JP2898900B2 - 磁気抵抗変換器のアクチュエータ及びファイル・レベルの初期設定方法 - Google Patents
磁気抵抗変換器のアクチュエータ及びファイル・レベルの初期設定方法Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G—PHYSICS
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- G11B21/21—Supporting the heads; Supporting the sockets for plug-in heads while the head is in operative position but stationary or permitting minor movements to follow irregularities in surface of record carrier with provision for maintaining desired spacing of head from record carrier, e.g. fluid-dynamic spacing, slider
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- G11B5/488—Disposition of heads
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- G—PHYSICS
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- G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、磁気記録シス
テムに関し、特に、そのような磁気記録システムを製造
し組立てている間の磁気抵抗読み出し変換器の初期設定
方法に関する。
テムに関し、特に、そのような磁気記録システムを製造
し組立てている間の磁気抵抗読み出し変換器の初期設定
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置は、磁気記憶媒体上に
磁気的に記録することによって情報を記憶する情報記憶
装置である。磁気ディスクの駆動装置は、一般に、各々
のディスクの片面又は両面に形成され、情報が記録され
ている同心円状のデータ・トラックを有する一つ以上の
回転可能なディスク媒体と、種々のデータ・トラックか
らデータを読み出し、又は、種々のデータ・トラックへ
データを書き込むための変換器と、複数のヘッドを希望
するデータ・トラックへ動かし、そして、読み出し又は
書き込みの動作中、トラックの中心線上に、一つのヘッ
ドを維持するための特定のヘッド又は複数のヘッドに接
続されたヘッド位置決めアクチュエータを利用する。ヘ
ッドはエア・ベアリング面を有するスライダの表面に置
かれるか形成されている。そして、エア・ベアリング面
を有するスライダは、回転するディスクによって発生し
た空気のクッションによって、ディスク媒体のデータ面
に隣接して支持されている。スライダは、ヘッド位置決
めアクチュエータの支持アームに、サスペンション・ア
センブリによって接続されている。
磁気的に記録することによって情報を記憶する情報記憶
装置である。磁気ディスクの駆動装置は、一般に、各々
のディスクの片面又は両面に形成され、情報が記録され
ている同心円状のデータ・トラックを有する一つ以上の
回転可能なディスク媒体と、種々のデータ・トラックか
らデータを読み出し、又は、種々のデータ・トラックへ
データを書き込むための変換器と、複数のヘッドを希望
するデータ・トラックへ動かし、そして、読み出し又は
書き込みの動作中、トラックの中心線上に、一つのヘッ
ドを維持するための特定のヘッド又は複数のヘッドに接
続されたヘッド位置決めアクチュエータを利用する。ヘ
ッドはエア・ベアリング面を有するスライダの表面に置
かれるか形成されている。そして、エア・ベアリング面
を有するスライダは、回転するディスクによって発生し
た空気のクッションによって、ディスク媒体のデータ面
に隣接して支持されている。スライダは、ヘッド位置決
めアクチュエータの支持アームに、サスペンション・ア
センブリによって接続されている。
【０００３】磁気的に記録されたデータを検知するか又
は読み出すための磁気抵抗（ＭＲ）センサの使用は、こ
の技術では、よく知られている。また、バルクハウゼン
雑音を除去し、最大線形動作領域にＭＲセンサを維持す
るために、ＭＲ検知素子に縦方向及び横方向の両方のバ
イアス磁界を加えなければならないこともよく知られて
いる。米国特許第４，０２４，４８９号明細書、米国特
許第５，０７９，０３５号明細書、米国特許第３，８４
０，８９８号明細書、及び米国特許第４，１０３，４１
５号明細書はＭＲセンサについて論じ、明らかにしてい
る。ＭＲセンサでは、ＭＲ素子に必要とされる横方向バ
イアス磁界及び縦方向バイアス磁界を供給するために硬
磁性材料または軟磁性材料及び両方、及び、又は、交換
結合を利用する種々のバイアス方式が工夫されている。
例えば、米国特許第５，０７９，０３５号明細書は、強
磁性ＭＲ素子がセンサの中央アクティブ領域のみの全面
にわたって伸びているＭＲセンサを明らかにしている。
センサ端領域の各々に硬磁性材料層が備えられ、ＭＲ素
子の端に隣接して接合を形成し、磁気媒体ディスクの表
面に平行なセンサ面に縦方向のバイアス磁界を供給す
る。センサの中央アクティブ領域はＭＲ素子に対して横
方向のバイアス磁界を供給するＭＲ素子、非磁気的な間
隙層、及び、軟磁性層を含む。
は読み出すための磁気抵抗（ＭＲ）センサの使用は、こ
の技術では、よく知られている。また、バルクハウゼン
雑音を除去し、最大線形動作領域にＭＲセンサを維持す
るために、ＭＲ検知素子に縦方向及び横方向の両方のバ
イアス磁界を加えなければならないこともよく知られて
いる。米国特許第４，０２４，４８９号明細書、米国特
許第５，０７９，０３５号明細書、米国特許第３，８４
０，８９８号明細書、及び米国特許第４，１０３，４１
５号明細書はＭＲセンサについて論じ、明らかにしてい
る。ＭＲセンサでは、ＭＲ素子に必要とされる横方向バ
イアス磁界及び縦方向バイアス磁界を供給するために硬
磁性材料または軟磁性材料及び両方、及び、又は、交換
結合を利用する種々のバイアス方式が工夫されている。
例えば、米国特許第５，０７９，０３５号明細書は、強
磁性ＭＲ素子がセンサの中央アクティブ領域のみの全面
にわたって伸びているＭＲセンサを明らかにしている。
センサ端領域の各々に硬磁性材料層が備えられ、ＭＲ素
子の端に隣接して接合を形成し、磁気媒体ディスクの表
面に平行なセンサ面に縦方向のバイアス磁界を供給す
る。センサの中央アクティブ領域はＭＲ素子に対して横
方向のバイアス磁界を供給するＭＲ素子、非磁気的な間
隙層、及び、軟磁性層を含む。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気変換器は薄膜蒸着
技術を利用して製造され、一般に、誘導的な書き込み変
換器と組み合わせたＭＲ読み出しセンサを含み、データ
の記録再生の両方を備えている。磁気変換器はウェハ上
にバッチ処理で製造される。ウェハは個々のスライダに
切られるかダイスされ、スライダの端面に変換器を形成
する。ダイス処理は、また、ローレベルの付加的なバッ
チ処理を含み、スライダに対してエア・ベアリング面を
形成する。個々のスライダの製造が完成すると、各々の
スライダはサスペンション・アセンブリに取り付けられ
る。そして、サスペンション・アセンブリは、ヘッド・
スタック又はアクチュエータ・ヘッド・スタックと称さ
れる垂直構造に取り付けられたヘッドを有するヘッド・
アクチュエータ・アセンブリの支持アームに取り付けら
れている。
技術を利用して製造され、一般に、誘導的な書き込み変
換器と組み合わせたＭＲ読み出しセンサを含み、データ
の記録再生の両方を備えている。磁気変換器はウェハ上
にバッチ処理で製造される。ウェハは個々のスライダに
切られるかダイスされ、スライダの端面に変換器を形成
する。ダイス処理は、また、ローレベルの付加的なバッ
チ処理を含み、スライダに対してエア・ベアリング面を
形成する。個々のスライダの製造が完成すると、各々の
スライダはサスペンション・アセンブリに取り付けられ
る。そして、サスペンション・アセンブリは、ヘッド・
スタック又はアクチュエータ・ヘッド・スタックと称さ
れる垂直構造に取り付けられたヘッドを有するヘッド・
アクチュエータ・アセンブリの支持アームに取り付けら
れている。
【０００５】次に、完成されたアクチュエータ・アセン
ブリを磁気媒体ディスクのような他の要素と組み立て
て、磁気ディスク駆動装置を形成する。製造／組み立て
工程中のある時点において、ＭＲセンサは、ＭＲセンサ
