭＲヘッド１０をシークさせた場合に、磁気データとし
て再生が可能である出力電圧の振幅を示している。そし
て、ＭＲヘッド１０をシークして磁気ディスク８に書き
込まれた磁気データを読み出し、その出力電圧の変化、
即ち抵抗の変化を調べる。この場合、図３(b) に示した
ＭＲヘッド１０に流すバイアス電流Ｊの大小によってバ
イアス磁界Ｈb が変わるので、磁気抵抗効果層１０ｃの
磁化Ｍ1 の方向も変わる。バイアス磁界Ｈb が大きくな
ってゆくと、これにつれて図４に示したバイアス磁界Ｈ
b の線が右側にシフトすることになるので、外部磁界の
変化に対する抵抗率変化量も相違することになる。な
お、スライスレベルは、再生信号を３値に振り分けるた
めの閾値である。
算とＭＲバイアス電流値の選定を終えた後に、コアズレ
補正を行うためにＭＲヘッド１０をシークする。コアズ
レは、ＭＲヘッド１０の中心と誘導型ヘッド１１の中心
のトラック幅方向の相対的なずれである。その際、スラ
イスレベルマージン（オフセットマージンともいう）を
同時に測定する。スライスレベルマージンというのは、
磁気ディスク８の所定のトラックの中心から直径方向に
ＭＲヘッド１０をシークさせた場合に、磁気データとし
て再生が可能である出力電圧の振幅を示している。そし
て、ＭＲヘッド１０をシークして磁気ディスク８に書き
込まれた磁気データを読み出し、その出力電圧の変化、
即ち抵抗の変化を調べる。この場合、図３(b) に示した
ＭＲヘッド１０に流すバイアス電流Ｊの大小によってバ
イアス磁界Ｈb が変わるので、磁気抵抗効果層１０ｃの
磁化Ｍ1 の方向も変わる。バイアス磁界Ｈb が大きくな
ってゆくと、これにつれて図４に示したバイアス磁界Ｈ
b の線が右側にシフトすることになるので、外部磁界の
変化に対する抵抗率変化量も相違することになる。な
お、スライスレベルは、再生信号を３値に振り分けるた
めの閾値である。
【００４６】従って、ホストシステム５０のスライスレ
ベルマージン測定回路５０ｄによってスライスレベルマ
ージンが最も大きくなるバイアス電流Ｊを調査する。例
えば、ＭＲヘッド１０に流すバイアス電流を例えば６．
５mAから９．５mAの範囲で変え、各バイアス電流につい
てスライスレベルマージンを測定し、これによりスライ
スレベルマージンとバイアス電流の関係を示すと図１０
に示すようになる。図１０から明らかなように、スライ
スレベルマージンにはピークが存在する。これは、図４
に示したように、バイアス電流に依存するバイアス磁界
Ｈb の強さを零から増加させてゆくと、その増加の過程
で抵抗変化（出力）の波形の振幅にピークが存在するこ
とからも明らかである。そこで、図９から明らかになっ
たバイアス電流の調整可能範囲内で図１０のスライスレ
ベルマージンが最も大きくなるようなバイアス電流を選
択し、これを最適バイアス電流とする。例えば、図９で
ＭＲ抵抗値が７０Ωの場合に最適バイアス電流は図１０
から約８．５mAとなる。
ベルマージン測定回路５０ｄによってスライスレベルマ
ージンが最も大きくなるバイアス電流Ｊを調査する。例
えば、ＭＲヘッド１０に流すバイアス電流を例えば６．
５mAから９．５mAの範囲で変え、各バイアス電流につい
てスライスレベルマージンを測定し、これによりスライ
スレベルマージンとバイアス電流の関係を示すと図１０
に示すようになる。図１０から明らかなように、スライ
スレベルマージンにはピークが存在する。これは、図４
に示したように、バイアス電流に依存するバイアス磁界
Ｈb の強さを零から増加させてゆくと、その増加の過程
で抵抗変化（出力）の波形の振幅にピークが存在するこ
とからも明らかである。そこで、図９から明らかになっ
たバイアス電流の調整可能範囲内で図１０のスライスレ
ベルマージンが最も大きくなるようなバイアス電流を選
択し、これを最適バイアス電流とする。例えば、図９で
ＭＲ抵抗値が７０Ωの場合に最適バイアス電流は図１０
から約８．５mAとなる。
【００４７】各ＭＲヘッド１０毎に図９の斜線で示した
範囲でバイアス電流を変えて図１０のスライスレベルマ
ージンの曲線を描くのが好ましく、これによりバイアス
電流の測定点を多くするほど図１０のスライスレベルマ
ージンの曲線が正確に描けることになる。しかし、その
測定に時間がかかってしまう。そこで、各ＭＲヘッド１
０毎に、図９の二点鎖線で示すような３つの測定用の電
流曲線を予め設定しておき、その二点鎖線上にある３点
のバイアス電流を選んでスライスレベルマージンの測定
を行い、そのうちで最もスライスマージンが大きくなる
ようなバイアス電流を最適バイアス電流としてもよい。
範囲でバイアス電流を変えて図１０のスライスレベルマ
ージンの曲線を描くのが好ましく、これによりバイアス
電流の測定点を多くするほど図１０のスライスレベルマ
ージンの曲線が正確に描けることになる。しかし、その
測定に時間がかかってしまう。そこで、各ＭＲヘッド１
