JP3042293B2 - ウエーハのポリッシング装置 - Google Patents
ウエーハのポリッシング装置Info
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンや化合物半導
体の単結晶や、石英のようなセラミック材からなるウエ
ーハのポリッシング装置に関し、詳しくは、ウエーハを
ポリッシング用プレートに貼着して研磨するバッチ式ポ
リッシング装置に関する。
体の単結晶や、石英のようなセラミック材からなるウエ
ーハのポリッシング装置に関し、詳しくは、ウエーハを
ポリッシング用プレートに貼着して研磨するバッチ式ポ
リッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記ポリッシング装置として、例えば図
５に示すものが知られている。この装置は、いわゆる流
体加圧方式のものであって、回転軸２１の下端部に中空
のトップリング２２を設け、このトップリング２２の下
端部に可撓性を有する薄板２３を設けることより、内部
に密閉室２４を形成し、回転軸２１に形成した加圧流体
の供給流路２５を密閉室２４内に連通させた構造となっ
ている。前記薄板２３は、ゴム等の軟質材料からなる加
圧用ダイアフラムであり、シリコンウエーハＷを貼着し
た、高剛性の板体（ガラス板またはセラミック板）から
なるポリッシング用プレート２６を加圧するためのもの
である。
５に示すものが知られている。この装置は、いわゆる流
体加圧方式のものであって、回転軸２１の下端部に中空
のトップリング２２を設け、このトップリング２２の下
端部に可撓性を有する薄板２３を設けることより、内部
に密閉室２４を形成し、回転軸２１に形成した加圧流体
の供給流路２５を密閉室２４内に連通させた構造となっ
ている。前記薄板２３は、ゴム等の軟質材料からなる加
圧用ダイアフラムであり、シリコンウエーハＷを貼着し
た、高剛性の板体（ガラス板またはセラミック板）から
なるポリッシング用プレート２６を加圧するためのもの
である。
【０００３】このポリッシング装置の作用について、図
５を参照して説明すると、ウエーハＷを貼着したポリッ
シング用プレート２６を、定盤３１に設けた研磨布３２
上の所定位置に載置した後、トップリング２２を降下さ
せることによりウエーハＷの被研磨面を研磨布３２の直
近に、かつ研磨布３２と平行に位置決めする。次いで、
加圧流体の供給源（図示せず）から密閉室２４に加圧流
体を供給する。密閉室２４内の流体圧力により薄板２３
に等分布荷重が加わり、薄板２３およびポリッシング用
プレート２６が研磨布３２側に変位し、ウエーハＷの被
研磨面が研磨布３２に圧接してポリッシングが行われ
る。
５を参照して説明すると、ウエーハＷを貼着したポリッ
シング用プレート２６を、定盤３１に設けた研磨布３２
上の所定位置に載置した後、トップリング２２を降下さ
せることによりウエーハＷの被研磨面を研磨布３２の直
近に、かつ研磨布３２と平行に位置決めする。次いで、
加圧流体の供給源（図示せず）から密閉室２４に加圧流
体を供給する。密閉室２４内の流体圧力により薄板２３
に等分布荷重が加わり、薄板２３およびポリッシング用
プレート２６が研磨布３２側に変位し、ウエーハＷの被
研磨面が研磨布３２に圧接してポリッシングが行われ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
全面均等荷重の加圧方式によるポリッシング装置では、
図６に示すように、薄板２３およびポリッシング用プレ
ート２６のうち、ウエーハＷを貼着していない部分で撓
みが生じる。この撓みによりウエーハＷの外縁部、すな
わち図７においてハッチングを施した部分が内周部に比
べて余分に研磨されてフラットネスが悪化するため、平
坦度の高い研磨ウエーハを得るのが難しいという問題が
あった。
全面均等荷重の加圧方式によるポリッシング装置では、
図６に示すように、薄板２３およびポリッシング用プレ
ート２６のうち、ウエーハＷを貼着していない部分で撓
みが生じる。この撓みによりウエーハＷの外縁部、すな
わち図７においてハッチングを施した部分が内周部に比
べて余分に研磨されてフラットネスが悪化するため、平
坦度の高い研磨ウエーハを得るのが難しいという問題が
あった。
【０００５】この問題に対処するため、前記ポリッシン
グ用プレート２６として、ウエーハ研磨時の撓みが生じ
ない程度に肉厚を厚くした高剛性材料によるものが用い
られてきた。しかし、このようなポリッシング用プレー
ト２６では、その重量がかなり増大するため、そのハン
ドリング性、特に研磨布３２上の所定位置に載置した
り、研磨布３２面上から除去する際の作業性が低下する
などの弊害があった。
グ用プレート２６として、ウエーハ研磨時の撓みが生じ
ない程度に肉厚を厚くした高剛性材料によるものが用い
られてきた。しかし、このようなポリッシング用プレー
ト２６では、その重量がかなり増大するため、そのハン
ドリング性、特に研磨布３２上の所定位置に載置した
り、研磨布３２面上から除去する際の作業性が低下する
などの弊害があった。
【０００６】したがって本発明の目的は、上記高剛性、
かつ高重量のポリッシング用プレート２６を用いた場合
の問題点を解決し、高度のフラットネスを有する研磨ウ
エーハを得ることができるポリッシング装置を提供する
ことである。
かつ高重量のポリッシング用プレート２６を用いた場合
の問題点を解決し、高度のフラットネスを有する研磨ウ
エーハを得ることができるポリッシング装置を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のウエー
ハのポリッシング装置は、ウエーハを貼着するためのポ
リッシング用プレートとして高剛性材料によるものを設
けたウエーハのポリッシング装置において、前記ポリッ
シング用プレートを、互いに密着重合させた状態で固定
した上下２枚の板体で構成するとともに、これら２枚の
板体の合計厚さを、これらに研磨荷重をかけてウエーハ
を研磨する際の前記研磨荷重によってポリッシング用プ
レートが撓むことがない厚さとし、上側の板体を研磨機
のトップリングの下面に装着したことを特徴とする。
ハのポリッシング装置は、ウエーハを貼着するためのポ
リッシング用プレートとして高剛性材料によるものを設
けたウエーハのポリッシング装置において、前記ポリッ
シング用プレートを、互いに密着重合させた状態で固定
した上下２枚の板体で構成するとともに、これら２枚の
板体の合計厚さを、これらに研磨荷重をかけてウエーハ
を研磨する際の前記研磨荷重によってポリッシング用プ
レートが撓むことがない厚さとし、上側の板体を研磨機
のトップリングの下面に装着したことを特徴とする。
【０００８】請求項２に記載のウエーハのポリッシング
装置は、請求項１において前記トップリングの下方部に
可撓性の薄板を設けて内部に密閉室を形成するととも
に、該密閉室を加圧流体（空気等の気体、または水等の
液体）の供給源に連通させ、前記ポリッシング用プレー
トを構成する上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸
法（これについては、後記する）を隔てて、かつ剛性の
支持部材を介して前記トップリングに装着したことを特
徴とする。
装置は、請求項１において前記トップリングの下方部に
可撓性の薄板を設けて内部に密閉室を形成するととも
に、該密閉室を加圧流体（空気等の気体、または水等の
液体）の供給源に連通させ、前記ポリッシング用プレー
トを構成する上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸
法（これについては、後記する）を隔てて、かつ剛性の
支持部材を介して前記トップリングに装着したことを特
徴とする。
【０００９】請求項３に記載のウエーハのポリッシング
装置は、請求項１または２において、前記ポリッシング
用プレートを構成する上下２枚の板体の重合面を平滑に
仕上げ、これらの板体を液体の表面張力により互いに密
着重合固定したことを特徴とする。
装置は、請求項１または２において、前記ポリッシング
用プレートを構成する上下２枚の板体の重合面を平滑に
仕上げ、これらの板体を液体の表面張力により互いに密
着重合固定したことを特徴とする。
【００１０】請求項４に記載のウエーハのポリッシング
装置は、請求項３において前記ポリッシング用プレート
を構成する上下２枚の板体の少なくとも一方の重合面
に、前記密着重合固定用の液体（板体固定用液体）を導
入または排出するための導排出溝を、前記板体のほぼ中
心付近で相互に交わって連通し、同交点に対しほぼ点対
称となるように配置された放射直線状に、または放射放
物線状に形成し、該導排出溝の端部を板体の外周端部に
開口したことを特徴とする。
装置は、請求項３において前記ポリッシング用プレート
を構成する上下２枚の板体の少なくとも一方の重合面
に、前記密着重合固定用の液体（板体固定用液体）を導
入または排出するための導排出溝を、前記板体のほぼ中
心付近で相互に交わって連通し、同交点に対しほぼ点対
称となるように配置された放射直線状に、または放射放
物線状に形成し、該導排出溝の端部を板体の外周端部に
開口したことを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１に記載のポリッシング装置において
は、ポリッシング用プレートを高剛性材料による板体と
し、かつその厚さを所定の値に設定したので、高度のフ
ラットネスを有する研磨ウエーハを容易に得ることがで
きる。また、ポリッシング用プレートを上下２枚の板体
に分割し、１枚は研磨機のトップリングの下面に装着
し、他の１枚は研磨布上に載置して用い、研磨布側の板
体は前記固定側の板体に、水などの液体を介在させた状
