JP3059487B2

JP3059487B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP3059487B2
Application number: JP8515202A
Authority: JP
Inventors: 関口　　金孝
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1994-11-08
Filing date: 1995-11-08
Publication date: 2000-07-04
Anticipated expiration: 2015-11-08
Also published as: US6128050A; EP0793135A1; US6327443B1; EP0793135A4; US6388720B1; EP0793135B1; WO1996014599A1

Description

【発明の詳細な説明】技術分野この発明は、時計，電卓，ビデオカメラ，その他各種
電子機器の表示器として広範に使用されているモノクロ
あるいはカラーの液晶表示装置に関する。

特に、液晶を封入する２枚の基板の一方に第１の電極
と第２の電極を有し、その第１の電極と第２の電極との
間に非線形抵抗層として第１の電極の陽極酸化膜を形成
して、「金属−絶縁膜−金属」あるいは「金属−絶縁膜
−透明導電体」構造の非線形抵抗素子を設けた液晶表示
装置の構成に関するものである。

背景技術近年、液晶パネルを用いた液晶表示装置の表示容量
は、大容量化の一途をたどっている。

そして、単純マトリクス構成の液晶表示装置にマルチ
プレクス駆動を用いる方式においては、高時分割化する
に従ってコントラストの低下あるいは応答速度の低下が
生じる。このため、200本程度の走査線を有する場合に
は、充分なコントラストを得ることが難しくなる。

そこで、このような欠点を除去するために、それぞれ
の画素にスイッチング素子を設けるアクティブマトリク
ス方式の液晶表示パネルが採用されている。

このアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルに
は、大別すると、スイッチング素子として薄膜トランジ
スタ（Thin−Film−Transistor:以下「TFT」と称す」を
用いる三端子系と、非線形抵抗素子を用いる二端子系と
がある。そして、構造や製造方法が簡単な点で二端子系
の方が優れている。

この二端子系には、ダイオード型やバリスタ型、ある
いは薄膜ダイオード（Thin−Film−Diode:以下「TFD」
と称す）型などが開発されている。

このうち、TFD型は特に構造が簡単で、そのうえ製造
工程が短いという特徴を備えている。

さらに、液晶表示パネルは高密度でしかも高精細化が
要求され、スイッチング素子の占有面積を小さくする必
要がある。

その高密度化高精細化の手段として、半導体製造技術
の微細加工技術であるフォトリソグラフィ技術とエッチ
ング技術とがある。しかしながら、この半導体製造技術
を用いても、大面積加工が可能でしかも低コストを実現
するのは非常に困難である。

そこで、大面積化および低コスト化に有効なスイッチ
ング素子を有する従来の液晶表示装置の構造を、その一
例を示す液晶表示装置の平面図である第45図、その一部
を拡大して示す平面図である第46図、及びそのＸ−Ｘ線
に沿う断面図である第47図を用いて説明する。

この液晶表示装置は、第47図に明示されるように、そ
れぞれ透明材料からなる第１の基板１と第２の基板11と
をスペーサ17を介して所定の間隔をもって対向させ、そ
の間に液晶16を封入している。

その第１の基板１上には、第１の電極として下部電極
２と信号電極４を設け、その下部電極２上に非線形抵抗
層３を設ける。さらに、その非線形抵抗層３上にオーバ
ラップするように第２の電極として上部電極６を設け
て、非線形抵抗素子９を構成している。第２の電極とし
ての上部電極６は、第46図に示されるように表示電極７
から延設しており、一部は表示電極を兼ねている。

この非線形抵抗素子９と表示電極７は、マトリクス状
に設けられている。

一方、第２の基板11の第１の基板１と対向する面に
は、第１の基板１上に設けた各表示電極７の隙間からの
光の漏れを防止するために、第46図に斜線を施して示す
領域全体にブラックマトリクス12を設けている。すなわ
ち、非表示部に遮光部としてブラックマトリクス12を設
けている。

さらに、第２の基板11には、対向電極13を第47図に示
すように表示電極７と対向させて、ブラックマトリクス
12と接触して短絡しないように層間絶縁膜14を介して帯
状に設けている。

なお、第46図においては、第１の基板１上の第１の電
極である下部電極２および信号電極４と、第２の電極で
ある上部電極６と表示電極７はいずれも破線で示し、非
線形抵抗層３は図示を省略し、第２の基板11の下面のブ
ラックマトリクス12と対向電極13は実線で示している。

そして、第１の基板１上に設ける下部電極２は、非線
形抵抗素子９を設けるために信号電極４から張り出して
おり、この張り出し領域としての下部電極２が上部電極
６とオーバラップして、非線形抵抗素子９を構成してい
る。

また、第１の電極としての信号電極４と第２の電極と
しての表示電極７とは、第46図に示すように所定寸法の
間隙ｄを有している。

表示電極７は、液晶16を介して対向電極13と重なり合
うように配置することにより、液晶表示パネルの画素部
となる。

ブラックマトリクス12は、表示電極７の形成領域にま
で一定量オーバラップするように設け、表示電極７の周
辺部の領域からの光の漏れを防止する役割をもってい
る。

表示電極７上のブラックマトリクス12が形成されてい
ない領域の液晶16の透過率変化により、液晶表示装置は
所定の画像表示を行う。

さらに、第１の基板１と第２の基板11の対向面側に
は、液晶16の分子を規則的に並べるための処理層とし
て、それぞれ配向膜15,15を設けている。

そして、第45図に示すように、第１の基板１上にはＭ
行の信号電極４を設け、第２の基板11上にはＮ列の対向
電極13またはデータ電極を設けて、Ｍ行Ｎ列のマトリク
スからなる１点鎖線で示す表示領域18を有する液晶表示
装置を構成している。

そのＭ行の信号電極４とＮ列の対向電極13またはデー
タ電極の交点には、それぞれ表示電極７を有し、その信
号電極４と表示電極７の間には、非線形抵抗素子（この
例ではTFD）９を設けている。

さらに、第１の基板１上には、Ｍ行の信号電極４を相
互に接続する陽極酸化用電極５を有し、その陽極酸化用
電極５と反対の方向には、各信号電極４を外部回路と接
続するための接続電極８を有している。

このように、陽極酸化用電極５によって各列の信号電
極４を接続し、その信号電極に接続されている各下部電
極２に対して一度に陽極酸化処理を行って、その表面に
非線形抵抗層３（第47図）を形成するが、その処理後に
は各列の信号電極４を分離して独立させなければならな
い。

そのため、第45図に示すように、陽極酸化用電極５を
第１の基板１の分離線（破線で示す）34より外方に長さ
Ｌだけ延設した切断部分62に設けて、陽極酸化処理後に
分離線34で切断して、陽極酸化用電極５を切断部分62と
共に第１の基板１から切り離すようにしている。

しかしながら、このように陽極酸化用電極５を信号電
極４と分離するためには、この切断部分62を設ける必要
があり、それは分離線34に切り込みを入れた後、作業者
が指で折り曲げて切断できるだけの大きさが必要であ
り、それだけ材料が無駄になるという問題がある。

さらに、切断部分62を信号電極４より切り離す工程に
おいて、静電気によって非線形抵抗素子９の特性を劣化
させる可能性もある。

また、第１の基板１の切断されたところには各信号電
極の端面が露出するため、ゴミや水分の吸着によって複
数の信号電極間で短絡が発生する恐れもある。

また、陽極酸化用電極５を切断する工程をどの時点で
行うかによって、非線形抵抗素子９の特性劣化や破壊を
招くことがある。

非線形抵抗素子９を有する基板１を液晶表示装置用に
加工する工程処理である、液晶を規則正しく配列するた
めの配向処理や、装置間の搬送時や検査工程時に、陽極
酸化用電極５が分離していると、局所的に発生する静電
気を分散できない。

そのために、非線形抵抗素子９に過剰な電圧が印加さ
れることになり、非線形抵抗素子９の劣化や破壊が発生
することがある。

さらに、液晶表示装置の検査中には、陽極酸化用電極
を相互に接続していることにより、非線形抵抗素子９の
劣化や破壊の発生を防止することができる。

さらにまた、液晶表示装置の検査工程のとき、相互に
接続している陽極酸化用電極５に電圧を印加するだけで
各表示電極７に電圧を印加できるため、検査を容易に行
うことができる。

特に、外部回路を非線形抵抗素子９を形成する基板１
上に実装するとき、たとえば高密度な実装が可能である
集積回路を導電性接着剤を使用して基板上に実装するチ
ップ・オン・ガラス（COG）実装法のときには、実装前
に実装用電極上と導電ペースト間に汚染物質が混入しな
いことが要求される。

そのため、前述のように第１の基板に切断部分を設け
てそこに陽極酸化用電極を形成し、陽極酸化処理後にそ
の切断部分を切断して各信号電極から切り離す構造で
は、材料の無駄になるばかりか、上述のような種々の要
求を満たすことができなかった。

そのため、この発明は、上記のような各種の工程が終
了した後に陽極酸化用電極の一部をエッチングによって
簡単に除去して、各信号電極が独立するようにした液晶
表示装置を提供し、非線形抵抗素子の製造工程、あるい
はそれ以後の液晶表示装置化への工程時に発生する静電
気による非線形抵抗素子の劣化や破壊を防止し、非線形
抵抗素子の欠陥を減らし、非線形抵抗素子の特性を安定
にすることを第１の目的とする。

また、第46図に示した切断部分のような無駄に廃棄す
る部分をなくし、陽極酸化処理に使用した陽極酸化用電
極の各信号電極を独立させた後に残存する部分を有効に
利用することも他の目的とする。

さらに、前述した従来の非線形抵抗素子を有する液晶
表示装置は、信号電極を金属膜によって形成し、初期の
信号電極と最終の信号電極の配線幅が同一である。その
ため、信号電極の一部にエッチング不良が発生した場合
には修正がしにくいという問題があった。

また、信号電極を陽極酸化用電極の一部として使用す
る場合には、信号電極が断線すると陽極酸化膜を形成で
きなくなる。さらに、陽極酸化膜を均一に形成するため
には、陽極酸化用電極をできるだけ幅広く形成しておく
必要がある。

さらにまた、表示電極として透明導電性膜を使用する
場合には、透明導電性膜のエッチング不良により信号電
極と表示電極とが電気的に短絡（ショート）していて
も、表示電極が透明なためその短絡箇所を容易に検出す
ることができなかった。

なお、TFT素子に関しても、ゲート電極を陽極酸化用
電極として利用し、ゲート絶縁膜としてゲート電極の陽
極酸化膜を用いるようにした場合には、TFD素子の場合
と同様に陽極酸化用電極の断線あるいは、信号電極（ゲ
ート電極あるいはソース電極）と透明な表示電極との電
気的短絡が発生する恐れがある。

そのため、この発明は、信号電極を陽極酸化用電極の
一部として使用して、各非線形抵抗素子の非線形抵抗層
とする陽極酸化膜を確実且つ均一に形成できるようにす
ると共に、その信号電極の一部にエッチング不良が発生
した場合にも容易に修正できるようにすること、および
透明導電性膜の表示電極と信号電極あるいは陽極酸化用
電極との電気的短絡が発生した場合に、その短絡箇所を
検出し易くすることも目的とする。

発明の開示この発明は上記の目的を達成するため、液晶表示装置
を次のように構成する。

この発明の対象とする液晶表示装置は、第１の基板と
第２の基板とを所定の間隔をもって対向させ、その第１
の基板上に、複数の電極を設け、その複数の電極が重な
り合う領域に、一方の電極の陽極酸化膜により非線形抵
抗層を形成して、TFD素子あるいTFT素子等の非線形抵抗
素子を設ける。そして、その第１の基板と第２の基板と
の間に液晶を封入した構造のものである。

そして、上記非線形抵抗層を形成するために陽極酸化
膜を形成する各電極を、予め相互に接続して陽極酸化処
理を速く均一に行えるようにする陽極酸化用電極と、そ
の陽極酸化用電極の一部をマスクする他の電極とを設
け、陽極酸化処理後にその他の電極をマスクとしてエッ
チングにより陽極酸化用電極の露出部分を除去すること
により、各電極が独立しているものである。

したがって、マスキング用の特別な被覆を省略するか
少なくすることができ、陽極酸化処理後の任意の工程で
容易に各電極の独立のためのエッチング処理を行なうこ
とができる。

また、陽極酸化用電極の残った部分を、接続電極や入
力電極（端子）等に有効に利用することができる。

また、その陽極酸化用電極を表示領域の周囲や表示素
子部の周囲に設けることにより、それを遮光部として利
用することができ、ブラック・マトリクスがない液晶表
示装置にも見切りを設けることができる。

さらに、その陽極酸化用電極の幅を初期には広くして
おくことにより、陽極酸化膜の均一性の向上および切断
等の防止効果を高めることができ、電極の一部に欠陥が
生じた場合にも陽極酸化用電極の幅広部を利用して補修
することが可能になる。

図面の簡単な説明第１図はこの発明の第１実施例の液晶表示装置の一部
を示す平面図であり、第２図は図１のＡ−Ａ線に沿う断
面図である。

第３図はこの発明の第２実施例の液晶表示装置の一部
を示す平面図であり、第４図は図３のＢ−Ｂ線に沿う断
面図である。

第５図はこの発明の第３実施例による液晶表示装置の
基板を大型基板上に複数個配置する状態を示す平面図で
ある。

第６図は第５図に破線で囲んで示す２個の液晶表示装
置用基板の境界部を拡大して示す平面図である。

第７図は液晶表示装置を構成した状態で第６図のＣ−
Ｃ線に沿う断面図、第８図は同じくＤ−Ｄ線に沿う断面
図である。

第９図はこの発明の第４実施例による液晶表示装置の
第１の基板側の一部を示す平面図であり、第10図は液晶
表示装置を構成した状態で第９図のＥ−Ｅ線に沿う断面
図である。

第11図はこの発明の第５実施例による液晶表示装置の
全体構成を示す平面図、第12図は第11図に破線a,bでそ
れぞれ囲んだ部分を拡大して示す平面図である。

第13図は液晶表示装置を構成した状態で第12図のＦ−
Ｆ線に沿う断面図、第14図は同じく第12図のＧ−Ｇ線に
沿う断面図である。

第15図はこの発明の第６実施例による液晶表示装置の
一部を拡大して示す平面図であり、第16図は第15図のＨ
−Ｈ線に沿う断面図である。

第17図はこの発明の第７実施例による液晶表示装置の
一部を拡大して示す平面図であり、第18図は第17図のＩ
−Ｉ線に沿う断面図である。

第19図はこの発明の第８実施例による液晶表示装置の
全体構成を示す平面図、第20図は第19図の一部分を拡大
して示す平面図、第21図は第20図のＪ−Ｊ線に沿う断面
図である。

第22図はこの発明の第９実施例による液晶表示装置の
一部分を拡大して示す平面図であり、第23図は第22のＫ
−Ｋ線に沿う断面図である。

第24図はこの発明の第10実施例による液晶表示装置の
TFD素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面
図、第25図は第24図のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。

第26図乃至第29図はこの発明の第10実施例による液晶
表示装置の平面図とそのアクティブ基板の製造方法を工
程順に示す断面図である。

第30図はこの発明の第11実施例における液晶表示装置
のTFD素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面
図であり、第31図は第30図のＭ−Ｍ線に沿う断面図であ
る。

第32図乃至第34図はこの発明の第11実施例における液
晶表示装置のアクティブ基板の製造方法を工程順に示す
断面図である。

第35図はこの発明の第12実施例における液晶表示装置
のTFD素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面
図であり、第36図は第35図のＮ−Ｎ線に沿う断面図であ
る。

第37図はこの発明の第13実施例における液晶表示装置
のTFD素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面
図であり、第38図は第37図のＰ−Ｐ線に沿う断面図であ
る。

第39図はこの発明の第14実施例による液晶表示装置の
TFT素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面図
であり、第40図は第39図のＱ−Ｑ線に沿う断面図であ
る。

第41乃至第44図はこの発明の第14実施例による液晶表
示装置のアクティブ基板の製造方法を工程順に示す断面
図である。

第45図は従来の液晶表示装置の一例を示す全体の平面
図、第46図はその一部を拡大して示す平面図、第47図は
第46図におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。

発明を実施するための最良の形態この発明の内容をより詳細に説明するために、添付の
図面を参照しながらこの発明の実施例を説明する。

なお、以下の各実施例の説明に使用する第１図乃至第
44図において、前述した第45図乃至第47図と対応する部
分、および各実施例の図においてそれぞれ対応する部分
には同一の符号を付してある。

〔第１実施例〕先ず始めに、この発明の第１実施例である液晶表示装
置の構成を、第１図と第２図に基づいて説明する。

第１図は第１実施例の液晶表示装置の一部を示す平面
図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。なお、第１図では第1,第２の基板自体は図示を省略
している。

この液晶表示装置の基本的構成は、前述した従来例と
同様であり、第２図に示すように、それぞれ透明なガラ
ス等の材料からなる第１の基板１と第２の基板11とを図
示しないスペーサを介して所定の間隔をもって対向さ
せ、その間に液晶16を封入している。

そして、その第１の基板１上には、第１の電極とし
て、タンタル（Ta）膜からなる下部電極２と信号電極４
と陽極酸化用電極５とを設けている。また、下部電極２
上には、その下部電極２自体の陽極酸化膜である酸化タ
ンタル（Ta2 O5）膜からなる非線形抵抗層３を形成して
いる。その陽極酸化膜は下部電極２上だけでなく、第１
の電極の全表面、すなわち信号電極４および陽極酸化用
電極５の表面にも形成される。

さらに、第２の電極として、非線形抵抗層３上の上部
電極６と、その上部電極６と接続する表示電極７と、陽
極酸化用電極５の一部をなす接続電極８とを、酸化イン
ジウム錫（ITO）膜で設けている。

これらの下部電極２と非線形抵抗層３と上部電極６と
によって、TFD構造の非線形抵抗素子９を構成してい
る。

さらに、第２の電極からなる接続電極８は、第１の電
極からなる陽極酸化用電極５の一部を覆い、陽極酸化処
理時には第１図に仮想線で示すように、各行の信号電極
４を相互に接続している陽極酸化用電極５のランナー部
5aを、陽極酸化処理後にこの接続電極８による分離辺10
にて相互に分離し、それぞれ独立した信号電極４を構成
する。

この接続電極８は、第２図に示すようにこの液晶表示
装置を駆動するドライバIC100の出力端子100aと接続す
る電極である。

さらに、第２の基板11の内側の面には、第１の基板１
上に設けた各表示電極７の間隙からの光の漏れを防止す
るために、クロム（Cr）膜からなるブラックマトリクス
12を設けている。

なお、第１図に示すように、第１の基板１上の表示電
極７に対向する第２の基板11の領域には、ブラックマト
リクス12は設けない。

また、この第２の基板11の内側の面には、表示電極７
と対向するように酸化インジウム錫膜からなる対向電極
13を設けている。この対向電極13は、ブラックマトリク
ス12と接触して短絡しないように、層間絶縁膜14を介し
て設ける。

さらに第１図に示すように、第１の電極（信号電極
４）と表示電極７とは、両者が短絡しないように所定寸
法の間隙を有する。

表示電極７は、第２図に示すように液晶16を介して対
向電極13と重なり合うように配置されることにより、液
晶表示パネルの表示画素部となる。この各表示画素部で
は、ブラックマトリクス12は開口部12aを設けている。
そして、第１図に斜線を施して示すブラックマトリクス
12の形成領域が遮光部となる。

上述した表示画素部の液晶16の透過率の変化により、
この液晶表示装置は所定の画像表示を行う。

さらに、第１の基板１と第２の基板11とは、液晶16の
分子を規則的に並べるための処理層として、それぞれ配
向膜15,15を設けている。

以上説明したこの第１実施例の構成により、第１の電
極からなる陽極酸化用電極５は、第２の電極からなる接
続電極８により自己整合的に分離する構成を有する。

すなわち、下部電極２上に非線形抵抗層を形成するた
めの陽極酸化処理を行う際には、各行の信号電極４が陽
極酸化用電極５によって相互に接続されている。そし
て、陽極酸化処理後のたとえば液晶表示パネルの検査後
に、第２の電極からなる接続電極８をマスクとしてエッ
チングを行うことによって、陽極酸化用電極５の接続電
極８に覆われていないランナー部5aが除去され、接続電
極８の分離辺10にて相互に分離されて、各行の独立した
信号電極４を構成する。

このように、第２の電極である接続電極８をエッチン
グのマスクとして使用するため、液晶表示パネルの製造
工程中や検査工程中、あるいは検査後に、相互に接続さ
れている各信号電極４を独立した信号電極に加工するこ
とが可能となる。

それによって、その各接続電極８と独立した信号電極
４を用いて、各行の非線形抵抗素子９に外部信号を印加
することが可能になる。

また、非線形抵抗素子９を有する第１の基板１に配向
膜15を印刷する工程や、配向膜15その表面を布で擦って
配向処理を行う工程等の静電気の発生を伴う工程では、
各信号電極４が陽極酸化用電極５によって相互に接続さ
れたままの状態にしておくことにより、非線形抵抗素子
９の特性劣化を防止することができる。

それによって、均一で安定した特性の良好な表示品質
を有する液晶表示装置を得ることができる。

〔第２実施例〕次に、この発明の第２実施例である液晶表示装置の構
造を、第３図及び第４図に基づいて説明する。

第３図はその第２実施例の液晶表示装置の一部を示す
平面図であり、第４図は第３図のＢ−Ｂ線に沿う断面図
である。なお、第３図では第1,第２の基板自体は図示を
省略している。

この実施例においても、第１の基板１上には、タンタ
ル（Ta）膜からなる第１の電極として、下部電極２と信
号電極４と陽極酸化用電極５を設けている。そして、そ
の下部電極２を含む第１の電極の表面には、その第１の
電極自体の陽極酸化膜として酸化タンタル（Ta2 O5）膜
からなる非線形抵抗層３を形成する。

さらに、第２の電極として、非線形抵抗層３上にクロ
ム（Cr）膜からなる上部電極６を設けると共に、陽極酸
化用電極の一部をなす第１の接続電極22を同じクロムで
設けている。

これらの下部電極２と非線形抵抗層３と上部電極６と
によって、TFDの構造の非線形抵抗素子９を構成する。

第１の基板１上にはさらに、第３の電極として、表示
電極７と陽極酸化用電極５の一部をなす第２の接続電極
８（第１実施例の接続電極８に相当する）とを、酸化イ
ンジウム錫（ITO）膜で設けている。その上部電極６
は、表示電極７の一部である接続部7aによって表示電極
７と電気的に接続されている。

さらに、第２の電極からなる第１の接続電極22と第３
の電極からなる第２の接続電極８とは、第１の電極から
なる陽極酸化用電極５の一部を覆っており、その陽極酸
化用電極５は、第２の接続電極８の分離辺10で分離され
て、独立する接続端子23,24,25,…を構成する。

その接続端子23,24,25,…は、それぞれ分離された陽
極酸化用電極５を介して各行の信号電極４と導通してい
るから、各接続端子23,24,25,…に外部回路（第１実施
例の場合と同様にドライバIC等）を接続して、各行の信
号電極４を介してそれぞれ独立して各非線形抵抗素子９
に電圧を印加し、各表示電極７に目的の表示をさせるこ
とができる。

さらに、この実施例においては、各接続端子23,24,2
5,…と外部回路との接続を、チップ・オン・ガラス（CO
G）法を用いて行なえるように、第１の基板１の端子形
成部1a上に互いに近接させて配設している。

なおCOG法とは、半導体集積回路（IC）上に異方性導
電シール剤や、あるいは導電粒子を凸状に形成し、異方
性導電シール剤中の接着剤を利用して、半導体集積回路
を基板上に実装する方法である。

この第２実施例によっても、下部電極２上に非線形抵
抗層を形成するための陽極酸化処理を行う際には、各行
の信号電極４は陽極酸化用電極５によって相互に接続さ
れている。

そして、陽極酸化処理後のたとえば液晶表示パネルの
検査後に、第２の電極からなる第２の接続電極８をマス
クとしてエッチングを行うことによって、陽極酸化用電
極５の第２の接続電極８に覆われていない各ランナー部
5a（第３図に仮想線で示す）が除去され、第２の接続電
極８の周囲の各分離辺10にて相互に分離されて、各行の
信号電極４をそれぞれ導通する独立した接続端子23,24,
25,…を構成する。

したがって、この第２実施例によれば、高密度実装に
用いるCOG法を利用する場合においても、陽極酸化処理
のときには、各信号電極４を陽極酸化用電極５によって
相互に接続し、その後、所要の工程完了後に、簡単なエ
ッチング処理によって、各信号電極を独立したものとす
ることができる。

そのため、前述の第１実施例と同様な効果が得られる
と共に、液晶表示パネルの作成中、あるいはその検査中
又は検査後に、高密度実装に必要な、高密度な電極端子
の配置を行う場合においても、独立する信号電極の各端
子に簡単に加工することが可能になる。

さらに、第１の電極からなる陽極酸化用電極５上に、
第２の電極からなる第１の接続電極22と第３の電極から
なる第２の接続電極８とを順番に形成しているので、陽
極酸化用電極５と第２の接続電極８との密着力を高める
ことができる。

〔第３実施例〕次に、この発明の第３実施例である液晶表示装置につ
いて、第５図乃至第８図に基づいて説明する。

第５図は、この第３実施例による液晶表示装置の基板
を大型基板上に複数個配置する状態を示す平面図であ
る。第６図は、第５図に破線で囲んで示す２個の液晶表
示装置用基板の境界部を拡大して示す平面図である。第
７図は、第６図のＣ−Ｃ線に沿う断面図、第８図は、同
じくＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

第５図の平面図に示すように、大型の第１の基板30上
に、複数個（この例では６個）の液晶表示装置用基板3
1,32,…を有する。そして、この各液晶表示装置用基板3
1と32は、分離線33,34により分離して使用する構成とな
っている。

さらに、この液晶表示装置用基板31あるいは32（前述
の各実施例における第１の基板１に相当する）には、タ
ンタル（Ta）膜からなる第１の電極として、第６図およ
び第８図に示すように下部電極２と信号電極４と陽極酸
化用電極41とを設ける。

その陽極酸化用電極41は、第６図に示すように液晶表
示装置用基板32側に設けられ、隣接する液晶表示装置用
基板31の各信号電極４を相互に接続し、陽極酸化時に信
号電極４から各下部電極２に電圧を印加する構造を有す
る。

下部電極２上には、下部電極２自体を陽極酸化処理し
て形成する陽極酸化膜である酸化タンタル（Ta2 O5）膜
からなる非線形抵抗層３を設ける。

さらに、その非線形抵抗層３の上に設ける上部電極６
と、その上部電極６と接続する表示電極７と、大型基板
30上に設けた隣接する液晶表示装置用基板の第１の電極
からなる陽極酸化用電極41の一部を覆う入力電極８′
（前述の各実施例における接続電極８に相当する）と
を、酸化インジウム錫（ITO）膜からなる第２の電極と
して設ける。

これらの下部電極２と非線形抵抗層３と上部電極６と
によって、TFD構造の非線形抵抗素子９を構成する。

図６に示すように、第２の電極からなる入力電極８′
は、隣接する液晶表示装置用基板32の第１の電極からな
る陽極酸化用電極41の一部を覆っているので、その陽極
酸化用電極41は陽極酸化処理後に、エッチング処理によ
り入力電極８′と同一な辺で分離され、第６図に仮想線
で示す部分が除去される。それによって、隣接する液晶
表示装置用基板32における独立した入力端子38,39,40
を、ドライバIC用の接続端子23,24,25,26と共に形成す
る。

60は、この液晶表示装置用基板31あるいは32と第２の
基板11との間に液晶16を封入するためのシールであり、
その内部の液晶表示装置としての構成は前述の第１実施
例と同様である。

この第３実施例の構成により、液晶表示装置用基板を
大型基板上に複数個配置する場合においても、陽極酸化
処理の際には、各信号電極４を陽極酸化用電極41によっ
て相互に接続しており、その後の液晶表示パネルの検査
中あるいは検査後に、第２の電極からなる入力電極８′
をマスクとしてエッチング処理を行うことにより、陽極
酸化用電極41として、独立した各信号電極４を得ること
ができる。

したがって、高密度実装に必要な高密度な信号電極の
配置を行うときにおいても、独立する信号電極に簡単に
加工することができる。

そして、大型基板上に複数の液晶表示装置用基板を設
ける場合において、隣接する液晶表示装置の第１の電極
からなる陽極酸化用電極41と第２の電極からなる入力電
極８′を利用して、各信号電極４の接続と分離がなされ
るので、陽極酸化用電極を除去するためのスペースをあ
まり必要としないため、大型基板を有効に使用すること
が可能になる。

そして、陽極酸化用電極41あるいは５の分離後に残っ
た部分を、隣接する液晶表示装置の入力端子あるいは接
続端子として有効に利用することができる。

〔第４実施例〕次に、この発明の第４実施例による液晶表示装置につ
いて、第９図および第10図に基づいて説明する。

第９図は、この第４実施例による液晶表示装置の第１
の基板側の一部を示す平面図であり、第10図は、液晶表
示装置を構成した状態で第９図のＥ−Ｅ線に沿う断面図
である。

この実施例における第１の基板１上には、第１の電極
として、タンタル（Ta）膜からなる下部電極２および信
号電極50と、第１の陽極酸化用電極55および第２の陽極
酸化用電極56とを設けている。

さらに、その下部電極２上には、下部電極２自体の陽
極酸化膜である酸化タンタル（Ta2 O5）膜からなる非線
形抵抗層３を形成している。この陽極酸化膜による非線
形抵抗層３は、下部電極２と同じ第１の電極である信号
電極、および第１の陽極酸化用電極55と第２の陽極酸化
用電極56の表面にもそれぞれ形成される。

また、第２の電極として、非線形抵抗層３上に設ける
上部電極６と、その上部電極６と接続する表示電極７と
を酸化インジウム（ITO）膜によって設けて、また、同
じく酸化タンタルによる第２電極として、シール60より
外側の第１の基板１上に延びる各信号電極50とそれらを
相互に第１の陽極酸化用電極55の一部を覆うように各接
続電極51〜54と、第２の陽極酸化用電極56の殆どを覆う
ように周囲電極58とを設けている。

第２の陽極酸化用電極56及び周囲電極58は、接続電極
51,52,53,54の近傍を囲むように配置し、さらにシール6
0の近傍の表示電極７に近接する周囲電極57と接続して
いる。

上述の下部電極２と非線形抵抗層３と上部電極６とに
よって、TFD構造の非線形抵抗素子９を構成する。

この非線形抵抗素子９に対して、液晶を規則正しく並
べるための配向膜15あるいは液晶16のイオン成分が影響
し、非線形抵抗素子９の特性変化あるいは劣化が生じて
しまうことがある。

この特性変化や劣化を防止するために、非線形抵抗素
子９上とその周辺に透明な絶縁膜48を設けている。

この絶縁膜48は、各信号電極50の接続電極51乃至54お
よび第２の陽極酸化用電極56を連結する第１の陽極酸化
用電極55の上部に開口部49を設けている。

そして、液晶表示装置となった状態では、この絶縁膜
48の開口部に露出する第１の陽極酸化用電極55の第９図
に仮想線で示す部分は除去されている。したがって、接
続電極51〜54,および周囲電極58は、それぞれ電気的に
分離された、独立の電極を構成している。

