JP2001068448A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
全に形成することが可能なエッチング方法を提供するこ
と。 【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコン化合
物表面1と紫外線11を透過する窓部材2との間にフッ
化水素酸及び酸化剤を含有する薄液層を介在させ、前記
窓部材2側から前記シリコン化合物表面1に向けて紫外
線11を照射することにより前記シリコン化合物表面1
の少なくとも一部を酸化させるとともに、それにより生
成するシリコン酸化物を前記薄液層に含まれるフッ化水
素酸で前記シリコン化合物表面1から除去することを特
徴とする。
Description
係り、特にシリコン化合物表面をエッチングするための
エッチング方法に関する。
線性、耐薬品性、及び耐摩耗性に優れ、さらに、ワイド
バンドギャップであり、かつ、X線域で高い反射率を示
す等の特徴を有している。そのため、シリコンカーバイ
ドは、半導体デバイスやSR光用グレーティングへの適
用が期待されている。
場合、ダイヤモンド線刻やレーザーアブレーションなど
の物理的手法により加工されているが、微細パターンを
短時間で及び高精度に形成するには化学的手法の適用が
必須である。しかしながら、従来の化学的手法を用いて
シリコンカーバイド基板上に微細パターンを短時間且つ
高精度に形成するには幾つかの問題がある。
(RIE)法等を用いてパターンエッチングを行う場合
には、シリコンカーバイドよりも化学的耐性に優れたレ
ジストが必要である。しかしながら、そのようなレジス
トは非現実的である。また、フォトエレクトロケミカル
(PEC)法を用いた場合には、レジストは不要である
が、直描法であるため加工時間及び加工精度に問題があ
る。
手法として、ClF3ガスやNF3ガスのようなエッチャ
ントガスを用いた光化学的パターンエッチング法を開発
している。この方法は、エッチャントガスの光分解によ
り生成したラジカルを用いて、シリコンカーバイド基板
の表面でシリコンカーバイドをSiFn及びCFn或いは
CNとして昇華させるものである。この方法によると、
表面励起光であるレーザー光の露光部のみで上記昇華が
生じるため、所望のパターンを高い精度で形成すること
が可能である。しかしながら、この方法は、ClF3ガ
スやNF3ガスのような危険なガスを必要とする。
方法によると、シリコンカーバイド基板のようなシリコ
ン化合物基板の表面に化学的手法により微細パターンを
高精度に形成するには、ClF3ガスやNF3ガス等の危
険なガスが必要である。
のであり、シリコン化合物表面に微細パターンを比較的
安全に形成することが可能なエッチング方法を提供する
ことにある。
に、本発明は、シリコン化合物表面と紫外線を透過する
窓部材との間にフッ化水素酸及び酸化剤を含有する薄液
層を介在させ、窓部材側からシリコン化合物表面に向け
て紫外線を照射することによりシリコン化合物表面の少
なくとも一部を酸化させるとともに、それにより生成す
るシリコン酸化物を薄液層に含まれるフッ化水素酸で前
記シリコン化合物表面から除去することを特徴とするエ
ッチング方法を提供する。
起することにより発生する活性の高い酸素原子と、シリ
コン化合物、例えばシリコンカーバイドからなるシリコ
ン化合物表面を光励起することによって結合を切断され
たSi及びCとの反応を利用している。この反応により
生成するSiO2やCO2のような酸化物のうち、CO 2
のようなガスは薄液層中に拡散する。一方、SiO2等
はシリコン化合物表面に残されるが、フッ化水素酸によ
り容易に除去される。本発明のエッチング方法は、この
ような原理に基づいている。
表面のエッチングは酸化剤を用いなくとも実行すること
ができるが、酸化剤を用いた場合、活性の高い酸素原子
を極めて効率的に発生させることができる。そのため、
本発明の方法によると、十分なエッチング深さを容易に
実現することができる。
は、エッチャントとして液体が用いられる。この場合、
気体を用いた場合に比べて、被処理面であるシリコン化
合物表面とエッチャントとの接触密度をより高めること
ができる。したがって、エッチングレートを向上させる
ことが可能となる。
合物のエッチングに、ClF3ガスやNF3ガスのような
危険なガスは用いられず、代わりにフッ化水素酸が用い
られる。フッ化水素酸は上記ガスに比べて取り扱いが比
較的容易であるので、本発明の方法によると、安全にシ
リコン化合物表面に微細パターンを形成することが可能
である。
ン化合物表面と窓部材とは、それらの間にフッ化水素酸
及び酸化剤を含有する薄液層が介在するように配置され
る。このような構造は、例えば、毛細管現象を利用する
ことにより形成することが可能である。この場合、シリ
コン化合物表面全体にフッ化水素酸及び酸化剤を均一に
供給することができる。したがって、均質なエッチング
を行うことが可能となる。また、この場合、必要なフッ
化水素酸等の量は僅かであるため、より安全にエッチン
グを行うことができる。
照しながらより詳細に説明する。
ング方法に用いられる装置を概略的に示す図である。図
1に示す装置10は、ArFエキシマレーザのような紫
外線源12と、ホモジナイザ13と、ミラー14と、所
定のパターンが形成されたフォトマスク15と、基板1
を水平に載置する載置台(図示せず)とで主に構成され
ている。
部材2との間隙に毛細管現象により薄液層(図示せず)
を形成させ、その上部から紫外線を照射する装置であ
る。すなわち、この装置10は、紫外線源12から出力
された紫外線(レーザー光)11を、多面体プリズムの
ようなホモジナイザ13で均一化した後、その進行方向
をミラー14により鉛直方向下向きに変えて、フォトマ
スク15を介して窓部材2側から基板1に照射するもの
である。
1に示す装置10を用いて以下に示す方法によりシリコ
ン化合物表面のエッチングが行われる。
ーバイドやシリコンナイトライドのようなシリコン化合
物で構成された基板1を準備する。この基板1は、少な
くとも一方の主面がシリコン化合物で構成されていれば
特に制限はなく、シリコン化合物からなる基板でもよ
い。また、この基板1は、表面にシリコン化合物層を有
する基板であってもよい。なお、ここでは、基板1はシ
リコン化合物からなる基板であるものとする。
ッ化水素酸と酸化剤とを含有するエッチャントを滴下す
る。エッチャントに用いられる酸化剤としては、H
2O2、H 2SO4、HNO3、KNO3、KMnO4、K2C
rO4、K2Cr2O7、Ag2O、及びCuO等を挙げる
ことができる。これら酸化剤は単独で用いてもよく、混
合して用いてもよい。
部材2を載置する。基板1のシリコン化合物表面に存在
するエッチャントの液滴は、毛細管現象により基板1と
窓部材2との間に広げられる。その結果、エッチャント
は、基板1と窓部材2との間に極めて薄い液膜である薄
液層を形成する。
触するので、上記エッチャントに対して耐性を有する必
要がある。また、後述するように、窓部材2側から紫外
線が照射されるので、窓部材2は紫外線を透過するもの
である必要がある。そのような材料としては、例えばサ
ファイア、石英、合成石英ガラス、フッ化カルシウム、
フッ化マグネシウム、或いはFEPやPFAなどの透明
フッ素樹脂板等を挙げることができる。
ラスはフッ化水素酸に、フッ化カルシウムやフッ化マグ
ネシウムは水にそれぞれおかされる。そのため、これら
材料からなる窓部材2を繰り返し使用した場合、窓部材
2のエッチャントと接触する面に微細な凹凸が形成され
ることがあるが、ここで用いられるエッチャントは液体
であるので、後述する紫外線照射の際に過剰な光散乱を
生ずることはない。
から基板1に向けて紫外線11を照射する。上述したよ
うに、基板1と窓部材2との間には薄液層が介在してい
るので、基板1等は載置台(図示せず)上に水平に配置
することが好ましい。
0nm〜120nmの波長を有するものを用いることが
できる。この波長域において、それぞれの酸化剤は光吸
収を有し、かつ光分解が行われる。但し、フッ化水素酸
の吸収は160nm以下であるため、エッチング効率の
良い波長域は300nm〜160nmであることを付記
しておく。
は、ArFエキシマレーザ、KrFエキシマレーザ、A
rエキシマレーザ、Krエキシマレーザ、F2レーザ、
紫外レーザ光を出力する非線形結晶を用いたレーザ、X
e2 *エキシマランプ、XeClエキシマランプ、Arエ
キシマランプ、Krエキシマランプ、及びUVランプ等
を挙げることができる。
を照射すると、露光部において選択的に上述したエッチ
ングが生ずる。一方、未露光部では上記エッチングは生
じない。その結果、基板1の表面には、フォトマスク1
5のパターンに対応したパターンが形成される。本実施
形態に係る方法によると、以上のようにしてエッチング
が行われる。
常、100〜10μmの範囲内であり、好ましくは50
〜20μmの範囲内である。薄液層の厚さが上記範囲内
である場合、十分な量のエッチャントを基板1の表面に
供給することができ、しかも、薄液層における紫外線1
1の過剰な吸収を抑制して、基板1の表面を十分に光励
起することができる。
ギー密度は、100mJ/cm2以上であることが好ま
しく、500mJ/cm2以上であることがより好まし
い。この場合、活性の高い酸素原子を十分に発生させる
ことができ、しかも、基板1の表面を十分に光励起する
ことができる。
じて紫外線源12を適宜選択することが好ましい。例え
ば、上記エッチャントがフッ化水素と水とを含有する場
合は、紫外線源12として、ArFエキシマレーザ或い
はXe2 *エキシマランプを使用することが好ましい。ま
た、上記エッチャントがフッ化水素と過酸化水素とを含
有する場合は、紫外線源12として、ArFエキシマレ
ーザ、KrFエキシマレーザ、Arエキシマレーザ、K
rエキシマレーザ、F2レーザ、非線形結晶を用いたレ
ーザ、Xe2 *エキシマランプ、XeClエキシマラン
プ、Arエキシマランプ、Krエキシマランプ、Hgラ
ンプ、或いはD2ランプ等を使用することが好ましい。
源12を適宜選択することにより、薄液層における紫外
線11の過剰な吸収を抑制し、基板1の表面を十分に光
励起することができる。すなわち、高いエッチングレー
トを得ることが可能となる。
おいては、エッチャントとして気体ではなく液体が用い
られるため、高いエッチングレートを実現することがで
きる。また、本実施形態の方法において、エッチャント
は毛細管現象を利用して薄液層として形成されるため、
シリコン化合物表面全体にエッチャントを均一に供給す
ることができる。したがって、均質なエッチングを行う
ことが可能となる。さらに、この場合、必要なフッ化水
素溶液等の量は僅かであるため、より安全にエッチング
を行うことができる。
以下に示す方法によりシリコン化合物表面のエッチング
を行った。
化水素酸(H2O:HF=10:1)を滴下し、さら
に、その上にサファイアガラス窓部材2を載置した。す
なわち、毛細管現象を利用して、SiC基板1とサファ
イアガラス窓部材2とがフッ化水素酸からなる薄液層を
介して積層された積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を400mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、75オングストロームのエッチング深さを実現
することができた。
にKrFエキシマレーザー光を照射したところ、SiC
基板1の表面は殆どエッチングされなかった。
水とフッ化水素酸との混合液(H2O2:HF=10:
1)を滴下し、さらに、その上にサファイアガラス窓部
材2を載置した。すなわち、毛細管現象を利用して、S
iC基板1とサファイアガラス窓部材2とが、過酸化水
素を酸化剤として含有するエッチャントの薄液層を介し
て積層された積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を256mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、30オングストロームのエッチング深さを実現
することができた。
水とフッ化水素酸との混合液(H2O2:HF=10:
1)を滴下し、さらに、その上にサファイアガラス窓部
材2を載置した。すなわち、毛細管現象を利用して、S
iC基板1とサファイアガラス窓部材2とが、過酸化水
素を酸化剤として含有するエッチャントの薄液層を介し
て積層された積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にKrFエキシマレーザー光11を400mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、120オングストロームのエッチング深さを実
現することができた。
1のエネルギー密度を変えたこと以外は実施例1に示し
たのと同様の条件でSiC基板1のエッチングを行い、
ArFエキシマレーザー光11のエネルギー密度とエッ
チング深さとの関係を調べた。また、KrFエキシマレ
ーザー光11のエネルギー密度を変えたこと以外は実施
例3に示したのと同様の条件でSiC基板1のエッチン
グを行い、KrFエキシマレーザー光11のエネルギー
密度とエッチング深さとの関係を調べた。その結果を図
2に示す。
方法における紫外線11のエネルギー密度とエッチング
深さとの関係を示すグラフである。図中、横軸は紫外線
11のエネルギー密度を示し、縦軸はエッチング深さを
示している。また、曲線21は、エッチャント及び紫外
線11としてフッ化水素酸及びArFエキシマレーザー
光を用いた場合に得られたデータを示し、曲線22は、
エッチャント及び紫外線11として過酸化水素とフッ化
水素との混合液及びKrFエキシマレーザー光を用いた
場合に得られたデータを示している。
ッチャント及び紫外線11としてフッ化水素酸及びAr
Fエキシマレーザー光を用いた場合に比べ、エッチャン
ト及び紫外線11として過酸化水素とフッ化水素との混
合液及びKrFエキシマレーザー光を用いた場合におい
て、より大きなエッチング深さを得ることができた。す
なわち、酸化剤として過酸化水素を用い且つ紫外線11
としてKrFエキシマレーザー光を用いた場合におい
て、より速いエッチングレートを実現することができ
た。
5%)とフッ化水素酸(40%)との混合液(H 2S
O4:HF=1:1)を滴下し、さらに、その上に石英
ガラス窓部材2を載置した。すなわち、毛細管現象を利
用して、SiC基板1と石英ガラス窓部材2とが、硫酸
を酸化剤として含有するエッチャントの薄液層を介して
積層された積層体を形成した。
積層体に、石英ガラス窓部材2側から基板面に垂直にK
rFエキシマレーザー光11を400mJ/cm2のエ
ネルギー密度で10000ショット照射した。その結
果、45オングストロームのエッチング深さを実現する
ことができた。
化水素酸(40%)との混合液(H2O:HF=3:
1)を滴下し、さらに、その上にサファイアガラス窓部
材2を載置した。すなわち、毛細管現象を利用して、S
iC基板1とサファイアガラス窓部材2とが、純水を酸
化剤として含有するエッチャントの薄液層を介して積層
された積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、80オングストロームのエッチング深さを実現
することができた。
%)とフッ化水素酸(40%)との混合液(HNO3:
HF=1:1)を滴下し、さらに、その上に透明フッ素
樹脂窓部材2を載置した。すなわち、毛細管現象を利用
して、SiC基板1と透明フッ素樹脂窓部材2とが、硝
酸を酸化剤として含有するエッチャントの薄液層を介し
て積層された積層体を形成した。
積層体に、透明フッ素樹脂窓部材2側から基板面に垂直
にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm2
のエネルギー密度で10000ショット照射した。その
結果、90オングストロームのエッチング深さを実現す
ることができた。
ム水溶液(1%)とフッ化水素酸(40%)との混合液
(HNO3:HF=1:1)を滴下し、さらに、その上
にサファイアガラス窓部材2を載置した。すなわち、毛
細管現象を利用して、SiC基板1とサファイアガラス
窓部材2とが、硝酸カリウムを酸化剤として含有するエ
ッチャントの薄液層を介して積層された積層体を形成し
た。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、95オングストロームのエッチング深さを実現
することができた。
酸カリウム水溶液(1%)とフッ化水素酸(40%)と
の混合液(KMnO4:HF=1:1)を滴下し、さら
に、その上にサファイアガラス窓部材2を載置した。す
なわち、毛細管現象を利用して、SiC基板1とサファ
イアガラス窓部材2とが、過マンガン酸カリウムを酸化
剤として含有するエッチャントの薄液層を介して積層さ
れた積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、120オングストロームのエッチング深さを実
現することができた。
カリウム水溶液(1%)とフッ化水素酸(40%)との
混合液(K2CrO4:HF=1:1)を滴下し、さら
に、その上にサファイアガラス窓部材2を載置した。す
なわち、毛細管現象を利用して、SiC基板1とサファ
イアガラス窓部材2とが、クロム酸カリウムを酸化剤と
して含有するエッチャントの薄液層を介して積層された
積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、100オングストロームのエッチング深さを実
現することができた。
酸カリウム水溶液(1%)とフッ化水素酸(40%)と
の混合液(K2Cr2O7:HF=1:1)を滴下し、さ
らに、その上にサファイアガラス窓部材2を載置した。
すなわち、毛細管現象を利用して、SiC基板1とサフ
ァイアガラス窓部材2とが、重クロム酸カリウムを酸化
剤として含有するエッチャントの薄液層を介して積層さ
れた積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、110オングストロームのエッチング深さを実
現することができた。
溶液(1%)とフッ化水素酸(40%)との混合液(A
g2O:HF=1:1)を滴下し、さらに、その上にサ
ファイアガラス窓部材2を載置した。すなわち、毛細管
現象を利用して、SiC基板1とサファイアガラス窓部
材2とが、酸化銀を酸化剤として含有するエッチャント
の薄液層を介して積層された積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、85オングストロームのエッチング深さを実現
することができた。
溶液(1%)とフッ化水素酸(40%)との混合液(C
uO:HF=1:1)を滴下し、さらに、その上にサフ
ァイアガラス窓部材2を載置した。すなわち、毛細管現
象を利用して、SiC基板1とサファイアガラス窓部材
2とが、酸化銅を酸化剤として含有するエッチャントの
薄液層を介して積層された積層体を形成した。
積層体に、サファイアガラス窓部材2側から基板面に垂
直にArFエキシマレーザー光11を650mJ/cm
2のエネルギー密度で10000ショット照射した。そ
の結果、55オングストロームのエッチング深さを実現
することができた。
ッ化水素酸(40%)との混合液(H2O:HF=3:
1)を滴下し、さらに、その上に合成石英ガラス窓部材
2を載置した。すなわち、毛細管現象を利用して、Si
C基板1と合成石英ガラス窓部材2とが、純水を酸化剤
として含有するエッチャントの薄液層を介して積層され
た積層体を形成した。
積層体に、合成石英ガラス窓部材2側から基板面に垂直
にXe2 *エキシマランプ光11を10分間照射した。そ
の結果、30オングストロームのエッチング深さを実現
することができた。
素水(30%)とフッ化水素酸(40%)との混合液
(H2O2:HF=3:1)を滴下し、さらに、その上に
合成石英ガラス窓部材2を載置した。すなわち、毛細管
現象を利用して、SiC基板1と合成石英ガラス窓部材
2とが、過酸化水素を酸化剤として含有するエッチャン
トの薄液層を介して積層された積層体を形成した。
積層体に、合成石英ガラス窓部材2側から基板面に垂直
にKrClエキシマランプ光(222nm)11を10
分間照射した。その結果、60オングストロームのエッ
チング深さを実現することができた。
素水(30%)とフッ化水素酸(40%)との混合液
(H2O2:HF=3:1)を滴下し、さらに、その上に
合成石英ガラス窓部材2を載置した。すなわち、毛細管
現象を利用して、SiN基板1と合成石英ガラス窓部材
2とが、過酸化水素を酸化剤として含有するエッチャン
トの薄液層を介して積層された積層体を形成した。
積層体に、合成石英ガラス窓部材2側から基板面に垂直
にArFエキシマレーザ光11を650mJ/cm2の
エネルギー密度で10000ショット照射した。その結
果、100オングストロームのエッチング深さを実現す
ることができた。
11のエネルギー密度とエッチング深さとの関係を調べ
た。
5%のフッ化水素酸との混合液(H 2O2:HF=10:
1)を滴下し、さらに、その上にサファイアガラス窓部
材2を載置した。すなわち、毛細管現象を利用して、S
iC基板1とサファイアガラス窓部材2とが、過酸化水
素を酸化剤として含有するエッチャントの薄液層を介し
て積層された積層体を形成した。次に、図1に示す装置
10を用いて、この積層体に、サファイアガラス窓部材
2側から基板面に垂直にArFエキシマレーザー光11
を10000ショット照射した。
1のエネルギー密度を変えて複数回行い、それぞれにつ
いて得られたエッチング深さを調べた。その結果を図3
に示す。
ング深さとの関係を示すグラフである。なお、図中、横
軸はエネルギー密度を示し、縦軸はエッチング深さを示
している。また、直線30は実施例17で得られたデー
タを示し、直線31及び32は後述する比較例1及び2
で得られたデータをそれぞれ示している。
比較的低いエネルギー密度で十分なエッチング深さを実
現することができた。
収容し、チャンバー内を5TorrのClF3雰囲気に
制御した。次に、チャンバーに設けられた窓を介してS
iC基板の表面に対して平行に50mJ/cm2のKr
Fエキシマレーザ光を照射して下記反応式に示す光分解
を生じさせた。
シマレーザ光を20Hzで10000ショット照射する
ことにより基板表面を励起させた。このようにして励起
させた基板表面の露光部とClF3の光分解によって発
生したラジカルとを反応させ、基板表面の露光部をエッ
チングした。
Fエキシマレーザー光のエネルギー密度を変えて複数回
行い、それぞれについて得られたエッチング深さを調べ
た。その結果、図3に直線31として示すように、十分
なエッチング深さを実現するには高いエネルギー密度を
必要とした。
収容し、チャンバー内を200TorrのNF3雰囲気
に制御した。次に、チャンバーに設けられた窓を介して
Xe2 *ランプ光を照射するのとともに、SiC基板の表
面に対して垂直にKrFエキシマレーザ光を20Hzで
10000ショット照射した。
エネルギー密度を変えて複数回行い、それぞれについて
得られたエッチング深さを調べた。その結果、図3に直
線32として示すように、十分なエッチング深さを実現
するには比較例1と同様の高いエネルギー密度を必要と
した。
と、シリコン化合物のエッチングに、ClF3ガスやN
F3ガスのような危険なガスは用いられず、代わりにフ
ッ化水素溶液が用いられる。そのため、本発明の方法に
よると、比較的安全にシリコン化合物表面に微細パター
ンを形成することが可能である。
物表面に微細パターンを比較的安全に形成することが可
能なエッチング方法が提供される。
いられる装置を概略的に示す図。
紫外線のエネルギー密度とエッチング深さとの関係を示
すグラフ。
法における紫外線のエネルギー密度とエッチング深さと
の関係を示すグラフ。
Claims (6)
- 【請求項1】 シリコン化合物表面と紫外線を透過する
窓部材との間にフッ化水素酸及び酸化剤を含有する薄液
層を介在させ、前記窓部材側から前記シリコン化合物表
面に向けて紫外線を照射することにより前記シリコン化
合物表面の少なくとも一部を酸化させるとともに、それ
により生成するシリコン酸化物を前記薄液層に含まれる
フッ化水素酸で前記シリコン化合物表面から除去するこ
とを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項2】 前記シリコン化合物表面は、シリコンカ
ーバイド及びシリコンナイトライドのいずれか一方を含
有することを特徴とする請求項1に記載のエッチング方
法。 - 【請求項3】 前記酸化剤は、H2O2、H2SO4、HN
O3、KNO3、KMnO4、K2CrO4、K2Cr2O7、
Ag2O、及びCuOからなる群より選ばれる少なくと
も1種の化合物を含有することを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載のエッチング方法。 - 【請求項4】 前記薄液層を毛細管現象を利用して形成
する請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のエッチ
ング方法。 - 【請求項5】 前記紫外線は、300nm〜120nm
の波長を有することを特徴とする請求項1〜請求項4の
いずれか1項に記載のエッチング方法。 - 【請求項6】 前記窓部材は、サファイア、石英、合成
石英ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、
及び透明フッ素樹脂からなる群より選ばれる材料からな
ることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項
に記載のエッチング方法。
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