JP3018542B2 - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用のリード
フレーム及びその製造方法に関するものである。
フレーム及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子を搭載するダイパッドと、半
導体素子の電極を外部に取出すためのインナリードを備
えたリードフレームは、半導体装置に広く使用されてい
る。このようなリードフレームのダイパッドに搭載され
た半導体素子は、図14に示すように、半導体素子21
の電極22と、各電極22に対応したインナリード3と
がそれぞれワイヤ23で接続されるが、最近では半導体
素子21の電極22が著しく増加しており、したがっ
て、電極22のピッチも大へん狭くなっている(通常1
00〜180μm程度)。
導体素子の電極を外部に取出すためのインナリードを備
えたリードフレームは、半導体装置に広く使用されてい
る。このようなリードフレームのダイパッドに搭載され
た半導体素子は、図14に示すように、半導体素子21
の電極22と、各電極22に対応したインナリード3と
がそれぞれワイヤ23で接続されるが、最近では半導体
素子21の電極22が著しく増加しており、したがっ
て、電極22のピッチも大へん狭くなっている(通常1
00〜180μm程度)。
【0003】一方、リードフレームのインナリード3
は、例えば42アロイからなるリードフレーム素材をエ
ッチング又はプレス加工により成形しており、図15に
示すように、インナリード3の幅wは通常80〜150
μm程度、厚さtは100〜300μm程度で、ピッチ
pは通常150〜250μm程度、間隔gは通常70〜
170μm程度である。
は、例えば42アロイからなるリードフレーム素材をエ
ッチング又はプレス加工により成形しており、図15に
示すように、インナリード3の幅wは通常80〜150
μm程度、厚さtは100〜300μm程度で、ピッチ
pは通常150〜250μm程度、間隔gは通常70〜
170μm程度である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】インナリード3の製造
にあたっては、リードフレーム素材の各インナリード3
の間隔(図15のg)に相当する部分をエッチングによ
り除去し、又はプレス加工により打抜いているが、エッ
チングによる場合は、リードフレーム素材の板厚tが厚
いため時間がかかり、このため図16に示すようにイン
ナリード3の両側面が大きく円弧状に除去されてつづみ
状に形成され、断面積が小さくなる。その結果、厚さ方
向の強度を確保することが困難で、ワイヤ23をボンデ
イングする際つぶれたり変形したりすることがある。
にあたっては、リードフレーム素材の各インナリード3
の間隔(図15のg)に相当する部分をエッチングによ
り除去し、又はプレス加工により打抜いているが、エッ
チングによる場合は、リードフレーム素材の板厚tが厚
いため時間がかかり、このため図16に示すようにイン
ナリード3の両側面が大きく円弧状に除去されてつづみ
状に形成され、断面積が小さくなる。その結果、厚さ方
向の強度を確保することが困難で、ワイヤ23をボンデ
イングする際つぶれたり変形したりすることがある。
【0005】また、プレス加工によりインナリード3を
形成する場合は、インナリード3の幅wに対して板厚t
が大きいため、下ぬきプレスで上から打抜くと図17に
示すようにインナリード3に下方が開くねじれが生じ、
上ぬきプレスで下から打抜くと図18に示すように上方
が狭くなるねじれが生じる。このためワイヤ23の全面
がインナリード3に接触しないことがあり、接続不良の
原因になっていた。
形成する場合は、インナリード3の幅wに対して板厚t
が大きいため、下ぬきプレスで上から打抜くと図17に
示すようにインナリード3に下方が開くねじれが生じ、
上ぬきプレスで下から打抜くと図18に示すように上方
が狭くなるねじれが生じる。このためワイヤ23の全面
がインナリード3に接触しないことがあり、接続不良の
原因になっていた。
【0006】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたもので、所定の強度を確保し、しかも加工によっ
てねじれ等を生ずるおそれのないインナリードを備えた
リードフレーム及びその製造方法を得ることを目的とし
たものである。
されたもので、所定の強度を確保し、しかも加工によっ
てねじれ等を生ずるおそれのないインナリードを備えた
リードフレーム及びその製造方法を得ることを目的とし
たものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係るリードフレ
ームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレー
ムの製造方法であって、リードフレーム素材の厚み方向
において第1の方向のみからプレス加工を行い、前記リ
ードフレーム素材の除去すべき部位の途中まで溝を形成
する第1の工程と、該第1の工程の後に該第1の工程に
て残された前記溝の幅以下の除去すべき部位をプレス加
工により取り除く第2の工程と、を有しており、前記第
2の工程では、前記第1の工程にて残された除去すべき
部位を前記リードフレーム素材の厚み方向に対して真っ
直ぐに取り除かれてなり、且つ、前記第1の工程に用い
られる第1のポンチと前記第2の工程に用いられる第2
のポンチとは加工に用いられる面の大きさが異なるもの
を用いてなることを特徴とする。さらに上記の方法にお
いて、前記第2のポンチは、当該ポンチの加工に用いら
れる面の大きさが前記第1のポンチの加工に用いられる
面の大きさよりも小さいものを用いてなることを特徴と
する。あるいは上記の方法において、前記第1の工程に
用いられるポンチは、成形後の隣り合うリード間の間隔
とほぼ等しい幅のものが用いられて、前記ポンチで前記
リードフレーム素材の厚みのほぼ2分の1の深さの溝を
形成し、前記第2の工程に用いられるポンチは前記第1
の工程に用いられる前記ポンチと同じ形状のものが用い
られて、前記第2の工程が行われてなることを特徴とす
る。もしくは上記の代わりに、前記第1の工程はフォト
リソグラフィー技術によるエッチング加工により行わ
れ、前記第1の工程では成形後の隣り合うリード間の間
隔とほぼ等しく且つ前記リードフレーム素材の厚みのほ
ぼ2分の1の深さの溝が形成され、前記第2の工程で
は、前記溝の幅よりも狭い幅のポンチが用いられてなる
ことを特徴とする。さらに上記の代わりに、前記第1の
工程はフォトリソグラフィー技術によるエッチング加工
により行われ、前記第1の工程では、溝の開口部の幅が
成形後の隣り合うリード間の間隔よりも広くなるように
且つ前記リードフレーム素材の厚みのほぼ3分の2の深
さになるように溝が形成され、前記第2の工程では、前
記溝の幅よりも狭い幅のポンチが用いられてなることを
特徴とする。
ームの製造方法は、複数のリードを有するリードフレー
ムの製造方法であって、リードフレーム素材の厚み方向
において第1の方向のみからプレス加工を行い、前記リ
ードフレーム素材の除去すべき部位の途中まで溝を形成
する第1の工程と、該第1の工程の後に該第1の工程に
て残された前記溝の幅以下の除去すべき部位をプレス加
工により取り除く第2の工程と、を有しており、前記第
2の工程では、前記第1の工程にて残された除去すべき
部位を前記リードフレーム素材の厚み方向に対して真っ
直ぐに取り除かれてなり、且つ、前記第1の工程に用い
られる第1のポンチと前記第2の工程に用いられる第2
のポンチとは加工に用いられる面の大きさが異なるもの
を用いてなることを特徴とする。さらに上記の方法にお
いて、前記第2のポンチは、当該ポンチの加工に用いら
れる面の大きさが前記第1のポンチの加工に用いられる
面の大きさよりも小さいものを用いてなることを特徴と
する。あるいは上記の方法において、前記第1の工程に
用いられるポンチは、成形後の隣り合うリード間の間隔
とほぼ等しい幅のものが用いられて、前記ポンチで前記
リードフレーム素材の厚みのほぼ2分の1の深さの溝を
形成し、前記第2の工程に用いられるポンチは前記第1
の工程に用いられる前記ポンチと同じ形状のものが用い
られて、前記第2の工程が行われてなることを特徴とす
る。もしくは上記の代わりに、前記第1の工程はフォト
リソグラフィー技術によるエッチング加工により行わ
れ、前記第1の工程では成形後の隣り合うリード間の間
隔とほぼ等しく且つ前記リードフレーム素材の厚みのほ
ぼ2分の1の深さの溝が形成され、前記第2の工程で
は、前記溝の幅よりも狭い幅のポンチが用いられてなる
ことを特徴とする。さらに上記の代わりに、前記第1の
工程はフォトリソグラフィー技術によるエッチング加工
により行われ、前記第1の工程では、溝の開口部の幅が
成形後の隣り合うリード間の間隔よりも広くなるように
且つ前記リードフレーム素材の厚みのほぼ3分の2の深
さになるように溝が形成され、前記第2の工程では、前
記溝の幅よりも狭い幅のポンチが用いられてなることを
特徴とする。
【0008】あるいは上記のいずれかにおいて、前記第
2の工程は、前記第1の工程とは反対の方向から行われ
ることを特徴とする。または、複数のリードを有するリ
ードフレームの製造方法であって、リードフレーム素材
の厚み方向において第1の方向のみからホトリソグラフ
ィー技術によるエッチング加工及びプレス加工のいずれ
か一方の加工を行い、前記リードフレーム素材の除去す
べき部位の途中まで溝を形成する第1の工程と、該第1
の工程の後に該第1の工程にて残された前記溝の幅以下
の除去すべき部位をプレス加工により取り除く第2の工
程と、を有しており、前記第2の工程では、前記第1の
工程にて残された除去すべき部位を前記リードフレーム
素材の厚み方向に対して真っ直ぐに取り除かれてなり、
且つ、前記第2の工程は、前記第1の方向とは反対の方
向から行われることを特徴とする。
2の工程は、前記第1の工程とは反対の方向から行われ
ることを特徴とする。または、複数のリードを有するリ
ードフレームの製造方法であって、リードフレーム素材
の厚み方向において第1の方向のみからホトリソグラフ
ィー技術によるエッチング加工及びプレス加工のいずれ
か一方の加工を行い、前記リードフレーム素材の除去す
べき部位の途中まで溝を形成する第1の工程と、該第1
の工程の後に該第1の工程にて残された前記溝の幅以下
の除去すべき部位をプレス加工により取り除く第2の工
程と、を有しており、前記第2の工程では、前記第1の
工程にて残された除去すべき部位を前記リードフレーム
素材の厚み方向に対して真っ直ぐに取り除かれてなり、
且つ、前記第2の工程は、前記第1の方向とは反対の方
向から行われることを特徴とする。
【0009】一方、本発明のリードフレームは、上記の
いずれかに記載のリードフレームの製造方法により製造
されたことを特徴とする。
いずれかに記載のリードフレームの製造方法により製造
されたことを特徴とする。
【0010】
【実施例】図1〜図13はそれぞれ本発明に係るリード
フレームの製造方法の実施例の説明図である。なお、以
下において、1はリードフレーム素材、2はレジスト、
3はインナリードで、それぞれ断面で示してある。
フレームの製造方法の実施例の説明図である。なお、以
下において、1はリードフレーム素材、2はレジスト、
3はインナリードで、それぞれ断面で示してある。
【0011】図1の実施例は、先ず、リードフレーム素
材1の両面にレジスト2を塗布し、上面に開口部の幅が
インナリード3の間隔gにほぼ整合する大きさで、厚さ
tの2分の1より若干深い位置までホトリゾグラフィ技
術によりハーフエッチングして断面円弧状あるいは半楕
円状の溝4を形成する。ついで、この溝4にレジスト2
を塗布し、下面から溝4と同じ大きさで溝4に連続する
ようにエッチングして溝4aを形成し、レジスト2を除
去する。
材1の両面にレジスト2を塗布し、上面に開口部の幅が
インナリード3の間隔gにほぼ整合する大きさで、厚さ
tの2分の1より若干深い位置までホトリゾグラフィ技
術によりハーフエッチングして断面円弧状あるいは半楕
円状の溝4を形成する。ついで、この溝4にレジスト2
を塗布し、下面から溝4と同じ大きさで溝4に連続する
ようにエッチングして溝4aを形成し、レジスト2を除
去する。
【0012】このような作業をインナリード3の幅wを
隔てて同時に行なうことによりリードフレーム素材1に
多数のスリットが設けられ、両側面の中央部が僅かに側
方に突出し、その幅が所定の幅wとほぼ等しい断面形状
のインナリード3aが得られる。
隔てて同時に行なうことによりリードフレーム素材1に
多数のスリットが設けられ、両側面の中央部が僅かに側
方に突出し、その幅が所定の幅wとほぼ等しい断面形状
のインナリード3aが得られる。
【0013】図2の実施例は、製造工程は図1の実施例
の場合と同様であるが、本実施例においては、両面にレ
ジスト2が塗布されたリードフレーム素材1の上面に、
厚さtのほぼ3分の2に達する溝5をハーフエッチング
により形成すると共に、下面から断面形状が溝5より小
さく、かつ溝5に連続する溝5aをハーフエッチングに
より形成したもので、これにより両側面の下方が僅かに
両側に突出し、上面の幅が所定の幅wとほぼ等しく、下
面の幅がこれより僅かに広い断面形状のインナリード3
bを得ることができる。
の場合と同様であるが、本実施例においては、両面にレ
ジスト2が塗布されたリードフレーム素材1の上面に、
厚さtのほぼ3分の2に達する溝5をハーフエッチング
により形成すると共に、下面から断面形状が溝5より小
さく、かつ溝5に連続する溝5aをハーフエッチングに
より形成したもので、これにより両側面の下方が僅かに
両側に突出し、上面の幅が所定の幅wとほぼ等しく、下
面の幅がこれより僅かに広い断面形状のインナリード3
bを得ることができる。
【0014】図3の実施例は図2の実施例と反対に、ハ
ーフエッチングにより上面には小さい溝6を、また下面
にはこの溝6と連続する大きい溝6aを形成したもの
で、両側面の上方が僅かに両側に突出し、下面の幅が所
定の幅wとほぼ等しく、上面の幅がこれより僅かに広い
断面形状のインナリード3cが得られる。
ーフエッチングにより上面には小さい溝6を、また下面
にはこの溝6と連続する大きい溝6aを形成したもの
で、両側面の上方が僅かに両側に突出し、下面の幅が所
定の幅wとほぼ等しく、上面の幅がこれより僅かに広い
断面形状のインナリード3cが得られる。
【0015】図4,図5の実施例は、先ず、図1の実施
例と同様に、開口部の幅がインナリード3の間隔gとほ
ぼ等しく、深さが厚さtのほぼ2分の1に達する溝7を
ハーフエッチングにより形成する。そして、図4の実施
例においては、溝7の開口部の幅より狭い幅のポンチを
用い、プレスにより上方から溝7の底部を打抜いてスリ
ット7aを形成したものであり、図5の実施例は下方か
ら溝7の底部に向ってポンチで打抜き、スリット7aを
形成したものである。これにより、いずれも上面の幅が
所定の幅wとほぼ等しく、下面の幅がこれより僅かに広
い断面形状のインナリード3d,3eが得られる。
例と同様に、開口部の幅がインナリード3の間隔gとほ
ぼ等しく、深さが厚さtのほぼ2分の1に達する溝7を
ハーフエッチングにより形成する。そして、図4の実施
例においては、溝7の開口部の幅より狭い幅のポンチを
用い、プレスにより上方から溝7の底部を打抜いてスリ
ット7aを形成したものであり、図5の実施例は下方か
ら溝7の底部に向ってポンチで打抜き、スリット7aを
形成したものである。これにより、いずれも上面の幅が
所定の幅wとほぼ等しく、下面の幅がこれより僅かに広
い断面形状のインナリード3d,3eが得られる。
【0016】図6,図7の実施例は、図4,図5の実施
例とほぼ同じであるが、上面に、開口部の幅がインナリ
ード3の間隔gより広い溝8をリードフレーム素材1の
厚さtのほぼ3分の2の深さにハーフエッチングで形成
する。そして、図6の実施例は上記インナード3の間隔
gより狭い幅のポンチで、プレスにより上方から溝8の
底部を打抜いてスリット8aを形成したものであり、図
7の実施例は同じポンチにより下方から溝8の底部に向
って打抜き、スリット8aを形成したものである。
例とほぼ同じであるが、上面に、開口部の幅がインナリ
ード3の間隔gより広い溝8をリードフレーム素材1の
厚さtのほぼ3分の2の深さにハーフエッチングで形成
する。そして、図6の実施例は上記インナード3の間隔
gより狭い幅のポンチで、プレスにより上方から溝8の
底部を打抜いてスリット8aを形成したものであり、図
7の実施例は同じポンチにより下方から溝8の底部に向
って打抜き、スリット8aを形成したものである。
【0017】図6,図7の実施例によれば、いずれも上
面の幅が所定の幅wよりやや狭く、下面の幅が所定の幅
wよりやや広いほぼ凸字状の断面形状で、断面積が所定
の断面積とほぼ等しいインナリード3f,3gが得られ
る。
面の幅が所定の幅wよりやや狭く、下面の幅が所定の幅
wよりやや広いほぼ凸字状の断面形状で、断面積が所定
の断面積とほぼ等しいインナリード3f,3gが得られ
る。
【0018】図8の実施例は、レジスト2が塗布された
リードフレーム素材1の両面から、開口部の幅がインナ
リード3の間隔gとほぼ等しい溝9,9aを、厚さtの
それぞれ3分の1程度にハーフエッチングし、両溝9,
9aの間をその開口部の幅より狭い幅のポンチで打抜い
てスリット9bを形成したもので、上下面の幅が所定の
幅wとほぼ等しく、両側面の中央部が外側に僅かに突出
した断面形状のインナリード3hが得られる。
リードフレーム素材1の両面から、開口部の幅がインナ
リード3の間隔gとほぼ等しい溝9,9aを、厚さtの
それぞれ3分の1程度にハーフエッチングし、両溝9,
9aの間をその開口部の幅より狭い幅のポンチで打抜い
てスリット9bを形成したもので、上下面の幅が所定の
幅wとほぼ等しく、両側面の中央部が外側に僅かに突出
した断面形状のインナリード3hが得られる。
【0019】また、図9,図10の実施例は、リードフ
レーム素材1の上面に、開口部の幅がインナリード3の
間隔より広く、深さが厚さtの2分の1程度の溝10を
ハーフエッチングで形成すると共に、下面に溝10より
狭い幅及び深さの溝10aをハーフエッチングで形成す
る。そして、図9の実施例では両溝10,10aの間を
溝10aの開口部の幅より狭い幅のポンチで下から打抜
いてスリット10bを形成し、図10の実施例では同じ
ポンチで上から打抜いてスリット10bを形成したもの
である。
レーム素材1の上面に、開口部の幅がインナリード3の
間隔より広く、深さが厚さtの2分の1程度の溝10を
ハーフエッチングで形成すると共に、下面に溝10より
狭い幅及び深さの溝10aをハーフエッチングで形成す
る。そして、図9の実施例では両溝10,10aの間を
溝10aの開口部の幅より狭い幅のポンチで下から打抜
いてスリット10bを形成し、図10の実施例では同じ
ポンチで上から打抜いてスリット10bを形成したもの
である。
【0020】いずれの場合も、上面の幅が所定の幅wよ
り僅かに狭く、下面の幅が所定の幅wより僅かに広く両
側面が僅かに突出した断面形状で、断面積が所定の断面
積とほぼ等しいインナリード3i,3jが得られる。
り僅かに狭く、下面の幅が所定の幅wより僅かに広く両
側面が僅かに突出した断面形状で、断面積が所定の断面
積とほぼ等しいインナリード3i,3jが得られる。
