JP3039028B2 - 波形変換回路 - Google Patents

波形変換回路

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JP3039028B2
JP3039028B2 JP3222096A JP22209691A JP3039028B2 JP 3039028 B2 JP3039028 B2 JP 3039028B2 JP 3222096 A JP3222096 A JP 3222096A JP 22209691 A JP22209691 A JP 22209691A JP 3039028 B2 JP3039028 B2 JP 3039028B2
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circuit
conversion circuit
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waveform conversion
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千▲隆▼ 小西
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は波形変換回路に関し、特にディプ
レッション型電界効果トランジスタを用いた論理回路用
の波形変換回路に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来のこの種の波形変換回路の例を図3及
び図4に示す。図に示すように2つのディプレッション
型の電界効果型トランジスタ(以下FETと略す)1,
2のドレイン電極を共通に接続し、そのドレインの共通
接続点とバイアス電源VDDとの間に負荷抵抗6を接続す
るか(図3)、あるいはこの負荷抵抗の代りに、ゲート
電極とソース電極とを共通に接続したディプレッション
型FET3を接続する構成となっている(図4)。そし
て、これ等FET1,2の夫々のゲート電極に信号が入
力され否定論理和出力が得られるようになっている。
【0003】尚、15は直流カット用コンデンサを示
し、7,8はFET1,2のゲートバイアス用抵抗を示
している。
【0004】この様な従来の論理回路では、出力におけ
るパルスのデューティ比を任意に調整することができな
いという欠点がある。
【0005】
【発明の目的】本発明の目的は、出力パルスのデューテ
ィ比を任意に調整することができる波形変換回路を提供
することである。
【0006】
【発明の構成】本発明による波形変換回路は、互いのド
レインが共通接続された一対のディプレッション型電界
効果トランジスタと、前記トランジスタの各々のゲート
入力信号に対して位相差を付加する遅延手段と、前記ド
レインの共通接続点とバイアス電位点との間に接続され
た負荷素子と、前記負荷素子による出力信号を所定レベ
ルでスライスして回路出力信号として導出するスライス
回路とを含むことを特徴とする。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳述する。
【0008】尚、本発明に用いるディプレッション型F
ETは、ゲートソース間電圧によりドレイン電流を制御
する機能素子であり、特にディプレッション型とは、ゲ
ートソース間電圧が負の一定電圧Vp (ピンチオフ電
圧)より小さいとき、ドレイン電流が零となり、Vp よ
り大きくなるに従ってドレイン電流が増加するタイプで
ある。
【0009】本発明では、この様なタイプのFETを用
いて図1の如き回路を得ている。すなわち、2つのディ
プレッション型FET1,2のドレインを共通接続し、
夫々のソースは接地する。
【0010】そして、共通ドレインと正電源VDDとの間
に、負荷素子として、ディプレッション型FET3と抵
抗6との直列回路を接続する。このFET3のゲートと
ソースとは抵抗5を介して接続する。
【0011】この直列回路の負荷素子による出力Cは直
流カット用コンデンサ15を介してスライス回路12へ
入力され、このスライス出力が回路出力Dとなる。
【0012】このスライス回路12は、インバータ用デ
ィプレッション型FET4と、ドレイン抵抗10と、ゲ
ートバイアス抵抗9とからなり、所定閾値を有するイン
バータとなっている。
【0013】各FET1,2のゲート入力A,Bとして
は、2つの論理入力信号(IN1 ,IN2 )を夫々遅延
するディレーライン13,14の出力が用いられてい
る。尚、7,8は各FET1,2のゲートバイアス用抵
抗である。
【0014】図2は図1の回路の動作波形例を示してお
り、(A)〜(D)は図1の回路の各部信号A〜Dと夫
々対応した波形である。
【0015】2つの論理入力信号(IN1 ,IN2 )を
各ディレーラインを通すことにより、図2(A)〜
(B)の各波形が得られてこれ等が対応するFET1,
2の各ゲート入力となる。両ゲート入力信号A,Bのレ
ベルが共にピンチオフ電圧VP よりも低い−Vであれ
ば、両FET1,2共にオフであるから、信号Cのレベ
ルはVDDとなる。
【0016】また、両ゲート入力信号A,Bのレベルが
共にグランドレベルであれば、両FET1,2共にオン
となり、よって、信号Cのレベルは負荷FET3、負荷
抵抗6、更にはFET1,2のオン抵抗により定まる低
レベル−V2 となる。
【0017】両ゲート入力信号A,Bのうち一方のレベ
ルがグランドレベルで、他方のレベルが−Vであれば、
ゲート入力信号がグランドレベルのFETのみがオンと
なる。よって、信号Cのレベルは、負荷FET3、負荷
抵抗6及びオンFET(1,2のうちいずれか)のオン
抵抗により定まる中間レベル−V1 となる。
【0018】そこで、スライス回路12のスライスレベ
ルを図2(C)に示すVT レベルとすると、インバータ
作用を有するスライス回路12の出力Dは図2(D)の
波形となり、論理和出力が得られる。
【0019】このとき、各FET1,2のゲート入力に
あるディレーライン13,14の各遅延量を調整すれ
ば、回路出力Dのデューティ比がそれに応じて変化する
ことは明らかである。
【0020】尚、上記において、スライス回路12はイ
ンバータ機能を有する様にしたが、ソースフォロワ機能
として否定論理和出力を得ても良いものである。
【0021】図1のFET3のゲート抵抗5はFET3
の安定動作のために挿入れさており、実際の回路におい
ては発振の可能性があり、これを防ぐためである。ま
た、抵抗6は信号Cのレベル−V1 ,−V2 を決定する
ための抵抗である。
【0022】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、論理
入力用FETのゲート入力に、信号の位相を制御するデ
ィレーラインを設け、両信号に位相差を付加することに
より、出力波形のデューティ比を制御することができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の回路図である。
【図2】図1の回路の動作波形図である。
【図3】従来の波形変換回路の例を示す図である。
【図4】従来の波形変換回路の他の例を示す図である。
【符号の説明】
1〜4 ディプレッション型FET 12 スライス回路 13,14 ディレーライン

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いのドレインが共通接続された一対の
    ディプレッション型電界効果トランジスタと、前記トラ
    ンジスタの各々のゲート入力信号に対して位相差を付加
    する遅延手段と、前記ドレインの共通接続点とバイアス
    電位点との間に接続された負荷素子と、前記負荷素子に
    よる出力信号を所定レベルでスライスして回路出力信号
    として導出するスライス回路とを含むことを特徴とする
    波形変換回路。
JP3222096A 1991-08-07 1991-08-07 波形変換回路 Expired - Lifetime JP3039028B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8426668B2 (en) 2003-11-28 2013-04-23 Colopast A/S Dressing product

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8426668B2 (en) 2003-11-28 2013-04-23 Colopast A/S Dressing product

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JPH0548412A (ja) 1993-02-26

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