JP3067072B2 - Wafer boat support table - Google Patents
Wafer boat support tableInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ熱処理炉に
使用されるウェハボートを、その上側面に載置するため
のウェハボート支持テーブルに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer boat support table for mounting a wafer boat used in a semiconductor wafer heat treatment furnace on an upper surface thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体工業分野では、半導体ウエハの酸
化、拡散、ＣＶＤ処理等の熱処理に縦型拡散炉はスペー
スメリットに優れ、均一な酸化膜等を低コストで形成で
きるため、近年益々利用されるようになっている。縦型
拡散炉は、下部からウェハボートを挿入するタイプと上
部からウェハボートを挿入するタイプとに大別される。
しかし、いずれのタイプにおいても拡散部炉下部の支持
治具の上に縦型ボート用テーブルを設置し、その上にウ
ェハボートを置いてウェハボートに係止されたウェハに
対して熱処理を行う構成になっている。ウェハボート用
テーブルを構成する材料としては通常石英ガラス、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ等が用いられている。2. Description of the Related Art In the field of the semiconductor industry, vertical diffusion furnaces are excellent in space for heat treatments such as oxidation, diffusion and CVD processing of semiconductor wafers, and can form a uniform oxide film at low cost. It has become so. Vertical diffusion furnaces are broadly classified into a type in which a wafer boat is inserted from below and a type in which a wafer boat is inserted from above.
However, in any type, the vertical boat table is set on the support jig at the lower part of the diffusion unit furnace, and the wafer boat is placed on the table, and heat treatment is performed on the wafer locked by the wafer boat. It has become. Quartz glass, Si
C, Si impregnated SiC or the like is used.
【０００３】図６は従来の半導体ウェハに熱処理を施す
ための縦型拡散炉の一例を断面図によって示したもので
ある。円柱状のウェハボート支持テーブル１の上側面に
は、熱処理を施そうとする複数の半導体ウェハ２を係止
したウェハボート３が載置されている。前記ウェハボー
ト支持テーブル１は、その下側面が昇降装置４に連結さ
れた駆動部材５に固定されている。熱処理にあたって
は、半導体ウェハ２を係止したウェハボートは加熱体６
を持つ縦型炉７内に配置された炉心管８内に、該炉心管
の下方開口部より昇降装置４によって押し上げ挿入され
る。図６に示す所定位置までウェハボート３が昇降装置
４によって押し上げられた時、炉心管８の下方開口部に
設けられたフランジ部８ａと駆動部材５との間に配置さ
れたＯリングによるシール部材９によって、炉心管８内
は密封される。そして炉心管８の上部に設けられた連通
孔８ｂより炉心管８内に反応ガスまたは不活性ガスが流
され、半導体ウェハ２に対して酸化、拡散、ＣＤＶ処理
等の熱処理が成される。FIG. 6 is a sectional view showing an example of a conventional vertical diffusion furnace for subjecting a semiconductor wafer to heat treatment. A wafer boat 3 holding a plurality of semiconductor wafers 2 to be subjected to a heat treatment is placed on the upper surface of the columnar wafer boat support table 1. The lower surface of the wafer boat support table 1 is fixed to a driving member 5 connected to an elevating device 4. In the heat treatment, the wafer boat holding the semiconductor wafer 2 is heated
Is inserted into a furnace tube 8 arranged in a vertical furnace 7 having the following structure by a lifting device 4 from a lower opening of the furnace tube. When the wafer boat 3 is pushed up to the predetermined position shown in FIG. 6 by the elevating device 4, a sealing member by an O-ring disposed between the flange 8a provided at the lower opening of the furnace tube 8 and the driving member 5. 9 seals the inside of the furnace tube 8. Then, a reaction gas or an inert gas is flowed into the furnace tube 8 through a communication hole 8b provided at an upper portion of the furnace tube 8, and heat treatment such as oxidation, diffusion, and CDV processing is performed on the semiconductor wafer 2.
【０００４】前記した縦型拡散炉に用いられるウェハボ
ート支持テーブル１は、その上側部が縦型炉７の加熱体
６からの赤外線輻射熱によって高温に晒され、また下側
部は略常温に近い状態に成される。換言すれば、ウェハ
ボート支持テーブル１は充分な断熱作用を有していなけ
ればならず、加えて充分な耐熱性、耐熱衝撃性が要求さ
れる。この様な要求を満たすために、ウェハボート支持
テーブルの構成については幾つかの提案が成されてい
る。例えば特開昭６４−４７０２０号公報には、内部に
グラスウールを詰め込んだ小径筒体で集合体でウェハボ
ート支持テーブルを構成し、支持テーブルに断熱効果を
与えるように成されたものが開示されている。また同公
報には他の手段として、支持テーブルを構成する石英ガ
ラス素材に例えば発泡ガラス体のような微小空間を持た
せることで、同様に支持テーブルに断熱作用を持たせる
ように成されたものも開示されている。The upper portion of the wafer boat support table 1 used in the above-mentioned vertical diffusion furnace is exposed to high temperature by infrared radiation heat from the heating element 6 of the vertical furnace 7, and the lower portion is almost at room temperature. Made to state. In other words, the wafer boat support table 1 must have a sufficient heat-insulating action, and in addition, must have sufficient heat resistance and thermal shock resistance. In order to satisfy such requirements, several proposals have been made regarding the configuration of the wafer boat support table. For example, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 64-47020 discloses a configuration in which a wafer boat support table is constituted by an aggregate of small-diameter cylinders filled with glass wool therein so as to provide a heat insulating effect to the support table. I have. Further, as another means, the same publication discloses that a quartz glass material constituting a support table is provided with a minute space such as a foamed glass body, so that the support table also has a heat insulating effect. Are also disclosed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の前者
のようなウェハボート支持テーブルにおいては、支持テ
ーブルを構成する各小径体にグラスウールを詰め込む作
業が必要となり、特殊な作業である故に作業効率を上げ
ることができず、コストの上昇は免れない。また従来の
後者のようなウェハボート支持テーブルにおいては、繰
り返し使用している間に発泡ガラス体の微小空間が開孔
し、ここに取り込まれていた不純ガスまたは不純物が拡
散して炉心管内のクリーン度を低下させてしまうといっ
た技術的課題を有している。本発明は、このような従来
の課題を解決するためになされたものであり、充分な断
熱作用、耐熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿
論のこと、且つコストの上昇を招くことなく、また炉心
管内のクリーン度を低下させる等の課題を引き起こすこ
とのないウェハボート支持テーブルを提供することを目
的とするものである。In the conventional wafer boat support table as described above, it is necessary to pack glass wool into each small-diameter body constituting the support table. It cannot be raised, and the cost is inevitable. Also, in the conventional wafer boat support table as the latter, a minute space of the foamed glass body is opened during repeated use, and the impurity gas or impurities introduced therein diffuses to clean the inside of the furnace tube. There is a technical problem of reducing the degree. The present invention has been made in order to solve such a conventional problem, and not only has a sufficient heat insulating effect, heat resistance and thermal shock resistance, but also leads to an increase in cost. It is an object of the present invention to provide a wafer boat support table that does not cause problems such as lowering the cleanliness in the furnace tube.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に成された本発明のウェハボート支持テーブルは、半導
体ウェハを熱処理用炉管内に記載させるためウェハボー
トを上側面に載置するウェハボート支持テーブルであっ
て、前記ウェハボート支持テーブルは、板状の基材が複
数枚積層されて構成され、且つ各板状の基材の一面また
は両面が梨地状となっている点に特徴を有する。また本
発明のウェハボート支持テーブルは、半導体ウェハを熱
処理用炉管内に記載させるためウェハボートを上側面に
載置するウェハボート支持テーブルであって、前記ウェ
ハボート支持テーブルは、少なくとも前記ウェハボ−ト
を載置する上面が梨地状となっており、この上部に鏡面
板が配置されている点に特徴を有する。A wafer boat support table according to the present invention, which has been made to achieve the above object, comprises a wafer boat on which an upper surface is placed for placing a semiconductor wafer in a heat treatment furnace tube. A support table, wherein the wafer boat support table is formed by stacking a plurality of plate-shaped base materials, and is characterized in that one or both surfaces of each plate-shaped base material have a satin finish. . Further, the wafer boat support table of the present invention is a wafer boat support table for mounting a wafer boat on an upper surface for writing semiconductor wafers in a furnace tube for heat treatment, wherein the wafer boat support table is at least the wafer boat support table. Is placed in a satin shape, and a mirror plate is disposed on the upper surface.
【０００７】[0007]
【作用】本発明に係るウェハボート支持テーブルにおい
ては、積層される複数枚の各板状の基材の一面または両
面が梨地状となっているので、例えば梨地状面どおしの
接触部において多数の微小空間が形成され良好な断熱効
果が得られる。しかもテーブル上側部から下側部の方向
に基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り
返され、このために充分な断熱作用を持たせることがで
きる。また本発明に係るウェハボート支持テーブルにお
いては、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地
状となっており、この上部に鏡面板が配置されているた
め、炉心管側から輻射される赤外線の大部分はこの鏡面
板によって炉心管内に反射される。このために、一層の
断熱効果を期待することができる。In the wafer boat support table according to the present invention, one or both surfaces of a plurality of plate-shaped base materials to be laminated are matted, so that, for example, at the contact portion between matted surfaces. Many minute spaces are formed, and a good heat insulating effect can be obtained. In addition, since the base materials are stacked in the direction from the upper part to the lower part of the table, the action is repeated for each base material, so that a sufficient heat insulating action can be provided. Further, in the wafer boat support table according to the present invention, at least the upper surface on which the wafer boat is mounted has a matte surface, and a mirror plate is disposed on the upper surface, so that infrared radiation radiated from the furnace tube side can be obtained. Most of the light is reflected into the furnace tube by the mirror plate. For this reason, a further heat insulating effect can be expected.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明に係るウェハボート支持テーブ
ルの実施例について、図面を参照して説明する。まず図
１は本発明のウェハボート支持テーブルの第１の実施例
を断面図によって示したものである。図において、ウェ
ハボート支持テーブル１０は板状の基材が複数枚積層さ
れ、全体的には円柱状に構成されている。前記各基材は
円盤状の頂板１０ａと同一径を有する底板１０ｂ、およ
び頂板１０ａと底板１０ｂとの間に積層された同一径の
複数枚の中間板１０ｃにより構成されている。そしてこ
れら各頂板１０ａ、中間板１０ｃ、底板１０ｂは４本の
棒状部材１０ｄによって一体に支持されている。前記各
頂板１０ａ、中間板１０ｃ、底板１０ｂおよび棒状部材
１０ｄはそれぞれ石英ガラス、ＳｉＣ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ
等により構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a wafer boat support table according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a wafer boat support table according to the present invention. In the figure, a wafer boat support table 10 is formed by laminating a plurality of plate-shaped base materials, and has a columnar shape as a whole. Each of the base materials is constituted by a bottom plate 10b having the same diameter as the disc-shaped top plate 10a, and a plurality of intermediate plates 10c having the same diameter laminated between the top plate 10a and the bottom plate 10b. Each of the top plate 10a, the intermediate plate 10c, and the bottom plate 10b is integrally supported by four rod-shaped members 10d. The top plate 10a, the intermediate plate 10c, the bottom plate 10b, and the rod-shaped member 10d are made of quartz glass, SiC, Si-impregnated SiC, respectively.
And the like.
【０００９】図２はウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の一例を示したものである。先ず底板１０ｂに予
め設けておいた凹部対して４本の棒状部材１０ｄを嵌め
込み樹立させる。続いて底板１０ｂに対して嵌め込み樹
立された４本の棒状部材１０ｄをガイドとして予め貫通
孔を備えた中間板１０ｃを順次重ね合わせる。そして最
後に棒状部材１０ｄの頂板１０ａに予め設けておいた凹
部を嵌め込むことで支持テーブルが形成される。前述し
た組み立てに際し、底板１０ｂの凹部に対して４本の棒
状部材１０ｄを嵌め込む際、材料が石英ガラスの場合は
溶接され、またＳｉＣ等の場合には接着剤を併用しても
よい。また底板１０ｂに対して中間板１０ｃを順次重ね
合わせる場合、さらに最後に頂板１０ａの凹部を棒状部
材１０ｄの頂部に嵌め込む場合においても同様に行うこ
とができる。FIG. 2 shows an example of an assembling process of the wafer boat support table. First, four rod-shaped members 10d are fitted into recesses provided in advance on the bottom plate 10b to establish them. Subsequently, an intermediate plate 10c having a through hole in advance is sequentially overlapped with the four rod-like members 10d fitted and established in the bottom plate 10b as guides. Finally, a support table is formed by fitting a recess provided in advance into the top plate 10a of the rod-shaped member 10d. When fitting the four rod-shaped members 10d into the recesses of the bottom plate 10b during the above-described assembly, welding is performed when the material is quartz glass, and an adhesive may be used together when the material is SiC or the like. The same applies to the case where the intermediate plate 10c is successively superimposed on the bottom plate 10b, and finally the case where the concave portion of the top plate 10a is fitted to the top of the rod-shaped member 10d.
【００１０】図３の（Ａ）および（Ｂ）はウエハボート
支持テーブルの断面を一部拡大して示したものである。
まず図３（Ａ）に示すように、互いに積層される中間板
１０ｃの表面は平滑面１０ｃ1 に成されており、またそ
の裏面は梨地状の加工が施され、梨地面１０ｃ2 に成さ
れている。中間板１０ｃの裏面に施される梨地状の加工
はサンドブラスト手段により成される。要するにこの図
３（Ａ）に示すものは、基材の一面のみに梨地状の加工
が施されている例を示している。この梨地状の加工によ
つて得られる梨地面１０ｃ2 の好ましい表面粗さは、Ｊ
ＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲmax で５〜５０μｍ、
より好ましくは１０〜３０μｍである。５μｍ未満では
赤外線透過率が７０％以上となり、好ましくはない。赤
外線透過率を５０％未満とするためには、表面粗さＲ
max を５μｍ以上する必要がある。また、表面粗さＲ
max が５０μｍを越えると上記多数の微小空間が開放的
となり、断熱効果が得られなくなる。また図３（Ｂ）に
示す例は、互いに積層される中間板１０ｃの表面および
裏面の両面に梨地状の加工が施された例を示している。
すなわち、中間板１０ｃの表面には梨地面１０ｃ3 が施
され、また中間板１０ｃの裏面には梨地面１０ｃ2 が施
されている。この中間板１０ｃの表裏両面に設けられる
梨地面１０ｃ3 、１０ｃ2 は前記図３（Ａ）の場合と同
様にそれぞれサンドブラスト手段により形成される。こ
の梨地状の加工によつて得られる梨地面１０ｃ2 の好ま
しい表面粗さは、ＪＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲ
max で５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍで
ある。５μｍ未満では赤外線透過率が７０％以上とな
り、好ましくはない。赤外線透過率を５０％未満とする
ためには、表面粗さＲmax を５μｍ以上する必要があ
る。また、表面粗さＲmax が５０μｍを越えると上記多
数の微小空間が開放的となり、断熱効果が得られなくな
る。この様にして形成されたウェハボート支持テーブル
１０は、前述した図６に示すように、その上側面にウェ
ハボート３が載置固定され、またその下側面は昇降装置
４に連結された駆動部材５に固定される。従ってウェハ
ボート支持テーブル１０の上側面は、半導体ウェハの熱
処理工程において熱処理用炉心管８内からの赤外線輻射
を受け、１０００℃以上の高温に晒されることになる。
しかしながら支持テーブル１０は、複数枚の各板状の基
材の一面または両面に梨地状の加工が施されているの
で、この梨地状加工部分で赤外線の透過が遮蔽される。
しかもテーブル上側部から下側部の方向に基材が積層さ
れているので各基材毎にその作用が繰り返され、このた
めに充分な断熱作用を持たせることができ、炉心管８内
の均一保温と共に、駆動部材５等対して有害な熱の伝達
が阻止される。FIGS. 3A and 3B show a partially enlarged cross section of the wafer boat support table.
First, as shown in FIG. 3 (A), the surface of the intermediate plate 10c which are stacked one another are made to smooth surface 10c 1, and whose rear surface is satin-like processing is given, made in textured surface 10c 2 ing. The satin-like processing applied to the back surface of the intermediate plate 10c is performed by sandblasting. In short, what is shown in FIG. 3A shows an example in which only one surface of the base material is processed in a satin finish. Preferred surface roughness of the textured surface 10c 2 obtained Te cowpea This satin-like machining, J
5 to 50 μm in R max of IS, B0601-1976,
More preferably, it is 10 to 30 μm. If it is less than 5 μm, the infrared transmittance is 70% or more, which is not preferable. In order to make the infrared transmittance less than 50%, the surface roughness R
It is necessary to set max to 5 μm or more. Also, the surface roughness R
If max exceeds 50 μm, the above-mentioned many minute spaces become open, and the heat insulating effect cannot be obtained. Further, the example shown in FIG. 3B shows an example in which both surfaces of the front and back surfaces of the intermediate plates 10c stacked on each other are subjected to satin finish processing.
That is, the surface of the intermediate plate 10c is satin finished surface 10c 3 is subjected, also in the back surface of the intermediate plate 10c mat surface 10c 2 is applied. The matte surfaces 10c 3 and 10c 2 provided on the front and back surfaces of the intermediate plate 10c are formed by sand blasting as in the case of FIG. 3A. Preferred surface roughness of the textured surface 10c 2 obtained Te cowpea This satin-like processing, JIS, B0601-1976 of R
The maximum is 5 to 50 μm, more preferably 10 to 30 μm. If it is less than 5 μm, the infrared transmittance is 70% or more, which is not preferable. In order to make the infrared transmittance less than 50%, the surface roughness Rmax needs to be 5 μm or more. On the other hand, when the surface roughness R max exceeds 50 μm, the large number of minute spaces become open, and the heat insulating effect cannot be obtained. As shown in FIG. 6, the wafer boat support table 10 thus formed has a wafer boat 3 mounted and fixed on its upper surface, and a lower surface connected to a driving member connected to the elevating device 4. Fixed to 5. Accordingly, the upper surface of the wafer boat support table 10 is subjected to infrared radiation from inside the heat treatment furnace tube 8 in the heat treatment step of the semiconductor wafer, and is exposed to a high temperature of 1000 ° C. or more.
However, since one or both surfaces of the plurality of plate-shaped substrates are subjected to satin finish processing, the support table 10 blocks transmission of infrared rays at the satin finished portions.
Moreover, since the base material is laminated in the direction from the upper part to the lower part of the table, the action is repeated for each base material, so that a sufficient heat insulating action can be provided, and the uniformity in the furnace tube 8 can be improved. At the same time as keeping the temperature, transmission of heat harmful to the driving member 5 and the like is prevented.
【００１１】図４はウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の他の例を示したものである。この例において
は、先ず底板１０ｂに予め設けておいた凹部対して４本
の棒状部材１０ｄが嵌め込み樹立される。そして底板１
０ｂに対して樹立された棒状部材１０ｄの各頂部に頂板
１０ａに予め設けておいた凹部を嵌め込むことで、底板
１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａから成る組
み立て体が完成する。一方、中間板１０ｃには棒状部材
１０ｄの配置間隔に一致した間隔を有する２本のスリッ
ト１１が平行に設けられている。従って中間板１０ｃに
おける２本のスリット１１の解放部を各棒状部材１０ｄ
に向けて水平方向に移動させることで、頂板１０ａと底
板１０ｂとの間に中間板１０ｃを挿入配置させることが
できる。この様にして複数枚の中間板１０ｃを順次頂板
１０ａと底板１０ｂとの間に挿入配置させることで、図
１に示したものと同様の全体として円柱状のウェハボー
ト支持テーブルを組み立てることができる。なお、この
場合、底板１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａ
から成る組み立て体に対して、中間板１０ｃは４方向か
ら水平に挿入することができる。従って順次挿入方向を
変えて積層させることによって、放熱方向をランダムに
させることが可能であり、また熱応力を緩和させること
ができ、この例においては最も好ましい。FIG. 4 shows another example of the assembling process of the wafer boat support table. In this example, first, four rod-shaped members 10d are fitted and established in the recesses provided in advance in the bottom plate 10b. And bottom plate 1
By fitting a recess provided in the top plate 10a into each top of the bar member 10d established with respect to the bottom plate 10b, an assembly including the bottom plate 10b, the four bar members 10d, and the top plate 10a is completed. On the other hand, two slits 11 having an interval corresponding to the arrangement interval of the rod-shaped members 10d are provided in parallel on the intermediate plate 10c. Therefore, the open portions of the two slits 11 in the intermediate plate 10c are connected to the respective rod-shaped members 10d.
, The intermediate plate 10c can be inserted and arranged between the top plate 10a and the bottom plate 10b. In this manner, by sequentially inserting the plurality of intermediate plates 10c between the top plate 10a and the bottom plate 10b, it is possible to assemble an overall columnar wafer boat support table similar to that shown in FIG. . In this case, the bottom plate 10b, the four rod-shaped members 10d, and the top plate 10a
, The intermediate plate 10c can be inserted horizontally from four directions. Therefore, by successively changing the insertion direction and stacking, the heat radiation direction can be made random and the thermal stress can be reduced, which is the most preferable in this example.
【００１２】図５は本発明のウェハボート支持テーブル
の第２の実施例を一部を拡大した断面図で示したもので
ある。この図５に示した支持テーブル１０は、テーブル
上面が、梨地状となっており、この上部に鏡面板１２が
配置されている。この鏡面板１２は例えばシリコン単結
晶半導体ウエハをミラ−研磨したもので形成される。通
常鏡面研磨したミラ−面の表面粗さは非接触表面粗さ計
での測定では、Ｒa （Ｒms）＝３〜５Å、Ｒmax
（Ｒpu）＝１０〜１５Åとなっている。本発明では少な
くとも表面粗さがＲa ＝０．０１μｍ以下、かつＲmax
＝０．０５μｍ以下となっていれば良い。また、鏡面板
１２は少なくとも配置される上面側が鏡面研磨されてい
れば良い。この図５に示した例によると、テーブル上面
に鏡面板１２の上面が鏡面研磨されているため、先ず炉
心管内の輻射赤外線の大部分はこの鏡面板１２によって
炉心管内に反射され、テーブル側に伝達される熱量を極
めて少なくさせることが可能になる。またテーブル側に
伝達された輻射赤外線は上記鏡面板１２とテ−ブルの上
面の梨地面１０ｃ２の間に介在する多少の微小空間によ
り効果的に遮断されることになり、断熱効果を上げるこ
とができる。尚、上記第１実施例と第２実施例はこれら
を組み合わせることにより、一層の相乗効果をうること
ができる。またこの場合には第２実施例の鏡面板の配置
に換えて、テ−ブルの上面を平滑面とし、この表面に鏡
面層をＳｉの蒸着またはスパッタリング等の方法により
形成してもよい。FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of a second embodiment of the wafer boat support table according to the present invention. The support table 10 shown in FIG. 5 has a satin-like upper surface, and a mirror plate 12 is disposed above the upper surface. The mirror plate 12 is formed, for example, by mirror-polishing a silicon single crystal semiconductor wafer. Normally, the surface roughness of a mirror-polished mirror surface is measured by a non-contact surface roughness meter as Ra (R ms ) = 3 to 5 °, R max
(R pu ) = 10-15 °. In the present invention, at least the surface roughness is Ra = 0.01 μm or less and R max
= 0.05 μm or less. The mirror plate 12 only needs to be mirror-polished at least on the upper surface side on which it is disposed. According to the example shown in FIG. 5, since the upper surface of the mirror plate 12 is mirror-polished on the upper surface of the table, most of the radiated infrared rays in the core tube are first reflected by the mirror plate 12 into the core tube, and The amount of heat transferred can be made extremely small. Further, the radiated infrared rays transmitted to the table side are effectively blocked by a small space intervening between the mirror plate 12 and the matte surface 10c2 on the upper surface of the table, thereby improving the heat insulating effect. it can. In the first embodiment and the second embodiment, a further synergistic effect can be obtained by combining them. In this case, instead of the arrangement of the mirror plate of the second embodiment, the upper surface of the table may be made a smooth surface, and a mirror surface layer may be formed on this surface by a method such as evaporation or sputtering of Si.
【００１３】[0013]
【発明の効果】本発明のウェハボート支持テーブルは、
板状の基材を複数枚積層し、且つ各板状の基材の一面ま
たは両面に梨地状の加工を施したため、この梨地状加工
部分が炉心管側から輻射される赤外線の透過を効果的に
阻止し、支持テーブル上側部の近辺で赤外線が吸収され
て発熱する。しかもテーブル上側部から下側部の方向に
基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り返
され、このために充分な断熱作用を持たせることがで
き、炉心管内の均一保温と共に、駆動部材等対して有害
な熱の伝達が阻止される。The wafer boat support table of the present invention is
Since a plurality of plate-shaped base materials are laminated, and one or both surfaces of each plate-shaped base material are subjected to satin-like processing, this satin-finished portion effectively transmits infrared radiation radiated from the core tube side. And infrared rays are absorbed near the upper portion of the support table to generate heat. Moreover, since the base material is laminated in the direction from the upper part of the table to the lower part, the action is repeated for each base material, so that sufficient heat insulating action can be provided, and the uniform heat retention in the furnace tube is achieved. The transmission of heat harmful to the driving members and the like is prevented.
【００１４】また本発明のウェハボート支持テーブル
は、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地状と
なっており、この上部に鏡面板が配置されているため、
炉心管側から輻射される赤外線の大部分はこの鏡面板に
よって炉心管内に反射される。このために、一層の断熱
効果を期待することができる。以上のように本発明のウ
ェハボート支持テーブルによると、充分な断熱作用、耐
熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿論のこと、
また前記した従来のもののようにコストの上昇を招くこ
となく、さらに炉心管内のクリーン度を低下させる等の
問題を引き起こすことのない商品を提供することができ
る。In the wafer boat support table of the present invention, at least the upper surface on which the wafer boat is mounted has a satin finish, and a mirror plate is disposed on the upper surface.
Most of the infrared rays radiated from the furnace tube side are reflected into the furnace tube by the mirror plate. For this reason, a further heat insulating effect can be expected. As described above, according to the wafer boat support table of the present invention, it is needless to say that the wafer boat support table has a sufficient heat insulating effect, heat resistance and thermal shock resistance.
Further, it is possible to provide a product which does not cause an increase in cost and does not cause a problem such as a decrease in cleanliness in the furnace tube, unlike the above-described conventional device.
【図１】本発明のウェハボート支持テーブルの第１の実
施例を示した断面図FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a wafer boat support table according to the present invention.
【図２】図１に示すウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の例を示した斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing an example of an assembling process of the wafer boat support table shown in FIG. 1;
【図３】図１に示すウェハボート支持テーブルの一部拡
大断面図FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of the wafer boat support table shown in FIG. 1;
【図４】図１に示すウェハボート支持テーブルの組み立
て工程の他の例を示した斜視図FIG. 4 is a perspective view showing another example of the assembling process of the wafer boat support table shown in FIG. 1;
【図５】本発明のウェハボート支持テーブルの第２の実
施例を示した一部拡大断面図。FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view showing a second embodiment of the wafer boat support table of the present invention.
【図６】従来の縦型拡散炉の一例を示した断面図。FIG. 6 is a sectional view showing an example of a conventional vertical diffusion furnace.
１０ ウェハボート支持テーブル １０ａ 板状基材（頂板） １０ｂ 板状基材（底板） １０ｃ 板状基材（中間板） １０ｄ 棒状部材 １０ｃ１ 平滑面 １０ｃ２ 梨地面 １０ｃ３ 梨地面 １１ スリット １２ 鏡面板 Reference Signs List 10 wafer boat support table 10a plate-shaped base material (top plate) 10b plate-shaped base material (bottom plate) 10c plate-shaped base material (intermediate plate) 10d rod-shaped member 10c1 smooth surface 10c2 matte surface 10c3 matte surface 11 slit 12 mirror surface plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/40 H01L 21/469 H01L 21/68 H01L 21/86 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/205 H01L 21/22-21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38-21 / 40 H01L 21/469 H01L 21/68 H01L 21/86
Claims (2)
せるためウェハボートを上側面に載置するウェハボート
支持テーブルであって、前記ウェハボート支持テーブル
は、板状の基材が複数枚積層されて構成され、且つ各板
状の基材の一面または両面が梨地状となっていることを
特徴とするウェハボート支持テーブル。1. A wafer boat support table on which a wafer boat is mounted on an upper surface for writing a semiconductor wafer into a furnace tube for heat treatment, wherein the wafer boat support table is formed by stacking a plurality of plate-shaped base materials. A wafer boat support table, wherein one or both surfaces of each plate-shaped base material have a satin finish.
せるためウェハボートを上側面に載置するウェハボート
支持テーブルであって、前記ウェハボート支持テーブル
は、少なくとも前記ウェハボ−トを載置する上面が梨地
状となっており、この上部に鏡面板が配置されているこ
とを特徴とするウェハボート支持テーブル。2. A wafer boat support table on which a wafer boat is mounted on an upper surface for writing semiconductor wafers into a furnace tube for heat treatment, wherein the wafer boat support table has at least an upper surface on which the wafer boat is mounted. Has a satin-like pattern, and a mirror plate is disposed on the upper surface thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347729A JP3067072B2 (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Wafer boat support table |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347729A JP3067072B2 (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Wafer boat support table |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183245A JPH07183245A (en) | 1995-07-21 |
| JP3067072B2 true JP3067072B2 (en) | 2000-07-17 |
Family
ID=18392199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347729A Expired - Fee Related JP3067072B2 (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Wafer boat support table |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067072B2 (en) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2009010165A (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treating equipment and method of manufacturing semiconductor device |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5347729A patent/JP3067072B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH07183245A (en) | 1995-07-21 |
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