【0021】図11の実施例は、最初にリードフレーム
素材1の上面からインナリード3の間隔gとほぼ等しい
幅のポンチにより、厚さtのほぼ2分の1の深さの溝1
1をプレス加工により形成する。ついで、同じ形状のポ
ンチにより溝11の底部を下方から打抜いてスリット1
1aを形成したもので、上下面の幅が所定の幅wとほぼ
等しく、断面形状が長方形のインナリード3kが得られ
る。なお、ポンチにより溝11の底部を上方から打抜い
てもよい。
素材1の上面からインナリード3の間隔gとほぼ等しい
幅のポンチにより、厚さtのほぼ2分の1の深さの溝1
1をプレス加工により形成する。ついで、同じ形状のポ
ンチにより溝11の底部を下方から打抜いてスリット1
1aを形成したもので、上下面の幅が所定の幅wとほぼ
等しく、断面形状が長方形のインナリード3kが得られ
る。なお、ポンチにより溝11の底部を上方から打抜い
てもよい。
【0022】図12,図13の実施例は、リードフレー
ム素材1の上面からプレス加工により溝11を形成する
までの工程は図11の実施例と同じであるが、図12の
実施例は溝11の底部を溝11より狭い幅のポンチによ
り上方から打抜いてスリット11bを形成したもの、図
13の実施例はこれより若干幅の広いポンチで下方から
打抜いてスリット11bを形成したもので、いずれも上
面の幅が所定の幅wとほぼ等しく、下面の幅がこれより
若干広い断面形状のインナリード3m,3nを得ること
ができる。
ム素材1の上面からプレス加工により溝11を形成する
までの工程は図11の実施例と同じであるが、図12の
実施例は溝11の底部を溝11より狭い幅のポンチによ
り上方から打抜いてスリット11bを形成したもの、図
13の実施例はこれより若干幅の広いポンチで下方から
打抜いてスリット11bを形成したもので、いずれも上
面の幅が所定の幅wとほぼ等しく、下面の幅がこれより
若干広い断面形状のインナリード3m,3nを得ること
ができる。
【0023】以上詳述したように、本発明はリードフレ
ーム素材を2回又はそれ以上のエッチング若しくはプレ
ス加工又はエッチングとプレス加工との組合せにより加
工してインナリードを製造することを特徴とするもの
で、これにより所定の幅及び断面積とほぼ等しい幅及び
断面積を有するインナリードを得ることができる。
ーム素材を2回又はそれ以上のエッチング若しくはプレ
ス加工又はエッチングとプレス加工との組合せにより加
工してインナリードを製造することを特徴とするもの
で、これにより所定の幅及び断面積とほぼ等しい幅及び
断面積を有するインナリードを得ることができる。
【0024】なお、図1〜図13により本発明の各種の
実施例について説明したが、本発明はこれに限定するも
のではなく、例えば図4〜図10のスリット7a,8
a,9b,10bをエッチングで形成するなど、エッチ
ング若しくはプレス加工又はこれらを適宜組合せること
により、所望のインナリードを製造することができる。
実施例について説明したが、本発明はこれに限定するも
のではなく、例えば図4〜図10のスリット7a,8
a,9b,10bをエッチングで形成するなど、エッチ
ング若しくはプレス加工又はこれらを適宜組合せること
により、所望のインナリードを製造することができる。
【0025】
【発明の効果】以上の発明から明らかなように、本発明
は、インナリードを2回又はそれ以上のエッチング若し
くはプレス加工又はこれらの組合せにより形成して所定
の幅及び断面積が得られるようにしたので、厚さ方向の
強度を確保することができ、したがってワイヤをボンデ
イングする際に、つぶれたり変形したりすることのない
リードフレームを得ることができる。
は、インナリードを2回又はそれ以上のエッチング若し
くはプレス加工又はこれらの組合せにより形成して所定
の幅及び断面積が得られるようにしたので、厚さ方向の
強度を確保することができ、したがってワイヤをボンデ
イングする際に、つぶれたり変形したりすることのない
リードフレームを得ることができる。
【0026】また、インナリードの加工に際してインナ
リードがねじれたり変形したりすることがないので、ワ
イヤを確実に接続することができ、接続不良などを生ず
るおそれがない。
リードがねじれたり変形したりすることがないので、ワ
イヤを確実に接続することができ、接続不良などを生ず
るおそれがない。
【図1】本発明に係るリードフレームの製造方法の実施
例の説明図である。
例の説明図である。
