JP3131680B2 - 銅めっき線の製造方法 - Google Patents
銅めっき線の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅めっき線の製造
方法に関し、さらに詳しくは、作業性良く，低コスト
に、品質の良い銅めっき線を製造することが出来る銅め
っき線の製造方法に関する。
方法に関し、さらに詳しくは、作業性良く，低コスト
に、品質の良い銅めっき線を製造することが出来る銅め
っき線の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７に、従来の銅めっき線の一例である
極細同軸線Ｌ１を示す。この極細同軸線Ｌ１は、直径が
０．１０ｍｍ〜０．３０ｍｍ程度の銅線からなる中心導
体１の外周に０．２３ｍｍ程度の厚さの低誘電率絶縁体
２を形成し、その外周に０．０１μｍ〜０．６μｍの厚
さｄ１の高抵抗ニッケル−リン薄膜３を形成した被めっ
き線材の外周に、蒸着法やスパッタ法などの物理的方法
や無電解めっき法などの化学的方法により、数十μｍか
ら数百μｍ（例えば３０μｍ〜１００μｍ）の厚さの銅
めっき層５を形成して製造されたものである。この極細
同軸線Ｌ１の外径は、０．７２ｍｍ〜０．８６ｍｍ程度
となる。
極細同軸線Ｌ１を示す。この極細同軸線Ｌ１は、直径が
０．１０ｍｍ〜０．３０ｍｍ程度の銅線からなる中心導
体１の外周に０．２３ｍｍ程度の厚さの低誘電率絶縁体
２を形成し、その外周に０．０１μｍ〜０．６μｍの厚
さｄ１の高抵抗ニッケル−リン薄膜３を形成した被めっ
き線材の外周に、蒸着法やスパッタ法などの物理的方法
や無電解めっき法などの化学的方法により、数十μｍか
ら数百μｍ（例えば３０μｍ〜１００μｍ）の厚さの銅
めっき層５を形成して製造されたものである。この極細
同軸線Ｌ１の外径は、０．７２ｍｍ〜０．８６ｍｍ程度
となる。
【０００３】図８に、従来の銅めっき線の他の一例であ
る極細同軸線Ｌを示す。この極細同軸線Ｌは、直径が
０．１０ｍｍ〜０．３０ｍｍ程度の銅線からなる中心導
体１の外周に０．２３ｍｍ程度の厚さの低誘電率絶縁体
２を形成し、その外周に０．０１μｍ〜０．６μｍ程度
の厚さｄ１の高抵抗ニッケル−リン薄膜３を形成した被
めっき線材の外周に、シアン化合物（シアン化第１銅
や，シアン化ナトリウムまたはシアン化カリウム等）を
多く含有するシアン化銅めっき溶液（強アルカリ性）ま
たは硫酸銅めっき溶液（強酸性）を用いて、１μｍ〜４
μｍ程度の厚さｄ２の銅めっき薄膜中間層４を形成し、
その後、数十μｍから数百μｍ（例えば５０μｍ〜１０
０μｍ）の銅めっき層５を電気めっきにより形成して製
造されたものである。この極細同軸線Ｌの外径は、０．
７２ｍｍ〜０．８６ｍｍ程度となる。前記硫酸銅めっき
溶液の組成は、一般浴では、硫酸銅２２０ｇ／リットル程
度、硫酸（比重１．８４）６０ｇ／リットル程度であり、高
硫酸浴では、硫酸銅７５ｇ／リットル程度、硫酸（比重１．
８４）１９０ｇ／リットル程度である。
る極細同軸線Ｌを示す。この極細同軸線Ｌは、直径が
０．１０ｍｍ〜０．３０ｍｍ程度の銅線からなる中心導
体１の外周に０．２３ｍｍ程度の厚さの低誘電率絶縁体
２を形成し、その外周に０．０１μｍ〜０．６μｍ程度
の厚さｄ１の高抵抗ニッケル−リン薄膜３を形成した被
めっき線材の外周に、シアン化合物（シアン化第１銅
や，シアン化ナトリウムまたはシアン化カリウム等）を
多く含有するシアン化銅めっき溶液（強アルカリ性）ま
たは硫酸銅めっき溶液（強酸性）を用いて、１μｍ〜４
μｍ程度の厚さｄ２の銅めっき薄膜中間層４を形成し、
その後、数十μｍから数百μｍ（例えば５０μｍ〜１０
０μｍ）の銅めっき層５を電気めっきにより形成して製
造されたものである。この極細同軸線Ｌの外径は、０．
７２ｍｍ〜０．８６ｍｍ程度となる。前記硫酸銅めっき
溶液の組成は、一般浴では、硫酸銅２２０ｇ／リットル程
度、硫酸（比重１．８４）６０ｇ／リットル程度であり、高
硫酸浴では、硫酸銅７５ｇ／リットル程度、硫酸（比重１．
８４）１９０ｇ／リットル程度である。
【０００４】なお、高抵抗ニッケル−リン薄膜などの絶
縁層の上に直接に電気めっきで厚めっきを施そうとする
と、給電部と被めっき線材との接触抵抗が大きいため、
通電が不安定となり、焦げを生じたり、絶縁層が溶融し
たりする不都合を生じる。そこで、これを防止するた
め、前記銅めっき薄膜中間層４を形成している。
縁層の上に直接に電気めっきで厚めっきを施そうとする
と、給電部と被めっき線材との接触抵抗が大きいため、
通電が不安定となり、焦げを生じたり、絶縁層が溶融し
たりする不都合を生じる。そこで、これを防止するた