態でその表面張力によって接合するようにしたので、従
来の１枚もののポリッシング用プレートに比べて軽くな
る。このため、研磨布側の板体を研磨布上に載置した
り、研磨が終了後に、研磨布面上から除去した後、固定
側の板体から取り外したりする際のハンドリング性が著
しく向上する。
は、ポリッシング用プレートを高剛性材料による板体と
し、かつその厚さを所定の値に設定したので、高度のフ
ラットネスを有する研磨ウエーハを容易に得ることがで
きる。また、ポリッシング用プレートを上下２枚の板体
に分割し、１枚は研磨機のトップリングの下面に装着
し、他の１枚は研磨布上に載置して用い、研磨布側の板
体は前記固定側の板体に、水などの液体を介在させた状
態でその表面張力によって接合するようにしたので、従
来の１枚もののポリッシング用プレートに比べて軽くな
る。このため、研磨布側の板体を研磨布上に載置した
り、研磨が終了後に、研磨布面上から除去した後、固定
側の板体から取り外したりする際のハンドリング性が著
しく向上する。
【００１２】請求項２に記載のポリッシング装置におい
ては、密閉室に加圧流体を供給すれば、密閉室内の圧力
により可撓性の薄板に等分布荷重が加わる。この場合、
上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸法を隔てて、
かつ剛性の支持部材を介してトップリングに装着したの
で、ポリッシング用プレートが薄板の変位に順応して３
次元的に研磨布側に変位し、ウエーハＷの被研磨面が研
磨布に圧接してポリッシングが行われる。従って、研磨
機のトップリングにおけるポリッシング用プレート固定
部分を硬質材料で形成した場合に比べて、研磨ウエーハ
のフラットネスが更に向上する。
ては、密閉室に加圧流体を供給すれば、密閉室内の圧力
により可撓性の薄板に等分布荷重が加わる。この場合、
上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸法を隔てて、
かつ剛性の支持部材を介してトップリングに装着したの
で、ポリッシング用プレートが薄板の変位に順応して３
次元的に研磨布側に変位し、ウエーハＷの被研磨面が研
磨布に圧接してポリッシングが行われる。従って、研磨
機のトップリングにおけるポリッシング用プレート固定
部分を硬質材料で形成した場合に比べて、研磨ウエーハ
のフラットネスが更に向上する。
【００１３】請求項３に記載のポリッシング装置におい
ては２枚の板体を、液体の表面張力により密着重合固定
するので、ボルト等の取り付け部材を用いることなく、
簡便にポリッシング用プレートを構成してこれを研磨機
に装着することができる。
ては２枚の板体を、液体の表面張力により密着重合固定
するので、ボルト等の取り付け部材を用いることなく、
簡便にポリッシング用プレートを構成してこれを研磨機
に装着することができる。
【００１４】請求項４に記載のポリッシング装置におい
ては、板体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上
下２枚の板体間に加圧気体や加圧液体を送り込んだり、
あるいは、これらの板体間に保持された板体固定用液体
を前記導排出溝端部から吸引除去したりすることによ
り、下側の板体を上側の板体から簡便に取り外すことが
できる。
ては、板体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上
下２枚の板体間に加圧気体や加圧液体を送り込んだり、
あるいは、これらの板体間に保持された板体固定用液体
を前記導排出溝端部から吸引除去したりすることによ
り、下側の板体を上側の板体から簡便に取り外すことが
できる。
【００１５】
【実施例】つぎに本発明を、図面に示す実施例により更
に詳細に説明する。 実施例１ 図１に示すウエーハのポリッシング装置は、たとえばシ
リコン単結晶からなるウエーハＷを貼着するためのポリ
ッシング用プレート１としてセラミックス、ガラス等の
高剛性材料によるものを設けたものであって、ポリッシ
ング用プレート１を、互いに密着重合固定した上下２枚
の板体２，３で構成するとともに、これら２枚の板体の
合計厚さを、これらがウエーハを研磨する際の研磨荷重
によって撓むことがない厚さとし、上側の板体２を研磨
機のトップリング４に支持部材７を介して装着したもの
である。板体２，３の上記合計厚さを理論的にまたは実
験的に求めることで、フラットネス品質を有する研磨ウ
エーハを得ることができる。この場合、ポリッシング用
プレートの材質にもよるが、上側の板体２の厚さは１０
〜２０ｍｍ、下側の板体３の厚さは１０〜１５ｍｍの範
囲とし、その両者を合わせた厚さは２０〜３０ｍｍ位の
値が採られる。具体的には、ポリッシング用プレートが
アルミナ製のセラミックスである場合、直径が５２０ｍ
ｍのときの上側の板体２の厚さは１５ｍｍ程度、下側の
板体３の厚さは１０ｍｍ程度になる。
に詳細に説明する。 実施例１ 図１に示すウエーハのポリッシング装置は、たとえばシ
リコン単結晶からなるウエーハＷを貼着するためのポリ
ッシング用プレート１としてセラミックス、ガラス等の
高剛性材料によるものを設けたものであって、ポリッシ
ング用プレート１を、互いに密着重合固定した上下２枚
の板体２，３で構成するとともに、これら２枚の板体の
合計厚さを、これらがウエーハを研磨する際の研磨荷重
によって撓むことがない厚さとし、上側の板体２を研磨
機のトップリング４に支持部材７を介して装着したもの
である。板体２，３の上記合計厚さを理論的にまたは実
験的に求めることで、フラットネス品質を有する研磨ウ
エーハを得ることができる。この場合、ポリッシング用
プレートの材質にもよるが、上側の板体２の厚さは１０
〜２０ｍｍ、下側の板体３の厚さは１０〜１５ｍｍの範
囲とし、その両者を合わせた厚さは２０〜３０ｍｍ位の
値が採られる。具体的には、ポリッシング用プレートが
アルミナ製のセラミックスである場合、直径が５２０ｍ
ｍのときの上側の板体２の厚さは１５ｍｍ程度、下側の
板体３の厚さは１０ｍｍ程度になる。
【００１６】トップリング４は、図５に示すトップリン
グ２２と同様構造のものとし、回転軸２１の下端部に設
ける。このトップリング４の下端部に可撓性を有する薄
板５を設けることより、内部に密閉室６を形成し、回転
軸２１に形成した加圧流体の供給流路２５を密閉室６内
に連通させる。前記薄板５はゴム等の弾性材料、または
金属、硬質プラスチック等の硬質材料からなる板体とす
る。ただし金属、硬質プラスチック等の硬質材料による
薄板５では、その肉厚をゴム等の軟質材料による薄板５
に比べて十分薄く形成することにより可撓性を付与す
る。
グ２２と同様構造のものとし、回転軸２１の下端部に設
ける。このトップリング４の下端部に可撓性を有する薄
板５を設けることより、内部に密閉室６を形成し、回転
軸２１に形成した加圧流体の供給流路２５を密閉室６内
に連通させる。前記薄板５はゴム等の弾性材料、または
金属、硬質プラスチック等の硬質材料からなる板体とす
る。ただし金属、硬質プラスチック等の硬質材料による
薄板５では、その肉厚をゴム等の軟質材料による薄板５
に比べて十分薄く形成することにより可撓性を付与す
る。
【００１７】鉤状のプレート支持部７ａとトップリング
固定部７ｂとを有し、剛性材料からなる複数の支持部材
７の前記トップリング固定７ｂを、トップリング４の下
端外周部に固定し、その鉤状のプレート支持部７ａに、
前記ポリッシング用プレート１を構成する上側板体２の
外周部を装着する。複数の支持部材７はトップリングの
中心軸に対し軸対称になるように配置する。これにより
板体２を、薄板５の下面から所定寸法を隔ててトップリ
ング４に連結することができる。この場合、前記「所定
寸法」は、トップリングが下降し、上側板体を介して下
側板体を加圧したとき、上側板体の外周部支持が外れ拘
束が無くなるように設定され、その値は０．５〜５ｍｍ
の範囲内とし、具体的には１ｍｍ前後の値が採られる。
なお、図２において上側板体２の環状凹部８ほ幅をＡ、
鉤状のプレート支持部７ａの厚さをＢ、薄板５の下面と
上側板体２の上面との間隔をＣとしたとき、ＡとＢの差
Ａ−Ｂは正の値であって、Ｃより大きい値に設定するこ
とが必要である。また、上側板体２の前記環状凹部８の
代わりに、支持部材７を配置する位置に、同部材７の鉤
状のプレート支持部７ａの移動が可能な幅Ａの溝を設け
てもよい。前記上下２枚の板体２，３の重合面は平坦、
かつ平滑に仕上げ、互いに密着した状態で重ね合わせて
固定する。この固定方法としては、ボルト等の固定部材
を用いる方法も可能であるが、板体２と３の間に水等の
液体を張った状態で重ね合わせ、その表面張力により固
定するのが簡便で好ましい。
固定部７ｂとを有し、剛性材料からなる複数の支持部材
７の前記トップリング固定７ｂを、トップリング４の下
端外周部に固定し、その鉤状のプレート支持部７ａに、
前記ポリッシング用プレート１を構成する上側板体２の
外周部を装着する。複数の支持部材７はトップリングの
中心軸に対し軸対称になるように配置する。これにより
板体２を、薄板５の下面から所定寸法を隔ててトップリ
ング４に連結することができる。この場合、前記「所定
寸法」は、トップリングが下降し、上側板体を介して下
側板体を加圧したとき、上側板体の外周部支持が外れ拘
束が無くなるように設定され、その値は０．５〜５ｍｍ
の範囲内とし、具体的には１ｍｍ前後の値が採られる。
なお、図２において上側板体２の環状凹部８ほ幅をＡ、
鉤状のプレート支持部７ａの厚さをＢ、薄板５の下面と
上側板体２の上面との間隔をＣとしたとき、ＡとＢの差
Ａ−Ｂは正の値であって、Ｃより大きい値に設定するこ
とが必要である。また、上側板体２の前記環状凹部８の
代わりに、支持部材７を配置する位置に、同部材７の鉤
状のプレート支持部７ａの移動が可能な幅Ａの溝を設け
てもよい。前記上下２枚の板体２，３の重合面は平坦、
かつ平滑に仕上げ、互いに密着した状態で重ね合わせて
固定する。この固定方法としては、ボルト等の固定部材
を用いる方法も可能であるが、板体２と３の間に水等の
液体を張った状態で重ね合わせ、その表面張力により固
定するのが簡便で好ましい。
【００１８】液体の表面張力により板体２，３を固定す
る場合には、これら板体の少なくとも一方の重合面に、
固定用液体を導入または導出するための導排出溝を形成
し、該導排出溝の端部をこれら板体の外周端部に開口す
る。図３は、上側板体２の下面に放射直線状に形成した
導排出溝９を示し、図４は、上側板体２の下面に放射放
物線状に形成した導排出溝９を示している。これら導排
出溝の断面形状は、例えば半径２〜３ｍｍ程度の半円形
とし、板体の中心近傍で相互に交わって連通し、同交点
に対して点対称となるように配置することが好ましい。
板体３を板体２から取り外すには、前記導排出溝９から
前記固定用液体を吸引排出する方法や、加圧流体を圧入
する方法がある。すなわち後者の場合、ポリッシングが
終了した後、トップリング４を僅かに上昇させた状態
で、噴射ノズル（図示せず）の先端部を任意の導排出溝
９の開口端に挿入し、加圧気体または加圧水を導排出溝
９に供給することで、該加圧流体は複数の導排出溝９の
全てに分散して供給されるため、板体３を板体２から確
実に取り外すことができる。
る場合には、これら板体の少なくとも一方の重合面に、
固定用液体を導入または導出するための導排出溝を形成
し、該導排出溝の端部をこれら板体の外周端部に開口す
る。図３は、上側板体２の下面に放射直線状に形成した
導排出溝９を示し、図４は、上側板体２の下面に放射放
物線状に形成した導排出溝９を示している。これら導排
出溝の断面形状は、例えば半径２〜３ｍｍ程度の半円形
とし、板体の中心近傍で相互に交わって連通し、同交点
に対して点対称となるように配置することが好ましい。
板体３を板体２から取り外すには、前記導排出溝９から
前記固定用液体を吸引排出する方法や、加圧流体を圧入
する方法がある。すなわち後者の場合、ポリッシングが
終了した後、トップリング４を僅かに上昇させた状態
で、噴射ノズル（図示せず）の先端部を任意の導排出溝
９の開口端に挿入し、加圧気体または加圧水を導排出溝
９に供給することで、該加圧流体は複数の導排出溝９の
全てに分散して供給されるため、板体３を板体２から確
実に取り外すことができる。
【００１９】なお、図１に示す全面均等荷重の加圧方式
によるポリッシング装置に代えて、ポリッシング用プレ
ートに当接する面の全体を硬質材料により構成したトッ
プリングの下面に板体２を重ね合わせて固定した構造と
することもできる。また、下側板体３へのウエーハＷの
貼着は従来公知の方法であるワックス法、ワックスレス
法等により行うことができる。
によるポリッシング装置に代えて、ポリッシング用プレ
ートに当接する面の全体を硬質材料により構成したトッ
プリングの下面に板体２を重ね合わせて固定した構造と
することもできる。また、下側板体３へのウエーハＷの
貼着は従来公知の方法であるワックス法、ワックスレス
法等により行うことができる。
【００２０】図１のポリッシング装置においては、密閉
室６に加圧流体を供給すれば、密閉室６内の圧力により
薄板５に等分布荷重が加わり、ポリッシング用プレート
１が薄板５の変位に順応して３次元的に研磨布側に変位
し、ウエーハＷの被研磨面が研磨布に圧接してポリッシ
ングが行われる。従って、研磨機のトップリングにおけ
るポリッシング用プレート固定部分を単なる硬質材料だ
けで形成した場合に比べて、研磨ウエーハのフラットネ
スが更に向上する。
室６に加圧流体を供給すれば、密閉室６内の圧力により
薄板５に等分布荷重が加わり、ポリッシング用プレート
１が薄板５の変位に順応して３次元的に研磨布側に変位
し、ウエーハＷの被研磨面が研磨布に圧接してポリッシ
ングが行われる。従って、研磨機のトップリングにおけ
るポリッシング用プレート固定部分を単なる硬質材料だ
けで形成した場合に比べて、研磨ウエーハのフラットネ
スが更に向上する。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
に記載のウエーハのポリッシング装置によれば、ポリッ
シング用プレートを上下２枚の板体で構成するととも
に、これら板体の合計厚さを、これらがウエーハを研磨
する際の研磨荷重によって撓むことがない厚さとしたの
で、ポリッシング用プレートを研磨機に取り付けたり、
取り外したりする場合などにおけるハンドリング性が向
上するうえ、高度のフラットネスを有するウエーハを容
易に得ることができる。請求項２に記載のウエーハのポ
リッシング装置によれば、全面均等荷重の加圧方式によ
