JP3067072B2 - ウェハボ−ト支持テ−ブル - Google Patents
ウェハボ−ト支持テ−ブルInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ熱処理炉に
使用されるウェハボートを、その上側面に載置するため
のウェハボート支持テーブルに関するものである。
使用されるウェハボートを、その上側面に載置するため
のウェハボート支持テーブルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体工業分野では、半導体ウエハの酸
化、拡散、ＣＶＤ処理等の熱処理に縦型拡散炉はスペー
スメリットに優れ、均一な酸化膜等を低コストで形成で
きるため、近年益々利用されるようになっている。縦型
拡散炉は、下部からウェハボートを挿入するタイプと上
部からウェハボートを挿入するタイプとに大別される。
しかし、いずれのタイプにおいても拡散部炉下部の支持
治具の上に縦型ボート用テーブルを設置し、その上にウ
ェハボートを置いてウェハボートに係止されたウェハに
対して熱処理を行う構成になっている。ウェハボート用
テーブルを構成する材料としては通常石英ガラス、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ等が用いられている。
化、拡散、ＣＶＤ処理等の熱処理に縦型拡散炉はスペー
スメリットに優れ、均一な酸化膜等を低コストで形成で
きるため、近年益々利用されるようになっている。縦型
拡散炉は、下部からウェハボートを挿入するタイプと上
部からウェハボートを挿入するタイプとに大別される。
しかし、いずれのタイプにおいても拡散部炉下部の支持
治具の上に縦型ボート用テーブルを設置し、その上にウ
ェハボートを置いてウェハボートに係止されたウェハに
対して熱処理を行う構成になっている。ウェハボート用
テーブルを構成する材料としては通常石英ガラス、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ等が用いられている。
【０００３】図６は従来の半導体ウェハに熱処理を施す
ための縦型拡散炉の一例を断面図によって示したもので
ある。円柱状のウェハボート支持テーブル１の上側面に
は、熱処理を施そうとする複数の半導体ウェハ２を係止
したウェハボート３が載置されている。前記ウェハボー
ト支持テーブル１は、その下側面が昇降装置４に連結さ
れた駆動部材５に固定されている。熱処理にあたって
は、半導体ウェハ２を係止したウェハボートは加熱体６
を持つ縦型炉７内に配置された炉心管８内に、該炉心管
の下方開口部より昇降装置４によって押し上げ挿入され
る。図６に示す所定位置までウェハボート３が昇降装置
４によって押し上げられた時、炉心管８の下方開口部に
設けられたフランジ部８ａと駆動部材５との間に配置さ
れたＯリングによるシール部材９によって、炉心管８内
は密封される。そして炉心管８の上部に設けられた連通
孔８ｂより炉心管８内に反応ガスまたは不活性ガスが流
され、半導体ウェハ２に対して酸化、拡散、ＣＤＶ処理
等の熱処理が成される。
ための縦型拡散炉の一例を断面図によって示したもので
ある。円柱状のウェハボート支持テーブル１の上側面に
は、熱処理を施そうとする複数の半導体ウェハ２を係止
したウェハボート３が載置されている。前記ウェハボー
ト支持テーブル１は、その下側面が昇降装置４に連結さ
れた駆動部材５に固定されている。熱処理にあたって
は、半導体ウェハ２を係止したウェハボートは加熱体６
を持つ縦型炉７内に配置された炉心管８内に、該炉心管
の下方開口部より昇降装置４によって押し上げ挿入され
る。図６に示す所定位置までウェハボート３が昇降装置
４によって押し上げられた時、炉心管８の下方開口部に
設けられたフランジ部８ａと駆動部材５との間に配置さ
れたＯリングによるシール部材９によって、炉心管８内
は密封される。そして炉心管８の上部に設けられた連通
孔８ｂより炉心管８内に反応ガスまたは不活性ガスが流
され、半導体ウェハ２に対して酸化、拡散、ＣＤＶ処理
等の熱処理が成される。
【０００４】前記した縦型拡散炉に用いられるウェハボ
ート支持テーブル１は、その上側部が縦型炉７の加熱体
６からの赤外線輻射熱によって高温に晒され、また下側
部は略常温に近い状態に成される。換言すれば、ウェハ
ボート支持テーブル１は充分な断熱作用を有していなけ
ればならず、加えて充分な耐熱性、耐熱衝撃性が要求さ
れる。この様な要求を満たすために、ウェハボート支持
テーブルの構成については幾つかの提案が成されてい
る。例えば特開昭６４−４７０２０号公報には、内部に
グラスウールを詰め込んだ小径筒体で集合体でウェハボ
ート支持テーブルを構成し、支持テーブルに断熱効果を
与えるように成されたものが開示されている。また同公
報には他の手段として、支持テーブルを構成する石英ガ
ラス素材に例えば発泡ガラス体のような微小空間を持た
せることで、同様に支持テーブルに断熱作用を持たせる
ように成されたものも開示されている。
ート支持テーブル１は、その上側部が縦型炉７の加熱体
６からの赤外線輻射熱によって高温に晒され、また下側
部は略常温に近い状態に成される。換言すれば、ウェハ
ボート支持テーブル１は充分な断熱作用を有していなけ
ればならず、加えて充分な耐熱性、耐熱衝撃性が要求さ
れる。この様な要求を満たすために、ウェハボート支持
テーブルの構成については幾つかの提案が成されてい
る。例えば特開昭６４−４７０２０号公報には、内部に
グラスウールを詰め込んだ小径筒体で集合体でウェハボ
ート支持テーブルを構成し、支持テーブルに断熱効果を
与えるように成されたものが開示されている。また同公
報には他の手段として、支持テーブルを構成する石英ガ
ラス素材に例えば発泡ガラス体のような微小空間を持た
せることで、同様に支持テーブルに断熱作用を持たせる
ように成されたものも開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の前者
のようなウェハボート支持テーブルにおいては、支持テ
ーブルを構成する各小径体にグラスウールを詰め込む作
業が必要となり、特殊な作業である故に作業効率を上げ
ることができず、コストの上昇は免れない。また従来の
後者のようなウェハボート支持テーブルにおいては、繰
り返し使用している間に発泡ガラス体の微小空間が開孔
し、ここに取り込まれていた不純ガスまたは不純物が拡
散して炉心管内のクリーン度を低下させてしまうといっ
た技術的課題を有している。本発明は、このような従来
の課題を解決するためになされたものであり、充分な断
熱作用、耐熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿
論のこと、且つコストの上昇を招くことなく、また炉心
管内のクリーン度を低下させる等の課題を引き起こすこ
とのないウェハボート支持テーブルを提供することを目
的とするものである。
のようなウェハボート支持テーブルにおいては、支持テ
ーブルを構成する各小径体にグラスウールを詰め込む作
業が必要となり、特殊な作業である故に作業効率を上げ
ることができず、コストの上昇は免れない。また従来の
後者のようなウェハボート支持テーブルにおいては、繰
り返し使用している間に発泡ガラス体の微小空間が開孔
し、ここに取り込まれていた不純ガスまたは不純物が拡
散して炉心管内のクリーン度を低下させてしまうといっ
た技術的課題を有している。本発明は、このような従来
の課題を解決するためになされたものであり、充分な断
熱作用、耐熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿
論のこと、且つコストの上昇を招くことなく、また炉心
管内のクリーン度を低下させる等の課題を引き起こすこ
とのないウェハボート支持テーブルを提供することを目
的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に成された本発明のウェハボート支持テーブルは、半導
体ウェハを熱処理用炉管内に記載させるためウェハボー
トを上側面に載置するウェハボート支持テーブルであっ
て、前記ウェハボート支持テーブルは、板状の基材が複
数枚積層されて構成され、且つ各板状の基材の一面また
は両面が梨地状となっている点に特徴を有する。また本
発明のウェハボート支持テーブルは、半導体ウェハを熱
処理用炉管内に記載させるためウェハボートを上側面に
載置するウェハボート支持テーブルであって、前記ウェ
ハボート支持テーブルは、少なくとも前記ウェハボ−ト
を載置する上面が梨地状となっており、この上部に鏡面
板が配置されている点に特徴を有する。
に成された本発明のウェハボート支持テーブルは、半導
体ウェハを熱処理用炉管内に記載させるためウェハボー
トを上側面に載置するウェハボート支持テーブルであっ
て、前記ウェハボート支持テーブルは、板状の基材が複
数枚積層されて構成され、且つ各板状の基材の一面また
は両面が梨地状となっている点に特徴を有する。また本
発明のウェハボート支持テーブルは、半導体ウェハを熱
処理用炉管内に記載させるためウェハボートを上側面に
載置するウェハボート支持テーブルであって、前記ウェ
ハボート支持テーブルは、少なくとも前記ウェハボ−ト
を載置する上面が梨地状となっており、この上部に鏡面
板が配置されている点に特徴を有する。
【０００７】
【作用】本発明に係るウェハボート支持テーブルにおい
ては、積層される複数枚の各板状の基材の一面または両
面が梨地状となっているので、例えば梨地状面どおしの
接触部において多数の微小空間が形成され良好な断熱効
果が得られる。しかもテーブル上側部から下側部の方向
に基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り
返され、このために充分な断熱作用を持たせることがで
きる。また本発明に係るウェハボート支持テーブルにお
いては、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地
状となっており、この上部に鏡面板が配置されているた
め、炉心管側から輻射される赤外線の大部分はこの鏡面
板によって炉心管内に反射される。このために、一層の
断熱効果を期待することができる。
ては、積層される複数枚の各板状の基材の一面または両
面が梨地状となっているので、例えば梨地状面どおしの
接触部において多数の微小空間が形成され良好な断熱効
果が得られる。しかもテーブル上側部から下側部の方向
に基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り
返され、このために充分な断熱作用を持たせることがで
きる。また本発明に係るウェハボート支持テーブルにお
いては、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地
状となっており、この上部に鏡面板が配置されているた
め、炉心管側から輻射される赤外線の大部分はこの鏡面
板によって炉心管内に反射される。このために、一層の
断熱効果を期待することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係るウェハボート支持テーブ
ルの実施例について、図面を参照して説明する。まず図
１は本発明のウェハボート支持テーブルの第１の実施例
を断面図によって示したものである。図において、ウェ
ハボート支持テーブル１０は板状の基材が複数枚積層さ
れ、全体的には円柱状に構成されている。前記各基材は
円盤状の頂板１０ａと同一径を有する底板１０ｂ、およ
び頂板１０ａと底板１０ｂとの間に積層された同一径の
複数枚の中間板１０ｃにより構成されている。そしてこ
れら各頂板１０ａ、中間板１０ｃ、底板１０ｂは４本の
棒状部材１０ｄによって一体に支持されている。前記各
頂板１０ａ、中間板１０ｃ、底板１０ｂおよび棒状部材
１０ｄはそれぞれ石英ガラス、ＳｉＣ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ
等により構成されている。
ルの実施例について、図面を参照して説明する。まず図
１は本発明のウェハボート支持テーブルの第１の実施例
を断面図によって示したものである。図において、ウェ
ハボート支持テーブル１０は板状の基材が複数枚積層さ
れ、全体的には円柱状に構成されている。前記各基材は
円盤状の頂板１０ａと同一径を有する底板１０ｂ、およ
び頂板１０ａと底板１０ｂとの間に積層された同一径の
複数枚の中間板１０ｃにより構成されている。そしてこ
れら各頂板１０ａ、中間板１０ｃ、底板１０ｂは４本の
棒状部材１０ｄによって一体に支持されている。前記各
頂板１０ａ、中間板１０ｃ、底板１０ｂおよび棒状部材
１０ｄはそれぞれ石英ガラス、ＳｉＣ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ
等により構成されている。
【０００９】図２はウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の一例を示したものである。先ず底板１０ｂに予
め設けておいた凹部対して４本の棒状部材１０ｄを嵌め
込み樹立させる。続いて底板１０ｂに対して嵌め込み樹
立された４本の棒状部材１０ｄをガイドとして予め貫通
孔を備えた中間板１０ｃを順次重ね合わせる。そして最
後に棒状部材１０ｄの頂板１０ａに予め設けておいた凹
部を嵌め込むことで支持テーブルが形成される。前述し
た組み立てに際し、底板１０ｂの凹部に対して４本の棒
状部材１０ｄを嵌め込む際、材料が石英ガラスの場合は
溶接され、またＳｉＣ等の場合には接着剤を併用しても
よい。また底板１０ｂに対して中間板１０ｃを順次重ね
合わせる場合、さらに最後に頂板１０ａの凹部を棒状部
材１０ｄの頂部に嵌め込む場合においても同様に行うこ
とができる。
て工程の一例を示したものである。先ず底板１０ｂに予
め設けておいた凹部対して４本の棒状部材１０ｄを嵌め
込み樹立させる。続いて底板１０ｂに対して嵌め込み樹
立された４本の棒状部材１０ｄをガイドとして予め貫通
孔を備えた中間板１０ｃを順次重ね合わせる。そして最
後に棒状部材１０ｄの頂板１０ａに予め設けておいた凹
部を嵌め込むことで支持テーブルが形成される。前述し
た組み立てに際し、底板１０ｂの凹部に対して４本の棒
状部材１０ｄを嵌め込む際、材料が石英ガラスの場合は
溶接され、またＳｉＣ等の場合には接着剤を併用しても
よい。また底板１０ｂに対して中間板１０ｃを順次重ね
合わせる場合、さらに最後に頂板１０ａの凹部を棒状部
材１０ｄの頂部に嵌め込む場合においても同様に行うこ
とができる。
【００１０】図３の（Ａ）および（Ｂ）はウエハボート
支持テーブルの断面を一部拡大して示したものである。
まず図３（Ａ）に示すように、互いに積層される中間板
１０ｃの表面は平滑面１０ｃ1 に成されており、またそ
の裏面は梨地状の加工が施され、梨地面１０ｃ2 に成さ
れている。中間板１０ｃの裏面に施される梨地状の加工
はサンドブラスト手段により成される。要するにこの図
３（Ａ）に示すものは、基材の一面のみに梨地状の加工
が施されている例を示している。この梨地状の加工によ
つて得られる梨地面１０ｃ2 の好ましい表面粗さは、Ｊ
ＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲmax で５〜５０μｍ、
より好ましくは１０〜３０μｍである。５μｍ未満では
赤外線透過率が７０％以上となり、好ましくはない。赤
外線透過率を５０％未満とするためには、表面粗さＲ
max を５μｍ以上する必要がある。また、表面粗さＲ
max が５０μｍを越えると上記多数の微小空間が開放的
となり、断熱効果が得られなくなる。また図３（Ｂ）に
示す例は、互いに積層される中間板１０ｃの表面および
裏面の両面に梨地状の加工が施された例を示している。
すなわち、中間板１０ｃの表面には梨地面１０ｃ3 が施
され、また中間板１０ｃの裏面には梨地面１０ｃ2 が施
されている。この中間板１０ｃの表裏両面に設けられる
梨地面１０ｃ3 、１０ｃ2 は前記図３（Ａ）の場合と同
様にそれぞれサンドブラスト手段により形成される。こ
の梨地状の加工によつて得られる梨地面１０ｃ2 の好ま
しい表面粗さは、ＪＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲ
max で５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍで
ある。５μｍ未満では赤外線透過率が７０％以上とな
り、好ましくはない。赤外線透過率を５０％未満とする
ためには、表面粗さＲmax を５μｍ以上する必要があ
る。また、表面粗さＲmax が５０μｍを越えると上記多
数の微小空間が開放的となり、断熱効果が得られなくな
る。この様にして形成されたウェハボート支持テーブル
１０は、前述した図６に示すように、その上側面にウェ
ハボート３が載置固定され、またその下側面は昇降装置
４に連結された駆動部材５に固定される。従ってウェハ
ボート支持テーブル１０の上側面は、半導体ウェハの熱
処理工程において熱処理用炉心管８内からの赤外線輻射
を受け、１０００℃以上の高温に晒されることになる。
しかしながら支持テーブル１０は、複数枚の各板状の基
材の一面または両面に梨地状の加工が施されているの
で、この梨地状加工部分で赤外線の透過が遮蔽される。
しかもテーブル上側部から下側部の方向に基材が積層さ
れているので各基材毎にその作用が繰り返され、このた
めに充分な断熱作用を持たせることができ、炉心管８内
の均一保温と共に、駆動部材５等対して有害な熱の伝達
が阻止される。
支持テーブルの断面を一部拡大して示したものである。
まず図３（Ａ）に示すように、互いに積層される中間板
１０ｃの表面は平滑面１０ｃ1 に成されており、またそ
の裏面は梨地状の加工が施され、梨地面１０ｃ2 に成さ
れている。中間板１０ｃの裏面に施される梨地状の加工
はサンドブラスト手段により成される。要するにこの図
３（Ａ）に示すものは、基材の一面のみに梨地状の加工
が施されている例を示している。この梨地状の加工によ
つて得られる梨地面１０ｃ2 の好ましい表面粗さは、Ｊ
ＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲmax で５〜５０μｍ、
より好ましくは１０〜３０μｍである。５μｍ未満では
赤外線透過率が７０％以上となり、好ましくはない。赤
外線透過率を５０％未満とするためには、表面粗さＲ
max を５μｍ以上する必要がある。また、表面粗さＲ
max が５０μｍを越えると上記多数の微小空間が開放的
となり、断熱効果が得られなくなる。また図３（Ｂ）に
示す例は、互いに積層される中間板１０ｃの表面および
裏面の両面に梨地状の加工が施された例を示している。
すなわち、中間板１０ｃの表面には梨地面１０ｃ3 が施
され、また中間板１０ｃの裏面には梨地面１０ｃ2 が施
されている。この中間板１０ｃの表裏両面に設けられる
梨地面１０ｃ3 、１０ｃ2 は前記図３（Ａ）の場合と同
様にそれぞれサンドブラスト手段により形成される。こ
の梨地状の加工によつて得られる梨地面１０ｃ2 の好ま
しい表面粗さは、ＪＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲ
max で５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍで
ある。５μｍ未満では赤外線透過率が７０％以上とな
り、好ましくはない。赤外線透過率を５０％未満とする
ためには、表面粗さＲmax を５μｍ以上する必要があ
る。また、表面粗さＲmax が５０μｍを越えると上記多
数の微小空間が開放的となり、断熱効果が得られなくな
る。この様にして形成されたウェハボート支持テーブル
１０は、前述した図６に示すように、その上側面にウェ
ハボート３が載置固定され、またその下側面は昇降装置
４に連結された駆動部材５に固定される。従ってウェハ
ボート支持テーブル１０の上側面は、半導体ウェハの熱
処理工程において熱処理用炉心管８内からの赤外線輻射
を受け、１０００℃以上の高温に晒されることになる。
しかしながら支持テーブル１０は、複数枚の各板状の基
材の一面または両面に梨地状の加工が施されているの
で、この梨地状加工部分で赤外線の透過が遮蔽される。
しかもテーブル上側部から下側部の方向に基材が積層さ
れているので各基材毎にその作用が繰り返され、このた
めに充分な断熱作用を持たせることができ、炉心管８内
の均一保温と共に、駆動部材５等対して有害な熱の伝達
が阻止される。
【００１１】図４はウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の他の例を示したものである。この例において
は、先ず底板１０ｂに予め設けておいた凹部対して４本
の棒状部材１０ｄが嵌め込み樹立される。そして底板１
０ｂに対して樹立された棒状部材１０ｄの各頂部に頂板
１０ａに予め設けておいた凹部を嵌め込むことで、底板
１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａから成る組
み立て体が完成する。一方、中間板１０ｃには棒状部材
１０ｄの配置間隔に一致した間隔を有する２本のスリッ
ト１１が平行に設けられている。従って中間板１０ｃに
おける２本のスリット１１の解放部を各棒状部材１０ｄ
に向けて水平方向に移動させることで、頂板１０ａと底
板１０ｂとの間に中間板１０ｃを挿入配置させることが
できる。この様にして複数枚の中間板１０ｃを順次頂板
１０ａと底板１０ｂとの間に挿入配置させることで、図
１に示したものと同様の全体として円柱状のウェハボー
ト支持テーブルを組み立てることができる。なお、この
場合、底板１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａ
から成る組み立て体に対して、中間板１０ｃは４方向か
ら水平に挿入することができる。従って順次挿入方向を
変えて積層させることによって、放熱方向をランダムに
させることが可能であり、また熱応力を緩和させること
ができ、この例においては最も好ましい。
て工程の他の例を示したものである。この例において
は、先ず底板１０ｂに予め設けておいた凹部対して４本
の棒状部材１０ｄが嵌め込み樹立される。そして底板１
０ｂに対して樹立された棒状部材１０ｄの各頂部に頂板
１０ａに予め設けておいた凹部を嵌め込むことで、底板
１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａから成る組
み立て体が完成する。一方、中間板１０ｃには棒状部材
１０ｄの配置間隔に一致した間隔を有する２本のスリッ
ト１１が平行に設けられている。従って中間板１０ｃに
おける２本のスリット１１の解放部を各棒状部材１０ｄ
に向けて水平方向に移動させることで、頂板１０ａと底
板１０ｂとの間に中間板１０ｃを挿入配置させることが
できる。この様にして複数枚の中間板１０ｃを順次頂板
１０ａと底板１０ｂとの間に挿入配置させることで、図
１に示したものと同様の全体として円柱状のウェハボー
ト支持テーブルを組み立てることができる。なお、この
場合、底板１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａ
から成る組み立て体に対して、中間板１０ｃは４方向か
ら水平に挿入することができる。従って順次挿入方向を
変えて積層させることによって、放熱方向をランダムに
させることが可能であり、また熱応力を緩和させること
ができ、この例においては最も好ましい。
【００１２】図５は本発明のウェハボート支持テーブル
の第２の実施例を一部を拡大した断面図で示したもので
ある。この図５に示した支持テーブル１０は、テーブル
上面が、梨地状となっており、この上部に鏡面板１２が
配置されている。この鏡面板１２は例えばシリコン単結
晶半導体ウエハをミラ−研磨したもので形成される。通
常鏡面研磨したミラ−面の表面粗さは非接触表面粗さ計
での測定では、Ｒa （Ｒms）＝３〜５Å、Ｒmax
（Ｒpu）＝１０〜１５Åとなっている。本発明では少な
くとも表面粗さがＲa ＝０．０１μｍ以下、かつＲmax
＝０．０５μｍ以下となっていれば良い。また、鏡面板
１２は少なくとも配置される上面側が鏡面研磨されてい
れば良い。この図５に示した例によると、テーブル上面
に鏡面板１２の上面が鏡面研磨されているため、先ず炉
心管内の輻射赤外線の大部分はこの鏡面板１２によって
炉心管内に反射され、テーブル側に伝達される熱量を極
めて少なくさせることが可能になる。またテーブル側に
伝達された輻射赤外線は上記鏡面板１２とテ−ブルの上
面の梨地面１０ｃ２の間に介在する多少の微小空間によ
り効果的に遮断されることになり、断熱効果を上げるこ
とができる。尚、上記第１実施例と第２実施例はこれら
を組み合わせることにより、一層の相乗効果をうること
ができる。またこの場合には第２実施例の鏡面板の配置
に換えて、テ−ブルの上面を平滑面とし、この表面に鏡
面層をＳｉの蒸着またはスパッタリング等の方法により
形成してもよい。
の第２の実施例を一部を拡大した断面図で示したもので
ある。この図５に示した支持テーブル１０は、テーブル
上面が、梨地状となっており、この上部に鏡面板１２が
配置されている。この鏡面板１２は例えばシリコン単結
晶半導体ウエハをミラ−研磨したもので形成される。通
常鏡面研磨したミラ−面の表面粗さは非接触表面粗さ計
での測定では、Ｒa （Ｒms）＝３〜５Å、Ｒmax
（Ｒpu）＝１０〜１５Åとなっている。本発明では少な
くとも表面粗さがＲa ＝０．０１μｍ以下、かつＲmax
＝０．０５μｍ以下となっていれば良い。また、鏡面板
１２は少なくとも配置される上面側が鏡面研磨されてい
れば良い。この図５に示した例によると、テーブル上面
に鏡面板１２の上面が鏡面研磨されているため、先ず炉
心管内の輻射赤外線の大部分はこの鏡面板１２によって
炉心管内に反射され、テーブル側に伝達される熱量を極
めて少なくさせることが可能になる。またテーブル側に
伝達された輻射赤外線は上記鏡面板１２とテ−ブルの上
面の梨地面１０ｃ２の間に介在する多少の微小空間によ
り効果的に遮断されることになり、断熱効果を上げるこ
とができる。尚、上記第１実施例と第２実施例はこれら
を組み合わせることにより、一層の相乗効果をうること
ができる。またこの場合には第２実施例の鏡面板の配置
に換えて、テ−ブルの上面を平滑面とし、この表面に鏡
面層をＳｉの蒸着またはスパッタリング等の方法により
形成してもよい。
【００１３】
【発明の効果】本発明のウェハボート支持テーブルは、
板状の基材を複数枚積層し、且つ各板状の基材の一面ま
たは両面に梨地状の加工を施したため、この梨地状加工
部分が炉心管側から輻射される赤外線の透過を効果的に
阻止し、支持テーブル上側部の近辺で赤外線が吸収され
て発熱する。しかもテーブル上側部から下側部の方向に
基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り返
され、このために充分な断熱作用を持たせることがで
き、炉心管内の均一保温と共に、駆動部材等対して有害
な熱の伝達が阻止される。
板状の基材を複数枚積層し、且つ各板状の基材の一面ま
たは両面に梨地状の加工を施したため、この梨地状加工
部分が炉心管側から輻射される赤外線の透過を効果的に
阻止し、支持テーブル上側部の近辺で赤外線が吸収され
て発熱する。しかもテーブル上側部から下側部の方向に
基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り返
され、このために充分な断熱作用を持たせることがで
き、炉心管内の均一保温と共に、駆動部材等対して有害
な熱の伝達が阻止される。
【００１４】また本発明のウェハボート支持テーブル
は、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地状と
なっており、この上部に鏡面板が配置されているため、
炉心管側から輻射される赤外線の大部分はこの鏡面板に
よって炉心管内に反射される。このために、一層の断熱
効果を期待することができる。以上のように本発明のウ
ェハボート支持テーブルによると、充分な断熱作用、耐
熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿論のこと、
また前記した従来のもののようにコストの上昇を招くこ
となく、さらに炉心管内のクリーン度を低下させる等の
問題を引き起こすことのない商品を提供することができ
る。
は、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地状と
なっており、この上部に鏡面板が配置されているため、
炉心管側から輻射される赤外線の大部分はこの鏡面板に
よって炉心管内に反射される。このために、一層の断熱
効果を期待することができる。以上のように本発明のウ
ェハボート支持テーブルによると、充分な断熱作用、耐
熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿論のこと、
また前記した従来のもののようにコストの上昇を招くこ
となく、さらに炉心管内のクリーン度を低下させる等の
問題を引き起こすことのない商品を提供することができ
る。
【図１】本発明のウェハボート支持テーブルの第１の実
施例を示した断面図
施例を示した断面図
【図２】図１に示すウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の例を示した斜視図。
て工程の例を示した斜視図。
【図３】図１に示すウェハボート支持テーブルの一部拡
大断面図
大断面図
【図４】図１に示すウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の他の例を示した斜視図
て工程の他の例を示した斜視図
【図５】本発明のウェハボート支持テーブルの第２の実
施例を示した一部拡大断面図。
施例を示した一部拡大断面図。
【図６】従来の縦型拡散炉の一例を示した断面図。
１０ ウェハボート支持テーブル １０ａ 板状基材（頂板） １０ｂ 板状基材（底板） １０ｃ 板状基材（中間板） １０ｄ 棒状部材 １０ｃ１ 平滑面 １０ｃ２ 梨地面 １０ｃ３ 梨地面 １１ スリット １２ 鏡面板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/40 H01L 21/469 H01L 21/68 H01L 21/86
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハを熱処理用炉管内に記載さ
せるためウェハボートを上側面に載置するウェハボート
支持テーブルであって、前記ウェハボート支持テーブル
は、板状の基材が複数枚積層されて構成され、且つ各板
状の基材の一面または両面が梨地状となっていることを
特徴とするウェハボート支持テーブル。 - 【請求項２】 半導体ウエハを熱処理用炉管内に記載さ
せるためウェハボートを上側面に載置するウェハボート
支持テーブルであって、前記ウェハボート支持テーブル
は、少なくとも前記ウェハボ−トを載置する上面が梨地
状となっており、この上部に鏡面板が配置されているこ
とを特徴とするウェハボート支持テーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347729A JP3067072B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | ウェハボ−ト支持テ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347729A JP3067072B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | ウェハボ−ト支持テ−ブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183245A JPH07183245A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3067072B2 true JP3067072B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=18392199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347729A Expired - Fee Related JP3067072B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | ウェハボ−ト支持テ−ブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067072B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010165A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5347729A patent/JP3067072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07183245A (ja) | 1995-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |