JP3081279B2 - ホットプレート - Google Patents
ホットプレートInfo
- Publication number
- JP3081279B2 JP3081279B2 JP15738991A JP15738991A JP3081279B2 JP 3081279 B2 JP3081279 B2 JP 3081279B2 JP 15738991 A JP15738991 A JP 15738991A JP 15738991 A JP15738991 A JP 15738991A JP 3081279 B2 JP3081279 B2 JP 3081279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- hot plate
- heating
- electrostatic chuck
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導電材料や半導体材料
からなるシリコンウェーハ等の試料に集積回路を形成す
る工程において、試料の加熱に使用するに好適なホット
プレートに関する。
からなるシリコンウェーハ等の試料に集積回路を形成す
る工程において、試料の加熱に使用するに好適なホット
プレートに関する。
【0002】
【従来の技術】シリコンウェーハ等の試料に層間絶縁膜
や保護膜を形成する工程においては、化学気相蒸着法
(CVD法)が用いられる。CVD法では、反応温度に
加熱した試料と反応ガスが接触することにより、試料上
で化学反応が生じて膜が形成される。膜の材質は反応ガ
スの種類によって選定され、さらに膜質や膜厚はCVD
の圧力、温度、プラズマの有無等の条件で調節される。
そして、CVDの温度は、抵抗加熱、誘導加熱、赤外線
加熱等の方法で制御される。特に試料を1枚ずつホット
プレートで加熱する方法は枚葉式と呼ばれ、温度を高精
度で制御するのに適した方法である。
や保護膜を形成する工程においては、化学気相蒸着法
(CVD法)が用いられる。CVD法では、反応温度に
加熱した試料と反応ガスが接触することにより、試料上
で化学反応が生じて膜が形成される。膜の材質は反応ガ
スの種類によって選定され、さらに膜質や膜厚はCVD
の圧力、温度、プラズマの有無等の条件で調節される。
そして、CVDの温度は、抵抗加熱、誘導加熱、赤外線
加熱等の方法で制御される。特に試料を1枚ずつホット
プレートで加熱する方法は枚葉式と呼ばれ、温度を高精
度で制御するのに適した方法である。
【0003】しかしながら、従来の枚葉式の加熱におい
ては、加熱により発生する試料のそりによって試料とホ
ットプレートの接触が不均一となって試料面内に温度分
布が生じ膜質や膜厚の分布が不均一になるという問題が
あった。これを改善すべく試料とホットプレートとの間
に熱を伝達しやすいヘリウム等の不活性ガスを介在させ
ることを試みたが、CVDは減圧下で行なわれる場合が
多く、不活性ガスの圧力を高くすることができないた
め、十分な効果は得られなかった。
ては、加熱により発生する試料のそりによって試料とホ
ットプレートの接触が不均一となって試料面内に温度分
布が生じ膜質や膜厚の分布が不均一になるという問題が
あった。これを改善すべく試料とホットプレートとの間
に熱を伝達しやすいヘリウム等の不活性ガスを介在させ
ることを試みたが、CVDは減圧下で行なわれる場合が
多く、不活性ガスの圧力を高くすることができないた
め、十分な効果は得られなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
欠点を解決し、高精度かつ均一な試料の加熱を可能とし
たホットプレートを提供することにある。
欠点を解決し、高精度かつ均一な試料の加熱を可能とし
たホットプレートを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、窒
化ほう素焼結体からなる基材1の一方の面に静電チャッ
ク用電極2が、他方の面に加熱用電極3がいずれも熱分
解黒鉛で形成されてなり、しかも静電チャック用電極の
給電部4と加熱用電極の給電部5を除く部分に熱分解窒
化ほう素被覆膜6が施されてなることを特徴とするホッ
トプレートである。
化ほう素焼結体からなる基材1の一方の面に静電チャッ
ク用電極2が、他方の面に加熱用電極3がいずれも熱分
解黒鉛で形成されてなり、しかも静電チャック用電極の
給電部4と加熱用電極の給電部5を除く部分に熱分解窒
化ほう素被覆膜6が施されてなることを特徴とするホッ
トプレートである。
【0006】以下、さらに詳しく本発明を説明する。本
発明のホットプレートの一例を示す平面図を図1に、そ
れを装備した枚様式CVD装置の概略断面図を図2に示
す。
発明のホットプレートの一例を示す平面図を図1に、そ
れを装備した枚様式CVD装置の概略断面図を図2に示
す。
【0007】本発明で使用される基材1は窒化ほう素
(BN)焼結体からなるものである。基材1としてBN
焼結体以外の材料を用いると、CVD時に基材自体の熱
分解もしくは基材と反応ガスとの反応が生じるため好ま
しくない。また、熱分解窒化ほう素(P−BN)を基材
に用いることも考えられるが、P−BNは異方性が大き
いので、(1)そりが発生しやすい、(2)基材面に垂
直な方向(C軸方向)の熱伝導率が小さい、などの問題
があるばかりでなく高価であるため本発明には適さな
い。
(BN)焼結体からなるものである。基材1としてBN
焼結体以外の材料を用いると、CVD時に基材自体の熱
分解もしくは基材と反応ガスとの反応が生じるため好ま
しくない。また、熱分解窒化ほう素(P−BN)を基材
に用いることも考えられるが、P−BNは異方性が大き
いので、(1)そりが発生しやすい、(2)基材面に垂
直な方向(C軸方向)の熱伝導率が小さい、などの問題
があるばかりでなく高価であるため本発明には適さな
い。
【0008】基材1の厚さとしては、あまりにも薄い
と、ホットプレート製造時に基材にそりが発生しやすく
なるし、またあまりにも厚いと、厚さ方向に熱が伝わり
にくくなって温度制御の精度が低下するので、1mm〜3
0mmが好ましい。
と、ホットプレート製造時に基材にそりが発生しやすく
なるし、またあまりにも厚いと、厚さ方向に熱が伝わり
にくくなって温度制御の精度が低下するので、1mm〜3
0mmが好ましい。
【0009】本発明のホットプレートは、上記基材の一
方の面に静電チャック用電極2を、他方の面に加熱用電
極3をそれぞれ熱分解黒鉛(PG)で形成することを要
件としている。PGとはCVD法で形成されてなる黒鉛
をいう。
方の面に静電チャック用電極2を、他方の面に加熱用電
極3をそれぞれ熱分解黒鉛(PG)で形成することを要
件としている。PGとはCVD法で形成されてなる黒鉛
をいう。
【0010】PG以外の材料で上記の電極2又は3を形
成したのでは、P−BN被覆膜6を形成する際やホット
プレートの使用時におけるような高温下において上記の
電極2又は3と基材1とが反応したり、あるいは両者の
熱膨脹率の違いにより電極が断線したり剥離したりす
る。
成したのでは、P−BN被覆膜6を形成する際やホット
プレートの使用時におけるような高温下において上記の
電極2又は3と基材1とが反応したり、あるいは両者の
熱膨脹率の違いにより電極が断線したり剥離したりす
る。
【0011】静電チャック用電極2又は加熱用電極3の
厚さとしては、あまりにも薄いと、加熱用電極の抵抗値
が大となって加熱電源に過大な電圧が必要となるし、一
方、あまりにも厚いと、電極が基材から剥離しやすくな
るので、10μm 〜1mmとするのが好ましい。
厚さとしては、あまりにも薄いと、加熱用電極の抵抗値
が大となって加熱電源に過大な電圧が必要となるし、一
方、あまりにも厚いと、電極が基材から剥離しやすくな
るので、10μm 〜1mmとするのが好ましい。
【0012】本発明において、静電チャック用電極の給
電部4と加熱用電極の給電部5以外の部分をP−BN被
覆膜で構成する理由は、静電チャック力を低下させない
こと及び試料上の素子が漏電等により破壊されるのを防
止するためである。P−BN被覆膜とは、CVD法で形
成されてなるBN被覆膜をいい、その膜厚としては10
μm 〜1mmが好ましい。
電部4と加熱用電極の給電部5以外の部分をP−BN被
覆膜で構成する理由は、静電チャック力を低下させない
こと及び試料上の素子が漏電等により破壊されるのを防
止するためである。P−BN被覆膜とは、CVD法で形
成されてなるBN被覆膜をいい、その膜厚としては10
μm 〜1mmが好ましい。
【0013】本発明のホットプレートは、例えば、上記
基材1にPGをCVD法により被覆後、機械加工等によ
り不要なPG部分を除去して静電チャック用電極2と加
熱用電極3を形成させ、さらにCVD法によりP−BN
被覆膜6を設けた後、静電チャック用電極の給電部4と
加熱用電極の給電部5となる部分のP−BN被覆膜を除
去することによって製造することができる。
基材1にPGをCVD法により被覆後、機械加工等によ
り不要なPG部分を除去して静電チャック用電極2と加
熱用電極3を形成させ、さらにCVD法によりP−BN
被覆膜6を設けた後、静電チャック用電極の給電部4と
加熱用電極の給電部5となる部分のP−BN被覆膜を除
去することによって製造することができる。
【0014】CVD法は、反応室内に配置された基材上
に、又は電極が形成された基材上に、窒素、アルゴンな
どの不活性ガス雰囲気下、圧力 0.1〜50torr、温度1
700〜2000℃の条件で化学反応を起こさせ膜を形
成させるものである。反応ガスとしては、PGでは、プ
ロパン(C3H8) 、アセチレン(C2H2) 等の炭化水素ガス
が、P−BNでは、三塩化ほう素(BCl3) 等のハロゲン
化ほう素とアンモニア(NH3)等の混合ガスが主に用いら
れる。
に、又は電極が形成された基材上に、窒素、アルゴンな
どの不活性ガス雰囲気下、圧力 0.1〜50torr、温度1
700〜2000℃の条件で化学反応を起こさせ膜を形
成させるものである。反応ガスとしては、PGでは、プ
ロパン(C3H8) 、アセチレン(C2H2) 等の炭化水素ガス
が、P−BNでは、三塩化ほう素(BCl3) 等のハロゲン
化ほう素とアンモニア(NH3)等の混合ガスが主に用いら
れる。
【0015】本発明のホットプレートを装備した枚葉式
CVD装置の概略説明図を図2に示す。真空容器8内に
本発明のホットプレート9が置かれ、試料10はホット
プレート上に固定され、加熱される。試料は、静電チャ
ック用電極に電圧を印加することによって発生した静電
引力により固定され、加熱は、加熱用電源17からその
給電部5を介して加熱用電極3に電流を流すことによっ
て行なわれる。
CVD装置の概略説明図を図2に示す。真空容器8内に
本発明のホットプレート9が置かれ、試料10はホット
プレート上に固定され、加熱される。試料は、静電チャ
ック用電極に電圧を印加することによって発生した静電
引力により固定され、加熱は、加熱用電源17からその
給電部5を介して加熱用電極3に電流を流すことによっ
て行なわれる。
【0016】本発明のホットプレートには、ホットプレ
ートから試料への熱の伝達を均一にするため、ヘリウム
等の不活性ガス11を導入するための小孔7を設けてお
くことが好ましい。不活性ガスを導入する場合、その圧
力が試料の単位面積あたりの静電引力をこえると試料が
浮き上がるので注意が必要である。
ートから試料への熱の伝達を均一にするため、ヘリウム
等の不活性ガス11を導入するための小孔7を設けてお
くことが好ましい。不活性ガスを導入する場合、その圧
力が試料の単位面積あたりの静電引力をこえると試料が
浮き上がるので注意が必要である。
【0017】上記のとおりに試料が固定された後は、真
空ポンプ13により排気口12から排気が行なわれ、真
空容器内が一定圧力に保持される。さらにホットプレー
トが加熱され真空容器内が一定温度に保持される。その
後、ガス導入口14より反応ガス15が導入され、試料
表面にCVD膜が施される。
空ポンプ13により排気口12から排気が行なわれ、真
空容器内が一定圧力に保持される。さらにホットプレー
トが加熱され真空容器内が一定温度に保持される。その
後、ガス導入口14より反応ガス15が導入され、試料
表面にCVD膜が施される。
【0018】本発明のホットプレートの用途は、CVD
法により、試料に層間絶縁膜や保護膜を形成する工程に
限られるものではなく、例えばエピタキシャル成長、プ
ラズマCVD、物理気相蒸着、プラズマエッチングなど
の試料加熱処理工程に用いることができる。
法により、試料に層間絶縁膜や保護膜を形成する工程に
限られるものではなく、例えばエピタキシャル成長、プ
ラズマCVD、物理気相蒸着、プラズマエッチングなど
の試料加熱処理工程に用いることができる。
【0019】
【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に本発明を説明する。
に本発明を説明する。
【0020】実施例1 比較例1 外径200mm、厚さ3mmの窒化ほう素(BN)焼結体円
板からなる基材を反応容器内に置き、温度1800℃、
圧力5torrに保持後、窒素ガスで希釈したプロパンガス
を反応容器内に導入して熱分解黒鉛(PG)のCVDを
行なった。CVD後、反応容器を室温まで冷却して基材
を取り出し、不要部分のPGを機械加工で除去し、一方
の片面には静電チャック用電極を、もう一方の面には加
熱用電極を形成した。電極のPGの厚さはいずれも10
0μm であった。
板からなる基材を反応容器内に置き、温度1800℃、
圧力5torrに保持後、窒素ガスで希釈したプロパンガス
を反応容器内に導入して熱分解黒鉛(PG)のCVDを
行なった。CVD後、反応容器を室温まで冷却して基材
を取り出し、不要部分のPGを機械加工で除去し、一方
の片面には静電チャック用電極を、もう一方の面には加
熱用電極を形成した。電極のPGの厚さはいずれも10
0μm であった。
【0021】次いで、電極が形成された上記基材を再度
反応容器内に置き、温度1900℃、圧力2torrに保持
後、窒素ガスで希釈した三塩化ほう素とアンモニアの混
合ガスを導入して熱分解窒化ほう素(P−BN)のCV
Dを行なった。CVD後、反応容器を室温まで冷却して
基材を取り出し、静電チャック用電極の給電部と加熱用
電極の給電部のP−BN除去及び表面の研磨仕上げを行
なってホットプレートを作製した。なお、P−BN被覆
膜の厚さは200μm であった。
反応容器内に置き、温度1900℃、圧力2torrに保持
後、窒素ガスで希釈した三塩化ほう素とアンモニアの混
合ガスを導入して熱分解窒化ほう素(P−BN)のCV
Dを行なった。CVD後、反応容器を室温まで冷却して
基材を取り出し、静電チャック用電極の給電部と加熱用
電極の給電部のP−BN除去及び表面の研磨仕上げを行
なってホットプレートを作製した。なお、P−BN被覆
膜の厚さは200μm であった。
【0022】上記ホットプレートを10-3torrの真空中
で500℃に加熱し、静電チャック用電源からその給電
部を介して静電チャック用電極に3KVの直流電圧を印
加して150mmφシリコンウェーハの吸着試験を行なっ
たところ、20gf/cm2 の静電吸着力が得られた。
で500℃に加熱し、静電チャック用電源からその給電
部を介して静電チャック用電極に3KVの直流電圧を印
加して150mmφシリコンウェーハの吸着試験を行なっ
たところ、20gf/cm2 の静電吸着力が得られた。
【0023】次いで、上記ホットプレートを枚葉式CV
D装置に静電チャック用電極側が上向きになるように取
り付けた。150mmφシリコンウェーハをホットプレー
ト上に置き、静電チャック用電極に3KVの直流電圧を
印加してシリコンウェーハを固定し、装置内を真空排気
しながら加熱用電極の給電部に電流を通じてシリコンウ
ェーハを500℃まで加熱した。
D装置に静電チャック用電極側が上向きになるように取
り付けた。150mmφシリコンウェーハをホットプレー
ト上に置き、静電チャック用電極に3KVの直流電圧を
印加してシリコンウェーハを固定し、装置内を真空排気
しながら加熱用電極の給電部に電流を通じてシリコンウ
ェーハを500℃まで加熱した。
【0024】温度がほぼ一定になった時点におけるシリ
コンウェーハ面内の温度分布は、±20℃のばらつきで
あった。その後、装置内の圧力を1torrにして、モノシ
ラン(SiH4) と酸素(O2) の混合ガスを導入してSiO2の
CVDを行なった。膜厚1μm のSiO2を析出させた後、
シリコンウェーハ面内のSiO2の厚さ分布を測定したとこ
ろ、±15%のばらつきがあった。
コンウェーハ面内の温度分布は、±20℃のばらつきで
あった。その後、装置内の圧力を1torrにして、モノシ
ラン(SiH4) と酸素(O2) の混合ガスを導入してSiO2の
CVDを行なった。膜厚1μm のSiO2を析出させた後、
シリコンウェーハ面内のSiO2の厚さ分布を測定したとこ
ろ、±15%のばらつきがあった。
【0025】比較のため(比較例1)、実施例1におい
て、静電チャック用電極を形成させないホットプレート
を用いたこと以外は実施例1と同様にして試験した。そ
の結果、温度がほぼ一定になった時点におけるシリコン
ウェーハ面内の温度分布は、±100℃のばらつきであ
った。また、膜厚1μm のSiO2を析出させた後のシリコ
ンウェーハ面内のSiO2の厚さ分布は、±50%のばらつ
きであった。
て、静電チャック用電極を形成させないホットプレート
を用いたこと以外は実施例1と同様にして試験した。そ
の結果、温度がほぼ一定になった時点におけるシリコン
ウェーハ面内の温度分布は、±100℃のばらつきであ
った。また、膜厚1μm のSiO2を析出させた後のシリコ
ンウェーハ面内のSiO2の厚さ分布は、±50%のばらつ
きであった。
【0026】実施例2 比較例2 外径250mm、厚さ5mmのBN焼結体円板の中心から8
0mmの位置に等間隔に直径5mmの小孔を4個開けた。そ
の後、実施例1と同様にしてホットプレートを作製し、
枚葉式CVD装置に取り付けてシリコンウェーハを加熱
した。
0mmの位置に等間隔に直径5mmの小孔を4個開けた。そ
の後、実施例1と同様にしてホットプレートを作製し、
枚葉式CVD装置に取り付けてシリコンウェーハを加熱
した。
【0027】シリコンウェーハの温度がほぼ一定になっ
た時点で、ホットプレートの小孔よりヘリウムガスを5
torrの圧力で導入して1時間保持したところ、シリコン
ウェーハ面内の温度分布は、±6℃のばらつきであっ
た。その後、装置内の圧力を1torrにして、モノシラン
(SiH4) と酸素(O2) の混合ガスを導入してSiO2のCV
Dを行なった。膜厚1μm のSiO2を析出させた後、シリ
コンウェーハ面内のSiO2の厚さ分布を測定したところ、
±8%のばらつきであった。
た時点で、ホットプレートの小孔よりヘリウムガスを5
torrの圧力で導入して1時間保持したところ、シリコン
ウェーハ面内の温度分布は、±6℃のばらつきであっ
た。その後、装置内の圧力を1torrにして、モノシラン
(SiH4) と酸素(O2) の混合ガスを導入してSiO2のCV
Dを行なった。膜厚1μm のSiO2を析出させた後、シリ
コンウェーハ面内のSiO2の厚さ分布を測定したところ、
±8%のばらつきであった。
【0028】比較のため(比較例2)、実施例2におい
て、静電チャック用電極を形成させないホットプレート
を用いたこと、及び小孔からのヘリウムガスの導入圧力
を1torrにしたこと以外は実施例2と同様にして試験し
た。その結果、ヘリウムガス導入1時間後のシリコンウ
ェーハ面内の温度分布は、±60℃のばらつきであっ
た。また、膜厚1μm のSiO2を析出させた後のシリコン
ウェーハ面内のSiO2の厚さ分布は、±35%のばらつき
であった。
て、静電チャック用電極を形成させないホットプレート
を用いたこと、及び小孔からのヘリウムガスの導入圧力
を1torrにしたこと以外は実施例2と同様にして試験し
た。その結果、ヘリウムガス導入1時間後のシリコンウ
ェーハ面内の温度分布は、±60℃のばらつきであっ
た。また、膜厚1μm のSiO2を析出させた後のシリコン
ウェーハ面内のSiO2の厚さ分布は、±35%のばらつき
であった。
【0029】実施例3 比較例3 実施例2と同一の基材を反応容器内に置き、温度190
0℃、圧力10torrに保持後、アルゴンガスで希釈した
プロパンガスを反応容器内に導入して熱分解黒鉛(P
G)のCVDを行なった。CVD後、反応容器を室温ま
で冷却して基材を取り出し、不要部分のPGを機械加工
で除去し、一方の片面には静電チャック用電極を、もう
一方の面には加熱用電極を形成した。両電極のPGの厚
さはいずれも200μm であった。
0℃、圧力10torrに保持後、アルゴンガスで希釈した
プロパンガスを反応容器内に導入して熱分解黒鉛(P
G)のCVDを行なった。CVD後、反応容器を室温ま
で冷却して基材を取り出し、不要部分のPGを機械加工
で除去し、一方の片面には静電チャック用電極を、もう
一方の面には加熱用電極を形成した。両電極のPGの厚
さはいずれも200μm であった。
【0030】次いで、電極が形成された上記基材を再度
反応容器内に置き、温度2000℃、圧力1torrに保持
後、窒素ガスで希釈した三塩化ほう素とアンモニアの混
合ガスを反応容器内に導入してP−BNのCVDを行な
った。CVD後、反応容器を室温まで冷却して基材を取
り出し、静電チャック用電極の給電部と加熱用電極の給
電部のP−BN除去及び表面の研磨仕上げを行なってホ
ットプレートを作製した。なお、P−BN被覆膜の厚さ
は300μm であった。
反応容器内に置き、温度2000℃、圧力1torrに保持
後、窒素ガスで希釈した三塩化ほう素とアンモニアの混
合ガスを反応容器内に導入してP−BNのCVDを行な
った。CVD後、反応容器を室温まで冷却して基材を取
り出し、静電チャック用電極の給電部と加熱用電極の給
電部のP−BN除去及び表面の研磨仕上げを行なってホ
ットプレートを作製した。なお、P−BN被覆膜の厚さ
は300μm であった。
【0031】比較のため(比較例3)、実施例3におい
て、基材としてBN焼結体のかわりに窒化アルミニウム
(AlN)焼結体を用いたこと以外は実施例3と同一の条件
でPGのCVDを行なったところ、AlN が分解・気化し
て基材が著しく変形しホットプレートの作製は不可能で
あった。
て、基材としてBN焼結体のかわりに窒化アルミニウム
(AlN)焼結体を用いたこと以外は実施例3と同一の条件
でPGのCVDを行なったところ、AlN が分解・気化し
て基材が著しく変形しホットプレートの作製は不可能で
あった。
【0032】実施例4 比較例4 実施例3で作製したホットプレートを定盤上に置き、ハ
イトゲージを用いてホットプレート中央部と端部との高
さの差を求めてそり量を測定した。その結果、30μm
であった。
イトゲージを用いてホットプレート中央部と端部との高
さの差を求めてそり量を測定した。その結果、30μm
であった。
【0033】比較のため(比較例4)、実施例3におい
て、基材としてBN焼結体のかわりに熱分解窒化ほう素
(P−BN)円板を用いたこと以外は実施例3と同一の
方法でホットプレートを作製し、そのそり量を測定した
ところ、 1.5mmであった。
て、基材としてBN焼結体のかわりに熱分解窒化ほう素
(P−BN)円板を用いたこと以外は実施例3と同一の
方法でホットプレートを作製し、そのそり量を測定した
ところ、 1.5mmであった。
【0034】実施例5 比較例5〜6 実施例3で作製したホットプレートを10-5torrの真空
中で600℃に加熱し、静電チャック用電極に5KVの
直流電圧を印加して200mmφシリコンウェーハの吸着
試験を行なったところ、30gf/cm2 の静電吸着力が得
られた。この時のホットプレートのP−BN被覆膜の基
材面に垂直方向における比抵抗は、2×1012Ω・cmで
あった。
中で600℃に加熱し、静電チャック用電極に5KVの
直流電圧を印加して200mmφシリコンウェーハの吸着
試験を行なったところ、30gf/cm2 の静電吸着力が得
られた。この時のホットプレートのP−BN被覆膜の基
材面に垂直方向における比抵抗は、2×1012Ω・cmで
あった。
【0035】比較のため(比較例5)、実施例3におい
て、静電チャック用電極と加熱用電極をタングステンで
形成した。タングステンの厚さは20μm であった。そ
の後、これを反応容器内に置き、P−BN被覆膜を実施
例3と同一の方法で形成したところ、タングステン電極
とBN基材の界面付近及びタングステン電極とP−BN
被覆膜の界面付近でほう化タングステンと窒化タングス
テンが生成していた。
て、静電チャック用電極と加熱用電極をタングステンで
形成した。タングステンの厚さは20μm であった。そ
の後、これを反応容器内に置き、P−BN被覆膜を実施
例3と同一の方法で形成したところ、タングステン電極
とBN基材の界面付近及びタングステン電極とP−BN
被覆膜の界面付近でほう化タングステンと窒化タングス
テンが生成していた。
【0036】上記ホットプレートの静電吸着力と比抵抗
を実施例5と同一の方法で測定したところ、静電吸着力
は静電チャック用電極からシリコンウェーハへの漏電が
著しく5KVの直流電圧の印加が不可能であったため、
測定不能であった。この時のホットプレートのP−BN
被覆膜の基材面に垂直方向における比抵抗は3×105
Ω・cmであった。
を実施例5と同一の方法で測定したところ、静電吸着力
は静電チャック用電極からシリコンウェーハへの漏電が
著しく5KVの直流電圧の印加が不可能であったため、
測定不能であった。この時のホットプレートのP−BN
被覆膜の基材面に垂直方向における比抵抗は3×105
Ω・cmであった。
【0037】さらに比較のため(比較例6)、実施例3
において、P−BN被覆膜のかわりに熱分解窒化アルミ
ニウム(P−AlN )被覆膜を形成させたこと以外は実施
例3と同一の方法でホットプレートを作製した。なお、
P−AlN 被覆膜は、温度1000℃、圧力1torrに保持
後、窒素ガスで希釈した塩化アルミニウムガス(Al2C
l6) とアンモニアの混合ガスを反応容器内に導入してC
VDを行ない、形成させた。
において、P−BN被覆膜のかわりに熱分解窒化アルミ
ニウム(P−AlN )被覆膜を形成させたこと以外は実施
例3と同一の方法でホットプレートを作製した。なお、
P−AlN 被覆膜は、温度1000℃、圧力1torrに保持
後、窒素ガスで希釈した塩化アルミニウムガス(Al2C
l6) とアンモニアの混合ガスを反応容器内に導入してC
VDを行ない、形成させた。
【0038】上記ホットプレートの静電吸着力と比抵抗
を実施例5と同一の方法で測定したところ、静電吸着力
は比較例5と同様に静電チャック用電極からシリコンウ
ェーハへの漏電が著しいため測定不能であった。この時
のP−AlN 被覆膜の基材面に垂直方向における比抵抗は
107 Ω・cmであった。
を実施例5と同一の方法で測定したところ、静電吸着力
は比較例5と同様に静電チャック用電極からシリコンウ
ェーハへの漏電が著しいため測定不能であった。この時
のP−AlN 被覆膜の基材面に垂直方向における比抵抗は
107 Ω・cmであった。
【0039】
【発明の効果】本発明のホットプレートをCVD装置に
用いることにより、従来困難であったシリコンウェーハ
等の試料を高精度かつ均一に加熱をすることができる。
従って、シリコンウェーハ等の試料上に膜質や膜厚が均
一な層間絶縁膜や保護膜などを形成することが可能とな
り半導体素子の生産性や品質の向上に大きく寄与する。
用いることにより、従来困難であったシリコンウェーハ
等の試料を高精度かつ均一に加熱をすることができる。
従って、シリコンウェーハ等の試料上に膜質や膜厚が均
一な層間絶縁膜や保護膜などを形成することが可能とな
り半導体素子の生産性や品質の向上に大きく寄与する。
【図1】 本発明のホットプレートの一例を示す平面
図。
図。
【図2】 本発明例のホットプレートを装備した枚葉式
CVD装置の概略断面図。
CVD装置の概略断面図。
1 基材 2 静電チャック用電極 3 加熱用電極 4 静電チャック用電極の給電部 5 加熱用電極の給電部 6 熱分解窒化ほう素被覆膜 7 小孔 8 真空容器 9 ホットプレート 10 試料 11 不活性ガス 12 排気口 13 真空ポンプ 14 ガス導入口 15 反応ガス 16 静電チャック用電源 17 加熱用電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 16/56 C04B 41/80 - 41/91 C30B 25/02 H01L 21/203 - 21/31 H01L 21/68 H05B 3/00 - 3/82
Claims (1)
- 【請求項1】 窒化ほう素焼結体からなる基材(1)の
一方の面に静電チャック用電極(2)が、他方の面に加
熱用電極(3)がいずれも熱分解黒鉛で形成されてな
り、しかも静電チャック用電極の給電部(4)と加熱用
電極の給電部(5)を除く部分に熱分解窒化ほう素被覆
膜(6)が施されてなることを特徴とするホットプレー
ト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15738991A JP3081279B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | ホットプレート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15738991A JP3081279B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | ホットプレート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04358074A JPH04358074A (ja) | 1992-12-11 |
JP3081279B2 true JP3081279B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=15648573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15738991A Expired - Fee Related JP3081279B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | ホットプレート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3081279B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5591269A (en) * | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
JPH07297268A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付セラミックスヒーター |
JPH07307377A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付セラミックスヒーター |
JPH07297267A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付セラミックスヒーター |
JP2720420B2 (ja) * | 1994-04-06 | 1998-03-04 | キヤノン販売株式会社 | 成膜/エッチング装置 |
JP3406488B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2003-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
JP3963788B2 (ja) | 2002-06-20 | 2007-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有する加熱装置 |
JP4082985B2 (ja) | 2002-11-01 | 2008-04-30 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有する加熱装置及びその製造方法 |
JP4309714B2 (ja) | 2003-08-27 | 2009-08-05 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有する加熱装置 |
JP4435742B2 (ja) | 2005-08-09 | 2010-03-24 | 信越化学工業株式会社 | 加熱素子 |
JP4524268B2 (ja) | 2006-04-28 | 2010-08-11 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック機能付きセラミックヒーター及びその製造方法 |
KR102387231B1 (ko) | 2020-07-17 | 2022-04-15 | 와이엠씨 주식회사 | 정전척의 유전체 층의 봉공처리방법 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP15738991A patent/JP3081279B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04358074A (ja) | 1992-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3081279B2 (ja) | ホットプレート | |
JP3155792B2 (ja) | ホットプレート | |
JPS6169116A (ja) | シリコンウエハ−の連続cvdコ−テイング用サセプター | |
EP1376660B1 (en) | Wafer heating apparatus with electrostatic attraction function | |
KR100387549B1 (ko) | 피처리기판을가열하면서처리가스를이용해반도체를처리하는방법및그장치 | |
JPH10223621A (ja) | 真空処理装置 | |
WO2001071784A1 (fr) | Procede de fabrication de semi-conducteurs et appareil de fabrication | |
US20230317463A1 (en) | Methods, systems, and apparatus for processing substrates using one or more amorphous carbon hardmask layers | |
JPH0377655B2 (ja) | ||
JPH0945756A (ja) | 半導体製造装置および製造方法 | |
JP4456218B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0561774B2 (ja) | ||
JPS60200519A (ja) | 発熱体 | |
JPH0610140A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
JPH04238882A (ja) | 高温絶縁物品 | |
JPH1116991A (ja) | 半導体製造装置用カーボン支持体 | |
JP3693470B2 (ja) | 保護膜付きシリコンウェーハの製造方法およびその製造装置 | |
JPH0653139A (ja) | サセプタ | |
JP3259452B2 (ja) | プラズマcvd装置に用いる電極及びプラズマcvd装置 | |
US5744403A (en) | Dielectric film deposition method and apparatus | |
JP3835491B2 (ja) | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 | |
JP2504489B2 (ja) | 化学気相成長法 | |
JPH0951035A (ja) | 層間絶縁膜の形成方法 | |
JP2554336B2 (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
JP3862864B2 (ja) | セラミックスヒータ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |