JPH02132840A - 処理装置及びレジスト処理装置及び処理方法及びレジスト処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、製造装置に関する。

（従来の技術） ＩＣ等の半導体装置の製造には，シリコンのような半導
体単結晶のウエハーにトランジスタ等の素子を形成する
ために、多数の微細加工工程が含まれる。その中で、ウ
エハーの表面に所定のレジストパターンを形成するＰＥ
Ｐ（ｐｈｏｔｏｅ’ｎｇｒａｖｉｎｇ　ｐｒｏ−ｃｅｓ
ｓ）は非常に重要な地位を占める。何故なら、ＰＥＰで
形成されるレジストパターンはエッチングマスク等とし
て使用され，現在の微細加工技術の基礎を提供するから
である。

ＰＥＰにおけるレジストパターンの形成は、ウエハー表
面にフォトレジストを塗布して均一な膜厚のフォトレジ
スト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜の所定領
域を選択的に露光する工程と、該露光されたフォトレジ
スト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する工
程とからなる。このうち露光工程は、例えばステップ・
アンド・リピート・アライナー（ステッパーと称される
）等の露光装置を用いて行なわれる。他方、基板表面に
フォトレジスト膜を形成する工程は、例えば以下に説明
する装置を用いて行なわれる。

第７図は、トラック方式と呼ばれるフォトレジスト膜形
成装置での処理手順を示すフローチャートである。この
装置は図示のように、夫々予備加熱工程４、冷却工程５
，塗布工程６、加熱工程８を行なう処理ステーションを
有している。表面にフォトレジスト膜を形成すべき半導
体ウエハー１は、カセット状容器２に収納されてこの装
置に導入される。半導体ウエハー１は一枚づつカセット
２から取出され、ベルト搬送機構３により順次各処理ス
テーションに搬送され、所定の処理を施される。予備加
熱工程４において、ウエハー１は加熱により水分を除去
される。予備加熱されたウエハー１は、冷却工程５で冷
却された後、塗布工程６に送られる。塗布工程６では，
例えばスピンナーコーター（ｓｐｉｎｎｅｒ　ｃｏａｔ
ｅｒ）等の塗布装置により、ウエハー１の表面にフォト
レジストが均一に塗布される。フォトレジストを塗布さ
れたウエハー１は、ウォーキングビーム方式と称される
搬送機構７を具備した加熱工程８に送られる。この加熱
工程８で加熱されることにより，ウエハーに塗布された
フォトレジスト液は膜状に安定化される。

加熱工程８を終了し，表面に初期のフォトレジスト′ｇ
ＩＶｆ４が形成されたウエハー９は、ベルト搬送機構３
により，処理済みのウエハーを収納するためのカセット
１０に収納される。

（発明が解決しようとする課題） 上記のように，従来の装置においては夫々の独立した処
理ステーションが直列に配置され，処理されるべき半導
体ウエハーはこれらのステーションを所定の順序で、か
つ一方通行で必ず通り、必要の有無に関係なく処理を受
けなければならないようになっている。このため、一旦
設定された処理順序を任意に変更することはできず，ま
た或る処理ステーションだけを選択的に通過させること
も不可能であった。

これに対し、半導体ウエハー１に半導体素子を形成する
に必要な処理工程はその順序をも含めて，ウエハー１に
形成されるＩＣの種類によって変る。

にもかかわらず、上記従来のフォトレジスト膜形成装置
では、或る処理工程が不要な半導体ウエハーについても
総ての処理工程を実施せざるを得ないため，スループッ
トを向上する妨げとなっている。

従って、処理すべき半導体ウエハー１の種類に応じ、装
置に設けられた処理ステーションのうち、どの処理ステ
ーションをどの順序で使用するかを任意に変更できる装
置が望まれる。

本発明は，上述の従来事情に対処してなされたもので、
処理工程を必要に応じ選択的に変更が可能で処理のスル
ープットが高い製造装置を提供しようとするものである
。

〔発明の構成〕

（４ａＭを解決するための手段） すなわち本発明は、複数の処理工程を対向配置し，これ
ら対向配置された工程間被処理体を所望する工程順に上
記工程を選択して搬送することを可能にしたことを特徴
とする。

（作　用） 本発明製造装置では、対向配置された複数の工程間を選
択して被処理体を搬送できるようにした製造装置により
、被処理体の種類に応じた褒造工程を選択し得る。

（実施例） 以下、本発明製造装置を塗布Ｔ！Ａ像装置に適用した一
実施例を図面を参照して説明する。

第１図は，フォトレジスト膜の塗布現伶装置１００を示
す平面図であり、図中、１０１は本体基台である。　こ
の基台１０１の中央部には、矢印Ｙ方向（横方向）に延
設された通路１０２が設けられている。　この通路１０
２の一方の側には、未処理の半導体ウエハーを加熱して
水分等を除去するためのＨＭＤＳ処理を伴うか，又は単
に加熱する予備加熱ステーション１０３、予備加熱され
たウエハーを冷却するための冷却ステーション１０４、
　例えばフォトレジスト液を塗布した後のウエハーを加
熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成するために用い
る垂直方向にそれぞれ２枚の加熱装置を有する第１及び
第２の加熱ステーション１０５，　１０６が設けられて
いる。また，通路１０２の他方の側には，予備加熱およ
び冷却を終了したウエハーの表面に、例えばフォトレジ
スト液を塗布するために用いる第１および第２の塗布ス
テーション１０７，　１０８が設けられている。なお、
図では冷却ステーション１０４、および予備加熱ステー
ション１０３、第１，第２の加熱ステーション１０５，
　１０６が平面的に配置されているように記載されてい
るが、これは便宜上のもので，実際には冷却ステーショ
ン１０４の上に予備加熱ステーション１０３の加熱装置
が上下に２枚設けられた積層構造となっている。

通路１０２には、この通路１０２内を例えばボールスク
リュー等の図示しない駆動機構によってＹ方向に移動す
るハンドリング手段例えばウエハー搬送装置１１０が設
けられている。この搬送装置１１０はキャリッジ１１１
を有し、このキャリッジ１１１にはバキュームピンセッ
ト例えばウェハーＷを吸着保持するための２つのピンセ
ット１１２，　１１３が上下に重畳されて取付けられて
いる。ピンセット１１２，　１１３は夫々独立にＸ方向
（縦方向）、Ｙ方向（横方向）に移動可能で、重畳され
たピンセット１１２，　１１３は同時にＺ方向（垂直方
向）に平行移動が可能で、また０方向に回動することが
できる。ビンセット１１２，　１．１３のこのような平
行移動および回動を可能とするため、　キャリッジ１１
１にはステッピングモータ及びこれに連結されたボール
スクリュー等の図示しない駆動機構が設けられている。

ピンセット１１２，　１１３は、一方のピンセットでウ
エハーを保持して処理ステーションに搬送し、この処理
ステ一ションに処理済ウエハーがあった時、他のピンセ
ットで処理済ウエハーをピックアップし、上記ウエハー
をセットする。　この搬送装［１１０はウエハーＷを前
述の各処理ステーション１０３〜１０８に搬送するため
に用いられる。

基台１０１の左側には、ウエハー搬入搬出機構１２０が
設けられている。　この搬入搬出機構１２０には、処理
前の半導体ウエハーＷ．を収容したウエハーカセット１
２２及び処理後のウエハーＷＦを収容するウエハーカセ
ット１２３が設けられている。　また，搬入搬出機構１
２０はウエハーＷの裏面を吸着保持するためのピンセッ
ト１２１　を具備している。このピンセット１２１は、
　前記のピンセット１１２，　１１３と同様の構成によ
りＸ，Ｙ方向に平行移動が可能になっている。　このピ
ンセット１２１は、処理前のウエハーＷ８をカセット１
２２から取出し、また処理済みのウエＷＦをウエハーカ
セット１２３に収納する。

搬入搬出機構１２０のピンセット１２１は，処理前のウ
エハーＷＢを搬送装置１１０のピンセット１１２，　１
１３に渡し，　また処理後のウエハーＷＦをピンセット
１１２，　１１３から受け取る。この受渡しを可能とす
るインターフェースが、通路１０２と搬入搬出機構１２
０との境界に設けられている。

また、搬送装置１１０のピンセット１１２，　１１３は
、各処理ステーション１０３〜１０８との間でウエハー
Ｗの受渡しを行なう。これによって、ウエハーＷは所定
の順序に従い、各処理ステーション１０３〜１０８での
処理を受ける。そして、搬送装置１１０の動作は、全て
図示しない制御システムによって制御されるようになっ
ている。従って、制御システムのプログラムを変更する
ことによって、処理ステーション１０３〜１０Ｂにおけ
る処理を任意に設定することができる。即ち、処理ステ
ーション１０３〜１０８における処理の幾つかのみを行
なうことも、処理の順序を変更することも可能である。

第２図および第３図Ａ〜第３図Ｃに、上記ピンセット１
１２，　１１３，　１２１を詳細に記載している。　こ
れらの図において、２１はピンセット本体である。

この本体２１には３つの支点２２，　２３．　２４が突
設され、半導体ウエハーＷはこれら支点によって三点支
持される。この三点支持は、ピンセット２１表面のゴミ
の付着を防止する効果がある。これら支点２２〜２４の
内２４には、その頂面に開口した真空吸着のための吸引
口が設けられている。また、ウエハーＷのアラインメン
トのために、ウエハーＷの周縁に対応した円弧状のガイ
ド部材２５と、ストッパ部材２６とが設けられている。

半導体ウエハーＷは，まず第３図Ａに示す状態でピンセ
ット上に載置される。この状態では、ウエハーＷはアラ
インメントされておらず、真空吸着もされていない。つ
いで、第３図Ｂに示すように、ピンセットをストッパ部
材２６に向けて水平に移動させ、ウエハーＷのオリエン
テーションフラットＷａがストッパ部材２６に当接させ
る。その後，更に水平移動を続けることにより、半導体
ウエハーＷはピンセットの支点２２〜２４上をスライド
し、最終的にはガイド部材２５に当接して停止する。従
って、もし第３図Ａの状態でウエハーＷの位置がビンセ
ットの中央部からズレていたとしても、ガイド部材２５
に案内されることによって、ピンセット中央の所定位置
にアラインメントすることができる。

第４図は、通路１０２とウエハー搬入搬出機構１２０と
の境界に設けられたインターフェース機構３０を示して
いる。このインターフェース機構３０はピンセット１２
１　とピンセット１１２，　１１３との間で受渡しされ
る半導体ウエハーＷを一時待機させる機能を有し，真空
吸着機構により半導体ウエハーＷを保持する保持部材３
１と、この保持部材を昇降させるための駆動装置（例え
ばエアシリンダ）３２とからなっている。搬入搬出機構
１２０のピンセット１２１が図示の位置に半導体ウエハ
ーＷを搬送してくると．保持部材３２が上昇し、図示の
ように半導体ウエハーＷを持上げて保持する。次に、レ
ジスト塗布現像装置１００側のウエハー搬送装置１１０
が、図示のインターフェース機構３０の位置に移動する
。そして，保持部材３ｌが下降することにより、保持部
材３１に保持されている半導体ウエハーＷはピンセット
１１２又は１１３に載置される。ピンセット１１２，　
１１３からピンセット１２１への半導体ウエハーＷの受
渡しも、上記と同様にして行なわれる。

次に、上記実施例の装置１００によって，半導体ウエハ
ーＷの表面にフォトレジスト膜を形成する工程を順を追
って説明する。この工程は、既述の制御システムの予め
記憶されたプログラムに基づいて実施される。

先ず，搬入搬出機構１２０のピンセット１２１によりカ
セット１２２からウエハーＷを１枚取出し、インターフ
ェース機構３０の位置まで搬送する。搬送されてきた半
導体ウエハーＷは、インターフェース機構３０を介して
，通路１０２の左端に待機している搬送装［１１０の一
方のピンセット、例えばピンセット１１２に渡され，吸
着保持される。なお、１つのカセット１２２に同一種の
半導体ウエハーのみが収納されている場合には、　カセ
ット１２２にＩＤコードを表示し、このＩＤを読取って
製造工程プログラムを選択するようにしてもよい。

以下、予備加熱ステーション１０３、冷却ステーション
１０４、第１の塗布ステーション１０７、第１の加熱ス
テーション１０５での処理がこの順序で選択された場合
について説明する。

まず，ウエハーＷを受取ったピンセット１１２を予備加
熱ステーション１０３に向かって移動させ，ウエハーＷ
を予備加熱ステーション１０３にセットして予備加熱す
る。予備加熱は、ヒータプレートにより構成し、ウエハ
ーＷをヒータプレート上に載置する。この時、ウエハー
Ｗはプレート上に直接接触させず三点支持により０．３
＋ｎ＋ｎ程度浮かせるとゴミ対策が良好である。この間
にピンセット１２１を移動させて２番目のウエハーＷを
カセット１２２から取出し，　前記インターフェース機
構３０に待機させておく。最初のウエハーを予備加がス
テーション１０３に搬入し終った後、搬送装置１１０は
インターフェース機構３０から２番目のウエハーＷをビ
ンセット１１２で受取り、ピンセット１１２上に吸着保
持する。そして、予備加熱ステーション１０３での最初
のウエハーの処理が終了するまでそのまま待機する。

最初のウエハーＷの予備加熱処理が終了したとき、搬送
装［１１０は次の動作を行なう。即ち、まずウエハーを
保持していないビンセット１１３を移動させることによ
り、予備加熱処理が終了した最初のウエハーを予備加熱
ステーション１０３から取出す。こうして予偉加熱ステ
ーション１０３を空にした後、２番目のウエハーを保持
しているピンセット１１２を動作させ、　２番目のウエ
ハーを予備加熱ステーション１０３にセットする。　次
いで、ピンセット１１２，　１１３をＹ方向，θ方向，
Ｚ方向に移動し、冷却ステーション１０４位置に移動し
、　基板を保持したピンセット１１３をＸ方向に動作し
、この最初のウエハーを冷却ステーション１０４にセッ
トする。この動作から、２つのピンセット１１２，　１
１３を設けた利点が理解される。即ち，ピンセットが１
つしかない場合には、搬送装置１１０はまず最初のウエ
ハーを予備加熱ステーション１０３から取出し、これを
冷却ステーション１０４にセットし、その後にインター
フェース機構３０から２番目のウエハーを受け取ってこ
れを予備加熱ステーション１０３にセットする動作を行
なわなければならないからである。なお、上記の動作が
行なわれている間に，搬入搬出機構１２０では、ピンセ
ット１２１により次に処理する３番目のウエハーを前記
インターフェース機構３０に待機させておく。

次に、搬送装置１１０はインターフェース機構３０から
３番目のウエハーをピンセット１１２に保持する。そし
て，冷却ステーション１０４での処理が終了するまで待
機させる。最初のウエハーの冷却工程が終了したとき、
搬送装５１１１０はウエハーを保持していない方のピン
セット１１３で冷却ステーション１０４内のウエハーを
取出し、次にプログラムされたフォトレジストの塗布工
程のための第１の塗布ステーション１０７にセットする
。　この塗布処理の間に予備加熱ステーション１０３に
おける２番目のウエハーの処理が終了したら、搬送装置
１１０はウエハーを保持していない方のピンセット１１
３によってこのウエハーを予備加熱ステーション１０３
から取出す。そして、ピンセット１１２に保持している
３番目のウエハーを予備加熱ステーション１０３にセッ
トすると同時に、ピンセット１１３に保持している２番
目のウエハーを冷却ステーション１０４にセットする。

　この動作は、既述した通りのと同じである。

なお、もし最初のウエハーの冷却工程が終了する前に，
２番目のウエハーの予備加熱処理が終了する場合には、
次のような動作を行なうようにプログラムすることも可
能である。即ち，まず３番目の未処理のウエハーをピン
セット１１２に保持した状態で、　ピンセット１１３に
より２番目のウエハーを予備加熱ステーション１０３か
ら取出す。続いてピンセット１１２に保持されている３
番目のウエハーを予備加熱ステーション１０３にセット
した後，待機する。そして、冷却ステーション１０４に
おける最初のウエハーの冷却工程が終了した後、この最
初のウエハーをピンセット１１２又は１１３で取出し、
第１の塗布ステーション１０７にセットする。この塗布
は、例えばレジスト液を滴下スピンコーティング装置に
より実行する． 第１の塗布ステーション１０７において最初のウエハー
に対するフォトレジストの塗布処理が終了したとき、搬
送装置１１０はビンセット１１３によりこのウエハーを
第１の塗布ステーション１０７から取出す。続いてＹ方
向に沿って右側に移動し，取出した最初のウエハーを第
１の加熱ステーション１０５にセットして加熱処理を行
なう。　この加熱処理を行なっている間に冷却ステーシ
ョン１０４内での２番目のウエハーの冷却処理が終了し
たら、搬送装ニ１１０はこのウエハーをピンセット１１
３にて取出し、　更に第１の塗布ステーション１０７に
セットしてフォトレジストの塗布を開始する。

第１の加熱ステーション１０５において最初のウエハー
の処理が終了し、所望のフォトレジスト膜が形成された
ら、搬送装置１１０はこの最初のウエハーをピンセット
１１３にて取出す。続いて、搬送装［１１０はＹ方向左
側に移動し，ピンセット１１３に保持したウエハーを前
記のインターフェース機構３０に渡す。インターフェー
ス機構３０での待機中，直接載置部に接触させず、わず
かに浮かせて載置することがゴミ対策上有効である。ま
た、待機機構はキャリアカセットにより構成するとさら
に有利である。こうして処理済みの半導体ウエハーＷＦ
がインターフェース機構３０に待機されると、搬入搬出
機構１２０のピンセット１２１がこのウエハーを受取り
、カセット１２３に収納する．以上述べた一連の処理動
作は、　カセット１２２内の未処理のウエハーＷ．がな
くなるまで続けられる。

なお，上記の動作説明では第１の塗布ステーション１０
７と第１の加熱ステーション１０５とを用いたが，これ
らの代りに、第２の塗布ステーション１０８及び第２の
加熱ステーション１０６を使用してもよい。また、フォ
トレジストの塗布工程および／または加熱工程が他の工
程に較べて時間がかかる場合には，２つの塗布ステーシ
ョン１０７，　１０８および／または２つの加熱ステー
ション１０５，　１０６を同時に使用することも可能で
ある。

ところで、上記のフォトレジスト膜形成工程を実施する
際、プログラムされたプロセスが適切なものであるか否
かを確認するために，１枚のウェハーについて試しに処
理を行なってみるのが普通である．この場合，試しの処
理が終了したテストウエハーＷＴを、検査のためにカセ
ット１２１から取出す必要がある．この取出しを容易に
するため、第５図に示すように、　カセット１２３の基
部に引出し可能なレシーバ４０を設けるのが好ましい。

このレシーバ４０の一端には取手４１を設け、内部には
ウエハー載置台４２を設けておく。試しの処理を終了し
たテストウエハーＷＴは、ビンセット１２１によって開
口部４３から挿入され、載置台４２に載せられる。

従って，　このテストウエハーＷ丁はレシーバ４０を図
示のように引出すことによって容易に取出すことができ
る。

なお、上記の動作説明では第１の塗布ステーション１０
７と第１の加熱ステーション１０５とを用いたが、これ
らの代りに、第２の塗布ステーション１０８及び第２の
加熱ステーション１０６を使用してもよい。また、フォ
トレジストの塗布工程および／または加熱工程が他の工
程に較べて時間がかかる場合には、２つの塗布ステーシ
ョン１０７，　１０８および／または２つの加熱ステー
ション１０５，　１０６を同時に使用することも可能で
ある。

以上の動作説明から明らかなように、上記実施例の装置
によれば、半導体ウェハーの表面にフォトレジスト膜を
形成するために必要な複数の工程を、その順序をも含め
た任意に組合せて最良の工程をプログラムすることがで
きる。従って，処理すべき半導体ウエハーの種類に応じ
て最も効率のよい組合せプロセスを選択し、最大のスル
ープットを得ることができる。

また，搬送装置１１０が２つのビンセット１１２，１１
３を有し、夫々独立の動作をすることがら、処理の自由
度が高い。例えば、次工程のステーションにウエハーが
存在しているとその工程のウェハーの入替えができない
といった不都合がない６なβ．ｍ送機構１１０のピンセ
ットは必ずしも２つである必要はなく、３つ以上であっ
てもよい。

更に、各処理ステーションを通路１０２に沿ってその両
側に配設しているため、搬送装置１１０の動作プログラ
ムを変更する際の自由度が極めて高い。

従って、処理プログラムの変更が容易である。また、予
備加熱ステーション１０３と冷却ステーション１０４と
を上下に積層配置したため、設置のために必要な床面積
も節減される。

上記の実施例の装置は，所定のパターンで露光されたフ
ォトレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する
装置としても使用することができる。その場合，塗布ス
テーション１０７，　１０８に現像液を塗布する装置も
設けられている。現住装置は、例えば変速回転中のウエ
ハー上に現像液をジェット状に噴出させて現像する構成
である。

また、２つの塗布ステーション１０７，　１０８の何れ
か一方をフォトレジストの塗布に用い、他方を現像液の
塗布に用いることにより、フォトレジスト膜の形成およ
び現像の両方を行なう装置として使用することができる
。その際、通路１０２の右端にも第４図のようなインタ
ーフェース機構３０を設け、露光装置との間でウエハー
の受渡しを行なえるようにすることにより、レジスト塗
布から現像までを一貫した連続プロセスとして実施する
ことができる。

なお、処理ユニットを複数連設したい場合には、通路１
０２の延長線上に次の通路が形成されるように構成し、
この接続部にウエハーの待機機構、例えばキャリアステ
ーションを設けると良い。

例えば第６図に示すように，カセット１２２，　１２３
内のウエハーＷを搬出、或いはカセット１２２，　１２
３内へ搬入するアーム１２０ａを有する搬入搬出機＃ｌ
’η１２０と、　インターフェース機構３ｏでウェハー
Ｗの受渡しを行なう搬送装［１１０ａを有する第１の処
理系１５０により上述したような動作で各処理を行なう
。例えば，この第１の処理系１５０に、ＨＭＤＳ　（ヘ
キサメチルジシラザン）処理ステーション１５１、第１
の加熱ステーション１５２、第１の冷却ステーション１
５３，第ＩＭ目のレジストを回転塗布する第１の塗布ス
テーションｌ５４，第２層目のレジストを回転塗布する
第２の塗布ステーション１５５を設け、これら各ステー
ションに選択的にウエハーを搬送して処理を行なう。更
に、複数の処理ステーション例えば第２の加熱ステーシ
ョン１５６、第２の冷却ステーション１５７、露光工程
時の光乱反射を防止するためにレジスト上面にＣＥＬ膜
等の表面被覆層を塗布形成する第３の塗布ステーション
１５８等が夫々対向配置され、　且つ、これら各ステー
ションにウエハーを搬送する搬送装置１１０ｂを備えた
第２の処理系１５９を設け、　この第２の処理系１５９
及び第１の処理系１５０の間に待機機構１６０を配置さ
せる。　この待機機構１６０には，ウエハーＷ１枚を載
置できる載置台１６１を設け、上記インターフェース機
構３０におけるウエハーＷの受渡しと同様に、上記載置
台１６１を利用して、第１の処理系１５０の搬送装置１
１０ａと第２の処理系１５９の搬送装置１１０ｂとの開
で、ウエハーＷの受渡しを行なう．この待機機構１６０
の構成は，載置台１６１を設けずにバッファ一用カセッ
ト（図示せず）を設け、このカセットにより複数枚のウ
エハーＷを待機できる構造としてもよい。このバッファ
一用カセットにより、搬送機構１１０ａ及び搬送機構１
１０ｂの作業量の差があっても，一方の搬送機構が待機
する時間を少なくすることが可能となる。

このように，待機機９１６０を介して搬送機構を２系統
とすることにより、処理ステーションの増加に容易に対
応できると共に、高スループット処理が可能となる。

上記搬送機構は２系統に限定するものではなく，２系統
以上としてもよく，待機機構の増設に伴なって増加させ
ることができる。

上記実施例では、製造装置としてレジストの塗布現像処
理に適用した例について説明したが、これに限定するも
のではなく，例えばエッチング処理，　ＣＶＤ処理，ア
ッシング処理等でも同様な効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、各種プロセスに対
応できるとともに、処理のスループットを高くすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の一実施例を説明するための塗布現
像装置の構成図、第２図及び第３図は第１図のビンセッ
ト説明図、第４図は第１図装置のインターフェース機構
説明図、第５図は第１図のカセット説明図、第６図は本
発明装置の他の実施例説明図、第７図は従来の塗布装置
構成図である．１１０・・・搬装装１ｉ１　　　　１１
２，１１３・・・ピンセット１２０・・・搬入搬出機構
　１６０・・・待機機構特許出願人　東京エレクトロン
株式会社テル九州株式会社 第 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数の処理工程を対向配置し、これら対向配置された工
   程間被処理体を所望する工程順に上記工程を選択して搬
   送することを可能にしたことを特徴とする製造装置。