その他の構成は、前述した各実施例と同じである。

この第４の実施例の液晶表示装置の構成においては、
第１の電極からなる陽極酸化用電極55,56上には、非線
形抵抗素子９の特性変化あるいは特性劣化を防止するた
めの絶縁膜48を設けている。

そして、その絶縁膜48の開口部49内において、第１の
電極からなる陽極酸化用電極55は、第２の電極である一
部の辺にて自己整合して分離された形状を有し、各信号
電極50は独立し、接続電極51〜54は第10図に仮想線で示
すドライバIC100などの外部回路と接続する独立した電
極端子を構成している。

この実施例においても、陽極酸化処理を行うときに
は、各信号電極50は、第1,第２の陽極酸化用電極55,56
によって相互に接続されているので、前述の各実施例と
同様な効果が得られる。

さらに、第２の陽極酸化用電極56を接続電極51〜54の
近傍に配置して、これに第１の陽極酸化用電極55の枝部
を介して接続することにより、各接続電極51〜54あるい
は信号電極50から静電気が発生したときに、周囲にその
静電気を分散させることができる。

また、絶縁膜48に開口部49を形成する際のエッチング
時に、その開口部49内の第１の陽極酸化用電極55（第９
図に仮想線で示している）を除去して、各信号電極50を
独立させる加工を同時にすることが可能なため、製造工
程の増加は生じない。

なお、この絶縁膜48に開口部49を形成するときには、
第２の基板11やシール60が組み付けられている。

このことにより、静電気が発生しやすい液晶表示パネ
ルの作成後、あるいは液晶表示パネルの検査後、レーザ
ーにより絶縁膜を一部除去した領域から信号電極50に電
圧を印加するとき、あるいはチップ・オン・ガラス法に
よりドライバIC100を実装する直前などに、絶縁膜48の
開口部49を形成することが可能になる。

したがって、非線形抵抗素子９を有する第１の基板１
に配向膜15を印刷する工程、あるいは配向膜15の表面を
布で擦り配向処理を行う工程などの静電気の発生を伴う
工程において、非線形抵抗素子９の特性が劣化するのを
防止できる。

そのため、均一で安定した特性の良好な表示品質を有
する液晶表示装置を得ることができる。

〔第１乃至第４実施例の変形例〕以上説明したこの発明の第１実施例から第４実施例に
おいては、第１の電極としてタンタル膜を用いた例につ
いて説明したが、普通のタンタル膜以外でも、窒素を含
むタンタル膜やリンを含むタンタル膜、あるいはニオブ
を含むタンタル膜なども、第１の電極として使用するこ
とができる。

さらに、この第１の電極としては、アルミニウム，銅
やあるいはニッケルなどの低抵抗材料と、タンタルある
いはタンタルに不純物を含む膜との多層膜を用いてもよ
い。

また、上記各実施例では、第１の電極２としてタンタ
ル膜を用い、非線形抵抗層として酸化タンタル膜を形成
する場合について説明した。しかしながら、非線形抵抗
層としては、酸化タンタル膜の上部に酸化シリコン膜や
窒化シリコン膜、あるいは不純物を含む酸化シリコンを
設け、酸化タンタル膜とこれらの膜との多層膜からなる
非線形抵抗層を用いてもよい。

さらに、多層膜からなる非線形抵抗層の酸化タンタル
膜上に形成する被膜は、プラズマ化学気相成長法（CVD
法）を利用して形成するとよい。このことにより、酸化
タンタル膜に電圧が印加することになり、耐圧が向上す
るため非線形抵抗素子の劣化を防止することが可能にな
る。

また、多層膜からなる非線形抵抗層を使用することに
より、非線形抵抗素子の電流−電圧特性の制御が可能に
なる。このため、非線形抵抗素子への過電流が流れるこ
とを抑制し、液晶表示装置の特性向上が可能になる。

さらにまた、前述の第１実施例から第４実施例におい
ては、各画素に１個の非線形抵抗素子を備える液晶表示
装置の例を示したが、各画素ごとに複数個の非線形抵抗
素子を設けてもよい。

その場合にも、多層膜からなる非線形抵抗層を使用す
ることにより、非線形抵抗素子の電流−電圧特性の制御
が可能になる。それによって、非線形抵抗素子に過電流
が流れることを抑制し、液晶表示装置の特性向上を計る
ことができる。

〔第５実施例〕次に、この発明の第５実施例による液晶表示装置につ
いて、第11図乃至第14図に基づいて説明する。

第11図は、この第５実施例による液晶表示装置の全体
構成を示す平面図であり、判り易くするため、上下に重
なっている第1,第２の両基板側の構成をいずれも実線で
示している。

第12図は、第11図に破線a,bでそれぞれ囲んだ部分を
拡大して示す平面図である。但し、上側の基板とそれに
形成される膜などは除去して示している。そして、破線
ａで囲んだ部分を上側に、破線ｂで囲んだ部分を下側に
図示している。

第13図は、液晶表示装置を構成した状態で第12図のＦ
−Ｆ線に沿う断面図、第14図は同じく第12図のＧ−Ｇ線
に沿う断面図である。

この実施例による液晶表示装置も、基本的な構成は前
述の各実施例と共通している。

すなわち、第１の基板１上には、タンタル（Ta）膜か
らなる第１の電極として、下部電極２と信号電極４と陽
極酸化用電極５を設けている。その下部電極２と陽極酸
化用電極５上には、これらの第１の電極の陽極酸化膜と
して、酸化タンタル（Ta2 O5）膜からなる非線形抵抗層
３を形成する。

この実施例ではその陽極酸化用電極５を、第11図に斜
線を施して示すように、表示領域18の周囲を囲むように
帯状に形成している。そして、複数個の第１の基板１を
大きな元基板から作成するため、その基板相互の陽極酸
化用電極５の接続を行うために、相互接続用電極65を第
１の基板１の端に設けている。

この第１の電極からなる陽極酸化用電極５は、第11図
と第12図に示すように、Ｍ行の信号電極４とＮ列の対向
電極13からなるマトリクス状の表示領域18の周囲におい
て複数の信号電極4,4,…を相互に接続する構成を有す
る。

また、第２の電極として、非線形抵抗層３上の上部電
極６と、その上部電極６と接続する表示電極７とを酸化
インジウム錫（ITO）膜で設けている。

この下部電極２と非線形抵抗層３と上部電極６とによ
って、TFD構造の非線形抵抗素子９を構成している。

さらに、第12図において多数の表示電極７がマトリク
ス状に列設された表示領域18を囲むように設けられた陽
極酸化用電極５上に、斜線を施して示す周囲電極57と、
各信号電極４と接続して第１の基板１のシール60より外
の端子形成部1aに延びる各接続電極71〜74と、その間に
若干の隙間をあけて並ぶ長方形の遮光部電極75と、周囲
電極57から各接続電極71〜74の先端部を囲むように延び
る周囲電極58も、第２の電極として酸化インジウム錫
（ITO）膜で形成している。

すなわち、第12図において斜線を施して示した各電極
の下側にも全て陽極酸化用電極５が形成されており、陽
極酸化処理時には、全ての信号電極４がその両端で陽極
酸化用電極５によって相互に確実に接続されている。

そして、これらの第２の電極からなる周囲電極57,5
8、各接続電極71〜74,遮光部電極75は、陽極酸化用電極
５の一部を覆うマスクの役目をなし、表示領域18の第12
図にＤで示す幅の面にも別にマスクを施してエッチング
処理を行なうことにより、陽極酸化用電極５のそれらの
マスクから露出する部分が除去される。

それによって、各信号電極４及びそれに接続する各接
続電極71〜74が、それぞれ分離され、独立した電極を構
成する。

第13図および第14図においては、この陽極酸化用電極
５および非線形抵抗層３の除去される部分は仮想線で示
している。

その他の構成は、前述の各実施例と同様であるので、
その説明は省略する。

この第５実施例によっても、非線形抵抗層３を形成す
るための陽極酸化処理時及びその後の検査工程等におい
ては、各信号電極４が陽極酸化用電極５によって相互に
接続されているので、前述の各実施例と同様な効果が得
られる。しかも、その接続が信号電極４の両端でなされ
るので、より確実であり、信号電極の途中で断線が生じ
た場合でも、陽極酸化処理を確実に行なうことができ
る。

そして、任意の工程において、第２の電極をマスクに
利用して、エッチング処理を行なうことにより、容易に
各信号電極４及び接続電極71〜74を分離して独立した電
極とすることができる。その際、周囲電極57の両側の
辺、各接続電極71〜74の第12図で左右の辺、および遮光
部電極75の周囲の辺が分離辺となる。

そして、表示領域18の外周部には、不透明な陽極酸化
用電極５が残存して遮光部を形成し、表示領域18の見切
りを構成できる。

このように、陽極酸化用電極５を遮光部に利用するこ
とにより、ブラック・マトリクス12がない液晶表示装置
においても、見切り（表示領域周辺を囲む枠）ができ
る。

また、見切りに利用する陽極酸化用電極５により陽極
酸化用電極の幅を広くすることができ、陽極酸化膜の均
一性が向上する。

〔第６実施例〕次に、この発明の第６実施例による液晶表示装置につ
いて、第15図と第16図に基づいて説明する。

この第６の実施例においては、非線形抵抗素子として
TFD構造の素子を使用し、各画素部にはTFD素子を２個直
列接続する構造を用い、TFD素子をＮ列からなるデータ
電極側に設ける場合について説明する。

第15図はその液晶表示装置の一部を拡大して示す平面
図であり、第16図は第15図のＨ−Ｈ線に沿う断面図であ
る。

この実施例においては、第１の基板１上には、タンタ
ル（Ta）膜からなる第１の電極として、島状の下部電極
２と第１のデータ電極82と陽極酸化用電極５と、島状の
下部電極２と第１のデータ電極82とを接続する配線接続
部76とを設け、この第１の電極上には、第１の電極の陽
極酸化膜として酸化タンタル（Ta2 O5）膜からなる非線
形抵抗層３を形成する。

この第１の電極からなる陽極酸化用電極５は、Ｍ行の
対向電極とＮ列のデータ電極81,81からなるマトリクス
状の表示領域の周囲において複数のデータ電極81,81を
相互に接続する構成を有する。

さらに、第２の電極として、島状の下部電極２上の非
線形抵抗層３上に、第２のデータ電極83に接続するデー
タ電極用上部電極84と、表示電極７に接続する表示電極
用上部電極85と、表示電極７と第１のデータ電極82上の
第２のデータ電極83とを、酸化インジウム錫（ITO）膜
で設ける。

この島状の下部電極２と非線形抵抗層３とデータ電極
用上部電極84とによって、TFD構造の第１の非線形抵抗
素子86を構成する。さらに、島状の下部電極２と非線形
抵抗層３と表示電極用上部電極85とによって、TFD構造
の第２の非線形抵抗素子87を構成する。

第２のデータ電極83から、データ電極用上部電極84,
非線形抵抗層3,下部電極2,非線形抵抗層3,表示電極用上
部電極85と表示電極７の順に接続する。島状の下部電極
２に対し、第２のデータ電極83と表示電極７は対称のTF
D素子構成となる。

さらに、第１の基板１上には、第16図に示すように酸
化タンタル（Ta2 O5）からなる絶縁膜48を設ける。この
絶縁膜48には、第１の信号電極４と島状の下部電極２と
を接続する配線接続部76上の周囲に配線接続部分離用開
口部91を有する。また、陽極酸化用電極５上には、第15
図に示すように複数個の分離用開口部92を有する。

さらに、第２のデータ電極83上には、外部回路と第２
のデータ電極83の接続を行うための接続用開口部93を有
する。

第１のデータ電極82と島状の下部電極２とを接続する
配線接続部76上に設けた配線接続部分離用開口部91にお
いては、絶縁膜48と第１の電極である下部電極２が同一
の分離辺を有する。

陽極酸化用電極５上に設ける複数個の分離用開口部92
においては、絶縁膜48と陽極酸化用電極５が同一の分離
辺10を有する。

表示領域の上下、左右には、陽極酸化用電極５を絶縁
膜48と同一な分離辺にて分離した遮光部70を設ける。

したがって、表示領域の外周部は遮光部70により見切
りが構成される。

さらに、第16図に示すように、第２の基板11の内側の
面には、液晶表示装置がカラー表示を行うために、赤フ
ィルタ95,青フィルタ96と、図示しない緑フィルタのカ
ラーフィルタを設ける。それぞれの表示電極７の間隙か
らの光の漏れを防止するために、カラーフィルタを重ね
合わせた領域97を設ける。

さらに、第２の基板11には、表示電極７と対向するよ
うに酸化インジウム錫膜からなる対向電極13を設ける。

表示電極７は、液晶16を介して対向電極13と重なり合
うように配置することにより、液晶表示パネルの表示画
素部となる。そしてこの表示画素部では、単色のカラー
フィルタ、例えば赤フィルタ95を有する。

そして、この表示画素部の液晶16の透過率変化によ
り、液晶表示装置は所定の画像表示を行う。

さらに、第１の基板１と第２の基板11には、液晶16の
分子を規則的に並べるための処理層として、それぞれ配
向膜15,15を設けている。

この第６実施例の構成により、第１の電極からなる陽
極酸化用電極５は表示領域の周囲部において絶縁膜48の
開口部により自己整合的に分離する分離辺10を有する。

さらに、この実施例に示すように、複数のTFD素子を
接続する場合には、非線形抵抗層３を設けた後に、陽極
酸化用電極５あるいは第１のデータ電極82から島状の下
部電極２を分離する必要がある。

そのため、絶縁膜48の開口部を利用して分離する方
法、あるいは絶縁膜なしに分離する必要がある。この分
離工程を有するため、この実施例の場合には、特に工程
を増やすことなく表示領域の周囲に陽極酸化用電極５を
利用して遮光部70を設けることができる。

そのため、ブラック・マトリクスの代わりにカラーフ
ィルタを重ね合わせた部分を見切りに利用した場合に、
見切り部の遮光性が不十分な場合においても、陽極酸化
用電極５が残存した遮光部70を利用することにより、遮
光性の十分な見切りができる。

また、陽極酸化用電極５を分離する以前には、非線形
抵抗層３を形成する陽極酸化処理の際に周囲から電圧を
供給することができるため、例えば一部の陽極酸化用電
極５に欠陥が生じても他の部分から電圧の供給ができ
る。

〔第７実施例〕次に、この発明の第７実施例による液晶表示装置につ
いて、第17図と第18図に基づいて説明する。

この実施例においては、非線形抵抗素子としてTFT構
造の素子を使用する。

第17図は、その液晶表示装置の一部を拡大して示す平
面図であり、第18図は、そのＩ−Ｉ線に沿う断面図であ
る。

この第７実施例における第１の基板１上には、タンタ
ル（Ta）膜からなる第１の電極として、信号電極４に相
当するゲート電極101と陽極酸化用電極５とを設け、第
１の電極上には、第１の電極の陽極酸化膜として酸化タ
ンタル（Ta2 O5）膜からなるゲート絶縁膜102を設け
る。

この第１の電極からなる陽極酸化用電極５は、第17図
に示すように、Ｍ行のゲート電極101とＮ列のソース電
極105からなるマトリクス状の表示領域の周囲におい
て、複数のゲート電極101,101を相互に接続する。この
陽極酸化用電極５は第17図に斜線を施して示した周囲電
極57及び遮光部電極75の下にも設けられている。

ゲート絶縁膜102上とその周囲には半導体層103として
アモルファスシリコン（ａ−Si）膜を設ける。さらに、
半導体層103上に不純物イオンとしてリン（Ｐ）を含む
半導体層104を設ける。

さらに、不純物イオンを含む半導体層104上にソース
電極105とドレイン電極106を設ける。ソース電極105と
ドレイン電極106はモリブデン（Mo）にて設ける。不純
物イオンを含む半導体層104はソース電極105とドレイン
電極106と半導体層103の重なり合う部分に設けている。
また、ソース電極105は外部回路に接続するデータ電極1
21,122に接続する。

ドレイン電極106は透明導電性膜からなる表示電極７
に接続し、表示画素部となる。

ゲート電極101に接続する陽極酸化用電極５上には、
表示電極７と同一膜を設けて有る。また、陽極酸化用電
極５の一部は表示電極７と同一膜の辺と同一な分離辺に
て分離し、遮光部とする。

陽極酸化用電極５の一部は、表示電極７と同一膜であ
る周囲電極57と遮光部電極75に覆われており、表示領域
をマスキングしてエッチング処理することにより、陽極
酸化用電極の破線で示す部分は除去され、各ゲート電極
101を独立させる。そして、表示領域の外周部には、残
った陽極酸化用電極５によって形成される遮光部により
見切りができる。

さらに、第２の基板11には、第18図に示すように外部
光源111の反射光112の光量を低減するために、第２の基
板11上にはまず透明導電性膜からなる対向電極13を設け
る。つぎに、表示電極７の周囲からの光の漏れを防止す
るために、クロム（Cr）膜からなるブラック・マトリク
ス12を設ける。透明導電性膜からなる対向電極13と第２
の基板11とクロム膜からなるブラック・マトリクス12の
干渉により、反射光112を低減できる。

そして、スペーサ（図示せず）によって、第１の基板
１と第２の基板11とを所定の間隙をもって対向させ、シ
ール60により貼り合わせ、第１の基板１と第２の基板11
との間に液晶16を封入している。

この第７実施例の構成により、第１の電極からなる陽
極酸化用電極５は表示領域の周囲部において表示電極７
と同一な膜により自己整合的に分離する分離辺を有す
る。

また、表示領域の周囲に分離後に残る陽極酸化用電極
５を利用し遮光部を設けることができる。

そして、陽極酸化用電極５を分離する以前には、非線
形抵抗層を形成するための陽極酸化処理の際に、この陽
極酸化用電極５によって周囲から各ゲート電極101に電
圧を供給することができるため、例えば一部陽極酸化用
電極５に欠陥が生じても他の部分から電圧の供給ができ
る。

〔第８実施例〕次に、この発明の第８実施例による液晶表示装置につ
いて、第19図乃至第21図に基づいて説明する。

この第８の実施例においては、非線形抵抗素子として
TFD構造の素子を利用し、TFD素子をＭ列からなる信号電
極側に設ける場合について説明する。

また、表示電極７の周囲に設ける遮光部は第２の陽極
酸化用電極126の一部を利用し、第２の陽極酸化用電極1
26上の第２の非線形抵抗層128は非線形抵抗素子９に用
いる第１の非線形抵抗層３と膜厚が異なる。

第19図は、この発明の第８の実施例による液晶表示装
置の全体構成を示す平面図である。第20図は、第19図の
一部分を拡大して示す平面図であり、第21図はそのＪ−
Ｊ線に沿う断面図である。但し、第20図及び第21図では
上側の第２の基板及びそれに形成される膜等、並びに液
晶は図示を省略している。

第１の基板１上には、タンタル（Ta）膜からなる第１
の電極として、下部電極２と信号電極４と第１の陽極酸
化用電極５と第２の陽極酸化用電極126と補助電極127と
相互接続用電極66を設け、下部電極２と第１の陽極酸化
用電極５と信号電極４上には、第１の電極の陽極酸化膜
として酸化タンタル（Ta2 O5）膜からなる第１の非線形
抵抗層３を設ける。

また、第19図に示すように、複数個の第１の基板１を
大きな元基板から作成するために、相互の陽極酸化用電
極５の接続を行うために、相互接続用電極65を第１の基
板１の端に設ける。

第２の陽極酸化用電極126と補助電極127上には、第１
の電極の陽極酸化膜として酸化タンタル（Ta2 O5）膜か
らなる第２の非線形抵抗層128を設ける。また、第19図
に示すように、複数個の第１の基板１を大きな元基板か
ら作成するために、相互の第1,第２の陽極酸化用電極5,
126の接続を行うために、相互接続用電極65,65を第１の
基板１の両端に設ける。

第１の陽極酸化用電極５と第２の陽極酸化用電極126
とは相互に分離している。また、第２の非線形抵抗層12
8は、非線形抵抗素子９に用いる第１の非線形抵抗層３
に比較し膜厚を厚くしてある。

この第１の電極からなる第１の陽極酸化用電極５は、
第19図と第20図に示すように、Ｍ行の信号電極４とＮ列
の対向電極13からなるマトリクス状の表示領域18の周囲
において複数の信号電極４を相互に接続する構成を有す
る。また、第２の陽極酸化用電極126は複数の補助電極1
27を接続部66で相互に接続する構成を有する。さらに、
第２の電極として、第１の非線形抵抗層３上の上部電極
６と、その上部電極６と接続する表示電極７と、第１の
陽極酸化用電極５の一部をなす接続電極８とを酸化イン
ジウム錫（ITO）膜にて設ける。

そして、下部電極２と第１の非線形抵抗層３と上部電
極６とによって、TFD構造の非線形抵抗素子９を構成す
る。

さらに、表示電極７の一部は第２の陽極酸化用電極12
6に接続する補助電極127を覆い、表示電極７と補助電極
127により遮光部を構成する。

また、第１の基板１上と非線形抵抗素子９と信号電極
４と表示電極７と第１の陽極酸化用電極５と第２の陽極
酸化用電極126上とに酸化タンタル膜（Ta2 O5）からな
る絶縁膜48を設ける。

その絶縁膜48には、第１の陽極酸化用電極５と第２の
陽極酸化用電極上に分離用開口部92を設ける。その分離
用開口部92と同一な分離辺10により、第１の陽極酸化用
電極５は分離して独立する信号電極４を構成し、第２の
陽極酸化用電極126は独立する補助電極127を構成する。

さらに、表示電極７の周囲においては、開口部49を設
け、補助電極127は、表示電極７あるいは絶縁膜48の開
口部49と同一な分離辺10により表示電極７毎に分離し、
遮光部となる。

接続電極８上にも開口部93を設けて、外部回路との接
続を可能にしている。

第２の基板11側の構成は前述の実施例と同様であり、
表示電極７の間隙からの光の漏れを防止するためのクロ
ム（Cr）膜からなるブラックマトリクスと、対向電極13
と、ブラック・マトリクスと対向電極13との電気的絶縁
性を確保するために層間絶縁膜等を有する。

この第１の基板１と第２の基板11を一定の間隔で張り
合わせ、液晶を封入して液晶表示装置とする。

この第８実施例の構成により、第１の電極からなる第
２の陽極酸化用電極126は、第１の陽極酸化用電極５か
ら初期より独立している。そのため第２の陽極酸化用電
極126の影響を第１の陽極酸化用電極５に与えることが
ない。さらに、第２の陽極酸化用電極126は、表示領域
の周囲部において、第２の電極からなる表示電極７、あ
るいは絶縁膜48の開口部49と自己整合的に分離する分離
辺10を有し、表示電極７毎に独立する遮光部を構成す
る。

さらに、第２の陽極酸化用電極126上に設ける第２の
非線形抵抗層128を第１の陽極酸化用電極５により下部
電極２上に設ける第１の非線形抵抗層３より膜厚を厚く
し、絶縁性を高めておく、そのため、表示電極７と補助
電極127が電気的短絡を起しても、表示品質に影響を与
えることなく、歩留まり良くなる。

〔第９実施例〕次に、この発明の第９実施例による液晶表示装置につ
いて、第22図及び第23図に基づいて説明する。

第22図はその液晶表示装置の一部分を拡大して示す平
面図であり、第23図は第22図のＫ−Ｋ線に沿う断面図で
ある。これらの図において、第15図および第16図と対応
する部分には同一符号を付してある。

この実施例における第１の基板１上には、タンタル
（Ta）膜からなる第１の電極として、下部電極２と、第
１のデータ電極82と、第１のデータ電極82と下部電極２
を接続する配線接続部76と、第１の陽極酸化用電極５
と、第２の陽極酸化用電極126と、補助電極127と、その
相互接続用電極66とを設けている。

下部電極２と第１の陽極酸化用電極５と第１のデータ
電極82上には、第１の電極の陽極酸化膜として酸化タン
タル（Ta2 O5）膜からなる第１の非線形抵抗層３を設け
る。

また、第２の陽極酸化用電極126と補助電極127上に
は、第１の電極の陽極酸化膜として酸化タンタル（Ta2
O5）膜からなる第２の非線形抵抗層128を設ける。

この第１の電極からなる第１の陽極酸化用電極５は、
第22図に示すように、Ｎ列の第１のデータ電極82を表示
領域の周囲において相互に接続する構成を有する。ま
た、第２の陽極酸化用電極126は複数の補助電極127を相
互に接続する構成を有する。

さらに、第２の電極として、第１のデータ電極82上に
第２のデータ電極83を設け、第２のデータ電極83に接続
し、下部電極２上の第１の非線形抵抗層３上にデータ電
極用上部電極84を設け、補助電極127の一部と第１の基
板１上とに表示電極７を設け、下部電極２上の第１の非
線形抵抗層３上に、表示電極７に接続する表示電極用上
部電極85を、いずれも酸化インジウム錫（ITO）膜にて
設ける。

また、第２のデータ電極83に接続して、第１の陽極酸
化用電極５の一部をなす接続電極８も、上記第２の電極
と共に酸化インジウム錫（ITO）膜にて設ける。

この下部電極２と第１の非線形抵抗層３とデータ電極
用上部電極84とによって、TFD構造の第１の非線形抵抗
素子86を構成する。

さらに、この下部電極２と第１の非線形抵抗層３と表
示電極用上部電極85とによって、TFD構造の第２の非線
形抵抗素子87を構成する。

そして、表示電極７の一部は第２の陽極酸化用電極12
6に接続する補助電極127を覆い、表示電極７と補助電極
127により遮光部を構成する。

さらにまた、第１の基板１上と非線形抵抗素子86,87
と、第２のデータ電極83と、表示電極７と、第１の陽極
酸化用電極５と、第２の陽極酸化用電極126の各上面を
覆うように、酸化タンタル膜（Ta2 O5）からなる絶縁膜
48を設ける。

その絶縁膜48には、第１の陽極酸化用電極５と第２の
陽極酸化用電極126上に分離用開口部92を設ける。そし
て、その分離用開口部92と同一な分離辺10により第１の
陽極酸化用電極５は分離して、独立する第１のデータ電
極82を構成する。第２の陽極酸化用電極126も分離して
独立する補助電極127を構成する。

さらに、表示電極７の周囲においては開口部49を設
け、補助電極127は、表示電極７あるいは絶縁膜48の開
口部49と同一な分離辺10により表示電極７毎に分離して
遮光部となる。

この第９実施例の構成により、第１の電極からなる第
２の陽極酸化用電極126は、第１の陽極酸化用電極５か
ら初期より独立している。そのため第２の陽極酸化用電
極126の影響を第１の陽極酸化用電極５に与えることが
ない。さらに、補助電極127は、表示領域の周囲部にお
いて第２の電極からなる表示電極７あるいは絶縁膜48の
開口部49と自己整合的に分離する分離辺10を有し、表示
電極７毎に独立する遮光部を構成する。

さらに、補助電極127上に設ける第２の非線形抵抗層1
28を第１の陽極酸化用電極５により下部電極２上に設け
る第１の非線形抵抗層３より膜厚を厚くし、絶縁性を高
めておく、そのため、表示電極７と表示電極７の補助電
極127が電気的短絡を起しても、表示品質に影響を与え
ることなく歩留まり良く表示電極７の周囲に遮光部を設
けることができる。

また、この発明の第８の実施例と第９の実施例におい
ては、非線形抵抗素子を有する第１の基板を液晶表示装
置に利用する際に、非線形抵抗素子の機械的劣化を防止
するために、絶縁膜を設ける場合を示したが、絶縁膜を
設けていない場合においても、本発明は有効である。

これらの第５乃至第９実施例によれば、陽極酸化用電
極の一部を遮光部に利用することができる。

また、複数の非線形抵抗素子を有する場合には、第１
の信号電極と下部電極を分離する際に、陽極酸化用電極
と第１の信号電極との分離と、陽極酸化用電極と遮光部
の分離を同時に行なえる。

保護用絶縁膜を有する場合には、外部回路との接続を
行うための保護用絶縁膜の開口部を形成する際に、陽極
酸化用電極の分離したい部分に保護用絶縁膜の開口部を
設け、その保護用絶縁膜あるいは保護用絶縁膜の開口部
の形成に利用するレジストをマスクにして、エッチング
処理を行うことにより、容易に陽極酸化用電極の分離が
可能である。

〔第10実施例〕次に、この発明の第10実施例による液晶表示装置につ
いて、第24図と第25図に基づいて説明する。

第24図は、この発明の第10実施例による液晶表示装置
のTFD素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面
図である。第25図は、第24図のＬ−Ｌ線に沿う断面図で
ある。

まず、これらの図を参照して、この実施例におけるTF
D素子の構成を説明する。

TFD素子を形成するアクティブ基板である第１の基板
１上には、いずれも金属膜としてタンタル（Ta）膜から
なる陽極酸化用電極５と下部電極２とを設ける。

陽極酸化用電極５の幅W1は、下部電極２の周辺以外で
は、信号電極４の幅W2より広い。

そして、この陽極酸化用電極５は、一方の端部でラン
ナー部5aによって複数本が電気的に接続され、他方の端
部を外部回路から非線形抵抗素子に信号を印加するため
の接続電極８に接続する。

この陽極酸化用電極５は、下部電極２の表面に非線形
抵抗層３を陽極酸化用処理により形成するときの電極と
して使用する。

したがって、信号電極４と表示電極７との間には幅W1
の広い陽極酸化用電極５を有する。陽極酸化用電極５の
一部であるエッチング除去部121は、最終形状では除去
される。すなわち、この第24図は製造工程の途中を示
し、説明を理解し易いようにしている。

さらに、この下部電極２の表面には、この下部電極２
を陽極酸化処理して形成する酸化タンタル（Ta2 O5）膜
からなる非線形抵抗層３を設ける。

さらに、陽極酸化用電極５の一部である重なり部122
と、基板１上に透明導電膜を設けて表示電極７とする。
そして、この表示電極７に接続する上部電極６を下部電
極２上に設ける。さらに、陽極酸化用電極５上にも透明
導電性膜を設け接続電極８とする。

表示電極７の一部領域は、陽極酸化用電極５の一部領
域とオーバーラップする領域である重なり部122を有す
る。

そして、下部電極２と非線形抵抗層３と上部電極６と
により非線形抵抗素子（TFD素子）９を構成する。

ここで、上部電極６と表示電極７とは、いずれも透明
導電膜、たとえば酸化インジウム錫（ITO）膜で構成す
る。

さらに、陽極酸化用電極５の一部からなる信号電極４
と、表示電極７の下部にある重なり部122との間にある
エッチング除去部121は除去され、信号電極４と透明導
電性膜からなる表示電極７とは分離する構造となる。

複数の信号電極４を接続するランナー部5aも除去さ
れ、各信号電極４は独立したものとなる。

さらに、表示電極７間にあるエッチング除去部121も
除去され、各表示電極７も独立したものとなる。

このため、陽極酸化用電極５の幅W1は信号電極４とし
ての幅W2となる。

すなわち、陽極酸化を行う以前には、陽極酸化用電極
５としてその電極の幅はW1であり、信号電極４の幅W2よ
り幅を広くし、表示電極７の下部まで広げておく。さら
に隣接する表示電極７の間も陽極酸化用電極５により連
結している。

