JP3016211B2 - Resist processing equipment - Google Patents
Resist processing equipmentInfo
- Publication number
- JP3016211B2 JP3016211B2 JP3040452A JP4045291A JP3016211B2 JP 3016211 B2 JP3016211 B2 JP 3016211B2 JP 3040452 A JP3040452 A JP 3040452A JP 4045291 A JP4045291 A JP 4045291A JP 3016211 B2 JP3016211 B2 JP 3016211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- resist
- rinse
- liquid
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はレジスト処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のレジスト液およびリンス液を供給
するノズルを備えたレジスト塗布装置としては図８に示
すような装置が実施されている。図８において、１は半
導体ウエハ、２はウエハ載置台、３はウエハ載置台２を
回転させるスピンモータ、４はカップ、５は廃液パイ
プ、６はレジスト液を滴下するレジストノズル、７はレ
ジスト液を供給するレジスト液供給パイプ、８はリンス
液を吐出するリンスノズルであり、ウエハ載置台２上に
吸着固定した半導体ウエハ１をスピンモータ３の駆動に
よって回転させる。ウエハ載置台２に固定された半導体
ウエハ１の中心部上方にはレジストノズル６が設けら
れ、このレジストノズル６を介して所定量のレジストを
半導体ウエハ１の中心部に滴下し、スピンモータ３の駆
動により半導体ウエハ１を回転駆動することにより半導
体ウエハ１の表面全体に所定厚さのレジストを塗布す
る。2. Description of the Related Art As a conventional resist coating apparatus having a nozzle for supplying a resist liquid and a rinsing liquid, an apparatus as shown in FIG. 8 is implemented. 8, 1 is a semiconductor wafer, 2 is a wafer mounting table, 3 is a spin motor for rotating the wafer mounting table 2, 4 is a cup, 5 is a waste liquid pipe, 6 is a resist nozzle for dropping a resist liquid, and 7 is a resist liquid. Is a rinsing nozzle for discharging a rinsing liquid, and rotates the semiconductor wafer 1 sucked and fixed on the wafer mounting table 2 by driving the spin motor 3. A resist nozzle 6 is provided above the center of the semiconductor wafer 1 fixed to the wafer mounting table 2, and a predetermined amount of resist is dropped on the center of the semiconductor wafer 1 via the resist nozzle 6, By rotating the semiconductor wafer 1 by driving, a resist having a predetermined thickness is applied to the entire surface of the semiconductor wafer 1.
【０００３】この場合、半導体ウエハの周辺部のレジス
ト膜は中央部よりも厚くなっているために、搬送時等に
半導体ウエハ１の周辺部と接触し、レジストがはがれ飛
散し処理系の雰囲気を汚染する、またこのレジストが剥
離するとウエハ表面のパーティクルとなり、歩留まりが
悪化する、さらに半導体ウエハ処理時にこの半導体ウエ
ハが帯電する等の害悪を与える。したがって、上記半導
体ウエハ１の周辺部上方部にリンスノズルを設け、上記
レジストノズルで塗布されたレジスト膜のうち半導体ウ
エハ１の周辺部のレジスト膜を溶解除去するようにして
いる。In this case, since the resist film at the peripheral portion of the semiconductor wafer is thicker than the central portion, the resist film comes into contact with the peripheral portion of the semiconductor wafer 1 during transportation or the like, and the resist is peeled off and scattered, thereby reducing the atmosphere of the processing system. If the resist is contaminated, or if the resist is peeled off, it becomes particles on the surface of the wafer, thereby deteriorating the yield and causing harm such as charging of the semiconductor wafer during processing of the semiconductor wafer. Therefore, a rinsing nozzle is provided above the peripheral portion of the semiconductor wafer 1 to dissolve and remove the resist film in the peripheral portion of the semiconductor wafer 1 among the resist films applied by the resist nozzle.
【０００４】このように、通常の塗布装置には、レジス
トノズルとリンスノズルを配設しているが、近年、半導
体の集積度が上がるにつれて、より微細な加工プロセス
が要求されるようになり、この塗布工程も複雑化してき
ている。従って、同一装置内に複数のレジストノズルや
リンスノズルを設けて、所望の工程に対応して上記各ノ
ズルを選択して使用することにより多種類の機能を持た
せることも必要になってきている。As described above, a resist nozzle and a rinsing nozzle are provided in a usual coating apparatus. In recent years, as the degree of integration of semiconductors has increased, a finer processing process has been required. This coating process is also becoming more complicated. Therefore, it is necessary to provide a plurality of resist nozzles and rinse nozzles in the same apparatus, and to provide various functions by selecting and using each of the above nozzles corresponding to a desired process. .
【０００５】この点を考慮した装置例に図９に示すもの
がある。これは、複数のレジストノズルを取り付けたア
ーム９を有するレジスト塗布装置を示す図である。図９
において、２つのレジストノズル１０、１１を取り付け
たアーム９は基台１３に取り付けられたエアーシリンダ
１４の駆動手段によって移動するように構成される。２
つのレジストノズル１０、１１はレジストを噴射しない
ときは点線のように基台１３の端に待機している。レジ
ストを供給するとき、すなわち、レジストノズル１０、
１１を使用するときはレジストノズルが半導体ウエハ１
２の中央にくるようにアーム９をエアーシリンダ１４に
よって移動させる。レジストの供給が終わるとエアーシ
リンダ１４はアーム９を図の点線のように基台１３の端
に再移動させる。FIG. 9 shows an example of an apparatus taking this point into consideration. This is a view showing a resist coating apparatus having an arm 9 to which a plurality of resist nozzles are attached. FIG.
The arm 9 to which the two registration nozzles 10 and 11 are attached is configured to be moved by a driving means of an air cylinder 14 attached to a base 13. 2
When the resist is not jetted, the two resist nozzles 10 and 11 stand by at the end of the base 13 as indicated by the dotted line. When supplying the resist, that is, the resist nozzle 10,
11 is used, the resist nozzle is
The arm 9 is moved by the air cylinder 14 so as to come to the center of the arm 2. When the supply of the resist is completed, the air cylinder 14 moves the arm 9 to the end of the base 13 again as indicated by the dotted line in the figure.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９の
ようなレジスト塗布装置においては、リンスノズル機構
（図示なし）とは別にレジストノズル機構を設けている
ので、機構自体が複雑化する問題がある。また、このよ
うな塗布装置においては、使用していないノズル中のレ
ジスト液が半導体ウエハの上に落下する危険性があっ
た。また、使用していないノズル中のレジスト液が乾燥
し粘度が変化し一様なレジスト膜が得られず、塗布むら
が発生する弊害も有していた。本発明は、上記の問題点
に鑑みて開発したものであり、ノズルの位置決めを高精
度かつ容易に可変できるようにするとともに、レジスト
ノズル機構とサイドリンス機構を極力共用することによ
り構造を簡略化することを目的としている。However, in the resist coating apparatus as shown in FIG. 9, since the resist nozzle mechanism is provided separately from the rinse nozzle mechanism (not shown), there is a problem that the mechanism itself is complicated. . Further, in such a coating apparatus, there is a risk that the resist liquid in the unused nozzles may fall on the semiconductor wafer. In addition, the resist liquid in the nozzles not used is dried and the viscosity changes, so that a uniform resist film cannot be obtained, and there is a problem that uneven coating occurs. The present invention has been developed in view of the above-mentioned problems, and enables the nozzle positioning to be changed with high accuracy and easily, and simplifies the structure by sharing the resist nozzle mechanism and the side rinse mechanism as much as possible. It is intended to be.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、半導体ウエハにレジスト塗布液を供給するレジス
トノズルとレジスト膜の周縁部を溶解除去するリンス液
を供給するリンスノズルを備えたレジスト塗布装置にお
いて、上記レジストノズルおよびリンスノズルを隣接し
て収容し待機させるノズル待機機構と、上記レジストノ
ズルまたはリンスノズルを選択的に取り出すノズルスキ
ャンアームと、上記ノズルスキャンアームを移動させる
ノズルスキャン機構とを備えるように構成される。ま
た、リンス液を脱気する機構を設けることもできる。According to the present invention, there is provided a resist coating apparatus having a resist nozzle for supplying a resist coating liquid to a semiconductor wafer and a rinse nozzle for supplying a rinse liquid for dissolving and removing a peripheral portion of the resist film. In the apparatus, a nozzle standby mechanism that accommodates and stands by the resist nozzle and the rinse nozzle adjacently, a nozzle scan arm that selectively takes out the resist nozzle or the rinse nozzle, and a nozzle scan mechanism that moves the nozzle scan arm It is configured to comprise. Further, a mechanism for degassing the rinsing liquid may be provided.
【０００８】[0008]
【作用】本発明においては、ノズル待機機構にレジスト
ノズルおよびリンスノズルを隣接して収容し、これらを
ノズルスキャンアアームが選択的に取り出し、ノズルス
キャン機構がノズルスキャンアームを移動させ、半導体
ウエハ上にレジスト液およびリンス液を選択的に供給す
る。従って、ノズル待機機構やノズルスキャン機構ある
いはノズルスキャンアームを共用することができるの
で、構造を簡単にすることができる。、According to the present invention, a nozzle standby mechanism accommodates a resist nozzle and a rinsing nozzle adjacent to each other, and a nozzle scan arm selectively takes them out. To selectively supply a resist solution and a rinsing solution. Therefore, since the nozzle standby mechanism, the nozzle scan mechanism, or the nozzle scan arm can be shared, the structure can be simplified. ,
【０００９】[0009]
【実施例】図１は本発明の一実施例のレジスト塗布装置
を上から見た説明図である。図１において、２１はレジ
スト塗布装置、２２はチャックトップ２２ａに吸着固定
した半導体ウエハ、２３は回転する半導体ウエハ２２の
遠心力によって振り切られるレジスト液およびリンス液
が外部に飛散するのを防止するカップ、２４はノズルス
キャンアーム２５を移動させるノズルスキャン機構、２
５はリンスノズル２７とレジストノズル２８とを選択的
に取り出すノズルスキャンアーム、２６はリンスノズル
２７とレジストノズル２８とを収容するとともに、ノズ
ル先端部が乾燥しないように対処するノズル待機機構、
２７はリンスノズル、２８はレジストノズルである。FIG. 1 is an explanatory view of a resist coating apparatus according to one embodiment of the present invention as viewed from above. In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a resist coating apparatus; 22, a semiconductor wafer sucked and fixed on a chuck top 22a; 23, a cup for preventing a resist solution and a rinse solution shaken off by the centrifugal force of the rotating semiconductor wafer 22 from scattering to the outside. , 24 are a nozzle scan mechanism for moving the nozzle scan arm 25, 2
5 is a nozzle scan arm for selectively taking out the rinsing nozzle 27 and the resist nozzle 28, 26 is a nozzle standby mechanism for accommodating the rinsing nozzle 27 and the resist nozzle 28, and taking measures to prevent the nozzle tip from drying.
Reference numeral 27 denotes a rinse nozzle, and reference numeral 28 denotes a resist nozzle.
【００１０】上記の構造を具体的に説明すると、図２乃
至図４において、内部に溶剤３１を充満する容体状のノ
ズル待機機構２６の上部に３個のレジストノズル２８を
収容する開口部２９と１個のリンスノズル２７を収容す
る開口部３０を設けている。このノズル待機機構２６
は、シリンダーあるいはモータ駆動するボールスクリュ
ウ等の進退機構により図１中における矢印のように移動
可能に設けられて、ノズルスキャンアーム２５が所望の
ノズルを握持するように設けている。The above structure will be described in detail. Referring to FIGS. 2 to 4, an opening 29 for accommodating three resist nozzles 28 is provided above a container-shaped nozzle standby mechanism 26 in which a solvent 31 is filled. An opening 30 for accommodating one rinse nozzle 27 is provided. This nozzle standby mechanism 26
Is provided movably as shown by an arrow in FIG. 1 by an advancing / retracting mechanism such as a ball screw driven by a cylinder or a motor, and provided so that the nozzle scan arm 25 grips a desired nozzle.
【００１１】レジストノズル２８は、ホルダ３２とレジ
スト供給パイプ３３とノズルチップ３４と下部に保持筒
３５ａを有する保持部３５よりなる。また、リンスノズ
ル２７は、ホルダ３６とリンス液供給パイプ３７と注出
針３８と下部に保持筒３９ａを有する保持部３９よりな
る。この場合、供給パイプ３７より溶剤を注入するの
で、リンスノズル２７をノズル待機機構２６に装着した
状態で溶剤を注入すると、ノズル待機機構２６の内部に
溶剤を充満するための供給路を共用することができる。
更に、ノズル待機機構２６には、保持筒３５ａ、３９ａ
を挿入して位置決めするための位置決め孔４０、４１を
設けている。The resist nozzle 28 includes a holder 32, a resist supply pipe 33, a nozzle tip 34, and a holding portion 35 having a holding cylinder 35a below. The rinsing nozzle 27 includes a holder 36, a rinsing liquid supply pipe 37, a dispensing needle 38, and a holding portion 39 having a holding cylinder 39a at a lower portion. In this case, since the solvent is injected from the supply pipe 37, when the solvent is injected while the rinse nozzle 27 is mounted on the nozzle standby mechanism 26, the supply path for filling the solvent inside the nozzle standby mechanism 26 must be shared. Can be.
