JP3113228U - プラズマテレビジョン - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 主電源基板40にて所定電圧のVsus電源とVadd電源を生成し、これらをプラズマパネル11に対して出力する。主電源基板40にてVsus電源とVadd電源を生成するトランス42からサブ電源Vsub1,Vsub2,Vsub3を派生させ、これらを主電源基板40とは別基板のサブ電源基板20に入力させている。サブ電源基板20ではサブ電源Vsub1,Vsub2,Vsub3の電圧値を調整することにより、プラズマパネル11が使用可能なVset電源とVe電源とVscan電源を生成する。このように、主電源基板40とサブ電源基板20とが独立した基板で備えられることにより、サブ電源基板20のみの交換が可能となり、プラズマパネル11の電源仕様の変更に柔軟に対応することができる。
【選択図】図1
Description
かかる構成によれば、複数の電源間で電子部品や回路基板等を共用することができるため、コストの低減や装置のコンパクト化を実現することが可能であった。
本考案は、上述した課題をかんがみてなされたもので、プラズマパネルの電源仕様の変更に柔軟に対応することができるプラズマテレビジョンを提供することを目的とする。
交流電源を入力し直流電源を生成する整流回路と、上記直流電源から所望の電圧レベルのアドレス電源とサステイン電源とを生成するトランスと、上記アドレス電源と上記サステイン電圧とを上記プラズマパネルに出力する主電源出力端子と、上記トランスの所定の電圧レベルから導出したサブ電源を外部に出力するサブ電源基板用端子とを備える主電源基板と、上記主電源基板とは別基板として備えられるとともに、上記サブ電源基板用端子から入力した上記サブ電源を所定の電圧レベルに調整して上記プラズマパネルに出力する定電圧回路を備えるサブ電源基板とを具備する構成としてある。
交流電源を入力し直流電源を生成する整流回路と、上記直流電源から所望の電圧レベルのアドレス電源とサステイン電源とを生成するトランスと、上記アドレス電源と上記サステイン電圧とを上記プラズマパネルに出力する主電源出力端子と、上記トランスの所定の電圧レベルから導出したサブ電源を外部に出力するサブ電源基板用端子とを備える主電源基板と、
上記主電源基板とは別基板として備えられるとともに、
上記サブ電源基板用端子と接続可能な入力端子と、上記サブ電源をドレインにて入力しつつソースから同サブ電源を上記プラズマパネルに出力するMOSFETと、上記MOSFETのソースとグランドとの間に介在するコンデンサと、上記MOSFETのソースとグランドとの間に介在する可変抵抗と、上記可変抵抗にて分割された上記サブ電源の分割電圧が逆方向で入力されるツェナーダイオードと、上記ツェナーダイオードにおける降伏現象に起因して上記MOSFETのゲート電圧を低下させる調整トランジスタと、マイコンから出力される起動信号を入力し同起動信号が入力されない期間において上記ゲート電圧を低下させる起動トランジスタと、上記MOSFETのソースにて過電流が検出されるときに上記ゲート電圧を低下させる制限トランジスタと、上記MOSFETのソースと上記プラズマパネルとを電気的に接続するサブ電源出力端子とを備えるサブ電源基板とを具備する構成としてある。
請求項3の考案によれば、プラズマパネルに出力されるサブ電源を定電圧回路よって所望の電圧レベルに安定化させることができる。
請求項4の考案によれば、マイコンにてサブ電源のON/OFFを切り換えることができる。
請求項5の考案によれば、過電流から機器を保護することができる。
(1)プラズマテレビジョンの構成:
(2)主電源基板の構成:
(3)サブ電源基板の構成:
(4)まとめ:
図1は、本考案の一実施形態にかかるプラズマテレビジョンの概略構成を示している。同図において、プラズマテレビジョン10は、プラズマパネル11と映像処理回路13とチューナ14とマイコン15とサブ電源基板20と主電源基板40とから構成されている。チューナ14は外部のアンテナ60からテレビ電波を入力しており、マイコン15にて指定された周波数帯域のテレビ電波から映像信号等を抽出する。
図2は、主電源基板40の構成を示している。同図において、整流ブリッジを備える整流回路が直流化した電源がトランス42の一次側巻き線の一端に入力されている。トランス42の一次側巻き線のもう一端は、スイッチングトランジスタT1のコレクタに接続されており、スイッチングトランジスタT1のベース電流のデューティ比に応じて、二次側に伝達される電圧を調整することが可能となっている。スイッチングトランジスタT1のベース電流は、トランス42の二次側巻き線における電圧を監視するフィードバック回路43にて生成されている。フィードバック回路43は、トランス42の二次側が高電圧となったときに、スイッチングトランジスタT1のベース電流のデューティ比を低下させるようになっている。反対に、トランス42の二次側が低電圧となったときに、スイッチングトランジスタT1のベース電流のデューティ比を増加させる。これにより、トランス42の二次側電圧を一定化させることができる。
図3は、サブ電源基板20の構成を示している。同図において、主電源基板40からサブ電源基板20に入力されたサブ電源Vsub1,Vsub2,Vsub3に対応して、定電圧回路30a,30b,30cがそれぞれ備えられている。定電圧回路30aは、約205Vに調整されたサブ電源Vsub1を入力し、約175VのVset電源をプラズマパネル11に対して出力する。同様に、定電圧回路30bは、約85Vに調整されたサブ電源Vsub2を入力し、約85VのVe電源をプラズマパネル11に対して出力する。さらに、定電圧回路30cは、約−220Vに調整されたサブ電源Vsub3を入力し、約−220VのVscan電源をプラズマパネル11に対して出力する。以下、定電圧回路30の詳細な構成について説明する。なお、図示しないがサブ電源基板20と主電源基板40との間でサブ電源Vsub1,Vsub2,Vsub3を接続するためのコネクタを設けることにより、両者の接続作業は容易となる。従って、サブ電源Vsub1,Vsub2,Vsub3の仕様変更を容易に行うことが可能となる。
以上説明したように、本考案においては、主電源基板40にて所定電圧のVsus電源とVadd電源を生成し、これらをプラズマパネル11に対して出力する。主電源基板40にてVsus電源とVadd電源を生成するトランス42からサブ電源Vsub1,Vsub2,Vsub3を派生させ、これらを主電源基板40とは別基板のサブ電源基板20に入力させている。サブ電源基板20ではサブ電源Vsub1,Vsub2,Vsub3の電圧値を調整することにより、プラズマパネル11が使用可能なVset電源とVe電源とVscan電源を生成する。このように、主電源基板40とサブ電源基板20とが独立した基板で備えられることにより、サブ電源基板20のみの交換が可能となり、プラズマパネル11の電源仕様の変更に柔軟に対応することができる。
11…プラズマパネル
11a…ディスプレイドライバ
13…映像処理回路
14…チューナ
15…マイコン
20…サブ電源基板
30a,30b,30c…定電圧回路
40…主電源基板
40a1,40a2…主電源出力端子
40b1,40b2,40b3…サブ電源基板用端子
41…整流回路
42…トランス
43…フィードバック回路
50…電源ケーブル
60…アンテナ
D1…ツェナーダイオード
M1…MOSFET
R1…可変抵抗
R2,R3…抵抗
T1〜T6…スイッチングトランジスタ
Claims (5)
- 少なくともアドレス電源とサステイン電源とを含む複数の直流電源によって駆動されるプラズマパネルを備えるプラズマテレビジョンにおいて、
交流電源を入力し直流電源を生成する整流回路と、上記直流電源から所望の電圧レベルのアドレス電源とサステイン電源とを生成するトランスと、上記アドレス電源と上記サステイン電圧とを上記プラズマパネルに出力する主電源出力端子と、上記トランスの所定の電圧レベルから導出したサブ電源を外部に出力するサブ電源基板用端子とを備える主電源基板と、
上記主電源基板とは別基板として備えられるとともに、
上記サブ電源基板用端子と接続可能な入力端子と、上記サブ電源をドレインにて入力しつつソースから同サブ電源を上記プラズマパネルに出力するMOSFETと、上記MOSFETのソースとグランドとの間に介在するコンデンサと、上記MOSFETのソースとグランドとの間に介在する可変抵抗と、上記可変抵抗にて分割された上記サブ電源の分割電圧が逆方向で入力されるツェナーダイオードと、上記ツェナーダイオードにおける降伏現象に起因して上記MOSFETのゲート電圧を低下させる調整トランジスタと、マイコンから出力される起動信号を入力し同起動信号が入力されない期間において上記ゲート電圧を低下させる起動トランジスタと、上記MOSFETのソースにて過電流が検出されるときに上記ゲート電圧を低下させる制限トランジスタと、上記MOSFETのソースと上記プラズマパネルとを電気的に接続するサブ電源出力端子とを備えるサブ電源基板とを具備することを特徴とするプラズマテレビジョン。 - 少なくともアドレス電源とサステイン電源とを含む複数の直流電源によって駆動されるプラズマパネルを備えるプラズマテレビジョンにおいて、
交流電源を入力し直流電源を生成する整流回路と、上記直流電源から所望の電圧レベルのアドレス電源とサステイン電源とを生成するトランスと、上記アドレス電源と上記サステイン電圧とを上記プラズマパネルに出力する主電源出力端子と、上記トランスの所定の電圧レベルから導出したサブ電源を外部に出力するサブ電源基板用端子とを備える主電源基板と、
上記主電源基板とは別基板として備えられるとともに、
上記サブ電源基板用端子から入力した上記サブ電源を所定の電圧レベルに調整して上記プラズマパネルに出力する定電圧回路を備えるサブ電源基板とを具備することを特徴とするプラズマテレビジョン。 - 上記定電圧回路は、
上記サブ電源をドレインにて入力しつつソースから同サブ電源を上記プラズマパネルに出力するMOSFETと、
上記MOSFETのソースとグランドとの間に介在するコンデンサと、上記MOSFETのソースとグランドとの間に介在する可変抵抗と、
上記可変抵抗にて分割された上記サブ電源の分割電圧が逆方向で入力されるツェナーダイオードと、
上記ツェナーダイオードにおける降伏現象に起因して上記MOSFETのゲート電圧を低下させる調整トランジスタとを具備することを特徴とする請求項2に記載のプラズマテレビジョン。 - 上記定電圧回路は、
マイコンから出力される起動信号を入力し同起動信号が入力されない期間において上記ゲート電圧を低下させる起動トランジスタを具備することを特徴とする請求項3に記載のプラズマテレビジョン。 - 上記定電圧回路は、
上記MOSFETのソースにて過電流が検出されるときに上記ゲート電圧を低下させる制限トランジスタを具備することを特徴とする請求項4に記載のプラズマテレビジョン。
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