【図2】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図3】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図4】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図5】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図6】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図7】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図8】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図9】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図10】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図11】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図12】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図13】本発明に係るリードフレームの製造方法の他
の実施例の説明図である。
の実施例の説明図である。
【図14】半導体素子とインナリードとの接続状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図15】インナリードの寸法を説明するための模式図
である。
である。
【図16】エッチングにより製造した従来のインナリー
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【図17】プレス加工により製造した従来のインナリー
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【図18】プレス加工により製造した従来のインナリー
ドの断面図である。
ドの断面図である。
1 リードフレーム素材 2 レジスト 3〜3n インナリード
Claims (8)
- 【請求項1】 複数のリードを有するリードフレームの
製造方法であって、 リードフレーム素材の厚み方向において第1の方向のみ
からプレス加工を行い、前記リードフレーム素材の除去
すべき部位の途中まで溝を形成する第1の工程と、 該第1の工程の後に該第1の工程にて残された前記溝の
幅以下の除去すべき部位をプレス加工により取り除く第
2の工程と、を有しており、 前記第2の工程では、前記第1の工程にて残された除去
すべき部位を前記リードフレーム素材の厚み方向に対し
て真っ直ぐに取り除かれてなり、且つ、 前記第1の工程に用いられる第1のポンチと前記第2の
工程に用いられる第2のポンチとは加工に用いられる面
の大きさが異なるものを用いてなることを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。 - 【請求項2】 前記第2のポンチは、当該ポンチの加工
に用いられる面の大きさが前記第1のポンチの加工に用
いられる面の大きさよりも小さいものを用いてなること
を特徴とする請求項1記載のリードフレームの製造方
法。 - 【請求項3】 複数のリードを有するリードフレームの
製造方法であって、 リードフレーム素材の厚み方向において第1の方向のみ
からプレス加工を行い、前記リードフレーム素材の除去
すべき部位の途中まで溝を形成する第1の工程と、 該第1の工程の後に該第1の工程にて残された前記溝の
幅以下の除去すべき部位をプレス加工により取り除く第
2の工程と、を有しており、 前記第2の工程では、前記第1の工程にて残された除去
すべき部位を前記リードフレーム素材の厚み方向に対し
て真っ直ぐに取り除かれてなり、且つ、 前記第1の工程に用いられるポンチは、成形後の隣り合
うリード間の間隔とほぼ等しい幅のものが用いられて、
前記ポンチで前記リードフレーム素材の厚みのほぼ2分
の1の深さの溝を形成し、 前記第2の工程に用いられるポンチは前記第1の工程に
用いられる前記ポンチと同じ形状のものが用いられて、
前記第2の工程が行われてなることを特徴とするリード
フレームの製造方法。 - 【請求項4】 複数のリードを有するリードフレームの
製造方法であって、 リードフレーム素材の厚み方向において第1の方向のみ
からホトリソグラフィー技術によるエッチング加工を行
い、前記リードフレーム素材の除去すべき部位の途中ま
で溝を形成する第1の工程と、 該第1の工程の後に該第1の工程にて残された前記溝の
幅以下の除去すべき部位をプレス加工により取り除く第
2の工程と、を有しており、 前記第2の工程では、前記第1の工程にて残された除去
すべき部位を前記リードフレーム素材の厚み方向に対し
て真っ直ぐに取り除かれてなり、且つ、 前記第1の工程では成形後の隣り合うリード間の間隔と
ほぼ等しく且つ前記リードフレーム素材の厚みのほぼ2
分の1の深さの溝が形成され、 前記第2の工程では、前記溝の幅よりも狭い幅のポンチ
が用いられてなることを特徴とするリードフレームの製
造方法。 - 【請求項5】 複数のリードを有するリードフレームの
製造方法であって、 リードフレーム素材の厚み方向において第1の方向のみ
からホトリソグラフィー技術によるエッチング加工を行
い、前記リードフレーム素材の除去すべき部位の途中ま
で溝を形成する第1の工程と、 該第1の工程の後に該第1の工程にて残された前記溝の
幅以下の除去すべき部位をプレス加工により取り除く第
2の工程と、を有しており、 前記第2の工程では、前記第1の工程にて残された除去
すべき部位を前記リードフレーム素材の厚み方向に対し
て真っ直ぐに取り除かれてなり、且つ、 前記第1の工程では、溝の開口部の幅が成形後の隣り合
うリード間の間隔よりも広くなるように且つ前記リード
フレーム素材の厚みのほぼ3分の2の深さになるように
溝が形成され、 前記第2の工程では、前記溝の幅よりも狭い幅のポンチ
が用いられてなることを特徴とするリードフレームの製
造方法。 - 【請求項6】 前記第2の工程は、前記第1の方向とは
反対の方向から行われることを特徴とする請求項1乃至
5のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項7】 複数のリードを有するリードフレームの
製造方法であって、 リードフレーム素材の厚み方向において第1の方向のみ
からホトリソグラフィー技術によるエッチング加工及び
プレス加工のいずれか一方の加工を行い、前記リードフ
レーム素材の除去すべき部位の途中まで溝を形成する第
1の工程と、 該第1の工程の後に該第1の工程にて残された前記溝の
幅以下の除去すべき部位をプレス加工により取り除く第
2の工程と、を有しており、 前記第2の工程では、前記第1の工程にて残された除去
すべき部位を前記リードフレーム素材の厚み方向に対し
て真っ直ぐに取り除かれてなり、且つ、 前記第2の工程は、前記第1の方向とは反対の方向から
行われることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項8】 請求項1乃至7のいずれかに記載のリー
ドフレームの製造方法により製造されたことを特徴とす
るリードフレーム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3071132A JP3018542B2 (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | リードフレーム及びその製造方法 |
US07/851,756 US5230144A (en) | 1991-04-03 | 1992-03-16 | Method of producing lead frame |
KR1019920005273A KR920020684A (ko) | 1991-04-03 | 1992-03-30 | 리이드 프레임 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3071132A JP3018542B2 (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | リードフレーム及びその製造方法 |
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04306867A JPH04306867A (ja) | 1992-10-29 |
JP3018542B2 true JP3018542B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=13451747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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US6361959B1 (en) | 1994-07-07 | 2002-03-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic unit forming methods and materials |
US6828668B2 (en) * | 1994-07-07 | 2004-12-07 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
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US6274822B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-08-14 | Tessera, Inc. | Manufacture of semiconductor connection components with frangible lead sections |
US6465744B2 (en) | 1998-03-27 | 2002-10-15 | Tessera, Inc. | Graded metallic leads for connection to microelectronic elements |
US6309910B1 (en) | 1998-05-18 | 2001-10-30 | Tessera Inc. | Microelectronic components with frangible lead sections |
TW498443B (en) * | 2001-06-21 | 2002-08-11 | Advanced Semiconductor Eng | Singulation method for manufacturing multiple lead-free semiconductor packages |
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MY136216A (en) * | 2004-02-13 | 2008-08-29 | Semiconductor Components Ind | Method of forming a leadframe for a semiconductor package |
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WO2010036051A2 (en) * | 2008-09-25 | 2010-04-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Structure and manufacture method for multi-row lead frame and semiconductor package |
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JP5453642B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2014-03-26 | Shマテリアル株式会社 | リードフレームの製造方法 |
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JP6150469B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2017-06-21 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームの製造方法 |
JP6788825B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2020-11-25 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよび半導体装置 |
US10497602B2 (en) | 2016-08-01 | 2019-12-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Process of forming an electronic device including forming an electronic component and removing a portion of a substrate |
JP2017092500A (ja) * | 2017-02-15 | 2017-05-25 | 大日本印刷株式会社 | Led用リードフレーム、光半導体装置、およびled用リードフレームの製造方法 |
TWI676252B (zh) * | 2018-07-23 | 2019-11-01 | 長華科技股份有限公司 | 導線架及其製造方法 |
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-
1991
- 1991-04-03 JP JP3071132A patent/JP3018542B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1992
- 1992-03-16 US US07/851,756 patent/US5230144A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-30 KR KR1019920005273A patent/KR920020684A/ko not_active Application Discontinuation
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---|---|
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