０毎に、図９の二点鎖線で示すような３つの測定用の電
流曲線を予め設定しておき、その二点鎖線上にある３点
のバイアス電流を選んでスライスレベルマージンの測定
を行い、そのうちで最もスライスマージンが大きくなる
ようなバイアス電流を最適バイアス電流としてもよい。
【００４８】このようなスライスレベルマージンの測定
は、ホストシステム５０の指令によって行われる。そし
て、ホストシステム５０の最適バイアス判定手段５０ｅ
は、予め格納された寿命曲線から求めたバイアス電流の
許容範囲内で最もスライスレベルマージンが大きくなる
値を最適バイアス電流として決定する。最適バイアス電
流の値の調査は、全てのＭＲヘッド１０について行わ
れ、その最適バイアス電流のデータは、図１１(a) に示
すように、ホストシステム５０からインターフェース３
２、ＨＤＣ３３、データ変調回路３５ｂに出力され、そ
して誘導型ヘッド１１によって磁界に変換されて磁気デ
ィスク８のデータ領域に書き込まれる。あるいは、その
データは、半導体記憶デバイスよりなるブログラムメモ
リ３８或いはＭＣＵ３６のＲＯＭに格納してもよい。
は、ホストシステム５０の指令によって行われる。そし
て、ホストシステム５０の最適バイアス判定手段５０ｅ
は、予め格納された寿命曲線から求めたバイアス電流の
許容範囲内で最もスライスレベルマージンが大きくなる
値を最適バイアス電流として決定する。最適バイアス電
流の値の調査は、全てのＭＲヘッド１０について行わ
れ、その最適バイアス電流のデータは、図１１(a) に示
すように、ホストシステム５０からインターフェース３
２、ＨＤＣ３３、データ変調回路３５ｂに出力され、そ
して誘導型ヘッド１１によって磁界に変換されて磁気デ
ィスク８のデータ領域に書き込まれる。あるいは、その
データは、半導体記憶デバイスよりなるブログラムメモ
リ３８或いはＭＣＵ３６のＲＯＭに格納してもよい。
【００４９】最適バイアス電流のデータの磁気ディスク
８への書込みは、図６のフローチャートに示すように、
インナーシリンダのオフセットマージンを測定し、さら
にヘッドコアズレ量を計算し、書込み、読み出しパラメ
ータのチューニングを終えた後に、別のパラメータの磁
気ディスク８への書込みとともに行われる。その磁気デ
ィスク８のデータ領域に書き込まれた最適バイアス電流
のデータは図１１(b) に示すように、磁気ディスク装置
の起動時にＭＲヘッド１０、データ復調回路３５ｃを介
してよって読み出され、ＨＤＣ３３を介してバッファメ
モリ３４に格納される。そして、ＨＤＣ３３は、バッフ
ァメモリ３４のプログラムのデータに従って最適バイア
ス電流のデータをＤＡＣ３６ｂを介してバイアス電流制
御回路２１ｂに転送して、ＭＲヘッド１０の個々に合わ
せて最適バイアス電流を流すことになる。
８への書込みは、図６のフローチャートに示すように、
インナーシリンダのオフセットマージンを測定し、さら
にヘッドコアズレ量を計算し、書込み、読み出しパラメ
ータのチューニングを終えた後に、別のパラメータの磁
気ディスク８への書込みとともに行われる。その磁気デ
ィスク８のデータ領域に書き込まれた最適バイアス電流
のデータは図１１(b) に示すように、磁気ディスク装置
の起動時にＭＲヘッド１０、データ復調回路３５ｃを介
してよって読み出され、ＨＤＣ３３を介してバッファメ
モリ３４に格納される。そして、ＨＤＣ３３は、バッフ
ァメモリ３４のプログラムのデータに従って最適バイア
ス電流のデータをＤＡＣ３６ｂを介してバイアス電流制
御回路２１ｂに転送して、ＭＲヘッド１０の個々に合わ
せて最適バイアス電流を流すことになる。
【００５０】なお、磁気ディスク装置の起動時から、最
適バイアス電流のデータをバッファメモリ３４に格納す
るまでの間には、プログラムメモリに予め書き込まれた
デフォルトのバイアス電流が全てのＭＲヘッド１０に供
給されることになる。このような最適バイアス電流を個
々のＭＲヘッドに合わせて設定することにより、ＭＲヘ
ッドの能力を十分に活用することができ、マイグレーシ
ョンによる劣化を防止できる。しかも、従来のように全
てのＭＲヘッドに同じバイアス電流を流す場合には、抵
抗が高すぎるとして磁気ディスク装置に組み込まれなか
ったＭＲヘッド、即ち図９の領域Ｋに該当するＭＲヘッ
ドにも最適なバイアス電流を流せることになるので、Ｍ
Ｒヘッドの無駄をなくすことができる。
適バイアス電流のデータをバッファメモリ３４に格納す
るまでの間には、プログラムメモリに予め書き込まれた
デフォルトのバイアス電流が全てのＭＲヘッド１０に供
給されることになる。このような最適バイアス電流を個
々のＭＲヘッドに合わせて設定することにより、ＭＲヘ
ッドの能力を十分に活用することができ、マイグレーシ
ョンによる劣化を防止できる。しかも、従来のように全
てのＭＲヘッドに同じバイアス電流を流す場合には、抵
抗が高すぎるとして磁気ディスク装置に組み込まれなか
ったＭＲヘッド、即ち図９の領域Ｋに該当するＭＲヘッ
ドにも最適なバイアス電流を流せることになるので、Ｍ
Ｒヘッドの無駄をなくすことができる。
【００５１】ところで、図９に示したようなＭＲヘッド
の寿命曲線測定は次のようにして行われる。まず、ＭＲ
高さｈの異なる複数のＭＲヘッド１０を用意し、それら
にバイアス電流を流しながら加熱下で加速試験を行って
寿命を調査する。さらに、そのバイアス電流の大きさを
変えて同じように寿命を調査する。これにより図１２
(a),(b) に示すような複数の曲線が描ける。続いて、寿
命を何年にするか決定し、その寿命が得られるバイアス
電流とＭＲ高さｈの曲線を描く。ただし、ＭＲ高さｈは
ＭＲヘッドの抵抗に反比例しているので、図９では横軸
をＭＲ高さｈとする代わりに抵抗で示している。したが
って、ＭＲヘッドの寿命を何年に設定するかでその寿命
曲線は変わってくることになる。
の寿命曲線測定は次のようにして行われる。まず、ＭＲ
高さｈの異なる複数のＭＲヘッド１０を用意し、それら
にバイアス電流を流しながら加熱下で加速試験を行って
寿命を調査する。さらに、そのバイアス電流の大きさを
変えて同じように寿命を調査する。これにより図１２
(a),(b) に示すような複数の曲線が描ける。続いて、寿
命を何年にするか決定し、その寿命が得られるバイアス
電流とＭＲ高さｈの曲線を描く。ただし、ＭＲ高さｈは
ＭＲヘッドの抵抗に反比例しているので、図９では横軸
をＭＲ高さｈとする代わりに抵抗で示している。したが
って、ＭＲヘッドの寿命を何年に設定するかでその寿命
曲線は変わってくることになる。
【００５２】素子寿命τは、次の式により求める。ただ
し、Ａは定数、Ｔは温度、Ｊはセンス電流、ｊは電流密
度、ｈはＭＲ高さ、ｔは磁気抵抗効果層などの膜厚であ
る。 τ＝Ａ×ｊ-2×ｅｘｐ（９７００／Ｔ）、 ｊ＝Ｊ／ｈｔ 以上の説明では、図９のＭＲヘッド寿命曲線と図１０の
スライスレベルマージン特性曲線からＭＲヘッド１０の
最適バイアス値を求めた。その他の最適バイアス電流の
値の決定方法としては、図１３で示した出力電圧Ｖiso
とＭＲ高さｈの関係からその値を求めてもよい。例え
ば、複数のＭＲヘッド１０の出力電圧Ｖiso を所定の範
囲内に揃えるために、その出力電圧Ｖiso が得られるバ
イアス電流を選ぶようにしてもよい。
し、Ａは定数、Ｔは温度、Ｊはセンス電流、ｊは電流密
度、ｈはＭＲ高さ、ｔは磁気抵抗効果層などの膜厚であ
る。 τ＝Ａ×ｊ-2×ｅｘｐ（９７００／Ｔ）、 ｊ＝Ｊ／ｈｔ 以上の説明では、図９のＭＲヘッド寿命曲線と図１０の
スライスレベルマージン特性曲線からＭＲヘッド１０の
最適バイアス値を求めた。その他の最適バイアス電流の
値の決定方法としては、図１３で示した出力電圧Ｖiso
とＭＲ高さｈの関係からその値を求めてもよい。例え
ば、複数のＭＲヘッド１０の出力電圧Ｖiso を所定の範
囲内に揃えるために、その出力電圧Ｖiso が得られるバ
イアス電流を選ぶようにしてもよい。
【００５３】なお、上記したＭＲヘッドを適用する磁気
記憶装置として磁気ディスク装置を例に挙げて説明した
が、磁気テープ記憶装置の再生用ヘッドとして使用して
もよい。この場合にも、同じようにして最適バイアス電
流を決定する。
記憶装置として磁気ディスク装置を例に挙げて説明した
が、磁気テープ記憶装置の再生用ヘッドとして使用して
もよい。この場合にも、同じようにして最適バイアス電
流を決定する。
【００５４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ＭＲ
ヘッドの抵抗値と寿命との関係からバイアス電流の大き
さを許容する範囲を求め、その範囲内で最適バイアス電
流を設定するようにしたので、抵抗の小さなＭＲヘッド
の出力を大きくすることができる。
ヘッドの抵抗値と寿命との関係からバイアス電流の大き
さを許容する範囲を求め、その範囲内で最適バイアス電
流を設定するようにしたので、抵抗の小さなＭＲヘッド
の出力を大きくすることができる。
【００５５】また、その範囲内でスライスレベルマージ
ンが最大になるバイアス電流を最適バイアス電流に設定
とすると、ＭＲヘッドの能力を十分に活用することがで
き、マイグレーションによる劣化を防止できる。しか
も、従来のように全てのＭＲヘッドに同じバイアス電流
を流す場合には、抵抗が高すぎるとして磁気ディスク装
置に組み込まれなかったＭＲヘッドにも最適なバイアス
電流を流すことになるので、ＭＲヘッドの無駄をなくす
ことができる。
ンが最大になるバイアス電流を最適バイアス電流に設定
とすると、ＭＲヘッドの能力を十分に活用することがで
き、マイグレーションによる劣化を防止できる。しか
も、従来のように全てのＭＲヘッドに同じバイアス電流
を流す場合には、抵抗が高すぎるとして磁気ディスク装
置に組み込まれなかったＭＲヘッドにも最適なバイアス
電流を流すことになるので、ＭＲヘッドの無駄をなくす
ことができる。
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る磁気ディス
ク装置の内部を示す平面図である。
ク装置の内部を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る磁気ディス
ク装置の内部を示す断面図である。
ク装置の内部を示す断面図である。
【図３】図３(a) は、本発明の実施の形態に係る磁気デ
ィスク装置に適用されるＭＲヘッドと誘導型ヘッドの構
造を示す斜視断面図、図３(b) はＭＲヘッドのセンス領
域とその周辺の層構造を示す斜視図である。
ィスク装置に適用されるＭＲヘッドと誘導型ヘッドの構
造を示す斜視断面図、図３(b) はＭＲヘッドのセンス領
域とその周辺の層構造を示す斜視図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る磁気ディス
ク装置のＭＲヘッドの抵抗率と外部磁界の関係を示す図
である。
ク装置のＭＲヘッドの抵抗率と外部磁界の関係を示す図
である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る磁気ディス
ク装置の回路ブロック図である。
ク装置の回路ブロック図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態にかかる磁気ディ
スク装置のＭＲヘッドの最適バイアス電流の値を求める
過程を示すフローチャートである。
スク装置のＭＲヘッドの最適バイアス電流の値を求める
過程を示すフローチャートである。
【図７】図７は、本発明の実施の形態にかかる磁気ディ
スク装置のＭＲヘッドの抵抗値を測定するための回路系
統を示すブロック図である。
スク装置のＭＲヘッドの抵抗値を測定するための回路系
統を示すブロック図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態にかかる磁気ディ
スク装置のＭＲヘッドの最適バイアス電流の値を求める
ための回路系統を示すブロック図である。
スク装置のＭＲヘッドの最適バイアス電流の値を求める
ための回路系統を示すブロック図である。
【図９】図９は、本発明の実施ディスク装置に使用され
るＭＲヘッドの寿命をＭＲバイアス電流とＭＲ抵抗値で
示す寿命曲線である。
るＭＲヘッドの寿命をＭＲバイアス電流とＭＲ抵抗値で
示す寿命曲線である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態にかかる磁気
ディスク装置におけるスライスレベルマージンとＭＲバ
イアス電流の関係を測定した結果を示す曲線である。
ディスク装置におけるスライスレベルマージンとＭＲバ
イアス電流の関係を測定した結果を示す曲線である。
【図１１】図１１(a) は、本発明の実施の形態にかかる
磁気ディスク装置において、最適バイアス電流のデータ
を磁気ディスクに記録するための回路系統を示すブロッ
ク図であり、図１１(b) は、本発明の実施の形態にかか
る磁気ディスク装置において磁気ディスクに記録された
最適バイアス電流のデータを読み出し、この最適バイア
ス電流をＭＲヘッドに流すための回路系統を示すブロッ
ク図である。
磁気ディスク装置において、最適バイアス電流のデータ
を磁気ディスクに記録するための回路系統を示すブロッ
ク図であり、図１１(b) は、本発明の実施の形態にかか
る磁気ディスク装置において磁気ディスクに記録された
最適バイアス電流のデータを読み出し、この最適バイア
ス電流をＭＲヘッドに流すための回路系統を示すブロッ
ク図である。
【図１２】図１２(a),(b) は、本発明の実施の形態に適
用されるＭＲヘッドの高さとＭＲヘッドの寿命の関係を
示す図である。
用されるＭＲヘッドの高さとＭＲヘッドの寿命の関係を
示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に適用される
ＭＲヘッドの高さとＭＲヘッド出力電圧の関係を示す図
である。
ＭＲヘッドの高さとＭＲヘッド出力電圧の関係を示す図
である。
【図１４】図１４(a) は、ＭＲヘッドの磁性層を示す斜
視図、図１４(b) は、ＭＲバイアス電流とＭＲ抵抗値と
寿命の関係を示す図である。
視図、図１４(b) は、ＭＲバイアス電流とＭＲ抵抗値と
寿命の関係を示す図である。
【図１５】図１５は、従来のＭＲヘッドのＭＲ高さを決
めるために使用される寿命曲線の一例を示す図である。
めるために使用される寿命曲線の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、従来のＭＲヘッドのＭＲ高さを決
めるために使用される出力曲線の一例を示す図である。
めるために使用される出力曲線の一例を示す図である。
１ 磁気ディスク装置 １０ ＭＲヘッド １１ 誘導型ヘッド ２１ ヘッドＩＣ ２１ａ ヘッド切換回路 ２１ｂ ＭＲバイアス電流制御回路 ２１ｃ ＭＲバイアス電圧検出回路 ３１ コントロールユニット ３２ インターフェース（Ｉ／Ｆ） ３３ ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ） ３４ バッファメモリ ３５ リードチャネル（ＲＤＣ） ３５ａ ヘッド選択回路 ３５ｂ データ変調回路 ３５ｃ データ復調回路 ３６ ＭＣＵ ３６ａ ＭＰＵ ３６ｂ デジタルアナログコンバータ回路（ＤＡＣ） ３６ｃ アナログデジタルコンバータ回路（ＡＤＣ） ３８ プログラムメモリ ５０ ホストシステム ５０ａ 抵抗演算回路 ５０ｂ 寿命データ記憶回路 ５０ｃ バイアス電流許容範囲判別回路 ５０ｄ スライスベレルマージン測定回路 ５０ｅ 最適バイアス電流判定回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 肇 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (72)発明者 大森 秀樹 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−201005（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−183003（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 5/39
Claims (8)
- 【請求項１】磁気抵抗効果型磁気ヘッドに調査用電流を
流し、 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの端子にかかる電圧を測
定し、 前記調査用電流と前記電圧に基づいて前記磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの抵抗を演算し、 予め調査された寿命と前記抵抗の関係から前記磁気抵抗
効果型ヘッドに流す磁気抵抗効果バイアス電流の大きさ
の許容範囲を求め、 前記許容範囲内で最適バイアス電流を決定することを特
徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調
整方法。 - 【請求項２】前記最適バイアス電流は、前記磁気抵抗効
果バイアス電流の前記許容範囲内において最もスライス
レベルマージンが最大になる値に設定されることを特徴
とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイ
アス電流の調整方法。 - 【請求項３】前記最適バイアス電流のデータを記憶手段
に格納するステップを有することを特徴とする請求項１
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整
方法。 - 【請求項４】前記最適バイアス電流の前記データを前記
記憶手段を構成する磁気記憶媒体に格納することを特徴
とする請求項３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイ
アス電流の調整方法。 - 【請求項５】前記最適バイアス電流の前記データは、前
記記憶手段を構成する半導体記憶デバイスに格納される
ことを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドのバイアス電流の調整方法。 - 【請求項６】請求項１〜５いずれか記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドのバイアス電流の調整方法によって決定さ
れた前記最適バイアス電流を出力するバイアス電流供給
手段と、 前記バイアス供給手段から前記最適バイアス電流が供給
される磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドに対向する磁気記憶媒体
とを有することを特徴とする磁気記憶装置。 - 【請求項７】磁気抵抗効果型磁気ヘッドへのバイアス電
流の供給を制御する電流制御手段と、 前記バイアス電流が供給されている前記磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの両端にかかる電圧を検出する電圧検出手段
と、 前記電圧検出手段から出力された前記電圧のデータと前
記電流制御手段から供給された前記バイアス電流のデー
タに基づいて前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗を求
める抵抗値演算手段と、 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗値と前記バイアス
電流の値と寿命の関係を示す寿命データを記憶する寿命
データ記憶手段と、 前記抵抗値演算手段によって求めた前記抵抗の大きさと
前記寿命データとに基づいて前記バイアス電流の大きさ
の許容範囲を求めるバイアス電流許容範囲設定手段と、 前記バイアス電流の大きさの前記許容範囲内で最適バイ
アス電流を決定する最適バイアス電流設定手段と、 前記最適バイアス電流設定手段により決定された前記最
適バイアス電流のデータを格納する記憶手段とを有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス
電流調整装置。 - 【請求項８】磁気記録媒体のトラック幅に対するスライ
スレベルマージンを求めるスライスレベルマージン測定
手段を有し、 前記最適バイアス電流設定手段は、前記バイアス電流の
前記許容範囲内において前記スライスレベルマージンが
最大になる値を求めて前記最適バイアス電流を決定する
ことを特徴とする請求項７記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドのバイアス電流調整装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08259888A JP3142782B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び磁気記憶装置 |
| US08/893,313 US6067200A (en) | 1996-09-30 | 1997-07-16 | Method and apparatus for adjusting a bias current of a magneto-resistive effect type magnetic head and magnetic recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08259888A JP3142782B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10105909A JPH10105909A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3142782B2 true JP3142782B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17340338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08259888A Expired - Fee Related JP3142782B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドのバイアス電流の調整装置とその調整方法及び磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6067200A (ja) |
| JP (1) | JP3142782B2 (ja) |
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| JP3953217B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | Ｍｒヘッドを備えた磁気再生装置 |
| JP3382181B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2003-03-04 | ティーディーケイ株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子の特性検査方法および特性検査装置、ならびにハードディスクドライブ装置 |
| US6320713B1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-11-20 | International Business Machines Corporation | Ratio method for measurement of MR read head resistance |
| US6717761B2 (en) | 2000-04-26 | 2004-04-06 | Hitachi, Ltd. | Recording/reproducing apparatus |
| JP2002015498A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Fujitsu Ltd | センス電流の設定方法 |
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