るポリッシングが可能となり、研磨機のトップリング下
面におけるポリッシング用プレート固定部分を単なる硬
質材料で形成した場合に比べて、ウエーハのフラットネ
スが更に向上する。請求項３に記載のウエーハのポリッ
シング装置によれば、ボルト等の取り付け部材を用いる
ことなく、上下２枚の板体を相互に簡便に固定してポリ
ッシング用プレートを研磨機に装着することができる。
請求項４に記載のウエーハのポリッシング装置によれ
ば、板体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上下
２枚の板体間に加圧流体を供給するか、または、これら
の板体間に保持された板体固定用液体を前記導排出溝端
部から吸引除去することにり、下側の板体を上側の板体
から簡単に取り外すことができる。
に記載のウエーハのポリッシング装置によれば、ポリッ
シング用プレートを上下２枚の板体で構成するととも
に、これら板体の合計厚さを、これらがウエーハを研磨
する際の研磨荷重によって撓むことがない厚さとしたの
で、ポリッシング用プレートを研磨機に取り付けたり、
取り外したりする場合などにおけるハンドリング性が向
上するうえ、高度のフラットネスを有するウエーハを容
易に得ることができる。請求項２に記載のウエーハのポ
リッシング装置によれば、全面均等荷重の加圧方式によ
るポリッシングが可能となり、研磨機のトップリング下
面におけるポリッシング用プレート固定部分を単なる硬
質材料で形成した場合に比べて、ウエーハのフラットネ
スが更に向上する。請求項３に記載のウエーハのポリッ
シング装置によれば、ボルト等の取り付け部材を用いる
ことなく、上下２枚の板体を相互に簡便に固定してポリ
ッシング用プレートを研磨機に装着することができる。
請求項４に記載のウエーハのポリッシング装置によれ
ば、板体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上下
２枚の板体間に加圧流体を供給するか、または、これら
の板体間に保持された板体固定用液体を前記導排出溝端
部から吸引除去することにり、下側の板体を上側の板体
から簡単に取り外すことができる。
【図１】本発明のウエーハポリッシング装置の実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図２】図１の一部拡大図である。
【図３】板体の一例を示す下面図である。
【図４】板体の別例を示す下面図である。
【図５】従来例のウエーハポリッシング装置を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図６】図５装置におけるウエーハ研磨作用の説明図で
ある。
ある。
【図７】図５装置による研磨結果の説明図である。
１，２６ ポリッシング用プレート ２，３ 板体 ４，２２ トップリング ５，２３ 薄板 ６，２４ 密閉室 ７ 支持部材 ７ａ 鉤状のプレート支持部 ７ｂ トップリング固定部 ８ 環状凹部 ９ 導排出溝 ２１ 回転軸 ２５ 供給流路 ３１ 定盤 ３２ 研磨布
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 37/04 H01L 21/304
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエーハを貼着するためのポリッシング
用プレートとして高剛性材料によるものを設けたウエー
ハのポリッシング装置において、前記ポリッシング用プ
レートを、互いに密着重合させた状態で固定した上下２
枚の板体で構成するとともに、これら２枚の板体の合計
厚さを、これらに研磨荷重をかけてウエーハを研磨する
際の前記研磨荷重によってポリッシング用プレートが撓
むことがない厚さとし、上側の板体を研磨機のトップリ
ングの下面に装着したことを特徴とするウエーハのポリ
ッシング装置。 - 【請求項２】 前記トップリングの下方部に可撓性の薄
板を設けて内部に密閉室を形成するとともに、該密閉室
を加圧流体の供給源に連通させ、前記ポリッシング用プ
レートを構成する上側の板体を、前記薄板の下面から所
定寸法を隔てて、かつ剛性の支持部材を介して前記トッ
プリングに装着したことを特徴とする請求項１に記載の
ウエーハのポリッシング装置。 - 【請求項３】 前記ポリッシング用プレートを構成する
上下２枚の板体の重合面を平滑に仕上げ、これらの板体
を液体の表面張力により互いに密着重合固定したことを
特徴とする請求項１または２に記載のウエーハのポリッ
シング装置。 - 【請求項４】 前記ポリッシング用プレートを構成する
上下２枚の板体の少なくとも一方の重合面に、前記密着
重合固定用の液体を導入または排出するための導排出溝
を、前記板体のほぼ中心付近で相互に交わって連通し、
同交点に対しほぼ点対称となるように配置された放射直
線状に、または放射放物線状に形成し、該導排出溝の端
部を板体の外周端部に開口したことを特徴とする請求項
３に記載のウエーハのポリッシング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4483994A JP3042293B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ウエーハのポリッシング装置 |
| DE69504549T DE69504549T2 (de) | 1994-02-18 | 1995-02-10 | Gerät zum Polieren von Wafers |
| EP95300850A EP0672499B1 (en) | 1994-02-18 | 1995-02-10 | Apparatus for polishing wafers |
| US08/387,514 US5588902A (en) | 1994-02-18 | 1995-02-13 | Apparatus for polishing wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4483994A JP3042293B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ウエーハのポリッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07227757A JPH07227757A (ja) | 1995-08-29 |
| JP3042293B2 true JP3042293B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=12702650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4483994A Expired - Lifetime JP3042293B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ウエーハのポリッシング装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5588902A (ja) |
| EP (1) | EP0672499B1 (ja) |
| JP (1) | JP3042293B2 (ja) |
| DE (1) | DE69504549T2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5643053A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
| US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
| JPH09225819A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 被加工物の保持機構 |
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| US5941758A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
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1994
- 1994-02-18 JP JP4483994A patent/JP3042293B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-10 EP EP95300850A patent/EP0672499B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-10 DE DE69504549T patent/DE69504549T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-13 US US08/387,514 patent/US5588902A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0672499A1 (en) | 1995-09-20 |
| DE69504549D1 (de) | 1998-10-15 |
| JPH07227757A (ja) | 1995-08-29 |
| US5588902A (en) | 1996-12-31 |
| DE69504549T2 (de) | 1999-06-17 |
| EP0672499B1 (en) | 1998-09-09 |
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