JP3057780B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JP3057780B2
JP3057780B2 JP3039693A JP3969391A JP3057780B2 JP 3057780 B2 JP3057780 B2 JP 3057780B2 JP 3039693 A JP3039693 A JP 3039693A JP 3969391 A JP3969391 A JP 3969391A JP 3057780 B2 JP3057780 B2 JP 3057780B2
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JP
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signal
node
input
circuit
latch
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JP3039693A
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Inventor
繁 丸山
Original Assignee
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特にラッチ信号発生回路を備える半導体集積回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のラッチ信号発生回路は、図3に示
されように、PMOSトランジスタ7および8と、NM
OSトランジスタ9〜11と、インバータ12と、ラッ
チ回路13と、遅延回路14とを備えて構成される。
【0003】図3において、端子56より入力されるセ
ンスアンプ選択信号108の入力に対応して、PMOS
トランジスタ7および8と、NMOSトランジスタ9お
よび10とにより形成されるセンスアンプが活性化さ
れ、端子54および55より入力される入力信号106
および107の差電圧が増幅されて、インバータ12を
経由し、信号109としてラッチ回路13に入力され
る。また、端子56より入力されるセンスアンプ選択信
号108は、遅延回路14において遅延され、インバー
タ12より出力される信号109が確定するまでの時間
を待ってから出力されて、ラッチ信号110としてラッ
チ回路13に入力される。このラッチ信号110を介し
て、信号109はラッチ回路13においてラッチされ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のラッチ
信号発生回路においては、遅延回路の遅延時間、ならび
にセンスアンプの活性化から信号109が確定されるま
での時間が、製造時のバラツキに起因して必ずしも一定
ではなく変化するために、正確にインバータ出力の信号
をラッチすることができない場合が生じるという欠点が
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、一対のトランジスタにより形成される差動増幅器を
含むと共に入力される一対の入力信号の差電圧を増幅し
て出力するセンスアンプと、前記センスアンプに接続さ
れラッチ信号に応答して前記増幅された信号をラッチす
るラッチ回路とを備える半導体集積回路において、前記
差動増幅器の共通接続点の電位が所定値となる時点で前
記ラッチ信号を出力するレベル検知回路を備えることを
特徴とする
【0006】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0007】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。図1に示されるように、本実施例は、PMOS
トランジスタ1および2と、NMOSトランジスタ3〜
5と、インバータ6と、ラッチ回路7と、レベル検知回
路8とを備えて構成される。
【0008】また、図2(a),(b),(c),
(d)および(e)は、本実施例における各信号および
電位レベル等を示すタイミングチャートで、それぞれ、
入力信号101および102、センスアンプ選択信号1
03、節点AおよびBにおける電位、信号104および
ラッチ信号105を示している。
【0009】図1において、端子51および52より入
力される入力信号101および102のレベルを、説明
の便宜上、それぞれロウレベルおよびハイレベルである
ものとする。端子53よりセンスアンプ選択信号103
が入力され、PMOSトランジスタ1および2と、NM
OSトランジスタ3および4とにより形成されるセンス
アンプが活性化され、端子51および52より入力され
る入力信号101および102の差電圧が増幅されて、
インバータ6を経由し、信号104としてラッチ回路7
に入力される。この場合、センスアンプの出力点に対応
する節点Aの電圧レベルが十分に低い電位となると、こ
れに伴ない節点Bの電位も節点Aの電位低下に追従して
低下する。この節点Bの電位が所定の電位に低下する
と、レベル検知回路8からはラッチ信号105が発生さ
れてラッチ回路7に送られる。レベル検知回路8からラ
ッチ信号105が発生されるために必要な節点Bの前記
所定の電位は、節点Bの当該電位に対応する節点Aにお
ける電位が、インバータ6の動作入力電位よりも低い電
位となるように設定される。これにより、レベル検知回
路8からラッチ信号105が出力され、ラッチ信号10
5がラッチ回路7に入力された後のタイミングにおい
て、インバータ6から信号104が出力されてラッチ回
路7に入力される。従って、常に、信号104は、ラッ
チ回路7において正確にラッチされる。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、センス
アンプを構成するNMOSトランジスタにおけるソース
の共通接続点の電位を入力とし、所定のラッチ信号を出
力するレベル検知回路を備え、前記レベル検知回路が作
動してラッチ信号を出力するタイミングを、前記レベル
検知回路に対する入力電位レベルを規定し調整すること
により、製造上のバラツキによるラッチ回路における誤
動作を排除することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。
【図2】本実施例における各信号のタイミング図であ
る。
【図3】従来例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1,2,7,8 PMOSトランジスタ 3〜5,9〜11 NMOSトランジスタ 6,12 インバータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−236896(JP,A) 特開 平2−201797(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一対のトランジスタにより形成される差動
    増幅器を含むと共に入力される一対の入力信号の差電圧
    を増幅して出力するセンスアンプと、前記センスアンプ
    に接続されラッチ信号に応答して前記増幅された信号を
    ラッチするラッチ回路とを備える半導体集積回路におい
    て、前記差動増幅器の共通接続点の電位が所定値となる
    時点で前記ラッチ信号を出力するレベル検知回路を備え
    ることを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】第1の電源ラインと、第2の電源ライン
    と、前記第1の電源ラインと第1の節点との間に接続さ
    れた第1の負荷素子と、前記第1の電源ラインと第2の
    節点との間に接続された第2の負荷素子と、前記第1の
    節点と共通節点との間に接続され制御端に第1の入力信
    号が入力される第1のトランジスタと、前記第2の節点
    と前記共通節点との間に接続され制御端に第2の入力信
    号が入力される第2のトランジスタと、前記共通節点と
    前記第2の電源ラインとの間に接続され制御端に制御信
    号が入力される第3のトランジスタと、前記第1の節点
    のデータをラッチ信号に応答してラッチするラッチ回路
    と、前記共通節点に接続され前記共通節点の電位が所定
    の電位になったことを検出して前記ラッチ信号を出力す
    るレベル検知回路とを備えることを特徴とする半導体集
    積回路。
JP3039693A 1991-03-06 1991-03-06 半導体集積回路 Expired - Lifetime JP3057780B2 (ja)

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JPH04278294A JPH04278294A (ja) 1992-10-02
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02201797A (ja) * 1989-01-31 1990-08-09 Toshiba Corp 半導体メモリ装置
JPH02236896A (ja) * 1989-03-10 1990-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ回路

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JPH04278294A (ja) 1992-10-02

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