JP3432013B2 - 酸化膜の形成方法 - Google Patents
酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3432013B2 JP3432013B2 JP22204994A JP22204994A JP3432013B2 JP 3432013 B2 JP3432013 B2 JP 3432013B2 JP 22204994 A JP22204994 A JP 22204994A JP 22204994 A JP22204994 A JP 22204994A JP 3432013 B2 JP3432013 B2 JP 3432013B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- substrate
- oxygen
- sif
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に酸化膜を形成
する方法、特に半導体装置の製造に好適に適用される酸
化膜の形成方法に関する。
する方法、特に半導体装置の製造に好適に適用される酸
化膜の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体の製造は、高温に熱したS
iウエハに酸素または水蒸気を流し、Si表面を熱酸化
させてSiO2 層を作り、これにホトレジストを塗布
し、回路パターンを露光後現像し、その後、フッ酸また
はプラズマによってSiO2 層をエッチングしてボア・
ホールを形成している。
iウエハに酸素または水蒸気を流し、Si表面を熱酸化
させてSiO2 層を作り、これにホトレジストを塗布
し、回路パターンを露光後現像し、その後、フッ酸また
はプラズマによってSiO2 層をエッチングしてボア・
ホールを形成している。
【0003】従来の半導体の製造は上述のように各種工
程を介在させなければならず、プロセスが複雑となる。
程を介在させなければならず、プロセスが複雑となる。
【0004】このことから、本発明者は、先に特願平3
−260651号を提案している。この提案では、NF
3 と酸素または酸素化合物との混合ガス雰囲気中に基板
を配置する工程と、前記混合ガス雰囲気中に180〜2
30nmの紫外光を入射して基板上に酸化膜を形成する工
程とを具備した酸化膜の形成方法を開示している。この
方法によれば、絶縁層(SiO2 膜)とボアホール(露
光部のSi)が単一プロセスで形成される。
−260651号を提案している。この提案では、NF
3 と酸素または酸素化合物との混合ガス雰囲気中に基板
を配置する工程と、前記混合ガス雰囲気中に180〜2
30nmの紫外光を入射して基板上に酸化膜を形成する工
程とを具備した酸化膜の形成方法を開示している。この
方法によれば、絶縁層(SiO2 膜)とボアホール(露
光部のSi)が単一プロセスで形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの方法では酸
化膜形成効率、コストの点で解決すべき課題がある。
化膜形成効率、コストの点で解決すべき課題がある。
【0006】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、簡単なプロセスで酸化膜
を形成することができ、特に半導体装置の製造に有効な
酸化膜を安価にかつ効率よく形成する方法を提供するこ
とにある。
で、その目的とするところは、簡単なプロセスで酸化膜
を形成することができ、特に半導体装置の製造に有効な
酸化膜を安価にかつ効率よく形成する方法を提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、この課題を
解決すべく鋭意研究した結果、以下の知見に着目した。
すなわち、NF3 ガスの吸収係数は、入射する光の波長
が180nmから170nmと10nm下がっただけ
で、10倍以上高くなり、光分解効率が著しく高くな
る。また、酸化用ガスに至ってはO2 で30倍以上、N
O2 で3倍以上、CO2 では50倍以上と著しい。他
方、O3 は0.5倍、N2 Oは0.5倍と下がるもの
の、全体的に考えると、効率30%以上の高出力Xe−
エキシマランプ(172nm)を用いると、単位時間当
たりのガスの分解効率は、ArFレーザー(193n
m)の場合に比べて、10倍以上である。
解決すべく鋭意研究した結果、以下の知見に着目した。
すなわち、NF3 ガスの吸収係数は、入射する光の波長
が180nmから170nmと10nm下がっただけ
で、10倍以上高くなり、光分解効率が著しく高くな
る。また、酸化用ガスに至ってはO2 で30倍以上、N
O2 で3倍以上、CO2 では50倍以上と著しい。他
方、O3 は0.5倍、N2 Oは0.5倍と下がるもの
の、全体的に考えると、効率30%以上の高出力Xe−
エキシマランプ(172nm)を用いると、単位時間当
たりのガスの分解効率は、ArFレーザー(193n
m)の場合に比べて、10倍以上である。
【0008】本発明の酸化膜製造方法は、この知見に基
づいて完成されたもので、NF3 と酸素または酸素化合
物との混合ガス雰囲気中にシリコンウエハ基板又は、シ
リコン及び酸化膜形成用基板とを配置し、前記混合ガス
雰囲気中に180nm未満の真空紫外光を入射し、室温
乃至200℃内外に加熱された基板上に透明な酸化膜を
形成する。
づいて完成されたもので、NF3 と酸素または酸素化合
物との混合ガス雰囲気中にシリコンウエハ基板又は、シ
リコン及び酸化膜形成用基板とを配置し、前記混合ガス
雰囲気中に180nm未満の真空紫外光を入射し、室温
乃至200℃内外に加熱された基板上に透明な酸化膜を
形成する。
【0009】例示的に本発明方法を説明すれば、Siウ
エハと基板が置かれたNF3 と酸素化合物との混合ガス
雰囲気にXeエキシマランプ光を入射させ、光励起され
たNF3 とSi及び酸素とを互いに反応させる。
エハと基板が置かれたNF3 と酸素化合物との混合ガス
雰囲気にXeエキシマランプ光を入射させ、光励起され
たNF3 とSi及び酸素とを互いに反応させる。
【0010】本発明の酸素化合物はN2 O、NO2 、O
3 、CO2 が好適であり、180nm未満の真空紫外光
は、エキシマランプ、ハロゲンランプ、D2 ランプ、非
線形材料によるハーモニックス紫外レーザー、空気、窒
素又は他のガス雰囲気のアーク、コロナ又は無声放電に
より得られる紫外光が好適であり、基板はシリコンウエ
ハ、SiO2 、ガラス、セラミックス、SiC、カーボ
ン、ダイヤモンド、フッ素樹脂、フッ化物結晶が好適で
ある。
3 、CO2 が好適であり、180nm未満の真空紫外光
は、エキシマランプ、ハロゲンランプ、D2 ランプ、非
線形材料によるハーモニックス紫外レーザー、空気、窒
素又は他のガス雰囲気のアーク、コロナ又は無声放電に
より得られる紫外光が好適であり、基板はシリコンウエ
ハ、SiO2 、ガラス、セラミックス、SiC、カーボ
ン、ダイヤモンド、フッ素樹脂、フッ化物結晶が好適で
ある。
【0011】
【作用】本発明によれば、NF3 と酸素化合物との混合
ガス雰囲気に180nm未満の紫外光、例えばXeエキ
シマランプ光(波長172nm)を入射する。その雰囲
気中にシリコンが入っていると、 O2 の場合、 N2 Oの場合、 O3 の場合、 CO2 の場合、 Si表面を光分解されたFでエッチングして、SiFn
とNO2 を生成する。このSiFnは反応容器中に拡散
され、その一部は基板上に吸着する。一方NO2 は基板
上のSiF4 からOが引き抜かれ、時間経過と共に下記
式の様に進行する。
ガス雰囲気に180nm未満の紫外光、例えばXeエキ
シマランプ光(波長172nm)を入射する。その雰囲
気中にシリコンが入っていると、 O2 の場合、 N2 Oの場合、 O3 の場合、 CO2 の場合、 Si表面を光分解されたFでエッチングして、SiFn
とNO2 を生成する。このSiFnは反応容器中に拡散
され、その一部は基板上に吸着する。一方NO2 は基板
上のSiF4 からOが引き抜かれ、時間経過と共に下記
式の様に進行する。
【0012】
SiFn+NO2 →SiO2 +NO+F2 (n=1〜4) (5)
この反応によって雰囲気ガス中のSiF4 およびNO2
は減少し、それと反対にNOおよびF2 が増大する。ま
た基板上にはSiO2 が析出する。
は減少し、それと反対にNOおよびF2 が増大する。ま
た基板上にはSiO2 が析出する。
【0013】この析出したSiO2 の上に再び雰囲気ガ
ス中のSiF4 が吸着し、これとNO2 が反応してSi
O2 層を形成する。この操作が雰囲気中のSiFn(n
=1〜4)が存在している間、自動的に繰り返されてデ
ジタル的に1層づつSiO2膜が成長していく。
ス中のSiF4 が吸着し、これとNO2 が反応してSi
O2 層を形成する。この操作が雰囲気中のSiFn(n
=1〜4)が存在している間、自動的に繰り返されてデ
ジタル的に1層づつSiO2膜が成長していく。
【0014】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。
【0015】(実施例1)Siウエハ片を挿入したテフ
ロン製反応容器の中に、NF3 :300TorrとN2
O:20Torrを封入し、この混合ガスに20W誘電
体バリア放電型Xeエキシマランプ光を入射した。照射
時間15分で800オングストローム厚のSiO2 酸化
膜が成長した。
ロン製反応容器の中に、NF3 :300TorrとN2
O:20Torrを封入し、この混合ガスに20W誘電
体バリア放電型Xeエキシマランプ光を入射した。照射
時間15分で800オングストローム厚のSiO2 酸化
膜が成長した。
【0016】ここで、172nmのXeエキシマランプ
光によって光分解されたNF3 の中間生成物Nは気相中
のN2 Oと反応してNO2 に、またFはSiウエハ表面
のSiと反応してSiFn(n=1〜4)となって気相
中に拡散する。このSiFnが約10オングストローム
厚さで、容器中に置かれたSiウエハや基板上に吸着す
る。これと気相中のNO2 が反応して、SiO2 が一層
形成される。この一連の操作が気相中にSiFnが存在
する間、連続的に繰り返されて、デジタル的にSiO2
が積層されていく。そのため、大面積或いは多数のシリ
コン片を入れておくことにより、多量のSiFnが生成
され、その結果、形成膜を厚くできる。例えば、1cm
2 のシリコン片を1枚入れた時、膜厚が450オングス
トロームであったのに対し、3枚入れた時は800オン
グストロームと形成膜が厚くなった。
光によって光分解されたNF3 の中間生成物Nは気相中
のN2 Oと反応してNO2 に、またFはSiウエハ表面
のSiと反応してSiFn(n=1〜4)となって気相
中に拡散する。このSiFnが約10オングストローム
厚さで、容器中に置かれたSiウエハや基板上に吸着す
る。これと気相中のNO2 が反応して、SiO2 が一層
形成される。この一連の操作が気相中にSiFnが存在
する間、連続的に繰り返されて、デジタル的にSiO2
が積層されていく。そのため、大面積或いは多数のシリ
コン片を入れておくことにより、多量のSiFnが生成
され、その結果、形成膜を厚くできる。例えば、1cm
2 のシリコン片を1枚入れた時、膜厚が450オングス
トロームであったのに対し、3枚入れた時は800オン
グストロームと形成膜が厚くなった。
【0017】(比較例1)実施例1の容器を用い、同一
の実験条件で、光励起光源のみを193nmのArFエ
キシマレーザー光にしたところ、15分照射でのSiO
2膜厚は300オングストロームと172nmのZeエ
キシマランプの800オングストロームに比べて、成膜
速度が遅いことが明らかになった。
の実験条件で、光励起光源のみを193nmのArFエ
キシマレーザー光にしたところ、15分照射でのSiO
2膜厚は300オングストロームと172nmのZeエ
キシマランプの800オングストロームに比べて、成膜
速度が遅いことが明らかになった。
【0018】(実施例2)実施例1と同じ実験条件で、
酸素源をN2 Oに代えて、O2 、O3 、NO2 、CO2
にしたところ、Xeエキシマランプ光15分照射後のS
iO2 膜厚はO2で約1200オングストローム、O3
で約1000オングストローム、NO2 で約1000オ
ングストローム、CO2 で約500オングストロームで
あった。
酸素源をN2 Oに代えて、O2 、O3 、NO2 、CO2
にしたところ、Xeエキシマランプ光15分照射後のS
iO2 膜厚はO2で約1200オングストローム、O3
で約1000オングストローム、NO2 で約1000オ
ングストローム、CO2 で約500オングストロームで
あった。
【0019】(実施例3)実施例1と同じ実験条件下
で、基板をシリコンウエハからSiO2 、アルミナ、S
iC、カーボン、テフロン及びCaF2 としたところ、
15分間のXeエキシマランプ光照射で、基板がSiO
2 の場合、SiO2 の膜厚は約650オングストローム
であったが、他の基板ではそれぞれ250オングストロ
ーム内外であった。他の基板の場合、Siウエハ基板の
場合の800オングストロームに比べて膜厚が低く、し
かも膜厚が均一ではなかった。この理由は、基板とSi
Fnの吸着のなじみ易さに関係している。また、ここで
基板をF原子と結合しやすい材料にすると、SiFn以
外のフッ化物が生成されてしまうため、SiO2 膜とは
成り得ない。
で、基板をシリコンウエハからSiO2 、アルミナ、S
iC、カーボン、テフロン及びCaF2 としたところ、
15分間のXeエキシマランプ光照射で、基板がSiO
2 の場合、SiO2 の膜厚は約650オングストローム
であったが、他の基板ではそれぞれ250オングストロ
ーム内外であった。他の基板の場合、Siウエハ基板の
場合の800オングストロームに比べて膜厚が低く、し
かも膜厚が均一ではなかった。この理由は、基板とSi
Fnの吸着のなじみ易さに関係している。また、ここで
基板をF原子と結合しやすい材料にすると、SiFn以
外のフッ化物が生成されてしまうため、SiO2 膜とは
成り得ない。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁酸化膜が室温で簡
単にしかも安価に形成できるため、製造工程を省力化す
ることができる。
単にしかも安価に形成できるため、製造工程を省力化す
ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/31
H01L 21/312
H01L 21/314
H01L 21/316
H01L 21/318
H01L 21/768
Claims (5)
- 【請求項1】 NF3 と酸素又は酸素化合物との混合ガ
ス雰囲気中にシリコン及び基板を配置し、前記混合ガス
雰囲気中に180nm未満の波長の真空紫外光を入射し
て、シリコンからSiF 4 を生成し、生成されたSiF
4 を基板上に吸着させ、吸着したSiF 4 が、NF 3 と
酸素又は酸素化合物との反応で生成された酸化物ガスか
ら酸素原子を引抜いて基板上にシリコン酸化膜を形成す
る酸化膜の形成方法。 - 【請求項2】 NF3 と酸素又は酸素化合物との混合ガ
ス雰囲気中にシリコンウエハ基板を配置し、前記混合ガ
ス雰囲気中に180nm未満の波長の真空紫外光を入射
して、シリコンウエハ基板からSiF 4 を生成し、生成
されたSiF 4 を基板上に吸着させ、吸着したSiF 4
が、NF 3 と酸素又は酸素化合物との反応で生成された
酸化物ガスから酸素原子を引抜いてシリコンウエハ基板
上にシリコン酸化膜を形成する酸化膜の形成方法。 - 【請求項3】 酸素化合物がN2 O、NO2 、O3 、C
O2 であることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸
化膜の形成方法。 - 【請求項4】 180nm未満の真空紫外光が、エキシ
マランプ、ハロゲンランプ、D2 ランプ、非線形材料に
よるハーモニックス紫外レーザー、空気、窒素又は他の
ガス雰囲気のアーク、コロナ又は無声放電により得られ
る紫外光から選択されるものである請求項1乃至3のい
ずれかに記載の酸化膜の形成方法。 - 【請求項5】 基板がシリコンウエハ、SiO2 、ガラ
ス、セラミックス、SiC、カーボン、ダイヤモンド、
フッ素樹脂、フッ化物結晶から選ばれるものである請求
項1乃至4のいずれかに記載の酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22204994A JP3432013B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22204994A JP3432013B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0888222A JPH0888222A (ja) | 1996-04-02 |
JP3432013B2 true JP3432013B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=16776302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22204994A Expired - Fee Related JP3432013B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3432013B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102427555B1 (ko) * | 2017-01-17 | 2022-08-01 | 젯트에프 프리드리히스하펜 아게 | 규소 탄화물 상에 절연 층을 제조하는 방법 |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP22204994A patent/JP3432013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0888222A (ja) | 1996-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6395650B1 (en) | Methods for forming metal oxide layers with enhanced purity | |
KR100255960B1 (ko) | 질화 실리콘막의 uv-촉진된 건식 스트리핑 방법 | |
US4940505A (en) | Method for growing single crystalline silicon with intermediate bonding agent and combined thermal and photolytic activation | |
EP0162711B1 (en) | Method of selectively forming an insulation layer | |
Bergonzo et al. | Direct photo-deposition of silicon dioxide films using a xenon excimer lamp | |
JPH0864559A (ja) | 基板面から不要な物質を除去する方法 | |
JPH01244623A (ja) | 酸化膜の製造方法 | |
Bergonzo et al. | Low pressure photodeposition of silicon nitride films using a xenon excimer lamp | |
US5308651A (en) | Photochemical vapor deposition process | |
US5922219A (en) | UV/halogen treatment for dry oxide etching | |
JPH01500444A (ja) | 増大した酸化層成長率の光化学気相成長方法 | |
JP2884968B2 (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
JP3432013B2 (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
JP4124675B2 (ja) | シリコンウェハを低温酸化する方法およびその装置 | |
JPS61228633A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP2640828B2 (ja) | 半導体基板表面の自然酸化膜の除去方法 | |
EP0298126B1 (en) | Optical cvd process | |
JPH02109338A (ja) | 絶縁膜の安定化処理方法 | |
Bergonzo et al. | Photo-CVD of dielectric materials by pseudo-continuous excimer sources | |
JPS63110A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPS627866A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPS61119028A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
JPH06196455A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
JPS60167334A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6277466A (ja) | 薄膜形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |