JP3053957B2 - ナフトキノンジアジドスルホン酸混合エステルを含む組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料 - Google Patents
ナフトキノンジアジドスルホン酸混合エステルを含む組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料Info
- Publication number
- JP3053957B2 JP3053957B2 JP4087280A JP8728092A JP3053957B2 JP 3053957 B2 JP3053957 B2 JP 3053957B2 JP 4087280 A JP4087280 A JP 4087280A JP 8728092 A JP8728092 A JP 8728092A JP 3053957 B2 JP3053957 B2 JP 3053957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- sensitive
- composition
- layer
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】本発明は、水に不溶であるが、水性アルカ
リ溶液には可溶である、または少なくとも膨潤し得る樹
脂状結合剤および少なくとも一つの放射感応性化合物を
含む放射感応性組成物に関する。
リ溶液には可溶である、または少なくとも膨潤し得る樹
脂状結合剤および少なくとも一つの放射感応性化合物を
含む放射感応性組成物に関する。
【０００２】標準的な複写材料の放射感応性層は、本質
的に、アルカリ可溶クレゾールホルムアルデヒドノボラ
ックと、１，２−ベンゾ−またはｏ−ナフトキノン ２
−ジアジド誘導体の様な放射感応性化合物との混合物か
らなる。ノボラックはそれ自体アルカリ水溶液に可溶で
あるが、放射感応性ｏ−キノンジアジド化合物は溶解抑
制剤として作用する。その層を活性線放射で画像を映す
様に露光すると、その放射感応性ジアゾカルボニル化合
物がケテン中間体を経てカルボン酸に変換される。カル
ボン酸はアルカリ水溶液に易溶であり、したがってノボ
ラックの溶解性をも増加させる。ノボラックの製造は、
例えばＡ．クノップおよびＷ．シャイプにより、「フェ
ノール樹脂の化学および応用」、第４章、スプリンガ
ー、ニューヨーク、１９７９に記載されている。
的に、アルカリ可溶クレゾールホルムアルデヒドノボラ
ックと、１，２−ベンゾ−またはｏ−ナフトキノン ２
−ジアジド誘導体の様な放射感応性化合物との混合物か
らなる。ノボラックはそれ自体アルカリ水溶液に可溶で
あるが、放射感応性ｏ−キノンジアジド化合物は溶解抑
制剤として作用する。その層を活性線放射で画像を映す
様に露光すると、その放射感応性ジアゾカルボニル化合
物がケテン中間体を経てカルボン酸に変換される。カル
ボン酸はアルカリ水溶液に易溶であり、したがってノボ
ラックの溶解性をも増加させる。ノボラックの製造は、
例えばＡ．クノップおよびＷ．シャイプにより、「フェ
ノール樹脂の化学および応用」、第４章、スプリンガ
ー、ニューヨーク、１９７９に記載されている。
【０００３】複写層の露光区域はアルカリ現像剤溶液に
溶解し、非露光区域は本質的に変化せず、そのままで残
るので、層支持体上に原画の陽画レリーフ画像が作製さ
れる。
溶解し、非露光区域は本質的に変化せず、そのままで残
るので、層支持体上に原画の陽画レリーフ画像が作製さ
れる。
【０００４】しかし、上記の溶解性は、反転させること
もできる。この目的には、記録層を画像を映す様に露光
した後、熱処理にかける。これらの条件下で、その層の
樹脂分子が光の影響を受けた区域で架橋する。「硬化」
と呼ばれるこの工程は原則として「架橋剤」の存在を必
要とし、その架橋剤が架橋を引き起こし、その結果、露
光の際にｏ−キノンジアジドから生じた酸の作用によ
り、熱処理の際に硬化を引き起こす。硬化の際、ｏ−キ
ノンジアジドの分解温度未満の温度に加熱する。この加
熱は、照射、高温ガス流中に置くこと、加熱ローラーの
様な加熱表面との接触、あるいは不活性液体、例えば水
の加熱浴中への浸漬により行う。温度は一般的に１００
〜１５０℃、好ましくは９０〜１３０℃である。
もできる。この目的には、記録層を画像を映す様に露光
した後、熱処理にかける。これらの条件下で、その層の
樹脂分子が光の影響を受けた区域で架橋する。「硬化」
と呼ばれるこの工程は原則として「架橋剤」の存在を必
要とし、その架橋剤が架橋を引き起こし、その結果、露
光の際にｏ−キノンジアジドから生じた酸の作用によ
り、熱処理の際に硬化を引き起こす。硬化の際、ｏ−キ
ノンジアジドの分解温度未満の温度に加熱する。この加
熱は、照射、高温ガス流中に置くこと、加熱ローラーの
様な加熱表面との接触、あるいは不活性液体、例えば水
の加熱浴中への浸漬により行う。温度は一般的に１００
〜１５０℃、好ましくは９０〜１３０℃である。
【０００５】効果的な架橋剤は、一般に、上記の酸およ
び温度条件下でカルボニウムイオンを容易に形成する化
合物である。これらの例としては、ＤＥ−Ａ ３３２５
０２２（＝ＵＳ−Ａ ４，５８１，３２１）に記載され
るヘキサメチロールメラミン、および２個以上の芳香族
性結合ヒドロキシメチルまたはアルコキシメチル基を含
む、１，４−ビスヒドロキシメチルベンゼンおよび４，
４' −ビスメトキシメチルジフェニルエーテルの様なＥ
Ｐ−Ａ ０２１２４８２に記載されている化合物があ
る。ＵＳ−Ａ ４，４０４，２７２に記載されている
２，６−ビスヒドロキシメチル−４−メチルフェノール
も架橋剤として公知である。
び温度条件下でカルボニウムイオンを容易に形成する化
合物である。これらの例としては、ＤＥ−Ａ ３３２５
０２２（＝ＵＳ−Ａ ４，５８１，３２１）に記載され
るヘキサメチロールメラミン、および２個以上の芳香族
性結合ヒドロキシメチルまたはアルコキシメチル基を含
む、１，４−ビスヒドロキシメチルベンゼンおよび４，
４' −ビスメトキシメチルジフェニルエーテルの様なＥ
Ｐ−Ａ ０２１２４８２に記載されている化合物があ
る。ＵＳ−Ａ ４，４０４，２７２に記載されている
２，６−ビスヒドロキシメチル−４−メチルフェノール
も架橋剤として公知である。
【０００６】熱処理の後、フォトレジスト層は、原則と
して、まだ放射感応性の層区域を完全にアルカリ可溶性
にするために、全面露光する。
して、まだ放射感応性の層区域を完全にアルカリ可溶性
にするために、全面露光する。
【０００７】全面露光は一般に画像露光に使用した光と
同じ光源で行う。
同じ光源で行う。
【０００８】全面露光に続く現像は、一般に、やはり陽
画処理フォトレジストの現像にも使用したのと同じアル
カリ水溶液の一つで行う。その例としては、水酸化ナト
リウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリ
メチル（ヒドロキシエチル）アンモニウム、アルカリ金
属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩またはアルカリ金属
炭酸塩の水溶液があるが、それらの溶液は湿潤剤または
極少量の有機溶剤を含むことができる。現像の際、本来
の画像露光において光の影響を受けなかった層区域は洗
い流され、原画の陰画レジスト画像が得られる。
画処理フォトレジストの現像にも使用したのと同じアル
カリ水溶液の一つで行う。その例としては、水酸化ナト
リウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリ
メチル（ヒドロキシエチル）アンモニウム、アルカリ金
属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩またはアルカリ金属
炭酸塩の水溶液があるが、それらの溶液は湿潤剤または
極少量の有機溶剤を含むことができる。現像の際、本来
の画像露光において光の影響を受けなかった層区域は洗
い流され、原画の陰画レジスト画像が得られる。
【０００９】ほとんどの場合、露光および現像されたレ
ジスト材料を次にエッチング剤で処理するが、この工程
では、エッチング剤は非画像区域でのみ層支持体に作用
し得る。この様にして、陽画処理複写被覆物の場合は層
支持体上に陰画のエッチング画像が形成され、陰画処理
複写被覆物の場合は陽画のエッチング画像が形成され
る。
ジスト材料を次にエッチング剤で処理するが、この工程
では、エッチング剤は非画像区域でのみ層支持体に作用
し得る。この様にして、陽画処理複写被覆物の場合は層
支持体上に陰画のエッチング画像が形成され、陰画処理
複写被覆物の場合は陽画のエッチング画像が形成され
る。
【００１０】上記の方法により層支持体上に形成される
複写層の陽画または陰画レリーフ画像は、各種の用途、
特に露光マスクとして、あるいはマイクロエレクトロニ
クスにおける半導体部品の製造における画像として、凹
版印刷、グラビアまたは平版印刷用の印刷版として、お
よび電気めっき工程におけるニッケル回転シリンダーの
製造に好適である。
複写層の陽画または陰画レリーフ画像は、各種の用途、
特に露光マスクとして、あるいはマイクロエレクトロニ
クスにおける半導体部品の製造における画像として、凹
版印刷、グラビアまたは平版印刷用の印刷版として、お
よび電気めっき工程におけるニッケル回転シリンダーの
製造に好適である。
【００１１】複写層、例えばフォトレジスト層の商業的
な有用性は、とりわけ、放射感応性、現像および画像コ
ントラスト、解像性および層支持体に対する密着性によ
り評価される。
な有用性は、とりわけ、放射感応性、現像および画像コ
ントラスト、解像性および層支持体に対する密着性によ
り評価される。
【００１２】組成物の高い放射感応性は、微小電子回路
または部品の製造、特にウエハーの処理量が最も長くか
かる工程により決定されるウエハーのいわゆる「イン−
ライン」処理においては重要なファクターである。これ
まで必要とされている比較的長い露光時間により、露光
装置の処理量が制限ファクターになっている。特に単色
照射および短波長活性線を使用する照射では、露光装置
のサイクル時間が長すぎるので、生産速度が非常に低く
なる。
または部品の製造、特にウエハーの処理量が最も長くか
かる工程により決定されるウエハーのいわゆる「イン−
ライン」処理においては重要なファクターである。これ
まで必要とされている比較的長い露光時間により、露光
装置の処理量が制限ファクターになっている。特に単色
照射および短波長活性線を使用する照射では、露光装置
のサイクル時間が長すぎるので、生産速度が非常に低く
なる。
【００１３】レジストの解像度は、露光に使用するマス
クの最も細い線および狭い隙間でも再現できるフォトレ
ジスト系の能力に関係し、露光し、現像した区域は縁部
の勾配が急で、高い鮮明度を示している必要がある。
クの最も細い線および狭い隙間でも再現できるフォトレ
ジスト系の能力に関係し、露光し、現像した区域は縁部
の勾配が急で、高い鮮明度を示している必要がある。
【００１４】多くの技術的応用分野、特にマイクロエレ
クトロニクスにおける半導体部品の製造では、非常に細
い線および狭い隙間幅（＜１μm ）を再現しなければな
らないので、フォトレジストは特に高い解像度を達成す
る必要がある。１μm 以下のオーダーの非常に小さな細
部を再現できる能力は、シリコンチップおよび類似の部
品上に集積回路を工業的に製造する上で最も重要なこと
である。写真製法を使用する場合、フォトレジストの解
像度を増加することにより、その様なチップ上の集積密
度を増加させることができる。
クトロニクスにおける半導体部品の製造では、非常に細
い線および狭い隙間幅（＜１μm ）を再現しなければな
らないので、フォトレジストは特に高い解像度を達成す
る必要がある。１μm 以下のオーダーの非常に小さな細
部を再現できる能力は、シリコンチップおよび類似の部
品上に集積回路を工業的に製造する上で最も重要なこと
である。写真製法を使用する場合、フォトレジストの解
像度を増加することにより、その様なチップ上の集積密
度を増加させることができる。
【００１５】１個の分子中に複数の放射感応性基を含む
光活性化合物がフォトレジスト中に存在する場合、その
混合物中の放射感応性成分が増加するので、フォトレジ
ストの解像度が増加することが知られている。［Ｐ．ト
レフォナスIII およびＢ．Ｋ．ダニエルズ、「単層陽画
フォトレジストにおける画像品質を向上させるための新
しい原理」、レジスト技術および処理におけるＳＰＩＥ
進歩IV、７７１（１９８７）、１９４〜２１０、Ｐ．ト
レフォナスIII 、Ｂ．Ｋ．ダニエルズ、およびＲ．Ｌ．
フィッシャー、「サブミクロン光学平版印刷のためのフ
ォトレジスト設計：高分子光分解の応用」、ソリッドス
テートテクノロジー３０（１９８７）、１３１〜１３
７］。
光活性化合物がフォトレジスト中に存在する場合、その
混合物中の放射感応性成分が増加するので、フォトレジ
ストの解像度が増加することが知られている。［Ｐ．ト
レフォナスIII およびＢ．Ｋ．ダニエルズ、「単層陽画
フォトレジストにおける画像品質を向上させるための新
しい原理」、レジスト技術および処理におけるＳＰＩＥ
進歩IV、７７１（１９８７）、１９４〜２１０、Ｐ．ト
レフォナスIII 、Ｂ．Ｋ．ダニエルズ、およびＲ．Ｌ．
フィッシャー、「サブミクロン光学平版印刷のためのフ
ォトレジスト設計：高分子光分解の応用」、ソリッドス
テートテクノロジー３０（１９８７）、１３１〜１３
７］。
【００１６】ＥＰ−Ａ ０２４４７６２および０２４４
７６３に記載されている混合エステルを使用する場合、
解像度がすでに改良されているのが分かる。ＤＥ−Ａ
３８３７５００は、平版印刷用途におけるリング置換し
たナフトキノンジアジド誘導体の優れた特性を示してい
る。しかし、所望により置換した（ｏ−ナフトキノン２
−ジアジド）−４−または−５−スルホン酸と、３個以
上の芳香族水酸基を有する化合物とのエステルは標準的
な溶剤に対する溶解性が非常に低いことが多く、その結
果、これらのエステルで製造したレジストは十分な解像
度を達成してはいない。
７６３に記載されている混合エステルを使用する場合、