を横切って、好ましい方向（一般的に、ＭＲセンサの縦
軸及び磁気媒体ディスクの面に平行な方向）に磁界を加
えることによって初期設定しなければならない。この初
期設定工程に続いて、ＭＲセンサは、上述の製造及び組
み立て工程中の処理から生じる種々の応力を受けるかも
知れない。これらの応力はＭＲヘッドの磁気動作を劣化
させる傾向にある。そのような劣化されたヘッドに対し
て、そのような処理後のＭＲヘッドの再初期設定は、大
抵の場合ヘッドを回復させる（すなわち、ヘッドを適当
な磁化状態に戻す）ことが知られている。普通のＭＲヘ
ッドとディスク駆動装置の設計は、スライダを対でマウ
ントし、その結果、磁気ディスク媒体の対立した側のＭ
Ｒヘッドは、対立する初期設定方向を有する。この理由
のために、そして、実際の磁石設計上の制限のために、
アクチュエータ・アセンブリのＭＲヘッドは、隣接した
ヘッドを「逆方向に」初期設定することなしに再初期設
定することはできない。したがって、アクチュエータ・
アセンブリが引き続いて受けた処理できる損害は処理さ
れずに残り、動作が劣化しディスク駆動装置でさえ、欠
陥が生じる。
ブリを磁気媒体ディスクのような他の要素と組み立て
て、磁気ディスク駆動装置を形成する。製造／組み立て
工程中のある時点において、ＭＲセンサは、ＭＲセンサ
を横切って、好ましい方向（一般的に、ＭＲセンサの縦
軸及び磁気媒体ディスクの面に平行な方向）に磁界を加
えることによって初期設定しなければならない。この初
期設定工程に続いて、ＭＲセンサは、上述の製造及び組
み立て工程中の処理から生じる種々の応力を受けるかも
知れない。これらの応力はＭＲヘッドの磁気動作を劣化
させる傾向にある。そのような劣化されたヘッドに対し
て、そのような処理後のＭＲヘッドの再初期設定は、大
抵の場合ヘッドを回復させる（すなわち、ヘッドを適当
な磁化状態に戻す）ことが知られている。普通のＭＲヘ
ッドとディスク駆動装置の設計は、スライダを対でマウ
ントし、その結果、磁気ディスク媒体の対立した側のＭ
Ｒヘッドは、対立する初期設定方向を有する。この理由
のために、そして、実際の磁石設計上の制限のために、
アクチュエータ・アセンブリのＭＲヘッドは、隣接した
ヘッドを「逆方向に」初期設定することなしに再初期設
定することはできない。したがって、アクチュエータ・
アセンブリが引き続いて受けた処理できる損害は処理さ
れずに残り、動作が劣化しディスク駆動装置でさえ、欠
陥が生じる。
【０００６】したがって、本発明の主な目的は、アクチ
ュエータ・アセンブリのヘッドのすべてに対して同じ方
向に向けられた初期設定磁界とセンサ電流を有し、アク
チュエータ・ヘッド・スタックのすべてのＭＲヘッドの
初期設定又は再初期設定を同時に行うＭＲヘッドの構造
を提供することにある。
ュエータ・アセンブリのヘッドのすべてに対して同じ方
向に向けられた初期設定磁界とセンサ電流を有し、アク
チュエータ・ヘッド・スタックのすべてのＭＲヘッドの
初期設定又は再初期設定を同時に行うＭＲヘッドの構造
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の原理にしたがえ
ば、アクチュエータ・ヘッド・スタックに組み立てられ
たＭＲヘッドの各々は、（アクチュエータ・アセンブリ
の参照フレームに対して）アクチュエータ・ヘッド・ス
タックの他のＭＲヘッドと同じ方向に流れるセンサ電流
を有する。初期設定磁界の方向は、検知電流の方向の関
数であるので、ＭＲヘッドのすべては、また、同じ初期
設定磁界の方向を有する。したがって、一様な大きな磁
界は、アクチュエータ・アセンブリのＭＲヘッドのすべ
てを、同時に初期設定するのに利用することができる。
更に、適当な磁石構成を用いて、磁気ディスク駆動装置
にすでに組み入れられたアクチュエータ・アセンブリを
用いて、ＭＲヘッドを初期設定することができる。対立
するＭＲヘッドを流れるセンス電流の方向は、サスペン
ション・ワイヤリングの設計によって、又は、ヘッド・
エレクトロニクス・モジュールの設計において、又は、
ウェハ・レベルの製造中のヘッド・リードの設計におい
て選択される。
ば、アクチュエータ・ヘッド・スタックに組み立てられ
たＭＲヘッドの各々は、（アクチュエータ・アセンブリ
の参照フレームに対して）アクチュエータ・ヘッド・ス
タックの他のＭＲヘッドと同じ方向に流れるセンサ電流
を有する。初期設定磁界の方向は、検知電流の方向の関
数であるので、ＭＲヘッドのすべては、また、同じ初期
設定磁界の方向を有する。したがって、一様な大きな磁
界は、アクチュエータ・アセンブリのＭＲヘッドのすべ
てを、同時に初期設定するのに利用することができる。
更に、適当な磁石構成を用いて、磁気ディスク駆動装置
にすでに組み入れられたアクチュエータ・アセンブリを
用いて、ＭＲヘッドを初期設定することができる。対立
するＭＲヘッドを流れるセンス電流の方向は、サスペン
ション・ワイヤリングの設計によって、又は、ヘッド・
エレクトロニクス・モジュールの設計において、又は、
ウェハ・レベルの製造中のヘッド・リードの設計におい
て選択される。
【０００８】
【実施例】次に、図１及び図２について説明する。本発
明は図１に示されている磁気ディスク記憶システムにつ
いて具体的に記載しているけれども、本発明は、また、
例えば、磁気テープ記録システムような他の磁気記録シ
ステムに適用できることも明らかである。
明は図１に示されている磁気ディスク記憶システムにつ
いて具体的に記載しているけれども、本発明は、また、
例えば、磁気テープ記録システムような他の磁気記録シ
ステムに適用できることも明らかである。
【０００９】少なくとも、一つの回転可能な磁気ディス
ク１２がスピンドル１４に支持され、ディスク駆動モー
タ１８によって回転させられる。各々の磁気ディスク１
２の磁気記録媒体は、少なくとも、磁気ディスク１２の
表面に同心円状のデータ・トラックの環状のパターン
（図示されていない）を形成している。少なくとも一つ
のスライダ１３が磁気ディスク１２に置かれ、各々のス
ライダ１３は、一般に、読み出し／書き込みヘッド２１
といわれる一つ以上の磁気読み出し／書き込み変換器を
支持している。一般に、少なくとも、一つの読み出し／
書き込みヘッド２１が磁気ディスク１２の各々の面に隣
接して支持されている。磁気ディスク１２が回転する
と、スライダ１３はディスク面２２上を半径方向に内側
及び外側に動く。その結果、読み出し／書き込みヘッド
２１は希望するデータが記録されている磁気ディスク１
２の異なった位置をアクセスすることができる。各々の
スライダ１３はサスペンション１５を介してアクチュエ
ータ支持アーム１９に取り付けられている。サスペンシ
ョン１５はディスク面２２に対してスライダ１３を一方
に片寄らせる弾性力をわずかに与える。各々のアクチュ
エータ支持アーム１９はアクチュエータ手段２７に取り
付けられている。図１に示されているアクチュエータ手
段２７は、例えば、ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）
である。ＶＣＭ２７は固定された磁界内で移動可能なコ
イルを構成している。そして、コイルの移動方向及び移
動速度は制御装置によって供給されたモータ電流信号に
よって制御されている。
ク１２がスピンドル１４に支持され、ディスク駆動モー
タ１８によって回転させられる。各々の磁気ディスク１
２の磁気記録媒体は、少なくとも、磁気ディスク１２の
表面に同心円状のデータ・トラックの環状のパターン
（図示されていない）を形成している。少なくとも一つ
のスライダ１３が磁気ディスク１２に置かれ、各々のス
ライダ１３は、一般に、読み出し／書き込みヘッド２１
といわれる一つ以上の磁気読み出し／書き込み変換器を
支持している。一般に、少なくとも、一つの読み出し／
書き込みヘッド２１が磁気ディスク１２の各々の面に隣
接して支持されている。磁気ディスク１２が回転する
と、スライダ１３はディスク面２２上を半径方向に内側
及び外側に動く。その結果、読み出し／書き込みヘッド
２１は希望するデータが記録されている磁気ディスク１
２の異なった位置をアクセスすることができる。各々の
スライダ１３はサスペンション１５を介してアクチュエ
ータ支持アーム１９に取り付けられている。サスペンシ
ョン１５はディスク面２２に対してスライダ１３を一方
に片寄らせる弾性力をわずかに与える。各々のアクチュ
エータ支持アーム１９はアクチュエータ手段２７に取り
付けられている。図１に示されているアクチュエータ手
段２７は、例えば、ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）
である。ＶＣＭ２７は固定された磁界内で移動可能なコ
イルを構成している。そして、コイルの移動方向及び移
動速度は制御装置によって供給されたモータ電流信号に
よって制御されている。
【００１０】ディスク駆動システムの動作中、磁気ディ
スク１２の回転はスライダ１３とディスク面２２の間に
エア・ベアリングを生じ、スライダ１３に上向きの力又
は揚力を及ぼす。したがって、エア・ベアリングはサス
ペンション１５のわずかな弾性力と釣り合い、スライダ
１３を、動作中、小さな、ほぼ一定の間隔を保ってディ
スク面２２から離れてわずか上方に支持する。ディスク
駆動記憶システムの様々な要素は動作中、アクセス制御
信号及び内部クロック信号のような制御装置２９によっ
て生じた制御信号によって制御される。一般的に、制御
装置２９は、例えば、論理制御回路、記憶手段、及び、
マイクロプロセッサから構成されている。制御装置２９
は線路２３上の駆動モータ制御信号及び線路２８上のヘ
ッド位置信号とシーク制御信号のような様々なシステム
動作を制御するための制御信号を発生する。線路２８上
の制御信号は、結合された磁気ディスク１２上の希望す
るデータ・トラックに選択されたスライダ１３を最適状
態で動かしそして置くための希望する電流プロフィール
を供給する。読み出し及び書き込み信号は、記録チャネ
ル２５によって、読み出し／書き込みヘッド２１に伝達
されそして読み出し／書き込みヘッド２１から伝達され
る。
スク１２の回転はスライダ１３とディスク面２２の間に
エア・ベアリングを生じ、スライダ１３に上向きの力又
は揚力を及ぼす。したがって、エア・ベアリングはサス
ペンション１５のわずかな弾性力と釣り合い、スライダ
１３を、動作中、小さな、ほぼ一定の間隔を保ってディ
スク面２２から離れてわずか上方に支持する。ディスク
駆動記憶システムの様々な要素は動作中、アクセス制御
信号及び内部クロック信号のような制御装置２９によっ
て生じた制御信号によって制御される。一般的に、制御
装置２９は、例えば、論理制御回路、記憶手段、及び、
マイクロプロセッサから構成されている。制御装置２９
は線路２３上の駆動モータ制御信号及び線路２８上のヘ
ッド位置信号とシーク制御信号のような様々なシステム
動作を制御するための制御信号を発生する。線路２８上
の制御信号は、結合された磁気ディスク１２上の希望す
るデータ・トラックに選択されたスライダ１３を最適状
態で動かしそして置くための希望する電流プロフィール
を供給する。読み出し及び書き込み信号は、記録チャネ
ル２５によって、読み出し／書き込みヘッド２１に伝達
されそして読み出し／書き込みヘッド２１から伝達され
る。
【００１１】一般的な磁気ディスク記憶システムとそれ
に伴う図１の説明である上の説明は単なる例示である。
ディスク駆動記憶システムは、多数の磁気記憶ディスク
を有し、各々のディスクはその各々の表面に関連づけら
れたスライダを有し、各々のスライダは一つ以上の読み
出し／書き込みヘッド２１を有することは明らかであ
る。図２に示されているように、各々のスライダ１３は
サスペンション１５に取り付けられている。そして、サ
スペンション１５は、引き続いて、アクチュエータ支持
アーム１９に取り付けられている。アクチュエータ支持
アーム１９はボイス・コイル・モータ２７に取り付けら
れている。一般的に、ボイス・コイル・モータ２７とア
クチュエータ支持アーム１９はピボット・アセンブリ２
６の反対側に取り付けられている。そして、ピボット・
アセンブリ２６はディスク記憶システムハウジング（図
示されていない）に取り付けられたピボット柱に回転可
能にマウントされている。複数の読み出し／書き込みヘ
ッド２１、サスペンション１５、及び、アクチュエータ
支持アーム１９を有するスライダ装置は、一般に、アク
チュエータ・ヘッド・スタックと称される組立品を形成
する。ヘッド・スタックでは、スライダは１３ａと１３
ｂが一対になってグループを作っている。そして、一対
の各々一つは磁気ディスク１２の対立する側に支持さ
れ、図５に示すように、トップ・ヘッド及びボトム・ヘ
ッドと称される。スライダ１３によって支持されている
読み出し／書き込みヘッド２１は誘導的な書き込みヘッ
ドと磁気抵抗（ＭＲ）からなる読み出しヘッドを含む。
に伴う図１の説明である上の説明は単なる例示である。
ディスク駆動記憶システムは、多数の磁気記憶ディスク
を有し、各々のディスクはその各々の表面に関連づけら
れたスライダを有し、各々のスライダは一つ以上の読み
出し／書き込みヘッド２１を有することは明らかであ
る。図２に示されているように、各々のスライダ１３は
サスペンション１５に取り付けられている。そして、サ
スペンション１５は、引き続いて、アクチュエータ支持
アーム１９に取り付けられている。アクチュエータ支持
アーム１９はボイス・コイル・モータ２７に取り付けら
れている。一般的に、ボイス・コイル・モータ２７とア
クチュエータ支持アーム１９はピボット・アセンブリ２
６の反対側に取り付けられている。そして、ピボット・
アセンブリ２６はディスク記憶システムハウジング（図
示されていない）に取り付けられたピボット柱に回転可
能にマウントされている。複数の読み出し／書き込みヘ
ッド２１、サスペンション１５、及び、アクチュエータ
支持アーム１９を有するスライダ装置は、一般に、アク
チュエータ・ヘッド・スタックと称される組立品を形成
する。ヘッド・スタックでは、スライダは１３ａと１３
ｂが一対になってグループを作っている。そして、一対
の各々一つは磁気ディスク１２の対立する側に支持さ
れ、図５に示すように、トップ・ヘッド及びボトム・ヘ
ッドと称される。スライダ１３によって支持されている
読み出し／書き込みヘッド２１は誘導的な書き込みヘッ
ドと磁気抵抗（ＭＲ）からなる読み出しヘッドを含む。
【００１２】次に、図３を参照すると、米国特許第４，
６６３，６８５号明細書に記載されたタイプのＭＲ読み
出しヘッド又はＭＲセンサは、ＭＲセンサ３０に広がっ
ているＭＲ素子３２から構成されている。硬磁性材料か
らなる縦方向バイアス層４３はセンサ端部領域３６の全
面にわたって形成され、縦方向のバイアス磁界をＭＲ素
子３２に加える。軟磁性材料からなる横方向バイアス層
３８は薄い非磁性スペーサ層４２によってＭＲ素子３２
から分離され、ＭＲセンサ３０の中央アクティブ領域４
４に横方向のバイアス磁界を加える。読み出しデータ信
号は中央アクティブ領域４４の全面にわたって検知され
る。そして、中央アクティブ領域４４は縦方向バイアス
層４３の上に置かれた読み出し導体４６の間の間隔によ
ってきめられる。電流源（図示されていない）によって
一定のセンサ電流ＩがＭＲセンサ３０に加えられ、ＭＲ
素子３２を通して流れる検知電流ＩS と横方向バイアス
層３８を通して流れるバイアス電流ＩB を与える。
６６３，６８５号明細書に記載されたタイプのＭＲ読み
出しヘッド又はＭＲセンサは、ＭＲセンサ３０に広がっ
ているＭＲ素子３２から構成されている。硬磁性材料か
らなる縦方向バイアス層４３はセンサ端部領域３６の全
面にわたって形成され、縦方向のバイアス磁界をＭＲ素
子３２に加える。軟磁性材料からなる横方向バイアス層
３８は薄い非磁性スペーサ層４２によってＭＲ素子３２
から分離され、ＭＲセンサ３０の中央アクティブ領域４
４に横方向のバイアス磁界を加える。読み出しデータ信
号は中央アクティブ領域４４の全面にわたって検知され
る。そして、中央アクティブ領域４４は縦方向バイアス
層４３の上に置かれた読み出し導体４６の間の間隔によ
ってきめられる。電流源（図示されていない）によって
一定のセンサ電流ＩがＭＲセンサ３０に加えられ、ＭＲ
素子３２を通して流れる検知電流ＩS と横方向バイアス
層３８を通して流れるバイアス電流ＩB を与える。
【００１３】正しい動作をするためには、ＭＲセンサ３
０は、ＭＲ素子３２の中央アクティブ領域４４を単一磁
区の状態にセットするために、初期設定しなければなら
ない。ＭＲセンサ３０を初期設定するために、正しい向
き（すなわち、方向）と大きさを有する磁界がＭＲセン
サ３０に加えられる。初期設定のための磁界が中央アク
ティブ領域４４を印加磁界によって一列にそろえられた
単一磁区状態にする。上述のＭＲセンサ３０では、図３
を参照して、初期設定は、また、縦方向磁気バイアス層
４３によって生じたバイアス磁界を一列にそろえる。好
適な実施例では、初期設定の磁界ベクトルはＭＲセンサ
３０の縦方向軸と磁気媒体ディスクの面に平行である。
０は、ＭＲ素子３２の中央アクティブ領域４４を単一磁
区の状態にセットするために、初期設定しなければなら
ない。ＭＲセンサ３０を初期設定するために、正しい向
き（すなわち、方向）と大きさを有する磁界がＭＲセン
サ３０に加えられる。初期設定のための磁界が中央アク
ティブ領域４４を印加磁界によって一列にそろえられた
単一磁区状態にする。上述のＭＲセンサ３０では、図３
を参照して、初期設定は、また、縦方向磁気バイアス層
４３によって生じたバイアス磁界を一列にそろえる。好
適な実施例では、初期設定の磁界ベクトルはＭＲセンサ
３０の縦方向軸と磁気媒体ディスクの面に平行である。
【００１４】スライダ１３の垂直面３１に形成されたＭ
Ｒセンサ３０を説明し、センサ電流Ｉの間の関係を説明
する図である図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照すると、
初期設定磁界ＨINITと横方向バイアス磁界Ｈが示されて
いる。簡単のため、ＭＲ素子３２と横方向バイアス層３
８のみが示されている。図４（ａ）では、ＭＲセンサ３
０のセンサ電流Ｉが左から右へ流れるように示されてい
る。しかるに、初期設定磁界ＨINITは右から左へ向けら
れている。センサ電流Ｉが左から右へ流れると、横方向
バイアス層３８内のバイアス電流ＩB は、矢印３３によ
って示されているように、横方向バイアス層３８内に横
方向バイアス磁界Ｈを生じる。横方向バイアス磁界Ｈ
は、初期設定磁界ＨINITと組み合わせて、ＭＲ素子３２
の磁界を矢印３５によって示される方向にバイアスす
る。もしも、ＭＲセンサ３０のセンサ電流Ｉが逆方向、
すなわち、図４（ｂ）に示されているように、右から左
へ流れると、初期設定磁界ＨINITも、また、逆方向にな
り、バイアス磁界は逆方向になる。これは、ＭＲセンサ
３０のマイクロ磁石は二つの電流構成において、同一
（すなわち、対称）であることを保証する。いくつかの
バイアス方式に対しては、センサ電流Ｉが逆方向になっ
たとき、対称な磁気動作を得るために、バイアス磁界又
はヘッド構成の付加的な変化又は種々の変化が要求され
る。
Ｒセンサ３０を説明し、センサ電流Ｉの間の関係を説明
する図である図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照すると、
初期設定磁界ＨINITと横方向バイアス磁界Ｈが示されて
いる。簡単のため、ＭＲ素子３２と横方向バイアス層３
８のみが示されている。図４（ａ）では、ＭＲセンサ３
０のセンサ電流Ｉが左から右へ流れるように示されてい
る。しかるに、初期設定磁界ＨINITは右から左へ向けら
れている。センサ電流Ｉが左から右へ流れると、横方向
バイアス層３８内のバイアス電流ＩB は、矢印３３によ
って示されているように、横方向バイアス層３８内に横
方向バイアス磁界Ｈを生じる。横方向バイアス磁界Ｈ
は、初期設定磁界ＨINITと組み合わせて、ＭＲ素子３２
の磁界を矢印３５によって示される方向にバイアスす
る。もしも、ＭＲセンサ３０のセンサ電流Ｉが逆方向、
すなわち、図４（ｂ）に示されているように、右から左
へ流れると、初期設定磁界ＨINITも、また、逆方向にな
り、バイアス磁界は逆方向になる。これは、ＭＲセンサ
３０のマイクロ磁石は二つの電流構成において、同一
（すなわち、対称）であることを保証する。いくつかの
バイアス方式に対しては、センサ電流Ｉが逆方向になっ
たとき、対称な磁気動作を得るために、バイアス磁界又
はヘッド構成の付加的な変化又は種々の変化が要求され
る。
【００１５】次に、図５を参照すると、磁気ディスク１
２の反対側に読み出し／書き込みヘッドを支持し、（図
２に示されているような）ヘッド・スタックを構成する
スライダ１３ａ，１３ｂの二対が示されている。簡単の
ために、サスペンションとアクチュエータ・アセンブリ
の残りのものは示されていない。説明のために、スライ
ダ１３ａ，１３ｂの一対を、それぞれ、トップ・ヘッド
及びボトム・ヘッドと称する。トップ・ヘッド１３ａは
磁気ディスク１２の上面に隣接して吊されている。しか
るに、ボトム・ヘッド１３ｂは磁気ディスク１２の下面
に隣接して吊されている。普通のヘッド及び磁気ディス
クの駆動装置の製造工程では、すべてのヘッドは、図４
（ａ）に示されているように、順方向のバイアス動作
（すなわち、左から右へ流れるセンサ電流Ｉと右から左
へ向いた初期設定磁界ＨINIT）をするように初期設定さ
れる。ヘッドはウェハ・レベル又はロー・レベルのバッ
チ処理で初期設定することができる。又は、各々のヘッ
ドは、図７に示されているように、サスペンション１５
に取付けられたあとのような工程に続くある時間に、個
々に初期設定される。すべてのヘッドは、ヘッド・スタ
ックに組み立てる前に、順方向のバイアス動作をするよ
うに初期設定されるので、ヘッド及びスライダがアクチ
ュエータ・アセンブリに組み立てられるとき、隣接した
ヘッドは、図５に示されているように、アクチュエータ
・フレームに関して反対方向に向けられたセンサ電流Ｉ
及び初期設定磁界ＨINITを有する。したがって、ヘッド
・スタックに組み立てたのちに、一つのヘッドを初期設
定しようというどんな試みも、隣接したヘッドが間違っ
た方向に初期設定されるという結果を生じる。
２の反対側に読み出し／書き込みヘッドを支持し、（図
２に示されているような）ヘッド・スタックを構成する
スライダ１３ａ，１３ｂの二対が示されている。簡単の
ために、サスペンションとアクチュエータ・アセンブリ
の残りのものは示されていない。説明のために、スライ
ダ１３ａ，１３ｂの一対を、それぞれ、トップ・ヘッド
及びボトム・ヘッドと称する。トップ・ヘッド１３ａは
磁気ディスク１２の上面に隣接して吊されている。しか
るに、ボトム・ヘッド１３ｂは磁気ディスク１２の下面
に隣接して吊されている。普通のヘッド及び磁気ディス
クの駆動装置の製造工程では、すべてのヘッドは、図４
（ａ）に示されているように、順方向のバイアス動作
（すなわち、左から右へ流れるセンサ電流Ｉと右から左
へ向いた初期設定磁界ＨINIT）をするように初期設定さ
れる。ヘッドはウェハ・レベル又はロー・レベルのバッ
チ処理で初期設定することができる。又は、各々のヘッ
ドは、図７に示されているように、サスペンション１５
に取付けられたあとのような工程に続くある時間に、個
々に初期設定される。すべてのヘッドは、ヘッド・スタ
ックに組み立てる前に、順方向のバイアス動作をするよ
うに初期設定されるので、ヘッド及びスライダがアクチ
ュエータ・アセンブリに組み立てられるとき、隣接した
ヘッドは、図５に示されているように、アクチュエータ
・フレームに関して反対方向に向けられたセンサ電流Ｉ
及び初期設定磁界ＨINITを有する。したがって、ヘッド
・スタックに組み立てたのちに、一つのヘッドを初期設
定しようというどんな試みも、隣接したヘッドが間違っ
た方向に初期設定されるという結果を生じる。
【００１６】次に、図６を参照すると、磁気ディスク１
２の対立する面に隣接した読み出し／書き込みヘッドを
支持する二対のトップ・ヘッド１３ａ，ボトム・ヘッド
１３ｂが示されている。そして、二対のトップ・ヘッド
１３ａ，ボトム・ヘッド１３ｂは、（図２に示されてい
るように）ヘッド・スタックに組み立てられている。図
５と同様に、サスペンションとアクチュエータ・アセン
ブリは示されていない。本発明の原理にしたがえば、セ
ンサ電流Ｉと初期設定磁界ＨINITは、トップ・ヘッド１
３ａとボトム・ヘッド１３ｂの両方に対して同一方向に
向けられている。したがって、例えば、隣接したトップ
・ヘッド１３ａとボトム・ヘッド１３ｂは、アクチュエ
ータに関して同じ方向に向けられたセンサ電流Ｉと初期
設定磁界ＨINITの両方を有する。本発明では、そこで、
ヘッド・スタックの一つ以上の個々のヘッドは、隣接し
たヘッドの初期設定を混乱させることなく、再び、初期
設定することができる。例えば、図８に示されているよ
うに、ヘッド・スタックの一つ以上のトップ・ヘッド１
３ａとボトム・ヘッド１３ｂを再び初期設定する必要が
あるならば、全アクチュエータ・アセンブリが、磁石５
３による一様な強い磁界によって初期設定される。磁石
５３は要求された構造上のアーキテクチャーを有し、希
望する磁界を生じる永久磁石であるけれども、もっと一
般的には、磁石５３は電磁石を構成している。
２の対立する面に隣接した読み出し／書き込みヘッドを
支持する二対のトップ・ヘッド１３ａ，ボトム・ヘッド
１３ｂが示されている。そして、二対のトップ・ヘッド
１３ａ，ボトム・ヘッド１３ｂは、（図２に示されてい
るように）ヘッド・スタックに組み立てられている。図
５と同様に、サスペンションとアクチュエータ・アセン
ブリは示されていない。本発明の原理にしたがえば、セ
ンサ電流Ｉと初期設定磁界ＨINITは、トップ・ヘッド１
３ａとボトム・ヘッド１３ｂの両方に対して同一方向に
向けられている。したがって、例えば、隣接したトップ
・ヘッド１３ａとボトム・ヘッド１３ｂは、アクチュエ
ータに関して同じ方向に向けられたセンサ電流Ｉと初期
設定磁界ＨINITの両方を有する。本発明では、そこで、
ヘッド・スタックの一つ以上の個々のヘッドは、隣接し
たヘッドの初期設定を混乱させることなく、再び、初期
設定することができる。例えば、図８に示されているよ
うに、ヘッド・スタックの一つ以上のトップ・ヘッド１
３ａとボトム・ヘッド１３ｂを再び初期設定する必要が
あるならば、全アクチュエータ・アセンブリが、磁石５
３による一様な強い磁界によって初期設定される。磁石
５３は要求された構造上のアーキテクチャーを有し、希
望する磁界を生じる永久磁石であるけれども、もっと一
般的には、磁石５３は電磁石を構成している。
【００１７】図４（ａ）、図４（ｂ）、及び、図６を参
照すると、隣接したヘッドが同じ方向に向けられたセン
サ電流Ｉと初期設定磁界ＨINITを有するヘッド・スタッ
ク・アセンブリを提供するために、初期設定工程に先立
って、トップ・ヘッドであるスライダ１３ａとボトム・
ヘッドであるスライダ１３ｂを確認し分離する必要はな
い。ＭＲセンサがアクチュエータ・ヘッド・スタック・
アセンブリに組み立てられるまでは、初期設定工程は完
了していない。テスト又は他の目的でアクチュエータの
組み立てに先立って、ＭＲセンサを初期設定することが
できるが、トップ・ヘッドとボトム・ヘッドがアクチュ
エータ・ヘッド・スタック・アセンブリに組み立てら
れ、最後の初期設定が完了したとき、隣接したヘッド
は、同じ方向に向けられた初期設定磁界ＨINITを有す
る。
照すると、隣接したヘッドが同じ方向に向けられたセン
サ電流Ｉと初期設定磁界ＨINITを有するヘッド・スタッ
ク・アセンブリを提供するために、初期設定工程に先立
って、トップ・ヘッドであるスライダ１３ａとボトム・
ヘッドであるスライダ１３ｂを確認し分離する必要はな
い。ＭＲセンサがアクチュエータ・ヘッド・スタック・
アセンブリに組み立てられるまでは、初期設定工程は完
了していない。テスト又は他の目的でアクチュエータの
組み立てに先立って、ＭＲセンサを初期設定することが
できるが、トップ・ヘッドとボトム・ヘッドがアクチュ
エータ・ヘッド・スタック・アセンブリに組み立てら
れ、最後の初期設定が完了したとき、隣接したヘッド
は、同じ方向に向けられた初期設定磁界ＨINITを有す
る。
【００１８】また、図９、図１０、及び、図１１を参照
すると、センサ電流Ｉは隣接したヘッドに対して同じ方
向に流れるということを保証するためには、図１０に示
されているように、ボトム・ヘッドであるスライダ１３
ｂに対して逆方向のセンサ電流を供給することが必要で
ある。図９はトップ・ヘッドであるスライダ１３ａに供
給されたような正規のセンサ電流又は順方向のセンサ電
流を説明する簡単化されたブロックダイアグラムであ
る。センサ電流Ｉは電流源６１により導線６３を介して
抵抗１３ａによって表されたＭＲセンサに供給される。
導線６９によって接続されたコイル６７ａは、磁気ディ
スク１２にデータを書き込むためのトップ・ヘッドの書
き込みコイルを表している。曲線７３ａによって表され
書き込みコイル６７ａに加えられた書き込み電流パルス
ＩAE-Wは磁気ディスク１２に磁化転移７５を生じる。上
述のように、書き込み電流パルスＩAE-Wの立上りエッジ
は正の磁化転移７５を生じる。しかるに、書き込み電流
パルスＩAE-Wの立下りエッジは負の磁化転移７７を生じ
る。ＭＲセンサは、ＭＲセンサに加えられた磁界の変化
の関数としての磁化転移の抵抗を変えることによって、
磁化転移に応答するか磁化転移を検知する。ＭＲセンサ
は、ＭＲセンサを流れる一定電流を有するので、磁界の
変化に対する応答は、ＭＲセンサによる電圧降下の変化
ＶAE-MR である。そして、ＶAE-MR は曲線７１ａによっ
て表されている。ＭＲセンサによって生じた電圧信号は
ＭＲセンサを流れる検知電流ＩS の方向及び磁気ディス
ク１２中の磁化転移７５，７７の極性の両方の関数であ
る。ＭＲセンサによって生じた電圧信号は、演算増幅器
６２によって検出される。演算増幅器６２は出力信号を
ディスク駆動信号処理回路（図示されていない。）に加
える。同様に、磁気ディスク１２中の磁化転移７５，７
７の極性は、書き込みコイル６７ａを流れる電流の方向
の関数である。図９に示されている順方向バイアス動作
に対しては、書き込み電流パルスＩAE-Wの立上りエッジ
は正の磁化転移７５を生じる。正の磁化転移７５はＭＲ
センサによって検知されるとき正の電圧パルスを生じ
る。
すると、センサ電流Ｉは隣接したヘッドに対して同じ方
向に流れるということを保証するためには、図１０に示
されているように、ボトム・ヘッドであるスライダ１３
ｂに対して逆方向のセンサ電流を供給することが必要で
ある。図９はトップ・ヘッドであるスライダ１３ａに供
給されたような正規のセンサ電流又は順方向のセンサ電
流を説明する簡単化されたブロックダイアグラムであ
る。センサ電流Ｉは電流源６１により導線６３を介して
抵抗１３ａによって表されたＭＲセンサに供給される。
導線６９によって接続されたコイル６７ａは、磁気ディ
スク１２にデータを書き込むためのトップ・ヘッドの書
き込みコイルを表している。曲線７３ａによって表され
書き込みコイル６７ａに加えられた書き込み電流パルス
ＩAE-Wは磁気ディスク１２に磁化転移７５を生じる。上
述のように、書き込み電流パルスＩAE-Wの立上りエッジ
は正の磁化転移７５を生じる。しかるに、書き込み電流
パルスＩAE-Wの立下りエッジは負の磁化転移７７を生じ
る。ＭＲセンサは、ＭＲセンサに加えられた磁界の変化
の関数としての磁化転移の抵抗を変えることによって、
磁化転移に応答するか磁化転移を検知する。ＭＲセンサ
は、ＭＲセンサを流れる一定電流を有するので、磁界の
変化に対する応答は、ＭＲセンサによる電圧降下の変化
ＶAE-MR である。そして、ＶAE-MR は曲線７１ａによっ
て表されている。ＭＲセンサによって生じた電圧信号は
ＭＲセンサを流れる検知電流ＩS の方向及び磁気ディス
ク１２中の磁化転移７５，７７の極性の両方の関数であ
る。ＭＲセンサによって生じた電圧信号は、演算増幅器
６２によって検出される。演算増幅器６２は出力信号を
ディスク駆動信号処理回路（図示されていない。）に加
える。同様に、磁気ディスク１２中の磁化転移７５，７
７の極性は、書き込みコイル６７ａを流れる電流の方向
の関数である。図９に示されている順方向バイアス動作
に対しては、書き込み電流パルスＩAE-Wの立上りエッジ
は正の磁化転移７５を生じる。正の磁化転移７５はＭＲ
センサによって検知されるとき正の電圧パルスを生じ
る。
【００１９】図１０は逆方向の電流で動作する回路を示
している。電流源６１はセンサ電流ＩをＭＲセンサ１３
ｂに供給している。しかしながら、電流源６１とＭＲセ
ンサ１３ｂの間の導線６５は逆になっているので、ＭＲ
センサを流れる電流は、図９に示されている回路によっ
て生じる電流の方向と反対になる。したがって、アクチ
ュエータ・ヘッド・スタックに組み立てられたとき、ボ
トム・ヘッド１３ｂには、アクチュエータに関して、ト
ップ・ヘッド１３ａと同じ方向にセンサ電流Ｉが流れ
る。しかしながら、ＭＲヘッドを流れる電流の方向は逆
になっているので、磁化転移に対してボトム・ヘッドに
よって生じた電圧信号は、曲線７１ｂに示されているよ
うに、同じ極性の磁化転移に対してトップ・ヘッドによ
って生じた電圧信号と反対になる。図１０に示された回
路では、コイル６７ｂを流れる電流が、トップ・ヘッド
の書き込みコイル６７ａを流れる電流と同じ方向に流れ
るように、ボトム・ヘッドの書き込みコイル６７ｂは書
き込み回路に接続されている。したがって、ボトム・ヘ
ッドからの書き込みパルスによって磁気媒体中に生じた
磁化転移７５，７７は、トップ・ヘッドの書き込みパル
スによって生じた磁気媒体中の磁化転移７５，７７と同
じになる。その結果、ボトム・ヘッドのＭＲセンサ１３
ｂによって検知されたデータ信号はトップ・ヘッドによ
って検知されたＭＲ信号の極性と反対の極性になる。ト
ップ・ヘッドのデータ信号とボトム・ヘッドのデータ信
号の間の極性の違いは問題にならないので、それは、デ
ータ信号処理回路で明らかにされなければならない。
している。電流源６１はセンサ電流ＩをＭＲセンサ１３
ｂに供給している。しかしながら、電流源６１とＭＲセ
ンサ１３ｂの間の導線６５は逆になっているので、ＭＲ
センサを流れる電流は、図９に示されている回路によっ
て生じる電流の方向と反対になる。したがって、アクチ
ュエータ・ヘッド・スタックに組み立てられたとき、ボ
トム・ヘッド１３ｂには、アクチュエータに関して、ト
ップ・ヘッド１３ａと同じ方向にセンサ電流Ｉが流れ
る。しかしながら、ＭＲヘッドを流れる電流の方向は逆
になっているので、磁化転移に対してボトム・ヘッドに
よって生じた電圧信号は、曲線７１ｂに示されているよ
うに、同じ極性の磁化転移に対してトップ・ヘッドによ
って生じた電圧信号と反対になる。図１０に示された回
路では、コイル６７ｂを流れる電流が、トップ・ヘッド
の書き込みコイル６７ａを流れる電流と同じ方向に流れ
るように、ボトム・ヘッドの書き込みコイル６７ｂは書
き込み回路に接続されている。したがって、ボトム・ヘ
ッドからの書き込みパルスによって磁気媒体中に生じた
磁化転移７５，７７は、トップ・ヘッドの書き込みパル
スによって生じた磁気媒体中の磁化転移７５，７７と同
じになる。その結果、ボトム・ヘッドのＭＲセンサ１３
ｂによって検知されたデータ信号はトップ・ヘッドによ
って検知されたＭＲ信号の極性と反対の極性になる。ト
ップ・ヘッドのデータ信号とボトム・ヘッドのデータ信
号の間の極性の違いは問題にならないので、それは、デ
ータ信号処理回路で明らかにされなければならない。
【００２０】図１１はボトム・ヘッド１３ｂの逆バイア
ス動作をする回路の第二の具体例を示す。図１０に示さ
れた回路と同様に、電流源６１とＭＲヘッド１３ｂの間
の導線６５は逆になっているので、ＭＲヘッド１３ｂを
流れる電流は逆になる。しかしながら、ボトム・ヘッド
の書き込みコイル６７ｂは導線６９が逆になっているの
で、書き込みコイル６７ｂを流れる電流は、トップ・ヘ
ッドの書き込みコイル６７ａを流れる電流と反対方向に
なる。したがって、書き込み電流によって生じた磁化転
移の極性は書き込みコイルを流れる電流の方向の関数で
あるので、書き込みパルスの立上りエッジによって生じ
た磁化転移７７は負の極性を有する。しかるに、書き込
みパルスの立下りエッジは正の極性を有する磁化転移を
生じる。そのとき、逆方向電流が流れるＭＲセンサ１３
ｂの応答は、順方向電流が流れるトップ・ヘッドのＭＲ
センサの応答と対称（すなわち、同じ）である。
ス動作をする回路の第二の具体例を示す。図１０に示さ
れた回路と同様に、電流源６１とＭＲヘッド１３ｂの間
の導線６５は逆になっているので、ＭＲヘッド１３ｂを
流れる電流は逆になる。しかしながら、ボトム・ヘッド
の書き込みコイル６７ｂは導線６９が逆になっているの
で、書き込みコイル６７ｂを流れる電流は、トップ・ヘ
ッドの書き込みコイル６７ａを流れる電流と反対方向に
なる。したがって、書き込み電流によって生じた磁化転
移の極性は書き込みコイルを流れる電流の方向の関数で
あるので、書き込みパルスの立上りエッジによって生じ
た磁化転移７７は負の極性を有する。しかるに、書き込
みパルスの立下りエッジは正の極性を有する磁化転移を
生じる。そのとき、逆方向電流が流れるＭＲセンサ１３
ｂの応答は、順方向電流が流れるトップ・ヘッドのＭＲ
センサの応答と対称（すなわち、同じ）である。
【００２１】本発明は、特に、好ましい具体例に関して
示しそして記載したが、添付した特許請求の範囲で限定
した発明の精神及び範囲から離れることなしに、形及び
細部において、様々な変更を行うことができることは、
この技術に熟練した人々によって理解される。
示しそして記載したが、添付した特許請求の範囲で限定
した発明の精神及び範囲から離れることなしに、形及び
細部において、様々な変更を行うことができることは、
この技術に熟練した人々によって理解される。
【００２２】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）上面及び下面にデータを記録するための複数のデ
ータ・トラックを有する少なくとも一つの磁気記憶媒体
と、スライダの表面に形成され、前記上面及び下面の各
々に隣接し近接して隔てられて維持された磁気抵抗セン
サを含む少なくとも一つの磁気変換器と、前記磁気記憶
媒体上の選択されたデータ・トラックに選択された前記
磁気変換器を動かすための、各々のスライダに結合され
たアクチュエータ手段とを備え、前記スライダが前記ア
クチュエータ手段と共に組み立てられてアクチュエータ
・ヘッド・スタックを形成し、センサ電流が各々の前記
磁気抵抗センサを通して流れ、前記電流の方向が、前記
磁気抵抗センサのすべてについて同じである磁気記憶シ
ステム。 （２）前記磁気抵抗センサによって検知された前記磁気
記憶媒体中に記録されたデータ・ビットの磁界に応答す
る前記磁気抵抗センサの抵抗変化を検出するための前記
磁気抵抗センサに結合された検出手段であって、前記上
面に隣接した前記磁気抵抗センサを通して流れる前記セ
ンス電流と逆方向に前記下面に隣接した前記磁気抵抗セ
ンサを通して流れる前記センス電流を供給するための前
記磁気抵抗センサに結合された電流源を含む検出手段を
備える上記（１）に記載の磁気記憶システム。 （３）前記磁気変換器の各々が書き込みコイルを含み、
前記書き込みコイルが、前記データ・ビットを磁気的に
記録するための書き込み電流に応答し、前記下面に隣接
した書き込みコイルを通して流れる前記書き込み電流の
方向が、前記上面に隣接した書き込みコイルを通して流
れる書き込み電流と逆方向である上記（２）に記載の磁
気記憶システム。 （４）各々が抵抗センサを含む複数の磁気変換器がアク
チュエータ・ヘッド・スタックを形成するアクチュエー
タに組み立てられ、磁気抵抗センサの各々が、関連する
磁気記憶媒体の上面又は下面に隣接して吊され、前記磁
気抵抗センサの各々が、前記アクチュエータ・ヘッド・
スタックの他の磁気抵抗センサに隣接して配置されたと
きに各々の前記磁気抵抗センサを初期設定するための方
法であって、前記磁気抵抗センサの各々を流れるセンス
電流の方向が前記上面に隣接した磁気抵抗センサと前記
下面に隣接した磁気抵抗センサにおいて同じになるよう
にセンス電流を前記磁気抵抗センサの各々に供給するス
テップと、前記磁気抵抗センサのすべてを、同じ方向に
初期設定するために前記アクチュエータ・ヘッド・スタ
ックのすべての前記磁気抵抗センサに一様な磁界を加え
るステップと、を含む磁気抵抗センサを初期設定する方
法。 （５）前記磁気変換器の各々は誘導的な書き込みコイル
を含み、前記誘導的な書き込みコイルの各々に書き込み
電流を供給するステップを含み、前記誘導的な書き込み
コイルの各々を通して流れる前記書き込み電流の方向
が、前記上面に隣接した誘導的な書き込みコイルと、前
記下面に隣接した誘導的な書き込みコイルとで、前記磁
気媒体に対して同じである上記（４）に記載の磁気抵抗
センサを初期設定する方法。 （６）前記磁気変換器の各々は誘導的な書き込みコイル
を含み、前記誘導的な書き込みコイルの各々に書き込み
電流を供給するステップを含み、下面に隣接した前記書
き込みコイルの各々を通して流れる前記書き込み電流の
方向が、上面に隣接した前記書き込みコイルの各々を通
して流れる前記書き込み電流の方向と反対である上記
（４）に記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 （７）前記一様な磁界が永久磁石手段によって生じる上
記（４）に記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 （８）前記一様な磁界が電磁石手段によって生じる上記
（４）に記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 （９）各々のスライダが少なくとも一つの磁気変換器を
支持し、前記磁気変換器の各々が磁気抵抗センサを含む
複数のスライダと、外側に伸びている複数の支持アーム
を含み、前記スライダの少なくとも一つが、各々の前記
支持アームに結合されそして支持され、前記支持された
スライダの各々がトップ・スライダ又はボトム・スライ
ダである支持手段と、前記磁気抵抗センサの各々にセン
サ電流を供給するための電流源に、前記磁気抵抗センサ
の各々を結合するための電気導線手段であって、トップ
・スライダによって支持された前記磁気抵抗センサのセ
ンス電流の方向が、ボトム・スライダに支持された前記
磁気抵抗センサのセンス電流の方向と同じになるように
前記磁気抵抗センサの各々に前記センス電流を供給する
ように接続された電気導線手段と、を含む磁気記憶シス
テムに使うためのヘッド・スタック・アセンブリ。 （１０）前記磁気変換器の各々が誘導的な書き込みコイ
ルを含み、前記電気的導線手段が、前記誘導的な書き込
みコイルの各々に、書き込み電流を供給するように接続
され、前記誘導的な書き込みコイルの各々の書き込み電
流の方向が、前記磁気変換器に対して同じである上記
（９）に記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 （１１）前記磁気変換器の各々が誘導的な書き込みコイ
ルを含み、前記電気的導線手段が、前記誘導的な書き込
みコイルの各々に、書き込み電流を供給するように接続
され、ボトム・センサによって支持された誘導的な書き
込みコイルの書き込み電流の方向が、前記磁気変換器に
対して、トップ・スライダによって支持された誘導的な
書き込みコイルの書き込み電流の方向と反対である上記
（９）に記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 （１２）アクチュエータ手段を更に備え、前記支持手段
が前記アクチュエータ手段にマウントされた上記（９）
に記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 （１３）前記アクチュエータ手段がボイス・コイル・モ
ータ手段を含む上記（１２）に記載のヘッド・スタック
・アセンブリ。 （１４）複数のサスペンション手段を更に備え、前記ス
ライダの各々が前記サスペンション手段によって取り付
けられ、そして、支持され、前記サスペンション手段の
少なくとも一つが前記支持アームの各々に取り付けられ
ている上記（９）に記載のヘッド・スタック・アセンブ
リ。
の事項を開示する。 （１）上面及び下面にデータを記録するための複数のデ
ータ・トラックを有する少なくとも一つの磁気記憶媒体
と、スライダの表面に形成され、前記上面及び下面の各
々に隣接し近接して隔てられて維持された磁気抵抗セン
サを含む少なくとも一つの磁気変換器と、前記磁気記憶
媒体上の選択されたデータ・トラックに選択された前記
磁気変換器を動かすための、各々のスライダに結合され
たアクチュエータ手段とを備え、前記スライダが前記ア
クチュエータ手段と共に組み立てられてアクチュエータ
・ヘッド・スタックを形成し、センサ電流が各々の前記
磁気抵抗センサを通して流れ、前記電流の方向が、前記
磁気抵抗センサのすべてについて同じである磁気記憶シ
ステム。 （２）前記磁気抵抗センサによって検知された前記磁気
記憶媒体中に記録されたデータ・ビットの磁界に応答す
る前記磁気抵抗センサの抵抗変化を検出するための前記
磁気抵抗センサに結合された検出手段であって、前記上
面に隣接した前記磁気抵抗センサを通して流れる前記セ
ンス電流と逆方向に前記下面に隣接した前記磁気抵抗セ
ンサを通して流れる前記センス電流を供給するための前
記磁気抵抗センサに結合された電流源を含む検出手段を
備える上記（１）に記載の磁気記憶システム。 （３）前記磁気変換器の各々が書き込みコイルを含み、
前記書き込みコイルが、前記データ・ビットを磁気的に
記録するための書き込み電流に応答し、前記下面に隣接
した書き込みコイルを通して流れる前記書き込み電流の
方向が、前記上面に隣接した書き込みコイルを通して流
れる書き込み電流と逆方向である上記（２）に記載の磁
気記憶システム。 （４）各々が抵抗センサを含む複数の磁気変換器がアク
チュエータ・ヘッド・スタックを形成するアクチュエー
タに組み立てられ、磁気抵抗センサの各々が、関連する
磁気記憶媒体の上面又は下面に隣接して吊され、前記磁
気抵抗センサの各々が、前記アクチュエータ・ヘッド・
スタックの他の磁気抵抗センサに隣接して配置されたと
きに各々の前記磁気抵抗センサを初期設定するための方
法であって、前記磁気抵抗センサの各々を流れるセンス
電流の方向が前記上面に隣接した磁気抵抗センサと前記
下面に隣接した磁気抵抗センサにおいて同じになるよう
にセンス電流を前記磁気抵抗センサの各々に供給するス
テップと、前記磁気抵抗センサのすべてを、同じ方向に
初期設定するために前記アクチュエータ・ヘッド・スタ
ックのすべての前記磁気抵抗センサに一様な磁界を加え
るステップと、を含む磁気抵抗センサを初期設定する方
法。 （５）前記磁気変換器の各々は誘導的な書き込みコイル
を含み、前記誘導的な書き込みコイルの各々に書き込み
電流を供給するステップを含み、前記誘導的な書き込み
コイルの各々を通して流れる前記書き込み電流の方向
が、前記上面に隣接した誘導的な書き込みコイルと、前
記下面に隣接した誘導的な書き込みコイルとで、前記磁
気媒体に対して同じである上記（４）に記載の磁気抵抗
センサを初期設定する方法。 （６）前記磁気変換器の各々は誘導的な書き込みコイル
を含み、前記誘導的な書き込みコイルの各々に書き込み
電流を供給するステップを含み、下面に隣接した前記書
き込みコイルの各々を通して流れる前記書き込み電流の
方向が、上面に隣接した前記書き込みコイルの各々を通
して流れる前記書き込み電流の方向と反対である上記
（４）に記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 （７）前記一様な磁界が永久磁石手段によって生じる上
記（４）に記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 （８）前記一様な磁界が電磁石手段によって生じる上記
（４）に記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 （９）各々のスライダが少なくとも一つの磁気変換器を
支持し、前記磁気変換器の各々が磁気抵抗センサを含む
複数のスライダと、外側に伸びている複数の支持アーム
を含み、前記スライダの少なくとも一つが、各々の前記
支持アームに結合されそして支持され、前記支持された
スライダの各々がトップ・スライダ又はボトム・スライ
ダである支持手段と、前記磁気抵抗センサの各々にセン
サ電流を供給するための電流源に、前記磁気抵抗センサ
の各々を結合するための電気導線手段であって、トップ
・スライダによって支持された前記磁気抵抗センサのセ
ンス電流の方向が、ボトム・スライダに支持された前記
磁気抵抗センサのセンス電流の方向と同じになるように
前記磁気抵抗センサの各々に前記センス電流を供給する
ように接続された電気導線手段と、を含む磁気記憶シス
テムに使うためのヘッド・スタック・アセンブリ。 （１０）前記磁気変換器の各々が誘導的な書き込みコイ
ルを含み、前記電気的導線手段が、前記誘導的な書き込
みコイルの各々に、書き込み電流を供給するように接続
され、前記誘導的な書き込みコイルの各々の書き込み電
流の方向が、前記磁気変換器に対して同じである上記
（９）に記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 （１１）前記磁気変換器の各々が誘導的な書き込みコイ
ルを含み、前記電気的導線手段が、前記誘導的な書き込
みコイルの各々に、書き込み電流を供給するように接続
され、ボトム・センサによって支持された誘導的な書き
込みコイルの書き込み電流の方向が、前記磁気変換器に
対して、トップ・スライダによって支持された誘導的な
書き込みコイルの書き込み電流の方向と反対である上記
（９）に記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 （１２）アクチュエータ手段を更に備え、前記支持手段
が前記アクチュエータ手段にマウントされた上記（９）
に記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 （１３）前記アクチュエータ手段がボイス・コイル・モ
ータ手段を含む上記（１２）に記載のヘッド・スタック
・アセンブリ。 （１４）複数のサスペンション手段を更に備え、前記ス
ライダの各々が前記サスペンション手段によって取り付
けられ、そして、支持され、前記サスペンション手段の
少なくとも一つが前記支持アームの各々に取り付けられ
ている上記（９）に記載のヘッド・スタック・アセンブ
リ。
【図１】本発明の磁気ディスク記憶システムの簡単化さ
れたブロック・ダイアグラムである。
れたブロック・ダイアグラムである。
【図２】アクチュエータ・ヘッド・スタックのスライダ
と関連する変換器とからなる装置を説明するアクチュエ
ータ・アセンブリの鳥瞰図である。
と関連する変換器とからなる装置を説明するアクチュエ
ータ・アセンブリの鳥瞰図である。
【図３】普通の磁気抵抗読み出し変換器の断面図であ
る。
る。
【図４】図３に示されているＭＲヘッドのバイアス磁界
とセンス電流の方向を説明するダイアグラムである。
とセンス電流の方向を説明するダイアグラムである。
【図５】従来技術のアクチュエータ・ヘッド・スタック
・アセンブリにおけるＭＲヘッドのセンス電流方向と関
連する初期設定磁界の方向を説明するダイアグラムであ
る。
・アセンブリにおけるＭＲヘッドのセンス電流方向と関
連する初期設定磁界の方向を説明するダイアグラムであ
る。
【図６】本発明の原理によるアクチュエータ・ヘッド・
スタック・アセンブリのＭＲヘッドのセンス電流の方向
と関連する初期設定磁界の方向を説明するダイアグラム
である。
スタック・アセンブリのＭＲヘッドのセンス電流の方向
と関連する初期設定磁界の方向を説明するダイアグラム
である。
【図７】従来技術の初期設定工程を説明する吊されたＭ
Ｒヘッドの上面図である。
Ｒヘッドの上面図である。
【図８】図２に示されているアクチュエータ・ヘッド・
スタック・アセンブリに対して本発明の原理にしたがっ
てアクチュエータ・レベルの初期設定を説明する鳥瞰図
である。
スタック・アセンブリに対して本発明の原理にしたがっ
てアクチュエータ・レベルの初期設定を説明する鳥瞰図
である。
【図９】本発明の原理によるＭＲセンサのセンス電流と
書き込み電流の回路の好ましい具体例を説明する簡単化
された第１の回路図である。
書き込み電流の回路の好ましい具体例を説明する簡単化
された第１の回路図である。
【図１０】本発明の原理によるＭＲセンサのセンス電流
と書き込み電流の回路の好ましい具体例を説明する簡単
化された第２の回路図である。
と書き込み電流の回路の好ましい具体例を説明する簡単
化された第２の回路図である。
【図１１】本発明の原理によるＭＲセンサのセンス電流
と書き込み電流の回路の好ましい具体例を説明する簡単
化された第３の回路図である。
と書き込み電流の回路の好ましい具体例を説明する簡単
化された第３の回路図である。
１２ 磁気ディスク １３ スライダ １３ａ トップ・ヘッド １３ｂ ボトム・ヘッド １４ スピンドル １５ サスペンション １８ ディスク駆動モータ １９ アクチュエータ支持アーム ２１ 読み出し／書き込みヘッド ２２ ディスク面 ２３，２８ 線路 ２５ 記録チャネル ２６ ピボット・アセンブリ ２７ ＶＣＭ ２９ 制御装置 ３０ ＭＲセンサ ３２ ＭＲ素子 ３６ センサ端部領域 ３８ 横方向バイアス層 ４２ 非磁性スペーサ層 ４３ 縦方向バイアス層 ４４ 中央アクティブ領域 ４６ 読み出し導体 ５３ 磁石 ６１ 電流源 ６３，６５，６９ 導線 ６７ａ，６７ｂ 書き込みコイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青柳 彰彦 神奈川県藤沢市白旗２−16−６ (72)発明者 柳沢 洋 神奈川県鎌倉市七里ケ浜１−９−23 (72)発明者 寺島 弘 神奈川県茅ケ崎市柳島海岸1280−65 (72)発明者 黒木 賢二 神奈川県藤沢市天神町２−22−２−102 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39 G11B 19/02 501
Claims (14)
- 【請求項１】上面及び下面にデータを記録するための複
数のデータ・トラックを有する少なくとも一つの磁気記
憶媒体と、 スライダの表面に形成され、前記上面及び下面の各々に
隣接し近接して隔てられて維持された磁気抵抗センサを
含む少なくとも一つの磁気変換器と、 前記磁気記憶媒体上の選択されたデータ・トラックに選
択された前記磁気変換器を動かすための、各々のスライ
ダに結合されたアクチュエータ手段とを備え、 前記スライダが前記アクチュエータ手段と共に組み立て
られてアクチュエータ・ヘッド・スタックを形成し、セ
ンサ電流が各々の前記磁気抵抗センサを通して流れ、前
記電流の方向が、前記磁気抵抗センサのすべてについて
同じである磁気記憶システム。 - 【請求項２】前記磁気抵抗センサによって検知された前
記磁気記憶媒体中に記録されたデータ・ビットの磁界に
応答する前記磁気抵抗センサの抵抗変化を検出するため
の前記磁気抵抗センサに結合された検出手段であって、
前記上面に隣接した前記磁気抵抗センサを通して流れる
前記センス電流と逆方向に前記下面に隣接した前記磁気
抵抗センサを通して流れる前記センス電流を供給するた
めの前記磁気抵抗センサに結合された電流源を含む検出
手段を備える請求項１記載の磁気記憶システム。 - 【請求項３】前記磁気変換器の各々が書き込みコイルを
含み、前記書き込みコイルが、前記データ・ビットを磁
気的に記録するための書き込み電流に応答し、前記下面
に隣接した書き込みコイルを通して流れる前記書き込み
電流の方向が、前記上面に隣接した書き込みコイルを通
して流れる書き込み電流と逆方向である請求項２記載の
磁気記憶システム。 - 【請求項４】各々が抵抗センサを含む複数の磁気変換器
がアクチュエータ・ヘッド・スタックを形成するアクチ
ュエータに組み立てられ、磁気抵抗センサの各々が、関
連する磁気記憶媒体の上面又は下面に隣接して吊され、
前記磁気抵抗センサの各々が、前記アクチュエータ・ヘ
ッド・スタックの他の磁気抵抗センサに隣接して配置さ
れたときに各々の前記磁気抵抗センサを初期設定するた
めの方法であって、 前記磁気抵抗センサの各々を流れるセンス電流の方向が
前記上面に隣接した磁気抵抗センサと前記下面に隣接し
た磁気抵抗センサにおいて同じになるようにセンス電流
を前記磁気抵抗センサの各々に供給するステップと、 前記磁気抵抗センサのすべてを、同じ方向に初期設定す
るために前記アクチュエータ・ヘッド・スタックのすべ
ての前記磁気抵抗センサに一様な磁界を加えるステップ
と、を含む磁気抵抗センサを初期設定する方法。 - 【請求項５】前記磁気変換器の各々は誘導的な書き込み
コイルを含み、前記誘導的な書き込みコイルの各々に書
き込み電流を供給するステップを含み、前記誘導的な書
き込みコイルの各々を通して流れる前記書き込み電流の
方向が、前記上面に隣接した誘導的な書き込みコイル
と、前記下面に隣接した誘導的な書き込みコイルとで、
前記磁気媒体に対して同じである請求項４記載の磁気抵
抗センサを初期設定する方法。 - 【請求項６】前記磁気変換器の各々は誘導的な書き込み
コイルを含み、前記誘導的な書き込みコイルの各々に書
き込み電流を供給するステップを含み、下面に隣接した
前記書き込みコイルの各々を通して流れる前記書き込み
電流の方向が、上面に隣接した前記書き込みコイルの各
々を通して流れる前記書き込み電流の方向と反対である
請求項４記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 - 【請求項７】前記一様な磁界が永久磁石手段によって生
じる請求項４記載の磁気抵抗センサを初期設定する方
法。 - 【請求項８】前記一様な磁界が電磁石手段によって生じ
る請求項４記載の磁気抵抗センサを初期設定する方法。 - 【請求項９】各々のスライダが少なくとも一つの磁気変
換器を支持し、前記磁気変換器の各々が磁気抵抗センサ
を含む複数のスライダと、 外側に伸びている複数の支持アームを含み、前記スライ
ダの少なくとも一つが、各々の前記支持アームに結合さ
れそして支持され、前記支持されたスライダの各々がト
ップ・スライダ又はボトム・スライダである支持手段
と、 前記磁気抵抗センサの各々にセンサ電流を供給するため
の電流源に、前記磁気抵抗センサの各々を結合するため
の電気導線手段であって、トップ・スライダによって支
持された前記磁気抵抗センサのセンス電流の方向が、ボ
トム・スライダに支持された前記磁気抵抗センサのセン
ス電流の方向と同じになるように前記磁気抵抗センサの
各々に前記センス電流を供給するように接続された電気
導線手段と、を含む磁気記憶システムに使うためのヘッ
ド・スタック・アセンブリ。 - 【請求項１０】前記磁気変換器の各々が誘導的な書き込
みコイルを含み、前記電気的導線手段が、前記誘導的な
書き込みコイルの各々に、書き込み電流を供給するよう
に接続され、前記誘導的な書き込みコイルの各々の書き
込み電流の方向が、前記磁気変換器に対して同じである
請求項９記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 - 【請求項１１】前記磁気変換器の各々が誘導的な書き込
みコイルを含み、前記電気的導線手段が、前記誘導的な
書き込みコイルの各々に、書き込み電流を供給するよう
に接続され、ボトム・センサによって支持された誘導的
な書き込みコイルの書き込み電流の方向が、前記磁気変
換器に対して、トップ・スライダによって支持された誘
導的な書き込みコイルの書き込み電流の方向と反対であ
る請求項９記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 - 【請求項１２】アクチュエータ手段を更に備え、前記支
持手段が前記アクチュエータ手段にマウントされた請求
項９記載のヘッド・スタック・アセンブリ。 - 【請求項１３】前記アクチュエータ手段がボイス・コイ
ル・モータ手段を含む請求項１２記載のヘッド・スタッ
ク・アセンブリ。 - 【請求項１４】複数のサスペンション手段を更に備え、
前記スライダの各々が前記サスペンション手段によって
取り付けられ、そして、支持され、前記サスペンション
手段の少なくとも一つが前記支持アームの各々に取り付
けられている請求項９記載のヘッド・スタック・アセン
ブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US221813 | 1994-04-01 | ||
| US08/221,813 US5576908A (en) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | Actuator and file level initialization of magnetoresistive transducers |
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|---|---|
| JPH0845036A JPH0845036A (ja) | 1996-02-16 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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