め、前記銅めっき薄膜中間層４を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す極細同軸線
Ｌ１において、蒸着法やスパッタ法などの物理的方法で
銅めっき層５を形成するには、１０-2Torr〜１０-4Torr
程度という高真空にしなければならないため、作業性が
悪い問題点がある。また、大型・複雑な製造装置が必要
であり、生産コストが高くなる問題点がある。また、無
電解めっきなどの化学的方法で銅めっき層５を形成する
と、厚めっきに長時間を要し、生産コストが高くなる問
題点がある。
Ｌ１において、蒸着法やスパッタ法などの物理的方法で
銅めっき層５を形成するには、１０-2Torr〜１０-4Torr
程度という高真空にしなければならないため、作業性が
悪い問題点がある。また、大型・複雑な製造装置が必要
であり、生産コストが高くなる問題点がある。また、無
電解めっきなどの化学的方法で銅めっき層５を形成する
と、厚めっきに長時間を要し、生産コストが高くなる問
題点がある。
【０００６】一方、図８に示す極細同軸線Ｌにおいて、
銅めっき薄膜中間層４を形成するのにシアン化銅めっき
溶液を用いた場合、シアン化合物（毒性が極めて強い）
の取り扱いに細心の注意を払う必要があり、作業性が悪
い問題点がある。また、シアン化合物を回収して再利用
を図るクローズドシステムを整備，運用しなければなら
ず、生産コストが高くなる問題点がある。また、銅めっ
き薄膜中間層４を形成するのに硫酸銅めっき溶液を用い
た場合、給電部での被めっき線材との接触抵抗を下げる
ため、硫酸銅めっき浴の中に給電滑車を設けている。と
ころが、硫酸銅めっき浴の中に給電滑車を設けると、銅
が給電滑車にも析出するため、厚さの管理が困難とな
り、品質が低下する問題点がある。
銅めっき薄膜中間層４を形成するのにシアン化銅めっき
溶液を用いた場合、シアン化合物（毒性が極めて強い）
の取り扱いに細心の注意を払う必要があり、作業性が悪
い問題点がある。また、シアン化合物を回収して再利用
を図るクローズドシステムを整備，運用しなければなら
ず、生産コストが高くなる問題点がある。また、銅めっ
き薄膜中間層４を形成するのに硫酸銅めっき溶液を用い
た場合、給電部での被めっき線材との接触抵抗を下げる
ため、硫酸銅めっき浴の中に給電滑車を設けている。と
ころが、硫酸銅めっき浴の中に給電滑車を設けると、銅
が給電滑車にも析出するため、厚さの管理が困難とな
り、品質が低下する問題点がある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、作業性良く，低
コストに、品質の良い銅めっき線を製造することが出来
る銅めっき線の製造方法を提供することにある。
コストに、品質の良い銅めっき線を製造することが出来
る銅めっき線の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、中心導体（１）の外周に低誘電率絶縁体（２）を形
成しその外周に高抵抗薄膜（３）を形成した構造を有す
る被めっき線材（ｓ）を、ノーシアン溶液の硫酸銅めっ
き溶液（Ｑ）またはピロリン酸銅めっき溶液が循環的に
汲み上げられてオーバフロー槽（３１）に常に満たされ
ている銅めっき浴（Ｙ）に直線的に通過させると共に、
前記オーバフロー槽（３１）の外側で線材の走行方向下
流側にのみ設けた給電ローラ（２２）であってその周面
の進行速度が線材の走行速度より１％〜２％だけ遅くな
るように回転されている給電ローラ（２２）の周面に接
触させて前記被めっき線材（ｓ）に給電して銅めっき薄
膜中間層（４）を電気めっきにより形成し、その後、前
記銅めっき薄膜中間層（４）の外周に厚さ数十μｍから
数百μｍの銅めっき層（５）を電気めっきにより形成す
ることを特徴とする銅めっき線の製造方法を提供する。
上記第１の観点の銅めっき線の製造方法では、ノーシア
ン溶液の硫酸銅めっき溶液（Ｑ）またはピロリン酸銅め
っき溶液からなる銅めっき浴を用い、シアン化合物のよ
うな毒性の強い銅めっき浴を用いないから、作業性が良
くなり、製造装置の簡略化が可能となり、生産コストを
低減できる。また、オーバフロー槽（３１）を用いて直
線的に被めっき線材（ｓ）を通過させるから、被めっき
線材（ｓ）の屈曲による高抵抗薄膜（３）の損傷が生じ
ず、品質を向上できる。また、オーバフロー槽（３１）
の外側に設けた給電ローラ（２２）から被めっき線材
（ｓ）に給電するから、銅が給電ローラ（２２）に析出
して厚さの管理が困難となることが抑制され、品質を向
上できる。また、線材の走行方向下流側のみに設けた給
電ローラ（２２）から被めっき線材（ｓ）に給電するか
ら、オーバフロー槽（３１）を通過することにより形成
された低抵抗の銅めっき薄膜中間層（４）に給電ローラ