解像度がすでに改良されているのが分かる。ＤＥ−Ａ
３８３７５００は、平版印刷用途におけるリング置換し
たナフトキノンジアジド誘導体の優れた特性を示してい
る。しかし、所望により置換した（ｏ−ナフトキノン２
−ジアジド）−４−または−５−スルホン酸と、３個以
上の芳香族水酸基を有する化合物とのエステルは標準的
な溶剤に対する溶解性が非常に低いことが多く、その結
果、これらのエステルで製造したレジストは十分な解像
度を達成してはいない。
【００１７】そこで、本発明の目的は、放射感応性を改
良し、工業的に一般に使用されている溶剤に対する溶解
性を改良した新規な組成物を提供することである。
良し、工業的に一般に使用されている溶剤に対する溶解
性を改良した新規な組成物を提供することである。
【００１８】この目的は、放射感応性成分として、ａ）
２〜６個の芳香族水酸基を含む化合物、ｂ）ナフタレン
環に置換基を有する（ｏ−ナフトキノン ２−ジアジ
ド）−４−スルホン酸（ジアゾ化合物Ｄ1 ）、および
ｃ）非置換の（ｏ−ナフトキノン２−ジアジド）−４−
または−５−スルホン酸（ジアゾ化合物Ｄ2 ）および／
または非放射感応性有機酸（化合物Ｄ0 ）からなり、Ｄ
1 ：（Ｄ2 および／またはＤ0 ）モル比が０．１：１〜
３０：１であるエステルを含む組成物により達成され
る。これらのエステルおよびそれらの製造方法は特願平
４−８６９２０号（ＤＥ−Ａ−４１１１４４３）に記載
されている。アルカリ可溶性の結合剤は、好ましくはノ
ボラック、ポリ（ビニルフェノール）またはポリ（ビニ
ルアルキルフェノール）である。
２〜６個の芳香族水酸基を含む化合物、ｂ）ナフタレン
環に置換基を有する（ｏ−ナフトキノン ２−ジアジ
ド）−４−スルホン酸（ジアゾ化合物Ｄ1 ）、および
ｃ）非置換の（ｏ−ナフトキノン２−ジアジド）−４−
または−５−スルホン酸（ジアゾ化合物Ｄ2 ）および／
または非放射感応性有機酸（化合物Ｄ0 ）からなり、Ｄ
1 ：（Ｄ2 および／またはＤ0 ）モル比が０．１：１〜
３０：１であるエステルを含む組成物により達成され
る。これらのエステルおよびそれらの製造方法は特願平
４−８６９２０号（ＤＥ−Ａ−４１１１４４３）に記載
されている。アルカリ可溶性の結合剤は、好ましくはノ
ボラック、ポリ（ビニルフェノール）またはポリ（ビニ
ルアルキルフェノール）である。
【００１９】放射感応性組成物は、一般に、有機溶剤に
溶解させた溶液の形で支持体材料に塗布する。使用でき
る溶剤の例としては、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルまたはモノエチルエーテルの様なグリコールエー
テル、およびそれらの酢酸エステル、例えばプロピレン
グリコールメチルエーテル酢酸エステル、酢酸エチルま
たはブチルの様なエステル、メチルエチルケトン、シク
ロペンタノンおよびシクロヘキサノンの様なケトン、お
よびトルエンおよびキシレノールの様な芳香族炭化水素
がある。これらの溶液の混合物を使用することも可能で
ある。
溶解させた溶液の形で支持体材料に塗布する。使用でき
る溶剤の例としては、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルまたはモノエチルエーテルの様なグリコールエー
テル、およびそれらの酢酸エステル、例えばプロピレン
グリコールメチルエーテル酢酸エステル、酢酸エチルま
たはブチルの様なエステル、メチルエチルケトン、シク
ロペンタノンおよびシクロヘキサノンの様なケトン、お
よびトルエンおよびキシレノールの様な芳香族炭化水素
がある。これらの溶液の混合物を使用することも可能で
ある。
【００２０】組成物中の結合剤の量は、一般的に、放射
感応性組成物中の固体成分の総重量に対して、約１５〜
９９重量％、好ましくは約５０〜９７重量％、特に好ま
しくは約６３〜９３重量％である。
感応性組成物中の固体成分の総重量に対して、約１５〜
９９重量％、好ましくは約５０〜９７重量％、特に好ま
しくは約６３〜９３重量％である。
【００２１】放射感応性化合物の量は、組成物中の固体
成分の総重量に対して、約１〜５０重量％、好ましくは
約３〜３５重量％である。
成分の総重量に対して、約１〜５０重量％、好ましくは
約３〜３５重量％である。
【００２２】放射感応性組成物の溶液を製造するには、
結合剤および放射感応性化合物を、溶剤部分が約４０〜
９０重量％、好ましくは約６０〜８５重量％になるのに
十分な量の溶剤と混合する。
結合剤および放射感応性化合物を、溶剤部分が約４０〜
９０重量％、好ましくは約６０〜８５重量％になるのに
十分な量の溶剤と混合する。
【００２３】層支持体に塗布する前に、その放射感応性
溶液に添加剤、例えば架橋剤、染料、レベリング剤、可
塑剤、密着促進剤、現像促進剤および非イオン系界面活
性剤の様な界面活性剤を加えることができる。
溶液に添加剤、例えば架橋剤、染料、レベリング剤、可
塑剤、密着促進剤、現像促進剤および非イオン系界面活
性剤の様な界面活性剤を加えることができる。
【００２４】使用可能な染料には、例えばメチルバイオ
レット２Ｂ（Ｃ．Ｉ．４２５３５）、クリスタルバイオ
レット（Ｃ．Ｉ．４２５５５）、マラカイトグリーン
（Ｃ．Ｉ．４２０００）、ビクトリアブルーＢ（Ｃ．
Ｉ．４４０４５）、ニュートラルレッド（Ｃ．Ｉ．５０
０４０）、ＥＰ−Ａ ００７０４４５またはＤＥ−Ａ
３７３５８５２によるクマリン染料およびスチリル染料
がある。
レット２Ｂ（Ｃ．Ｉ．４２５３５）、クリスタルバイオ
レット（Ｃ．Ｉ．４２５５５）、マラカイトグリーン
（Ｃ．Ｉ．４２０００）、ビクトリアブルーＢ（Ｃ．
Ｉ．４４０４５）、ニュートラルレッド（Ｃ．Ｉ．５０
０４０）、ＥＰ−Ａ ００７０４４５またはＤＥ−Ａ
３７３５８５２によるクマリン染料およびスチリル染料
がある。
【００２５】レベリング剤は、結合剤および放射感応性
化合物の総重量に対して５重量％までの量で使用でき
る。
化合物の総重量に対して５重量％までの量で使用でき
る。
【００２６】好適な可塑剤としては、例えばリン酸−ト
リ−（β−クロロエチル）−エステル、ステアリン酸、
ジカンファー、ポリプロピレン、アセタール樹脂、フェ
ノキシ樹脂およびアルキド樹脂があり、結合剤および放
射感応性化合物の総重量に対して１〜１０重量％までの
量で使用できる。可塑剤を添加することにより、組成物
の被覆特性が改良され、組成物を層支持体に平滑で一様
な厚さの層に塗布することができる。
リ−（β−クロロエチル）−エステル、ステアリン酸、
ジカンファー、ポリプロピレン、アセタール樹脂、フェ
ノキシ樹脂およびアルキド樹脂があり、結合剤および放
射感応性化合物の総重量に対して１〜１０重量％までの
量で使用できる。可塑剤を添加することにより、組成物
の被覆特性が改良され、組成物を層支持体に平滑で一様
な厚さの層に塗布することができる。
【００２７】支持体に対する組成物の密着性を改良する
ために使用できる密着促進剤は、特定のケイ素−有機化
合物、例えば３−アミノプロピル−トリエトキシシラン
からなり、結合剤および放射感応性化合物の総重量に対
して４重量％までの量で使用できる。
ために使用できる密着促進剤は、特定のケイ素−有機化
