JP3125753B2 - Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus - Google Patents

Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus

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JP3125753B2 JP18503598A JP18503598A JP3125753B2 JP 3125753 B2 JP3125753 B2 JP 3125753B2 JP 18503598 A JP18503598 A JP 18503598A JP 18503598 A JP18503598 A JP 18503598A JP 3125753 B2 JP3125753 B2 JP 3125753B2
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の洗浄方法及
び基板洗浄装置に関し、特に紫外線を照射する工程を含
む洗浄方法及び洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for cleaning a substrate, and more particularly to a method and an apparatus for cleaning a substrate including a step of irradiating ultraviolet rays.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体基板又は液晶基板の洗浄
工程は、(1)表面の有機物の除去、(2)自然酸化膜の除
去、(3)表面の重金属の除去、(4)微粒子の除去を目的と
する半導体製造等の工程を含む。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate is cleaned by (1) removal of organic substances on a surface, (2) removal of a natural oxide film, (3) removal of heavy metals on a surface, and (4) removal of fine particles. For the purpose of manufacturing semiconductors.

【０００３】このような洗浄工程の一つが不十分である
場合に、基板等に残存した汚染は、半導体等の不良品の
原因となる。よって基板の洗浄は完全に行わなければな
らない。When one of such cleaning steps is insufficient, contamination remaining on a substrate or the like causes a defective product such as a semiconductor. Therefore, the substrate must be completely cleaned.

【０００４】しかし、洗浄の完全のために長い時間をか
ける場合には生産効率の低下を招き、多量の洗浄液（薬
品）を使用する場合には洗浄後廃棄される薬品処理に労
力及び費用が費やされることとなる。However, when a long time is required for complete cleaning, the production efficiency is reduced, and when a large amount of cleaning liquid (chemicals) is used, labor and cost are spent for treating chemicals discarded after cleaning. It will be.

【０００５】よって、基板の洗浄処理の所要時間を短く
すること、及び使用する洗浄液の消費量を少なくするこ
とは重要な課題である。[0005] Therefore, it is important to reduce the time required for the substrate cleaning process and to reduce the consumption of the cleaning solution used.

【０００６】基板の洗浄方法に関し特開平６ー２８７７
８４号公報には、過酸化水素水に紫外線を照射し、又は
過酸化水素水の蒸気にオゾンを混合したもので表面を洗
浄する方法が開示されている。A method for cleaning a substrate is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. Hei 6-2877.
No. 84 discloses a method of irradiating a hydrogen peroxide solution with ultraviolet rays, or cleaning the surface with a mixture of a vapor of the hydrogen peroxide solution and ozone.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来使
用されていた洗浄液において基準の洗浄効果が得られる
洗浄液の濃度は比較的高い。基板又はシリコンウエハの
大型化やアスペクト比の高率化がすすむ中、洗浄液の使
用量・廃液の量はさらに増加し、この廃液浄化処理に費
やされる労力及び費用は大きな負担となる。However, the concentration of the cleaning liquid which can provide a standard cleaning effect in the conventionally used cleaning liquid is relatively high. As the size of the substrate or the silicon wafer is increased and the aspect ratio is increased, the amount of the cleaning liquid used and the amount of the waste liquid are further increased, and the labor and cost spent on the waste liquid purification processing become a heavy burden.

【０００８】スループットの面ではバッチ式の処理（洗
浄槽を用いて複数枚の基板を一度に処理する）に及ばな
いものの、直径３００ｍｍ以上のウエハの登場により枚
葉式処理（基板一枚ごとに洗浄処理を行う）の必要も生
じた。Although throughput is not as good as batch processing (processing a plurality of substrates at once using a cleaning tank), single wafer processing (each substrate is performed one by one) Cleaning treatment).

【０００９】過酸化水素水を含む従来の洗浄液におい
て、その酸化力を高めるために６０℃以上に加熱される
場合には、加熱設備を必要とし、エネルギー消費も大き
く、洗浄効果は一時的には高まるものの経時的な劣化が
著しい。When the conventional cleaning liquid containing hydrogen peroxide is heated to 60 ° C. or higher in order to increase its oxidizing power, heating equipment is required, energy consumption is large, and the cleaning effect is temporarily reduced. Although increasing, the deterioration with time is remarkable.

【００１０】また、過酸化水素水のみによっては有機物
の除去には効果的であるが、半導体製造上重要な粒子汚
染や金属汚染を完全に除去することはできない。Although the use of only hydrogen peroxide solution is effective in removing organic substances, it cannot completely remove particle contamination and metal contamination which are important in semiconductor production.

【００１１】このように、紫外線を照射する工程を含む
基板の洗浄方法において、低濃度の洗浄液を用いて、過
酸化水素水及び酸性溶液又はアルカリ性溶液といった薬
液の消費を抑制したうえで、過酸化水素水の活性を高め
た状態で洗浄を行い、良好な洗浄効果が得られる洗浄方
法を提供することは困難であった。As described above, in the method of cleaning a substrate including the step of irradiating ultraviolet rays, the consumption of a chemical solution such as an aqueous solution of hydrogen peroxide and an acidic solution or an alkaline solution is suppressed using a low-concentration cleaning solution, and It has been difficult to provide a cleaning method in which the cleaning is performed in a state where the activity of the hydrogen water is enhanced and a good cleaning effect is obtained.

【００１２】[0012]

【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、従来よりも濃度の薄い洗浄液を用いながら従
来と同程度またはそれ以上の洗浄効果が得られる基板の
洗浄方法及び基板洗浄装置を提供することを目的とす
る。The present invention is an object of the invention, such prior art to improve the disadvantages possessed by, substrates conventional level or more washing effect while using a thin cleaning liquid density than traditional obtain cleaning method and a substrate cleaning It is intended to provide a device.

【００１３】[0013]

【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、過酸化水素水とアルカリ性溶液又は酸性溶液
と純水とを混合して洗浄液とし、この混合した洗浄液に
紫外線を照射して照射洗浄液とし、この照射直後に照射
洗浄液で基板を洗浄する工程を備えることによって、従
来よりも濃度の薄い洗浄液を用いながら従来と同程度ま
たはそれ以上の洗浄効果が得られる基板の洗浄方法及び
基板洗浄装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to improve the disadvantages of the prior art by mixing a hydrogen peroxide solution with an alkaline solution or an acidic solution and pure water to form a cleaning solution, and irradiating the mixed cleaning solution with ultraviolet rays. A method for cleaning a substrate, comprising a step of cleaning the substrate with an irradiation cleaning liquid immediately after the irradiation as an irradiation cleaning liquid, whereby a cleaning effect having a similar or higher cleaning effect can be obtained while using a cleaning liquid having a lower concentration than before. It is an object to provide a cleaning device.

【００１４】 また、過酸化水素水にアルカリ性溶液又は
酸性溶液を加えて紫外線を照射したことから、有機物汚
染のみならず粒子汚染や金属汚染をも十分に除去し、洗
浄工程の簡略化及び使用薬液の種類を少なくすることが
でき、簡易な洗浄方法及び基板洗浄装置を提供すること
ができる。 [0014] Further , since an alkaline solution or an acidic solution is added to the hydrogen peroxide solution and irradiated with ultraviolet rays, not only organic matter contamination but also particle contamination and metal contamination are sufficiently removed, thereby simplifying the cleaning process and using a chemical solution. Can be reduced, and a simple cleaning method and a substrate cleaning apparatus can be provided.

【００１５】 さらに、洗浄効果を維持しつつも洗浄剤の
使用量を抑制することができるから、廃液の処理回収に
かかる労力及び費用を削減し経済効率のよい基板の洗浄
方法及び基板洗浄装置をも提供することができる。 Furthermore, since it is possible while maintaining the cleaning effect to suppress the amount of the cleaning agent, a cleaning method and a substrate cleaning apparatus of good substrate of economic efficiency to reduce such labor and expense to the process recovery of waste Can also be provided.

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

【００１６】 上記目的を達成するため、請求項１記載の
発明は、基板の洗浄工程において、過酸化水素水とアル
カリ性溶液と純水とを混合して洗浄液とし、この混合し
た洗浄液に紫外線を照射して照射洗浄液とし、この照射
直後に前記照射洗浄液で前記基板を洗浄する工程を備え
ている。 According to a first aspect of the present invention, in the substrate cleaning step, a hydrogen peroxide solution, an alkaline solution and pure water are mixed to form a cleaning solution, and the mixed cleaning solution is irradiated with ultraviolet rays. And cleaning the substrate with the irradiation cleaning liquid immediately after the irradiation.

【００１７】 過酸化水素水は紫外領域（特に３５０ｎｍ
以下）の波長領域に大きい吸収があり過酸化水素水に紫
外線を照射すると、以下のように反応してヒドロキシラ
ジカルを発生する。 ２Ｈ2Ｏ2 → ＯＨ- ＋ ・ＯＨ ＋ ＨＯ2・ ＋ Ｈ+ このヒドロキルシラジカルは、それ自身も酸化力を有す
るため、洗浄能力が相乗的に向上する。 [0017] The hydrogen peroxide solution is the ultraviolet region (especially 350nm
When the hydrogen peroxide solution is irradiated with ultraviolet light having a large absorption in the wavelength region of the following), it reacts as follows to generate a hydroxyl radical. 2H 2 O 2 → OH - + · OH + HO 2 · + H + The hydroxamates Resid radicals also themselves for having oxidizing power, cleaning capacity is synergistically improved.

【００１８】 また、過酸化水素水は酸化剤で特にアルカ
リ性でその働きが著しい。このような性質を利用するこ
とにより、過酸化水素水単独で紫外線照射を行う場合よ
りも高い洗浄力が得られ、低い濃度の過酸化水素水によ
っても従来と同等又はそれ以上の洗浄力を得ることがで
きる。 Moreover, hydrogen peroxide is especially the work is significant alkaline with an oxidizing agent. By utilizing such a property, a higher detergency than in the case of performing ultraviolet irradiation with hydrogen peroxide alone can be obtained, and a detergency equivalent to or higher than the conventional one can be obtained even with a low concentration of hydrogen peroxide. be able to.

【００１９】 この本発明の洗浄液は有機物汚染のみなら
ず粒子汚染、金属汚染に対しても有効に働くが、特にア
ルカリ溶液と過酸化水素水の混合した洗浄液の場合には
粒子の除去を良好に行う。 [0019] The cleaning solution of the present invention is organic contamination not only particulate contamination, work effectively against metal contamination, but particularly well in the removal of particles in the case of the mixed cleaning solution of the alkali solution and hydrogen peroxide Do.

【００２０】 請求項２記載の発明では、基板の洗浄工程
において、過酸化水素水とアルカリ性溶液と純水とを混
合して洗浄液とし、この混合した洗浄液に紫外線を照射
して照射洗浄液とし、この照射直後に照射洗浄液を基板
に噴射する工程を備えた。 According to the second aspect of the present invention, in the cleaning step of the substrate, a hydrogen peroxide solution, an alkaline solution and pure water are mixed to form a cleaning liquid, and the mixed cleaning liquid is irradiated with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning liquid. A step of injecting the irradiation cleaning liquid onto the substrate immediately after the irradiation is provided.

【００２１】 前述のとおり過酸化水素水とアルカリ性溶
液と純水の混合液に紫外線を照射させた洗浄液は、その
活性は衰えやすいため直ちに使用することが望ましい。
そのため紫外線照射後その活性を保持した状態で洗浄で
きるため、紫外線照射直後に照射洗浄液を基板に噴射し
た。 The cleaning solution is irradiated with ultraviolet rays in a mixture of hydrogen peroxide solution and an alkaline solution and pure water as described above, it is desirable to use immediately for its activity easy decline.
For this reason, the substrate can be washed while maintaining its activity after the irradiation with the ultraviolet rays.

【００２２】 またウエハ等の基板の大型化、アスペクト
比の高率化によってバッジ式の処理よりも枚葉式の処理
が適している場合もある。この発明では洗浄液の消費量
を抑えて枚葉式の欠点をカバーしつつ一枚ごとの洗浄を
可能とすることができる。 In some cases, a single-wafer processing is more suitable than a badge processing because of an increase in the size of a substrate such as a wafer and an increase in the aspect ratio. According to the present invention, it is possible to reduce the consumption of the cleaning liquid and to perform cleaning of each sheet while covering the defects of the single wafer type.

【００２３】 同様に請求項３記載の発明では、洗浄工程
において同様の照射洗浄液に基板を浸漬する工程を備え
た。基板の浸漬は、照射洗浄液で満たした洗浄槽に基板
を入れて洗浄する。このとき超音波を照射してもよい。 [0023] In the invention likewise according to claim 3, comprising a step of immersing the substrate in the same manner of irradiation cleaning liquid in the cleaning process. For immersion of the substrate, the substrate is placed in a cleaning tank filled with an irradiation cleaning solution and cleaned. At this time, an ultrasonic wave may be applied.

【００２４】 請求項４記載の発明では、請求項１乃至５
の各発明におけるアルカリ性溶液を、アンモニア溶液と
した。 According to the fourth aspect of the present invention, the first to fifth aspects are provided.
The alkaline solution in each of the inventions was an ammonia solution.

【００２５】 請求項５記載の発明では、洗浄液における
アンモニアの濃度は、洗浄効果が表れる１／１０００％
以上２％以下とし、過酸化水素水の濃度は１／５０００
％以上２％以下とした。 According to the fifth aspect of the present invention, the concentration of ammonia in the cleaning solution is 1/1000% at which the cleaning effect is exhibited.
Not less than 2% and the concentration of the hydrogen peroxide solution is 1/5000.
% Or more and 2% or less.

【００２６】 ここで従来使用されていた洗浄液は、アン
モニア濃度が１％から２％、過酸化水素の濃度が２％か
ら４％であるから、従来の洗浄効果を維持しつつその使
用する薬液濃度を大きく減少させることができる。アン
モニアと過酸化水素の組み合わせによって、一方の薬剤
の濃度を大きく下げ、一方の薬剤の濃度を従来水準に据
え置くおこともできる。 The cleaning solution conventionally used has an ammonia concentration of 1% to 2% and a hydrogen peroxide concentration of 2% to 4%. Therefore, the concentration of the chemical solution used while maintaining the conventional cleaning effect is maintained. Can be greatly reduced. The combination of ammonia and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【００２７】 このアルカリ性溶液はアンモニア溶液に限
定されるものではないが、洗浄後残留して半導体等に悪
影響を与えるようなものであってはならないため、揮発
性を有するものが好ましい。 [0027] While the alkaline solution is not limited to ammonia solution, because the residual after washing must not adversely affect the semiconductor and the like, preferably has a volatility.

【００２８】 請求項６記載の発明は、基板の洗浄工程に
おいて、過酸化水素水と酸性溶液と純水とを混合して洗
浄液とし、この混合した洗浄液に紫外線を照射して照射
洗浄液とし、この照射直後に照射洗浄液で基板を洗浄す
る工程を備えている。 According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate cleaning step, a hydrogen peroxide solution, an acidic solution and pure water are mixed to form a cleaning liquid, and the mixed cleaning liquid is irradiated with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning liquid. A step of cleaning the substrate with an irradiation cleaning liquid immediately after the irradiation is provided.

【００２９】 過酸化水素水は上述のように紫外領域（特
に３５０ｎｍ以下）の波長領域に大きい吸収があり過酸
化水素水に紫外線を照射すると、以下のように反応して
ヒドロキシルラジカルを発生する。 ２Ｈ2Ｏ2 → ＯＨ- ＋ ・ＯＨ ＋ ＨＯ2・ ＋ Ｈ+ また、塩素イオンの存在では、以下のように反応して Ｃｌ- ＋ Ｈ2Ｏ2 → -ＯＣｌ ＋ Ｈ2Ｏ Ｈ2Ｏ2 ＋ ＨＯＣｌ（-ＯＣｌ） →1Ｏ2 ＋ Ｈ2Ｏ ＋ ＨＣｌ（Ｃｌ- ） スーパーオキシド（一重項酸素）が発生する。このスー
パーオキシドは、それ自身も酸化力を有するため、洗浄
能力が相乗的に向上する。 [0029] When hydrogen peroxide is irradiated with ultraviolet rays to greater absorption located aqueous hydrogen peroxide in the wavelength range of the ultraviolet region as described above (in particular 350nm or less), and reacted as follows to generate hydroxyl radicals. 2H 2 O 2 → OH - + · OH + HO 2 · + H + Further, the presence of chloride ions react as follows Cl - + H 2 O 2 → - OCl + H 2 O H 2 O 2 + HOCl (- OCl) → 1 O 2 + H 2 O + HCl (Cl -) superoxide (singlet oxygen) occurs. Since the superoxide itself has an oxidizing power, the cleaning ability is synergistically improved.

【００３０】 このような性質を利用することにより、過
酸化水素水単独で紫外線照射を行う場合よりも高い洗浄
力が得られ、低い濃度の過酸化水素水によっても従来と
同等又はそれ以上の洗浄力を得ることができる。 [0030] By utilizing such properties, high detergency can be obtained than the case of performing the ultraviolet irradiation with a hydrogen peroxide solution alone, even conventional equivalent or more washing by aqueous hydrogen peroxide of low concentration You can gain power.

【００３１】 この本発明の洗浄液は有機物汚染のみなら
ず粒子汚染、金属汚染に対しても有効に働くが、酸性溶
液と過酸化水素水の混合した洗浄液の場合には特に金属
汚染の除去を良好に行う。 [0031] The cleaning solution of the present invention is organic contamination not only particulate contamination, work effectively against metal contamination, but especially the removal of metal contamination in the case of the mixed cleaning solution of the acid solution and hydrogen peroxide good To do.

【００３２】 請求項７記載の発明では、基板の洗浄工程
において、過酸化水素水と酸性溶液と純水とを混合して
洗浄液とし、この混合した洗浄液に紫外線を照射して照
射洗浄液とし、この照射直後に照射洗浄液を基板に噴射
する工程を備えた。 According to the seventh aspect of the present invention, in the substrate cleaning step, a hydrogen peroxide solution, an acidic solution and pure water are mixed to form a cleaning liquid, and the mixed cleaning liquid is irradiated with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning liquid. A step of injecting the irradiation cleaning liquid onto the substrate immediately after the irradiation is provided.

【００３３】 前述のとおり過酸化水素水と酸性溶液と純
水の混合液に紫外線を照射させた洗浄液は、その活性は
衰えやすいため直ちに使用することが望ましい。そのた
め紫外線照射後直ちにその活性を保持するため、紫外線
照射直後に照射洗浄液を基板に噴射した。 The cleaning solution is irradiated with ultraviolet rays in a mixture of hydrogen peroxide and the acid solution and pure water as described above, it is desirable to use immediately for its activity easy decline. Therefore, in order to maintain the activity immediately after the ultraviolet irradiation, the irradiation cleaning liquid was sprayed on the substrate immediately after the ultraviolet irradiation.

【００３４】 またウエハ等の基板の大型化、アスペクト
比の高率化によってバッジ式の処理よりも枚葉式の処理
が適している場合もある。この発明では洗浄液の消費量
を抑えて枚葉式の欠点をカバーしつつ一枚ごとの洗浄を
可能とすることができる。 In some cases, single-wafer processing is more suitable than badge processing because of the increase in the size of substrates such as wafers and the increase in aspect ratio. According to the present invention, it is possible to reduce the consumption of the cleaning liquid and to perform cleaning of each sheet while covering the defects of the single wafer type.

【００３５】 同様に請求項８記載の発明では、洗浄工程
において同様の照射洗浄液に基板を浸漬する工程を備え
た。基板の浸漬は、照射洗浄液で満たした洗浄槽に基板
を入れて洗浄する。このとき超音波を照射してもよい。 [0035] In the invention likewise eighth aspect, comprising a step of immersing the substrate in the same manner of irradiation cleaning liquid in the cleaning process. For immersion of the substrate, the substrate is placed in a cleaning tank filled with an irradiation cleaning solution and cleaned. At this time, an ultrasonic wave may be applied.

【００３６】 請求項９及び１０記載の発明では、請求項
５乃至８の各発明における酸性溶液を、塩酸溶液とし、
請求項１１及び１２記載の発明ではフッ酸溶液とし、請
求項１３及び１４記載の発明では硫酸溶液とした。 According to the ninth and tenth aspects of the present invention,
The acidic solution in each of the inventions of 5 to 8 is a hydrochloric acid solution,
In the inventions of claims 11 and 12 , a hydrofluoric acid solution is used, and in the inventions of claims 13 and 14 , a sulfuric acid solution is used.

【００３７】 塩酸溶液を用いた場合、洗浄液中の塩酸の
濃度は、１／１００％以上６％以下とし、過酸化水素は
１／５０００％を以上２％以下とした。 When a hydrochloric acid solution was used, the concentration of hydrochloric acid in the cleaning solution was set at 1/100% to 6%, and the concentration of hydrogen peroxide was set at 1/5000% to 2%.

【００３８】 ここで従来使用されていた洗浄液は、塩酸
濃度が４％から６％、過酸化水素の濃度が４％から６％
であるから、従来の洗浄効果を維持しつつその使用する
薬液濃度を大きく減少させることができる。塩酸と過酸
化水素の組み合わせによって、一方の薬剤の濃度を大き
く下げ、一方の薬剤の濃度を従来水準に据え置くおこと
もできる。 The cleaning solution conventionally used has a hydrochloric acid concentration of 4% to 6% and a hydrogen peroxide concentration of 4% to 6%.
Therefore, the concentration of the chemical used can be greatly reduced while maintaining the conventional cleaning effect. The combination of hydrochloric acid and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【００３９】 フッ酸溶液を用いた場合、洗浄液中のフッ
酸溶液の濃度は、１／５００％以上１％以下とし、過酸
化水素は１／５０００％以上２％以下とした。 When a hydrofluoric acid solution was used, the concentration of the hydrofluoric acid solution in the cleaning solution was 1/500% or more and 1% or less, and hydrogen peroxide was 1/5000% or more and 2% or less.

【００４０】 ここで従来使用されていた洗浄液は、フッ
酸濃度が０．１％から１％、過酸化水素の濃度が０．１
％から２％であるから、従来の洗浄効果を維持しつつそ
の使用する薬液濃度を大きく減少させることができる。
フッ酸と過酸化水素の組み合わせによって、一方の薬剤
の濃度を大きく下げ、一方の薬剤の濃度を従来水準に据
え置くおこともできる。 The cleaning solution conventionally used has a hydrofluoric acid concentration of 0.1% to 1% and a hydrogen peroxide concentration of 0.1%.
% To 2%, the concentration of the chemical used can be greatly reduced while maintaining the conventional cleaning effect.
The combination of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【００４１】 硫酸溶液を用いた場合、洗浄液中の硫酸溶
液の濃度は、５％以上９０％以下とし、過酸化水素水は
１／５０００％以上２％以下とした。 When a sulfuric acid solution was used, the concentration of the sulfuric acid solution in the cleaning solution was 5% or more and 90% or less, and the concentration of the hydrogen peroxide solution was 1/5000% or more and 2% or less.

【００４２】 ここで従来使用されていた洗浄液は、硫酸
濃度が８０％から９０％、過酸化水素の濃度が１０％か
ら２０％であるから、従来の洗浄効果を維持しつつその
使用する薬液濃度を大きく減少させることができる。硫
酸酸と過酸化水素の組み合わせによって、一方の薬剤の
濃度を大きく下げ、一方の薬剤の濃度を従来水準に据え
置くおこともできる。 The cleaning solution used heretofore has a sulfuric acid concentration of 80% to 90% and a hydrogen peroxide concentration of 10% to 20%. Therefore, the concentration of the chemical solution used while maintaining the conventional cleaning effect is maintained. Can be greatly reduced. The combination of sulfuric acid and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【００４３】 これらは、過酸化水素水と混合して紫外線
を照射することにより、より洗浄能力が高められ、この
ように薄い溶液でも十分に基板の洗浄を行うことができ
る。 [0043] These, by irradiation with ultraviolet rays is mixed with aqueous hydrogen peroxide, more cleaning ability is enhanced, it is possible to perform this in sufficient cleaning of the substrate in dilute solutions.

【００４４】 請求項１５記載の発明では、基板を洗浄す
る洗浄装置において、アルカリ性溶液又は酸性溶液を含
む複数の種類の薬液を貯蔵する複数の薬液槽と、使用す
る薬液を各薬液槽から所定量を注入し混合して洗浄液と
する薬液混合槽と、この洗浄液に紫外線を照射する照射
手段と、この照射手段で紫外線が照射された照射洗浄液
を基板に噴射して洗浄する噴射手段とを有している。 According to a fifteenth aspect of the present invention, in the cleaning apparatus for cleaning a substrate, a plurality of chemical liquid tanks for storing a plurality of types of chemical liquids including an alkaline solution or an acidic solution, and a predetermined amount of the chemical liquid to be used is supplied from each chemical liquid tank to a predetermined amount. A chemical mixing tank for injecting and mixing a cleaning liquid, irradiating means for irradiating the cleaning liquid with ultraviolet light, and irradiating means for irradiating the substrate with an irradiation cleaning liquid irradiated with ultraviolet light by the irradiation means to perform cleaning. ing.

【００４５】 この照射手段が、紫外光を照射するととも
に面状に並列した光源と、この光源に対向する面を形成
するように洗浄液照射用管を配置した。 [0045] The irradiation means comprises a light source in parallel to the planar with irradiating ultraviolet light, was placed a cleaning liquid irradiation tube to form a surface opposed to the light source.

【００４６】 各構成要素について説明する。 [0046] each component will be described.

【００４７】 薬液槽は、アルカリ性溶液用、酸性溶液
用、過酸化水素水用、純水用など使用する薬液の種類の
数に合わせて用意される。 The chemical solution tank is prepared according to the number of types of chemical solution to be used, such as an alkaline solution, an acidic solution, a hydrogen peroxide solution, and a pure water solution.

【００４８】 これらは管を通じて薬液を混合槽に供給す
る。その供給量は各薬液槽のバルブによって調節され、
これにより洗浄液中に含まれる薬液の濃度が決定され
る。バルブは電磁力によって開閉器の開閉動作を行う電
磁バルブ等が採用できる。 [0048] These are supplied to the mixing tank the chemical through the tube. The supply amount is adjusted by the valve of each chemical tank,
Thus, the concentration of the chemical contained in the cleaning liquid is determined. As the valve, an electromagnetic valve or the like that opens and closes a switch by electromagnetic force can be adopted.

【００４９】 薬液槽は、所定量の薬液を注入したのち洗
浄剤を均一に混合する。 In the chemical tank, a predetermined amount of chemical is injected, and then the cleaning agent is uniformly mixed.

【００５０】 照射手段は、光源と、洗浄液照射用管を有
する。この光源は、過酸化水素水の吸収帯である３００
ｎｍ以下であるため、１５０ｎｍから３２０ｎｍの紫外
線を用いて照射することが望ましい。高圧水銀ランプ、
低圧水銀ランプが使用できる。また２５０ｎｍ前後に発
光のピークを有するキセノンランプを使用することも可
能である。好ましくは、照射強度が２００Ｗ／ｃｍ2以
上を容易に得られる大容量低圧水銀ランプを使用するこ
とが望ましい。洗浄液に十分な照射を行うためこの光源
は面状に配列することが望ましい。 The irradiation means has a light source and a cleaning liquid irradiation tube. This light source has an absorption band of hydrogen peroxide water of 300.
It is preferable that the irradiation be performed using ultraviolet light of 150 nm to 320 nm. High pressure mercury lamp,
A low pressure mercury lamp can be used. It is also possible to use a xenon lamp having an emission peak at around 250 nm. Preferably, it is desirable to use a large-capacity low-pressure mercury lamp capable of easily obtaining an irradiation intensity of 200 W / cm 2 or more. In order to sufficiently irradiate the cleaning liquid, the light sources are desirably arranged in a plane.

【００５１】 洗浄液照射用管は、上記の光源に対向する
面を形成するように配置した。洗浄液照射管は洗浄液を
十分に紫外線にさらすことを目的としている。この洗浄
液照射管は紫外光が十分透過できるように石英等を用い
ることが好ましい。 The tube for irradiating the cleaning liquid was arranged so as to form a surface facing the light source. The cleaning liquid irradiation tube is intended to sufficiently expose the cleaning liquid to ultraviolet rays. This cleaning liquid irradiation tube is preferably made of quartz or the like so that ultraviolet light can be sufficiently transmitted.

【００５２】 また、十分な紫外線照射を受けるため上記
の光源に対向するように面状に配置されることがのぞま
しい。面状に配置するとは、複数の管を並列させてもよ
いが、一本の洗浄液照射管を幾重にも折り返して管を蛇
行させ表面積を大きくする。紫外線照射を十分に受けら
れるようにするためである。 In order to receive sufficient ultraviolet irradiation, it is desirable that the light source be arranged in a plane so as to face the above light source. The term “planar arrangement” means that a plurality of tubes may be arranged in parallel, but one washing liquid irradiation tube is folded back and forth to meander the tubes to increase the surface area. This is in order to sufficiently receive the ultraviolet irradiation.

【００５３】 この照射が十分行われるように光源と対向
する洗浄液照射管の背面に鏡等の反射手段を設置する。
これにより、透過した紫外光を再度利用できるからであ
る。 [0053] installing the reflecting means such as a mirror on the back of the cleaning liquid radiation tube for light source facing to the irradiation is carried out sufficiently.
Thereby, the transmitted ultraviolet light can be reused.

【００５４】 この洗浄液照射管の長さ、太さ、断面等の
形状によって、紫外光の照射量が変化するため、被洗浄
物に応じて決定される。 [0054] The length of the cleaning liquid irradiating tube, the thickness, the shape of the cross section or the like, since the irradiation amount of ultraviolet light changes is determined according to the object to be cleaned.

【００５５】 また、洗浄液照射管へ送り込まれる洗浄液
の量によって、紫外光の照射時間が変化するため、洗浄
液照射管へ送り込まれる洗浄液の流量は被洗浄物の状態
に応じて調節されなければならない。この流量の調節は
バルブによって行うことができる。 Since the irradiation time of the ultraviolet light changes depending on the amount of the cleaning liquid sent to the cleaning liquid irradiation tube, the flow rate of the cleaning liquid sent to the cleaning liquid irradiation tube must be adjusted according to the state of the object to be cleaned. The adjustment of the flow rate can be performed by a valve.

【００５６】 噴射手段は、供給ポンプ等の圧力を受け
て、基板に照射洗浄液または洗浄液をまんべんなくふり
かける手段である。シャワー状のものや、ノズルから霧
状に噴霧するものであってもよい。この噴射手段は基板
の表面と裏面に噴射するため両面に対向した位置に設け
られる。 The injection means is means for spraying the irradiation cleaning liquid or the cleaning liquid evenly on the substrate under the pressure of a supply pump or the like. It may be a shower-like one or a spray-like one from a nozzle. The jetting means is provided at a position opposed to both sides to jet to the front and back surfaces of the substrate.

【００５７】 この噴射手段による洗浄液の噴射は、紫外
線照射の処理の前後のいずれに動作させることも可能で
ある。すなわち、すでに紫外線が照射され活性化されて
いる照射洗浄液を基板に噴射してもよく、まだ紫外線が
照射されていない洗浄液を基板に噴射した後で、洗浄液
のふりかけられた基板を紫外線で照射することも可能で
ある。 [0057] injection of the cleaning liquid by the injection means, it is possible to operate either before or after the process of ultraviolet irradiation. That is, the irradiation cleaning liquid that has been irradiated and activated with ultraviolet rays may be sprayed on the substrate, and the cleaning liquid that has not been irradiated with ultraviolet rays is sprayed onto the substrate, and then the substrate sprayed with the cleaning liquid is irradiated with ultraviolet light. It is also possible.

【００５８】 なお、すでに紫外線が照射されている洗浄
液を使用する場合には、この噴射手段と照射手段の間の
距離は小さくする必要がある。紫外線が照射され活性化
した洗浄液の劣化は速く、照射してからなるだけはやく
洗浄に用いることが好ましいからである。 When using a cleaning liquid which has already been irradiated with ultraviolet rays, the distance between the injection means and the irradiation means must be reduced. This is because the cleaning liquid activated by irradiation with ultraviolet rays deteriorates quickly and is preferably used for cleaning as soon as it is irradiated.

【００５９】 従って洗浄液の流れが滞ることがないよう
に構成される。活性化された洗浄力が減退する前に使用
するためである。 [0059] Thus configured so as not to flow the cleaning liquid stagnates. This is for use before the activated detergency decreases.

【００６０】 また、洗浄に使用した洗浄液を回収し再度
利用する循環手段を併設することもできる。これによ
り、回収した洗浄液から汚れを除去し再度紫外線を照射
することで洗浄能力が再生されて再度利用することがで
きるからである。 Further, a circulating means for recovering and reusing the cleaning liquid used for cleaning may be provided. This is because the cleaning ability is regenerated by removing dirt from the collected cleaning liquid and irradiating ultraviolet rays again, and the cleaning liquid can be reused.

【００６１】 このように構成することにより、複数の薬
液槽から所定の種類の薬液が所定量混合槽に供給され
る。この量は各薬液槽の各バルブで制御される。供給さ
れた薬液は混合槽で均一に混合され洗浄液となる。この
洗浄液はバルブ及び併設された供給ポンプによりその流
量及び圧力を調節されて照射手段へ送られる。 With this configuration, a predetermined type of chemical solution is supplied from the plurality of chemical solution tanks to the mixing tank. This amount is controlled by each valve of each chemical solution tank. The supplied chemicals are uniformly mixed in a mixing tank to become a cleaning liquid. The flow rate and pressure of the cleaning liquid are adjusted by a valve and a supply pump provided therewith and sent to the irradiation means.

【００６２】 照射手段では、大容量低圧水銀ランプ等の
紫外線を照射する光源の照射を十分うけるように、石英
等の紫外線を透過する材質からなる管を循回する。この
紫外線照射を効率良く行うため、光源は面状に配列さ
れ、洗浄液照射管はこの面状の光源に対向した面を構成
するように並列に配列するか、幾重にも折り返して蛇行
させる。 The irradiating means circulates through a tube made of a material which transmits ultraviolet light such as quartz so as to be sufficiently irradiated by a light source which emits ultraviolet light such as a large-capacity low-pressure mercury lamp. In order to efficiently perform the ultraviolet irradiation, the light sources are arranged in a plane, and the cleaning liquid irradiation tubes are arranged in parallel so as to form a surface facing the planar light source, or folded back and forth to meander.

【００６３】 この洗浄液照射管を通過する間に洗浄液は
活性化される。この照射される紫外線の量は洗浄液の流
量、流れの速度によって調節される。具体的には、併設
した動作制御手段により制御される所定のバルブによっ
てその流量、流速度が制御される。 [0063] cleaning solution while passing through the cleaning liquid irradiation tube is activated. The amount of the irradiated ultraviolet rays is adjusted by the flow rate and the flow rate of the cleaning liquid. Specifically, the flow rate and the flow rate are controlled by a predetermined valve controlled by the operation control means provided in combination.

【００６４】 基板の洗浄は、紫外線の照射を受けた照射
洗浄液を、噴射ノズルから被洗浄物である基板に表面と
裏面からまんべんなくシャワー状に噴射して行っても、
洗浄槽に溜めて浸漬して行ってもよい。但し、洗浄液を
照射した後に長時間滞留させてはならず、照射直後に洗
浄に供される。紫外線照射により高められた洗浄力は経
時的に低下してしまうからである。 The cleaning of the substrate may be performed by spraying the irradiation cleaning liquid, which has been irradiated with ultraviolet rays, uniformly from the front and back surfaces of the substrate to be cleaned into a shower from the spray nozzle.
It may be carried out by immersing in a washing tank. However, it is not allowed to stay for a long time after the irradiation with the cleaning liquid, and the cleaning liquid is used for cleaning immediately after the irradiation. This is because the detergency increased by the irradiation of ultraviolet rays decreases with time.

【００６５】 この洗浄方法及び洗浄装置によれば、従来
よりも低い濃度の薬液によって従来と同等またはそれ以
上の効果をもって基板を洗浄することができる。 [0065] According to the cleaning method and cleaning apparatus, it is possible to clean the substrate with a conventional equal or more effective than the chemical is lower than the conventional concentrations.

【００６６】 従って、基板の洗浄工程において、使用す
る薬液の消費を押さえると同時に廃液量も押さえ、従来
洗浄工程に要していたコストを大幅に削減することがで
きる。 [0066] Thus, in the cleaning step of the substrate, also the pressing time waste liquid when pressing the consumption of the chemical to be used, the cost has been required in the prior washing step can be significantly reduced.

【００６７】[0067]

【発明の実施の形態】以下、本願発明の一の実施態様を
図をもって説明する。図１は本発明の実施形態の一つを
示すフローチャートである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart showing one embodiment of the present invention.

【００６８】 基板１０の洗浄工程において、ステップ１
（Ｓ１）で必要であれば前処理を行う。有機溶剤等によ
る洗浄等が必要であれば行う。 In the cleaning process of the substrate 10, step 1
If necessary in (S1), preprocessing is performed. The cleaning is performed if necessary with an organic solvent or the like.

【００６９】 ステップ２（Ｓ２）では、過酸化水素水と
アルカリ性溶液と純水とを、又は過酸化水素水と酸性溶
液と純水とを混合する。これが洗浄液となる。 In step 2 (S2), a hydrogen peroxide solution, an alkaline solution and pure water, or a hydrogen peroxide solution, an acidic solution and pure water are mixed. This becomes the cleaning liquid.

【００７０】 ステップ３（Ｓ３）でこの洗浄液に紫外線
を照射する。これが照射洗浄液となる。 In step 3 (S3), the cleaning liquid is irradiated with ultraviolet rays. This becomes the irradiation cleaning liquid.

【００７１】 ステップ４（Ｓ４）でこの照射洗浄液を基
板１０に噴射、又は基板１０を照射洗浄液に浸漬する。 In step 4 (S4), the irradiation cleaning liquid is sprayed on the substrate 10, or the substrate 10 is immersed in the irradiation cleaning liquid.

【００７２】 ステップ５（Ｓ５）で必要であれば後処理
を行う。硫酸過酸化水素水によってレジスト剥離処理を
行った後のリンス等の処理を行う。 [0072] subjected to a post-treatment if necessary at Step 5 (S5). A treatment such as rinsing is performed after the resist is stripped with sulfuric acid and hydrogen peroxide.

【００７３】 本実施例の基板１０の洗浄方法は、このよ
うなステップから成り、特にＳ２、Ｓ３，Ｓ４の特徴的
なステップを備える。 The method of cleaning the substrate 10 according to the present embodiment includes such steps, and particularly includes the characteristic steps of S2, S3, and S4.

【００７４】 各ステップの内容を説明する。ステップ２
（Ｓ２）における過酸化水素水とアルカリ性溶液又は酸
性溶液と水とは所定の比率で混合される。その比率は洗
浄の対象となる基板１０の種類や構造によって任意に決
定される。 [0074] describing the contents of each step. Step 2
The hydrogen peroxide solution and the alkaline solution or the acidic solution and the water in (S2) are mixed at a predetermined ratio. The ratio is arbitrarily determined depending on the type and structure of the substrate 10 to be cleaned.

【００７５】 ステップ３（Ｓ３）で洗浄液を活性化させ
るために紫外線を照射する。過酸化水素水は紫外領域
（特に３５０ｎｍ以下）の波長領域に大きい吸収があり
過酸化水素水に紫外線を照射すると、以下のように反応
してヒドロキシラジカルを発生する。 ２Ｈ2Ｏ2 → ＯＨ- ＋ ・ＯＨ ＋ ＨＯ2・ ＋ Ｈ+ このヒドロキルシラジカルは、それ自身も酸化力を有す
るため、洗浄能力が向上する。 In step 3 (S3), ultraviolet rays are irradiated to activate the cleaning solution. Hydrogen peroxide has a large absorption in an ultraviolet region (especially 350 nm or less), and when ultraviolet light is irradiated on the hydrogen peroxide, it reacts as follows to generate hydroxyl radicals. 2H 2 O 2 → OH - + · OH + HO 2 · + H + The hydroxamates Resid radical, since the itself has an oxidizing power, cleaning capacity is improved.

【００７６】 過酸化水素水は酸化剤で特にアルカリ性で
その働きが著しい。このような性質を利用することによ
り、過酸化水素水単独で紫外線照射を行う場合よりも高
い洗浄力が得られ、低い濃度の過酸化水素水によっても
従来と同等の洗浄力を得ることができる。 [0076] Hydrogen peroxide water is particularly its work is significant alkaline with an oxidizing agent. By utilizing such a property, a higher detergency can be obtained than when ultraviolet irradiation is performed using only hydrogen peroxide solution, and a detergency equivalent to the conventional one can be obtained even with a low concentration of hydrogen peroxide solution. .

【００７７】 本発明の洗浄液は有機物汚染のみならず粒
子汚染、金属汚染に対しても有効に働くが、特にアルカ
リ溶液と過酸化水素水の混合した洗浄液の場合には粒子
の除去を良好に行う。 [0077] cleaning solution of the present invention is organic contamination not only particulate contamination, work effectively against metal contamination, but better to remove the particles in particular in the case of the mixed cleaning solution of the alkali solution and hydrogen peroxide .

【００７８】 また、塩素イオンの存在では、以下のよう
に反応して Ｃｌ- ＋ Ｈ2Ｏ2 → -ＯＣｌ ＋ Ｈ2Ｏ Ｈ2Ｏ2 ＋ ＨＯＣｌ（-ＯＣｌ） →1Ｏ2 ＋ Ｈ2Ｏ ＋ ＨＣｌ（Ｃｌ- ） スーパーオキシド（一重項酸素）が発生する。このスー
パーオキシドは、それ自身も酸化力を有するため、洗浄
能力が向上する。 [0078] In the presence of chloride ions react as follows Cl - + H 2 O 2 → - OCl + H 2 O H 2 O 2 + HOCl (- OCl) → 1 O 2 + H 2 O + HCl (Cl − ) Superoxide (singlet oxygen) is generated. Since the superoxide itself has oxidizing power, the cleaning ability is improved.

【００７９】 このような性質を利用することにより、酸
性溶液を添加した場合も過酸化水素水単独で紫外線照射
を行う場合よりも高い洗浄力が得られ、低い濃度の過酸
化水素水によっても従来と同等の洗浄力を得ることがで
きる。 [0079] By utilizing such properties, high detergency can be obtained than the case of performing the ultraviolet irradiation in hydrogen peroxide alone or when adding an acidic solution, prior by hydrogen peroxide of low concentration The same detergency can be obtained.

【００８０】 この本発明の洗浄液は有機物汚染のみなら
ず粒子汚染、金属汚染に対しても有効に働くが、特に酸
性溶液と過酸化水素水の混合した洗浄液の場合には金属
汚染の除去を良好に行う。 [0080] The cleaning solution of the present invention is organic contamination not only particulate contamination, work effectively against metal contamination, but especially the removal of metal contamination in the case of the mixed cleaning solution of the acid solution and hydrogen peroxide good To do.

【００８１】 ステップ４では活性化された照射洗浄液を
活性化後すぐに基板１０に噴射し、又は基板１０を照射
洗浄液に浸漬した。 In step 4, the activated irradiation cleaning liquid was sprayed on the substrate 10 immediately after activation, or the substrate 10 was immersed in the irradiation cleaning liquid.

【００８２】 紫外線を照射した照射洗浄液は、その活性
は衰えやすいため直ちに使用することが望ましい。その
ため紫外線照射後その活性を保持するため、紫外線照射
直後に照射洗浄液を基板１０に噴射した。 Since the activity of the irradiation cleaning liquid irradiated with ultraviolet rays is apt to decline, it is desirable to use the cleaning liquid immediately. Therefore, the irradiation cleaning liquid was sprayed on the substrate 10 immediately after the ultraviolet irradiation in order to maintain the activity after the ultraviolet irradiation.

【００８３】 また、ステップ３とステップ４を同時に行
うことも可能である。すなわち基板１０に洗浄液を噴射
すると同時に、この基板１０に紫外線を照射する工程を
備えた。このような処理により基板１枚づつの処理であ
っても洗浄に要する処理時間を短縮することができる。 Further , step 3 and step 4 can be performed simultaneously. That is, a step of irradiating the substrate 10 with ultraviolet rays at the same time as injecting the cleaning liquid onto the substrate 10 was provided . A process process one by one substrate by such as this can also reduce the processing time required for cleaning.

【００８４】 次に、比較例を図をもって説明する。図２
は本発明の他の実施形態の一つを示すフローチャートで
ある。 Next, it will be described with FIG Comparative Example. FIG.
9 is a flowchart showing another embodiment of the present invention.

【００８５】 基板１０の洗浄工程において、ステップ１
１（Ｓ１１）で必要であれば前処理を行う。有機溶剤等
による洗浄等が必要であれば行う。 In the cleaning process of the substrate 10, step 1
If necessary in 1 (S11), preprocessing is performed. The cleaning is performed if necessary with an organic solvent or the like.

【００８６】 ステップ１２（Ｓ１２）では、過酸化水素
水とアルカリ性溶液と純水とを、又は過酸化水素水と酸
性溶液と純水とを混合する。これが洗浄液となる。 In step 12 (S12), a hydrogen peroxide solution, an alkaline solution and pure water, or a hydrogen peroxide solution, an acidic solution and pure water are mixed. This becomes the cleaning liquid.

【００８７】 ステップ１３（Ｓ１３）でこの洗浄液を基
板１０に噴射、又は基板１０を洗浄液に浸漬する。 In step 13 (S13), the cleaning liquid is sprayed on the substrate 10 or the substrate 10 is immersed in the cleaning liquid.

【００８８】 ステップ１４（Ｓ１４）でこの状態（洗浄
液を噴射した状態、洗浄液に浸漬された状態）で基板１
０に紫外線を照射する。 In step 14 (S14), the substrate 1 is kept in this state (the state where the cleaning liquid is sprayed and the state where it is immersed in the cleaning liquid).
0 is irradiated with ultraviolet rays.

【００８９】 ステップ１５（Ｓ１５）で必要であれば後
処理を行う。硫酸過酸化水素水によってレジスト剥離処
理を行った後のリンス等の処理を行う。 [0089] subjected to a post-treatment, if necessary in the step 15 (S15). A treatment such as rinsing is performed after the resist is stripped with sulfuric acid and hydrogen peroxide.

【００９０】 この比較例の基板１０の洗浄方法は、この
ようなステップから成り、特にＳ１３，Ｓ１４の特徴的
なステップを備える。 The method of cleaning the substrate 10 of this comparative example includes such steps, and particularly includes the characteristic steps of S13 and S14.

【００９１】 前述した実施形態とは、異なり、先に洗浄
液を基板１０に噴射、又は基板１０を洗浄液に浸漬す
る。そして、基板１０に洗浄液が塗布された状態（洗浄
液を噴射した状態、洗浄液に浸漬された状態）で基板１
０に紫外線を照射する。その他使用する光源等について
共通するものについては同様の手段を使用できる。但し
浸漬した状態で紫外線を照射する場合には、並べられた
基板１０によって紫外線が遮られないように、基板１０
の配列と紫外線の入射方向を適宜決定する。 [0091] The embodiment described above is different, previously injects the cleaning liquid to the substrate 10, or the substrate 10 is immersed in the cleaning liquid. Then, in a state where the cleaning liquid is applied to the substrate 10 (a state where the cleaning liquid is sprayed, a state where the cleaning liquid is immersed in the cleaning liquid),
0 is irradiated with ultraviolet rays. The same means can be used for other common light sources. However, when irradiating with ultraviolet light in a state of being immersed, the substrate 10
And the incident direction of ultraviolet rays are appropriately determined.

【００９２】 紫外線を照射した後の照射洗浄液の活性は
衰え易いため、洗浄液が基板１０に接した後で（洗浄液
が基板１０に接した状態で）紫外線を照射する。洗浄液
は、基板１０に接した状態で活性化するため、発生期の
ラジカルを十分利用することができる。 Since the activity of the irradiation cleaning liquid after the irradiation of the ultraviolet light is easily deteriorated, the ultraviolet light is irradiated after the cleaning liquid contacts the substrate 10 (while the cleaning liquid is in contact with the substrate 10). Since the cleaning liquid is activated while being in contact with the substrate 10, the nascent radical can be sufficiently utilized.

【００９３】 また、基板１０に前記洗浄液を噴射すると
同時に、この基板１０に紫外線を照射しても同様の効果
が得られる。 The same effect can be obtained by simultaneously irradiating the substrate 10 with the cleaning liquid and irradiating the substrate 10 with ultraviolet rays.

【００９４】 このような処理により基板１枚づつの処理
であっても洗浄に要する処理時間を短縮することができ
る。 [0094] it is possible to shorten the processing time required for cleaning be processing of one by one substrate by this process.

【００９５】 次に上述した２つの実施形態において使用
される薬液について説明する。ここではアルカリ性溶液
と酸性溶液とが使用される。アルカリ性溶液には主とし
てアンモニア溶液を利用した。このアルカリ性溶液はア
ンモニア溶液に限定されるものではないが、洗浄後残留
して半導体等に悪影響を与えるようなものであってはな
らないため、揮発性を有するものが好ましい。一方酸性
溶液には、代表例として塩酸溶液、フッ酸溶液、硫酸溶
液を利用した。 [0095] Next will be described chemical solution used in the two embodiments described above. Here, an alkaline solution and an acidic solution are used. Ammonia solution was mainly used for the alkaline solution. The alkaline solution is not limited to an ammonia solution, but is preferably a volatile one because it should not remain after cleaning and adversely affect a semiconductor or the like. On the other hand, as the acidic solution, a hydrochloric acid solution, a hydrofluoric acid solution, and a sulfuric acid solution were used as typical examples.

【００９６】 洗浄液におけるアンモニアの濃度は、１／
１０００％以上２％以下とし、過酸化水素水の濃度は１
／５０００％以上２％以下とした。従来使用されていた
洗浄液は、アンモニア濃度が１％から２％、過酸化水素
の濃度が２％から４％であるから、従来の洗浄効果を維
持しつつその使用する薬液濃度を大きく減少させること
ができる。アンモニアと過酸化水素の組み合わせによっ
て、一方の薬剤の濃度を大きく下げ、一方の薬剤の濃度
を従来水準に据え置くおこともできる。 [0096] The concentration of ammonia in the cleaning solution, 1 /
1000% or more and 2% or less, and the concentration of the hydrogen peroxide solution is 1
/ 5000% or more and 2% or less. The cleaning solution used conventionally has an ammonia concentration of 1% to 2% and a hydrogen peroxide concentration of 2% to 4%. Therefore, it is necessary to greatly reduce the chemical concentration used while maintaining the conventional cleaning effect. Can be. The combination of ammonia and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【００９７】 酸性溶液として使用される塩酸溶液、フッ
酸溶液、硫酸溶液の濃度は以下の通りである。 [0097] hydrochloric acid solution used as the acidic solution, a hydrofluoric acid solution, the concentration of sulfuric acid solution is as follows.

【００９８】 塩酸溶液を用いた場合、洗浄液中の塩酸の
濃度は、１／１００％以上６％以下とし、過酸化水素は
１／５０００％以上２％以下とした。従来使用されてい
た洗浄液は、塩酸濃度が４％から６％、過酸化水素の濃
度が４％から６％であるから、従来の洗浄効果を維持し
つつその使用する薬液濃度を大きく減少させることがで
きる。塩酸と過酸化水素の組み合わせによって、一方の
薬剤の濃度を大きく下げ、一方の薬剤の濃度を従来水準
に据え置くおこともできる。 When a hydrochloric acid solution was used, the concentration of hydrochloric acid in the cleaning solution was 1/100% to 6%, and the concentration of hydrogen peroxide was 1/5000% to 2%. The cleaning solution used conventionally has a hydrochloric acid concentration of 4% to 6% and a hydrogen peroxide concentration of 4% to 6%. Therefore, it is necessary to greatly reduce the concentration of the chemical solution used while maintaining the conventional cleaning effect. Can be. The combination of hydrochloric acid and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【００９９】 フッ酸溶液を用いた場合、洗浄液中のフッ
酸溶液の濃度は、１／５００％以上１％以下とし、過酸
化水素は１／５０００％以上２％以下とした。従来使用
されていた洗浄液は、フッ酸濃度が０．１％から１％、
過酸化水素の濃度が０．１％から２％であるから、従来
の洗浄効果を維持しつつその使用する薬液濃度を大きく
減少させることができる。フッ酸と過酸化水素の組み合
わせによって、一方の薬剤の濃度を大きく下げ、一方の
薬剤の濃度を従来水準に据え置くおこともできる。 When a hydrofluoric acid solution was used, the concentration of the hydrofluoric acid solution in the cleaning solution was 1/500% or more and 1% or less, and hydrogen peroxide was 1/5000% or more and 2% or less. Conventionally used cleaning solutions have a hydrofluoric acid concentration of 0.1% to 1%,
Since the concentration of hydrogen peroxide is 0.1% to 2%, it is possible to greatly reduce the concentration of the used chemical solution while maintaining the conventional cleaning effect. The combination of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【０１００】 硫酸溶液を用いた場合、洗浄液中の硫酸溶
液の濃度は、５％以上９０％以下とし、過酸化水素水は
１／５０００％以上２％以下とした。従来使用されてい
た洗浄液は、硫酸濃度が８０％から９０％、過酸化水素
の濃度が１０％から２０％であるから、従来の洗浄効果
を維持しつつその使用する薬液濃度を大きく減少させる
ことができる。硫酸酸と過酸化水素の組み合わせによっ
て、一方の薬剤の濃度を大きく下げ、一方の薬剤の濃度
を従来水準に据え置くおこともできる。 When a sulfuric acid solution was used, the concentration of the sulfuric acid solution in the cleaning solution was 5% or more and 90% or less, and the concentration of the hydrogen peroxide solution was 1/5000% or more and 2% or less. Conventionally used cleaning solutions have a sulfuric acid concentration of 80% to 90% and a hydrogen peroxide concentration of 10% to 20%. Therefore, the concentration of the chemical solution used must be greatly reduced while maintaining the conventional cleaning effect. Can be. The combination of sulfuric acid and hydrogen peroxide can greatly reduce the concentration of one drug and keep the concentration of one drug at a conventional level.

【０１０１】 これらは、過酸化水素水と混合して紫外線
を照射することにより、より洗浄能力が高められ、この
ように薄い溶液でも十分に基板１０の洗浄を行うことが
できる。 [0102] These, by irradiation with ultraviolet rays is mixed with aqueous hydrogen peroxide, more cleaning ability is enhanced, it is possible to perform this in sufficient cleaning of the substrate 10 in dilute solutions.

【０１０２】 次に、基板洗浄装置１について図３乃至図
７を用いて説明する。基板洗浄装置１の第１の実施例を
図３に示す。基板洗浄装置１は、アルカリ性溶液、酸性
溶液、過酸化水素水、純水を含む複数の種類の薬液を貯
蔵する複数の薬液槽２と、使用する薬液を各薬液槽２か
ら所定量を注入し混合して洗浄液とする薬液混合槽３
と、この洗浄液に紫外線を照射する照射手段５と、この
照射手段５で紫外線が照射された照射洗浄液を基板１０
に噴射して洗浄する噴射手段７とを有している。 [0102] Next, the substrate cleaning apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 3-7. FIG. 3 shows a first embodiment of the substrate cleaning apparatus 1. The substrate cleaning apparatus 1 includes a plurality of chemical tanks 2 for storing a plurality of chemical liquids including an alkaline solution, an acidic solution, hydrogen peroxide solution, and pure water, and a predetermined amount of a chemical liquid to be used is injected from each chemical liquid tank 2. Chemical mixing tank 3 for mixing into cleaning liquid
Irradiating means 5 for irradiating the cleaning liquid with ultraviolet light;
And an injecting means 7 for injecting and cleaning.

【０１０３】 薬液槽２は、アルカリ性溶液用、酸性溶液
用、過酸化水素水用、純水用など使用する薬液の種類の
数に合わせて用意され、タンク２Ａ、タンク２Ｂ、タン
ク２Ｃ、タンク２Ｄ等使用される薬剤の種類の数に合わ
せて用意される。これらは、各タンク２Ａ等に設けられ
たバルブＡ、バルブＢ、バルブＣ、バルブＤによってそ
の供給タイミング、その供給量が調節されている。バル
ブは電磁力によって開閉器の開閉動作を行う電磁バルブ
等が採用できる。 The chemical solution tank 2 is prepared according to the number of types of chemical solution to be used, such as an alkaline solution, an acidic solution, a hydrogen peroxide solution, a pure water solution, and the like, and includes tanks 2A, 2B, 2C, and 2D. It is prepared according to the number of kinds of medicines used. The supply timing and supply amount of these are controlled by valves A, B, C, and D provided in each tank 2A and the like. As the valve, an electromagnetic valve or the like that opens and closes a switch by electromagnetic force can be adopted.

【０１０４】 混合槽３は各薬液槽２から供給される薬液
を混合する槽である。混合槽３は、所定量の薬液を注入
したのち洗浄剤を均一に混合する。この混合槽３に供給
される薬液の量は各薬液槽２のバルブによって調節され
るため、これにより混合槽３では所定の薬液の濃度で洗
浄液が作られる。 The mixing tank 3 is a tank for mixing the chemicals supplied from each chemical liquid tank 2. The mixing tank 3 mixes the cleaning agent uniformly after injecting a predetermined amount of the chemical solution. Since the amount of the chemical solution supplied to the mixing tank 3 is adjusted by a valve of each of the chemical tanks 2, a cleaning liquid is formed in the mixing tank 3 at a predetermined concentration of the chemical solution.

【０１０５】 混合槽３で作られた洗浄液は照射手段５へ
送られる。照射手段５は、光源５ａと、洗浄液照射用管
５ｂを有する。この光源５ａは、過酸化水素水の吸収帯
である３００ｎｍ以下であるため、１５０ｎｍから３２
０ｎｍの紫外線を用いて照射することが望ましい。高圧
水銀ランプ、低圧水銀ランプが使用できる。また２５０
ｎｍ前後に発光のピークを有するキセノンランプを使用
することも可能である。好ましくは、照射強度が２００
Ｗ／ｃｍ2以上を容易に得られる大容量低圧水銀ランプ
を使用することが望ましい。 The cleaning liquid produced in the mixing tank 3 is sent to the irradiation means 5. The irradiation unit 5 has a light source 5a and a cleaning liquid irradiation tube 5b. Since the light source 5a has a wavelength of 300 nm or less, which is the absorption band of the hydrogen peroxide solution,
Irradiation using ultraviolet light of 0 nm is desirable. High-pressure mercury lamps and low-pressure mercury lamps can be used. Also 250
It is also possible to use a xenon lamp having an emission peak around nm. Preferably, the irradiation intensity is 200
It is desirable to use a large-capacity low-pressure mercury lamp that can easily obtain W / cm 2 or more.

【０１０６】 この光源５ａは面状に配列することが望ま
しい。洗浄液に十分な照射を行うためである。よって光
源５ａが互いに干渉しないように並列に並べてもよい。 [0106] The light source 5a is desirably arranged in a planar shape. This is for sufficiently irradiating the cleaning liquid. Therefore, the light sources 5a may be arranged in parallel so as not to interfere with each other.

【０１０７】 洗浄液照射管５ｂは、このように面状に並
列した光源５ａと、この光源５ａに対向する面を形成す
るように配置した。洗浄液照射管５ｂは洗浄液を十分に
紫外線にさらすことを目的としているため、紫外光が十
分透過できるように石英等を用いることが好ましい。 The cleaning liquid irradiating tube 5b is arranged so as to form the light source 5a arranged in a plane and the surface facing the light source 5a. Since the cleaning liquid irradiation tube 5b aims at sufficiently exposing the cleaning liquid to ultraviolet rays, it is preferable to use quartz or the like so that ultraviolet light can be sufficiently transmitted.

【０１０８】 具体的に配置した照射手段５を図５に示し
た。５（ａ）にはその斜視図を５（ｂ）にはその断面図
を示した。 [0108] The irradiation unit 5 as specifically arranged as shown in FIG. 5 (a) is a perspective view thereof, and 5 (b) is a sectional view thereof.

【０１０９】 面状に配置するとは、複数の管を並列させ
てもよいが、図５に示した例では一本の洗浄液照射管を
幾重にも折り返して管を蛇行させた。照射をうける表面
積を大きくし、紫外線照射を十分に受けられるようにす
るためである。洗浄液はこの蛇行した石英管を通過しな
がら紫外光の照射を受けて活性化され洗浄に供される。 To arrange in a plane means that a plurality of tubes may be arranged in parallel, but in the example shown in FIG. 5, one washing liquid irradiation tube is folded back and forth to meander. This is because the surface area to be irradiated is increased so that ultraviolet irradiation can be sufficiently received. The cleaning liquid is activated by being irradiated with ultraviolet light while passing through the meandering quartz tube and is provided for cleaning.

【０１１０】 この照射が十分行われるように光源と対向
する洗浄液照射管５ｂの背面に反射鏡５ｃを設置する。
これにより、透過した紫外光を再度利用できるからであ
る。 A reflecting mirror 5c is provided on the back of the cleaning liquid irradiation tube 5b facing the light source so that the irradiation is sufficiently performed.
Thereby, the transmitted ultraviolet light can be reused.

【０１１１】 この洗浄液照射管５ｂの長さ、太さ、断面
等の形状によって、紫外光の照射量が変化するため、被
洗浄物に応じて決定される。 [0111] The length of the cleaning solution irradiation tube 5b, thickness, depending on the shape of the cross section or the like, since the irradiation amount of ultraviolet light changes is determined according to the object to be cleaned.

【０１１２】 また、洗浄液照射管５ｂへ送り込まれる洗
浄液の量によって、紫外光の照射時間が変化するため、
洗浄液照射管へ送り込まれる洗浄液の流量は被洗浄物の
状態に応じて調節されなければならない。この流量の調
節はバルブＦによって行うことができる。洗浄液照射管
５ｂへ送り込まれる洗浄液の量及び照射手段５から送り
出される照射洗浄液の量は、噴射手段７から送り出され
る照射洗浄液の量に関係づけることができる。よってこ
れらの量は、基板１０の洗浄処理に応じて制御すること
ができるため、動作制御手段６によって管理することが
できる。 [0112] Further, the amount of the cleaning liquid fed into the washing liquid irradiating tube 5b, for changing the irradiation time of the ultraviolet light,
The flow rate of the cleaning liquid sent to the cleaning liquid irradiation tube must be adjusted according to the state of the object to be cleaned. The adjustment of the flow rate can be performed by the valve F. The amount of the cleaning liquid sent into the cleaning liquid irradiation tube 5b and the amount of the irradiation cleaning liquid sent out from the irradiation unit 5 can be related to the amount of the irradiation cleaning liquid sent out from the injection unit 7. Therefore, these amounts can be controlled according to the cleaning process of the substrate 10, and can be managed by the operation control unit 6.

【０１１３】 紫外線の照射を受けた照射洗浄液は、噴射
手段７へ送られる。噴射手段７は、供給ポンプ４等の圧
力を受けて、基板１０に照射洗浄液または洗浄液をまん
べんなくふりかける手段である。シャワー状のものや、
ノズルから霧状に噴霧するものであってもよい。この噴
射手段７は基板１０の表面と裏面に噴射するため両面に
対向した位置に設けられる。 The irradiation cleaning liquid which has been irradiated with the ultraviolet rays is sent to the injection means 7. The injection unit 7 is a unit that receives the pressure of the supply pump 4 or the like and evenly sprays the irradiation cleaning liquid or the cleaning liquid on the substrate 10. Shower-like things,
It may be sprayed in a mist form from a nozzle. The jetting means 7 is provided at a position opposed to both sides to jet to the front and back surfaces of the substrate 10.

【０１１４】 図３の基板洗浄装置１には、ノズル状の噴
射手段７である噴射ノズル７ａ及び噴射ノズル７ｂを設
けた。噴射ノズル７ａは基板１０の表面から照射洗浄液
を噴射し、噴射ノズル７ｂは、基板１０の裏面から照射
洗浄液を噴射する。この二つのノズルによって、基板１
０は十分に洗浄液と接触する。The substrate cleaning apparatus 1 shown in FIG . 3 is provided with an injection nozzle 7a and an injection nozzle 7b, which are injection means 7 in the form of a nozzle. The ejection nozzle 7a ejects the irradiation cleaning liquid from the front surface of the substrate 10, and the ejection nozzle 7b ejects the irradiation cleaning liquid from the back surface of the substrate 10. With these two nozzles, the substrate 1
0 is sufficiently in contact with the washing solution.

【０１１５】 なお、この噴射手段７と照射手段５の間の
距離は小さくする必要がある。紫外線が照射され活性化
した洗浄液の劣化は速く、照射してからなるだけはやく
洗浄に用いることが好ましいからである。 The distance between the injection means 7 and the irradiation means 5 needs to be reduced. This is because the cleaning liquid activated by irradiation with ultraviolet rays deteriorates quickly and is preferably used for cleaning as soon as it is irradiated.

【０１１６】 従って洗浄液の流れが滞ることがないよう
に構成される。活性化された洗浄力が減退する前に使用
するためである。 [0116] Thus configured so as not to flow the cleaning liquid stagnates. This is for use before the activated detergency decreases.

【０１１７】 また、洗浄の方法が異なる第２の実施例を
図４に示した。図４の基板洗浄装置１は、基板１０の洗
浄を、洗浄槽に照射洗浄液をためて、基板１０を浸漬す
ることによって行う。基板１０は、まとめて洗浄槽４に
重ねて浸漬される。これで活性化された洗浄液によって
汚れが除去される。これによって一枚ずつ洗浄するより
も一般に速い処理が可能となる。 [0117] Also, showing a second embodiment a method of cleaning is different in FIG. The substrate cleaning apparatus 1 of FIG. 4 cleans the substrate 10 by immersing the substrate 10 in a cleaning tank with an irradiation cleaning liquid. The substrates 10 are immersed together in the cleaning tank 4. Thus, the stain is removed by the activated cleaning liquid. This enables generally faster processing than washing one by one.

【０１１８】 基板１０の洗浄に使用された洗浄液は、ド
レイン８にうけて廃液循環フィルタ１１を介して汚染物
を除去する。この再生された洗浄液は混合槽３へ戻され
て再度洗浄に用いられる。 The cleaning liquid used for cleaning the substrate 10 passes through the drain 8 and removes contaminants through the waste liquid circulation filter 11. The regenerated cleaning liquid is returned to the mixing tank 3 and used again for cleaning.

【０１１９】 このように使用した洗浄液を回収し再度利
用する循環手段を併設することもできる。これにより、
回収した洗浄液から汚れを除去し再度紫外線を照射する
ことで洗浄能力が再生されて再度利用することができ
る。 [0119] It is also possible that features a circulating means for utilizing again recovered cleaning solution used in this way. This allows
By removing dirt from the collected cleaning liquid and irradiating ultraviolet rays again, the cleaning ability is regenerated and can be reused.

【０１２０】 図６には基板洗浄装置１の第１の比較例
を、図７には第２の比較例を示す。第１及び第２の比較
例は第１及び第２の実施例と異なり、紫外線の照射を洗
浄液を噴射した後又は洗浄液に浸漬した後に行う。 [0120] FIG. 6 shows the substrate cleaning apparatus 1.First comparative example
And in FIG.Second comparative exampleIs shown.First and second comparison
An exampleIs different from the first and second embodiments in that the
This is performed after spraying the cleaning liquid or after immersing in the cleaning liquid.

【０１２１】 第１の比較例 は第１の実施例と同様に洗浄
液を基板１０に噴射する手段を有し、第２の比較例は第
２の実施例と同様に基板１０を浸漬する洗浄槽を有す
る。 [0121] cleaning tank first comparative example has a means for injecting a cleaning liquid as in the first embodiment the substrate 10, the second comparative example is dipping the substrate 10 as in the second embodiment Having.

【０１２２】 すなわち、先に洗浄液を基板１０に噴射、
又は基板１０を洗浄液に浸漬する。そして、基板に洗浄
液が塗布された状態（洗浄液を噴射した状態、洗浄液に
浸漬された状態）で基板１０に紫外線を照射する。 [0122] In other words, prior to the injection of the cleaning solution to the substrate 10,
Alternatively, the substrate 10 is immersed in a cleaning liquid. Then, the substrate 10 is irradiated with ultraviolet rays in a state where the cleaning liquid is applied to the substrate (a state where the cleaning liquid is sprayed or a state where the cleaning liquid is immersed in the cleaning liquid).

【０１２３】 なお、第２の比較例において浸漬した状態
で紫外線を照射する場合には、並べられた基板１０によ
って紫外線が遮られないように、基板１０の配列と紫外
線の入射方向を適宜決定する。 In the second comparative example , when irradiating ultraviolet rays in a immersed state, the arrangement of the substrates 10 and the incident direction of the ultraviolet rays are determined as appropriate so that the ultraviolet rays are not blocked by the arranged substrates 10. .

【０１２４】 紫外線を照射した後の照射洗浄液の活性は
衰え易いため、洗浄液が基板１０に接した後で（洗浄液
が基板１０に接した状態で）紫外線を照射する。洗浄液
は、基板１０に接した状態で活性化するため、発生期の
ラジカルを十分利用することができる。 Since the activity of the irradiation cleaning liquid after the irradiation of the ultraviolet light is easily deteriorated, the irradiation of the ultraviolet light is performed after the cleaning liquid contacts the substrate 10 (while the cleaning liquid is in contact with the substrate 10). Since the cleaning liquid is activated while being in contact with the substrate 10, the nascent radical can be sufficiently utilized.

【０１２５】 また、基板１０に前記洗浄液を噴射すると
同時に、この基板１０に紫外線を照射しても同様の効果
が得られる。 The same effect can be obtained by simultaneously irradiating the substrate 10 with the cleaning liquid and irradiating the substrate 10 with ultraviolet rays.

【０１２６】 このように構成することにより、複数の薬
液槽２から所定の種類の薬液が所定量混合槽３に供給さ
れる。この量は各薬液槽２の各バルブで制御される。供
給された薬液は混合槽３で均一にされ洗浄液となる。こ
の洗浄液はバルブＥ及び併設された供給ポンプ４により
その流量及び圧力を調節されて照射手段５へ送られる。 [0126] With this configuration, a plurality of chemical bath 2 of a predetermined type chemical solution is supplied in a predetermined quantity mixing vessel 3. This amount is controlled by each valve of each chemical solution tank 2. The supplied chemical liquid is made uniform in the mixing tank 3 and becomes a cleaning liquid. The flow rate and pressure of the cleaning liquid are adjusted by a valve E and a supply pump 4 attached thereto, and the cleaning liquid is sent to the irradiation means 5.

【０１２７】 照射手段５では、大容量低圧水銀ランプ等
の紫外線を照射する光源５ａの照射を十分うけるよう
に、石英等の紫外線を透過する材質からなる洗浄液照射
管５ｂを循回する。この紫外線照射を効率良く行うた
め、図５で示したように光源５ａは面状に配列され、洗
浄液照射管５ｂはこの面状の光源に対向した面を構成す
るように並列に配列するか、幾重にも折り返して蛇行さ
せる。 In the irradiating means 5, the cleaning liquid irradiating tube 5b made of a material which transmits ultraviolet rays such as quartz is circulated so as to be sufficiently irradiated by the light source 5a which irradiates ultraviolet rays such as a large-capacity low-pressure mercury lamp. In order to efficiently perform the ultraviolet irradiation, the light sources 5a are arranged in a plane as shown in FIG. 5, and the cleaning liquid irradiation tubes 5b are arranged in parallel so as to constitute a surface facing the planar light source, or Turn back and forth in layers.

【０１２８】 この洗浄液照射管５ｂを通過する間に洗浄
液は活性化される。この照射される紫外線の量は洗浄液
の流量、流れの速度によって調節される。具体的には、
併設した動作制御手段６により制御される所定のバルブ
によってその流量、流速度が制御される。 [0128] cleaning solution while passing through the cleaning liquid irradiating tube 5b is activated. The amount of the irradiated ultraviolet rays is adjusted by the flow rate and the flow rate of the cleaning liquid. In particular,
The flow rate and flow rate are controlled by a predetermined valve controlled by the operation control means 6 provided in parallel.

【０１２９】 基板１０の洗浄は、実施例１又は３のよう
に紫外線の照射を受けた照射洗浄液を、噴射ノズル７
ａ、７ｂから被洗浄物である基板１０に表面と裏面から
まんべんなくシャワー状に噴射して行っても、実施例２
又は４のように洗浄槽に溜めて浸漬して行ってもよい。 [0129] cleaning of the substrate 10, the irradiation cleaning liquid irradiated with ultraviolet rays as in Example 1 or 3, the injection nozzle 7
a and 7b, even when the substrate 10 to be cleaned is sprayed uniformly from the front and back surfaces in the form of a shower,
Alternatively, as shown in 4, it may be carried out by immersing in a washing tank.

【０１３０】 また、紫外線の照射は、実施例３のように
洗浄液（未照射）を基板１０に噴射した後、実施例４の
ように基板１０を洗浄液（未照射）に浸漬した後に行う
こともできる。 [0130] The irradiation of ultraviolet rays, after injection into the substrate 10 to the cleaning liquid (unirradiated) as in Example 3, is also possible to perform the substrate 10 as in Example 4 was immersed in the cleaning liquid (unirradiated) it can.

【０１３１】 この基板洗浄装置１によれば、従来よりも
低い濃度の薬液によって従来と同等の効果をもって基板
１０を洗浄することができる。従って、基板１０の洗浄
工程において、使用する薬液の消費を押さえると同時に
廃液量も押さえ、従来洗浄工程に要していたコストを大
幅に削減することができる。 [0131] According to the substrate cleaning apparatus 1, it is possible to clean the substrate 10 with the same effect as conventional by chemical lower than conventional levels. Therefore, in the cleaning process of the substrate 10, the consumption of the chemical solution to be used can be suppressed, and at the same time, the amount of the waste liquid can be suppressed.

【０１３２】 本実施形態の基板１０の洗浄方法及び基板
洗浄装置１の洗浄効果を具体的に説明する。 [0132] The cleaning method and cleaning effect of the substrate cleaning apparatus 1 of the substrate 10 of this embodiment will be described.

【０１３３】 図８は表面に残留するＣｕ汚染濃度の変化
を示す。すなわち本発明の金属汚染除去の効果を示す。
この実験では、ウエハを使用した。１０12atms／ｃｍ2
程度のＣｕ汚染が残留しているウエハに、純水にＨＣｌ
を０．１％、Ｈ2Ｏ2を０．１％を含む洗浄液に紫外線を
照射したのちに洗浄処理した。洗浄の結果Ｃｕ汚染は、
１０10atms／ｃｍ2以下に低減させることができた。 FIG . 8 shows the change in the concentration of Cu contamination remaining on the surface. That is, the effect of the present invention for removing metal contamination is exhibited.
In this experiment, a wafer was used. 10 12 atms / cm 2
HCl in pure water on wafers with residual Cu contamination
Was irradiated with ultraviolet rays to a cleaning solution containing 0.1% of H 2 O 2 and 0.1% of H 2 O 2 , followed by a cleaning treatment. Cu contamination as a result of cleaning
It could be reduced to 10 10 atms / cm 2 or less.

【０１３４】 これに対し、ＨＣｌを５％、Ｈ2Ｏ2を５％
を含む洗浄液で紫外線を照射することなく、同じ条件及
び方法で洗浄処理した。洗浄の結果Ｃｕ汚染は、１０10
atms／ｃｍ2以下であった。 [0134] In contrast, the HCl 5%, the H 2 O 2 5%
The cleaning treatment was carried out under the same conditions and method without irradiating with a cleaning liquid containing UV. As a result of cleaning, Cu contamination is 10 10
atms / cm 2 or less.

【０１３５】 これにより、過酸化水素水に塩酸を加え、
紫外線を照射して洗浄を行う本発明によれば、塩酸の濃
度が５０倍、過酸化水素水の濃度が５０倍の洗浄液を使
用した洗浄処理と同様の金属汚染の除去効果がえられ
た。 [0135] As a result, the hydrochloric acid was added to the hydrogen peroxide solution,
According to the present invention in which cleaning is performed by irradiating ultraviolet rays, the same metal contamination removal effect as in the cleaning treatment using a cleaning liquid having a concentration of hydrochloric acid of 50 times and a concentration of hydrogen peroxide solution of 50 times was obtained.

【０１３６】 図９は表面に残留する汚染粒子数の変化を
示す。すなわち本発明の粒子汚染除去の効果を示す。こ
の実験では、ウエハを使用した。１００個／ｃｍ2程度
のシリカ粒子汚染が残留しているウエハに、純水にＮＨ
4ＯＨを０．１％、Ｈ2Ｏ2を０．１％を含む洗浄液に紫
外線を照射したのちに洗浄処理した。洗浄の結果汚染粒
子数は、１０個／ｃｍ2以下に低減させることができ
た。 FIG . 9 shows the change in the number of contaminant particles remaining on the surface. That is, the effect of the present invention for removing particle contamination is exhibited. In this experiment, a wafer was used. NH3 was added to pure water on the wafer where silica particles contamination of about 100 particles / cm 2 remained.
A cleaning solution containing 0.1% of 4 OH and 0.1% of H 2 O 2 was irradiated with ultraviolet rays and then subjected to a cleaning treatment. As a result of the cleaning, the number of contaminated particles could be reduced to 10 particles / cm 2 or less.

【０１３７】 これに対し、ＮＨ4ＯＨを２％、Ｈ2Ｏ2を
８％を含む洗浄液で紫外線を照射することなく、同じ条
件及び方法で洗浄処理した。洗浄の結果粒子汚染は、１
０個／ｃｍ2以下であった。 [0137] In contrast, 2% NH 4 OH, without irradiation of ultraviolet rays with a washing solution containing 8% H 2 O 2, and the cleaning process in the same conditions and methods. As a result of washing, particle contamination is 1
0 / cm 2 or less.

【０１３８】 これにより、過酸化水素水にアンモニアを
加え、紫外線を照射して洗浄を行う本発明によれば、ア
ンモニアの濃度が２０倍、過酸化水素水の濃度が８０倍
の洗浄液を使用した洗浄処理と同様の粒子汚染の除去効
果がえられた。 [0138] Thus, the ammonia was added to the hydrogen peroxide, according to the present invention for cleaning by irradiating ultraviolet rays, 20 times the concentration of ammonia, the concentration of hydrogen peroxide solution was used 80 times washing liquid The same effect of removing particle contamination as in the cleaning treatment was obtained.

【０１３９】 レジスト剥離を行うために硫酸過酸化水素
でウエハを処理すると、ウエハの表面には多くの硫酸イ
オンが残留する。この硫酸イオンを除去するため一般的
には純水でこれを流す。このとき過酸化水素水を紫外線
で照射してリンス水とし、このリンス水によって洗浄を
行う。紫外線処理のため硫酸イオンの除去効果が高ま
り、硫酸イオンを除去する時間（リンス時間）が短縮さ
れる。 When the wafer is treated with sulfuric acid and hydrogen peroxide to remove the resist, many sulfate ions remain on the surface of the wafer. In order to remove this sulfate ion, it is generally flushed with pure water. At this time, a hydrogen peroxide solution is irradiated with ultraviolet rays to form rinse water, and cleaning is performed with the rinse water. Due to the ultraviolet treatment, the effect of removing sulfate ions is enhanced, and the time (rinse time) for removing sulfate ions is reduced.

【０１４０】 図１０には表面に残留する硫酸イオン濃度
の変化を示す。すなわち本発明のリンス時間の短縮の効
果を示す。この実験では、ウエハを使用した。１０13io
ns／ｃｍ2以上の硫酸イオンが残留しているウエハに、
純水にＨ2Ｏ2を０．０１％を含む洗浄液に紫外線を照射
したのちに洗浄処理した。洗浄の結果硫酸イオン汚染
は、約１０分で１０10ions／ｃｍ2程度に低減させるこ
とができた。 FIG . 10 shows the change in the concentration of sulfate ions remaining on the surface. That is, the effect of shortening the rinsing time of the present invention is shown. In this experiment, a wafer was used. 10 13 io
ns / cm 2 or more on the wafer where the sulfate ion remains
A cleaning liquid containing 0.01% of H 2 O 2 in pure water was irradiated with ultraviolet rays and then subjected to a cleaning treatment. As a result of the washing, sulfate ion contamination was reduced to about 10 10 ions / cm 2 in about 10 minutes.

【０１４１】 これに対し、純水によって、同じ条件及び
方法で洗浄処理した。洗浄の結果硫酸イオン汚染は、約
１０分で１０12atms／ｃｍ2程度であった。 [0141] In contrast, the pure water, and cleaning treatment in the same conditions and methods. As a result of the cleaning, sulfate ion contamination was about 10 12 atms / cm 2 in about 10 minutes.

【０１４２】 これにより、過酸化水素水に紫外線を照射
して洗浄を行う本発明によれば、純水のみで処理する場
合に比して、同じ時間内に除去できる硫酸イオンのイオ
ン数が１００倍ともなる。 [0142] Thus, according to the present invention for cleaning by irradiating ultraviolet rays to the hydrogen peroxide solution, as compared with the case of processing only with pure water, ion number of sulfate ions which can be removed in the same time 100 It will be double.

【０１４３】 なお、硫酸と過酸化水素水を混合して紫外
線を照射して、レジスト剥離に使用した場合には、単に
硫酸と過酸化水素水を使用した場合に比べて１／１０以
下に希釈しても同等の効果を得ることができる。 In addition, when sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed and irradiated with ultraviolet rays to be used for stripping the resist, the dilution is reduced to 1/10 or less as compared with the case where sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are simply used. However, the same effect can be obtained.

【０１４４】 図１１には洗浄液に含まれる薬液の使用量
の変化を示す。すなわち使用する薬液の少量化の効果を
示す。 FIG . 11 shows a change in the usage amount of the chemical contained in the cleaning liquid. That is, the effect of reducing the amount of the used chemical solution is exhibited.

【０１４５】 以上の各洗浄試験の方法によって使用した
薬液の一日当たりの使用量を概算し比較した。これを図
１１に示す。図１１に示すとおり、薬液の使用量は本発
明による場合には２リットルから２．５リットル程度で
あるのに対して、紫外線照射を行わない洗浄液では、薬
液の使用量は約５０リットルである。 The daily amount of the chemical solution used in each of the cleaning test methods described above was estimated and compared. This is shown in FIG. As shown in FIG. 11, the amount of the chemical used is about 2 to 2.5 liters in the case of the present invention, whereas the amount of the chemical used is about 50 liters in the case of the cleaning liquid which is not irradiated with ultraviolet rays. .

【０１４６】 よって、本発明によれば洗浄液に使用する
薬液の使用量を少なくとも１／２０以下に削減できる。 [0146] Thus, the amount of the chemical liquid used in the cleaning solution according to the present invention can be reduced to at least 1/20 or less.

【０１４７】 このように、本発明によれば、過酸化水素
水及び酸性溶液又はアルカリ性溶液の濃度を従来に比し
て大幅に低くしても、従来と同様またはそれ以上の洗浄
効果を得ることができる。 [0147] It this way, according to the present invention, even when substantially lower the concentration of hydrogen peroxide and an acidic solution or alkaline solution than the conventional, to obtain a conventional manner or more washing effect Can be.

【０１４８】[0148]

【発明の効果】本願発明は以上のように構成され機能す
るので、過酸化水素水とアルカリ性溶液又は酸性溶液と
純水とを混合して洗浄液とし、この混合した洗浄液に紫
外線を照射して照射洗浄液とし、この照射直後に照射洗
浄液で基板を洗浄する工程を備えることによって、従来
よりも濃度の薄い洗浄液を用いながら従来と同程度また
はそれ以上の洗浄効果が得られる基板の洗浄方法及び基
板洗浄装置を提供することができる。Since the present invention is constructed and functions as described above, a cleaning solution is prepared by mixing a hydrogen peroxide solution with an alkaline solution or an acidic solution and pure water, and the mixed cleaning solution is irradiated with ultraviolet rays. A method for cleaning a substrate and a method for cleaning a substrate, wherein a cleaning effect having a similar or better cleaning effect can be obtained while using a cleaning liquid having a lower concentration than before by providing a cleaning liquid and a step of cleaning the substrate with an irradiation cleaning liquid immediately after the irradiation. An apparatus can be provided.

【０１４９】 また、過酸化水素水にアルカリ性溶液又は
酸性溶液を加えて紫外線を照射したことから、有機物汚
染のみならず粒子汚染や金属汚染をも十分に除去し、洗
浄工程の簡略化及び使用薬液の種類を少なくすることが
でき、簡易な洗浄方法及び基板洗浄装置を提供すること
ができる。 Further , since an alkaline solution or an acidic solution was added to the hydrogen peroxide solution and irradiated with ultraviolet rays, not only organic matter contamination but also particle contamination and metal contamination were sufficiently removed, thereby simplifying the cleaning step and using a chemical solution. Can be reduced, and a simple cleaning method and a substrate cleaning apparatus can be provided.

【０１５０】 さらに、洗浄効果を維持しつつも洗浄剤の
使用量を抑制することができるから、廃液の処理回収に
かかる労力及び費用を削減可能な経済効率のよい基板の
洗浄方法及び基板洗浄装置をも提供することができる。 [0150] Further, since it is possible while maintaining the cleaning effect to suppress the amount of the cleaning agent, cleaning method and a substrate cleaning apparatus of good substrate of capable of reducing economic efficiency of such effort and expense to the process recovery of waste Can also be provided.

【０１５１】 過酸化水素水に酸性溶液又はアルカリ性溶
液を加えて紫外線を照射し、これにより洗浄力を上昇さ
せることができることから、過酸化水素水のみで洗浄す
る場合にその酸化力を高めるために必要であった加熱が
不要となり、加熱設備を不要とし、省エネルギー化を図
ることができる。 An acidic solution or an alkaline solution is added to a hydrogen peroxide solution and irradiated with ultraviolet rays, whereby the detergency can be increased. Therefore, in the case of washing with only a hydrogen peroxide solution, the oxidizing power is increased. The required heating is not required, so that heating equipment is not required, and energy saving can be achieved.

【０１５２】 また、基板又はシリコンウエハの大型化や
アスペクト比の高率化への傾向が高まる中で、これらの
洗浄が困難な基板にも十分な洗浄を洗浄液の使用量の増
大を伴うことなく実現することができる。 In addition, as the tendency of substrates or silicon wafers to increase in size and increase in aspect ratio is increasing, sufficient cleaning can be performed on these difficult-to-clean substrates without increasing the amount of cleaning liquid used. Can be realized.

【０１５３】 さらに、スループットの面ではバッチ式の
処理では適切ではない、直径３００ｍｍ以上のウエハに
ついても基板１枚ごとに洗浄液を噴射して効率的な洗浄
を行うことができる。また、このとき薬液の使用量が十
分に押さえられることから、枚葉式処理の欠点を解決
し、その利用の途を拡げることができる。このことは、
基板の形や大きさ、態様の多様化に対応可能な基板の洗
浄方法及び基板洗浄装置を提供することを可能とする。 [0153] Further, not suitable in the processing of a batch in terms of throughput, can be carried out efficient cleaning by spraying a cleaning liquid for every one substrate also more wafer diameter 300 mm. At this time, since the amount of the chemical used is sufficiently suppressed, the drawback of the single-wafer processing can be solved, and the use of the processing can be expanded. This means
It is possible to provide a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus that can cope with diversification of the shape, size, and aspect of the substrate.

【０１５４】 基板の洗浄装置においては、光源を面状に
配列し、洗浄液照射管をこの面状の光源に対向した面を
構成するように並列に配列するか、幾重にも折り返して
蛇行させることによって、洗浄液に対する紫外線照射を
効率良く行うことができ、高い洗浄力を有する洗浄液に
よって基板を洗浄することができる。 In the substrate cleaning apparatus, the light sources are arranged in a plane, and the cleaning liquid irradiation tubes are arranged in parallel so as to form a surface facing the planar light source, or are folded back and forth in several layers to meander. Accordingly, the cleaning liquid can be efficiently irradiated with ultraviolet rays, and the substrate can be cleaned with the cleaning liquid having high cleaning power.

【０１５５】 このような光源に対向する洗浄液照射管を
設けたことから、この洗浄液照射管通過する間に活性化
される洗浄液の流量、流れの速度によって、洗浄液が受
ける紫外線の量を調節することができるため、任意の洗
浄力をもった照射洗浄液を作成し使用することができ
る。 Since the cleaning liquid irradiating tube facing the light source is provided, the amount of ultraviolet rays received by the cleaning liquid is adjusted by the flow rate and the flow speed of the cleaning liquid activated while passing through the cleaning liquid irradiating tube. Therefore, an irradiation cleaning liquid having an arbitrary cleaning power can be prepared and used.

【０１５６】 このように、紫外線を照射する工程を含む
基板の洗浄方法において、低濃度の洗浄液を用いて、過
酸化水素水及び酸性又はアルカリ性の薬液の消費を抑制
したうえで、洗浄液の活性を高めた状態で洗浄を行い、
良好な洗浄効果が得られる基板の洗浄方法及びを基板の
洗浄装置を提供することができる。 [0156] Thus, in the cleaning method of a substrate comprising the step of irradiating ultraviolet rays, with a low concentration of the cleaning liquid, after suppressing the consumption of hydrogen peroxide solution and an acidic or alkaline chemical, the activity of the cleaning solution Perform the cleaning in an elevated state,
It is possible to provide a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus capable of obtaining a good cleaning effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の基板の洗浄方法の一の実施形態を示す
フローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing one embodiment of a substrate cleaning method of the present invention.

【図２】比較例を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating a comparative example .

【図３】本発明の基板洗浄装置の第１の実施例を示す構
成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a first embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention.

【図４】本発明の基板洗浄装置の第２の実施例を示す構
成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a second embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention.

【図５】（ａ）には、照射手段の一例を示し、（ｂ）に
は、（ａ）で示した照射手段の断面構成図を示す。5A shows an example of an irradiation unit, and FIG. 5B shows a cross-sectional configuration diagram of the irradiation unit shown in FIG.

【図６】基板洗浄装置の第１の比較例を示す構成図であ
る。FIG. 6 is a configuration diagram illustrating a first comparative example of the substrate cleaning apparatus .

【図７】基板洗浄装置の第２の比較例を示す構成図であ
る。FIG. 7 is a configuration diagram illustrating a second comparative example of the substrate cleaning apparatus .

【図８】表面に残留するＣｕ汚染濃度の変化を示す。FIG. 8 shows a change in the concentration of Cu contamination remaining on the surface.

【図９】表面に残留する汚染粒子数を示す。FIG. 9 shows the number of contaminant particles remaining on the surface.

【図１０】表面に残留する硫酸イオン濃度を示す。FIG. 10 shows the concentration of sulfate ions remaining on the surface.

【図１１】洗浄液の使用量の比較を示す。FIG. 11 shows a comparison of the amount of a cleaning solution used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板洗浄装置 ２ 薬液槽 ３ 薬液混合槽 ４ 供給ポンプ ５ 照射手段 ６ 動作制御手段 ７ 噴射手段 ８ ドレイン ９ 廃液タンク １０ 基板 １１ 廃液循環フィルタ １２ 洗浄槽 ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ タンクＡ、タンクＢ、タンクＣ ５ａ 光源 ５ｂ 洗浄液照射管 ５ｃ 反射鏡 ６ａ 動作信号 ７ａ、７ｂ 噴射用ノズル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate cleaning apparatus 2 Chemical liquid tank 3 Chemical liquid mixing tank 4 Supply pump 5 Irradiation means 6 Operation control means 7 Injection means 8 Drain 9 Waste liquid tank 10 Substrate 11 Waste liquid circulation filter 12 Cleaning tank 2A, 2B, 2C Tank A, tank B, tank C 5a Light source 5b Cleaning liquid irradiation tube 5c Reflector 6a Operation signal 7a, 7b Injection nozzle

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４２Ｅ ６４３ ６４３Ａ ６４７ ６４７Ｚ ６４８ ６４８Ｇ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H01L 21/304 642 H01L 21/304 642E 643 643A 647 647Z 648 648G

Claims (19)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 基板の洗浄方法において、過酸化水素水
とアルカリ性溶液と純水とを混合して洗浄液とし、この
混合した洗浄液に紫外線を照射して照射洗浄液とし、こ
の照射を終えてその直後に前記照射洗浄液で前記基板を
洗浄する工程を備えたことを特徴とする基板の洗浄方
法。In a method for cleaning a substrate, a cleaning liquid is prepared by mixing a hydrogen peroxide solution, an alkaline solution and pure water, and the mixed cleaning liquid is irradiated with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning liquid. Cleaning the substrate with the irradiation cleaning liquid. 【請求項２】 基板の洗浄方法において、過酸化水素水
とアルカリ性溶液と純水とを混合して洗浄液とし、この
混合した洗浄液に紫外線を照射して照射洗浄液とし、こ
の照射を終えてその直後に前記照射洗浄液を前記基板に
噴射する工程を備えたことを特徴とする基板の洗浄方
法。2. A method for cleaning a substrate, comprising mixing a hydrogen peroxide solution, an alkaline solution and pure water to form a cleaning solution, irradiating the mixed cleaning solution with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning solution, and immediately after the irradiation, And a step of spraying the irradiation cleaning liquid onto the substrate. 【請求項３】 基板の洗浄方法において、過酸化水素水
とアルカリ性溶液と純水とを混合して洗浄液とし、この
混合した洗浄液に紫外線を照射して照射洗浄液とし、こ
の照射を終えてその直後に前記照射洗浄液に前記基板を
浸漬する工程を備えたことを特徴とする基板の洗浄方
法。3. A method for cleaning a substrate, comprising mixing a hydrogen peroxide solution, an alkaline solution and pure water to form a cleaning solution, irradiating the mixed cleaning solution with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning solution, and immediately after the irradiation, Further comprising a step of immersing the substrate in the irradiation cleaning liquid. 【請求項４】 前記アルカリ性溶液が、アンモニア溶液
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項
に記載の基板の洗浄方法。4. The method according to claim 1, wherein the alkaline solution is an ammonia solution. 【請求項５】 前記洗浄液の、過酸化水素の濃度が１／
５０００％以上２％以下であり、アンモニアの濃度が１
／１０００％以上２％以下であることを特徴とする請求
項４に記載の基板の洗浄方法。5. The cleaning liquid according to claim 1, wherein the concentration of hydrogen peroxide is 1 /.
5000% or more and 2% or less, and the concentration of ammonia is 1%.
The method for cleaning a substrate according to claim 4, wherein the content is not less than / 1000% and not more than 2%. 【請求項６】 基板の洗浄方法において、過酸化水素水
と酸性溶液と純水とを混合して洗浄液とし、この混合し
た洗浄液に紫外線を照射して照射洗浄液とし、この照射
を終えてその直後に前記照射洗浄液で前記基板を洗浄す
る工程を備えたことを特徴とする基板の洗浄方法。6. A method for cleaning a substrate, comprising mixing a hydrogen peroxide solution, an acidic solution and pure water to form a cleaning solution, irradiating the mixed cleaning solution with ultraviolet rays to obtain an irradiation cleaning solution, and immediately after the irradiation, Cleaning the substrate with the irradiation cleaning liquid. 【請求項７】 基板の洗浄方法において、過酸化水素水
と酸性溶液と純水とを混合して洗浄液とし、この混合し
た洗浄液に紫外線を照射して照射洗浄液とし、この照射
を終えてその直後に前記照射洗浄液を前記基板に噴射す
る工程を備えたことを特徴とする基板の洗浄方法。7. A method for cleaning a substrate, comprising mixing a hydrogen peroxide solution, an acidic solution and pure water to form a cleaning solution, irradiating the mixed cleaning solution with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning solution, and immediately after the irradiation, And a step of spraying the irradiation cleaning liquid onto the substrate. 【請求項８】 基板の洗浄方法において、過酸化水素水
と酸性溶液と純水とを混合して洗浄液とし、この混合し
た洗浄液に紫外線を照射して照射洗浄液とし、この照射
を終えてその直後に前記照射洗浄液に前記基板を浸漬す
る工程を備えたことを特徴とする基板の洗浄方法。8. A method for cleaning a substrate, comprising mixing a hydrogen peroxide solution, an acidic solution and pure water to form a cleaning solution, irradiating the mixed cleaning solution with ultraviolet rays to form an irradiation cleaning solution, and immediately after the irradiation, Further comprising a step of immersing the substrate in the irradiation cleaning liquid. 【請求項９】 前記酸性溶液が、塩酸溶液であることを
特徴とする請求項６乃至８のいずれかの項に記載の基板
の洗浄方法。9. The method according to claim 6, wherein the acidic solution is a hydrochloric acid solution. 【請求項１０】 前記洗浄液の、過酸化水素の濃度が１
／５０００％以上２％以下であり、塩酸の濃度が１／１
００％以上６％以下であることを特徴とする請求項９記
載の基板の洗浄方法。10. The cleaning solution wherein the concentration of hydrogen peroxide is 1
/ 5000% or more and 2% or less, and the concentration of hydrochloric acid is 1/1.
10. The method for cleaning a substrate according to claim 9, wherein the content is from 00% to 6%. 【請求項１１】 前記酸性溶液が、フッ酸溶液であるこ
とを特徴とする請求項６乃至８のいずれかの項に記載の
基板の洗浄方法。11. The method for cleaning a substrate according to claim 6, wherein the acidic solution is a hydrofluoric acid solution. 【請求項１２】 前記洗浄液の、前記過酸化水素の濃度
が１／５０００％以上２％以下であり、フッ酸の濃度が
１／５００％以上１％以下であることを特徴とする請求
項１１記載の基板の洗浄方法。12. The cleaning liquid according to claim 11, wherein the concentration of the hydrogen peroxide is 1/5000% or more and 2% or less, and the concentration of hydrofluoric acid is 1/500% or more and 1% or less. The method for cleaning a substrate according to the above. 【請求項１３】 前記酸性溶液が、硫酸溶液であること
を特徴とする請求項６乃至８のいずれかの項に記載の基
板の洗浄方法。13. The method according to claim 6, wherein the acidic solution is a sulfuric acid solution. 【請求項１４】 前記洗浄液の、前記過酸化水素の濃度
が１／５０００％以上２％以下であり、硫酸の濃度が５
％以上９０％以下であることを特徴とする請求項１３記
載の基板の洗浄方法。14. The cleaning solution, wherein the concentration of the hydrogen peroxide is 1/5000% or more and 2% or less, and the concentration of sulfuric acid is 5% or less.
14. The method for cleaning a substrate according to claim 13, wherein the percentage is not less than 90% and not more than 90%. 【請求項１５】請求項１から１４において、洗浄液を洗15. The cleaning method according to claim 1, wherein the cleaning liquid is washed.
浄液照射用管中に通し、この際に紫外線照射を行うことPass through the tube for irradiating the purified liquid, and irradiate with ultraviolet light at this time
を特徴とする基板の洗浄方法。A method for cleaning a substrate, comprising: 【請求項１６】請求項１５において、洗浄液照射用管は16. The cleaning liquid irradiation tube according to claim 15,
紫外線照射光源に対向する面を有することを特徴とするCharacterized by having a surface facing the ultraviolet light source
基板の洗浄方法。Substrate cleaning method. 【請求項１７】請求項１６において、洗浄液照射用管は17. The cleaning liquid irradiation tube according to claim 16,
幾重にも蛇行していることを特徴とする基板の洗浄方How to clean a substrate characterized by multiple meandering
法。Law. 【請求項１８】 基板を洗浄する洗浄装置において、 アルカリ性溶液又は酸性溶液を含む複数の種類の薬液を
貯蔵する複数の薬液槽と、前記薬液槽から使用する前記
薬液の所定量の供給を受けこの薬液を混合して洗浄液と
する薬液混合槽と、この洗浄液に紫外線を照射する照射
手段と、この照射手段で紫外線が照射された後の照射洗
浄液を基板に噴射して洗浄する噴射手段とを有し、 前記照射手段が、紫外光を照射するとともに面状に並列
した光源と、この光源に対向する面を形成するように洗
浄液照射用管を配置したことを特徴とする基板洗浄装
置。 18. A cleaning apparatus for cleaning a substrate, comprising: a plurality of chemical tanks for storing a plurality of types of chemicals including an alkaline solution or an acidic solution; and a supply of a predetermined amount of the chemical used from the chemical tank. It has a chemical solution mixing tank for mixing a chemical solution to form a cleaning liquid, an irradiation means for irradiating the cleaning liquid with ultraviolet rays, and an injection means for jetting the cleaning liquid irradiated with ultraviolet rays by the irradiation means to the substrate for cleaning. A substrate cleaning apparatus, wherein the irradiating means irradiates ultraviolet light and arranges a light source arranged in a plane and a cleaning liquid irradiating tube so as to form a surface facing the light source. 【請求項１９】請求項１８において、洗浄液照射用管は19. The cleaning liquid irradiation tube according to claim 18,
幾重にも蛇行していることを特徴とする基板洗浄装置。A substrate cleaning apparatus characterized by meandering in multiple layers.
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