CN111462945B - 线状构件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供线状构件及其制造方法，该线状构件具备由氟树脂形成的线状绝缘体和被覆其表面的镀敷层，且绝缘体与镀敷层的密合性高。在本发明的一个方式中，提供一种线状构件(1)，其具备：在表面具有多个裂纹状沟槽的由氟树脂形成的线状绝缘体(11)、和作为被覆在绝缘体(11)表面的镀敷层的屏蔽体(12)，绝缘体(11)表面的状态满足以下条件中的至少任一条件：算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上。

Description

线状构件及其制造方法

技术领域

本发明涉及线状构件及其制造方法。

背景技术

以往，已知一种差分信号传输用电缆的制造方法，其为具备一对信号线、被覆在信号线周围的绝缘体层、和被覆绝缘体层的作为屏蔽体的镀敷层的差分信号传输用电缆的制造方法，其中，利用干冰喷射处理等对绝缘体层的外周面进行粗糙化处理，之后通过电晕放电暴露处理等对上述外周面进行改性处理，然后在上述外周面形成镀敷层(参照专利文献1)。

根据专利文献1，通过利用粗糙化处理使绝缘体层的外周面的算术平均粗糙度Ra成为0.6μm以上，从而可提高镀敷层与绝缘体层的密合性，能够抑制镀敷层从绝缘体层剥离或在镀敷层与绝缘体层之间产生空隙。

另外，根据专利文献1，通过利用改性处理在绝缘体层的外周面形成羰基、羟基等官能团，可使绝缘体层的外周面亲水化，提高表面润湿性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6245402号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在绝缘体为氟树脂的情况下，即使利用专利文献1记载的喷射处理进行粗糙化处理以及利用电晕放电暴露处理实施改性处理，也不能稳定地形成镀敷层，再现性低。作为其原因之一，可认为由于氟树脂与聚乙烯等相比软，因此喷射处理所带来的粗糙化效果变弱，与镀敷层的密合性变得不充分。

因此，本发明的目的在于，提供具备由氟树脂形成的线状绝缘体和被覆其表面的镀敷层、且绝缘体与镀敷层的密合性高的线状构件及其制造方法。

用于解决课题的手段

本发明以解决上述课题为目的，提供一种线状构件，其具备在表面具有多个裂纹状沟槽且由氟树脂形成的线状绝缘体、和被覆在上述绝缘体表面的镀敷层，上述绝缘体表面的状态满足以下条件中的至少任一条件：算术平均粗糙度Ra为40nm以上、和均方根粗糙度Rms为80nm以上。

发明效果

根据本发明，能够提供具备由氟树脂形成的线状绝缘体和被覆其表面的镀敷层、且绝缘体与镀敷层的密合性高的线状构件及其制造方法。

附图说明

图1是作为第一实施方式涉及的线状构件的电缆的剖视图。

图2是示出用于形成作为镀敷层的屏蔽体的屏蔽体形成***的构成的示意图。

图3是本发明的变形例涉及的管的立体图。

图4的(a)、(b)是本发明的变形例涉及的导电性纤维的径向剖视图。

图5的(a)、(b)、(c)分别是实施了作为粗糙化处理的在钠萘络合物溶液中的浸渍处理、低温喷射处理、电子束照射的氟树脂表面的激光显微镜的观察图像。

图6的(a)是示出对绝缘体实施作为粗糙化处理的在钠萘络合物溶液中的浸渍处理时的、浸渍时间与算术平均粗糙度Ra或均方根粗糙度Rms的关系的曲线图。图6的(b)是示出将处理前(浸渍时间为0)的算术平均粗糙度Ra和均方根粗糙度Rms分别设为Ra₀和Rms₀时的、浸渍时间与Ra/Ra₀或Rms/Rms₀的关系的曲线图。

图7的(a)、(b)是在实施了在钠萘络合物溶液中的浸渍处理的绝缘体上形成有镀敷层的管的外观照片。

图8的(a)、(b)、(c)分别示出处理前(浸渍时间为0)、浸渍处理10秒后、浸渍处理40秒后的绝缘体的红外全反射吸收光谱。

图9的(a)、(b)、(c)分别是将图8的(a)、(b)、(c)的红外全反射吸收光谱的归属于羧基的吸收峰周边放大而得到的图。

图10的(a)、(b)、(c)分别是将图8的(a)、(b)、(c)的红外全反射吸收光谱的归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰周边放大而得到的图。

附图标记说明

1电缆，2管，3导电性纤维，10导体，11绝缘体，12屏蔽体，21绝缘体，22镀敷层。

具体实施方式

〔实施方式〕

(线状构件的结构)

图1是作为第一实施方式涉及的线状构件的、电缆1的剖视图。电缆1具备导体10、被覆在导体10的周围的线状绝缘体11、和直接被覆在绝缘体11表面(外周面)的屏蔽体12。电缆1的直径为例如0.7～1.3mm。

线状的导体10是电缆1的芯线，由铜等导体构成。另外，为了确保屈曲特性，导体10可以是将多根导线绞合而形成的绞线。电缆1中所含的导体10的根数没有特别限定，可根据电缆1的形态适宜设定。在图1所示的例子中，电缆1是具有双轴结构的差分信号用电缆，具备两根导体10。

绝缘体11也可以隔着未图示的其它构件被覆导体10。即，绝缘体11直接或间接地被覆导体10。

屏蔽体12是通过对绝缘体11表面实施镀敷处理而形成的镀敷层。屏蔽体12由铜等金属构成。屏蔽体12的厚度为例如0.5～30μm。

由于屏蔽体12为镀敷层，因此与往常使用的、由缠绕在绝缘体周围的金属带构成的屏蔽体相比，与绝缘体11之间不易产生空隙，能够抑制由该空隙的形成所引起的传输特性下降。特别是在电缆1为高速传输用电缆等细径电缆时，金属带难以缠绕、更容易产生空隙，因此使用镀敷层作为屏蔽体而带来的效果很大。

另外，由于屏蔽体12为镀敷层，因此不需要如金属带所构成的屏蔽体那样、具有可得到缠绕所需的机械强度的厚度，电缆1只要具有足以抑制噪声的厚度即可。例如，在假设常规电子设备的屏蔽体所需的1/30～1/1000的噪声衰减的情况下(例如，参照技术解说关于电磁屏蔽体、冈山县工业技术中心·技术情报、No.457、p.5)，从趋肤效应(skin effect)的原理考虑，若为铜屏蔽体，则即使减薄到1～2μm也可以在数十GHz带域下大体上得到期望的屏蔽效应。因此，可以将屏蔽体12的厚度设为由金属带构成的屏蔽体的厚度的约1/10。需要说明的是，根据后述的本实施方式的镀敷处理，可以形成具有数十nm～数十μm的均匀厚度的屏蔽体12。

由于在电缆1中，要在绝缘体11表面上通过镀敷处理而形成屏蔽体12，因此为了对绝缘体11与屏蔽体12之间赋予充分的密合性，在合适条件下对作为镀敷基底的绝缘体11实施表面处理。在此，表面处理为粗糙化处理、亲水化处理，优选包含这两者。关于表面处理的详细情况如后叙述。

(绝缘体的特征)

绝缘体11由氟树脂形成。作为氟树脂，具体可使用聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基树脂(PFA)、全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯-全氟二氧杂环戊烯共聚物(TFE/PDD)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)、聚氟乙烯(PVF)等。

另外，为了减小介电常数、介电损耗角正切，可以使用发泡氟树脂作为绝缘体11的材料。这种情况下，例如可以使用在氟树脂中混炼发泡剂并通过成型时的温度、压力来控制发泡度的方法、将氮气等非活性气体通过成型压力注入氟树脂并在压力释放时使其发泡的方法等来形成绝缘体11。

在电缆1的径向剖面中，绝缘体11的外缘形状优选为圆形、椭圆形、圆角长方形(角部被倒角了的长方形)。这种情况下，容易在绝缘体11的整个表面以均匀的厚度形成镀敷层。另外，容易对绝缘体11的整个表面均匀地进行后述的粗糙化处理及亲水化处理。

绝缘体11在表面上具有通过粗糙化处理而形成的凹凸。由此，在形成屏蔽体12时的镀敷处理中，催化剂不易从绝缘体11表面脱离。另外，镀敷液容易进入凹凸的凹部，更容易在绝缘体11表面扩展开。另外，通过屏蔽体12进入凹部而产生的锚定效果提高。其结果是，作为镀敷层的屏蔽体12与绝缘体11的密合性提高。进一步，由于绝缘体11表面积变大，因此由后述的亲水化处理而产生的、有助于提高表面润湿性的极性官能团的生成量增加。

在上述绝缘体11表面的粗糙化处理中，可以使用例如在钠萘络合物溶液中的浸渍处理、低温喷射处理或电子束照射。

在实施在钠萘络合物溶液中的浸渍处理来作为粗糙化处理时，绝缘体11表面的凹凸由形成于绝缘体11表面的多个裂纹状沟槽构成。这种情况下，绝缘体11表面的状态满足以下条件中的至少任一条件：算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上。通过满足该条件，作为镀敷层的屏蔽体12与绝缘体11的密合性变高。

需要说明的是，在实施在钠萘络合物溶液中的浸渍处理作为粗糙化处理时，为提高屏蔽体12与绝缘体11的密合性所需的绝缘体11表面的算术平均粗糙度Ra、均方根粗糙度Rms的值与使用其它方法作为粗糙化处理时所需的值相比格外小，即使算术平均粗糙度Ra和均方根粗糙度Rms分别为使用其它方法时难以得到充分的密合性的0.6μm以下、0.8μm以下，也能够得到充分的密合性。认为这是由于通过在钠萘络合物溶液中的浸渍处理而形成的绝缘体11表面的裂纹状沟槽的宽度比利用其它粗糙化处理方法形成的凹凸的凹部的宽度窄，在绝缘体11与屏蔽体12之间产生特别高的锚定效果。

在使用在钠萘络合物溶液中的浸渍处理作为粗糙化处理时，可以通过调整浸渍时间、溶液的浓度和温度等来控制绝缘体11表面的算术平均粗糙度Ra、均方根粗糙度Rms。

低温喷射处理是在低温条件下降低了对象物的温度，在该状态下实施的喷射处理。通过降低温度，能够使对象物固化，因此能够通过喷射处理将柔软的由氟树脂形成的绝缘体11表面有效地粗糙化。特别地，通过在使用液氮将绝缘体11的温度降低到液氮温度(-196℃)附近的状态下实施喷射处理，能够更有效地将绝缘体11表面粗糙化。

作为喷射处理，可以使用以干冰粒子作为喷射剂的干冰喷射；以氧化铝、SiC等粒子作为喷射剂的喷砂；以水和研磨材的混合液(浆料)作为喷射剂的湿式喷射等。

特别是，对于绝缘体11表面的粗糙化处理，优选使用干冰喷射。干冰在常压下会升华，从而处理后不会残留在绝缘体11表面，因此使用干冰喷射时不需要处理后的洗涤工序。

在使用喷射处理作为绝缘体11表面的粗糙化处理时，可以通过调整所喷射的喷射剂的粒径、喷射的喷射压力(吹送压力)、喷射装置的喷嘴与绝缘体的距离、绝缘体11的硬度等来控制绝缘体11表面的算术平均粗糙度Ra、均方根粗糙度Rms。

另外，氟树脂可以通过电子束照射来削去，因此在由氟树脂形成的绝缘体11表面的粗糙化处理中可以使用电子束照射。需要说明的是，对于聚乙烯之类的对电子束照射具有耐受性的材料，不能利用电子束照射来进行表面粗糙化。

当在绝缘体11表面的粗糙化处理中使用电子束照射时，能够通过调整电子束的照射电流密度、能量等来控制绝缘体11表面的算术平均粗糙度Ra、均方根粗糙度Rms。

绝缘体11表面的算术平均粗糙度Ra、均方根粗糙度Rms可以通过激光显微镜等来测定。

另外，绝缘体11优选利用亲水化处理来提高表面的润湿性。通过亲水化处理，可以在绝缘体11表面生成极性官能团，从而提高润湿性。在此，极性官能团为羧基、羟基等具有极性的官能团(亲水基)。通常，极性官能团的存在直接关系到表面润湿性(例如，参照中岛章著、固体表面的润湿性由超亲水性到超斥水性(共立出版(株)、2014年))。需要说明的是，羧基中包含羟基，因此包含在羧基中的羟基可以说是作为羧基的一部分而生成在绝缘体11表面的。

通过提高绝缘体11表面的润湿性，从而镀敷处理中使用的催化剂液、镀敷液容易接触到绝缘体11的表面和整个外周。其结果是，作为镀敷层的屏蔽体12与绝缘体11的密合性提高，另外，屏蔽体12的厚度均匀性提高。通过提高屏蔽体12与绝缘体11的密合性，能够抑制由于在屏蔽体12与绝缘体11之间形成空隙而导致的电缆1的传输特性下降。另外，通过提高屏蔽体12的厚度均匀性，能够抑制因屏蔽体12的厚度不均而引起的电缆1的传输特性下降。

为了充分提高屏蔽体12与绝缘体11的密合性，优选在亲水化处理后的绝缘体11表面的红外全反射吸收光谱中，将归属于羧基的吸收峰的积分值用氟树脂的C-F振动吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上，更优选为0.03以上。

红外全反射吸收光谱是傅里叶变换红外吸收分光法的一种，可以利用全反射吸收测定法(ATR：Attenuated Total Reflection)进行测定而得到。

当在绝缘体11表面的粗糙化处理中使用在钠萘络合物溶液中的浸渍处理或电子束照射时，会在绝缘体11表面生成极性官能团。即，在钠萘络合物溶液中的浸渍处理及电子束照射可以兼为粗糙化处理和亲水化处理这两者。

实施在钠萘络合物溶液中的浸渍处理的情况下，可以通过调整浸渍时间、溶液的浓度和温度等来控制绝缘体11表面所生成的极性官能团的量。另外，实施电子束照射的情况下，可以通过调整电子束的照射电流密度、能量等来控制绝缘体11表面所生成的极性官能团的量。

另外，除了粗糙化处理以外，还可以实施例如电晕放电暴露、在大气组成气体和稀有气体混合而成的气体中的等离子体暴露、紫外线照射、电子束照射、γ射线照射、X射线照射、离子束照射、在含有臭氧的液体中的浸渍等来作为亲水化处理。

例如，在使用由放电探针发出电晕放电光的形式的装置来进行电晕放电暴露作为绝缘体11的亲水化处理时，可以通过调整电压输出功率、暴露时间、绝缘体11表面与放电探针前端的距离等来控制绝缘体11表面所生成的极性官能团的量。

(电缆的制造方法)

以下对本实施方式涉及的电缆1的制造方法的一例进行说明。

图2是示出用于形成作为电缆1的镀敷层的屏蔽体12的屏蔽体形成***100的构成的示意图。屏蔽体形成***100具备脱脂单元110、表面处理单元120、第1活化单元130、第2活化单元140、化学镀单元150、电镀单元160和用于输送电缆5的线轴170a～170m。

在屏蔽体形成***100中，一边通过使线轴170a～170m以期望的转速连续运转来维持一定的张力，一边以期望的速度输送电缆5。通过屏蔽体形成***100之前的电缆5是由导体10和绝缘体11构成的电缆，通过屏蔽体形成***100而形成屏蔽体12，从而成为电缆1。需要说明的是，绝缘体11例如可以通过公知的挤出成型来设置。

脱脂单元110用于去除绝缘体11表面的油脂，具备脱脂槽111、和收容于脱脂槽111的脱脂液112。脱脂液112包含例如硼酸钠、磷酸钠、表面活性剂等。为了输送电缆5而使其通过脱脂液112中，线轴170b的至少一部分位于脱脂液112中。

表面处理单元120用于对绝缘体11实施表面处理，具备表面处理装置121。作为表面处理装置121，使用例如用于实施粗糙化处理的喷射装置、电子束照射装置、使用钠萘络合物溶液作为蚀刻剂的蚀刻装置、用于实施亲水化处理的电晕处理装置、等离子体处理装置、紫外线照射装置、电子束照射装置、γ射线照射装置、X射线照射装置、离子束照射装置、使用含有臭氧的液体等作为蚀刻剂的蚀刻装置等。

在实施粗糙化处理和亲水化处理这两者作为表面处理时、实施多个处理来作为粗糙化处理或亲水化处理时，表面处理单元120中也可以包含多种表面处理装置121。

第1活化单元130用于在绝缘体11表面形成催化活性层，具备第1活化槽131、和收容于第1活化槽131的第1活化液132。第1活化液132包含例如氯化钯、氯化亚锡、浓盐酸等。催化活性层用于形成作为屏蔽体12的致密的高品质的镀敷层。为了输送电缆5而使其通过第1活化液132中，线轴170f的至少一部分位于第1活化液132中。

第2活化单元140用于洗涤由第1活化单元130形成的催化活性层的表面，具备第2活化槽141、和收容于第2活化槽141的第2活化液142。第2活化液142为例如硫酸。为了输送电缆5而使其通过第2活化液142中，线轴170h的至少一部分位于第2活化液142中。

化学镀单元150用于在电镀处理前形成化学镀层而使绝缘体11表面(催化活性层的表面)导电化，具备化学镀槽151、和收容于化学镀槽151的化学镀液152。化学镀液152包含例如硫酸铜、罗谢尔盐、甲醛、氢氧化钠等。为了输送电缆5而使其通过化学镀液152中，线轴170j的至少一部分位于化学镀液152中。

电镀单元160用于进行电镀处理，具备电镀槽161、收容于电镀槽161的电镀液162、一对阳极163和电源单元164。

作为电镀液162的组成例，以下示出硫酸铜(CuSO₄)镀敷液和氰化铜(CuCN)镀敷液的组成及制造方法。

[硫酸铜镀敷液]

将作为电镀液162的硫酸铜镀敷液的组成例示于表1。表1中的“氯化钠、盐酸”为氯化物的一例。

【表1】

首先，向充分洗涤后的电镀槽161中投入镀敷液整体的约60～70体积％的水后，使水温从常温升高到50℃左右。然后，将与所需镀敷析出量对应的量的硫酸铜投入上述温水中，搅拌至完成溶解，该所需镀敷析出量依赖于期望的屏蔽体12的厚度、电缆5的大小、长度等。然后，为了将镀敷液的导电性(电流密度)及阳极铜板的溶解度控制在合适的范围，在搅拌下追加必要量的硫酸，之后追加投入水直至达到最终所需的镀敷液量。另外，为了去除镀敷液中的杂质，投入活性炭，或在过滤机的滤材上设置活性炭层后，使其在过滤机中循环，除去吸附有杂质的活性炭。

然后，为了使提高镀敷层的表面光泽作用的氯离子浓度达到预定值，向镀敷液中适宜地加入氯化钠、盐酸等。然后，分析、确认硫酸和硫酸铜是否为规定浓度。然后，适宜添加与绝缘体11的材料对应的光泽剂、表面活性剂等添加剂后，实施霍尔槽试验(Hull celltest)(例如，参照“山名式雄、机械工学入门系列、镀敷作业入门、理工学社”、“榎本英彦、古川直治、松村宗顺、复合镀敷、日刊工业新闻社”)，检查是否能得到期望的镀敷层、镀敷液的状态。最后一边进行连续过滤一边以十几A/dm²左右进行数小时的模拟电解(空電解)后，确认是否能够稳定地进行镀敷成膜。

在使用硫酸铜镀敷液作为电镀液162、使Cu离子生成Cu原子(金属)时，发生以下的式1所示的反应。式1表示2价的Cu阳离子接受2个电子而成为Cu原子(金属)。

【数1】

Cu²⁺+2e^-→Cu…(式1)

在式1所示的反应中，1个Cu离子需要2个电子，因此生成1mol的Cu所需的电荷量为元电荷与阿伏伽德罗常数之积的2倍、即约192,971C。因此，若考虑铜的原子量为63.54，则形成1g铜所需的电荷量为约3,037C/g。

[氰化铜镀敷液]

将作为电镀液162的氰化铜镀敷液的组成例示于表2。表2中的“游离***(游离***)”是不与氰化铜反应而残留在浴中的氰化碱金属。

【表2】

首先，将镀敷液整体的60％左右的去除了硫、氯等杂质成分的纯水加入到准备槽中。然后，将***或***投入纯水而使其溶解，形成氰化碱金属水溶液。进一步将用纯水制成糊状的氰化亚铜在搅拌下添加到氰化碱金属水溶液中使其溶解。另外，为了抑制氰化物分解(シアン分解)，追加氢氧化钾或氢氧化钠以调整镀敷液的pH、导电率。然后，一边加热到接近镀敷处理时的镀敷液温度的40～70℃一边加入活性炭等，充分搅拌后静置，使吸附了杂质的活性炭沉降。之后使其通过过滤装置而除去吸收了杂质的活性炭等，再转移到镀敷槽，然后加入纯水调整液量，得到镀敷液。

然后，分析该镀敷液，根据需要追加添加材料以实现镀敷性能的提高和稳定化。具体而言，适量加入作为pH缓冲剂、pH调整材料的碳酸钠、碳酸钾。另外，为了使铜阳极的溶解顺利进行并高效地供给铜离子，添加酒石酸钠钾(罗谢尔盐)。最后，悬吊作为阴极的不锈钢板、作为阳极的镀敷用压延铜板，以弱小的电流密度(0.2～0.5A/dm²)进行弱电解。

在使用氰化铜镀敷液作为电镀液162，使Cu离子生成Cu原子(金属)时，发生以下的式2所示的反应。式2表示1价的Cu阳离子接受1个电子而成为Cu原子(金属)。

【数2】

Cu⁺+e^-→Cu…(式2)

在式2所示的反应中，1个Cu离子需要1个电子，因此生成1mol的Cu所需的电荷量为元电荷与阿伏伽德罗常数之积、即约96,485C(相当于法拉第常数)。因此，若考虑铜的原子量63.54则生成1g铜所需的电荷量为约1,518C/g。

如以下的式3所示，电流i由电荷量Q、时间t来表示。因此，若电镀的电流密度相同，则原理上在使用具有低价数(价数+1)的铜离子的氰化铜镀敷液作为电镀液162时，可以以使用硫酸铜镀敷液时的时间的一半的时间析出作为镀敷层的屏蔽体12。因此，若电镀时的使用电压和电流固定，则与镀敷时间直接相关的耗电变为一半，从而能够降低能量成本。另外，电镀处理工序中的工厂运转时间也变为一半，因此能够期待相对于生产数可压缩人工费。

【数3】

i＝dQ/dt…(式3)

需要说明的是，可以作为电镀液162使用的镀敷液不限于上述硫酸铜镀敷液、氰化铜镀敷液，还可以是例如将Cu(BF₄)₂、HBF₄、Cu金属等混合而制作的硼氟化铜镀敷液；将Cu₂P₂O₇·3H₂O、K₄P₂O₇·3H₂O、NH₄OH、KNO₃、Cu金属等混合而制作的焦磷酸镀敷液。另外，也可以是将这些镀敷液中的两种以上镀敷液组合而成的镀敷液。

阳极163浸渍在电镀液162中。阳极163是电镀中的铜离子供给源，例如，是将铜熔液所制作的熔融铜(纯度为约99％的粗铜)进行压延铸造而得的。另外，也可以使用由提高了纯度的铜形成的剥离铜板(电解铜)作为阳极163，所述剥离铜板是将粗铜作为阳极、以不锈钢或钛板等作为阴极进行种板电解，将在阴极表面析出的铜剥下而得到。

位于电镀槽161上的线轴170k及线轴170m具有导电性，作为阴极起作用。位于电镀液162中的线轴170l为绝缘性。电源单元164对阳极163与作为阴极线轴的线轴170k及线轴170m之间施加直流电压。

通过在对阳极163与线轴170k及线轴170m之间施加直流电压的状态下输送电缆5而使其通过电镀液162中，从而在绝缘体11表面的化学镀层上形成电镀层，得到屏蔽体12。

需要说明的是，电镀单元160中的电缆5的输送机构不限于线轴170k、线轴170l、及线轴170m。例如，也可以是下述机构：在电镀液162中不设置线轴机构，而是使电缆5弯曲成具有预定的曲率或具有多个曲率的形状，同时使其浸渍在电镀液162中前进，从一方挤出并从另一方牵拉而进行输送。进一步，也可以不设置输送机构，而是将捆扎在一起的电缆5浸渍在电镀液162中，再与阴极电极连接，通过适当地摆动使电缆5的整个表面与电镀液162接触而进行电镀。

然后，对使用屏蔽体形成***100的屏蔽体12的形成工序的流程的一例进行说明。

首先，将由导体10和绝缘体11构成的电缆5在脱脂单元110中的脱脂液112中浸渍3～5分钟。此时的脱脂液112的温度为例如40～60℃。由此除去附着在绝缘体11表面的油脂。

需要说明的是，在接下来的表面处理工序中进行基于喷射法的粗糙化处理等具有除去绝缘体11表面油脂等的效果的处理时，可以省略利用脱脂单元110的脱脂工序。

然后，在表面处理单元120中，对电缆5实施基于在钠萘络合物溶液中的浸渍处理的粗糙化处理和亲水化处理，来作为表面处理。

在钠萘络合物溶液中的浸渍处理中，将浸渍时间设为5～60秒，将处理温度设为约20～30℃(常温)。在浸渍处理后，为了防止镀层不附着、剥离，利用使用丙酮、醇类等有机溶剂的超声波洗涤、摆动洗涤来充分去除分散在浸渍处理表面的络合物溶液的残渣物。

然后，在第1活化单元130中，将电缆5在第1活化液132中浸渍1～3分钟。第1活化液132的温度例如3为0～40℃。从而，在绝缘体11表面形成催化活性层。具体而言，例如使用Pd-Sn粒子的胶体溶液作为第1活化液132，从而使包含显示高催化活性的Pd的Pd-Sn粒子附着在绝缘体11表面，形成催化活性层。

然后，在第2活化单元140中，将电缆5在第2活化液142中浸渍3～6分钟。第2活化液142的温度例如为30～50℃。由此，例如从绝缘体11表面的催化活性层中除去降低活性度的Sn，能够使催化活性层的活性度增大。

然后，在化学镀单元150中，将电缆5在化学镀液152中浸渍10分钟以下的时间。化学镀液152的温度例如为20～30℃。由此，在绝缘体11表面形成作为电镀的种子层的化学镀层，使绝缘体11表面导电化。在化学镀液152中的浸渍时间越长，则化学镀层的厚度越大。

然后，在电镀单元160中，将电缆5在电镀液162中浸渍3分钟以下的时间。可以通过电缆5的输送速度、在电镀液162中的浸渍时间来控制电镀层的厚度。可以根据屏蔽体12的屏蔽体性能、镀敷浴的管理状况、镀敷浴的经时变化等，并考虑电流密度、镀敷浴的浓度、pH、温度、添加剂的种类等来优化电缆5的输送速度、浸渍时间。

电镀单元160中的电镀的具体条件例如以下表3所示。表3中的“浴温度”、“浴电压”分别为镀敷浴的温度、镀敷浴中的阳极163与作为阴极的线轴170k及线轴170m之间的电压。

【表3】

项目	条件
		浴温度(℃)	20～30
阴极电流密度(A/dm2)	1～6
		阳极电流密度(A/dm2)	～2.5
浴电压(V)	1～6
		搅拌方法	空气搅拌
过滤	连续过滤，3次以上/小时
		阳极	含磷的铜
阳极罩	纱纶(Saran)布制等

通过上述电镀在化学镀层的表面形成电镀层。由该化学镀层和电镀层的层叠体构成屏蔽体12。经过以上的工序得到本实施方式的电缆1。

需要说明的是，图2中省略了记载，但在上述各工序之间优选用纯水进行电缆5的洗涤(超声波洗涤、摆动洗涤、流水洗涤等)，以避免由于前一工序的药剂残留而产生不良。

另外，在各工序中，为了得到合适的电缆5的输送速度，优选调整各线轴170a～170m的齿轮比(旋转半径)来优化转速。因此，为了能够任意实施在工序间路径中的输送速度的变更、临时等待，优选在各单元之间配备带来缓冲的旋转机构。

(实施方式的效果)

根据上述实施方式的电缆1，通过对氟树脂实施有效的粗糙化处理来作为对绝缘体11进行的表面处理，从而提高了由氟树脂形成的绝缘体11与由镀敷层构成的屏蔽体12的密合性，能够抑制由于镀敷层从绝缘体剥离以及在镀敷层与绝缘体之间形成空隙所导致的传输特性下降。

需要说明的是，上述实施方式的提高由氟树脂形成的绝缘体与镀敷层的密合性的方法可以用于所有的、具有在表面形成有镀敷层的线状绝缘体的电缆、管、导电性纤维等线状构件。

图3为本发明的变形例的管2的立体图。管2具备中空的线状绝缘体21、和直接被覆在绝缘体21的表面(外周面)的镀敷层22。绝缘体21与电缆1的绝缘体11同样地由氟树脂形成，关于算术平均粗糙度Ra、以及亲水化处理后的红外全反射吸收光谱中的将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值等表面状态所要满足的条件，也与绝缘体11同样。镀敷层22可以由与电缆1的屏蔽体12同样的材料通过同样的方法形成。管2可以作为例如波导管等来使用。

图4的(a)、(b)是本发明的变形例涉及的导电性纤维3的径向剖视图。导电性纤维3具备由1根树脂纤维30或绞合在一起的多根树脂纤维30构成的中心丝31、以及直接被覆在中心丝31的表面(外周面)的镀敷层32。图4的(a)示出中心丝31为由绞合在一起的多根树脂纤维30构成时的导电性纤维3的截面，图4的(b)示出中心丝31由1根树脂纤维30构成时的导电性纤维3的截面。

树脂纤维30与电缆1的绝缘体11同样地由氟树脂形成，关于算术平均粗糙度Ra、以及亲水化处理后的红外全反射吸收光谱中的将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值等表面状态所要满足的条件，也与绝缘体11同样。镀敷层32可以由与电缆1的屏蔽体12同样的材料通过同样的方法形成。

导电性纤维3可以用作例如xEV车用线束、机器人用线束、医疗用探针的电磁屏蔽线、轻质耳机线、轻质加热器用导通线(銅通船)、高速传输电缆等各种电缆中使用的编组屏蔽体。即，根据本发明，可以提供一种具备由编在一起的多根导电性纤维3构成的编组屏蔽体的电缆。

这种情况下，将多根导电性纤维3编织而形成编组屏蔽体。由导电性纤维3构成的编组屏蔽体与整体由金属构成的编组屏蔽体相比格外轻，因此能够使具备其的电缆等轻质化。另外，例如通过使用由导电性纤维3构成的编组屏蔽体，能够降低xEV车、机器人的总重量，因此能够实现省电。

另外，导电性纤维3可以用作用于净水设备等的过滤器。这种情况下，将多根导电性纤维3编织而形成过滤器。即，根据本发明，可以提供一种过滤器，其由编在一起的多根导电性纤维3构成。另外，这种情况下，镀敷层32优选由具有杀菌作用的Ag、Cu构成。由导电性纤维3构成的过滤器与整体由金属构成的过滤器相比格外轻。

【实施例1】

首先，对作为片状的氟树脂的全氟乙烯-丙烯共聚物(FEP)实施作为粗糙化处理的在钠萘络合物溶液中的浸渍处理、低温喷射处理或电子束照射，调查各自的表面状态。

图5的(a)、(b)、(c)分别是实施了作为粗糙化处理的在钠萘络合物溶液中的浸渍处理、低温喷射处理、电子束照射的氟树脂表面的激光显微镜的观察图像。

根据图5的(a)、(b)、(c)，实施了低温喷射处理或电子束照射的氟树脂的表面丧失了平坦性，而实施了在钠萘络合物溶液中的浸渍处理的氟树脂的表面则在保持一定程度的平坦性的状态下形成有裂纹状沟槽。

然后，准备上述实施方式涉及的管2的绝缘体21，调查粗糙化处理的处理时间与算术平均粗糙度Ra或均方根粗糙度Rms的关系。作为绝缘体21的材料，使用作为氟树脂的聚四氟乙烯(PTFE)。沿着管2的长度方向测定算术平均粗糙度Ra及均方根粗糙度Rms。

图6的(a)是示出对绝缘体21实施了作为粗糙化处理的在钠萘络合物溶液中的浸渍处理时的、浸渍时间与算术平均粗糙度Ra或均方根粗糙度Rms的关系的曲线图。

根据图6的(a)可知，通过调整浸渍时间，能够控制算术平均粗糙度Ra及均方根粗糙度Rms，可以使算术平均粗糙度Ra为40nm以上、使均方根粗糙度Rms为80nm以上。

图6的(b)是示出将处理前(浸渍时间为0)的算术平均粗糙度Ra和均方根粗糙度Rms分别设为Ra₀和Rms₀时的、浸渍时间与Ra/Ra₀或Rms/Rms₀的关系的曲线图。

根据图6的(b)，通过实施10秒的浸渍处理，算术平均粗糙度Ra达到处理前的1.70倍以上，均方根粗糙度Rms达到1.96倍以上。另外，通过实施40秒的浸渍处理，算术平均粗糙度Ra达到处理前的约2.65倍以上，均方根粗糙度Rms达到2.85倍以上。

图7的(a)、(b)是管2的外观照片，其如下形成：在约20～30℃的常温下进行约10秒在钠萘络合物溶液中的浸渍处理，之后实施伴随摆动的利用丙酮的洗涤约30秒，再实施利用流水的洗涤1分钟，在所得到的绝缘体21上用上述实施方式的方法形成镀敷层22。根据图7的(a)、(b)可确认，在绝缘体21的整个表面上均匀地形成有镀敷层22，即使在弯曲的状态下也不产生剥离等。由此可知，镀敷层22与绝缘体21的密合性高。

另外，对于对上述绝缘体21实施了在钠萘络合物溶液中的浸渍处理的管2，调查算术平均粗糙度Ra或均方根粗糙度Rms与镀敷层22和绝缘体21的密合性的关系，结果确认：当满足算术平均粗糙度Ra为约40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为约80nm以上中的至少任一条件时，镀敷层22与绝缘体21的密合性变得特别高。

另外确认，当满足绝缘体21的表面的算术平均粗糙度Ra通过粗糙化处理而增加到粗糙化处理前的约1.7倍以上、以及绝缘体21的表面的均方根粗糙度Rms通过粗糙化处理而增加到粗糙化处理前的约2倍以上这两者条件中的至少任一条件时，镀敷层22与绝缘体21的密合性会通过粗糙化处理而大幅提高。

【实施例2】

对于在约20～30℃的常温下进行了10秒在钠萘络合物溶液中的浸渍处理，之后实施了伴随摆动的利用丙酮的洗涤约30秒，再实施利用流水的洗涤1分钟后的绝缘体21，测定红外全反射吸收光谱。作为绝缘体21的材料，使用作为氟树脂的聚四氟乙烯(PTFE)。

图8的(a)、(b)、(c)分别示出处理前(浸渍时间为0)、浸渍处理10秒后、浸渍处理40秒后的绝缘体21的红外全反射吸收光谱。另外，图9的(a)、(b)、(c)分别是将图8的(a)、(b)、(c)的红外全反射吸收光谱的归属于羧基的吸收峰周边放大而得到的。图10的(a)、(b)、(c)分别是将图8的(a)、(b)、(c)的红外全反射吸收光谱的归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰周边放大而得到的。

根据图9的(a)、(b)、(c)可知，随着浸渍时间的增加，归属于羧基的吸收峰的强度变大。处理前、浸渍处理10秒后、浸渍处理40秒后的归属于羧基的吸收峰的积分值分别为约0.09、约0.54、约2.01。

根据图10的(a)、(b)、(c)可确认到3个归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰。在图10的(a)、(b)、(c)中，用虚线来表示所测得的红外全反射吸收光谱，与其大致一致的是通过拟合而得到的拟合轮廓，是将3个归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰合成得到的轮廓。处理前、浸渍处理10秒后、浸渍处理40秒后的归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值分别为约23.40、约21.0、约21.01。

在上述红外全反射吸收光谱中，将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值、即归属于羧基的吸收峰的积分值除以归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值而得的值在处理前为约0.0038、在浸渍处理10秒后为约0.026、在浸渍处理40秒后为约0.096。

调查了红外全反射吸收光谱的轮廓与镀敷层22和绝缘体21的密合性的关系，结果确认，当将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的CF伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上时，镀敷层22与绝缘体21的密合性大幅提高，当为0.03以上时，进一步大幅提高。

(实施方式的总结)

接下来，援引实施方式中的符号等来记载可由以上说明的实施方式概括得到的技术构思。但是，以下记载中的各符号等并不会将权利要求书中的构成要素限定为实施方式中具体示出的构件等。

[1]一种线状构件(1)、(2)，其具备：

在表面具有多个裂纹状沟槽的由氟树脂形成的线状绝缘体(11)、(21)和

被覆在绝缘体(11)、(21)的表面的镀敷层(12)、(22)，

绝缘体(11)、(21)的表面的状态满足以下条件中的至少任一条件：算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上。

[2]一种线状构件(1)、(2)的制造方法，其包括：

对由氟树脂形成的线状绝缘体(11)、(21)的表面实施粗糙化处理的工序；和

在上述粗糙化处理之后，对绝缘体(11)、(21)的表面实施镀敷处理而形成镀敷层(12)、(22)的工序，

上述粗糙化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理、低温喷射处理或电子束照射。

[3]根据上述[2]所述的线状构件(1)、(2)的制造方法，其中，上述粗糙化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理，

上述粗糙化处理后的绝缘体(11)、(21)的表面的状态满足以下条件中的至少任一条件：算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上。

[4]根据上述[2]所述的线状构件(1)、(2)的制造方法，其中，上述粗糙化处理为低温喷射处理，在使用液氮降低了绝缘体(11)、(21)的温度的状态下实施喷射处理。

[5]根据上述[2]～[4]中任一项所述的线状构件(1)、(2)的制造方法，其满足以下条件中的至少任一条件：绝缘体(11)、(21)的表面的算术平均粗糙度Ra通过上述粗糙化处理而增加到上述粗糙化处理前的1.7倍以上、以及绝缘体(11)、(21)的表面的均方根粗糙度Rms通过上述粗糙化处理而增加到上述粗糙化处理前的2倍以上。

[6]一种线状构件(1)、(2)的制造方法，其包括：

对由氟树脂形成的线状绝缘体(11)、(21)的表面实施亲水化处理的工序；和

在上述亲水化处理之后对绝缘体(11)、(21)的表面实施镀敷处理而形成镀敷层(12)、(22)的工序，

在上述亲水化处理后的绝缘体(11)、(21)的表面的红外全反射吸收光谱中，将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上。

[7]根据上述[6]所述的线状构件(1)、(2)的制造方法，其中，上述亲水化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理。

[8]根据上述[6]或[7]所述的线状构件(1)、(2)的制造方法，其中，通过上述亲水化处理，绝缘体(11)、(21)的表面的羧基量达到上述亲水化处理前的6倍以上。

[9]一种线状构件(1)、(2)，其具备：

由氟树脂形成的线状绝缘体(11)、(21)、和

被覆在绝缘体(11)、(21)的表面的镀敷层(12)、(22)，

在绝缘体(11)、(21)的表面存在羟基。

[10]根据上述[9]所述的线状构件，其中，在绝缘体(11)、(21)的表面的红外全反射吸收光谱中，将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上。

以上说明了本发明的实施方式及实施例，但本发明不受上述实施方式及实施例限定，可以在不脱离发明的主旨的范围内进行各种变形而实施。

另外，上述所述的实施方式及实施例并非对权利要求书涉及的发明进行限定。另外，需要留意的是，实施方式及实施例中所说明的特征的全部组合并非是解决本发明的课题的方案所必需的。

Claims (6)

1.一种线状构件，其具备：

在表面具有多个裂纹状沟槽的由氟树脂形成的线状绝缘体、和

被覆在所述绝缘体表面的镀敷层，

所述绝缘体表面的状态满足以下条件中的至少任一条件：算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上，

在所述绝缘体表面的红外全反射吸收光谱中，将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上。

2.一种线状构件的制造方法，其包括：

对由氟树脂形成的线状绝缘体表面实施粗糙化处理的工序、和

在所述粗糙化处理之后，对所述绝缘体表面实施镀敷处理而形成镀敷层的工序，

所述粗糙化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理，所述浸渍处理的处理温度为20～30℃，

所述制造方法满足以下条件中的至少任一条件：所述绝缘体表面的算术平均粗糙度Ra通过所述粗糙化处理而增加到所述粗糙化处理前的1.7倍以上、以及所述绝缘体表面的均方根粗糙度Rms通过所述粗糙化处理而增加到所述粗糙化处理前的2倍以上。

3.根据权利要求2所述的线状构件的制造方法，其中，

所述粗糙化处理后的所述绝缘体表面的状态满足以下条件中的至少任一条件：算术平均粗糙度Ra为40nm以上、以及均方根粗糙度Rms为80nm以上。

4.一种线状构件的制造方法，其包括：

对由氟树脂形成的线状绝缘体表面实施亲水化处理的工序；和

在所述亲水化处理之后对所述绝缘体表面实施镀敷处理而形成镀敷层的工序，

在所述亲水化处理后的所述绝缘体表面的红外全反射吸收光谱中，将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上，所述亲水化处理为在钠萘络合物溶液中的浸渍处理，所述浸渍处理的处理温度为20～30℃。

5.根据权利要求4所述的线状构件的制造方法，其中，通过所述亲水化处理，所述绝缘体表面的羧基量达到所述亲水化处理前的6倍以上。

6.一种线状构件，其具备：

由氟树脂形成的线状绝缘体、和

被覆在所述绝缘体表面的镀敷层，

在所述绝缘体表面存在羟基，

在所述绝缘体表面的红外全反射吸收光谱中，将归属于羧基的吸收峰的积分值用归属于氟树脂的C-F伸缩振动的吸收峰的积分值进行标准化而得到的值为0.02以上。