（２２）が接触するため通電が安定し、品質を向上でき
る。これに対して、線材の走行方向上流側に給電ローラ
を設けても、高抵抗薄膜（３）に給電ローラが接触する
ため損失が大きくなり、好ましくない。また、給電ロー
ラ（２２）の周面の進行速度が線材の走行速度より１％
〜２％ だけ遅くなるように給電ローラ（２２）が回転さ
れているため、給電ローラ（２２）通過後の線材にわず
かなバックテンションが掛かり、線材の弛みを防止でき
る。
は、中心導体（１）の外周に低誘電率絶縁体（２）を形
成しその外周に高抵抗薄膜（３）を形成した構造を有す
る被めっき線材（ｓ）を、ノーシアン溶液の硫酸銅めっ
き溶液（Ｑ）またはピロリン酸銅めっき溶液が循環的に
汲み上げられてオーバフロー槽（３１）に常に満たされ
ている銅めっき浴（Ｙ）に直線的に通過させると共に、
前記オーバフロー槽（３１）の外側で線材の走行方向下
流側にのみ設けた給電ローラ（２２）であってその周面
の進行速度が線材の走行速度より１％〜２％だけ遅くな
るように回転されている給電ローラ（２２）の周面に接
触させて前記被めっき線材（ｓ）に給電して銅めっき薄
膜中間層（４）を電気めっきにより形成し、その後、前
記銅めっき薄膜中間層（４）の外周に厚さ数十μｍから
数百μｍの銅めっき層（５）を電気めっきにより形成す
ることを特徴とする銅めっき線の製造方法を提供する。
上記第１の観点の銅めっき線の製造方法では、ノーシア
ン溶液の硫酸銅めっき溶液（Ｑ）またはピロリン酸銅め
っき溶液からなる銅めっき浴を用い、シアン化合物のよ
うな毒性の強い銅めっき浴を用いないから、作業性が良
くなり、製造装置の簡略化が可能となり、生産コストを
低減できる。また、オーバフロー槽（３１）を用いて直
線的に被めっき線材（ｓ）を通過させるから、被めっき
線材（ｓ）の屈曲による高抵抗薄膜（３）の損傷が生じ
ず、品質を向上できる。また、オーバフロー槽（３１）
の外側に設けた給電ローラ（２２）から被めっき線材
（ｓ）に給電するから、銅が給電ローラ（２２）に析出
して厚さの管理が困難となることが抑制され、品質を向
上できる。また、線材の走行方向下流側のみに設けた給
電ローラ（２２）から被めっき線材（ｓ）に給電するか
ら、オーバフロー槽（３１）を通過することにより形成
された低抵抗の銅めっき薄膜中間層（４）に給電ローラ
（２２）が接触するため通電が安定し、品質を向上でき
る。これに対して、線材の走行方向上流側に給電ローラ
を設けても、高抵抗薄膜（３）に給電ローラが接触する
ため損失が大きくなり、好ましくない。また、給電ロー
ラ（２２）の周面の進行速度が線材の走行速度より１％
〜２％ だけ遅くなるように給電ローラ（２２）が回転さ
れているため、給電ローラ（２２）通過後の線材にわず
かなバックテンションが掛かり、線材の弛みを防止でき
る。
【０００９】上記構成の銅めっき線の製造方法におい
て、前記硫酸銅めっき溶液（Ｑ）の組成が硫酸銅８０〜
１２０ｇ／リットル，硫酸（比重１．８４）８０〜１２０ｇ
／リットルであり、前記ピロリン酸銅めっき溶液の組成がピ
ロリン酸銅６５〜１０５ｇ／リットル，ピロリン酸カリウム
２３０〜３７０ｇ／リットル，アンモニア水２〜４ミリリットル／
リットルであることが好ましい。従来の一般浴の硫酸銅めっ
き溶液と比べて、銅濃度を抑制し、硫酸の濃度を増大し
ているから、電導度が高くなり、銅めっき浴（Ｙ）の外
部で給電を行っても、十分なスローイング効果を得られ
る。また、従来の高硫酸浴の硫酸銅めっき溶液と比べ
て、銅濃度を増大して、硫酸の濃度を抑制しているか
ら、電流密度を高め、めっき時間を短縮することが出来
る。
て、前記硫酸銅めっき溶液（Ｑ）の組成が硫酸銅８０〜
１２０ｇ／リットル，硫酸（比重１．８４）８０〜１２０ｇ
／リットルであり、前記ピロリン酸銅めっき溶液の組成がピ
ロリン酸銅６５〜１０５ｇ／リットル，ピロリン酸カリウム
２３０〜３７０ｇ／リットル，アンモニア水２〜４ミリリットル／
リットルであることが好ましい。従来の一般浴の硫酸銅めっ
き溶液と比べて、銅濃度を抑制し、硫酸の濃度を増大し
ているから、電導度が高くなり、銅めっき浴（Ｙ）の外
部で給電を行っても、十分なスローイング効果を得られ
る。また、従来の高硫酸浴の硫酸銅めっき溶液と比べ
て、銅濃度を増大して、硫酸の濃度を抑制しているか
ら、電流密度を高め、めっき時間を短縮することが出来
る。
【００１０】第２の観点では、本発明は、上記構成の銅
めっき線の製造方法において、平行に並べられた複数の
被めっき線材（ｓ）を連続走行させ、それら被めっき線
材（ｓ）を１つのオーバフロー槽（３１）内の銅めっき
浴（Ｙ）に同時に通過させ、オーバフロー槽（３１）の
外側で線材の走行方向下流側にのみ設けた１つの給電ロ
ーラ（２２）の周面に接触させて給電し、フラッシュめ
っきにより外周に銅めっき薄膜中間層（４）を形成する
ことを特徴とする銅めっき線の製造方法を提供する。上
記第２の観点の銅めっき線の製造方法では、１つのオー
バフロー槽（３１）と１つの給電ローラ（２２）とで複
数の被めっき線材（ｓ）に同時に銅めっき薄膜中間層
（４）を形成でき、設備の利用効率および生産性を向上
することが出来る。
めっき線の製造方法において、平行に並べられた複数の
被めっき線材（ｓ）を連続走行させ、それら被めっき線
材（ｓ）を１つのオーバフロー槽（３１）内の銅めっき
浴（Ｙ）に同時に通過させ、オーバフロー槽（３１）の
外側で線材の走行方向下流側にのみ設けた１つの給電ロ
ーラ（２２）の周面に接触させて給電し、フラッシュめ
っきにより外周に銅めっき薄膜中間層（４）を形成する
ことを特徴とする銅めっき線の製造方法を提供する。上
記第２の観点の銅めっき線の製造方法では、１つのオー
バフロー槽（３１）と１つの給電ローラ（２２）とで複
数の被めっき線材（ｓ）に同時に銅めっき薄膜中間層
（４）を形成でき、設備の利用効率および生産性を向上
することが出来る。
【００１１】なお、上記構成において、低誘電率絶縁体
（２）としては、４弗化エチレン樹脂（ＰolyＴetraＦl
uoroＥthylene；ＰＴＦＥ）や，４弗化エチレン-パーフ
ロロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰerＦluor
oＡlkoxyl;ＰＦＡ）や，４弗化エチレン-６弗化プロピ
レン共重合体樹脂（Ｆluorinated Ｅthylene-Ｐropylen
e；ＦＥＰ）や，４弗化エチレン−エチレン共重合体樹
脂（Ｅthylene ＴetraＦluoroＥthylene；ＥＴＦＥ）な
どの弗素系樹脂を用いることが好ましい。また、高抵抗
薄膜（３）としては、銅めっきの下地としての特性上の
観点から、高抵抗ニッケル−リン薄膜を用いることが好
ましい。また、その高抵抗ニッケル−リン薄膜における
リン組成比率を２％〜１５％とし、その体積固有抵抗を
２０×１０-8Ω・ｍ〜１００×１０-8Ω・ｍとするのが
好ましい。また、銅めっき薄膜中間層（４）を形成する
ための電気めっきとしては、比較的に短時間で薄い銅め
っき薄膜を析出可能な「フラッシュめっき」とするのが
好ましい。
（２）としては、４弗化エチレン樹脂（ＰolyＴetraＦl
uoroＥthylene；ＰＴＦＥ）や，４弗化エチレン-パーフ
ロロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰerＦluor
oＡlkoxyl;ＰＦＡ）や，４弗化エチレン-６弗化プロピ
レン共重合体樹脂（Ｆluorinated Ｅthylene-Ｐropylen
e；ＦＥＰ）や，４弗化エチレン−エチレン共重合体樹
脂（Ｅthylene ＴetraＦluoroＥthylene；ＥＴＦＥ）な
どの弗素系樹脂を用いることが好ましい。また、高抵抗
薄膜（３）としては、銅めっきの下地としての特性上の
観点から、高抵抗ニッケル−リン薄膜を用いることが好
ましい。また、その高抵抗ニッケル−リン薄膜における
リン組成比率を２％〜１５％とし、その体積固有抵抗を
２０×１０-8Ω・ｍ〜１００×１０-8Ω・ｍとするのが
好ましい。また、銅めっき薄膜中間層（４）を形成する
ための電気めっきとしては、比較的に短時間で薄い銅め
っき薄膜を析出可能な「フラッシュめっき」とするのが
好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の銅めっき線の製造
方法により極細同軸線を製造する実施形態について説明
する。なお、これにより本発明が限定されるものではな
い。
方法により極細同軸線を製造する実施形態について説明
する。なお、これにより本発明が限定されるものではな
い。
【００１３】図１に示すように、０．１０ｍｍ〜０．３
０ｍｍの銅線（銅クラッドスチール，銀めっき銅クラッ
ドスチールでもよい）からなる中心導体１の外周に０．
２３ｍｍ程度の厚さの低誘電率絶縁体２を形成し、その
外周に０．０１μｍ〜０．６μｍの厚さｄ１を持つ高抵
抗ニッケル−リン薄膜３を形成した構造の被めっき線材
ｓを製造する。この被めっき線材ｓの外径φａは０．６
６ｍｍ程度である。
０ｍｍの銅線（銅クラッドスチール，銀めっき銅クラッ
ドスチールでもよい）からなる中心導体１の外周に０．
２３ｍｍ程度の厚さの低誘電率絶縁体２を形成し、その
外周に０．０１μｍ〜０．６μｍの厚さｄ１を持つ高抵
抗ニッケル−リン薄膜３を形成した構造の被めっき線材
ｓを製造する。この被めっき線材ｓの外径φａは０．６
６ｍｍ程度である。
【００１４】前記被めっき線材ｓの製造工程は、従来と
同様であり、低誘電率絶縁体２を押し出して中心導体１
に被せ、アルコール洗浄，エッチング，酸浸漬などの処
理を施した後、高抵抗ニッケル−リンめっきを施すもの
である。
同様であり、低誘電率絶縁体２を押し出して中心導体１
に被せ、アルコール洗浄，エッチング，酸浸漬などの処
理を施した後、高抵抗ニッケル−リンめっきを施すもの
である。
【００１５】前記前記低誘電率絶縁体２としては、例え
ば、４弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）や，４弗化エチレ
ン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂
（ＰＦＡ）や，４弗化エチレン−６弗化プロピレン共重
合体樹脂（ＦＥＰ）や，４弗化エチレン−エチレン共重
合体樹脂（ＥＴＦＥ）などの弗素系樹脂を用いる。
ば、４弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）や，４弗化エチレ
ン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂
（ＰＦＡ）や，４弗化エチレン−６弗化プロピレン共重
合体樹脂（ＦＥＰ）や，４弗化エチレン−エチレン共重
合体樹脂（ＥＴＦＥ）などの弗素系樹脂を用いる。
【００１６】図２は、前記被めっき線材ｓに銅めっき薄
膜中間層（図３の４）を形成するための予備電解処理装
置の斜視図である。この予備電解処理装置１００では、
平行に並べられた複数の被めっき線材ｓを０．１ｍ／分
〜０．５ｍ／分の速度で連続走行させ（図示の矢印ａ方
向）、それら被めっき線材ｓをオーバフロー槽３１内の
硫酸銅めっき浴Ｙに導入して直線的に通過させ、その硫
酸銅めっき浴Ｙの外側で線材の走行方向下流側に設けた
給電ローラ２２の周面（給電導体面）に接触させて給電
し、フラッシュめっきにより外周に銅めっき薄膜中間層
（図３の４）を形成し、めっき線ｓ’を得るものであ
る。
膜中間層（図３の４）を形成するための予備電解処理装
置の斜視図である。この予備電解処理装置１００では、
平行に並べられた複数の被めっき線材ｓを０．１ｍ／分
〜０．５ｍ／分の速度で連続走行させ（図示の矢印ａ方
向）、それら被めっき線材ｓをオーバフロー槽３１内の
硫酸銅めっき浴Ｙに導入して直線的に通過させ、その硫
酸銅めっき浴Ｙの外側で線材の走行方向下流側に設けた
給電ローラ２２の周面（給電導体面）に接触させて給電
し、フラッシュめっきにより外周に銅めっき薄膜中間層
（図３の４）を形成し、めっき線ｓ’を得るものであ
る。
【００１７】前記硫酸銅めっき浴Ｙでは、硫酸銅めっき
溶液Ｑがポンプ４１により循環槽３２から汲み上げら
れ、オーバフロー槽３１に常に満たされている。オーバ
フロー槽３１から溢れ出た硫酸銅めっき溶液Ｑは再び前
記循環槽３２に戻されるようになっている。ポンプ４１
で汲み上げられた硫酸銅めっき溶液Ｑによりオーバフロ
ー槽３１内が攪拌されるから、被めっき線ｓへの銅イオ
ンの衝突頻度を増し、めっき効率を向上できる。
溶液Ｑがポンプ４１により循環槽３２から汲み上げら
れ、オーバフロー槽３１に常に満たされている。オーバ
フロー槽３１から溢れ出た硫酸銅めっき溶液Ｑは再び前
記循環槽３２に戻されるようになっている。ポンプ４１
で汲み上げられた硫酸銅めっき溶液Ｑによりオーバフロ
ー槽３１内が攪拌されるから、被めっき線ｓへの銅イオ
ンの衝突頻度を増し、めっき効率を向上できる。
【００１８】前記オーバフロー槽３１の内部にはプロペ
ラＰが設置されており、硫酸銅めっき浴１１を攪拌する
ようになっている。これは、被めっき線ｓへの銅イオン
の衝突頻度を増してめっき効率をさらに向上させるため
である。
ラＰが設置されており、硫酸銅めっき浴１１を攪拌する
ようになっている。これは、被めっき線ｓへの銅イオン
の衝突頻度を増してめっき効率をさらに向上させるため
である。
【００１９】前記硫酸銅めっき溶液Ｑの組成は、硫酸銅
が８０〜１２０ｇ／リットル，硫酸（比重１．８４）が８０
〜１２０ｇ／リットルである。
が８０〜１２０ｇ／リットル，硫酸（比重１．８４）が８０
〜１２０ｇ／リットルである。
【００２０】前記給電ローラ２２の周面には、０．８Ｖ
〜１．６Ｖの定電圧Ｖｃが供給されている。また、給電
ローラ２２の周面には、耐食性，耐摩耗性などを高める
ため、金めっきが施されている。また、めっき線ｓ’に
付いた硫酸銅めっき溶液Ｑが給電ローラ２２に付着しな
いように、給電ローラ２２の上部に設置されたシャワー
ＳＷから純水Ｗを注ぎかけるようになっている（これに
より、硫酸銅めっき溶液Ｑの付着による接触抵抗の増大
を防止できる）。さらに、給電ローラ２２は、その周面
の進行速度がめっき線ｓ’の走行速度より１％〜２％だ
け遅くなるように回転されている（これにより、めっき
線ｓ’にわずかなバックテンションを掛けて、弛みを防
止できる）。給電ローラ２２が線材の走行方向下流側の
みに設けられている理由は、銅めっき薄膜中間層（図３
の４）の導電性を利用してめっき電流を流すためであ
る。
〜１．６Ｖの定電圧Ｖｃが供給されている。また、給電
ローラ２２の周面には、耐食性，耐摩耗性などを高める
ため、金めっきが施されている。また、めっき線ｓ’に
付いた硫酸銅めっき溶液Ｑが給電ローラ２２に付着しな
いように、給電ローラ２２の上部に設置されたシャワー
ＳＷから純水Ｗを注ぎかけるようになっている（これに
より、硫酸銅めっき溶液Ｑの付着による接触抵抗の増大
を防止できる）。さらに、給電ローラ２２は、その周面
の進行速度がめっき線ｓ’の走行速度より１％〜２％だ
け遅くなるように回転されている（これにより、めっき
線ｓ’にわずかなバックテンションを掛けて、弛みを防
止できる）。給電ローラ２２が線材の走行方向下流側の
みに設けられている理由は、銅めっき薄膜中間層（図３
の４）の導電性を利用してめっき電流を流すためであ
る。
【００２１】上記のように、硫酸銅めっき溶液Ｑの組成
は、従来の一般浴の硫酸銅めっき溶液と比べて、銅濃度
を抑制し、硫酸の濃度を増大しているから、電導度が高
くなり、オーバフロー槽３１（硫酸銅めっき浴Ｙ）の外
部で給電を行っても、十分なスローイング効果を得られ
る。また、従来の高硫酸浴の硫酸銅めっき溶液と比べ
て、銅濃度を増大して、硫酸の濃度を抑制しているか
ら、電流密度を高め、めっき時間を短縮することが出来
る。この結果、十分なスローイング効果と，高電流密度
を両立することが可能となり、短時間に均一厚で均質な
銅めっき薄膜４を形成することが出来る。
は、従来の一般浴の硫酸銅めっき溶液と比べて、銅濃度
を抑制し、硫酸の濃度を増大しているから、電導度が高
くなり、オーバフロー槽３１（硫酸銅めっき浴Ｙ）の外
部で給電を行っても、十分なスローイング効果を得られ
る。また、従来の高硫酸浴の硫酸銅めっき溶液と比べ
て、銅濃度を増大して、硫酸の濃度を抑制しているか
ら、電流密度を高め、めっき時間を短縮することが出来
る。この結果、十分なスローイング効果と，高電流密度
を両立することが可能となり、短時間に均一厚で均質な
銅めっき薄膜４を形成することが出来る。
【００２２】図３は、めっき線ｓ’を示す断面図であ
る。このめっき線ｓ’は、図１に示した被めっき線ｓの
表面すなわち高抵抗ニッケル−リン薄膜３の外周に、１
μｍ〜４μｍ程度の厚さｄ２の銅めっき薄膜中間層４を
形成した構造になっている。
る。このめっき線ｓ’は、図１に示した被めっき線ｓの
表面すなわち高抵抗ニッケル−リン薄膜３の外周に、１
μｍ〜４μｍ程度の厚さｄ２の銅めっき薄膜中間層４を
形成した構造になっている。
【００２３】図４に示すように、前記めっき線ｓの銅め
っき薄膜中間層４の外周に、数十μｍから数百μｍ（例
えば５０μｍ〜１００μｍ）の銅めっき層５を電気めっ
きにより形成して、極細同軸線Ｌを製造する。この極細
同軸線Ｌの外径φは、０．７２ｍｍ〜０．８６ｍｍ程度
となる。このような極細同軸線Ｌは、高周波伝送線路と
して特に有用である。
っき薄膜中間層４の外周に、数十μｍから数百μｍ（例
えば５０μｍ〜１００μｍ）の銅めっき層５を電気めっ
きにより形成して、極細同軸線Ｌを製造する。この極細
同軸線Ｌの外径φは、０．７２ｍｍ〜０．８６ｍｍ程度
となる。このような極細同軸線Ｌは、高周波伝送線路と
して特に有用である。
【００２４】図５は、高抵抗ニッケル−リン薄膜３の厚
さｄ１を０．５μｍとした場合のリン組成比率と，体積
固有抵抗との関係を示すリン組成比率−体積固有抵抗関
係図表である。このリン組成比率−体積固有抵抗関係図
表Ｈ１を参照すると、リン組成比率を２％〜１５％とし
たときに、体積固有抵抗は、２０×１０-8〜１００×１
０-8Ω・ｍの範囲で変化することが判る。
さｄ１を０．５μｍとした場合のリン組成比率と，体積
固有抵抗との関係を示すリン組成比率−体積固有抵抗関
係図表である。このリン組成比率−体積固有抵抗関係図
表Ｈ１を参照すると、リン組成比率を２％〜１５％とし
たときに、体積固有抵抗は、２０×１０-8〜１００×１
０-8Ω・ｍの範囲で変化することが判る。
【００２５】図６は、高抵抗ニッケル−リン薄膜３のリ
ン組成比率を９％とした場合の高抵抗ニッケル−リン薄
膜３の厚さｄ１と，単位長さ当りの抵抗との関係を示す
膜厚−抵抗特性図表である。この膜厚−抵抗特性図表Ｈ
２を参照すると、厚さｄ１が０．０１μｍ〜０．６μｍ
のときに、単位長さ当りの抵抗が３００００Ω／ｍ〜５
００Ω／ｍとなり、高抵抗薄膜として好ましいことが判
る。
ン組成比率を９％とした場合の高抵抗ニッケル−リン薄
膜３の厚さｄ１と，単位長さ当りの抵抗との関係を示す
膜厚−抵抗特性図表である。この膜厚−抵抗特性図表Ｈ
２を参照すると、厚さｄ１が０．０１μｍ〜０．６μｍ
のときに、単位長さ当りの抵抗が３００００Ω／ｍ〜５
００Ω／ｍとなり、高抵抗薄膜として好ましいことが判
る。
【００２６】上記の実施形態では、硫酸銅めっき溶液Ｑ
を用いたが、これに代えて、ピロリン酸銅めっき溶液
（弱アルカリ性）を用いることも出来る。ピロリン酸銅
めっき溶液を用いたときには、スローイング効果をさら
に向上し，しかも電流密度をさらに高めることができる
利点がある。なお、ピロリン酸銅めっき溶液は、５０℃
程度に加温することが好ましい。前記ピロリン酸銅めっ
き溶液の組成は、例えばピロリン酸銅が６５〜１０５ｇ
／リットル，ピロリン酸カリウムが２３０〜３７０ｇ／リット
ル，アンモニア水が２〜４ミリリットル／リットルである。
を用いたが、これに代えて、ピロリン酸銅めっき溶液
（弱アルカリ性）を用いることも出来る。ピロリン酸銅
めっき溶液を用いたときには、スローイング効果をさら
に向上し，しかも電流密度をさらに高めることができる
利点がある。なお、ピロリン酸銅めっき溶液は、５０℃
程度に加温することが好ましい。前記ピロリン酸銅めっ
き溶液の組成は、例えばピロリン酸銅が６５〜１０５ｇ
／リットル，ピロリン酸カリウムが２３０〜３７０ｇ／リット
ル，アンモニア水が２〜４ミリリットル／リットルである。
【００２７】
【発明の効果】本発明の銅めっき線の製造方法によれ
ば、シアン化合物を含まない硫酸銅めっき溶液またはピ
ロリン酸銅めっき溶液を用いて被めっき線材に銅めっき
薄膜中間層を形成し、その後、銅めっき層を電気めっき
により形成するから、取り扱いが容易となって作業性が
向上し、しかも特殊な設備が不要となるから生産コスト
を低減できる。また、オーバフロー槽を用いて直線的に
被めっき線材を通過させるから、被めっき線材の屈曲に
よる高抵抗薄膜の損傷が生じず、品質を向上できる。ま
た、めっき槽の外側に設けた給電部から被めっき線材に
給電するから、銅が給電部に析出して厚さの管理が困難
となることが抑制され、品質を向上できる。また、線材
の走行方向下流側に設けた給電部から被めっき線材に給
電するから、めっき槽を通過することにより形成された
銅めっき薄膜中間層により通電が安定し、品質を向上で
きる。
ば、シアン化合物を含まない硫酸銅めっき溶液またはピ
ロリン酸銅めっき溶液を用いて被めっき線材に銅めっき
薄膜中間層を形成し、その後、銅めっき層を電気めっき
により形成するから、取り扱いが容易となって作業性が
向上し、しかも特殊な設備が不要となるから生産コスト
を低減できる。また、オーバフロー槽を用いて直線的に
被めっき線材を通過させるから、被めっき線材の屈曲に
よる高抵抗薄膜の損傷が生じず、品質を向上できる。ま
た、めっき槽の外側に設けた給電部から被めっき線材に
給電するから、銅が給電部に析出して厚さの管理が困難
となることが抑制され、品質を向上できる。また、線材
の走行方向下流側に設けた給電部から被めっき線材に給
電するから、めっき槽を通過することにより形成された
銅めっき薄膜中間層により通電が安定し、品質を向上で
きる。
【図１】被めっき線材の断面図である。
【図２】予備電解処理装置の説明図である。
【図３】図２の予備電解処理装置により製造されためっ
き線の断面図である。
き線の断面図である。
【図４】本発明により製造された極細同軸線を示す断面
図である。
図である。
【図５】高抵抗ニッケル−リン薄膜のリン組成比率−体
積固有抵抗関係図表である。
積固有抵抗関係図表である。
【図６】高抵抗ニッケル−リン薄膜の膜厚−抵抗関係図
表である。
表である。
【図７】従来の極細同軸線の一例を示す断面図である。
【図８】従来の極細同軸線の他の一例を示す断面図であ
る。
る。
１００ 予備電解処理装置 １ 中心導体 ２ 低誘電率絶縁体 ３ 高抵抗ニッケル−リン薄膜 ４ 銅めっき薄膜中間層 ５ 銅めっき層 ２２ 給電ローラ ３１ オーバフロー槽 ３２ 循環槽 ４１ ポンプ ｓ 被めっき線材 ｓ’ めっき線 ＳＷ シャワー Ｑ 硫酸銅めっき溶液 Ｙ 硫酸銅めっき浴
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−187847（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−103793（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−56239（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭45−20762（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 13/00 H01B 11/18 C25D 5/00 - 7/12
Claims (2)
- 【請求項１】 中心導体（１）の外周に低誘電率絶縁体
（２）を形成しその外周に高抵抗薄膜（３）を形成した
構造を有する被めっき線材（ｓ）を、ノーシアン溶液の
硫酸銅めっき溶液（Ｑ）またはピロリン酸銅めっき溶液
が循環的に汲み上げられてオーバフロー槽（３１）に常
に満たされている銅めっき浴（Ｙ）に直線的に通過させ
ると共に、前記オーバフロー槽（３１）の外側で線材の
走行方向下流側にのみ設けた給電ローラ（２２）であっ
てその周面の進行速度が線材の走行速度より１％〜２％
だけ遅くなるように回転されている給電ローラ（２２）
の周面に接触させて前記被めっき線材（ｓ）に給電して
銅めっき薄膜中間層（４）を電気めっきにより形成し、
その後、前記銅めっき薄膜中間層（４）の外周に厚さ数
十μｍから数百μｍの銅めっき層（５）を電気めっきに
より形成することを特徴とする銅めっき線の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の銅めっき線の製造方法
において、平行に並べられた複数の被めっき線材（ｓ）
を連続走行させ、それら被めっき線材（ｓ）を１つのオ
ーバフロー槽（３１）内の銅めっき浴（Ｙ）に同時に通
過させ、オーバフロー槽（３１）の外側で線材の走行方
向下流側にのみ設けた１つの給電ローラ（２２）の周面
に接触させて給電し、フラッシュめっきにより外周に銅
めっき薄膜中間層（４）を形成することを特徴とする銅
めっき線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07265315A JP3131680B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 銅めっき線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07265315A JP3131680B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 銅めっき線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106716A JPH09106716A (ja) | 1997-04-22 |
| JP3131680B2 true JP3131680B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=17415495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07265315A Expired - Fee Related JP3131680B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 銅めっき線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131680B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100949795B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2010-03-30 | 임은종 | 연성평면케이블용 도금장치 및 그 사용방법 |
| KR100942056B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2010-02-11 | 임은종 | 연성평면케이블용 전기도금처리시스템 |
| JP6261229B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2018-01-17 | 株式会社潤工社 | 同軸ケーブル |
| KR101642769B1 (ko) * | 2015-09-02 | 2016-07-26 | (주)아인스 | 금속 와이어 아노다이징 장치 |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP07265315A patent/JP3131680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09106716A (ja) | 1997-04-22 |
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