Further, the holding cylinders 35a, 39a
The positioning holes 40 and 41 for inserting and positioning are provided.
【００１２】図５及び図６において、ノズルスキャン機
構２４は、シリンダーあるいはモータ駆動するボールス
クリュウ等の進退機構によりを図中における矢印のよう
に移動可能に設けられ、かつ上下動可能に設けられて、
ノズルスキャンアーム２５が握持したノズルを半導体ウ
エハ２２の上方に移動させるように設けている。このノ
ズルスキャンアーム２５の先端部にノズルの保持部３
５、３９を握持する握持部４２を設け、この握持部４２
は、シリンダ等の駆動機構により握持できるように設け
られている。5 and 6, a nozzle scanning mechanism 24 is provided so as to be movable by an advancing / retreating mechanism such as a ball screw driven by a cylinder or a motor, as shown by arrows in the drawings, and to be movable up and down. ,
It is provided so that the nozzle gripped by the nozzle scan arm 25 is moved above the semiconductor wafer 22. The nozzle holding portion 3 is provided at the tip of the nozzle scan arm 25.
5 and 39, a grip portion 42 for gripping the grip portion 42 is provided.
Is provided so that it can be gripped by a drive mechanism such as a cylinder.
【００１３】このレジスト塗布装置において、半導体ウ
エハ２２にレジストを塗布する場合はノズルスキャンア
ーム２５はノズル待機機構２６に収容されたレジストノ
ズル２８を選択的に取り上げ、ノズルスキャン機構２４
によってノズルスキャンアーム２５を半導体ウエハ２２
の中央まで移動させ、その位置に於いてレジスト溶液を
半導体ウエハ２２に滴下する。そして半導体ウエハ２２
は高速で回転させられてレジスト液は半導体ウエハ２２
の全面に一様に塗布され、半導体ウエハ２２上にレジス
ト膜が形成される。In this resist coating apparatus, when applying a resist to the semiconductor wafer 22, the nozzle scan arm 25 selectively picks up the resist nozzle 28 housed in the nozzle standby mechanism 26 and the nozzle scan mechanism 24.
The nozzle scan arm 25 with the semiconductor wafer 22
The resist solution is dropped on the semiconductor wafer 22 at that position. And the semiconductor wafer 22
Is rotated at high speed and the resist solution is
And a resist film is formed on the semiconductor wafer 22.
【００１４】レジスト膜形成後、ノズルスキャンアーム
２５はレジストノズル２８を再びノズル待機機構２６に
待機させる。リンス液を噴射する場合は、まずノズルス
キャンアーム２５はノズル待機機構２６に収容されたリ
ンスノズル２７を選択的に取り上げる。その後ノズルス
キャン機構２４はノズルスキャンアーム２５を半導体ウ
エハ２２の周辺の内周部に移動させ、そこの位置に於い
てリンス溶液を半導体ウエハ２２に噴射し、半導体ウエ
ハ２２の周辺に塗布されたレジスト膜を溶解し剥離す
る。なお、使用していないノズルをノズル待機機構中で
ノズルが乾燥しないように対処すれば、レジスト液およ
びリンス液が乾燥することがないので、粘度が変化せず
一様なレジスト膜が得られ、塗布むらが発生しないよう
にできる。After the resist film is formed, the nozzle scan arm 25 causes the nozzle standby mechanism 26 to wait the resist nozzle 28 again. When injecting the rinsing liquid, first, the nozzle scan arm 25 selectively picks up the rinse nozzle 27 accommodated in the nozzle standby mechanism 26. Thereafter, the nozzle scan mechanism 24 moves the nozzle scan arm 25 to the inner peripheral portion around the semiconductor wafer 22, injects a rinsing solution onto the semiconductor wafer 22 at that position, and applies the resist applied to the periphery of the semiconductor wafer 22. Dissolve and strip the film. In addition, if a countermeasure is taken so that the unused nozzles do not dry in the nozzle standby mechanism, the resist liquid and the rinsing liquid do not dry, so that a uniform resist film without changing the viscosity is obtained, Uneven coating can be prevented.
【００１５】また、図７は、レジスト除去の精度を向上
させるためにレジスト溶剤（リンス液）中の気泡を脱気
するための方法を説明した図であり、４３はリンスノズ
ル２７から吐出されるリンス液の量を調整する空気式自
動制御弁、４４はリンス液４５を貯蔵するタンク、４６
は液面を一定に保つための液面センサ、４７は３方弁、
４８はガス供給パイプ、４９は吸引パイプである。本例
においては、真空吸引ポンプを使用することなく、エア
ーを供給することによって真空吸引可能な真空吸引器
（商品名エジェクタ）５０を用いることにより従来起き
ていた気泡等の吸引によるポンプの損傷を防止してい
る。FIG. 7 is a view for explaining a method for degassing bubbles in a resist solvent (rinse liquid) in order to improve the accuracy of resist removal. 43 is discharged from the rinse nozzle 27. A pneumatic automatic control valve for adjusting the amount of the rinsing liquid; 44, a tank for storing the rinsing liquid 45;
Is a liquid level sensor for keeping the liquid level constant, 47 is a three-way valve,
48 is a gas supply pipe, and 49 is a suction pipe. In this example, the pump is not damaged due to the suction of air bubbles and the like which has conventionally occurred by using a vacuum suction device (trade name: ejector) 50 capable of vacuum suction by supplying air without using a vacuum suction pump. Preventing.
【００１６】図７においてリンスノズル２７から噴射さ
れるリンス液に気泡が含まれていると、リンス液吐出時
に噴出流が広がるのでレジストのカット状態が悪くな
る。また、リンス液中の気泡がウエハの中心部に向かっ
て飛散しレジスト膜に付着する。さらに、リンスノズル
の動作休止時にリンス噴射ノズルの先端からリンス液が
ボタ落ちし易く易くなる等の弊害があった。これらの弊
害を除去するために、図７に示す方法によりリンスノズ
ルから吐出されるリンス液に気泡を含まないような構成
が取られている。In FIG. 7, if bubbles are contained in the rinse liquid ejected from the rinse nozzle 27, the jet flow spreads when the rinse liquid is ejected, so that the cut state of the resist deteriorates. Also, bubbles in the rinsing liquid scatter toward the center of the wafer and adhere to the resist film. Further, there is an adverse effect such that the rinse liquid easily falls down from the tip of the rinse injection nozzle when the operation of the rinse nozzle is stopped. In order to eliminate these problems, a configuration is adopted in which the rinse liquid discharged from the rinse nozzle does not contain bubbles by the method shown in FIG.
【００１７】すなわち、リンス液供給時には３方弁４７
をガス供給パイプ４８に切り替えてＮ2ガスをガス供給
パイプ４８から供給しタンク４４中のリンス液４５を空
気式自動制御弁４３を介してリンスノズル２７から圧送
により吐出する。リンス液供給休止時には空気式自動制
御弁４３を閉じるとともに、３方弁４７を吸引パイプ４
９に切り替えて真空吸引器（商品名エジェクタ）５０を
介してタンク４４を減圧することによってリンス液４５
中の気泡を除去する。That is, the three-way valve 47 is supplied when the rinsing liquid is supplied.
Is switched to a gas supply pipe 48, and N 2 gas is supplied from the gas supply pipe 48, and the rinse liquid 45 in the tank 44 is discharged from the rinse nozzle 27 via the pneumatic automatic control valve 43 by pressure feeding. When the rinsing liquid supply is stopped, the pneumatic automatic control valve 43 is closed, and the three-way valve 47 is connected to the suction pipe 4.
9, the tank 44 is depressurized through a vacuum suction device (trade name: ejector) 50, and the rinsing liquid 45 is released.
Remove air bubbles inside.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジストノズルおよびリンスノズルを隣接して待機さ
せ、これらのノズルをノズルスキャンアームによって選
択的に取り替えて使用する。したがって、本発明におい
てはノズルスキャンアームおよびノズルスキャン機構が
１個で済むので、装置の構成が簡単になる。また、レジ
ストノズルの移動、停止動作をプログラムによって精度
よく可変させることができるので精度よくレジスト膜を
除去できる。また、リンスノズルは通常先端が細く機械
的強度が小さいためノズル待機機構に収容することによ
り、メンテナンス時に誤って人が触れたりしてリンスノ
ズルが変形することを防止できる。また、レジストノズ
ルをレジスト溶剤の中に待機させておく場合、リンスノ
ズルから溶剤を供給させて使用できるので雰囲気形成用
の溶剤供給機構を別に設ける必要はない。As described above, according to the present invention,
The resist nozzle and the rinse nozzle are made to stand by next to each other, and these nozzles are selectively replaced and used by a nozzle scan arm. Accordingly, in the present invention, since only one nozzle scan arm and one nozzle scan mechanism are required, the configuration of the apparatus is simplified. In addition, since the movement and the stop operation of the resist nozzle can be accurately varied by a program, the resist film can be removed accurately. Further, since the rinsing nozzle has a thin tip and low mechanical strength, it is accommodated in the nozzle standby mechanism, thereby preventing the rinsing nozzle from being erroneously touched during maintenance and deformed. Further, when the resist nozzle is kept waiting in the resist solvent, the solvent can be supplied from the rinse nozzle and used, so that it is not necessary to separately provide a solvent supply mechanism for forming the atmosphere.
【図１】本発明の一実施例のレジスト塗布装置を示す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing a resist coating apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図２】本発明のレジストノズルおよびリンスノズルの
正面図である。FIG. 2 is a front view of a resist nozzle and a rinse nozzle of the present invention.
【図３】本発明のノズル待機機構の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a nozzle standby mechanism of the present invention.
【図４】本発明のノズル待機機構の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a nozzle standby mechanism of the present invention.
【図５】本発明のレジスト塗布装置を示す一部切欠き拡
大平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view, partially cut away, showing the resist coating apparatus of the present invention.
【図６】本発明のレジスト塗布装置を示す一部切欠き拡
大正面図である。FIG. 6 is a partially cutaway enlarged front view showing the resist coating apparatus of the present invention.
【図７】本発明のレジスト塗布装置におけるリンス液の
脱気方法を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing a method for degassing a rinse liquid in the resist coating apparatus of the present invention.
【図８】従来技術におけるレジスト塗布装置の一例を示
す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing an example of a conventional resist coating apparatus.
【図９】従来技術におけるレジスト塗布装置の他の例を
示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory view showing another example of the resist coating apparatus in the related art.
２１ レジスト塗布装置 ２２ 半導体ウエハ ２３ カップ ２４ ノズルスキャン機構 ２５ ノズルスキャンアーム ２６ ノズル待機機構 ２７ リンスノズル ２８ レジストノズル Reference Signs List 21 resist coating device 22 semiconductor wafer 23 cup 24 nozzle scan mechanism 25 nozzle scan arm 26 nozzle standby mechanism 27 rinse nozzle 28 resist nozzle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−179321（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−26668（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−258082（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−93725（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 11/08 G03F 7/16 502 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-179321 (JP, A) JP-A-2-26668 (JP, A) JP-A-2-2588082 (JP, A) 93725 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 B05C 11/08 G03F 7/16 502
Claims (5)
ストノズルとレジスト膜の周縁部を溶解除去するリンス
液を供給するリンスノズルを備えたレジスト処理装置に
おいて、上記レジストノズルおよびリンスノズルを隣接
して収容し待機させるノズル待機機構と、上記レジスト
ノズルまたはリンスノズルを選択的に取り出すノズルス
キャンアームと、上記ノズルスキャンアームを移動させ
るノズルスキャン機構とを備えたことを特徴とするレジ
スト処理装置。1. A resist processing apparatus comprising a resist nozzle for supplying a resist coating liquid to an object to be processed and a rinse nozzle for supplying a rinse liquid for dissolving and removing a peripheral portion of the resist film, wherein the resist nozzle and the rinse nozzle are adjacent to each other. A resist processing apparatus, comprising: a nozzle standby mechanism for storing and waiting the nozzle, a nozzle scan arm for selectively taking out the resist nozzle or the rinse nozzle, and a nozzle scan mechanism for moving the nozzle scan arm.
を特徴とする請求項１記載のレジスト処理装置。2. A resist processing apparatus according to claim 1, further comprising a mechanism for degassing said rinsing liquid.
ストノズルを有するモジュールをノズル待機機構にそれThe module with the strike nozzle is used for the nozzle standby mechanism.
ぞれ独立して配置すると共に、リンス液で処理するリンIndependently arranged and treated with a rinsing solution
スノズルを有するモジュールを当該ノズル待機機構に一Module with a nozzle for the nozzle standby mechanism
体に配置し、ノズル待機機構の内部には、リンス液を供Placed on the body and supply the rinsing liquid inside the nozzle standby mechanism.
給してリンス液を溜める溜め部を設けたことを特徴とすCharacterized in that a reservoir for supplying the rinse liquid is provided.
るレジスト処理装置。Resist processing equipment.
る溜め部を設けた請求項３に記載のレジスト処理装置。4. The resist processing apparatus according to claim 3, further comprising a reservoir.
機構の開口部の直下を外れた位置にそれぞれ溜め部を配Reservoir parts are located at positions just below the opening of the mechanism.
置した請求項３に記載のレジスト処理装置。The resist processing apparatus according to claim 3, wherein the resist processing apparatus is disposed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040452A JP3016211B2 (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Resist processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040452A JP3016211B2 (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Resist processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363015A JPH04363015A (en) | 1992-12-15 |
| JP3016211B2 true JP3016211B2 (en) | 2000-03-06 |
Family
ID=12581031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3040452A Expired - Lifetime JP3016211B2 (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Resist processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3016211B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160047717A (en) * | 2014-10-23 | 2016-05-03 | 세메스 주식회사 | Apparatus for inspecting a ball shear of wafer |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3227642B2 (en) * | 1995-10-13 | 2001-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating device |
| JP4776431B2 (en) * | 2006-05-17 | 2011-09-21 | 株式会社ディスコ | Protective film coating equipment |
| CN110164796B (en) * | 2019-05-27 | 2021-09-24 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | Glue head moisturizing device and gluing equipment |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP3040452A patent/JP3016211B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160047717A (en) * | 2014-10-23 | 2016-05-03 | 세메스 주식회사 | Apparatus for inspecting a ball shear of wafer |
| KR102300626B1 (en) * | 2014-10-23 | 2021-09-09 | 세메스 주식회사 | Apparatus for inspecting a ball shear of wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363015A (en) | 1992-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4397299B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR101375423B1 (en) | Apparatus for liquid treatment of treatment object | |
| KR100430461B1 (en) | Solution film forming apparatus and Solution film forming method | |
| KR19990023268A (en) | Coating film removal device around the edge of the substrate | |
| JPH10294261A (en) | Device for applying resist | |
| TW201703111A (en) | Substrate treating apparatus and method of controlling substrate treating apparatus | |
| KR20140113430A (en) | Substrate processing apparatus and standby method for ejection head | |
| JP3016211B2 (en) | Resist processing equipment | |
| JP2007036152A (en) | Wafer cleaning/drying method and wafer cleaning/drying equipment | |
| JP2000147787A (en) | Method and device for developing | |
| JPH1057877A (en) | Substrate treating device and substrate treating method | |
| TW202223166A (en) | Plating method | |
| JP6305750B2 (en) | Processing machine with static eliminator | |
| KR20190045062A (en) | Nozzle waiting apparatus, liquid processing apparatus and method for operating liquid processing apparatus and storage medium | |
| JP3458063B2 (en) | Coating device and coating method | |
| JP2001196300A (en) | Liquid treatment apparatus | |
| KR101687423B1 (en) | Machining apparatus | |
| JP7112884B2 (en) | LIQUID TREATMENT APPARATUS, LIQUID TREATMENT METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM | |
| JP3628830B2 (en) | Coating device | |
| JP4363593B2 (en) | Thin film removal equipment | |
| JP3472713B2 (en) | Coating device and coating method | |
| US20230364656A1 (en) | Method for treating a substrate | |
| US11925963B2 (en) | Method for treating a substrate | |
| JP4009436B2 (en) | Substrate contact member cleaning mechanism and substrate edge cleaning apparatus having the same | |
| CN216389267U (en) | Nozzle standby device and liquid treatment device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 12 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |