JP3123034B2

JP3123034B2 - 透過型多層膜

Info

Publication number: JP3123034B2
Application number: JP32618093A
Authority: JP
Inventors: 恒之芳賀; 勉溝田; 博雄木下
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1993-11-29
Filing date: 1993-11-29
Publication date: 2001-01-09
Anticipated expiration: 2016-01-09
Also published as: JPH07153679A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、波長２００ｎｍ以下の
真空紫外から軟Ｘ線領域の光を対象とした透過型多層膜
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】波長２００ｎｍ以下の真空紫外から軟Ｘ
線領域の光は、ほとんどの物質に対し屈折率は真空の値
である１に極めて近く、しかも、吸収が大きいため透明
な物質は存在しない。従って、可視光で用いられている
ような透過型の光学素子を作製しようとする場合、透明
基板を用いることができないために光が透過する領域に
は支持体や基板がない構造とする必要がある。以下この
ような構造をフリースタンディングという。透過型多層
膜の構造としては図１２（ａ）〜（ｄ）に示す構造が知
られている。図１２（ａ）の透過型多層膜は、透過窓を
有するシリコン基板１１１上にシリコン窒化膜のメンブ
レン１１２を有し、さらにその上に多層膜１１３を有す
る構造の透過型多層膜であり、メンブレン１１２には光
透過窓はなくフリースタンディングではない。図１２
（ｂ）の透過型多層膜は、透過窓を有するシリコン基板
１１４上に、光透過窓を有するシリコン窒化膜のメンブ
レン１１５を有し、その上に多層膜１１６を有する構造
の透過型多層膜であり、フリースタンディングの透過型
多層膜である。図１２（ｃ）の透過型多層膜は、図１２
（ａ）の変形で、透過窓を有するシリコン基板１１７上
に、シリコン窒化膜のメンブレン１１８を有し、シリコ
ン基板の透過窓部分のメンブレン下面に多層膜１１９を
有する構造の透過型多層膜であり、メンブレンには光透
過窓はなくフリースタンディングではない。図１２
（ｄ）の透過型多層膜は、透過窓を有するシリコン基板
１２０上に、シリコン酸化膜とＳｉＣの２層からなるメ
ンブレン１２１を有し、その上に多層膜１２２を有する
構造の透過型多層膜であり、メンブレン１２１には光透
過窓はなくフリースタンディングではない。この様な従
来の透過型多層膜においては、メンブレンとしては通常
ＳｉＮ等の珪化物、ＢＮ等のホウ化物、及びダイヤモン
ド等が用いられている。また、多層膜の重元素層として
はＭｏが、軽元素層としてはＳｉが通常用いられてい
る。

【０００３】このような透過型多層膜を作製する方法の
一つとして図１３に示す方法が知られている。この方法
は、有機薄膜上に多層膜を成膜した後に、有機溶媒によ
り下地の有機薄膜を溶解し（ａ）、多層膜を支持体によ
りすくい取る（ｂ）ことにより多層膜をフリースタンデ
ィングとする方法である（H. Nomura 等, Proc. SPIEVo
l. 1720 (1992) p395 ) 。以下、すくい上げ法と略記す
る。すくい上げ法では、反射面にしわがよりやすいた
め、（ｃ）図のようにすくい上げたあとの有機溶媒を使
ってしわをのばす。

【０００４】透過型多層膜を作製する別の方法として、
図１４に示す方法が知られている。この方法は、Ｘ線露
光のマスクとして用いられるメンブレン上に多層膜を成
膜する方法である（Andrew M Hawryluk 等, J. Vac. Sc
i. Technol. B, Vol.6(1988)p2153)。シリコン基板の両
面に窒化膜を形成し（ａ）、裏面の光が透過する部分の
窒化膜を除去する（ｂ）。ついで、ＫＯＨ等によりシリ
コンをウエットエッチングにより除去した後（ｃ）、表
面の窒化膜上に多層膜を形成することにより多層膜を作
製する。この時、裏面の窒化膜を除去する前に多層膜を
形成する方法も知られている。この方法は、メッシュに
よるすくい上げ法に較べ、大きな開口を有する素子を作
製することが可能であり、多層膜の内部応力に対する余
裕度も大きい。以下、エッチバック法と略記する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図１２（ａ），（ｃ）
及び図１２（ｄ）の構造では、メンブレンの膜厚は通常
数十〜数百ｎｍ程度必要であるため、透過光の強度がメ
ンブレンによる吸収のために著しく減少し、充分な透過
率を得ることができないという問題がある。また、図１
２（ｂ）の構造のように、単純にメンブレンを除去した
場合には、除去後に多層膜の応力のバランスが取れずに
しわができたり亀裂が入ったりする問題がある。また、
多層膜がＭｏ／Ｓｉ等のドライエッチング耐性の小さい
物質で構成されているために、メンブレンをドライエッ
チングで除去する時に多層膜がダメージを受けてしまい
反射率が低下するという問題がある。さらに、透過型多
層膜の平坦性を保持するためには多層膜自身の内部応力
を０あるいは弱い引っ張り応力に制御することが必要で
あるが、応力を制御することにより反射率の低下等を引
き起こすような場合には、多層膜自身の内部応力は制御
することができずに圧縮応力となってしまい、残留応力
によるしわにより透過型多層膜の平坦性が損なわれると
いう問題や、多層膜自身の内部応力が強い引っ張り応力
の場合、平坦性は保たれるものの透過型多層膜は亀裂等
により破損するという問題も生じる。「すくい上げ法」
で作製した透過型多層膜では、多層膜を下地層から剥離
する際に多層膜の持つ内部応力により、剥離した多層膜
にしわが入ったり、亀裂が生じたりする問題がある。さ
らに、支持体にメッシュを用いる場合には、メッシュに
よる透過率の減少やしわによる反射面の乱れ等の問題が
あり、支持体にリング開口を用いる場合には、開口面積
の制限等の問題がある。本発明は上記した従来の問題に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
平坦性の低下による反射率の低下やメンブレンによる透
過率の低下を解決した反射率及び透過率の高い透過型多
層膜を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに第１の発明による透過型多層膜は、支持体と多層膜
を有する透過型多層膜において、前記多層膜の前記支持
体に接する層が白金属元素で構成され、光透過部が多層
膜だけから構成されている。また、第２の発明による透
過型多層膜は、支持体と多層膜を有する透過型多層膜に
おいて、前記多層膜の前記支持体に接する層が白金属元
素で構成され、光透過部が多層膜だけから構成され、さ
らに、光透過用の窓を有し、前記多層膜と同じ性質の残
留応力を持つ膜を、前記多層膜とは反対側の前記支持体
の表面と前記支持体とは反対側の前記多層膜の表面のい
ずれか一方に有する。さらに、第３の発明による透過型
多層膜は、支持体と多層膜を有する透過型多層膜におい
て、前記多層膜の前記支持体に接する層が白金属元素で
構成され、光透過部が多層膜だけから構成され、さら
に、光透過用の窓を有し、前記多層膜とは反対の性質の
残留応力を持つ膜を、前記多層膜と前記支持体の間に有
する。

【０００７】

【作用】第１の発明では、多層膜の支持体に接する層
を、ドライエッチング耐性の高い白金属元素で構成した
ので、多層膜にダメージを与えることなくメンブレンを
除去することができる。これにより、反射光の散乱がな
く高い反射率を持ったフリースタンディングの透過型多
層膜が実現できる。これに加えて、第２の発明では、多
層膜と同じ性質の残留応力を持つ応力緩和膜を、多層膜
とは反対側の支持体の表面あるいは支持体とは反対側の
多層膜の表面に設けることにより、また、第３の発明で
は、多層膜とは反対の性質の残留応力を持つ応力緩和膜
を、前記多層膜と前記支持体の間に設けることにより、
多層膜の残留応力を緩和することができる。これによ
り、高い反射率と透過率をあわせ持つフリースタンディ
ングの透過型多層膜が実現できる。このように第２の発
明では、多層膜の内部応力による影響を緩和するため、
応力緩和膜を設けて多層膜の応力を制御し、メンブレン
除去後の多層膜のしわや亀裂を防止し、かつ優れた平坦
性を保持することを特徴とする。第２の発明ではこの応
力緩和膜をメンブレンとして構成するのではなく、透過
部分はあくまで多層膜のフリースタンディングとし、高
い透過率と高い反射率を同時に実現する点が従来技術と
は異なる。

【０００８】

【実施例】図１は本発明の第１の実施例を説明する図で
ある。透過型多層膜は、多層膜６、ＳｉＮからなるメン
ブレン３、及びシリコン基板４で構成される。このう
ち、多層膜６は１のＲｕと２のＳｉで構成され、Ｒｕ／
Ｓｉ／・・・／Ｓｉ／ＲｕのようにＲｕが多層膜６の両
側になる構成とした。この構成にすると、Ｒｕが窒化膜
のエッチングガスであるＣＦ₄，ＣＦ₄＋Ｈ₂，或いは
ＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂に対するドライエッチング耐性が高
いので、メンブレンをエッチングする際に多層膜にダメ
ージが入りにくくなる。この際、両側の層をＲｕとすれ
ばＭｏ／Ｓｉの多層膜としてもよい。この場合には、全
てをＲｕで作製した多層膜に比べて安価に作成すること
ができる。メンブレン３の構成材料はこの例ではＳｉＮ
であるが、ＳｉＣ等の他の珪素化合物であってもよい。
このように、多層膜の構成材料の一つにドライエッチン
グ耐性の高いＲｕを用いて、Ｒｕ／Ｓｉ／・・・／Ｓｉ
／ＲｕのようにＲｕが両側になる構成としたので、多層
膜にダメージを与えることなくメンブレンをドライエッ
チングにより除去することができる。その結果、反射光
の散乱がなく高い反射率を持つ透過型多層膜となる。

【０００９】次に、このような透過型多層膜の製法を図
２を用いて詳細に説明する。Ｓｉ基板４の両面にＣＶＤ
法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ) またはＥＣ
Ｒ−ＣＶＤ法（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonanc
e）によりＳｉＮあるはＳｉＣ等の珪素化合物３を堆積
する（ｂ）。次に、レジスト５を裏面に塗布し（ｃ）、
光透過窓に対応する部分を露光現像し、レジストパタン
を形成する（ｄ）。露光には、ＬＳＩ製造工程で通常用
いられている光露光あるいはＥＢ露光等を用いる。その
後、レジストパタン５をマスクとして、ＣＦ₄，ＣＦ₄
＋Ｈ₂，或いはＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガスを
主エッチングガスとしたドライエッチングにより、珪素
化合物３をエッチングして除去する（ｅ）。さらに、Ｓ
ｉ基板４をウエットエッチングにより除去し、メンブレ
ン基板を作成する（ｆ）。ここで、ウエットエッチング
はＫＯＨあるいはアミン系等のエッチング液により行
う。次に、メンブレン基板上にＲｕ１とＳｉ２を交互に
堆積して多層膜６を形成する（ｇ）。最後にメンブレン
７をドライエッチングにより除去して透過窓８を形成す
る（ｈ）。このときのエッチングガスとしてはＣＦ₄，
ＣＦ₄＋Ｈ₂，或いはＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲン
ガスを主としたエッチングガスを用いる。

【００１０】図３は透過型多層膜の別の製法を示す図で
ある。工程（ａ）〜（ｅ）は図２の（ａ）〜（ｅ）と同
じである。このように、窓開けした基板４をバックエッ
チする前に多層膜６を積層し（ｆ）、その後でＫＯＨあ
るいはアミン系のエッチャントを用いて基板４をウエッ
トエッチングにより除去し（ｇ）、最後にメンブレン７
にドライエッチングにより透過窓８を形成する（ｈ）プ
ロセスとしても良い。この場合、Ｓｉ基板のバックエッ
チの工程を多層膜作製より先に行うので、バックエッチ
のエッチャントによる多層膜のダメージを防ぐことがで
きる外、メンブレン単体での応力制御範囲に対する余裕
度が大きいという効果がある。すなわち、メンブレン単
体でフリースタンディングにするプロセスがないため、
メンブレンが圧縮応力を持つ場合でも適用できる。多層
膜の内部応力は、従来のマグネトロンスパッタでは数Ｍ
Ｐａ〜１ＧＰａ程度の比較的強い圧縮応力であったが、
本発明では、ガス圧，基板温度，成膜速度等の多層膜の
作製条件を最適化することにより数１０ＭＰａ以下に低
減した。そのため、エッチングによりメンブレンを完全
に除去しても多層膜の内部応力によりしわがよったり、
亀裂が入ったりしないためフリースタンディングにする
ことが可能である。以上の製造プロセスは、特殊な工程
がないため安価に簡便に製作でき、さらに、半導体の製
造プロセスをそのまま用いることができるので、大量生
産にも適する。

【００１１】図４は本発明の第２の実施例を示す。図の
１，２，３，４は図１で説明した材料と同様であり、基
板裏面に応力緩和膜７を持つ構造の透過型多層膜であ
る。本実施例は、多層膜６の残留応力が圧縮応力の場合
であり、多層膜６の持つ圧縮応力を応力緩和膜７の持つ
圧縮応力により打ち消すことにより応力を緩和し透過型
多層膜の平坦性を保持する。これにより透過型多層膜は
反射率及び透過率を損なうことなく高い反射率と透過率
をあわせ持つ。応力緩和膜７としてＳｉＣ，ＳｉＯ₂，
ＳｉＮ等の珪素化合物を用いる。

【００１２】図５は、図４の透過型多層膜の製法を説明
する図である。Ｓｉ基板４の両面にＣＶＤ法またはＥＣ
Ｒ−ＣＶＤ法によりＳｉＮあるいはＳｉＣ等の珪素化合
物３を堆積する（ｂ）。次に、基板４の裏面に形成した
珪素化合物３の上に圧縮応力を持つ応力緩和膜７をスパ
ッタ法あるいは蒸着法により形成する（ｅ）。応力緩和
膜７の持つ圧縮応力により基板４は凹型に反る。その
後、応力緩和膜７上に、レジスト５を塗布し（ｄ）、光
透過窓に対応する部分を露光現像し、レジストパタンを
形成する（ｃ）。露光には、光露光あるいはＥＢ露光等
のＬＳＩ製造工程で通常用いられている方法を用いる。
その後、レジストパタン５をマスクとして、ＣＦ₄，Ｃ
Ｆ₄＋Ｈ₂，或いはＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガ
スを主エッチングガスとしたドライエッチングにより、
応力緩和膜７をエッチングして除去し（ｆ）、続いて珪
素化合物３の一部をエッチングして除去する（ｇ）。さ
らに、Ｓｉ基板４をウエットエッチングにより除去し、
メンブレン基板を作成する（ｈ）。ここで、ウエットエ
ッチングはＫＯＨあるいはアミン系等のエッチング液に
より行う。次に、メンブレン基板上にＲｕ１とＳｉ２を
交互に堆積して多層膜６を積層する（ｉ）。多層膜を積
層することにより多層膜自身の内部応力で基板４の反り
は元に戻る。このため、多層膜の持つ圧縮応力は緩和さ
れ、平坦な多層膜が得られる。最後にメンブレン７にド
ライエッチングにより透過窓を形成する（ｊ）。このと
きのエッチングガスとしてはＣＦ₄，ＣＦ₄＋Ｈ₂，或
いはＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガスを主としたエ
ッチングガスを用いる。本実施例においても、多層膜の
積層工程（ｉ）を基板のバックエッチ工程（ｈ）の前に
行ってもよい。この場合、Ｓｉ基板のバックエッチの工
程を多層膜作製より先に行うので、バックエッチのエッ
チャントによる多層膜のダメージを防ぐことができる
他、メンブレン単体での応力制御範囲に対する余裕度が
大きいという効果がある。すなわち、メンブレン単体で
フリースタンディングにするプロセスがないため、メン
ブレンが圧縮応力を持つ場合でも適用できる。

【００１３】図６は、本発明の第３の実施例を示す図で
ある。図の１，２，３，４は図１で説明した材料と同様
である。本実施例は多層膜６の残留応力が強い引っ張り
応力の場合である。第２の実施例では基板裏面に応力緩
和膜７を設けたが、本実施例では多層膜の上に応力緩和
膜７を持つ構造とする。多層膜６の持つ引っ張り応力を
応力緩和膜７の持つ引っ張り応力により緩和する。応力
緩和膜７としては、ＳｉＣ，ＳｉＯ₂，ＳｉＮ等の珪素
化合物を用いる。

【００１４】図７は、図６に示す透過型多層膜の製法を
説明する図である。Ｓｉ基板４の両面にＣＶＤ法または
ＥＣＲ−ＣＶＤ法によりＳｉＮあるいはＳｉＣ等の珪素
化合物３を堆積する（ｂ）。次に、基板４の裏面に形成
した珪素化合物３の上にレジスト５を塗布し（ｃ）、光
透過窓に対応する部分を露光現像し、レジストパタンを
形成する（ｄ）。露光には、光露光あるいはＥＢ露光等
のＬＳＩ製造工程で通常用いられている方法を用いる。
その後、レジストパタン５をマスクとして、ＣＦ₄，Ｃ
Ｆ₄＋Ｈ₂，或いはＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガ
スを主エッチングガスとしたドライエッチングにより、
珪素化合物３の一部を除去する（ｅ）。次に、表面に形
成した珪素化合物３の上にＲｕ１とＳｉ２を交互に堆積
して多層膜６を形成する（ｆ）。多層膜６の持つ引っ張
り応力のために基板４は凹型に反る。さらに、多層膜６
の上に引っ張り応力を持つ応力緩和膜７をスパッタ法あ
るいは蒸着法により形成する（ｇ）。そうすると、応力
緩和膜７の持つ引っ張り応力のために基板４はさらに凹
型に反り、その結果窓部分の多層膜に関しては引っ張り
応力が緩和される。そのため、フリースタンディングに
した際の亀裂による破損が防げる。その後、応力緩和膜
７の上にレジスト５を塗布し、光透過窓に対応する部分
を露光現像し、レジストパタンを形成する（ｈ）。その
後、レジストパタンをマスクにしてドライエッチングに
より窓部分の応力緩和膜７を除去し（ｉ）、Ｓｉ基板４
をウエットエッチングにより除去する（ｊ）。ここで、
ウエットエッチングはＫＯＨあるいはアミン系等のエッ
チング液により行う。最後に窓部分の珪素化合物３をド
ライエッチングにより除去する（ｋ）。このときのエッ
チングガスとしてはＣＦ₄，ＣＦ₄＋Ｈ₂，或いはＣＦ
₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガスを主としたエッチング
ガスを用いる。本実施例においても、多層膜の積層工程
（ｉ）を基板のバックエッチ工程（ｊ）の後に行っても
よい。

【００１５】図８は、本発明の第４の実施例を示す図で
ある。図の１，２，３，４は図１で説明した材料と同様
の材料を示している。本実施例は、多層膜６と窒化膜３
との間に応力緩和膜７を持つ構造とした。この構造で
は、多層膜６の残留応力が圧縮応力の場合には、応力緩
和膜７の残留応力を引っ張り応力とすることにより応力
を緩和して透過型多層膜の平坦性を保持することがで
き、一方、多層膜６の残留応力が強い引っ張り応力の場
合には、応力緩和膜７の残留応力を圧縮応力とすること
により応力を緩和して透過型多層膜の亀裂等の破損を防
止することができる。応力緩和膜７としては、ＳｉＣ，
ＳｉＯ₂，ＳｉＮ等の珪素化合物を用いる。

【００１６】図９は図８に示す透過型多層膜の製法を説
明する図である。Ｓｉ基板４の両面にＣＶＤ法またはＥ
ＣＲ−ＣＶＤ法によりＳｉＮあるいはＳｉＣ等の珪素化
合物３を堆積する（ｂ）。次に、基板４の表面に形成し
た珪素化合物３の上に応力緩和膜７をスパッタ法あるい
は蒸着法により形成する（ｃ）。その後、基板４の裏面
に形成した珪素化合物３の上にレジスト５を塗布し
（ｄ）、光透過窓に対応する部分を露光現像し、レジス
トパタンを形成する（ｅ）。露光には、光露光あるいは
ＥＢ露光等のＬＳＩ製造工程で通常用いられている方法
を用いる。その後、レジストパタン５をマスクとして、
ＣＦ₄，ＣＦ₄＋Ｈ₂，或いはＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等の
ハロゲンガスを主エッチングガスとしたドライエッチン
グにより、珪素化合物３の一部を除去する（ｆ）。さら
に、Ｓｉ基板４をウエットエッチングにより除去してメ
ンブレン基板を形成する（ｇ）。ここで、ウエットエッ
チングはＫＯＨあるいはアミン系等のエッチング液によ
り行う。次に、応力緩和膜７の上にＲｕ１とＳｉ２を交
互に堆積して多層膜６を形成する（ｈ）。最後に窓部分
の珪素化合物３をドライエッチングにより除去し
（ｉ）、続いて窓部分の応力緩和膜７を除去する
（ｊ）。このときのエッチングガスとしてはＣＦ₄，Ｃ
Ｆ₄＋Ｈ₂，或いはＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガ
スを主としたエッチングガスを用いる。本実施例におい
ても、多層膜の積層工程（ｈ）を基板のバックエッチ工
程（ｇ）の前に行ってもよい。

【００１７】図１０は、本発明の第５の実施例を示す図
である。図の１，２，３，４は図１で説明した材料と同
様の材料を示している。本実施例は、基板４と窒化膜３
との間に応力緩和膜７を持つ。この構造は基本的には実
施例４の構造と同じ効果を持つが、比較的面粗さの少な
い窒化膜の上に多層膜を積層するため応力緩和膜の面粗
さを小さくしにくい場合に適する。応力緩和膜７として
は、ＳｉＣ，ＳｉＯ₂，ＳｉＮ等の珪素化合物を用い
る。

【００１８】図１１は図１０に示す透過型多層膜の製法
を説明する図である。Ｓｉ基板４の表面に応力緩和膜７
をスパッタ法あるいは蒸着法により形成する（ｂ）。そ
の後、ＣＶＤ法またはＥＣＲ−ＣＶＤ法により両面にＳ
ｉＮあるいはＳｉＣ等の珪素化合物３を堆積する
（ｃ）。次に、基板４の裏面に形成した珪素化合物３の
上にレジスト５を塗布し（ｄ）、光透過窓に対応する部
分を露光現像し、レジストパタンを形成する（ｅ）。露
光には、光露光あるいはＥＢ露光等のＬＳＩ製造工程で
通常用いられている方法を用いる。その後、レジストパ
タンをマスクとして、ＣＦ₄，ＣＦ₄＋Ｈ₂，或いはＣ
Ｆ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガスを主エッチングガス
としたドライエッチングにより、珪素化合物３の一部を
除去する（ｆ）。さらに、Ｓｉ基板４をウエットエッチ
ングにより除去する（ｇ）。ここで、ウエットエッチン
グはＫＯＨあるいはアミン系等のエッチング液により行
う。さらに、ドライエッチングにより窓部分の応力緩和
膜を除去してメンブレン基板を作成する（ｈ）。次に、
珪素化合物３の上にＲｕ１とＳｉ２を交互に堆積して多
層膜６を形成する（ｉ）。最後に窓部分の珪素化合物３
をドライエッチングにより除去する（ｊ）。このときの
エッチングガスとしてはＣＦ₄，ＣＦ₄＋Ｈ₂，或いは
ＣＦ₄＋Ｈ₂＋Ｎ₂等のハロゲンガスを主としたエッチ
ングガスを用いる。本実施例においても、多層膜の積層
工程（ｉ）を基板のバックエッチ工程（ｇ）の前に行っ
てもよい。

【００１９】以上の実施例では多層膜の重元素としてＲ
ｕを用い、かつ、多層膜の形成手順としてＲｕ／Ｓｉ／
Ｒｕ／・・・／Ｓｉ／Ｒｕの様にＲｕで始まりＲｕで終
わる構成にした。また、両端の層だけをＲｕとし、中間
の重金属層にＭｏを用いても本発明の効果は損なわれ
ず、安価に作成することができる。このように、多層膜
の構成元素としてＲｕを用いたのはＲｕがＣＦ₄等のハ
ロゲンガスによるエッチング耐性が高いことが実験的に
判っているためである。従って、同様にＣＦ₄等のハロ
ゲンガスによるエッチング耐性が高いと考えられるＲｕ
以外の白金属元素（Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ）
を、多層膜の重金属元素あるいは両端の層として用いて
も同様の効果が得られることは言うまでもない。また、
多層膜の形成にはマグネトロンスパッタ、イオンビーム
スパッタ、ＥＢ蒸着、ＣＶＤ、ＥＣＲスパッタ法等を用
いることができる。また、ＳｉＮあるいはＳｉＣ等の珪
素化合物の形成はＣＶＤの他にスパッタ法等を用いるこ
とができる。特にＥＣＲ−ＣＶＤ法は、基板加熱なしの
低温で平滑性が良くしかも残留応力の非常に小さい膜を
形成できるので適している。

【００２０】

【発明の効果】本発明の透過型多層膜は高い透過率と優
れた平坦性のため高い反射率を有する。従って、ビーム
スプリッタ、パワーフィルター等のＸ線光学素子として
応用可能である。さらに、本発明の透過型多層膜を偏光
子、検光子等として用いてＸ線偏光解析装置を構成する
ことにより原子オーダーの分析機器として応用可能であ
る。また、コヒーレントなＸ線のビームスプリッタとし
て用いれば干渉計、２光束干渉等によるＸ線ホログラフ
ィーにも応用可能である。さらに、本発明の製作プロセ
スは半導体の製造プロセスの応用であり、大量生産に適
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透過型多層膜の第１の実施例の構造を
示す図である。

【図２】第１の実施例の透過型多層膜の製造工程を説明
する図で、（ａ）〜（ｈ）は各工程を示す。

【図３】第１の実施例の他の製造工程で、（ａ）〜
（ｈ）は各工程を示す。

【図４】本発明の透過型多層膜の第２の実施例の構造を
示す図である。

【図５】第２の実施例の透過型多層膜の製造工程を説明
する図で、（ａ）〜（ｊ）は各工程を示す。

【図６】本発明の透過型多層膜の第３の実施例の構造を
示す図である。

【図７】第３の実施例の透過型多層膜の製造工程を説明
する図で、（ａ）〜（ｋ）は各工程を示す。

【図８】本発明の透過型多層膜の第４の実施例の構造を
示す図である。

【図９】第４の実施例の透過型多層膜の製造工程を説明
する図で、（ａ）〜（ｊ）は各工程を示す。

【図１０】本発明の透過型多層膜の第５の実施例の構造
を示す図である。

【図１１】第５の実施例の透過型多層膜の製造工程を説
明する図で、（ａ）〜（ｊ）は各工程を示す。

【図１２】従来の透過型多層膜の構造を示す図で、
（ａ）〜（ｄ）は夫々異なる構造を示す。

【図１３】従来の透過型多層膜の製造工程の例を説明す
る図で、（ａ）〜（ｃ）は各工程を示す。

【図１４】従来の透過型多層膜の製造工程の例を示す図
で、（ａ）〜（ｄ）は各工程を示す。

【符号の説明】

１Ｒｕ等の白金属元素層２軽元素層３メンブレン４シリコン基板５レジスト６多層膜７応力緩和膜１１１シリコン基板１１４シリコン基板１１７シリコン基板１２０シリコン基板１１２メンブレン１１５メンブレン１１８メンブレン１２１メンブレン１１３多層膜１１６多層膜１１９多層膜１２２多層膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16 ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透過窓を有する支持体と前記支持体に設
けられた多層膜を備えた透過型多層膜において、前記多
層膜の支持体に接する下面および支持体に接しない上面
がそれぞれ白金属元素で構成されていることを特徴とす
る透過型多層膜。
【請求項２】前記多層膜と同じ性質の残留応力を持つ
応力緩和膜を、前記多層膜の上面か、前記支持体の前記
多層膜に接しない下面のいずれかに設けたことを特徴と
する請求項１記載の透過型多層膜。
【請求項３】前記多層膜とは反対の性質の残留応力を
持つ応力緩和膜を、前記多層膜と前記支持体との間に設
けたことを特徴とする請求項１記載の透過型多層膜。