表示電極７を設けた後に、陽極酸化用電極５のエッチ
ング加工を行い、陽極酸化用電極５の一部であるエッチ
ング除去部121を除去し、信号電極４の幅をW2とする。
さらに、隣接する表示電極７の間に設けたエッチング除
去部121も除去し、孤立した表示電極７とする。

この構造を用いることにより、陽極酸化用電極５を陽
極酸化時には幅を広く（W1）し、短時間に均一な陽極酸
化膜３を形成可能にする。

通常、表示電極７が透明導電性膜の場合には、透明な
ため表示電極７の周囲のエッチング状況を検査すること
が難しい。

しかし、本実施例によれば、表示電極７の周辺には陽
極酸化用電極５としてタンタル膜と酸化タンタル膜があ
るため、表示電極７が透明導電性膜であっても、エッチ
ング除去部121のエッチングの際に透明導電性膜がエッ
チングマスクとなり、タンタルあるいは酸化タンタル膜
とタンタル膜が残り、表示電極７の周辺の透明導電性膜
のエッチング状況を検査しやすくなる。

さらに、透明導電性膜がわずかに残る場合には、エッ
チング除去部121のエッチング処理の際に、その透明導
電性膜も除去でき、表示電極７の周辺のエッチング残膜
をきれいに取ることができる。

さらに、陽極酸化用電極５の幅（W1）を広くしてある
ため、信号電極４の幅（W2）内に断線箇所がある場合に
は、表示電極７と信号電極４の間の陽極酸化用電極５を
利用して、信号電極４の断線を防止することができる。

第26図は、この実施例において信号電極４に断線箇所
4dが発生している状況を示す平面図である。

この図では、信号電極４の幅W2より深い（深さW3）断
線箇所4dが発生した場合の例を示してある。信号電極４
が従来の電極幅W2のままでは断線してしまう。すなわ
ち、陽極酸化を行うことができない。さらに、非線形抵
抗素子９（TFD素子）に外部より電圧を印加することが
できない。

しかし、この実施例では、陽極酸化用電極５を信号電
極４の幅W2よく広くしているため、陽極酸化を行うこと
ができる。さらに、信号電極４の周囲に形成する陽極酸
化用電極５の一部を利用して信号電極４の断線箇所を迂
回されるように形成することにより、信号電極４は断線
しない。

さらに、表示電極７の下部にある重なり部122の一部
を信号電極４の迂回部として使用するため、表示電極７
には一部を削除する削除部7aを設けている。

このように、陽極酸化用電極５の幅を広くしてあるた
め、陽極酸化膜の均一性の向上と断線による陽極酸化膜
の形成できない部分を防止できるため、歩留まりおよび
陽極酸化膜の性能を向上できる。

次に、この第10実施例による液晶表示装置のアクティ
ブ基板の製造方法を説明する。第27図から第29図は、そ
の製造方法を工程順に示す第25図と対応する断面図であ
る。

先ず始めに第27図に示すガラスからなるアクティブ基
板である第１の基板１上の全面に、金属膜としてタンタ
ル（Ta）膜を150nmの膜厚でスパッタリング法で形成す
る。

その後、そのタンタル膜上の全面に感光性樹脂（図示
せず）を回転塗布法により形成し、所定のホトマスクを
用いて露光，現像処理を行って感光性樹脂をパターン形
成し、その後このパターニングした感光性樹脂をエッチ
ングマスクに用いて、タンタル膜をエッチングするホト
エッチング処理により、陽極酸化用電極５と下部電極２
と複数の信号電極４（陽極酸化用電極）を接続する部分
とをパターン形成する。

ここでタンタル膜のエッチングは、反応性イオンエッ
チング（以下RIEと記載する）装置を用いて行う。

そのエッチング条件は、エッチングガスとして六弗化
硫黄（SF6）と酸素（O2）との混合ガスを用いる。そし
て六弗化硫黄の流量が100〜200sccm、酸素流量が10〜40
sccmとし、圧力が４〜12×10^-2torrとし、さらに使用電
力が0.2〜0.5kW/cm²で行う。

その後、陽極酸化用電極５を陽極とし、陽極酸化液と
して、0.1〜1.0wt％のクエン酸水溶液あるいはホウ酸ア
ンモニウム水溶液を用いて、30〜40Vの電圧を印加し
て、タンタル膜の陽極酸化処理を行う。

その結果、下部電極２と陽極酸化用電極５の側壁と上
面の表面に、酸化タンタル膜（Ta2 O5）からなる非線形
抵抗層３が60〜75nmの膜厚で形成される。

つぎにスパッタリング法を用いて、透明導電性膜とし
て酸化インジウム錫（ITO）膜を膜厚100nmで全面に形成
する。その後、その酸化インジウム錫膜上に感光性樹脂
（図示せず）を形成する。

そして、酸化インジウム錫膜をエッチング処理して、
第28図に示すように、表示電極７と、表示電極７に接続
する上部電極６と、図示されない接続電極８とを同時に
パターン形成する。

この酸化インジウム錫のエッチングは、酸化第二鉄と
塩酸の水溶液エッチャントを用いるウエットエッチング
により行う。なおこのときのエッチャント液温は30℃〜
40℃に設定する。

つぎに第29図に示すように、陽極酸化用電極５と表示
電極７の下部にある重なり部122との間にあるエッチン
グ除去部121をパターン形成するために、感光性樹脂125
を形成する。エッチング除去部121は、感光性樹脂125と
酸化インジュウム錫膜からなる表示電極７をエッチング
用のマスクとし、RIE装置を使用しエッチング処理す
る。

このエッチング条件は、エッチングガスとして六弗化
硫黄（SF6）と酸素（O2）との混合ガスを用いる。そし
て、六弗化硫黄の流量が100〜200sccm、酸素流量が10〜
40sccmで、圧力が４〜12×10^-2torrとし、使用電力が0.
2〜0.5kW/cm²で行う。

上記のエッチング条件では、酸化インジウム錫をほと
んどエッチングすることなく、タンタル膜と非線形抵抗
層３の酸化タンタル膜だけをエッチングすることができ
る。

そのため、陽極酸化用電極５の一部からなる信号電極
４と表示電極７の重なり部122とを、エッチング除去部1
21をエッチング除去することにより分離できる。

以上の工程により、第10実施例の第25図に示したよう
に、陽極酸化用電極５は表示電極７と分離して信号電極
４となり、外部回路（図示せず）と接続する接続電極８
と、信号電極４及びそれと接続する下部電極２と、その
下部電極２上に形成する非線形抵抗層３と、非線形抵抗
層３上に形成する上部電極６とを介して、上部電極６に
接続する表示電極７に目的の電圧を印加できる。

また、非線形抵抗素子（TFD素子）９は、下部電極２
と非線形抵抗層３と上部電極６により形成する。

この実施例においては、陽極酸化用電極５をエッチン
グ処理にて加工するときに、感光性樹脂125と表示電極
７とをエッチング用マスクとして使用する。このため、
エッチング除去部121を表示電極７の下面領域に整合す
るような形状に形成することができる。

そのため、例えば酸化インジュウム錫膜がエッチング
除去部121上に薄くあるいは僅かに残る、いわゆるエッ
チング不良が発生した場合においても、エッチング除去
部121のエッチングを行う際に、信号電極４と表示電極
７の間にあるエッチング不良部の透明導電性膜を同時に
除去できる。

さらに、大きな面で酸化インジュウム錫膜がエッチン
グ後に残る場合にも、エッチング除去部121上に酸化イ
ンジュウム錫膜が残るため、酸化インジウム錫膜の下部
に非線形抵抗層３である酸化タンタルと下部電極２であ
るタンタルが残るため、透明導電性膜のみに比べショー
ト箇所の検査が非常に容易になる。

さらに、液晶表示装置として、第１の基板１と第２の
基板（図示せず）を張り合わせて液晶を封入した後に
は、液晶の屈折率あるいは基板１の厚み、または配向膜
等の屈折率のために、表示電極７の周囲の透明導電性膜
のエッチング残膜は検出が難しい。

この場合にも、タンタル等がエッチング残膜として残
るため、検出が極めて容易になる。

〔第11実施例〕つぎに、この発明の第11実施例による液晶表示装置に
ついて、第30図および第31図に基づいて説明する。

第30図は、この第11実施例における液晶表示装置のTF
D素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面図で
あり、第31図は、第30図のＭ−Ｍ線に沿う断面図であ
る。

これらの図を参照して、この第11の実施例におけるTF
D素子の構成を説明する。

第１の基板１の上には、いずれも金属膜としてタンタ
ル（Ta）膜からなる陽極酸化用電極５と、島状の下部電
極２と、陽極酸化用電極５と下部電極２とを接続する配
線接続部76（仮想線にて図示）を設ける。

陽極酸化用電極５の幅は島状の下部電極２の周辺以外
では、第１のデータ電極82の幅W2より広いW1となってい
る。

陽極酸化用電極５は、一方の端部をランナー部5aによ
って複数本が相互に接続され、他方の端部は外部回路か
ら非線形抵抗素子に信号を印加するための接続電極８に
被覆されている。

この陽極酸化用電極５は、下部電極２の表面に非線形
抵抗層３を陽極酸化処理により形成するときの電極とし
て使用する。

第１のデータ電極82と表示電極７との間には陽極酸化
用電極５を有する。陽極酸化用電極５の一部であるエッ
チング除去部121は最終構造では除去される。

さらに、第１のデータ電極82と島状の下部電極２に接
続する配線接続部76も最終構造では除去される。すなわ
ち、この第30図の平面図と第31図の断面図は製造工程の
途中を仮想線にて示し、説明を理解しやすいようにして
いる。

さらに、この陽極酸化用電極５と配線接続部76を介す
る島状の下部電極２の表面には、このタンタル膜を陽極
酸化処理して形成する酸化タンタル（Ta2 O5）膜からな
る非線形抵抗層３を設ける。

そして、陽極酸化用電極５の重なり部122上と、基板
１上に透明導電性膜を設けて表示電極７とする。さら
に、この表示電極７に接続する表示電極用上部電極85を
下部電極２上に設ける。さらに陽極酸化用電極５上に第
２のデータ電極83を設け、さらに第２のデータ電極83に
接続するデータ電極用上部電極84を設ける。

さらに、外部回路から非線形抵抗素子部に信号を印加
するためのタンタルからなる陽極酸化用電極５の上に透
明導電性膜からなる接続電極８を設ける。接続電極８に
おいては、陽極酸化用電極５のタンタルは額縁状の形状
をしている。また、透明導電性膜による接続電極８は額
縁状のタンタルを覆っている。

この形状にすることにより、外部回路と接続電極８と
の接続を行う場合に、額縁状のタンタルにより透明導電
性膜より位置を明確にできるため、合わせ精度が向上す
る。さらに、額縁状タンタルの内と外に透明導電性膜を
設けることにより、外部回路と入力部の接続状況を透明
導電性膜パッド部を透して確認できる。

特に、集積回路（IC）と入力部を導電ペースト等の媒
介を利用し、接続電極８上に直に接続する、いわゆるチ
ップ・オン・ガラス（COG）法の場合には、透明導電性
膜のみでは合わせ精度が悪いため、タンタルを額縁状に
設けることにより合わせ精度が向上する。

そして、島状の下部電極２と非線形抵抗層３とデータ
電極用上部電極84とにより第１の非線形抵抗素子（TFD
素子）86を構成する。さらに、島状の下部電極２と非線
形抵抗層３と表示電極用上部電極85とにより、第２の非
線形抵抗素子（TFD素子）87を構成する。

ここで、表示電極用上部電極85とデータ電極用上部電
極84と表示電極７とは、いずれも透明導電膜、たとえば
酸化インジウム錫（ITO）膜で構成する。

さらに、陽極酸化用電極５と透明導電性膜からなる表
示電極７との重なり部122と、第２のデータ電極83の下
部にあるタンタルからなる第１のデータ電極82を分離す
る構造である。そして、第１のデータ電極82と表示電極
７間にあるエッチング除去部121も除去し、表示電極７
と分離する。

このため、陽極酸化用電極５の幅W1は第１のデータ電
極81としての幅W2となる。

したがって、陽極酸化時には陽極酸化用電極５の幅W1
として第１のデータ電極82の幅W2より広くし、表示電極
７の下部まで広げておく。さらに隣接する表示電極７の
間も陽極酸化用電極５により連結している。

第２のデータ電極83と表示電極７とを設けた後に、第
１のデータ電極82と島状の下部電極２との間を接続する
配線接続部76のエッチング加工を行い、孤立する島状の
下部電極２を設けると同時に、第１のデータ電極82と表
示電極７の間にあるエッチング除去部121のエッチング
加工を行い、孤立する表示電極７と第１のデータ電極82
とする。

この構造を用いることにより、陽極酸化用電極５を陽
極酸化時に幅がW1と広いので、短時間に均一な陽極酸化
膜を形成可能になる。

さらに、第26図の例と同様に、陽極酸化用電極の幅を
広くしてあるため、第１のデータ電極82の幅W2内に断線
箇所がある場合には、表示電極７とデータ電極82,83の
間の陽極酸化用電極５を利用して、第１のデータ電極82
の断線を防止することができる。

またこの実施例によれば、第１のデータ電極82から島
状の下部電極２を分離する必要があるが、そのため、陽
極酸化用電極５から第１のデータ電極82に加工を行う工
程も同時に行うことができるため、工程の付加にはなら
ない。

つぎに、この第11実施例による液晶表示装置のアクテ
ィブ基板の製造方法を、第32図から第34図を用いて説明
する。

第32図から第34図は、この第11実施例における液晶表
示装置のアクティブ基板の製造方法を工程順に示す第31
図に相当する断面図である。

先ず始めに、第32図に示すガラスからなるアクティブ
基板である第１の基板１上の全面に、金属膜としてタン
タル（Ta）膜を200nmの膜厚でスパッタリング法で形成
する。

その後、タンタル膜上の全面に感光性樹脂（図示せ
ず）を回転塗布法により形成し、所定のホトマスクを用
いて露光，現像処理を行い、感光性樹脂をパターン形成
する。

その後、このパターニングした感光性樹脂をエッチン
グマスクに用いて、タンタル膜をエッチングするホトエ
ッチング処理により、第１のデータ電極82となる部分を
含む陽極酸化用電極５と、島状の下部電極２と、陽極酸
化用電極５と島状の下部電極２とを接続する配線接続部
76と、複数の陽極酸化用電極５をお互いに接続するよう
にパターン形成する。

ここでタンタル膜のエッチングは、RIE装置を用いて
行う。

そのエッチング条件は、エッチングガスとして六弗化
硫黄（SF6）と酸素（O2）との混合ガスを用いる。そし
て六弗化硫黄の流量が100〜200sccm、酸素流量が10〜40
sccmで、圧力が４〜12×10^-2torrとし、さらに使用電力
が0.2〜0.5kW/cm²で行う。

その後、陽極酸化用電極５を陽極とし、陽極酸化液と
して、0.01〜1.0wt％のクエン酸水溶液あるいはホウ酸
アンモニウム水溶液又は燐酸水溶液を用いて、16〜20V
の電圧を印加して、タンタル膜の陽極酸化処理を行う。

この結果、下部電極２と陽極酸化用電極５の側壁と上
面の表面に、酸化タンタル膜（Ta2 O5）からなる非線形
抵抗層３を30〜40nmの膜厚で形成する。

つぎに、スパッタリング法を用いて、透明導電性膜と
して酸化インジウム錫（ITO）膜を膜厚150nmで全面に形
成する。その後、酸化インジウム錫膜上に感光性樹脂
（図示せず）を形成する。

その後、酸化インジウム錫膜をエッチング処理して、
第33図に示すように、表示電極７と、表示電極７に接続
する表示電極用上部電極85と、接続電極８と、第２のデ
ータ電極83と、第２のデータ電極83に接続するデータ電
極用上部電極84とを同時にパターン形成する。

この酸化インジウム錫のエッチングは、臭素（HBr）
の水溶液エッチャントを用いるウエットエッチングによ
り行う。このときのエッチャント液温は25℃〜30℃に設
定する。

つぎに、第34図に示すように、陽極酸化用電極５と島
状の下部電極２とを接続する配線接続部76を除去し、孤
立する島状の下部電極２を形成するために、感光性樹脂
125を形成する。この際陽極酸化用電極５の一部である
エッチング除去部121を除去し、陽極酸化用電極５を第
１のデータ電極82と、表示電極７の下部にある重なり部
122とに分離する。

この陽極酸化用電極５は、感光性樹脂125と酸化イン
ジウム錫膜からなる表示電極７と、第２のデーター電極
83とをエッチング用のマスクとして、RIE装置を使用し
てエッチング処理する。

このエッチング条件は、エッチングガスとして六弗化
硫黄（SF6）と酸素（O2）との混合ガスを用いる。そし
て六弗化硫黄の流量が100〜200sccm、酸素流量が10〜40
sccmで、圧力が４〜12×10^-2torrとし、さらに使用電力
が0.2〜0.5kW/cm²で行う。

上記のエッチング条件では、酸化インジウム錫をほと
んどエッチングすることなく、配線接続部76とエッチン
グ除去部121のタンタル膜と酸化タンタル膜だけをエッ
チングすることができる。

以上の工程により、第31図に示したように、陽極酸化
用電極５は、第１のデータ電極82と、表示電極７の下部
にある重なり部122とに分離され、外部回路の信号を以
下に示す経路で印加できる。

すなわち、外部回路（図示せず）と接続する接続電極
８と、陽極酸化用電極５に接続する第１のデータ電極82
と、第２のデータ電極83と、第２のデータ電極83に接続
するデータ電極用上部電極84と、非線形抵抗層３と、島
状の下部電極２と、非線形抵抗層３と表示電極用上部電
極85とを介して、表示電極用上部電極85に接続する表示
電極７に目的の電圧を印加する。

この実施例においては、島状の下部電極２を分離する
ために、感光性樹脂125と表示電極７と第２のデータ電
極83をエッチング用マスクとして使用してエッチングを
行う。このとき同時に、陽極酸化用電極５の内、第１の
データ電極82と重なり部122との間のエッチング除去部1
21を除去するため、工程の増加にはならない。

〔第12実施例〕つぎに、この発明の第12実施例による液晶表示装置に
ついて、第35図および第36図に基づいて説明する。

第35図は、この第12実施例における液晶表示装置のTF
D素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面図で
ある。第36図は、第35図のＮ−Ｎ線に沿う断面図であ
る。

この実施例では、第11実施例の陽極酸化用電極５を表
示電極７の上下左右まで延ばし、重なり部122を表示電
極７の上下左右に設ける。

第１の基板１の上には、いずれも金属膜としてタンタ
ル（Ta）膜からなる陽極酸化用電極５と、島状の下部電
極２と、陽極酸化用電極５と下部電極２とを接続する配
線接続部76（第35図に仮想線で図示）を設ける。

この陽極酸化用電極５の幅は、島状の下部電極２の周
辺以外では第１のデータ電極82の幅W2より広い幅W1を有
する。さらに、陽極酸化用電極５は、上下左右にお互い
に接続している。

また、陽極酸化用電極５は、一方の端部をランナー部
5aによって複数本の互いに接続する構成を有し、他方の
端部は外部回路から非線形抵抗素子に信号を印加するた
めの接続電極８で被覆されている。この陽極酸化用電極
５は、下部電極２の表面に非線形抵抗層３を陽極酸化処
理により形成するときの電極として使用する。

この第35図の第１のデータ電極82と表示電極７との
間、および表示電極７間にも陽極酸化用電極５を有す
る。陽極酸化用電極５の一部であるエッチング除去部12
1は最終構造では除去される。

さらに、第１のデータ電極82と島状の下部電極２に接
続する配線接続部76も、最終構造では除去される。すな
わちこの第35図の平面図と第36図の断面図は製造工程の
途中を仮想線にて示し、説明を理解しやすいようにして
いる。

そして、陽極酸化用電極５の重なり部122上と基板１
上に透明導電性膜を設け、表示電極７とする。さらにこ
の表示電極７に接続する表示電極用上部電極85を下部電
極２上に設ける。また、陽極酸化用電極５上に第２のデ
ータ電極83を設け、さらに第２のデータ電極83に接続す
るデータ電極用上部電極84を設ける。

さらに、外部回路から非線形抵抗素子部に信号を印加
するためのタンタルからなる陽極酸化用電極５の上に、
透明導電性膜からなる接続電極８を設ける。この接続電
極８においては、タンタルは額縁状の形状をしている。
また、透明導電性膜は額縁状のタンタルを覆っている。
この形状にすることにより、外部回路と接続電極８との
接続を行う場合に、額縁状のタンタルにより透明導電性
膜より位置を明確にできるため、合わせ精度が向上す
る。さらに、額縁状タンタルの内と外に透明導電性膜を
設けることにより、外部回路と入力部の接続状況を透明
導電性膜パッド部を透して確認できる。

とくに、集積回路（IC）と入力部を導電ペースト等の
媒介を利用し、接続電極８上に直に接続する、いわゆる
チップ・オン・ガラス（COG）法の場合には、透明導電
性膜のみでは合わせ精度が悪いため、タンタルを額縁状
に設けることにより合わせ精度が向上する。

そして、島状の下部電極２と非線形抵抗層３とデータ
電極用上部電極84とにより第１の非線形抵抗素子（TFD
素子）86を構成する。さらに、島状の下部電極２と非線
形抵抗層３と表示電極用上部電極85とにより第２の非線
形抵抗素子（TFD素子）87を構成する。

ここで表示電極用上部電極85とデータ電極用上部電極
84と表示電極７とは、いずれも透明導電性膜、たとえば
酸化インジウム錫（ITO）膜で構成する。

さらに、陽極酸化用電極５を、陽極酸化用電極５と透
明導電性膜からなる表示電極７との重なり部122と、第
２のデータ電極83の下部にあるタンタルからなる第１の
データ電極82に分離する構造である。また、第１のデー
タ電極82と表示電極７間にあるエッチング除去部121も
除去し、表示電極７と分離する。

このため、陽極酸化用電極５の幅は第１のデータ電極
82としての幅W2となる。

したがって、陽極酸化時には陽極酸化用電極５の幅W1
として第１のデータ電極82の幅（W2）より広くし、表示
電極７の下部まで広げておく。さらに隣接する表示電極
７の間も陽極酸化用電極５により連結している。

この構造を用いることにより、陽極酸化用電極５を陽
極酸化時には幅を広くして且つ上下左右に横断している
ため、短時間に均一な陽極酸化膜を形成可能となる。

その他の作用効果は第11実施例の場合と同様である。

〔第13実施例〕つぎに、この発明の第13の実施例による液晶表示装置
について、第37図と第38図に基づいて説明する。

図37図は、この第13実施例における液晶表示装置のTF
D素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面図で
あり、第38図は、第37図のＰ−Ｐ線に沿う断面図であ
る。

これらの図を参照して、この第13実施例におけるTFD
素子の構成を説明する。

なお、この実施例は、第11実施例に絶縁膜48を形成
し、絶縁膜48に開口部91を設け、開口部91を利用して島
状の下部電極２と第１のデータ電極82を接続する配線接
続部76をエッチング除去する。

さらに、絶縁膜48の開口部91を第１のデータ電極82あ
るいは第２のデータ電極83と表示電極７との間、あるい
は表示電極７と表示電極７の間に設け、陽極酸化用電極
５の一部すなわちエッチング除去部121を除去し、第１
のデータ電極82と表示電極７を分離する構成からなる。

第１の基板１の上には、いずれも金属膜としてタンタ
ル（Ta）膜からなる陽極酸化用電極５と、島状の下部電
極２と、陽極酸化用電極５と下部電極２とを接続する配
線接続部76と（仮想線にて図示）を設ける。

陽極酸化用電極５の幅W1は島状の下部電極２の周辺以
外では、第１のデータ電極82の幅W2より広い。

陽極酸化用電極５は、一方の端部をランナー部5aによ
って複数本が相互に接続されている。また、その陽極酸
化用電極５の他方の端部は、外部回路から非線形抵抗素
子に信号を印加するための接続電極８に被覆されてい
る。

この第31図に示す第１のデータ電極82と表示電極７と
の間には陽極酸化用電極５を有する。エッチング除去部
121は最終構造では除去される。

さらに、第１のデータ電極82と島状の下部電極２に接
続する配線接続部76も最終構造では除去される。すなわ
ち、この第37図と第38は、製造工程の途中を仮想線にて
示して説明を理解しやすいようにしている。

陽極酸化処理を行う場合には、下部電極２の上下の２
方向に配線接続部76を設けることにより、例えば片側の
配線接続部76が断線した場合においても、別の配線接続
部76により陽極酸化用電極５に接続しているため、下部
電極２の表面には陽極酸化膜を問題なく形成できる。

さらに、陽極酸化用電極５の重なり部122上と基板１
上に透明導電性膜を設けて表示電極７とする。そして、
この表示電極７に接続する表示電極用上部電極85を下部
電極２上に設ける。さらに、陽極酸化用電極５上に第２
のデータ電極83を設け、さらに、第２のデータ電極83に
接続するデータ電極用上部電極84を設ける。

また、外部回路から非線形抵抗素子部に信号を印加す
るためのタンタルからなる陽極酸化用電極５上に透明導
電性膜からなる接続電極８を設ける。この接続電極８に
おいては、タンタルは額縁状の形状をしている。また、
透明導電性膜は額縁状のタンタルを覆い、四角形をして
いる。この形状にすることにより、外部回路と接続電極
８との接続を行う場合に、額縁状のタンタルにより透明
導電性膜より位置を明確にできるため、合わせ精度が向
上する。

さらに、額縁状タンタルの内と外に透明導電性膜を設
けることにより、外部回路と入力部の接続状況を透明導
電性膜を透して確認できる。

ここで、表示電極用上部電極85とデータ電極用上部電
極84と表示電極７とは、いずれも透明導電性膜、たとえ
ば酸化インジウム錫（ITO）膜で構成する。

つぎに、全面に非線形抵抗素子（TFD）の液晶表示装
置への加工を行う場合の外力による劣化あるいは破損の
防止と、第２のデータ電極83と液晶表示装置を構成する
対向電極（図示せず）間の電気的短絡の防止と表示電極
７と対向電極（図示せず）間の電気的短絡の防止のため
に、全面に絶縁膜48を設ける。

この絶縁膜48は、スパッタリング法による酸化タンタ
ル膜（Ta2O5）を設ける。

この絶縁膜48に配線接続部76を除去するための配線接
続用開口部91（一点鎖線にて示す）を設ける。さらに、
陽極酸化用電極５と表示電極７の重なり部122の間のエ
ッチング除去部121上にも、分離用開口部92を設ける。

さらに、接続電極８においては、絶縁膜48の接続用開
口部93を透明導電性膜の接続電極８上に設け、他の部分
には絶縁膜48を残してある。

このように、接続電極８において、絶縁膜48を外部回
路との接続電極８以外の領域に残しておくことにより、
絶縁膜48がほとんどの配線上を被覆しているため、ゴミ
等により近接する入力部、配線同士が電気的短絡を起こ
すことがない。

また、配線接続部76は、絶縁膜48の配線接続用開口部
91と表示電極７の辺と同一な辺を有し、島状の下部電極
２は、陽極酸化用電極５から配線接続用開口部91と同一
辺を有する。また、エッチング除去部121は、絶縁膜48
の分離用開口部92と表示電極７の辺と同一な辺を有し、
エッチング除去部121により陽極酸化用電極５は第１の
データ電極81となり、独立する表示電極７の構成とな
る。

したがって、陽極酸化を行う時には、陽極酸化用電極
５の幅をW1として第１のデータ電極82の幅W2より幅を広
くしており、表示電極７の下部まで広げておく。さらに
隣接する表示電極７の間も陽極酸化用電極５により連結
している。

最後に、第２のデータ電極83と表示電極７とを設け、
さらに、絶縁膜48を設けた後に、第１のデータ電極82と
島状の下部電極２との間を接続する配線接続部76のエッ
チング加工を行い、孤立する島状の下部電極２を設ける
と同時に第１のデータ電極82と表示電極７の間にあるエ
ッチング除去部121のエッチング加工を行い、孤立する
表示電極７と第１のデータ電極82とする。

この構造を用いることにより、陽極酸化用電極を陽極
酸化時には幅を広くし、短時間に均一な陽極酸化膜を形
成可能となる。

さらに、第26図の例と同様に、陽極酸化用電極の幅
（W1）を広くしてあるため、第１のデータ電極82の幅
（W2）内に断線箇所がある場合には、表示電極７と第１
のデータ電極82の間の陽極酸化用電極５の一部を利用し
て、第１のデータ電極82の断線を防止することができ
る。

さらに、この実施例によれば、第１のデータ電極82か
ら島状の下部電極２を分離する必要がある、さらに、接
続電極８において絶縁膜48に開口部を設け、外部回路と
の電気的接続を行う必要がある。そのため、絶縁膜48の
加工を行うと同時に、配線接続部76の除去と、陽極酸化
用電極５から第１のデータ電極82に加工を行う工程も同
時に行うことができるため、工程の増加には全くならな
い。

また、絶縁膜48を第２のデータ電極83上、あるいは表
示電極７上に設けることにより、液晶表示装置として利
用する場合に使用する対向電極との電気的短絡が発生し
ない。

さらに、２つの上部電極を設ける実施例で説明した
が、２つ以上の上部電極を設けてもよい。

〔第14実施例〕つぎに、この発明の第14実施例による液晶表示装置に
ついて、第39図と第40図に基づいて説明する。

この第14実施例は、TFT素子の構造に関するものであ
る。

図39図は、この第14実施例による液晶表示装置のTFT
素子を形成する第１の基板の一部領域を示す平面図であ
り、第40図は、第39図のＱ−Ｑ線に沿う断面図である。

TFT素子を形成するアクティブ基板である第１の基板
１の上には、いずれも金属膜としてタンタル（Ta）膜か
らなる陽極酸化用電極５と、陽極酸化用電極５の一部か
らなるゲート電極101を設ける。また、陽極酸化用電極
５は、ゲート電極101とエッチング除去部121と重なり部
122からなる。

陽極酸化用電極５の幅はゲート電極101の周辺以外で
は幅W1と広い。

この陽極酸化用電極５は、一方の端部では図示しない
陽極酸化用電極部によって複数本相互に接続されている
構成を有する。他方の端部においては、外部回路からTF
T素子に信号を印加するための接続部８に被覆されてい
る。この陽極酸化用電極５は、ゲート電極部101の表面
にゲート絶縁膜102を陽極酸化処理により形成するとき
の電極として使用する。

この第39図のゲート電極101と表示電極７との間には
陽極酸化用電極５の一部を有する。表示電極７以外の領
域であるエッチング除去部121は最終構造では除去され
る。

すなわち、これらの図では製造工程の途中を仮想線で
示し、説明を理解しやすいようにしている。

さらに、この陽極酸化用電極５とゲート電極101の表
面には、このタンタル膜を陽極酸化処理して形成する酸
化タンタル（Ta2 O5）膜からなるゲート絶縁膜102を設
ける。

そして、ゲート電極101の周辺にアモルファスシリコ
ン（ａ−Si）からなる半導体層103を設ける。さらに、
半導体層103上に不純物イオンとしてリン（Ｐ）を含む
半導体層104を設ける。

さらに、不純物イオンを含む半導体層104上にソース
電極105とドレイン電極106を設ける。ソース電極105と
ドレイン電極106はモリブデン（Mo）にて設ける。不純
物イオンを含む半導体層104はソース電極105とドレイン
電極106と半導体層103の重なり合う部分に設けている。
また、ソース電極105は外部回路に接続するデータ電極8
1に接続する。

データ電極81とゲート電極101の重なる部分では、ゲ
ート電極101が金属膜（タンタル）２と陽極酸化膜（酸
化タンタル）３であり、その上部に半導体層103と不純
物イオンを含む半導体層104とソース電極105の金属膜
（モリブデン）を設ける。

このように、ゲート電極101の金属膜とソース電極105
の金属膜の間に多層の絶縁膜、あるいは半導体層103を
設けることにより電気的短絡を防止できる。

さらに、陽極酸化用電極５の重なり部122上と基板１
上に表示電極７を設ける。

また、外部回路から非線形抵抗素子に信号を印加する
ためのタンタルからなる陽極酸化用電極５上に透明導電
性膜からなる接続電極８を設ける。この接続電極８にお
いては、タンタルは額縁状の形状をしている。また、透
明導電性膜は額縁状のタンタルを覆い、四角形をしてい
る。

この形状にすることにより、外部回路と接続電極８と
の接続を行う場合に、額縁状のタンタルにより透明導電
性膜より位置を明確にできるため、合わせ精度が向上す
る。さらに、額縁状タンタルの内と外に透明導電性膜を
設けることにより、外部回路と接続電極８の接続状況を
透明導電性膜を透して確認できる。

ここで表示電極７と接続電極８とは、いずれも透明導
電性膜、たとえば酸化インジウム錫（ITO）膜で構成す
る。

さらに、陽極酸化用電極５の内、表示電極７とゲート
電極101の間にあるエッチング除去部121は、エッチング
処理法によりエッチング除去し、陽極酸化用電極５は、
ゲート電極101となり、表示電極７の下部にある重なり
部122と分離する。

このため、陽極酸化用電極５の幅はゲート電極101と
しての幅W2となる。

したがって、陽極酸化を行う時には、陽極酸化用電極
５の幅をW1としてゲート電極101の幅（W2）より幅を広
くし、表示電極７の下部まで広げておく。さらに隣接す
る表示電極７の間も陽極酸化用電極５により連結してい
る。

最後に表示電極７を設けた後に、ゲート電極101と表
示電極７の下部にある重なり部122に分離する。さら
に、孤立する表示電極７となる。

さらに、陽極酸化用電極５の幅（W1）を広くしてある
ため、ゲート電極101の幅（W2）内に断線箇所がある場
合には、表示電極７とゲート電極101の間の陽極酸化用
電極５の一部を利用しゲート電極101の断線を防止する
ことができる。

ここで、この第14実施例による液晶表示装置のアクテ
ィブ基板の製造方法を、第41乃至第44図を用いて説明す
る。

第41乃至第44図は、この第14実施例による液晶表示装
置のアクティブ基板の製造方法を工程順に示す断面図で
ある。

先ず始めに、第41図に示すガラスからなるアクティブ
基板である第１の基板１上の全面に、金属膜としてタン
タル（Ta）膜を200nmの膜厚でスパッタリング法で形成
する。

その後、タンタル膜上の全面に感光性樹脂（図示せ
ず）を回転塗布法により形成し、所定のホトマスクを用
いて露光，現像処理を行い、感光性樹脂をパターン形成
し、その後このパターニングした感光性樹脂をエッチン
グマスクに用いてタンタル膜をエッチングするホトエッ
チング処理により、陽極酸化用電極５と、陽極酸化用電
極５に接続するゲート電極101とをパターン形成する。

ここでタンタル膜のエッチングは、RIE装置を用いて
行う。

そのエッチング条件は、エッチングガスとして六弗化
硫黄（SF6）と酸素（O2）との混合ガスを用いる。そし
て六弗化硫黄の流量が100〜200sccm、酸素流量が10〜40
sccmで、圧力が４〜12×10^-2torrとし、使用電力が0.2
〜0.5kW/cm²で行う。

その後、陽極酸化用電極５を陽極とし、陽極酸化液と
して、0.01〜1.0wt％のクエン酸水溶液あるいはホウ酸
アンモニウム水溶液または燐酸水溶液を用いて、60〜70
Vの電圧を印加して、タンタル膜の陽極酸化処理を行
う。

この結果、ゲート電極101と陽極酸化用電極５との側
壁と上面の表面に、酸化タンタル膜（Ta2 O5）からなる
絶縁膜（図示せず）を120〜130nmの膜厚で形成する。

つぎに、プラズマCVD法を用いて、半導体層103として
アモルファスシリコン（ａ−Si）膜を70nmで全面に形成
する。その後、プラズマCVD法を用いて不純物イオンと
してリン（Ｐ）を含む半導体層104（ｎ−ａ−Si）を20n
mで全面に形成する。

その後、第42図に示すように、半導体層103,104をエ
ッチング処理して、ゲート電極101上の周囲とデータ電
極81の部分にパターン形成する。

ここでアモルファスシリコン膜のエッチングは、RIE
装置を用いて行う。

そのエッチング条件は、エッチングガスとして四弗化
炭素（CF₄）と酸素（O2）との混合ガスを用いる。そし
て四弗化炭素の流量が100〜200sccm、酸素流量が10〜40
sccmで、圧力が４〜12×10^-2torrとし、さらに使用電力
が0.2〜0.5kW/cm²で行う。

つぎに第43図に示すように、スパッタリング法を用い
て、モリブデン膜（Mo）を膜厚200nmで全面に形成す
る。その後、モリブデン膜上に感光性樹脂（図示せず）
を形成する。

その後、モリブデン膜をエッチング処理してソース電
極105と、ドレイン電極106とソース電極105に接続する
データ電極81とを同時にパターン形成する。

このモリブデン膜のエッチングは、燐酸（H₃PO₄）と
硝酸（HNO₃）と酢酸（CH₃COOH）のエッチャントとを用
いるウエットエッチングにより行う。なおこのときのエ
ッチャント液温は25℃〜26℃に設定する。

さらに、その感光性樹脂をエッチング用のマスクとし
て不純物イオンを含む半導体層104をエッチングする。
エッチングは、RIE装置を用いて行い、そのエッチング
条件は、下地の半導体層103の劣化が起きない条件とす
る。

エッチングガスとして四弗化炭素（CF₄）と酸素（O
2）との混合ガスを用いる。そして四弗化炭素流量が80
〜120sccm、酸素流量が10〜15sccmとで、圧力が10〜12
×10^-2torrとし、さらに使用電力が0.05〜0.1kW/cm²で
行う。

つぎにスパッタリング法を用いて、透明導電性膜とし
て酸化インジウム錫（ITO）膜を膜厚100nmで全面に形成
する。その後、酸化インジウム錫膜上に感光性樹脂（図
示せず）を形成する。

その後、酸化インジウム錫膜をエッチング処理してド
レイン電極106に接続し、陽極酸化用電極５の一部であ
る重なり部122上に表示電極７をパターン形成する。さ
らに、ゲート電極101に接続する陽極酸化用電極５上に
接続電極８とデータ電極81に接続する入力部（図示せ
ず）をパターン形成する。

この酸化インジウム錫のエッチングは、臭素（HBr）
の水溶液エッチャントを用いるウエットエッチングによ
り行う。なおこのときのエッチャント液温は25℃〜30℃
に設定する。

つぎに第44図に示すように、陽極酸化用電極５の内表
示電極７の重なり部122とゲート電極101の間のエッチン
グ除去部121、あるいは表示電極７と表示電極７の間に
あるエッチング除去部121をエッチング除去するため
に、データー電極81とゲート電極部101の周への覆う感
光性樹脂125を形成する。

陽極酸化用電極５の内、エッチング除去部121は、感
光性樹脂125と酸化インジュウム錫膜からなる表示電極
７から露出しているため、感光性樹脂125と表示電極７
をエッチング用のマスクとし、エッチング除去部121はR
IE装置を使用したエッチング処理により除去される。

上記のエッチング条件では、酸化インジウム錫をほと
んどエッチングすることなく、タンタル膜２とゲート絶
縁膜102である酸化タンタル膜だけをエッチングするこ
とができる。

以上の工程により、この実施例の第39図と第40図に示
したように、陽極酸化用電極５は、ゲート電極101と、
表示電極７の下部にある重なり部122とに分離すること
ができる。

この製造方法を用いることにより、陽極酸化用電極を
陽極酸化時には幅（W1）を広くし、短時間に均一な陽極
酸化膜を形成可能となる。

さらに、陽極酸化用電極５の幅W1を広くしてあるた
め、ゲート電極101の幅W2内に断線箇所がある場合に
は、表示電極７とゲート電極101の間の陽極酸化用電極
５の一部を利用してゲート電極101の断線を防止するこ
とができる。

〔第10乃至14実施例の変更例〕以上説明した各実施例においては、透明導電性膜とし
ては酸化インジウム錫（ITO）膜を用いた例で説明した
が、酸化インジウム（In2 O3）、酸化錫（SnO2）、酸化
亜鉛（ZnO）などの酸化物を用いてもよい。

まいた、陽極酸化用電極５の材料としてタンタルを用
いた例で説明したが、アルミニウムあるいは、タンタル
あるいは、アルミニウムに炭素，シリコン，ニオブ，窒
素，あるいはリンを含む金属膜を用いてもよい。

さらに、第10実施例乃至第13実施例において、上部電
極として表示電極と同一の透明導電性膜を用いた例を説
明したが、上部電極と表示電極を異なる材質で設けるよ
うにしてもよい。

上部電極の材質として、クロム，チタン，タングステ
ン，チタンシリサイド，タングステンシリサイド，ある
いは窒素を含むクロム膜も使用することができる。

産業上の利用性この発明は、各種電子機器に多用されている液晶表示
装置、特に微細化加工が可能でコスト低減に有効なTFD
あるいはTFT等の非線形抵抗素子をスイッチング素子に
用いた液晶表示装置において、電極の陽極酸化処理によ
る非線形抵抗層の形成を短時間に均一に行うことがで
き、その後に破壊が起こるのを防ぎ、検査も容易にする
ことができる。

また、陽極酸化用電極を使用した後の残存部分を有効
に利用して、外部回路との接続電極などを形成したり、
遮光部として見切りに利用したり、電極に欠陥が生じた
場合の補修用に利用したりすることができる。

したがって、液晶表示装置の製作時の歩留まりの向
上、表示品質の向上、汎用性の拡大、コストの低減など
を実現することができ、産業上の利用価値が高いもので
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−43494（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−260220（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−195687（ＪＰ，Ａ) 特開平４−120518（ＪＰ，Ａ) 特開平３−27026（ＪＰ，Ａ) 特開平３−125123（ＪＰ，Ａ) 特開平７−104316（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1365 G02F 1/1345 H01L 49/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（補正後）所定の間隔をもって対向する第
１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設け
た第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と第
２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の信号電極と、前記下部電極を陽極酸化して非線形
抵抗層を形成するための陽極酸化用電極とを有し、前記
複数の信号電極は、前記下部電極の陽極酸化処理を行う
ときには、前記陽極酸化用電極により相互に接続されて
おり、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける上部電
極と、該上部電極に接続される表示電極と、前記陽極酸
化用電極の一部を覆い、表示駆動用ドライバICの出力端
子と接続する接続電極とを有し、前記下部電極と、該下部電極の陽極酸化処理によって形
成された非線形抵抗層と、前記上部電極とによって前記
非線形抵抗素子を構成し、前記陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後に前記接続
電極に覆われずに前記複数の信号電極を接続する部分が
前記接続電極と同一辺にて除去され、それによって前記
各信号電極を分離し独立させていることを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項２】（補正後）所定の間隔をもって対向する第
１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設け
た第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と第
２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の信号電極と、前記下部電極を陽極酸化して非線形
抵抗層を形成するための陽極酸化用電極とを有し、前記
複数の信号電極は、前記下部電極の陽極酸化処理を行う
ときには、前記陽極酸化用電極により相互に接続されて
おり、前記第２の電極として前記非線形抵抗層上に設ける上部
電極を、第３の電極として該上部電極に接続される表示
電極を設け、その第２の電極あるいは第３の電極の少な
くとも一方が前記陽極酸化用電極の一部を覆い、表示駆
動用ドライバICの出力端子と接続する接続電極を有し、前記下部電極と、該下部電極の陽極酸化処理によって形
成された非線形抵抗層と、前記上部電極とによって前記
非線形抵抗素子を構成し、前記陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後に前記第２
の電極あるいは第３の電極からなる接続電極に覆われず
に前記複数の信号電極を接続する部分が前記接続電極と
同一辺にて除去され、それによって前記各信号電極を分
離し独立させていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】（補正後）所定の間隔をもって対向する第
１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設け
た第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と第
２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の第１の信号電極と、前記下部電極を陽極酸化して
非線形抵抗層を形成するための陽極酸化用電極とを有
し、前記複数の第１の信号電極は、前記下部電極の陽極
酸化処理を行うときには、前記陽極酸化用電極により相
互に接続されており、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける上部電
極と、該上部電極に接続される表示電極と、前記非線形
抵抗素子に外部信号を印加するための第２の信号電極
と、同一基板上に形成される隣接する液晶表示装置の第
１の電極からなる陽極酸化用電極の一部を覆う入力電極
とを有し、前記陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後に前記入力
電極に覆われずに前記複数の第１の信号電極を接続する
部分が除去され、前記入力電極と同一辺にて分離され、
前記各第１の信号電極を分離し独立させていることを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項４】（補正後）所定の間隔をもって対向する第
１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設け
た第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と第
２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の第１の信号電極と、前記下部電極を陽極酸化して
非線形抵抗層を形成するための陽極酸化用電極とを有
し、前記複数の第１の信号電極は、前記下部電極の陽極
酸化処理を行うときには、前記陽極酸化用電極により相
互に接続されており、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける上部電
極と、該上部電極に接続される表示電極と、前記非線形
素子に外部信号を印加するための第２の信号電極と、該
信号電極に外部回路から電圧を印加する接続電極とを有
し、前記非線形抵抗素子あるいは、前記表示電極上を覆う絶
縁膜を形成し、該絶縁膜の前記陽極酸化膜上と前記接続
電極上に開口部を設け、前記陽極酸化用電極が、前記陽極酸化処理後に前記絶縁
膜に覆われずに前記開口部内に露出する部分が除去され
て該開口部と同一の辺にて分離され、前記各第１の信号
電極を分離し独立させていることを特徴をする液晶表示
装置。
【請求項５】（補正後）請求の範囲１に記載の液晶表示
装置において、多数の前記表示電極と、該各表示電極に対してそれぞれ
設けられて前記信号電極に接続された非線形抵抗素子と
が、マトリクス状に配列されて表示領域を形成し、該表示領域の周囲に不透明な前記陽極酸化用電極の残存
部による遮光部、および前記接続電極の先端部を囲むよ
うに延びる周囲電極を設けたことを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項６】（削除）
【請求項７】（削除）
【請求項８】（補正後）所定の間隔をもって対向する第
１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設け
た第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と第
２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の第１の信号電極と、前記下部電極を陽極酸化して
非線形抵抗層を形成するための陽極酸化用電極とを有
し、前記複数の第１の信号電極は、前記下部電極の陽極
酸化処理を行うときには、前記陽極酸化用電極により相
互に接続されており、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける２つの
上部電極と、表示電極と、前記第１の信号電極上を覆う
第２の信号電極と、前記陽極酸化用電極の一部を覆い、
表示駆動用ドライバICの出力端子と接続する接続電極と
を有し、前記２つの上部電極の一方は前記第２の信号電極に接続
され、他方は前記表示電極に接続されており、前記下部電極と、該下部電極の陽極酸化処理によって形
成された非線形抵抗層と、前記２つの上部電極とによっ
て２つの前記非線形抵抗素子を構成し、前記陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後に前記接続
電極と同一な辺で分離され、それによって前記各第１の
信号電極を分離し独立させており、多数の前記表示電極と、該各表示電極に対してそれぞれ
設けられて前記第1,第２の信号電極にそれぞれ接続され
た前記２つの非線形抵抗素子とが、マトリクス状に配列
されて表示領域を形成し、該表示領域の周囲に不透明な前記陽極酸化用電極の残存
部による遮光部を設けたことを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項９】所定の間隔をもって対向する第１の基板お
よび第２の基板と、その第１の基板上に設けた第１の電
極および第２の電極と、その第１の電極と第２の電極と
が重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子と、前記第１
の基板と第２の基板との間に封入した液晶とを備えた液
晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の信号電極と、前記下部電極を陽極酸化して非線形
抵抗層を形成するための陽極酸化用電極とを有し、前記
複数の信号電極は、前記下部電極の陽極酸化処理を行う
ときには、前記陽極酸化用電極により相互に接続されて
おり、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける上部電
極と、該上部電極に接続される表示電極とを有し、前記下部電極と、該下部電極の陽極酸化処理によって形
成された非線形抵抗層と、前記上部電極とによって前記
非線形抵抗素子を構成し、前記第１の基板及び前記第1,第２の電極上に絶縁膜を設
け、該絶縁膜には開口を有し、前記陽極酸化用電極の一
部は、前記陽極酸化処理後に前記絶縁膜の開口部と同一
な辺にて分離され、それによって前記各信号電極を分離
し独立させており、多数の前記表示電極と、該各表示電極に対してそれぞれ
設けられて前記信号電極にそれぞれ接続された前記非線
形抵抗素子とが、マトリクス状に配列されて表示領域を
形成し、該表示領域の周囲に不透明な前記陽極酸化用電極の残存
部と前記絶縁膜とによる遮光部を設けたことを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項１０】（補正後）所定の間隔をもって対向する
第１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設
けた第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と
第２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の第１の信号電極と、前記下部電極を陽極酸化して
非線形抵抗層を形成するための陽極酸化用電極とを有
し、前記複数の第１の信号電極は、前記下部電極の陽極
酸化処理を行うときには、前記陽極酸化用電極により相
互に接続されており、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける２つの
上部電極と、表示電極と、前記第１の信号電極上を覆う
第２の信号電極とを有し、前記２つの上部電極の一方は前記第２の信号電極に接続
され、他方は前記表示電極に接続されており、前記下部電極と、該下部電極の陽極酸化処理によって形
成された非線形抵抗層と、前記２つの上部電極とによっ
て２つの前記非線形抵抗素子を構成し、前記第１の基板及び前記第1,第２の電極上に絶縁膜を設
け、該絶縁膜には開口を有し、前記陽極酸化用電極の一
部は、前記陽極酸化処理後に前記絶縁膜の開口部と同一
な辺にて分離され、それによって前記各第１の信号電極
を分離し独立させており、多数の前記表示電極と、該各表示電極に対してそれぞれ
設けられて前記第1,第２の信号電極にそれぞれ接続され
た前記２つの非線形抵抗素子とが、マトリクス状に配列
されて表示領域を形成し、該表示領域の周囲に不透明な前記陽極酸化用電極の残存
部と前記絶縁膜とによる遮光部を設けたことを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項１１】（補正後）所定の間隔をもって対向する
第１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設
けた複数の電極と、その複数の電極が重なり合う領域に
設けた非線形抵抗素子である薄膜トランジスタと、前記
第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶とを備え
た液晶表示装置において、前記第１の基板上に前記薄膜トランジスタに外部信号を
印加するための複数のゲート電極と、該ゲート電極を陽
極酸化してゲート絶縁膜を形成するための陽極酸化用電
極とを設け、前記複数のゲート電極は、該ゲート電極の
陽極酸化処理を行うときには、前記陽極酸化用電極によ
り相互に接続されており、該ゲート電極上にその陽極酸化膜であるゲート絶縁膜が
形成され、そのゲート酸化膜上に半導体層を設け、その
半導体層上にソース電極とドレイン電極を設け、これら
によって薄膜トランジスタを構成し、前記第１の基板上に前記ドレイン電極と接続して表示電
極を設け、前記陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後に前記ゲー
ト電極を相互に接続する部分が分離されて、それによっ
て前記各ゲート電極を分離し独立させ、多数の前記表示電極と、該各表示電極に対応してそれぞ
れ設けられた前記薄膜トランジスタとが、マトリクス状
に配列されて表示領域を形成し、該表示領域の周囲に、不透明な前記陽極酸化用電極の残
存部による遮光部を設けたことを特徴とすることを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項１２】（補正後）請求の範囲11に記載の液晶表
示装置において、前記前記陽極酸化用電極の前記遮光部をなす部分上に
は、前記表示電極と同一な材質の膜が設けられているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】（補正後）所定の間隔をもって対向する
第１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設
けた複数の電極と、その複数の電極が重なり合う領域に
設けた非線形抵抗素子である薄膜トランジスタと、前記
第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶とを備え
た液晶表示装置において、前記第１の基板上に前記薄膜トランジスタに外部信号を
印加するための複数のゲート電極と、該ゲート電極を陽
極酸化してゲート絶縁膜を形成するための陽極酸化用電
極とを設け、前記複数のゲート電極は、該ゲート電極の
陽極酸化処理を行うときには、前記陽極酸化用電極によ
り相互に接続されており、該ゲート電極上にその陽極酸化膜であるゲート絶縁膜が
形成され、そのゲート酸化膜上に半導体層を設け、その
半導体層上にソース電極とドレイン電極を設け、これら
によって薄膜トランジスタを構成し、前記第１の基板上に前記ドレイン電極と接続して表示電
極を設け、前記第１の基板上に絶縁膜を設け、該絶縁膜には開口を
有し、前記陽極酸化用電極の一部は、前記陽極酸化処理
後に前記絶縁膜の開口部と同一な辺にて分離され、それ
によって前記各ゲート信号電極を分離し独立させてお
り、多数の前記表示電極と、該各表示電極に対してそれぞれ
設けられた前記薄膜トランジスタとが、マトリクス状に
配列されて表示領域を形成し、該表示領域の周囲に不透明な前記陽極酸化用電極の残存
部と前記絶縁膜とによる遮光部を設けたことを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項１４】（補正後）所定の間隔をもって対向する
第１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設
けた第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と
第２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の信号電極と、該信号電極に接続され前記下部電極
を陽極酸化して非線形抵抗層を形成するための第１の陽
極酸化用電極と、該第１の陽極酸化用電極から独立した
第２の陽極酸化用電極と、該第２の陽極酸化用電極と接
続した補助電極とを有し、前記複数の信号電極は、前記
下部電極の陽極酸化処理を行うときには、前記第１の陽
極酸化用電極により相互に接続されており、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける上部電
極と、該上部電極に接続される表示電極と、前記第1,第
２の陽極酸化用電極の一部を覆う接続電極とを有し、前記下部電極と、該下部電極の陽極酸化処理によって形
成された非線形抵抗層と、前記上部電極とによって前記
非線形抵抗素子を構成し、前記第１の陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後、前
記各信号電極を相互に接続する部分が分離されて、該各
信号電極を分離し独立させており、前記第２の陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後、前
記補助電極を相互に接続する部分が分離されて、該各補
助電極を分離し独立させており、前記陽極酸化処理によって、前記第２の陽極酸化用電極
上に設けられる非線形抵抗層の膜厚が、前記第１の陽極
酸化用電極上に設けせれる非線形抵抗層の膜厚より厚い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】（補正後）請求の範囲14に記載の液晶表
示装置において、前記第１の基板上、前記第１の陽極酸化用電極上の非線
形抵抗層上、前記第２の陽極酸化用電極上の非線形抵抗
層上、前記信号電極上、前記補助電極上及び前記表示電
極上に絶縁膜を設け、該絶縁膜には、前記第1,第２の陽極酸化用電極の一部に
対応する位置に開口部を有し、前記第1,第２の陽極酸化用電極は、それぞれ前記絶縁膜
の開口部と同一の辺にて分離されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項１６】（補正後）所定の間隔をもって対向する
第１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設
けた第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と
第２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、前記非線形抵抗素子を構成する下部
電極と、該非線形抵抗素子に外部信号を印加するための
複数の第１の信号電極と、該第１の信号電極に接続され
前記下部電極を陽極酸化して非線形抵抗層を形成するた
めの第１の陽極酸化用電極と、該第１の陽極酸化用電極
から独立した第２の陽極酸化用電極と、該第２の陽極酸
化用電極と接続した補助電極とを有し、前記複数の第１
の信号電極は、前記下部電極の陽極酸化処理を行うとき
には、前記第１の陽極酸化用電極により相互に接続され
ており、前記第２の電極は、前記非線形抵抗層上に設ける２つの
上部電極と、該上部電極に接続される表示電極と、前記
第１の信号電極上を覆う第２の信号電極と、前記第１の
陽極酸化用電極の一部を覆う接続電極とを有し、前記２つの上部電極の一方は前記第２の信号電極に接続
され、他方は前記表示電極に接続されており、前記下部電極と、該下部電極の陽極酸化処理によって形
成された非線形抵抗層と、前記２つの上部電極とによっ
て２つの前記非線形抵抗素子を構成し、前記第１の陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後、前
記各第１の信号電極を相互に接続する部分が分離され
て、該各第１の信号電極を分離し独立させており、前記第２の陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後、前
記補助電極を相互に接続する部分が分離されて、該各補
助電極を分離し独立させており、前記陽極酸化処理によって、前記第２の陽極酸化用電極
上に設けられる非線形抵抗層の膜厚が、前記第１の陽極
酸化用電極上に設けられる非線形抵抗層の膜厚より厚い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】請求の範囲16に記載の液晶表示装置にお
いて、前記第１の基板上、前記第１の陽極酸化用電極上の非線
形抵抗層上、前記第２の陽極酸化用電極上の非線形抵抗
層上、前記第２の信号電極上、前記補助電極上、及び前
記表示電極上に絶縁膜を設け、該絶縁膜には、前記第1,第２の陽極酸化用電極の一部に
対応する位置に開口部を有し、前記第1,第２の陽極酸化用電極は、それぞれ前記絶縁膜
の開口部と同一の辺にて分離されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
【請求項１８】（補正後）所定の間隔をもって対向する
第１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設
けた第１の電極および第２の電極と、その第１の電極と
第２の電極とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子
と、前記第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶
とを備えた液晶表示装置において、前記第１の電極は、いずれも金属膜からなる陽極酸化用
電極と該陽極酸化用電極にそれぞれ接続する複数の信号
電極と該信号電極にそれぞれ接続する複数の下部電極と
を有し、前記第２の電極は、前記下部電極の陽極酸化処理によっ
て形成された非線形抵抗層上に設ける上部電極と、該上
部電極に接続される表示電極とを有し、前記下部電極と非線形抵抗層と上部電極とにより非線形
抵抗素子を構成し、前記陽極酸化用電極は、前記信号電極と前記表示電極と
の間にエッチング除去部と前記表示電極の下側に重なる
重なり部とを有し、この陽極酸化用電極と前記信号電極
と下部電極の全面に前記陽極酸化処理による非線形抵抗
層が形成され、その陽極酸化処理後に、前記陽極酸化用電極の前記複数
の信号電極を接続する部分と前記エッチング除去部とが
除去されることにより、前記各信号電極は分離されて独
立し、前記陽極酸化用電極の重なり部は前記表示電極毎
に分離されて残存することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
【請求項２０】所定の間隔をもって対向する第１の基板
および第２の基板と、その第１の基板上に設けた第１の
電極および第２の電極と、その第１の電極と第２の電極
とが重なり合う領域に設けた非線形抵抗素子と、前記第
１の基板と第２の基板との間に封入した液晶とを備えた
液晶表示装置において、前記第１の電極は、いずれも金属膜からなる信号電極
と、複数の該信号電極を接続する陽極酸化用電極と、島
状の下部電極と、該下部電極と前記陽極酸化用電極とを
接続する配線接続部とを有し、前記第２の電極は、前記下部電極の陽極酸化処理によっ
て形成された非線形抵抗層上に設ける２つの上部電極
と、透明導電膜からなる表示電極とを有し、前記２つの上部電極はそれぞれ前記下部電極と交差し、
その一方は前記信号電極に接続され、他方は前記表示電
極に接続されており、前記下部電極と非線形抵抗層と２つの上部電極とにより
２つの非線形抵抗素子を構成し、前記陽極酸化用電極は、前記信号電極と前記表示電極と
の間にエッチング除去部と前記表示電極の下側に重なる
重なり部とを有し、この陽極酸化用電極と前記信号電極
と下部電極の全面に前記陽極酸化処理による非線形抵抗
層が形成され、その陽極酸化処理後に、前記陽極酸化用電極の前記複数
の信号電極を接続する部分と前記配線接続部と前記エッ
チング除去部とが除去されることにより、前記各信号電
極及び前記各下部電極は分離されて独立し、前記陽極酸
化用電極の重なり部は前記表示電極毎に分離されて残存
することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２１】（補正後）請求の範囲20に記載の液晶表
示装置において、前記陽極酸化用電極の一部をなす前記表示電極との重な
り部を、各表示電極の前記非線形抵抗素子を形成する部
位を除く略全周に設けたことを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２２】（補正後）請求の範囲20に記載の液晶表
示装置において、前記島状の下部電極を前記陽極酸化用電極に接続する配
線接続部を、１つの下部電極に対して複数設け、その各配線接続部は、前記下部電極の陽極酸化処理後に
いずれも除去されるようにしたことを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２３】（補正後）請求の範囲20に記載の液晶表
示装置において、前記信号電極を、前記陽極酸化用電極と接続する第１の
信号電極と、該第１の信号電極上に設けられる透明導電
膜からなり、前記２つの上部電極の一方と接続される第
２の信号電極とによって構成したことを特徴とする液晶
表示装置。
【請求項２４】（補正後）請求の範囲20に記載の液晶表
示装置において、前記第１の基板上の略全面に保護用の絶縁膜を設け、該
絶縁膜は、前記陽極酸化用電極の複数の信号電極を接続
する部分と配線用接続部とエッチング除去部と対応する
部分に開口部を有し、該開口部内に露出する前記陽極酸
化用電極の各部分がエッチングにより除去されてなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２５】（補正後）所定の間隔をもって対向する
第１の基板および第２の基板と、その第１の基板上に設
けた複数の電極と、その複数の電極が重なり合う領域に
設けた非線形抵抗素子である薄膜トランジスタと、前記
第１の基板と第２の基板との間に封入した液晶とを備え
た液晶表示装置において、前記第１の基板上に前記薄膜トランジスタに外部信号を
印加するための複数のゲート電極と、該ゲート電極を陽
極酸化してゲート絶縁膜を形成するための陽極酸化用電
極とを設け、前記複数のゲート電極は、該ゲート電極の
陽極酸化処理を行うときには、前記陽極酸化用電極によ
り相互に接続されており、該ゲート電極上にその陽極酸化膜であるゲート絶縁膜が
形成され、そのゲート酸化膜上に半導体層を設け、その
半導体層上にソース電極とドレイン電極を設け、これら
によって薄膜トランジスタを構成し、前記第１の基板上に前記ドレイン電極と接続する表示電
極を設け、前記陽極酸化用電極は、前記ゲート電極と前記表示電極
との間に、エッチング除去部と、前記表示電極の下側に
重なる重なり部とを有し、この陽極酸化用電極と前記ゲ
ート電極の全面に前記陽極酸化処理によるゲート絶縁膜
が形成され、前記陽極酸化用電極は、前記陽極酸化処理後に前記ゲー
ト電極を相互に接続する部分が分離され、それによって
前記各ゲート電極を分離して独立させ、前記エッチング
除去部が除去されることにより、前記重なり部が前記表
示電極毎に分離されて残存することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２６】（削除）