JP3122228B2 - プロセス装置 - Google Patents
プロセス装置Info
- Publication number
- JP3122228B2 JP3122228B2 JP04146332A JP14633292A JP3122228B2 JP 3122228 B2 JP3122228 B2 JP 3122228B2 JP 04146332 A JP04146332 A JP 04146332A JP 14633292 A JP14633292 A JP 14633292A JP 3122228 B2 JP3122228 B2 JP 3122228B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum vessel
- electrode
- frequency
- vacuum
- mhz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプロセス装置に係る。よ
り詳細にはセルフクリーニング機構を設けた高性能なプ
ロセス装置に関する。
り詳細にはセルフクリーニング機構を設けた高性能なプ
ロセス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４を用いて従来技術を説明する。
【０００３】図４は一般的なプラズマＣＶＤ装置の真空
容器断面図である。
容器断面図である。
【０００４】図４において４０１は高周波発生装置、４
０２は上部電極、４０３はバルブ、４０４は高周波マッ
チング回路、４０５は下部電極、４０６はウェハー、４
０７はウェハーを加熱するためのヒーター、４０８はガ
ス導入口、４０９は真空排気口である。
０２は上部電極、４０３はバルブ、４０４は高周波マッ
チング回路、４０５は下部電極、４０６はウェハー、４
０７はウェハーを加熱するためのヒーター、４０８はガ
ス導入口、４０９は真空排気口である。
【０００５】この装置ではウェハー表面に例えばＳｉＯ
2 膜を堆積できる。その方法として、まず図には示して
いないが別な真空容器からゲートバルブを介してウェハ
ー４０６を下部電極の上にセットする。ヒーター４０７
によりウェハー４０６を例えば約４００℃に加熱してお
いて、ガス導入口４０８からモノシランガスと酸素ガス
を導入する。そして高周波発生装置４０１により、例え
ば１３．５６ＭＨｚの周波数をもつ高周波電力を上部電
極４０２に加えてプラズマを発生させると、ウェハー表
面にＳｉＯ2 が堆積する。このとき、ウェハー表面だけ
でなく真空容器内表面のいたるところにＳｉＯ2 が付着
する。そして、ウェハー処理枚数が増すにつれて真空容
器内表面に付着するＳｉＯ2 も増え、これがはがれてウ
ェハー表面に付着し、例えば半導体製造において歩留ま
りを著しく低下させる。
2 膜を堆積できる。その方法として、まず図には示して
いないが別な真空容器からゲートバルブを介してウェハ
ー４０６を下部電極の上にセットする。ヒーター４０７
によりウェハー４０６を例えば約４００℃に加熱してお
いて、ガス導入口４０８からモノシランガスと酸素ガス
を導入する。そして高周波発生装置４０１により、例え
ば１３．５６ＭＨｚの周波数をもつ高周波電力を上部電
極４０２に加えてプラズマを発生させると、ウェハー表
面にＳｉＯ2 が堆積する。このとき、ウェハー表面だけ
でなく真空容器内表面のいたるところにＳｉＯ2 が付着
する。そして、ウェハー処理枚数が増すにつれて真空容
器内表面に付着するＳｉＯ2 も増え、これがはがれてウ
ェハー表面に付着し、例えば半導体製造において歩留ま
りを著しく低下させる。
【０００６】この問題を解決するためにクリーニングに
より真空容器内表面に付着した物質を取り除く必要があ
る。
より真空容器内表面に付着した物質を取り除く必要があ
る。
【０００７】従来技術におていクリーニング方法として
はウェットクリーニングとドライクリーニングがある。
これらの方法は以下の通りである。
はウェットクリーニングとドライクリーニングがある。
これらの方法は以下の通りである。
【０００８】ウェットクリーニングでは、まずヒーター
４０７の電源を切り下部電極温度を室温まで下げた後、
真空排気口のバルブ４０３を閉にしてガス導入口４０８
からアルゴンガス又は窒素ガスを導入する。そして導入
したガスにより真空容器を真空から大気圧にする。真空
容器内の圧力が大気圧になったらガス導入口４０８から
のガスの供給を停止し、図には示されていないが真空容
器のふたは取りはずす。そしてパーティクルが発生しに
くい布にイソプロピルアルコールやエタノールなどの有
機溶媒を適度に浸み込ませ、この布で真空容器内表面の
すみずみまで完全にふき取った後、真空容器のふたを取
り付ける。そして真空排気口のバルブ４０３を開にし真
空容器を真空引きし、ヒーター４０７の電源を入れて下
部電極を所定の温度にする。さらに真空容器内の真空度
が所定のバックグランド以下になっていることの確認を
行なう。
４０７の電源を切り下部電極温度を室温まで下げた後、
真空排気口のバルブ４０３を閉にしてガス導入口４０８
からアルゴンガス又は窒素ガスを導入する。そして導入
したガスにより真空容器を真空から大気圧にする。真空
容器内の圧力が大気圧になったらガス導入口４０８から
のガスの供給を停止し、図には示されていないが真空容
器のふたは取りはずす。そしてパーティクルが発生しに
くい布にイソプロピルアルコールやエタノールなどの有
機溶媒を適度に浸み込ませ、この布で真空容器内表面の
すみずみまで完全にふき取った後、真空容器のふたを取
り付ける。そして真空排気口のバルブ４０３を開にし真
空容器を真空引きし、ヒーター４０７の電源を入れて下
部電極を所定の温度にする。さらに真空容器内の真空度
が所定のバックグランド以下になっていることの確認を
行なう。
【０００９】また、ドライクリーニングでは、まず、ガ
ス導入口４０８からＦ、Ｃｌ、Ｂｒなどのハロゲン系原
子を持つ活性なガス体を導入して真空容器内の圧力を所
定の圧力にする。そして、例えば１３．５６ＭＨｚの周
波数を有する高周波電力を第１の高周波発生装置４０１
を用いて上部電極４０２に加え、真空容器内にプラズマ
を発生させてハロゲン系原子を化学的に活性化する。こ
の活性化したハロゲン系原子が真空容器内表面に付着し
た不純物と化学反応を起こしてガス体となって真空排気
装置により除去される。
ス導入口４０８からＦ、Ｃｌ、Ｂｒなどのハロゲン系原
子を持つ活性なガス体を導入して真空容器内の圧力を所
定の圧力にする。そして、例えば１３．５６ＭＨｚの周
波数を有する高周波電力を第１の高周波発生装置４０１
を用いて上部電極４０２に加え、真空容器内にプラズマ
を発生させてハロゲン系原子を化学的に活性化する。こ
の活性化したハロゲン系原子が真空容器内表面に付着し
た不純物と化学反応を起こしてガス体となって真空排気
装置により除去される。
【００１０】上記従来技術には以下の問題がある。
【００１１】まずウェットクリーニングでは、真空容器
内表面に付着した物質を大気圧下において、イソプロピ
ルアルコールやエタノールなどの有機溶媒を浸み込ませ
た布でふき取ることに大きな問題がある。すなわち、大
気圧下でふき取り作業を行なうため大気中の水分が真空
容器内表面に吸着したり、布に浸み込ませた有機溶媒が
真空容器内に残留したり、又、布から発生したパーティ
クルが真空容器内に残ったりする。これらの残留不純物
は、プロセスを行う際にウェハーを汚染し、半導体デバ
イスの特性を劣化させる等の問題を生じていた。
内表面に付着した物質を大気圧下において、イソプロピ
ルアルコールやエタノールなどの有機溶媒を浸み込ませ
た布でふき取ることに大きな問題がある。すなわち、大
気圧下でふき取り作業を行なうため大気中の水分が真空
容器内表面に吸着したり、布に浸み込ませた有機溶媒が
真空容器内に残留したり、又、布から発生したパーティ
クルが真空容器内に残ったりする。これらの残留不純物
は、プロセスを行う際にウェハーを汚染し、半導体デバ
イスの特性を劣化させる等の問題を生じていた。
【００１２】また、ドライクリーニングでは、真空容器
内に発生したプラズマが真空容器内に充分広がらず、真
空容器内のすみずみまで付着した不純物を取り除くこと
ができない。そのため真空容器内表面の付着した不純物
が増大してきたら、結局は前記の問題を内包したウェッ
トクリーニングにたよらざるをえなかった。
内に発生したプラズマが真空容器内に充分広がらず、真
空容器内のすみずみまで付着した不純物を取り除くこと
ができない。そのため真空容器内表面の付着した不純物
が増大してきたら、結局は前記の問題を内包したウェッ
トクリーニングにたよらざるをえなかった。
【００１３】以上述べたように、従来技術では真空容器
内にパーティクルや不純物が残留し、半導体製造等にお
いて歩留まりの低下を引き起こした。
内にパーティクルや不純物が残留し、半導体製造等にお
いて歩留まりの低下を引き起こした。
【００１４】さらに、このクリーニング作業のため、装
置の稼働率が著るしく低下することとなり、製造ライン
の生産効率を低下させる等の重大な問題を生じていた。
置の稼働率が著るしく低下することとなり、製造ライン
の生産効率を低下させる等の重大な問題を生じていた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、チャンバー
を一切大気にさらすことなく、短時間でクリーニングの
可能なプロセス装置を提供することを目的とする。
を一切大気にさらすことなく、短時間でクリーニングの
可能なプロセス装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明のプロセス装置
は、真空容器内に設けられた第１及び第２の少なくとも
２つの電極を有し、前記第１の電極には第１の周波数も
有する高周波電力が加えられ、前記第２の電極には第１
の周波数とは異なる第２の周波数を有する高周波電力が
加えられ、前記第２の電極上にウェハーを保持する機構
を有し、真空容器に導入したガスをプラズマ励起させる
装置において、前記第２の電極と接地とのあいだのイン
ピーダンスを前記第１の電極と接地とのあいだのインピ
ーダンスより必要に応じて充分大きくすることができる
機構を有することを特徴とする。
は、真空容器内に設けられた第１及び第２の少なくとも
２つの電極を有し、前記第１の電極には第１の周波数も
有する高周波電力が加えられ、前記第２の電極には第１
の周波数とは異なる第２の周波数を有する高周波電力が
加えられ、前記第２の電極上にウェハーを保持する機構
を有し、真空容器に導入したガスをプラズマ励起させる
装置において、前記第２の電極と接地とのあいだのイン
ピーダンスを前記第１の電極と接地とのあいだのインピ
ーダンスより必要に応じて充分大きくすることができる
機構を有することを特徴とする。
【００１７】
【作用】第２の電極と接地とのあいだのインピーダンス
を、第１の電極と接地とのあいだのインピーダンスより
充分大きくすることができる機構を作動させることによ
り、真空容器内のプラズマが広がり、化学的に活性化し
たハロゲン系原子が真空容器内のすみずみまで広がって
真空容器内表面に付着した不純物と化学反応を起こして
ガス体となって真空排気装置により除去される。
を、第１の電極と接地とのあいだのインピーダンスより
充分大きくすることができる機構を作動させることによ
り、真空容器内のプラズマが広がり、化学的に活性化し
たハロゲン系原子が真空容器内のすみずみまで広がって
真空容器内表面に付着した不純物と化学反応を起こして
ガス体となって真空排気装置により除去される。
【００１８】その結果、真空容器内のすみずみまで不純
物を取り除くことができる。
物を取り除くことができる。
【００１９】
【実施例】以下本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００２０】図１は第１の実施例を示す装置の断面図で
ある。図１において、１０１は例えば１３．５６ＭＨｚ
の周波数を有する高周波発生装置であり、上部電極１０
５に接続されている。１０２はその高周波マッチング回
路である。１０３はガス導入口であり、例えば材質はＳ
ＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態処理
されており口径は１／４インチである。なお、ガスとし
ては、クリーニングを行うときは、例えばＣＦ4 、ウェ
ハープロセスを行うときは、例えばモノシランガスや酸
素ガスを用いた。１０６はターゲット材で例えば直径５
インチのシリコンウェハーを用いた。
ある。図１において、１０１は例えば１３．５６ＭＨｚ
の周波数を有する高周波発生装置であり、上部電極１０
５に接続されている。１０２はその高周波マッチング回
路である。１０３はガス導入口であり、例えば材質はＳ
ＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態処理
されており口径は１／４インチである。なお、ガスとし
ては、クリーニングを行うときは、例えばＣＦ4 、ウェ
ハープロセスを行うときは、例えばモノシランガスや酸
素ガスを用いた。１０６はターゲット材で例えば直径５
インチのシリコンウェハーを用いた。
【００２１】１０８は減圧可能な真空容器であり、例え
ば材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化
不動態処理されており、一辺が３００ｍｍの中空立片箱
体状に形成されている。
ば材質はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化
不動態処理されており、一辺が３００ｍｍの中空立片箱
体状に形成されている。
【００２２】１０４は真空容器１０８を真空に引くため
の真空排気口であり、真空排気装置は例えばターボ分子
ポンプを用いた。１０９はフランジであり、例えば材質
はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態
処理されており、直径が２００ｍｍの円盤状に形成され
ている。
の真空排気口であり、真空排気装置は例えばターボ分子
ポンプを用いた。１０９はフランジであり、例えば材質
はＳＵＳ３１６Ｌで内面が複合電解研磨及び酸化不動態
処理されており、直径が２００ｍｍの円盤状に形成され
ている。
【００２３】１０５及び１０７はそれぞれ上部及び下部
の電極であり例えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで表面が複合
電解研磨及び酸化不動態処理されておりその大きさは直
径６インチである。１１２は例えば３５ＭＨｚの周波数
を有する高周波発生装置であり下部電極１０７に接続さ
れている。１１１はその高周波マッチング回路である。
１１３は、バンドパスフィルターでその回路はコイルと
コンデンサーから成りウェハープロセス時に第１の周波
数、例えば１３．５６ＭＨｚに対して下部の電極を高周
波的に短絡させている。１１０はコイルであり、例えば
材質は銅であり銅線の外径が１ｍｍ、コイルの半径２５
ｍｍ、コイルの長さが３００ｍｍ、コイルの巻数が１４
５巻のものを用いた。これは約１．６×１０-4Ｈで１０
０ＭＨｚに対して、そのインピーダンスは１００ＫΩで
ある。１１４は下部電極１０７を高周波発生電源１１２
側かコイル１１０側に接続するための切換えスイッチで
ある。
の電極であり例えば材質はＳＵＳ３１６Ｌで表面が複合
電解研磨及び酸化不動態処理されておりその大きさは直
径６インチである。１１２は例えば３５ＭＨｚの周波数
を有する高周波発生装置であり下部電極１０７に接続さ
れている。１１１はその高周波マッチング回路である。
１１３は、バンドパスフィルターでその回路はコイルと
コンデンサーから成りウェハープロセス時に第１の周波
数、例えば１３．５６ＭＨｚに対して下部の電極を高周
波的に短絡させている。１１０はコイルであり、例えば
材質は銅であり銅線の外径が１ｍｍ、コイルの半径２５
ｍｍ、コイルの長さが３００ｍｍ、コイルの巻数が１４
５巻のものを用いた。これは約１．６×１０-4Ｈで１０
０ＭＨｚに対して、そのインピーダンスは１００ＫΩで
ある。１１４は下部電極１０７を高周波発生電源１１２
側かコイル１１０側に接続するための切換えスイッチで
ある。
【００２４】次に、この装置の機能を述べる。この装置
では例えばＳｉのスパッタリングが可能である。それに
はまず、図には示していないがこの真空容器１０８と連
接した真空容器からゲートバルブを介してシリコンウェ
ハーを下部電極１０７にセットする。そして切換えスイ
ッチ１１４を高周波発生装置１１２側に接続して置きガ
ス導入口１０３からアルゴンガスを真空容器１０８に導
入し高周波装置１０１により１〜１５ＭＨｚ（本例では
１３．５６ＭＨｚ）の周波数を有する高周波電力を上部
電極１０５に加えて、真空容器１０８内にプラズマを発
生させる。このとき図には示していないが下部電極１０
７の上にセットされたウェハーはヒーターにより例えば
３００℃に加熱されており、またシリコンのターゲット
材１０６は、図には示していないが外部から接地に対し
て例えば−３００Ｖにバイアスがかけられている。本実
施例ではターゲット材に、例えば直流電流を用いてバイ
アスをかけたが、周波数や高周波電力によっては用いな
くてもよい。そうすると、プラズマ中のアルゴンイオン
がシリコンのターゲット材１０６をスパッタリングし、
スパッタリングされたＳｉが下部電極１０７の上にセッ
トされたウェハー上に堆積していく。ここで、高周波発
生装置１１２により好ましくは３０〜５０ＭＨｚ（本例
では３５ＭＨｚ）の周波数を有する高周波電力を下部電
極１０７に加えてウェハーに例えば＋１０Ｖの自己バイ
アスをかけておくと、ウェハー上に堆積したＳｉが単結
晶となり、低温においてＳｉの単結晶化が可能となっ
た。
では例えばＳｉのスパッタリングが可能である。それに
はまず、図には示していないがこの真空容器１０８と連
接した真空容器からゲートバルブを介してシリコンウェ
ハーを下部電極１０７にセットする。そして切換えスイ
ッチ１１４を高周波発生装置１１２側に接続して置きガ
ス導入口１０３からアルゴンガスを真空容器１０８に導
入し高周波装置１０１により１〜１５ＭＨｚ（本例では
１３．５６ＭＨｚ）の周波数を有する高周波電力を上部
電極１０５に加えて、真空容器１０８内にプラズマを発
生させる。このとき図には示していないが下部電極１０
７の上にセットされたウェハーはヒーターにより例えば
３００℃に加熱されており、またシリコンのターゲット
材１０６は、図には示していないが外部から接地に対し
て例えば−３００Ｖにバイアスがかけられている。本実
施例ではターゲット材に、例えば直流電流を用いてバイ
アスをかけたが、周波数や高周波電力によっては用いな
くてもよい。そうすると、プラズマ中のアルゴンイオン
がシリコンのターゲット材１０６をスパッタリングし、
スパッタリングされたＳｉが下部電極１０７の上にセッ
トされたウェハー上に堆積していく。ここで、高周波発
生装置１１２により好ましくは３０〜５０ＭＨｚ（本例
では３５ＭＨｚ）の周波数を有する高周波電力を下部電
極１０７に加えてウェハーに例えば＋１０Ｖの自己バイ
アスをかけておくと、ウェハー上に堆積したＳｉが単結
晶となり、低温においてＳｉの単結晶化が可能となっ
た。
【００２５】しかしながらスパッタリングされたＳｉは
本装置においても真空容器１０８内表面のいたるところ
にも付着する。前述の従来技術でも述べたようにこれを
取り除く必要がある。
本装置においても真空容器１０８内表面のいたるところ
にも付着する。前述の従来技術でも述べたようにこれを
取り除く必要がある。
【００２６】この真空容器１０８のクリーニングは例え
ば以下のように行なう。
ば以下のように行なう。
【００２７】まず、切換えスイッチ１１４をコイル１１
０側に接続し、ガス導入口１０３から例えばＣＦ4 を導
入し、第１の高周波発生装置１０１により例えば１００
ＭＨｚの周波数を有する高周波電力を上部電極１０５に
加えて真空容器１０８内にプラズマを発生させる。する
とプラズマが真空容器１０８内に充分広がり、すみずみ
まで表面に付着した不純物を取り除くことができる。
０側に接続し、ガス導入口１０３から例えばＣＦ4 を導
入し、第１の高周波発生装置１０１により例えば１００
ＭＨｚの周波数を有する高周波電力を上部電極１０５に
加えて真空容器１０８内にプラズマを発生させる。する
とプラズマが真空容器１０８内に充分広がり、すみずみ
まで表面に付着した不純物を取り除くことができる。
【００２８】ここで本実施例においてプラズマが真空容
器１０８内に広がる理由を簡単に説明する。クリーニン
グで行なうとき第１の高周波は例えば１００ＭＨｚを用
いたが、この１００ＭＨｚに対して、真空容器１０８は
実効的なアースに対してインピーダンスは１００Ωであ
った。又、下部電極と接地とのあいだのインピーダンス
は、クリーニング時に切換えスイッチ１１４をコイル側
に接続するので本実施例では１００ＫΩであった。この
ため、第１の高周波発生装置１０１により上部電極１０
５に高周波電力を加えると、高周波電流は下部電極１０
７には流れにくく、真空容器内壁に向かって流れやすい
ためにプラズマが広がる。
器１０８内に広がる理由を簡単に説明する。クリーニン
グで行なうとき第１の高周波は例えば１００ＭＨｚを用
いたが、この１００ＭＨｚに対して、真空容器１０８は
実効的なアースに対してインピーダンスは１００Ωであ
った。又、下部電極と接地とのあいだのインピーダンス
は、クリーニング時に切換えスイッチ１１４をコイル側
に接続するので本実施例では１００ＫΩであった。この
ため、第１の高周波発生装置１０１により上部電極１０
５に高周波電力を加えると、高周波電流は下部電極１０
７には流れにくく、真空容器内壁に向かって流れやすい
ためにプラズマが広がる。
【００２９】以上述べてきたように、本実施例では真空
容器１０８を大気解放せずに真空容器１０８内表面に付
着した不純物を取り除くことができるので、従来技術で
述べたウェットクリーニングのように、大気中の水分が
真空容器１０８内表面に吸着されることもないし、ウェ
ットクリーニング作業時に用いられる布からの発じんに
よって真空容器１０８内が汚染されることもない。又、
布に浸み込ませた有機溶媒が真空容器１０８内に残留す
ることもない。よって、本発明は従来技術のように真空
容器内にパーティクルや不純物が残留せず、半導体製造
において非常に歩留まりの向上に役立つ。
容器１０８を大気解放せずに真空容器１０８内表面に付
着した不純物を取り除くことができるので、従来技術で
述べたウェットクリーニングのように、大気中の水分が
真空容器１０８内表面に吸着されることもないし、ウェ
ットクリーニング作業時に用いられる布からの発じんに
よって真空容器１０８内が汚染されることもない。又、
布に浸み込ませた有機溶媒が真空容器１０８内に残留す
ることもない。よって、本発明は従来技術のように真空
容器内にパーティクルや不純物が残留せず、半導体製造
において非常に歩留まりの向上に役立つ。
【００３０】また、本実施例ではウェットクリーニング
に比べクリーニングにかかる時間が非常に短い時間で可
能である。
に比べクリーニングにかかる時間が非常に短い時間で可
能である。
【００３１】よって、本発明では半導体等の薄膜製造に
おいて歩留まりと同様に重要な装置の稼働率を大幅に向
上できる。
おいて歩留まりと同様に重要な装置の稼働率を大幅に向
上できる。
【００３２】なお、上記実施例では真空容器１０８、ガ
ス導入口１０３、フランジ１０９、上部電極１０５及び
下部電極１０７は例えばその材質がＳＵＳ３１６Ｌで内
面又は表面が複合電解研磨及び酸化不動態処理されてい
るものを用いたが、これは真空容器内面が、クリーニン
グの時に化学的に活性化したハロゲン原子に曝されて
も、腐食しないようにするためである。また、用途によ
ってはその他の材質及び形状のものを用いてもよい。そ
の他の材質として、例えばＳＵＳ３１６Ｌ又はアルミニ
ウムに例えばニッケルリンメッキを行ない表面にフッ化
処理したものを用いてもよい。要は、化学的に活性なハ
ロゲン系原子に曝されても腐食されないものであればよ
い。
ス導入口１０３、フランジ１０９、上部電極１０５及び
下部電極１０７は例えばその材質がＳＵＳ３１６Ｌで内
面又は表面が複合電解研磨及び酸化不動態処理されてい
るものを用いたが、これは真空容器内面が、クリーニン
グの時に化学的に活性化したハロゲン原子に曝されて
も、腐食しないようにするためである。また、用途によ
ってはその他の材質及び形状のものを用いてもよい。そ
の他の材質として、例えばＳＵＳ３１６Ｌ又はアルミニ
ウムに例えばニッケルリンメッキを行ない表面にフッ化
処理したものを用いてもよい。要は、化学的に活性なハ
ロゲン系原子に曝されても腐食されないものであればよ
い。
【００３３】真空排気装置には上記実施例ではターボ分
子ポンプを用いたが用途によってはその他の真空ポンプ
も用いてもよいことはいうまでもない。
子ポンプを用いたが用途によってはその他の真空ポンプ
も用いてもよいことはいうまでもない。
【００３４】ターゲット材１０６には上記実施例では例
えば直径５インチのシリコンのウェハーを用いたが用途
によってはその他の材料を用いてもよい。
えば直径５インチのシリコンのウェハーを用いたが用途
によってはその他の材料を用いてもよい。
【００３５】第１の高周波発生装置１０１で加えられる
高周波電力の第１の周波数は上記実施例では１００ＭＨ
ｚを用いたが１００ＭＨｚ以上の任意の周波数でよい
（なお、１００〜２００ＭＨｚの周波数が好ましい）。
１００ＭＨｚ以上に設定してクリーニングを行う場合に
は、ターゲット１０６におけるセルフバイアスが小さく
なり、ターゲット１０６のスパッタリングが抑制される
ため真空容器のクリーニング中に新たな汚染をまねくこ
とを十分防止することができる。
高周波電力の第１の周波数は上記実施例では１００ＭＨ
ｚを用いたが１００ＭＨｚ以上の任意の周波数でよい
（なお、１００〜２００ＭＨｚの周波数が好ましい）。
１００ＭＨｚ以上に設定してクリーニングを行う場合に
は、ターゲット１０６におけるセルフバイアスが小さく
なり、ターゲット１０６のスパッタリングが抑制される
ため真空容器のクリーニング中に新たな汚染をまねくこ
とを十分防止することができる。
【００３６】また、上記実施例ではガス導入口１０３か
ら導入するガスとしてＣＦ4 を用いたが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂ
ｒなどのハロゲン系原子を持つガスやこれらと同類な活
性なガスを用いてもよい。特に、ガスの中でもガス分子
の結合エネルギーが小さい（好ましくは、４ｅＶ／ｍｏ
ｌｅｃｕｌｅ以下）ガス、例えば、ＣＣｌ4は、図３に
示すように、１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波
電力を加えてプラズマを発生させた場合、クリーニング
プロセス圧力が１１０ｍＴｏｒｒ以上では、高周波電力
を大きくしていくとイオンエネルギー（Ｅｉｏｎ）は、
低い値でほとんど変化しないが、イオン密度の大きさを
表すフラックスパラメーターは増加していく。この傾向
は１００ＭＨｚ以上の場合においても同様である。これ
により、クリーニングプロセスを効率的に行うために高
周波電力を増加させたとき、イオンエネルギーは低い値
に保ったままイオン密度のみを大きくすることが可能で
ある。よって、クリーニングプロセスにおいて、プラズ
マに曝される、例えば真空管内表面や電極表面に施され
た、例えば酸化不動体皮膜がダメージを受けずに、表面
の不純物が効率的に除去可能となる。また、ＣＣｌ4以
外のガスとしては、ＳＦ6，ＰＣｌ3，ＮＦ3，ＨＢｒ，
ＨＩ，Ｂｒ2などのガスなどがある。
ら導入するガスとしてＣＦ4 を用いたが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂ
ｒなどのハロゲン系原子を持つガスやこれらと同類な活
性なガスを用いてもよい。特に、ガスの中でもガス分子
の結合エネルギーが小さい（好ましくは、４ｅＶ／ｍｏ
ｌｅｃｕｌｅ以下）ガス、例えば、ＣＣｌ4は、図３に
示すように、１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波
電力を加えてプラズマを発生させた場合、クリーニング
プロセス圧力が１１０ｍＴｏｒｒ以上では、高周波電力
を大きくしていくとイオンエネルギー（Ｅｉｏｎ）は、
低い値でほとんど変化しないが、イオン密度の大きさを
表すフラックスパラメーターは増加していく。この傾向
は１００ＭＨｚ以上の場合においても同様である。これ
により、クリーニングプロセスを効率的に行うために高
周波電力を増加させたとき、イオンエネルギーは低い値
に保ったままイオン密度のみを大きくすることが可能で
ある。よって、クリーニングプロセスにおいて、プラズ
マに曝される、例えば真空管内表面や電極表面に施され
た、例えば酸化不動体皮膜がダメージを受けずに、表面
の不純物が効率的に除去可能となる。また、ＣＣｌ4以
外のガスとしては、ＳＦ6，ＰＣｌ3，ＮＦ3，ＨＢｒ，
ＨＩ，Ｂｒ2などのガスなどがある。
【００３７】なお、フラックスパラメーターは次式によ
って定義される（特願平２−２５２８４７号参照）。
って定義される（特願平２−２５２８４７号参照）。
【００３８】Ｆｌｕｘ＝Ｐｗｒｆ／Ｖｐｐ ここでＰｗｒｆは電極に供給される高周波電力、Ｖｐｐ
は電極での高周波振幅である。
は電極での高周波振幅である。
【００３９】さらに、コイル１１０では上記実施例では
例えばその材質が銅であり、銅線の外径が１ｍｍ、コイ
ルの半径が２５ｍｍ、コイルの長さが３００ｍｍ、コイ
ルの巻数が１４５巻のものを用いたが、用途によってそ
の他の材質で任意のコイル形状でよい。要は、切換えス
イッチ１１４をコイル１１０側に接続したとき下部電極
と接地とのあいだのインピーダンスが上部電極と接地と
のあいだのインピーダンスより充分大きければよい。ま
た、上記実施例ではコイルのインダクタンスは固定のも
のを用いたが可変のものを用いてもよい。
例えばその材質が銅であり、銅線の外径が１ｍｍ、コイ
ルの半径が２５ｍｍ、コイルの長さが３００ｍｍ、コイ
ルの巻数が１４５巻のものを用いたが、用途によってそ
の他の材質で任意のコイル形状でよい。要は、切換えス
イッチ１１４をコイル１１０側に接続したとき下部電極
と接地とのあいだのインピーダンスが上部電極と接地と
のあいだのインピーダンスより充分大きければよい。ま
た、上記実施例ではコイルのインダクタンスは固定のも
のを用いたが可変のものを用いてもよい。
【００４０】また、本実施例のクリーニングプロセス
は、ウェハープロセス直後に、真空容器１０８にゲート
バルブを介して連設する真空容器にウェハーを搬送した
後に毎回行なってもよい。これにより、ウェハープロセ
ス直前の真空容器１０８内の状態が毎回同じ状態とな
り、ゆらぎのないウェハープロセスが可能となる。ま
た、ウェハーを数枚処理した後にクリーニングしてもよ
い。
は、ウェハープロセス直後に、真空容器１０８にゲート
バルブを介して連設する真空容器にウェハーを搬送した
後に毎回行なってもよい。これにより、ウェハープロセ
ス直前の真空容器１０８内の状態が毎回同じ状態とな
り、ゆらぎのないウェハープロセスが可能となる。ま
た、ウェハーを数枚処理した後にクリーニングしてもよ
い。
【００４１】さらに、上記実施例では、ウェハープロセ
スとして、例えばシリコンのスパッタリングプロセスを
行い、クリーニングプロセスで真空容器内表面に付着し
たシリコンの堆積物を除去したが、ウェハープロセスと
してその他の、例えばＣＶＤプロセスやＲＩＥプロセス
などのプロセスを行い、クリーニングプロセスで真空容
器内表面に付着する、例えばＳｉ、ＳｉＯ2、フッ素化
合物、炭素化合物などの堆積物を除去してもよい。
スとして、例えばシリコンのスパッタリングプロセスを
行い、クリーニングプロセスで真空容器内表面に付着し
たシリコンの堆積物を除去したが、ウェハープロセスと
してその他の、例えばＣＶＤプロセスやＲＩＥプロセス
などのプロセスを行い、クリーニングプロセスで真空容
器内表面に付着する、例えばＳｉ、ＳｉＯ2、フッ素化
合物、炭素化合物などの堆積物を除去してもよい。
【００４２】図２は第２の実施例を示すものである。
【００４３】本実施例は第１実施例においてコイル１１
０と第２の電極１０７とのあいだにコンデンサー２０１
を入れたもので他の構成は第１実施例と同様であるので
重複した説明は省略する。
０と第２の電極１０７とのあいだにコンデンサー２０１
を入れたもので他の構成は第１実施例と同様であるので
重複した説明は省略する。
【００４４】コンデンサ２０１は容量が１０ｐＦのもの
を用いた。第１実施例と同じく真空容器１０８内にプラ
ズマを発生させるとプラズマは真空容器１０８内に充分
広がり、すみずみまで表面に付着した不純物を取り除く
ことができた。
を用いた。第１実施例と同じく真空容器１０８内にプラ
ズマを発生させるとプラズマは真空容器１０８内に充分
広がり、すみずみまで表面に付着した不純物を取り除く
ことができた。
【００４５】なお、上記実施例ではコンデンサー２０１
は１０ｐＦのものを用いたが任意の固定した容量のもの
又は可変のものを用いても良い。要は、切換えスイッチ
１１４をコイル１１０側に接続したとき下部電極と接地
とのあいだのインピーダンスが上部電極と接地とのあい
だのインピーダンスより充分大きければよい。
は１０ｐＦのものを用いたが任意の固定した容量のもの
又は可変のものを用いても良い。要は、切換えスイッチ
１１４をコイル１１０側に接続したとき下部電極と接地
とのあいだのインピーダンスが上部電極と接地とのあい
だのインピーダンスより充分大きければよい。
【００４６】さらに、本実施例ではコイルとコンデンサ
ーを直列に接続したが、並列回路でもよい。
ーを直列に接続したが、並列回路でもよい。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、チャンバーを一切大気
にさらすことなく、短時間でクリーニングの可能なプロ
セス装置を提供することができる。
にさらすことなく、短時間でクリーニングの可能なプロ
セス装置を提供することができる。
【図１】第１実施例に係わる半導体プロセス装置の真空
容器部概略模式図である。
容器部概略模式図である。
【図２】第２実施例に係わる半導体プロセス装置の真空
容器部概略模式図である。
容器部概略模式図である。
【図３】ＣＣｌ4を励起した時のイオンエネルギー（Ｅ
ｉｏｎ）とフラックスパラメーターとの関係を示すグラ
フ。
ｉｏｎ）とフラックスパラメーターとの関係を示すグラ
フ。
【図４】従来技術に係わる半導体プロセス装置の真空容
器部概略模式図である。
器部概略模式図である。
１０１ 第１の高周波発生装置、 １０２ 第１の高周波マッチング回路、 １０３ ガス導入口、 １０４ 真空排気口、 １０５ 上部電極、 １０６ シリコンのターゲット、 １０７ 下部電極、 １０８ 真空容器、 １０９ フランジ、 １１０ コイル、 １１１ 第２の高周波マッチング回路、 １１２ 第２の高周波発生装置、 １１３ バンドパスフィルター、 １１４ 切換えスイッチ、 ２０１ コンデンサー。
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器内に設けられた第１及び第２の
少なくとも２つの電極を有し、前記第１の電極には第１
の周波数を有する高周波電力が加えられ、前記第２の電
極には前記第１の周波数とは異なる第２の周波数を有す
る高周波電力が加えられ、前記第２の電極上にウェハを
保持する機構を有し、前記真空容器に導入したガスをプ
ラズマ励起させる装置において、前記第２の電極と接地
とのあいだのインピーダンスを前記第１の電極と接地と
のあいだのインピーダンスより、必要に応じて充分大き
くすることができる機構を有することを特徴とするプロ
セス装置。 - 【請求項２】 前記第２の電極と接地とのあいだのイン
ピーダンスを、必要に応じて大きくする機構として、コ
イル若しくはコイルとコンデンサーを組合わせた回路を
用いることを特徴とする請求項１に記載のプロセス装
置。 - 【請求項３】 前記１項のガスは活性なガスであり、た
とえばＦ、Ｃｌ、Ｂｒなどのハロゲン系原子を持つガス
であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス装
置。 - 【請求項４】 前記第１の周波数が１００ＭＨｚ以上、
前記第２の周波数が１０〜５０ＭＨｚの値を有すること
を特徴とする請求項１に記載のプロセス装置。 - 【請求項５】 前記第１の周波数が１〜１５ＭＨｚ、第
２の周波数が３０〜５０ＭＨｚの値を有することを特徴
とする請求項１に記載のプロセス装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04146332A JP3122228B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | プロセス装置 |
| EP93910327A EP0641150A4 (en) | 1992-05-13 | 1993-05-12 | TREATMENT DEVICE. |
| PCT/JP1993/000622 WO1993023978A1 (en) | 1992-05-13 | 1993-05-12 | Process apparatus |
| US08/707,915 US5688330A (en) | 1992-05-13 | 1996-09-10 | Process apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04146332A JP3122228B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | プロセス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315098A JPH05315098A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3122228B2 true JP3122228B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=15405296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04146332A Expired - Fee Related JP3122228B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | プロセス装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0641150A4 (ja) |
| JP (1) | JP3122228B2 (ja) |
| WO (1) | WO1993023978A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3351843B2 (ja) * | 1993-02-24 | 2002-12-03 | 忠弘 大見 | 成膜方法 |
| JP2978704B2 (ja) * | 1993-11-29 | 1999-11-15 | 日本電気株式会社 | 薄膜形成方法 |
| DE4438894C2 (de) * | 1994-10-31 | 1999-12-09 | Aeg Elektrofotografie Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten eines länglichen Werkstücks |
| TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
| US6395128B2 (en) | 1998-02-19 | 2002-05-28 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6112697A (en) * | 1998-02-19 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods |
| JP2000315598A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-11-14 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| US6562684B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming dielectric materials |
| JP4819244B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7595096B2 (en) * | 2003-07-30 | 2009-09-29 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method of manufacturing vacuum plasma treated workpieces |
| US7393432B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-07-01 | Lam Research Corporation | RF ground switch for plasma processing system |
| JP2006236867A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ処理部材 |
| JP4643387B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-03-02 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR100777151B1 (ko) * | 2006-03-21 | 2007-11-16 | 주식회사 디엠에스 | 하이브리드형 플라즈마 반응장치 |
| US9105451B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-08-11 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| CN108878241B (zh) * | 2017-05-10 | 2021-03-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备和半导体设备的反应腔室的清理方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812347B2 (ja) * | 1981-02-09 | 1983-03-08 | 日本電信電話株式会社 | プラズマエッチング装置 |
| US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
| JPS62111431A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS62125626A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS62274725A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Tokuda Seisakusho Ltd | エツチング装置 |
| JPH0643637B2 (ja) * | 1986-05-30 | 1994-06-08 | 株式会社日立製作所 | プラズマ制御装置 |
| JPH01100925A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
| JP2746292B2 (ja) * | 1990-08-31 | 1998-05-06 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | スパッタリング装置 |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP04146332A patent/JP3122228B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-12 EP EP93910327A patent/EP0641150A4/en not_active Withdrawn
- 1993-05-12 WO PCT/JP1993/000622 patent/WO1993023978A1/ja not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0641150A4 (en) | 1995-05-10 |
| JPH05315098A (ja) | 1993-11-26 |
| WO1993023978A1 (en) | 1993-11-25 |
| EP0641150A1 (en) | 1995-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3122228B2 (ja) | プロセス装置 | |
| US5688330A (en) | Process apparatus | |
| JPH0653193A (ja) | プラズマ反応容器のクリーニングに有用なオゾンを用いた炭素系ポリマー残留物の除去 | |
| TWI756475B (zh) | 抑制粒子產生之方法及真空裝置 | |
| JPS58158929A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH08321448A (ja) | 真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法 | |
| JPH07321097A (ja) | 処理装置及び該処理装置に用いられるリング体もしくはバッフル板の洗浄方法 | |
| JPH0555184A (ja) | クリーニング方法 | |
| JPH11200031A (ja) | スパッタリング装置及びその高速真空排気方法 | |
| JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
| JPH09148310A (ja) | 半導体製造装置およびそのクリーニング方法ならびに半導体ウエハの取り扱い方法 | |
| JPH02143418A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS63136525A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS62130524A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH04242933A (ja) | 酸化膜形成方法 | |
| JPH09148255A (ja) | 反応容器内のクリーニング方法 | |
| JPH0239523A (ja) | 半導体基板への成膜方法 | |
| JP2558273B2 (ja) | 表面クリ−ニング方法 | |
| JP2544129B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2004292887A (ja) | プラズマ処理容器内部材の製造方法、およびそれにより製造されたプラズマ処理容器内部材 | |
| JPH05198515A (ja) | 半導体処理装置とその前処理方法 | |
| JPS6345822A (ja) | クリ−ニング方法および装置 | |
| JPS6179230A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPH08172071A (ja) | 半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法 | |
| JPS59153880A (ja) | 帯状金属体の連続蒸着法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101020 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101020 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111020 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |