JPH1092741A - Ｘ線マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びその製造方法Info
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- JPH1092741A JPH1092741A JP19719397A JP19719397A JPH1092741A JP H1092741 A JPH1092741 A JP H1092741A JP 19719397 A JP19719397 A JP 19719397A JP 19719397 A JP19719397 A JP 19719397A JP H1092741 A JPH1092741 A JP H1092741A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線吸収体パターンの正確性と信頼性とを高
めるためのＸ線マスク及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板の上に形成させたメンブレン上に酸
化膜を形成させ、その酸化膜にパターンをエッチングし
て、その酸化膜のパターンのエッチングされた部分に吸
収体を挿入し、余分な吸収体と酸化膜とを除去して吸収
体のパターンを形成する。
めるためのＸ線マスク及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板の上に形成させたメンブレン上に酸
化膜を形成させ、その酸化膜にパターンをエッチングし
て、その酸化膜のパターンのエッチングされた部分に吸
収体を挿入し、余分な吸収体と酸化膜とを除去して吸収
体のパターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに関し、特
に酸化物を利用して吸収体を形成するＸ線マスクの構造
及びその製造方法に関する。
に酸化物を利用して吸収体を形成するＸ線マスクの構造
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在用いられている半導体産業の主導技
術である光学露光技術は、技術的、経済的にその限界に
到達している。そのため、これに対する代用技術とし
て、近年Ｘ線リソグラフィ技術に大きな関心が寄せられ
ている。このＸ線リソグラフィ工程に必要ないろいろの
因子の中でＸ線マスクの開発が最も重要な因子である。
術である光学露光技術は、技術的、経済的にその限界に
到達している。そのため、これに対する代用技術とし
て、近年Ｘ線リソグラフィ技術に大きな関心が寄せられ
ている。このＸ線リソグラフィ工程に必要ないろいろの
因子の中でＸ線マスクの開発が最も重要な因子である。
【０００３】以下、従来の技術のＸ線マスクを添付図面
に基づき説明する。図１は従来のサブトラクティブ(sub
tractive）方法に従うＸ線マスクの製造工程を示す工程
断面図であり、図２は従来のアディティブ(additive)方
法に従うＸ線マスクの製造工程を示す工程断面図であ
る。まず、従来のサブトラクティブ方法は、吸収体を形
成した後、レジスタ上に電子線リソグラフィ技術を用い
てＸ線マスクを製造する方法である。以下これを説明す
る。図１ａに示すように、シリコン基板１０上にシリコ
ンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、
又はダイヤモンドのような材質の薄いメンブレン１１を
形成し、シリコン基板１０の下側にエッチングマスク膜
１２を堆積した後にパターニングして一定の領域のシリ
コン基板１０を露出させる。次いで、エッチングマスク
膜１２をマスクに用いて露出されたシリコン基板１０を
ＫＯＨのようなシリコンエッチング溶液で異方性エッチ
ングする。そして、メンブレン１１上にスパッタリング
等の薄膜堆積技術を利用してＸ線吸収体１３を形成す
る。このＸ線吸収体１３は、Ｘ線吸収率が高い、タング
ステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、タングステンチタニ
ウム（Ｗ／Ｔｉ）などで形成する。
に基づき説明する。図１は従来のサブトラクティブ(sub
tractive）方法に従うＸ線マスクの製造工程を示す工程
断面図であり、図２は従来のアディティブ(additive)方
法に従うＸ線マスクの製造工程を示す工程断面図であ
る。まず、従来のサブトラクティブ方法は、吸収体を形
成した後、レジスタ上に電子線リソグラフィ技術を用い
てＸ線マスクを製造する方法である。以下これを説明す
る。図１ａに示すように、シリコン基板１０上にシリコ
ンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、
又はダイヤモンドのような材質の薄いメンブレン１１を
形成し、シリコン基板１０の下側にエッチングマスク膜
１２を堆積した後にパターニングして一定の領域のシリ
コン基板１０を露出させる。次いで、エッチングマスク
膜１２をマスクに用いて露出されたシリコン基板１０を
ＫＯＨのようなシリコンエッチング溶液で異方性エッチ
ングする。そして、メンブレン１１上にスパッタリング
等の薄膜堆積技術を利用してＸ線吸収体１３を形成す
る。このＸ線吸収体１３は、Ｘ線吸収率が高い、タング
ステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、タングステンチタニ
ウム（Ｗ／Ｔｉ）などで形成する。
【０００４】次いで、図１ｂに示すように、Ｘ線吸収体
１３上にハードマスク１４を堆積した後、レジスタ１５
を塗布する。そして、電子線リソグラフィ技術を利用し
て所定の形態にレジスタ１５をパターニングしてハード
マスク１４を露出させる。次いで、図１ｃに示すよう
に、所定の形態にパターニングされたレジスタ１５をマ
スクにする乾式エッチング方法で、露出されたハードマ
スク１４をエッチング除去して吸収体１３を露出させ
る。そして、図１ｄに示すように、ハードマスク１４を
マスクにして露出された吸収体１３をエッチング除去し
てＸ線リソグラフィ用マスクの制作を完了する。
１３上にハードマスク１４を堆積した後、レジスタ１５
を塗布する。そして、電子線リソグラフィ技術を利用し
て所定の形態にレジスタ１５をパターニングしてハード
マスク１４を露出させる。次いで、図１ｃに示すよう
に、所定の形態にパターニングされたレジスタ１５をマ
スクにする乾式エッチング方法で、露出されたハードマ
スク１４をエッチング除去して吸収体１３を露出させ
る。そして、図１ｄに示すように、ハードマスク１４を
マスクにして露出された吸収体１３をエッチング除去し
てＸ線リソグラフィ用マスクの制作を完了する。
【０００５】一方、従来のアディティブ方法は、あらか
じめ形成されているレジスタ上に吸収体を選択的にめっ
きしてＸ線マスクを製造する方法であり、これを説明す
ると、以下の通りである。図２ａに示すように、シリコ
ン基板２０上にシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコ
ン窒化物（ＳｉＮ）、又はダイヤモンドのような材質の
薄いメンブレン２１を形成し、シリコン基板２０の下側
にエッチングマスク膜２２を堆積した後にパターニング
して一定の領域のシリコン基板２０を露出させる。次い
で、エッチングマスク膜２２をマスクに用いて露出され
たシリコン基板２０を異方性エッチングする。そして、
メンブレン２１上に金／クロム(Ａｕ／Ｃｒ)のようなシ
ード金属層２３を形成する。
じめ形成されているレジスタ上に吸収体を選択的にめっ
きしてＸ線マスクを製造する方法であり、これを説明す
ると、以下の通りである。図２ａに示すように、シリコ
ン基板２０上にシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコ
ン窒化物（ＳｉＮ）、又はダイヤモンドのような材質の
薄いメンブレン２１を形成し、シリコン基板２０の下側
にエッチングマスク膜２２を堆積した後にパターニング
して一定の領域のシリコン基板２０を露出させる。次い
で、エッチングマスク膜２２をマスクに用いて露出され
たシリコン基板２０を異方性エッチングする。そして、
メンブレン２１上に金／クロム(Ａｕ／Ｃｒ)のようなシ
ード金属層２３を形成する。
【０００６】次いで、図２ｂに示すように、シード金属
層２３上にレジスタ２４を塗布した後、電子線リソグラ
フィ技術を利用して所定の形態にレジスタ２４をパター
ニングする。そして、図２ｃに示すように、所定の形態
にパターニングされたレジスタ２４上に金めっきを施し
て、金からなる吸収体２５を形成することにより、Ｘ線
マスクの制作を完了する。
層２３上にレジスタ２４を塗布した後、電子線リソグラ
フィ技術を利用して所定の形態にレジスタ２４をパター
ニングする。そして、図２ｃに示すように、所定の形態
にパターニングされたレジスタ２４上に金めっきを施し
て、金からなる吸収体２５を形成することにより、Ｘ線
マスクの制作を完了する。
【０００７】従来の技術のＸ線マスクの製造方法におい
ては、以下の問題点があった。第１に、従来のサブトラ
クティブ方法によるＸ線マスクの製造方法は、電子線で
レジスタをパターニングするとき、金属である吸収体に
よる電子の後方散乱が発生するため、微細パターンの場
合にレジスタを所望の形状に正確に形成しにくい。又、
電子線用のレジスタのエッチング率が吸収体のエッチン
グ率より高いため、吸収体の乾式エッチング時にレジス
タが吸収体よりも先にエッチングされるという問題があ
り、それを防止するために吸収体とレジスタとの間にハ
ードマスクを形成する工程が追加されるという問題があ
る。第２に、従来のアディティブ方法によるＸ線マスク
の製造方法は、めっきで形成された吸収体は、微細構造
が緻密でなく、密度が低いため、吸収体に入射したＸ線
により変形されるという問題がある。又、メンブレン上
に形成されるシード金属はＸ線の透過率を低下させるた
め、吸収体の形成後に、吸収体が形成されなかった部分
のシード金属を除去する工程が伴うという問題もある。
ては、以下の問題点があった。第１に、従来のサブトラ
クティブ方法によるＸ線マスクの製造方法は、電子線で
レジスタをパターニングするとき、金属である吸収体に
よる電子の後方散乱が発生するため、微細パターンの場
合にレジスタを所望の形状に正確に形成しにくい。又、
電子線用のレジスタのエッチング率が吸収体のエッチン
グ率より高いため、吸収体の乾式エッチング時にレジス
タが吸収体よりも先にエッチングされるという問題があ
り、それを防止するために吸収体とレジスタとの間にハ
ードマスクを形成する工程が追加されるという問題があ
る。第２に、従来のアディティブ方法によるＸ線マスク
の製造方法は、めっきで形成された吸収体は、微細構造
が緻密でなく、密度が低いため、吸収体に入射したＸ線
により変形されるという問題がある。又、メンブレン上
に形成されるシード金属はＸ線の透過率を低下させるた
め、吸収体の形成後に、吸収体が形成されなかった部分
のシード金属を除去する工程が伴うという問題もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたもので、Ｘ線吸収体パター
ンの正確性と信頼性とを高めるためのＸ線マスク及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
点を解決するためになされたもので、Ｘ線吸収体パター
ンの正確性と信頼性とを高めるためのＸ線マスク及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線マスクは、
メンブレンと、メンブレン上に形成される酸化膜と、酸
化膜上に形成される吸収体パターンと、吸収体パターン
の形成されたメンブレン領域が露出されるようにメンブ
レンの下側に形成される基板とを備えることを特徴とす
る。
メンブレンと、メンブレン上に形成される酸化膜と、酸
化膜上に形成される吸収体パターンと、吸収体パターン
の形成されたメンブレン領域が露出されるようにメンブ
レンの下側に形成される基板とを備えることを特徴とす
る。
【００１０】本発明のＸ線マスクの製造方法は、基板上
にメンブレンを形成する段階と、メンブレン上に第１酸
化膜及び第２酸化膜を順次に形成する段階と、基板の下
側の所定の領域をエッチングしてメンブレンを露出させ
る段階と、第２酸化膜をパターニングして露出されたメ
ンブレン領域の上部に第２酸化膜パターンを形成する段
階と、第２酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段
階と、第２酸化膜パターンが露出されるように吸収体を
エッチングする段階と、前記露出された第２酸化膜パタ
ーンを除去して第１酸化膜上に吸収体パターンを形成す
る段階と、を備えることを特徴とする。
にメンブレンを形成する段階と、メンブレン上に第１酸
化膜及び第２酸化膜を順次に形成する段階と、基板の下
側の所定の領域をエッチングしてメンブレンを露出させ
る段階と、第２酸化膜をパターニングして露出されたメ
ンブレン領域の上部に第２酸化膜パターンを形成する段
階と、第２酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段
階と、第２酸化膜パターンが露出されるように吸収体を
エッチングする段階と、前記露出された第２酸化膜パタ
ーンを除去して第１酸化膜上に吸収体パターンを形成す
る段階と、を備えることを特徴とする。
【００１１】本発明のＸ線マスクの製造方法の他の特徴
は、基板上にメンブレンを形成する段階と、メンブレン
上に酸化膜を形成する段階と、基板の下側の所定の領域
をエッチングしてメンブレンを露出させる段階と、酸化
膜をパターニングして露出されたメンブレン領域上に酸
化膜パターンを形成する段階と、酸化膜パターンの全面
に吸収体を形成する段階と、酸化膜パターンの表面が露
出されるように吸収体をエッチングする段階と、露出さ
れた酸化膜パターンを除去してメンブレン上に吸収体パ
ターンを形成する段階と、を備えることにある。
は、基板上にメンブレンを形成する段階と、メンブレン
上に酸化膜を形成する段階と、基板の下側の所定の領域
をエッチングしてメンブレンを露出させる段階と、酸化
膜をパターニングして露出されたメンブレン領域上に酸
化膜パターンを形成する段階と、酸化膜パターンの全面
に吸収体を形成する段階と、酸化膜パターンの表面が露
出されるように吸収体をエッチングする段階と、露出さ
れた酸化膜パターンを除去してメンブレン上に吸収体パ
ターンを形成する段階と、を備えることにある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＸ線リソグラフィ
用のマスク及びその製造方法を添付図面に基づき詳細に
説明する。図３、４は、本発明の第１実施形態のＸ線マ
スクの製造工程を示す工程断面図であり、図４は、本発
明の第２実施形態のＸ線リソグラフィ用のマスクの構造
断面図であり、図５ａ〜図５ｆは、本発明の第２実施形
態のＸ線マスクの製造工程を示す工程断面図である。ま
ず、図３ａに示すように、減圧ＣＶＤ設備のような薄膜
装置を利用してシリコン基板３０上にメンブレン３１を
形成し、シリコン基板３０の下面にエッチングマスク膜
３２を形成する。そして、エッチングマスク膜３２をパ
ターニングして一定の領域のシリコン基板３０を露出さ
せる。この際、メンブレン３１は、シリコン窒化物、シ
リコンカーバイド、又はダイヤモンドなどの薄膜のいず
れかで形成する。又、エッチングマスク膜３２は、シリ
コン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用する。＄
用のマスク及びその製造方法を添付図面に基づき詳細に
説明する。図３、４は、本発明の第１実施形態のＸ線マ
スクの製造工程を示す工程断面図であり、図４は、本発
明の第２実施形態のＸ線リソグラフィ用のマスクの構造
断面図であり、図５ａ〜図５ｆは、本発明の第２実施形
態のＸ線マスクの製造工程を示す工程断面図である。ま
ず、図３ａに示すように、減圧ＣＶＤ設備のような薄膜
装置を利用してシリコン基板３０上にメンブレン３１を
形成し、シリコン基板３０の下面にエッチングマスク膜
３２を形成する。そして、エッチングマスク膜３２をパ
ターニングして一定の領域のシリコン基板３０を露出さ
せる。この際、メンブレン３１は、シリコン窒化物、シ
リコンカーバイド、又はダイヤモンドなどの薄膜のいず
れかで形成する。又、エッチングマスク膜３２は、シリ
コン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用する。＄
【００１３】次いで、図３ｂに示すように、メンブレン
３１上に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、ＳＯＧ、又はＩＴ
Ｏ(Indium Tin Oxide)等を用いた酸化物層３３を形成す
る。そして、エッチングマスク膜３２上に支持台３４を
接合し、エッチングマスク膜３２をマスクにしてＫＯＨ
のようなシリコン異方性エッチング溶液を使用して露出
されたシリコン基板３０を異方性エッチングする。この
際、後工程の吸収体パターンの形成に先立ってエッチン
グマスク膜３２に支持台３４を取り付ける理由は、シリ
コン基板３０と支持台３４との接合及び裏面エッチング
に起因するボンディングストレスが発生して吸収体パタ
ーンの変位が生じることを防止するためである。
３１上に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）、ＳＯＧ、又はＩＴ
Ｏ(Indium Tin Oxide)等を用いた酸化物層３３を形成す
る。そして、エッチングマスク膜３２上に支持台３４を
接合し、エッチングマスク膜３２をマスクにしてＫＯＨ
のようなシリコン異方性エッチング溶液を使用して露出
されたシリコン基板３０を異方性エッチングする。この
際、後工程の吸収体パターンの形成に先立ってエッチン
グマスク膜３２に支持台３４を取り付ける理由は、シリ
コン基板３０と支持台３４との接合及び裏面エッチング
に起因するボンディングストレスが発生して吸収体パタ
ーンの変位が生じることを防止するためである。
【００１４】次いで、図３ｃに示すように、酸化物層３
３上にレジスタ３５を堆積した後、電子線でレジスタ３
５を所定の形態にパターニングする。そして、図４ｄに
示すように、レジスタ３５をマスクにして乾式エッチン
グ方法を用いて酸化物層３３をエッチングし、残余のレ
ジスタ３５を除去することにより、吸収体形成のための
酸化物層パターン３３’を形成する。次いで、図４ｅに
示すように、酸化物層パターン３３’上にスパッタリン
グのような薄膜堆積装備を用いてＸ線吸収率の高い物質
を堆積して吸収体３６を形成する。この吸収体３６は、
タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
チタニウム（Ｗ／Ｔｉ）、又はこれらを２つ以上組み合
わせて作った合金からなる。
３上にレジスタ３５を堆積した後、電子線でレジスタ３
５を所定の形態にパターニングする。そして、図４ｄに
示すように、レジスタ３５をマスクにして乾式エッチン
グ方法を用いて酸化物層３３をエッチングし、残余のレ
ジスタ３５を除去することにより、吸収体形成のための
酸化物層パターン３３’を形成する。次いで、図４ｅに
示すように、酸化物層パターン３３’上にスパッタリン
グのような薄膜堆積装備を用いてＸ線吸収率の高い物質
を堆積して吸収体３６を形成する。この吸収体３６は、
タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
チタニウム（Ｗ／Ｔｉ）、又はこれらを２つ以上組み合
わせて作った合金からなる。
【００１５】そして、図４ｆに示すように、酸化物層パ
ターン３３’が露出されるように吸収体３６を一定の深
さに除去し、ＢＯＥ(Buffered Oxide Etchant)のような
酸化物エッチング溶液で酸化物層パターン３３’をエッ
チング除去して酸化物層パターン３３’間に吸収体３６
が残るようにすることにより、Ｘ線マスクの制作を完了
する。
ターン３３’が露出されるように吸収体３６を一定の深
さに除去し、ＢＯＥ(Buffered Oxide Etchant)のような
酸化物エッチング溶液で酸化物層パターン３３’をエッ
チング除去して酸化物層パターン３３’間に吸収体３６
が残るようにすることにより、Ｘ線マスクの制作を完了
する。
【００１６】以下、本発明の第２実施形態のＸ線マスク
の構造及びその製造方法を説明する。図５に示すよう
に、本発明の第２実施形態のＸ線マスクの構造は、底面
にトレンチを有する基板４０と、基板４０の底面に形成
されるエッチングマスク膜４２と、エッチングマスク膜
４２に接合される支持台４５と、基板４０上に形成され
るメンブレン４１と、メンブレン４１上に形成される酸
化物層４３と、酸化物層４３上に所定のパターンに形成
される吸収体４７とで構成される。この酸化物層４３
は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、又はＩＴＯ(Indium Tin Oxide)のうちいず
れか１つで形成される。
の構造及びその製造方法を説明する。図５に示すよう
に、本発明の第２実施形態のＸ線マスクの構造は、底面
にトレンチを有する基板４０と、基板４０の底面に形成
されるエッチングマスク膜４２と、エッチングマスク膜
４２に接合される支持台４５と、基板４０上に形成され
るメンブレン４１と、メンブレン４１上に形成される酸
化物層４３と、酸化物層４３上に所定のパターンに形成
される吸収体４７とで構成される。この酸化物層４３
は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、又はＩＴＯ(Indium Tin Oxide)のうちいず
れか１つで形成される。
【００１７】次に、この構成の本発明の第２実施形態の
Ｘ線マスクの製造方法を詳細に説明する。まず、図６ａ
に示すように、減圧ＣＶＤ装備のような薄膜装置を用い
てシリコン基板４０上にメンブレン４１を形成する。そ
して、メンブレン４１の形成されたシリコン基板４０の
下部にエッチングマスク膜４２を堆積し、湿式エッチン
グ用窓を形成する。メンブレン４１は、シリコン窒化
物、シリコンカーバイド、又はダイヤモンド薄膜のうち
いずれか１つで形成する。又、エッチングマスク膜４２
は、シリコン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用す
る。
Ｘ線マスクの製造方法を詳細に説明する。まず、図６ａ
に示すように、減圧ＣＶＤ装備のような薄膜装置を用い
てシリコン基板４０上にメンブレン４１を形成する。そ
して、メンブレン４１の形成されたシリコン基板４０の
下部にエッチングマスク膜４２を堆積し、湿式エッチン
グ用窓を形成する。メンブレン４１は、シリコン窒化
物、シリコンカーバイド、又はダイヤモンド薄膜のうち
いずれか１つで形成する。又、エッチングマスク膜４２
は、シリコン窒化物又はシリコンカーバイド膜を使用す
る。
【００１８】次いで、図６ｂに示すように、メンブレン
４１上に酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3 ）膜、酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）膜、又はＩＴＯ膜を使用した第１酸
化物層４３を形成した後、その上に第２酸化物層４４を
形成する。この第２酸化物層４３は、ＢＯＥみたいな酸
化物エッチング溶液に対して第１酸化物層４３よりもエ
ッチング選択比が高い物質である酸化シリコン又はＰＳ
Ｇなどを利用して形成する。そして、エッチングマスク
膜４２に支持台４５を接合し、エッチングマスク膜４２
をマスクにしてＫＯＨのようなシリコン異方性エッチン
グ溶液を使用して露出されたシリコン基板４０を異方性
エッチングする。このとき、後工程の吸収体パターンの
形成に先立ってエッチングマスク膜４２に支持台４５を
取り付けるのは、シリコン基板３０と支持台３４との接
合及び裏面エッチングに起因するボンディングストレス
が発生して吸収体パターンの変位が生じることを防止す
るためである。
４１上に酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3 ）膜、酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）膜、又はＩＴＯ膜を使用した第１酸
化物層４３を形成した後、その上に第２酸化物層４４を
形成する。この第２酸化物層４３は、ＢＯＥみたいな酸
化物エッチング溶液に対して第１酸化物層４３よりもエ
ッチング選択比が高い物質である酸化シリコン又はＰＳ
Ｇなどを利用して形成する。そして、エッチングマスク
膜４２に支持台４５を接合し、エッチングマスク膜４２
をマスクにしてＫＯＨのようなシリコン異方性エッチン
グ溶液を使用して露出されたシリコン基板４０を異方性
エッチングする。このとき、後工程の吸収体パターンの
形成に先立ってエッチングマスク膜４２に支持台４５を
取り付けるのは、シリコン基板３０と支持台３４との接
合及び裏面エッチングに起因するボンディングストレス
が発生して吸収体パターンの変位が生じることを防止す
るためである。
【００１９】次いで、図６ｃに示すように、第２酸化物
層４４上にレジスタ４６を堆積した後、電子線でレジス
タ４６を所定の形態にパターニングする。そして、図７
ｄに示すように、レジスタ４６をマスクにして乾式エッ
チング方法を利用して第２酸化物層４４を所定のパター
ンに形成した後、レジスタ４６を除去することにより、
吸収体の形成のための第２酸化物層パターン４４’を形
成する。
層４４上にレジスタ４６を堆積した後、電子線でレジス
タ４６を所定の形態にパターニングする。そして、図７
ｄに示すように、レジスタ４６をマスクにして乾式エッ
チング方法を利用して第２酸化物層４４を所定のパター
ンに形成した後、レジスタ４６を除去することにより、
吸収体の形成のための第２酸化物層パターン４４’を形
成する。
【００２０】次いで、図７ｅに示すように、スパッタリ
ングなどの薄膜装置を利用して第２酸化物層パターン４
４’上にＸ線吸収率の高い物質を堆積して吸収体４７を
形成する。この吸収体４７は、タングステン、タンタ
ル、タングステンチタニウム、又はこれらを２つ以上組
み合わせた合金からなる。そして、図７ｆに示すよう
に、吸収体４７を一定の深さに除去して第２酸化物層パ
ターン４４’を露出させ、露出された第２酸化物層パタ
ーン４４’を除去する。次いで、ＢＯＥ等の酸化物エッ
チング溶液で第２酸化物層パターン４４’をエッチング
して除去して、第２酸化物層パターン４４’があった間
に吸収体４７が残るようにすることにより、Ｘ線マスク
の制作を完了する。
ングなどの薄膜装置を利用して第２酸化物層パターン４
４’上にＸ線吸収率の高い物質を堆積して吸収体４７を
形成する。この吸収体４７は、タングステン、タンタ
ル、タングステンチタニウム、又はこれらを２つ以上組
み合わせた合金からなる。そして、図７ｆに示すよう
に、吸収体４７を一定の深さに除去して第２酸化物層パ
ターン４４’を露出させ、露出された第２酸化物層パタ
ーン４４’を除去する。次いで、ＢＯＥ等の酸化物エッ
チング溶液で第２酸化物層パターン４４’をエッチング
して除去して、第２酸化物層パターン４４’があった間
に吸収体４７が残るようにすることにより、Ｘ線マスク
の制作を完了する。
【００２１】
【発明の効果】本発明のＸ線マスク及びその製造方法
は、酸化物層を利用してパターンを形成した後に吸収体
を形成するので、電子線を用いたパターンの形成時に、
電子の後方反射が少ないため、パターンの正確度を大き
く向上させ、マスクの製造の再現性を高め得る効果があ
る。更に、本発明の第２実施形態に従うＸ線マスク及び
その製造方法は、メンブレン上に第１酸化物層が塗布さ
れ、表面を滑らかにするため、無反射塗布効果（光の散
乱及び反射を防いでやる効果）によりメンブレンの光透
過度を向上させることができる効果がある。又、ＢＯＥ
等の酸化物エッチング溶液に対してエッチング選択比が
第１酸化物層よりも高い第２酸化物層を利用するため、
第２酸化物層のエッチング工程時、過エッチングにより
メンブレンがエッチングされて発生する機械的な特性の
劣化を防止して、安定したマスクを製造することができ
る。
は、酸化物層を利用してパターンを形成した後に吸収体
を形成するので、電子線を用いたパターンの形成時に、
電子の後方反射が少ないため、パターンの正確度を大き
く向上させ、マスクの製造の再現性を高め得る効果があ
る。更に、本発明の第２実施形態に従うＸ線マスク及び
その製造方法は、メンブレン上に第１酸化物層が塗布さ
れ、表面を滑らかにするため、無反射塗布効果（光の散
乱及び反射を防いでやる効果）によりメンブレンの光透
過度を向上させることができる効果がある。又、ＢＯＥ
等の酸化物エッチング溶液に対してエッチング選択比が
第１酸化物層よりも高い第２酸化物層を利用するため、
第２酸化物層のエッチング工程時、過エッチングにより
メンブレンがエッチングされて発生する機械的な特性の
劣化を防止して、安定したマスクを製造することができ
る。
【図１】 従来のサブトラクティブ方法に従うＸ線マス
クの製造工程を示す工程断面図、
クの製造工程を示す工程断面図、
【図２】 従来のアディティブ方法に従うＸ線マスクの
製造工程を示す工程断面図、
製造工程を示す工程断面図、
【図３】 本発明の第１実施形態のＸ線マスクの製造工
程を示す工程断面図、
程を示す工程断面図、
【図４】 本発明の第１実施形態のＸ線マスクの製造工
程を示す工程断面図、
程を示す工程断面図、
【図５】 本発明の第２実施形態のＸ線マスクの構造断
面図、
面図、
【図６】 本発明の第２実施形態のＸ線マスクの製造工
程を示す工程断面図。
程を示す工程断面図。
【図７】 本発明の第２実施形態のＸ線マスクの製造工
程を示す工程断面図。
程を示す工程断面図。
３０ 基板、３１ メンブレン、３２ エッチングマス
ク膜、３３ 酸化物層、３５ レジスタ、３６ 吸収
体。
ク膜、３３ 酸化物層、３５ レジスタ、３６ 吸収
体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ギ・チャン・ソン 大韓民国・ソウル−シ・ドンジャク−ク・ シンダイバン２−ドン・356−84 (72)発明者 ヨン・サム・ジョン 大韓民国・キョンギ−ド・アンヤン−シ・ マンアン−ク・アンヤン２−ドン・（番地 なし）・ダイウ アパートメント 102ー 506 (72)発明者 チル・ギュン・バク 大韓民国・キョンギ−ド・アンヤン−シ・ マンアン−ク・アンヤン７−ドン・132− ５
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にメンブレンを形成する段階と、 前記メンブレン上に第１酸化膜及び第２酸化膜を順次に
形成する段階と、 前記基板の下側の所定の領域をエッチングしてメンブレ
ンを露出させる段階と、 前記第２酸化膜をパターニングして露出されたメンブレ
ン領域の上部に第２酸化膜パターンを形成する段階と、 前記第２酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段階
と、 前記第２酸化膜パターンの表面が露出されるように前記
吸収体をエッチングする段階と、 前記露出された第２酸化膜パターンを除去して第１酸化
膜上に吸収体パターンを形成する段階と、を備えること
を特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記第２酸化膜は、前記第１酸化膜より
もエッチング選択比が高いことを特徴とする請求項１に
記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 基板上にメンブレンを形成する段階と、 前記メンブレン上に酸化膜を形成する段階と、 前記基板の下側の所定の領域をエッチングして前記メン
ブレンを露出させる段階と、 前記酸化膜をパターニングして前記露出されたメンブレ
ン領域上に酸化膜パターンを形成する段階と、 前記酸化膜パターンの全面に吸収体を形成する段階と、 前記酸化膜パターンの表面が露出されるように前記吸収
体をエッチングする段階と、 前記露出された酸化膜パターンを除去して前記メンブレ
ン上に吸収体パターンを形成する段階と、を備えること
を特徴とするＸ線マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR37538/1996 | 1996-08-31 | ||
| KR1019960037538A KR19980017722A (ko) | 1996-08-31 | 1996-08-31 | 엑스(x)-선 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092741A true JPH1092741A (ja) | 1998-04-10 |
| JP2961690B2 JP2961690B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=19472282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19719397A Expired - Fee Related JP2961690B2 (ja) | 1996-08-31 | 1997-07-23 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5970114A (ja) |
| JP (1) | JP2961690B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980017722A (ja) |
| TW (1) | TW348229B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000020468A (ko) * | 1998-09-21 | 2000-04-15 | 김영환 | 스텐실 마스크 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417605B1 (en) * | 1994-09-16 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method of preventing junction leakage in field emission devices |
| JP2002093684A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | Ｘ線露光装置、ｘ線露光方法、半導体製造装置および微細構造体 |
| US6859330B2 (en) * | 2003-06-04 | 2005-02-22 | Intel Corporation | Micromachined pellicle splitters and tunable laser modules incorporating same |
| WO2004112567A2 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-29 | Given Imaging Ltd. | Methods, device and system for in vivo detection |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350680A (en) * | 1976-10-19 | 1978-05-09 | Nec Corp | Transfer mask for x-ray exposure and its production |
| US4515876A (en) * | 1982-07-17 | 1985-05-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | X-Ray lithography mask and method for fabricating the same |
-
1996
- 1996-08-31 KR KR1019960037538A patent/KR19980017722A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-06-07 TW TW086107918A patent/TW348229B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-07-23 JP JP19719397A patent/JP2961690B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-29 US US08/919,812 patent/US5970114A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000020468A (ko) * | 1998-09-21 | 2000-04-15 | 김영환 | 스텐실 마스크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5970114A (en) | 1999-10-19 |
| JP2961690B2 (ja) | 1999-10-12 |
| KR19980017722A (ko) | 1998-06-05 |
| TW348229B (en) | 1998-12-21 |
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