合物、例えば３−アミノプロピル−トリエトキシシラン
からなり、結合剤および放射感応性化合物の総重量に対
して４重量％までの量で使用できる。
【００２８】現像促進剤は、ポリヒドロキシベンゾフェ
ノン、ピクリン酸、ニコチン酸、およびニトロケイ皮酸
の様な芳香族カルボン酸または芳香族ポリヒドロキシ化
合物であり、結合剤および放射感応性化合物の総重量に
対して２０重量％までの量で使用できる。これらの促進
剤は放射感応性層の溶解性を露光および未露光の両区域
で増加させる。
ノン、ピクリン酸、ニコチン酸、およびニトロケイ皮酸
の様な芳香族カルボン酸または芳香族ポリヒドロキシ化
合物であり、結合剤および放射感応性化合物の総重量に
対して２０重量％までの量で使用できる。これらの促進
剤は放射感応性層の溶解性を露光および未露光の両区域
で増加させる。
【００２９】したがって、現像促進剤は、現像の速度が
最も重要である場合に使用する。促進剤を加えると、現
像剤により層の露光区域はより急速に溶解するが、同時
に現像促進剤により層が比較的大量に未露光区域からも
失われるので、コントラストが低下することがある。
最も重要である場合に使用する。促進剤を加えると、現
像剤により層の露光区域はより急速に溶解するが、同時
に現像促進剤により層が比較的大量に未露光区域からも
失われるので、コントラストが低下することがある。
【００３０】好適な非イオン系界面活性剤としては、例
えばポリエチレングリコール−モノ−ノニルフェニルエ
ーテル、−モノ−オクチルフェニルエーテルおよび−モ
ノ−ジノニルフェニルエーテルがあり、結合剤および放
射感応性化合物の総重量に対して１０重量％までの量で
使用される。
えばポリエチレングリコール−モノ−ノニルフェニルエ
ーテル、−モノ−オクチルフェニルエーテルおよび−モ
ノ−ジノニルフェニルエーテルがあり、結合剤および放
射感応性化合物の総重量に対して１０重量％までの量で
使用される。
【００３１】好適な架橋剤は、ＥＰ−Ａ ０２１２４８
２およびＵＳ−Ａ ４，４０４，２７２に記載されてい
る。これらの架橋剤は一般に、陰画処理層、例えば陰画
処理フォトレジストに使用するための放射感応性組成物
に添加する。架橋剤は、主として、分子内に２個以上の
ヒドロキシメチルまたはアルコキシメチル基を含む芳香
族化合物であり、例えば１，２−ビス−ヒドロキシメチ
ルベンゼン、１，２−ビス−メトキシメチルベンゼン、
１，２−ビス−ヒドロキシメチルフラン、２，６−ビス
−ヒドロキシメチル−４−メチルアニソール、１，４−
ビス−（α−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，５−
ジメチル−１，４−ビス−ヒドロキシメチルベンゼン、
４，４' −ビス−ヒドロキシメチルジフェニルエーテ
ル、４，４' −ジメトキシジフェニル、２，６−ビス−
ヒドロキシメチル−４−メトキシまたは−４−エトキシ
フェノール、４，４' −ビス−メトキシメチルジフェニ
ルエーテルおよびエポキシクレゾール ノボラック樹脂
およびアルコキシメチルメラミン誘導体がある。特に好
ましいのは、２，６−ビス−ヒドロキシメチル−４−メ
チル、−４−エチル、−４−プロピル、−４−イソプロ
ピル、−４−ｎ−ブチル、−４−ｔｅｒｔ−ブチル、お
よび−４−（２−フェニル−２−プロピル）−フェノー
ルである。
２およびＵＳ−Ａ ４，４０４，２７２に記載されてい
る。これらの架橋剤は一般に、陰画処理層、例えば陰画
処理フォトレジストに使用するための放射感応性組成物
に添加する。架橋剤は、主として、分子内に２個以上の
ヒドロキシメチルまたはアルコキシメチル基を含む芳香
族化合物であり、例えば１，２−ビス−ヒドロキシメチ
ルベンゼン、１，２−ビス−メトキシメチルベンゼン、
１，２−ビス−ヒドロキシメチルフラン、２，６−ビス
−ヒドロキシメチル−４−メチルアニソール、１，４−
ビス−（α−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，５−
ジメチル−１，４−ビス−ヒドロキシメチルベンゼン、
４，４' −ビス−ヒドロキシメチルジフェニルエーテ
ル、４，４' −ジメトキシジフェニル、２，６−ビス−
ヒドロキシメチル−４−メトキシまたは−４−エトキシ
フェノール、４，４' −ビス−メトキシメチルジフェニ
ルエーテルおよびエポキシクレゾール ノボラック樹脂
およびアルコキシメチルメラミン誘導体がある。特に好
ましいのは、２，６−ビス−ヒドロキシメチル−４−メ
チル、−４−エチル、−４−プロピル、−４−イソプロ
ピル、−４−ｎ−ブチル、−４−ｔｅｒｔ−ブチル、お
よび−４−（２−フェニル−２−プロピル）−フェノー
ルである。
【００３２】架橋剤は、放射感応性組成物の総固体含有
量に対して１．５〜２０重量％の量で使用できる。
量に対して１．５〜２０重量％の量で使用できる。
【００３３】酸の存在下、高温で、結合剤分子はこれら
の架橋剤により「架橋する」、すなわち放射感応性層が
硬化する。層の硬化に必要な酸は、放射感応性化合物の
光反応により形成される。
の架橋剤により「架橋する」、すなわち放射感応性層が
硬化する。層の硬化に必要な酸は、放射感応性化合物の
光反応により形成される。
【００３４】本発明の放射感応性組成物は、溶液中の安
定性および貯蔵性が優れている。解像度は、類似の先行
技術の放射感応性組成物よりも優れている。
定性および貯蔵性が優れている。解像度は、類似の先行
技術の放射感応性組成物よりも優れている。
【００３５】また、本発明は、本質的に層支持体、およ
び上記の種類の組成物から形成される放射感応性層から
なる放射感応性記録材料、およびその記録材料の製造方
法にも関する。
び上記の種類の組成物から形成される放射感応性層から
なる放射感応性記録材料、およびその記録材料の製造方
法にも関する。
【００３６】好適な支持体材料は、例えばケイ素、アル
ミニウムまたは重合体樹脂、酸化ケイ素、ドーピングし
た酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコ
ン、セラミックスおよびアルミニウム／銅合金である。
ミニウムまたは重合体樹脂、酸化ケイ素、ドーピングし
た酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコ
ン、セラミックスおよびアルミニウム／銅合金である。
【００３７】本発明に係わる記録材料を製造するには、
放射感応性組成物、例えばフォトレジストを、工業的に
一般に使用されている方法、例えば浸漬、噴霧およびス
ピンコーティングにより支持体に塗布することができ
る。スピンコーティングでは、個々の場合に使用するス
ピンコーティング装置およびスピンコーティング作業に
定められた時間に応じて、望ましい厚さの被覆が得られ
る様に、レジスト溶液中の固体成分を調整する。
放射感応性組成物、例えばフォトレジストを、工業的に
一般に使用されている方法、例えば浸漬、噴霧およびス
ピンコーティングにより支持体に塗布することができ
る。スピンコーティングでは、個々の場合に使用するス
ピンコーティング装置およびスピンコーティング作業に
定められた時間に応じて、望ましい厚さの被覆が得られ
る様に、レジスト溶液中の固体成分を調整する。
【００３８】上記の方法により製造された放射感応性組
成物は、マイクロプロセッサーおよび他のマイクロエレ
クトロニクス用半導体部品の製造に使用する種類の、酸
化ケイ素の層を有するシリコンウエハーに塗布するのに
特に適している。ヒ化ガリウム、酸化物層を有するアル
ミニウムまたは金属アルミニウム層を有するケイ素、酸
化性後処理したアルミニウム製のウエハーを使用するこ
ともできる。また、支持体は各種の重合体樹脂、特にポ
リエステルの様な透明重合体製でもよい。
成物は、マイクロプロセッサーおよび他のマイクロエレ
クトロニクス用半導体部品の製造に使用する種類の、酸
化ケイ素の層を有するシリコンウエハーに塗布するのに
特に適している。ヒ化ガリウム、酸化物層を有するアル
ミニウムまたは金属アルミニウム層を有するケイ素、酸
化性後処理したアルミニウム製のウエハーを使用するこ
ともできる。また、支持体は各種の重合体樹脂、特にポ
リエステルの様な透明重合体製でもよい。
【００３９】放射感応性組成物を層支持体に塗布した
後、固体／液体の複合材料を約８０〜１０５℃で予備乾
燥させる。この熱処理はほとんどすべての溶剤が蒸発
し、支持体上に約１μm の薄い層が残るまで続ける。
後、固体／液体の複合材料を約８０〜１０５℃で予備乾
燥させる。この熱処理はほとんどすべての溶剤が蒸発
し、支持体上に約１μm の薄い層が残るまで続ける。
【００４０】次いで、被覆した支持体を、この技術で公
知の様に、活性線放射、特に２４８、３６５、４０５ま
たは４３６ｎｍの波長を有するＵＶ放射を使用し、好適
なマスク、陰画またはステンシル等を通して露光する、
あるいは電子線またはレーザー放射で露光する。「活性
線放射」の用語は、Ｘ線領域および１９３〜４５０ｎｍ
の技術的に使用できる波長領域における電磁放射の両
方、および電子放射をも含む。
知の様に、活性線放射、特に２４８、３６５、４０５ま
たは４３６ｎｍの波長を有するＵＶ放射を使用し、好適
なマスク、陰画またはステンシル等を通して露光する、
あるいは電子線またはレーザー放射で露光する。「活性
線放射」の用語は、Ｘ線領域および１９３〜４５０ｎｍ
の技術的に使用できる波長領域における電磁放射の両
方、および電子放射をも含む。
【００４１】現像には、画像を映す様に露光した記録材
料を水性アルカリ現像剤溶液に浸漬する。噴霧現像も工
業的に使用されることが多い。
料を水性アルカリ現像剤溶液に浸漬する。噴霧現像も工
業的に使用されることが多い。
【００４２】現像剤溶液から取り出した後、材料をそれ
ぞれ熱処理または焼き込み処理し、層の密着性およびエ
ッチング溶液、その他の物質に対する耐薬品性を高める
ことができる。現像後の熱処理では、オーブン中でその
層の軟化点より低い温度で、層および支持体を焼き付け
ることができる。
ぞれ熱処理または焼き込み処理し、層の密着性およびエ
ッチング溶液、その他の物質に対する耐薬品性を高める
ことができる。現像後の熱処理では、オーブン中でその
層の軟化点より低い温度で、層および支持体を焼き付け
ることができる。
【００４３】工業用途、特に酸化ケイ素層を有するシリ
コン支持体上に半導体部品を製造する際は、現像した支
持体をフッ化水素酸系の緩衝剤を含むエッチング溶液で
処理することができる。本発明のフォトレジスト組成物
は、酸性のエッチング溶液に耐性があり、フォトレジス
ト組成物で被覆した、支持体の未露光区域を効果的に保
護する。
コン支持体上に半導体部品を製造する際は、現像した支
持体をフッ化水素酸系の緩衝剤を含むエッチング溶液で
処理することができる。本発明のフォトレジスト組成物
は、酸性のエッチング溶液に耐性があり、フォトレジス
ト組成物で被覆した、支持体の未露光区域を効果的に保
護する。
【００４４】本発明に係わる放射感応性組成物は、フォ
トレジスト組成物として好適であるだけではなく、印刷
版および色構成フィルムの製造にも使用できる。
トレジスト組成物として好適であるだけではなく、印刷
版および色構成フィルムの製造にも使用できる。
【００４５】本発明の、さらに架橋剤を含む組成物で支
持体を被覆することにより製造された記録材料を陰画処
理画像反転方法に使用する場合、画像を映す様に露光し
た後、９０〜１５０℃の温度で第二の短時間熱処理を行
う。この熱処理の際、結合剤はフォトレジスト層の露光
区域で硬化する。熱処理時間は１０〜９０秒間である。
記録材料を熱処理および冷却した後、フォトレジスト層
を現像する、または好ましくは現像前に全面ＵＶ照射す
る。使用する現像剤は、無機または第四有機塩基を含む
アルカリ水溶液である。現像剤は緩衝剤または他の添加
剤（例えば湿潤剤）を含むことができる。現像工程で
は、画像を映す様に露光する際に未露光のままの層区域
が洗い流され、画像を映す様に露光する際に露光された
区域は攻撃されない（陰画法）。その結果、露光マスク
の陰画レリーフ複写が得られる。
持体を被覆することにより製造された記録材料を陰画処
理画像反転方法に使用する場合、画像を映す様に露光し
た後、９０〜１５０℃の温度で第二の短時間熱処理を行
う。この熱処理の際、結合剤はフォトレジスト層の露光
区域で硬化する。熱処理時間は１０〜９０秒間である。
記録材料を熱処理および冷却した後、フォトレジスト層
を現像する、または好ましくは現像前に全面ＵＶ照射す
る。使用する現像剤は、無機または第四有機塩基を含む
アルカリ水溶液である。現像剤は緩衝剤または他の添加
剤（例えば湿潤剤）を含むことができる。現像工程で
は、画像を映す様に露光する際に未露光のままの層区域
が洗い流され、画像を映す様に露光する際に露光された
区域は攻撃されない（陰画法）。その結果、露光マスク
の陰画レリーフ複写が得られる。
【００４６】また、単一層支持体上で陽画および陰画工
程を組み合わせることもできる（写真構成）。
程を組み合わせることもできる（写真構成）。
【００４７】下記の実施例で、本発明の放射感応性組成
物および記録材料をさらに説明する。実施例１ 平版印刷性を比較するために、完全にエステル化した
２，３，４，４' −テトラヒドロキシベンゾフェノンの
誘導体（実施例１〜６）および２，３，４，３'，４'
，５' −ヘキサヒドロキシベンゾフェノンの誘導体
（実施例７〜１０）だけを含む放射感応性組成物を調製
した。
物および記録材料をさらに説明する。実施例１ 平版印刷性を比較するために、完全にエステル化した
２，３，４，４' −テトラヒドロキシベンゾフェノンの
誘導体（実施例１〜６）および２，３，４，３'，４'
，５' −ヘキサヒドロキシベンゾフェノンの誘導体
（実施例７〜１０）だけを含む放射感応性組成物を調製
した。
【００４８】これらの誘導体は、７−メトキシ−（１，
２−ナフトキノン ２−ジアジド）−４−スルホン酸
（Ｄ1 ）および（１，２−ナフトキノン ２−ジアジ
ド）−４−スルホン酸（Ｄ2 ）により、Ｄ1 ：Ｄ2 のモ
ル比０．３３：１（実施例１）または４．７１：１（実
施例２）でエステル化する。比較例３、４および１０で
はヒドロキシベンゾフェノンを（１，２−ナフトキノン
２−ジアジド）−４−スルホン酸のみで、比較例５お
よび６では７−メトキシ−（１，２−ナフトキノン２−
ジアジド）−４−スルホン酸のみでエステル化する。
２−ナフトキノン ２−ジアジド）−４−スルホン酸
（Ｄ1 ）および（１，２−ナフトキノン ２−ジアジ
ド）−４−スルホン酸（Ｄ2 ）により、Ｄ1 ：Ｄ2 のモ
ル比０．３３：１（実施例１）または４．７１：１（実
施例２）でエステル化する。比較例３、４および１０で
はヒドロキシベンゾフェノンを（１，２−ナフトキノン
２−ジアジド）−４−スルホン酸のみで、比較例５お
よび６では７−メトキシ−（１，２−ナフトキノン２−
ジアジド）−４−スルホン酸のみでエステル化する。
【００４９】実施例７〜９では、ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノンを、それぞれの場合、７−メトキシ−（１，
２−ナフトキノン ２−ジアジド）−４−スルホン酸
（Ｄ1）および非放射感応性酸（Ｄ0 ）により、Ｄ1 ：
Ｄ0 のモル比５：１でエステル化する。非放射感応性酸
は、ステアリン酸（実施例７）、炭酸２−エチルヘキシ
ル（クロロギ酸２−エチルヘキシルとして使用）（実施
例８）またはメタンスルホン酸クロリド（実施例９）で
ある。 ａ）本発明に係わる組成物 クレゾール／キシレノールノボラックの２６％濃度の酢
酸メトキシプロパノール溶液を調製し、ノボラックに対
して、２８％（テトラヒドロキシベンゾフェノン誘導体
の場合）または４３％（ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン誘導体の場合）の光活性化合物をこの溶液に加え、溶
解させる。 ｂ）比較例 対応するナフトキノンジアジドを上のａ）に記載する溶
液に、その溶液が飽和するまで加え、溶解しない物質を
濾別する。
ゾフェノンを、それぞれの場合、７−メトキシ−（１，
２−ナフトキノン ２−ジアジド）−４−スルホン酸
（Ｄ1）および非放射感応性酸（Ｄ0 ）により、Ｄ1 ：
Ｄ0 のモル比５：１でエステル化する。非放射感応性酸
は、ステアリン酸（実施例７）、炭酸２−エチルヘキシ
ル（クロロギ酸２−エチルヘキシルとして使用）（実施
例８）またはメタンスルホン酸クロリド（実施例９）で
ある。 ａ）本発明に係わる組成物 クレゾール／キシレノールノボラックの２６％濃度の酢
酸メトキシプロパノール溶液を調製し、ノボラックに対
して、２８％（テトラヒドロキシベンゾフェノン誘導体
の場合）または４３％（ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン誘導体の場合）の光活性化合物をこの溶液に加え、溶
解させる。 ｂ）比較例 対応するナフトキノンジアジドを上のａ）に記載する溶
液に、その溶液が飽和するまで加え、溶解しない物質を
濾別する。
【００５０】これらのレジスト溶液をシリコンウエハー
にスピンコーティングし、その様にして得られた層をホ
ットプレート上で９０℃で６０秒間乾燥させる。層の厚
さは１．３０μm である。工業的に一般に使用されてい
る露光装置を使用し、各種寸法のパターンを含むマスク
を通して露光し、露光後、これらの層を再びホットプレ
ート上で１００℃で６０秒間熱処理する。次いで、光が
作用した層の区域を現像剤溶液により除去し（現像時間
６０秒間）、層の未露光区域がシリコン円盤上に残る様
にする。
にスピンコーティングし、その様にして得られた層をホ
ットプレート上で９０℃で６０秒間乾燥させる。層の厚
さは１．３０μm である。工業的に一般に使用されてい
る露光装置を使用し、各種寸法のパターンを含むマスク
を通して露光し、露光後、これらの層を再びホットプレ
ート上で１００℃で６０秒間熱処理する。次いで、光が
作用した層の区域を現像剤溶液により除去し（現像時間
６０秒間）、層の未露光区域がシリコン円盤上に残る様
にする。
【００５１】下記の表に示す様に、本発明の組成物を使
用することにより、著しく小さなパターンを製造するこ
とができる。平版印刷特性 実施例番号 現像剤の 解像できる最小のパターン*) 未露光区域におけ 規定度 （マスクパターンの寸法的 る層の除去速度 に正確な再現） (nm/min) １ ０．２４ ０．６５μm ３６ ２ ０．２４ ０．６５μm ４５ ３（比較） ０．２４ パターン形成できない ＞１３００ ４（比較） ０．１５ パターン形成できない ４６ ５（比較） ０．２４ パターン形成できない ＞１３００ ６（比較） ０．１５ パターン形成できない １５ ７ ０．２４ ０．７０μm ３３ ８ ０．２４ ０．６５μm ３２ ９ ０．２４ ０．６５μm ３６１０（比較） ０．２４ １．１５μm ７１ *) より大きなパターンは同時にマスクに対して正確に再現される。
用することにより、著しく小さなパターンを製造するこ
とができる。平版印刷特性 実施例番号 現像剤の 解像できる最小のパターン*) 未露光区域におけ 規定度 （マスクパターンの寸法的 る層の除去速度 に正確な再現） (nm/min) １ ０．２４ ０．６５μm ３６ ２ ０．２４ ０．６５μm ４５ ３（比較） ０．２４ パターン形成できない ＞１３００ ４（比較） ０．１５ パターン形成できない ４６ ５（比較） ０．２４ パターン形成できない ＞１３００ ６（比較） ０．１５ パターン形成できない １５ ７ ０．２４ ０．７０μm ３３ ８ ０．２４ ０．６５μm ３２ ９ ０．２４ ０．６５μm ３６１０（比較） ０．２４ １．１５μm ７１ *) より大きなパターンは同時にマスクに対して正確に再現される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルハルト、ブール ドイツ連邦共和国ケーニッヒシュタイ ン、アム、エルトベールシュタイン、28 (56)参考文献 特開 平１−179147（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−142548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−305348（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−191248（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/022 G03F 7/000 503 H01L 21/027
Claims (7)
- 【請求項１】水に不溶であるが、水性アルカリ溶液には
可溶であるかまたは少なくとも膨潤し得る樹脂状結合剤
および少なくとも一つの放射感応性化合物を含む放射感
応性組成物であって、その放射感応性化合物が、ａ）２
〜６個の芳香族水酸基を含む化合物、ｂ）ナフタレン環
に置換基を有する（ｏ−ナフトキノン ２−ジアジド）
−４−スルホン酸（ジアゾ化合物Ｄ1 ）、およびｃ）非
置換の（ｏ−ナフトキノン ２−ジアジド）−４−また
は−５−スルホン酸（ジアゾ化合物Ｄ2 ）および／また
は非放射感応性有機酸（化合物Ｄ0 ）からなるエステル
であり、Ｄ1 ：（Ｄ2 および／またはＤ0 ）モル比が
０．１：１〜３０：１であることを特徴とする、放射感
応性組成物。 - 【請求項２】樹脂状結合剤がノボラック、ポリ（ビニル
フェノール）またはポリ（ビニルアルキルフェノール）
であることを特徴とする、請求項１に記載する放射感応
性組成物。 - 【請求項３】組成物がさらに架橋剤、染料、レベリング
剤、可塑剤、密着促進剤、現像促進剤および／または界
面活性剤を含むことを特徴とする、請求項１または２に
記載する放射感応性組成物。 - 【請求項４】結合剤が、その組成物の固体成分に対して
１５〜９９重量％の量で存在することを特徴とする、請
求項１〜３のいずれか１項に記載する放射感応性組成
物。 - 【請求項５】放射感応性化合物が、その組成物の固体成
分に対して１〜５０重量％、好ましくは３〜３５重量％
の量で存在することを特徴とする、請求項１〜４のいず
れか１項に記載する放射感応性組成物。 - 【請求項６】本質的に層支持体および放射感応性層から
なる放射感応性記録材料であって、その放射感応性層が
本質的に請求項１〜５のいずれか１項に記載する放射感
応性組成物からなることを特徴とする、放射感応性記録
材料。 - 【請求項７】層支持体が、半導体材料と放射感応性層と
の間に施された少なくとも一つの別の層を含むシリコン
またはヒ化ガリウムウエハーであることを特徴とする、
請求項６に記載する放射感応性記録材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4111444A DE4111444A1 (de) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | Naphthochinondiazid-sulfonsaeure-mischester enthaltendes gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| DE4111444.2 | 1991-04-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627656A JPH0627656A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3053957B2 true JP3053957B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=6429135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4087280A Expired - Fee Related JP3053957B2 (ja) | 1991-04-09 | 1992-04-08 | ナフトキノンジアジドスルホン酸混合エステルを含む組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5306595A (ja) |
| EP (1) | EP0508268B1 (ja) |
| JP (1) | JP3053957B2 (ja) |
| KR (1) | KR100213589B1 (ja) |
| CA (1) | CA2065478A1 (ja) |
| DE (2) | DE4111444A1 (ja) |
| SG (1) | SG68577A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3798504B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2006-07-19 | 富士写真フイルム株式会社 | ネガ型画像記録材料 |
| EP1209527A1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-05-29 | Shipley Company LLC | Photoresist composition |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3107109A1 (de) * | 1981-02-26 | 1982-09-09 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes kopiermaterial |
| DE3325022A1 (de) * | 1983-07-11 | 1985-01-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden |
| EP0212482B1 (de) * | 1985-08-12 | 1989-04-19 | Hoechst Celanese Corporation | Verfahren zur Herstellung negativer Bilder aus einem positiv arbeitenden Photoresist |
| US5035976A (en) * | 1986-05-02 | 1991-07-30 | Hoechst Celanese Corporation | Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents |
| US4732836A (en) * | 1986-05-02 | 1988-03-22 | Hoechst Celanese Corporation | Novel mixed ester O-quinone photosensitizers |
| EP0244763B1 (de) * | 1986-05-02 | 1993-03-10 | Hoechst Celanese Corporation | Positiv-arbeitendes lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
| US4902785A (en) * | 1986-05-02 | 1990-02-20 | Hoechst Celanese Corporation | Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents |
| JPS63305348A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| DE3839906A1 (de) * | 1987-11-27 | 1989-06-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Positiv arbeitende lichtempfindliche zusammensetzung, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| US5162516A (en) * | 1988-05-31 | 1992-11-10 | University Of Florida | Cloning and sequencing of the alcohol dehydrogenase II gene from Zymomonas mobilis |
| DE3837500A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-23 | Hoechst Ag | Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial |
-
1991
- 1991-04-09 DE DE4111444A patent/DE4111444A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-03-30 SG SG1996008302A patent/SG68577A1/en unknown
- 1992-03-30 EP EP92105466A patent/EP0508268B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-30 DE DE59209595T patent/DE59209595D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-01 US US07/862,603 patent/US5306595A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-07 CA CA002065478A patent/CA2065478A1/en not_active Abandoned
- 1992-04-07 KR KR1019920005734A patent/KR100213589B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-04-08 JP JP4087280A patent/JP3053957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG68577A1 (en) | 1999-11-16 |
| DE4111444A1 (de) | 1992-10-15 |
| CA2065478A1 (en) | 1992-10-10 |
| KR100213589B1 (ko) | 1999-08-02 |
| EP0508268A1 (de) | 1992-10-14 |
| DE59209595D1 (de) | 1999-02-04 |
| KR920020272A (ko) | 1992-11-20 |
| EP0508268B1 (de) | 1998-12-23 |
| JPH0627656A (ja) | 1994-02-04 |
| US5306595A (en) | 1994-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4356255A (en) | Photosensitive members and a process for forming patterns using the same | |
| US5964951A (en) | Rinsing solution | |
| JPH07504762A (ja) | 金属イオンレベルが低いフォトレジスト | |
| JPH0772797B2 (ja) | ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法 | |
| JPH0147774B2 (ja) | ||
| JP3192505B2 (ja) | 半導体素子製造用パターン形成方法 | |
| US5401608A (en) | Negative-working radiation-sensitive mixture and radiation-sensitive recording material produced therewith | |
| JPH0650396B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JPH024260A (ja) | 放射線感応性記録材料及び画像の形成法 | |
| JP3924317B2 (ja) | 陰イオン交換樹脂を使用する、ノボラック樹脂溶液中の金属イオン低減 | |
| US4997748A (en) | Developer solution for positive-working resist composition | |
| EP0113033A2 (en) | Process for forming resist masks | |
| TW509821B (en) | Positive photoresist composition for reducing linewidth swing ratio containing a 2,4-dinitro-1-naphthol and it use for producing a photoresist image on a substrate | |
| JPH09258453A (ja) | 反射防止組成物及びレジストパターン形成方法 | |
| JP3053957B2 (ja) | ナフトキノンジアジドスルホン酸混合エステルを含む組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料 | |
| JP3061933B2 (ja) | （１，２−ナフトキノン ２−ジアジド）スルホン酸のエステルを含む放射感応性組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料 | |
| JPH0683051A (ja) | 放射線に感光性の混合物のための増感剤としてのポリラクチド化合物 | |
| JPH0210348A (ja) | ポジ型感光性組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
| US4142892A (en) | Method of reducing the defect density in a positive-working photoresist layer using a salt of imidazolinium | |
| KR910007227B1 (ko) | 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액 | |
| JPS60107644A (ja) | 現像しうる水性ネガレジスト組成物 | |
| JP3592332B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP3066068B2 (ja) | 陽画フォトレジスト組成物 | |
| JPH09244238A (ja) | 反射防止組成物及びこれを用いる感光膜の形成方法 | |
| JPH09166876A (ja) | 中間膜組成物及びこれを用いた基板上への感光膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |