JPH0653139A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
- Publication number
- JPH0653139A JPH0653139A JP20282092A JP20282092A JPH0653139A JP H0653139 A JPH0653139 A JP H0653139A JP 20282092 A JP20282092 A JP 20282092A JP 20282092 A JP20282092 A JP 20282092A JP H0653139 A JPH0653139 A JP H0653139A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】サセプタにウエハを載置し、ウエハを間接加熱
して成膜をするＣＶＤ装置において、サセプタ部とウエ
ハ部とのガスローディング効果を均一化させることによ
り、膜厚の均一性を向上させる。 【構成】被成膜対象のウエハ１と同一の表面粗さ及び熱
電導度をもつ材料で、ウエハを囲むようにサセプタ２面
を被覆するサセプターカバー６を有するサセプタ構造を
備える。
して成膜をするＣＶＤ装置において、サセプタ部とウエ
ハ部とのガスローディング効果を均一化させることによ
り、膜厚の均一性を向上させる。 【構成】被成膜対象のウエハ１と同一の表面粗さ及び熱
電導度をもつ材料で、ウエハを囲むようにサセプタ２面
を被覆するサセプターカバー６を有するサセプタ構造を
備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサセプタに関し、特に半
導体素子製造装置のうちエピタキシャル成長装置及び気
相成長装置（ＣＶＤ）用のサセプタに関する。
導体素子製造装置のうちエピタキシャル成長装置及び気
相成長装置（ＣＶＤ）用のサセプタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のサセプタは、エピタキシャル成長
装置及びＣＶＤ装置において、ウエハを載置し、ワーク
コイルの高周波誘導加熱によりサセプタを加熱し、その
熱によりウエハを所望のプロセス温度に制御するために
用いる。また、サセプタは等方性構造をもつ高純度炭素
上にβ構造の高純度炭化珪素（以下ＳｉＣ）がＣＶＤに
より数十μｍコーティングされている。
装置及びＣＶＤ装置において、ウエハを載置し、ワーク
コイルの高周波誘導加熱によりサセプタを加熱し、その
熱によりウエハを所望のプロセス温度に制御するために
用いる。また、サセプタは等方性構造をもつ高純度炭素
上にβ構造の高純度炭化珪素（以下ＳｉＣ）がＣＶＤに
より数十μｍコーティングされている。
【０００３】従来、このサセプタを用いてＣＶＤ等を行
なう場合、図５（ａ）の断面図に示すようなパンケーキ
型の平面状で、かつ表面粗さ（Ｒａ）が図５（ｂ）に示
すような２０μｍ程度のサセプタ２上にウエハ１をその
まま載置するか、又は、図５（ｃ）の断面図に示すよう
に、加熱対象のウエハ１が常時定形の場合には、サセプ
タ２のＳｉＣコーティングの表面粗さ（Ｒａ）が２μｍ
程度のなめらかさで、かつウエハ拡散工程で生じるウエ
ハの熱特性を考慮して座ぐり形状を入れたサセプタを用
いるかして、プロセス温度を制御し、又ガス流量、圧力
を所定値にして成膜をさせる。
なう場合、図５（ａ）の断面図に示すようなパンケーキ
型の平面状で、かつ表面粗さ（Ｒａ）が図５（ｂ）に示
すような２０μｍ程度のサセプタ２上にウエハ１をその
まま載置するか、又は、図５（ｃ）の断面図に示すよう
に、加熱対象のウエハ１が常時定形の場合には、サセプ
タ２のＳｉＣコーティングの表面粗さ（Ｒａ）が２μｍ
程度のなめらかさで、かつウエハ拡散工程で生じるウエ
ハの熱特性を考慮して座ぐり形状を入れたサセプタを用
いるかして、プロセス温度を制御し、又ガス流量、圧力
を所定値にして成膜をさせる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の図５（ａ）
タイプのサセプタでは、不定形状のウエハには対応でき
るが、サセプタとウエハの間の静止摩擦でウエハのずれ
を防ぐ構造であるために、図５（ｂ）の様な表面粗さが
大きいものが必要となる。又、図５（ｃ）タイプのサセ
プタでは、サセプタ表面粗さが小さいためウエハとサセ
プタとの接触面積が大きくなり、ウエハ面内の熱均一性
は高くなる。しかし、いずれもウエハ面とサセプタ面と
の単位面積あたりの表面積の比が大きいためにプロセス
ガスのローディング効果が起こり、プロセスガスがサセ
プタ側により多く消費されるため、ウエハ面内の膜厚が
ウエハエッジ側で薄くなり均一性が悪いという問題があ
った。
タイプのサセプタでは、不定形状のウエハには対応でき
るが、サセプタとウエハの間の静止摩擦でウエハのずれ
を防ぐ構造であるために、図５（ｂ）の様な表面粗さが
大きいものが必要となる。又、図５（ｃ）タイプのサセ
プタでは、サセプタ表面粗さが小さいためウエハとサセ
プタとの接触面積が大きくなり、ウエハ面内の熱均一性
は高くなる。しかし、いずれもウエハ面とサセプタ面と
の単位面積あたりの表面積の比が大きいためにプロセス
ガスのローディング効果が起こり、プロセスガスがサセ
プタ側により多く消費されるため、ウエハ面内の膜厚が
ウエハエッジ側で薄くなり均一性が悪いという問題があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のサセプタは、高
密度高純度の等方性黒鉛を基材として、β−構造ＳｉＣ
（かさ密度≒３．２５ｇ／ｃｍ3 、硬さ：２８００〜３
５００ｋｎｏｏｐ、熱膨張係数：４．５×１０-6／℃、
抵抗率：１〜１０Ω・ｃｍ）をＣＶＤ法により１２０μ
ｍコーティングし、表面粗さＲａ≒２μｍにしたサセプ
タ上のウエハを載置する以外の表全面に、ウエハと同じ
材質及び厚さをもつサセプタカバーを備えている。
密度高純度の等方性黒鉛を基材として、β−構造ＳｉＣ
（かさ密度≒３．２５ｇ／ｃｍ3 、硬さ：２８００〜３
５００ｋｎｏｏｐ、熱膨張係数：４．５×１０-6／℃、
抵抗率：１〜１０Ω・ｃｍ）をＣＶＤ法により１２０μ
ｍコーティングし、表面粗さＲａ≒２μｍにしたサセプ
タ上のウエハを載置する以外の表全面に、ウエハと同じ
材質及び厚さをもつサセプタカバーを備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）は本発明の実施例１のサセプタの断面図
である。図２の断面図に示すようなＣＶＤ装置にサセプ
タ２をセットしたあと、ＣＶＤ成長するウエハ１を囲む
サセプタ２上の少なくとも２０ｍｍを、ウエハ１と単位
面積当たり同じ表面積をもち同じ熱電導度をもつサセプ
タカバー１０で被覆する。この実施例では層抵抗３０Ω
以上のシリコンを用い、ウエハ１とサセプタカバー１０
とのクリアランスが０．５ｍｍ以下になる様にする。
る。図１（ａ）は本発明の実施例１のサセプタの断面図
である。図２の断面図に示すようなＣＶＤ装置にサセプ
タ２をセットしたあと、ＣＶＤ成長するウエハ１を囲む
サセプタ２上の少なくとも２０ｍｍを、ウエハ１と単位
面積当たり同じ表面積をもち同じ熱電導度をもつサセプ
タカバー１０で被覆する。この実施例では層抵抗３０Ω
以上のシリコンを用い、ウエハ１とサセプタカバー１０
とのクリアランスが０．５ｍｍ以下になる様にする。
【０００７】これにワークコイル３の高周波誘導加熱に
よりサセプタ２を加熱し、プロセス温度を７５０℃に制
御し、プロセスガスとしてＮ2 を４０ＳＬＭ、ＳｉＨ4
を２００ＳＣＣＭガスノズル５から流し、圧力５００ｍ
ｍＨ2 Ｏでベルジャー６内を減圧してポリシリコン膜を
成膜したときのウエハ面内の膜厚を図３のグラフに示
し、サセプタカバーを用いない従来のサセプタと比較し
ている。図よりウエハエッジ側の膜厚の均一性が改善さ
れていることがわかる。尚、本実施例で用いたサセプタ
の表面粗さ（Ｒａ）の測定結果を図１（ｂ）に示す。Ｒ
ａを２μｍ程度にしたサセプタを用いている。
よりサセプタ２を加熱し、プロセス温度を７５０℃に制
御し、プロセスガスとしてＮ2 を４０ＳＬＭ、ＳｉＨ4
を２００ＳＣＣＭガスノズル５から流し、圧力５００ｍ
ｍＨ2 Ｏでベルジャー６内を減圧してポリシリコン膜を
成膜したときのウエハ面内の膜厚を図３のグラフに示
し、サセプタカバーを用いない従来のサセプタと比較し
ている。図よりウエハエッジ側の膜厚の均一性が改善さ
れていることがわかる。尚、本実施例で用いたサセプタ
の表面粗さ（Ｒａ）の測定結果を図１（ｂ）に示す。Ｒ
ａを２μｍ程度にしたサセプタを用いている。
【０００８】次に本発明の実施例２は、図５の斜視図に
示すようにバレル型サセプタ２の各面にそれぞれ分割し
たサセプタカバー１０を装着させる構造である。本実施
例は縦型ＣＶＤ装置にも適用できるものである。
示すようにバレル型サセプタ２の各面にそれぞれ分割し
たサセプタカバー１０を装着させる構造である。本実施
例は縦型ＣＶＤ装置にも適用できるものである。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、サセプタ
に載置したウエハを囲むようにサセプタ面をシリコンの
サセプタカバーで覆いウエハの外周部をウエハと同一条
件にしたので、ウエハ面内において表面反応に重要な影
響を及ぼす吸着確率すなわちプロセスガスのローディン
グ効果が均一になり、サセプタの表面被覆率が改善され
ウエハの膜厚均一性が向上するという効果を有する。
に載置したウエハを囲むようにサセプタ面をシリコンの
サセプタカバーで覆いウエハの外周部をウエハと同一条
件にしたので、ウエハ面内において表面反応に重要な影
響を及ぼす吸着確率すなわちプロセスガスのローディン
グ効果が均一になり、サセプタの表面被覆率が改善され
ウエハの膜厚均一性が向上するという効果を有する。
【図１】本発明の実施例１を示す図で、同図（ａ）は断
面図、同図（ｂ）は表面粗さ図である。
面図、同図（ｂ）は表面粗さ図である。
【図２】実施例１を用いたＣＶＤ装置の断面図である。
【図３】実施例１および従来例を用いて形成した膜厚を
比較した図である。
比較した図である。
【図４】実施例２の斜視図である。
【図５】従来のサセプタを示す図で、同図（ａ）は断面
図、同図（ｂ）は表面粗さ図、同図（ｃ）は他の断面図
である。
図、同図（ｂ）は表面粗さ図、同図（ｃ）は他の断面図
である。
１ ウエハ ２ サセプタ ３ ワークコイル ４ ガスノズル ５ ベルジャ ６ サセプタカバー
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハを載置し高周波誘導加熱により加
熱され前記ウエハをプロセス温度に間接加熱するための
ＳｉＣコーティングされたカーボンサセプター上に、前
記ウエハと同じ表面粗度及び熱電導度を有するサセプタ
カバーを前記ウエハの載置面のまわりに備えることを特
徴とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20282092A JPH0653139A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20282092A JPH0653139A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653139A true JPH0653139A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16463741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20282092A Withdrawn JPH0653139A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653139A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10195660A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-07-28 | Tokuyama Toshiba Ceramics Kk | 気相成長用縦型サセプター |
| JP2006049770A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| JP4970683B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2012-07-11 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 基板をエピタキシャルにより処理するための装置及び方法 |
| US10584417B2 (en) | 2014-07-24 | 2020-03-10 | Nuflare Technology, Inc. | Film forming apparatus, susceptor, and film forming method |
| WO2020256411A1 (ko) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | 주식회사 티씨케이 | Cvd 방식으로 형성된 sic 구조체 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20282092A patent/JPH0653139A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10195660A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-07-28 | Tokuyama Toshiba Ceramics Kk | 気相成長用縦型サセプター |
| JP4970683B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2012-07-11 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | 基板をエピタキシャルにより処理するための装置及び方法 |
| JP2006049770A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| US10584417B2 (en) | 2014-07-24 | 2020-03-10 | Nuflare Technology, Inc. | Film forming apparatus, susceptor, and film forming method |
| WO2020256411A1 (ko) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | 주식회사 티씨케이 | Cvd 방식으로 형성된 sic 구조체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |