JP3072850B2 - 陽イオン交換膜 - Google Patents

陽イオン交換膜

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JP3072850B2
JP3072850B2 JP02250304A JP25030490A JP3072850B2 JP 3072850 B2 JP3072850 B2 JP 3072850B2 JP 02250304 A JP02250304 A JP 02250304A JP 25030490 A JP25030490 A JP 25030490A JP 3072850 B2 JP3072850 B2 JP 3072850B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、混合流体より特定成分を吸着、または透過
分離せしめるイオン交換膜に関する。更に詳しくは、海
水濃縮、かん水の脱塩等の電気透析用隔膜や、電池セパ
レータに有用な、抵抗が低く、カチオンの選択透過性が
優れた新しい陽イオン交換膜に関する。
[従来の技術] 陽イオン交換膜として数多くの文献、特許が報告され
ているが、最も実用的で有益なものとして、スチレン−
ジビニルベンゼン共重合体のスルホン化陽イオン交換膜
がある。これらはその耐薬品性、耐熱性に加え、架橋剤
であるジビニルベンゼンの含有量を変えることにより、
イオン交換特性や選択透過性を制御できることから、あ
らゆる用途に対し多種の品種を合成し発展してきた。
しかしながら、新しい用途、例えば工業塩並の安価な
食塩を製造する海水濃縮のための電気透析用隔膜や、レ
ドックスフロー電池やメタノール電池用セパレータなど
超低抵抗カチオン交換膜のニーズに対し、従来のスチレ
ン−ジビニルベンゼン系では対応できない欠点がある。
即ち抵抗を低下させるには、イオン交換容量を高めるか
膜厚を薄くする必要があるが、スチレン−ジビニルベン
ゼン系樹脂は、機械的強度、特に脆さの点で問題があ
り、選択透過性を損なわずに抵抗を低下することができ
ない。
一方、限外濾過膜や逆浸透膜において、機械的強度の
優れたポリスルホン等のエンジニアリングプラスチック
製の膜が使用され、その透過性を改良するため、イオン
交換基を導入した膜が検討されている。
例えば、繰り返し単位が からなるポリスルホンのスルホン化物が、USP3709841に
記載されており、特開昭50−99973、特開昭51−14637
9、特開昭61−4505などに、そのようなスルホン化ポリ
スルホンを異方性限外濾過膜上に積層した半透膜が記載
されている。
しかしながら、これらのスルホン化ポリスルホンは、
非架橋であるため、イオン交換容量が2.0ミリ当量/g乾
燥樹脂以上では著しく膨潤し、または水溶性になり、イ
オン交換容量が低い場合には、固定イオン濃度が低くな
る結果、イオン選択性も低くなるので、従来のスチレン
−ジビニルベンゼン型陽イオン交換膜に代替できるもの
ではなかった。
[発明の解決しようとする問題点] 本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を
解消しようとするものであり、イオン選択性が優れ、抵
抗が低い新規な陽イオン交換膜を提供することを目的と
する。
本発明は、従来技術では到達しえない、省エネルギー
海水濃縮のための電気透析用隔膜や、電池セパレータ、
更には、コンパクトでメンテナンスが容易なホローファ
イバーモジュール等に使用できる陽イオン交換膜を提供
することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたもので
あり、繰り返し単位内に一般式(1)で表される構造を
有し、実質的に芳香族環と連結基から構成された重合体
であって、その芳香族環に中性塩分解能を有する陽イオ
ン交換基と架橋が導入された重合体からなり、イオン交
換容量が0.5〜4.5ミリ当量/g乾燥樹脂、固定イオン濃度
が5ミリ当量/gH2O以上である陽イオン交換膜を提供す
るものである。
−X−Ar−Y− ・・・(1) (ただし、式中−X−および−Y−は、−O−または−
S−であり、互いに同一であっても異なっていてもよ
い。−Ar−は、次のいずれか。
ただし、−W−は、単結合、−O−、−S−、 のいずれか。
R1〜R5は、互いに同一または異なる炭素数1〜8の炭化
水素基。R6およびR7は水素原子または炭素数1〜6の炭
化水素基で、互いに同一であっても異なっていてもよ
い。aは0〜3の整数、b+cは0〜7の整数、d+e
は0〜5の整数である。) 本発明の陽イオン交換膜は、基本的には、上記特定の
芳香族系重合体に特定の陽イオン交換基および架橋が導
入された陽イオン交換膜であるが、これは従来の陽イオ
ン交換膜よりも、格段に優れた特性を有する陽イオン交
換膜である。
即ち、従来の芳香族系重合体に中性塩分解能を有する
陽イオン交換膜として、J.Membrane Sci.22(1985)325
〜332、J.Appl.Polym.Sci.20(1976)1885〜1903及びJ.
Polym.Sci:Polym.Chem.Ed.,22(1984)721〜737に記載
されているように の繰り返し単位からなるポリスルホンのスルホン化物か
らなる膜が知られている。このような膜は、イオン交換
容量が1.2ミリ当量/g乾燥樹脂を超えると吸水率が大き
くなり、イオン選択性の低下を招き、またイオン交換容
量が1.0ミリ当量/g乾燥樹脂以下では抵抗の増加が大き
い。従って、処理液濃度が高い場合にも高い選択透過性
と低い膜抵抗が要求される海水濃縮用イオン交換膜や電
池セパレータには適用できない欠点を有している。
中性塩分解能を有する陽イオン交換基としては−SO3H
基、−CF2COOH基、−OPO(OH)基が例示されるが、広
範囲のpHでイオン交換特性を有し、またイオン交換基の
導入の容易さの点から−SO3H基が特に好ましい。
本発明の陽イオン交換膜として、具体的には、次の一
般式(2)のブロック共重合体の、Arで示される芳香族
環に、スルホン酸基と架橋とがブロック的に導入された
重合体からなるものが好ましい。
(ただし、X、Y、Arは一般式(1)と同じ。−Z−
は、−SO2−、−O−、−S−のいずれか。R8〜R11は、
互いに同一または異なる炭素数1〜8の炭化水素基。
f、g、h、iは0〜4の整数。kは0〜1の整数。
m、nは2〜200の整数。m/nは、0.1〜100である。) ここで、スルホン酸基と架橋とがブロック的に導入さ
れた重合体とは、スルホン酸基および架橋が、ブロック
共重合体−X−Ar−Yに含まれる芳香族環、すなわちAr
の部分に選択的に導入されていることを意味する。
一般式(2)の共重合体に、スルホン酸基と架橋とが
ブロック的に導入された陽イオン交換膜は、イオン交換
容量が容易に制御でき、膜の機械的強度が高く、イオン
交換容量が高いので好ましい。特に、耐薬品性の点か
ら、ポリフェニレンオキシド/ポリエーテルスルホン共
重合体、ポリフェニレンスルフィド/ポリエーテルスル
ホン共重合体、ポリスルホン/ポリエーテルスルホン共
重合体が好ましい。
特に、一般式(2)において、XおよびYが酸素原子
であり、Zがイオウ原子である一般式(3)の芳香族ポ
リスルホン/ポリチオエーテルスルホンが、高分子量の
共重合体を得るのが容易で、セグメント数(m、n)や
セグメント比率(m/n)を制御しやすく、かつ成形加工
性、機械的強度、耐薬品性に優れるのが好ましい。一般
式(3)中の各記号は一般式(2)と同じである。
これらの重合体にスルホン酸基と架橋を導入する方法
としては、 (a)スルホン酸基を導入後、架橋反応性官能基を導入
し架橋せしめる方法 (b)架橋反応性官能基を導入した後、スルホン酸基を
導入する方法 のいずれも使用できる。
架橋反応性官能基としては、ハロゲン原子、水酸基、
チオール基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ
基、ビニル基、ハロアルキル基が例示されるが、導入反
応が容易で、しかも耐薬品性の優れた架橋物が得られや
すい点からハロアルキル基が特に好ましく使用される。
ハロアルキル基の導入方法としては、芳香族環にアル
キル基が置換されている重合体を原料とする場合には、
塩素化、臭素化等の反応も使用できるが、一般的には、
クロロメチルメチエーテル、1,4−ビス(クロロメトキ
シ)ブタン、1−クロロメトキシ−4−クロロブタンや
ホルマリン−塩化水素、パラホルムアルデヒド−塩化水
素等の親電子反応性のクロロメチル化剤を反応させるこ
とにより、ブロック共重合体の−X−Ar−Y−繰り返し
単位の芳香族環に選択的に導入することができる。
架橋の方法としては、クロロメチル基のフリーデルク
ラフト反応による芳香族環のメチレン結合型架橋、また
は少なくとも2個のクロロメチル基と化学結合する反応
基を有する化合物を架橋剤として用いる方法、クロロメ
チル基を他の官能性反応基に転換せしめた後化学結合せ
しめる方法が使用される。特に、クロロメチル基をフリ
ーデルクラフト反応により架橋する方法は反応が容易で
架橋密度の制御と耐薬品性が優れ、かつイオン交換容量
が高くできる点から好ましい架橋方法として例示され
る。
またスルホン酸基を導入する方法としては、濃硫酸、
発煙硫酸、クロロスルホン酸、無水硫酸、無水硫酸−ト
リエチルホスフェート錯体等のように、芳香族環のスル
ホン化剤として通常用いられる物質と反応させる方法を
使用することができる。
好ましくは、以下の方法にて架橋された陽イオン交換
膜とすることができる。
(1)クロロメチル化重合体を溶液化せしめた後、流延
し、膜状に成形中または成形後架橋せしめるか、または
スルホン化時に架橋せしめる。
(2)スルホン化重合体を溶液化せしめた後、流延し、
膜状に成形した後、クロロメチル化反応中、またはクロ
ロメチル化反応後架橋せしめる。
(3)クロロメチル化重合体の溶液とスルホン化重合体
の溶液の混合溶液を流延し、膜状に成形中または成形後
架橋製しめる。
本発明の陽イオン交換膜は、イオン交換容量が0.5〜
4.5ミリ当量/g乾燥樹脂であることが必要である。イオ
ン交換容量が0.5ミリ当量/g乾燥樹脂以下である場合
は、膜抵抗が著しく高くなるので不適当である。イオン
交換容量が4.5ミリ当量/g乾燥樹脂以上である場合は、
架橋剤を多量に用いる必要があるため結果的に膜の機械
的強度、特に靭性が低下するので不適当である。イオン
交換容量の好ましい範囲は1.5〜3.5ミリ当量/g乾燥樹脂
であり、さらに好ましい範囲は1.5〜2.5ミリ当量/g乾燥
樹脂である。本発明の陽イオン交換膜の固定イオン濃度
は、5ミリ当量/gH2O以上であることが必要である。固
定イオン濃度が6ミリ当量/gH2O以上である場合は、さ
らに好ましい。膜厚としは、0.01〜100μmが好まし
い。さらに好ましい膜厚は、0.1〜50μmである。
かくして得られる陽イオン交換膜は、単独で、膜状に
加工する他、寸法安定性、取扱性等の実用的な強度を付
与するために、多孔性基材により、補強することができ
る。かかる多孔性基材は、イオン交換体層に埋め込ん
で、補強された複合陽イオン交換膜として使用できる
他、膜抵抗を低下させる目的で、イオン交換体の薄膜層
と多孔性基材層との被層陽イオン交換膜とすることがで
きる。
膜の形状は、一般的な平面状だけではなく、袋状、中
空糸状、中空管状などにも成形できる。
次に本発明を実施例により説明するが、本発明は、か
かる実施例に限定されるものではない。
[実施例] (実施例1) 特開昭61−168629に記載された合成法と同様にして4,
4−ジフェノールとジクロロジフェニルスルホンと反応
せしめ、芳香族ポリスルホンのユニットからなる固有粘
度0.22のプリカーサーを合成し、ついで該プリカーサー
とジクロロジフェニルスルホンと硫化ナトリウムを反応
し、芳香族ポリスルホンとポリチオエーテルスルホンが
等モルで、固有粘度0.65のブロック共重合体Aを得た。
次に、該共重合体Aは、1,1,2,2−テトラクロロエタ
ンに溶解した後、クロロメチルメチルエーテル、無水塩
化スズを添加し、60℃、4時間反応せしめた後、メチル
アルコールで沈澱し、洗浄しクロロメチル化共重合体B
を得た。共重合体BのNMR測定から、ジフェノールの芳
香族環にクロロメチル基が導入されていた。該共重合体
Bのクロロメチル基含有量は、1.5ミリ当量/g乾燥樹脂
であった。
かくして得られた共重合体Bをテトラクロロエタンに
溶解し、該溶液を流延した後、150℃、16時間加熱乾燥
せしめ、膜厚25μmのキャスト膜を作成した。
次いで、キャスト膜は、98%濃硫酸で90℃、6時間ス
ルホン化せしめた。かくして得た膜は、N−メチルピロ
リドン、ジメチルホルムアミド、およびジメチルスルホ
キシドに不溶であることから、スルホン化の際に架橋構
造も導入されていることがわかった。
かくして得られた陽イオン交換膜は、イオン交換容量
が1.7ミリ当量/g乾燥樹脂、25℃純水中の吸水率から固
定イオン濃度は6.5ミリ当量/gH2Oであり、0.5N−NaCl溶
液に浸漬した後、交流抵抗及び膜電位法によるNaイオン
の輸率を求めたところ、それぞれ、0.4Ω・cm2、0.95で
あった。
(比較例1) 実施例1における共重合体Bに代えて、クロロメチル
化反応前の共重合体Aを使用した以外は全く同様にして
共重合体Aのキャスト膜を得た。ついで該キャスト膜
を、実施例1と同様にしてスルホン化処理したところ、
膜が溶解してしまった。溶解したポリマーのイオン交換
容量は、2.2ミリ当量/g乾燥樹脂であった。
(比較例2) 実施例1の共重合体Aをトリクロロエタンに溶解した
後、無水硫酸−トリエチルホスフェート錯体を接触せし
めスルホン化し、ついで凝集、洗浄、乾燥させ、イオン
交換容量1.7ミリ当量/g乾燥樹脂のスルホン化共重合体
を得た。
かくて得たスルホン化共重合体をN−メチルピロリド
ンに溶解し、ついでガラス板上に流延、260℃で加熱処
理せしめ、膜厚25μmの陽イオン交換膜を得た。該膜
は、固定イオン濃度が4.2ミリ当量/gH2O、膜抵抗が0.2
Ω・cm2、輸率が0.90であった。
(実施例2) ビスフェノールAとジクロロジフェニルスルホンと反
応せしめ、次式で表される繰り返し単位を有する、固有
粘度0.56の芳香族ポリスルホン重合体Cを得た。
次に、この重合体Cを、実施例1と同様にしてクロロ
メチル化した。クロロメチル基含有量は2.5ミリ当量/g
乾燥樹脂であった。
以後、実施例1と同様にしてキャスト製膜した後、ス
ルホン化せしめ陽イオン交換膜を得た。
該膜は、イオン交換容量が、1.7ミリ当量/g乾燥樹
脂、固定イオン濃度が5.1ミリ当量/gH2O、抵抗膜が0.3
Ω・cm2、輸率が0.92であった。
(比較例3) 実施例2の重合体を比較例2と同様な手法でスルホン
化せしめイオン交換容量が1.7ミリ当量/g乾燥樹脂のス
ルホン化重合体を得、ついで25μmのキャスト製膜によ
り陽イオン交換膜を得た。該膜は、固定イオン濃度が3.
8ミリ当量/gH2O、膜抵抗が0.2Ω・cm2、輸率が0.85であ
った。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】繰り返し単位内に一般式(1)で表される
    構造を有し、実質的に芳香族環と連結基から構成された
    重合体であって、その芳香族環に中性塩分解能を有する
    陽イオン交換基と架橋が導入された重合体からなり、イ
    オン交換容量が0.5〜4.5ミリ当量/g乾燥樹脂、固定イオ
    ン濃度が5ミリ当量/gH2O以上である陽イオン交換膜。 −X−Ar−Y− ・・・(1) (ただし、式中−X−および−Y−は、−O−または−
    S−であり、互いに同一であっても異なっていてもよ
    い。−Ar−は、次のいずれか。 ただし、−W−は、単結合、−O−、−S−、 のいずれか。 R1〜R5は、互いに同一または異なる炭素数1〜8の炭化
    水素基。R6およびR7は、水素原子または炭素数1〜6の
    炭化水素基で、互いに同一であっても異なっていてもよ
    い。aは0〜3の整数、b+cは0〜7の整数、d+e
    は0〜5の整数である。)
  2. 【請求項2】一般式(2)で表される重合体の、Arで示
    される芳香族環にスルホン酸基と架橋とがブロック的に
    導入された請求項1記載の陽イオン交換膜。 (ただし、X、Y、Arは、一般式(1)と同じ。−Z−
    は、−SO2−、−O−、−S−のいずれか。R8〜R11は、
    互いに同一または異なる炭素数1〜8の炭化水素基。
    f、g、h、iは0〜4の整数。kは0〜1の整数。
    m、nは2〜200の整数。m/nは、0.1〜100である。)
  3. 【請求項3】一般式(2)において、XおよびYが酸素
    原子であり、Zがイオウ原子である請求項2記載の陽イ
    オン交換膜。
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