JPH04363015A - Resist application device - Google Patents
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- JPH04363015A JPH04363015A JP4045291A JP4045291A JPH04363015A JP H04363015 A JPH04363015 A JP H04363015A JP 4045291 A JP4045291 A JP 4045291A JP 4045291 A JP4045291 A JP 4045291A JP H04363015 A JPH04363015 A JP H04363015A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating apparatus.
【０００２】0002
【従来の技術】従来のレジスト液およびリンス液を供給
するノズルを備えたレジスト塗布装置としては図８に示
すような装置が実施されている。図８において、１は半
導体ウエハ、２はウエハ載置台、３はウエハ載置台２を
回転させるスピンモータ、４はカップ、５は廃液パイプ
、６はレジスト液を滴下するレジストノズル、７はレジ
スト液を供給するレジスト液供給パイプ、８はリンス液
を吐出するリンスノズルであり、ウエハ載置台２上に吸
着固定した半導体ウエハ１をスピンモータ３の駆動によ
って回転させる。ウエハ載置台２に固定された半導体ウ
エハ１の中心部上方にはレジストノズル６が設けられ、
このレジストノズル６を介して所定量のレジストを半導
体ウエハ１の中心部に滴下し、スピンモータ３の駆動に
より半導体ウエハ１を回転駆動することにより半導体ウ
エハ１の表面全体に所定厚さのレジストを塗布する。2. Description of the Related Art As a conventional resist coating apparatus equipped with nozzles for supplying a resist liquid and a rinsing liquid, an apparatus as shown in FIG. 8 has been implemented. In FIG. 8, 1 is a semiconductor wafer, 2 is a wafer mounting table, 3 is a spin motor that rotates the wafer mounting table 2, 4 is a cup, 5 is a waste liquid pipe, 6 is a resist nozzle that drips resist liquid, and 7 is a resist liquid. A resist liquid supply pipe 8 is a rinse nozzle that discharges a rinse liquid, and the semiconductor wafer 1 suctioned and fixed on the wafer mounting table 2 is rotated by the spin motor 3. A resist nozzle 6 is provided above the center of the semiconductor wafer 1 fixed on the wafer mounting table 2.
A predetermined amount of resist is dropped onto the center of the semiconductor wafer 1 through the resist nozzle 6, and the spin motor 3 is driven to rotate the semiconductor wafer 1, thereby coating the entire surface of the semiconductor wafer 1 with a predetermined thickness of resist. Apply.
【０００３】この場合、半導体ウエハの周辺部のレジス
ト膜は中央部よりも厚くなっているために、搬送時等に
半導体ウエハ１の周辺部と接触し、レジストがはがれ飛
散し処理系の雰囲気を汚染する、またこのレジストが剥
離するとウエハ表面のパーティクルとなり、歩留まりが
悪化する、さらに半導体ウエハ処理時にこの半導体ウエ
ハが帯電する等の害悪を与える。したがって、上記半導
体ウエハ１の周辺部上方部にリンスノズルを設け、上記
レジストノズルで塗布されたレジスト膜のうち半導体ウ
エハ１の周辺部のレジスト膜を溶解除去するようにして
いる。In this case, since the resist film at the periphery of the semiconductor wafer is thicker than at the center, it comes into contact with the periphery of the semiconductor wafer 1 during transportation, etc., and the resist peels off and scatters, causing an atmosphere in the processing system. When the resist is peeled off, it becomes particles on the wafer surface, which deteriorates the yield and causes other harm such as the semiconductor wafer being charged with electricity during semiconductor wafer processing. Therefore, a rinse nozzle is provided above the periphery of the semiconductor wafer 1 to dissolve and remove the resist film on the periphery of the semiconductor wafer 1 among the resist films applied by the resist nozzle.
【０００４】このように、通常の塗布装置には、レジス
トノズルとリンスノズルを配設しているが、近年、半導
体の集積度が上がるにつれて、より微細な加工プロセス
が要求されるようになり、この塗布工程も複雑化してき
ている。従って、同一装置内に複数のレジストノズルや
リンスノズルを設けて、所望の工程に対応して上記各ノ
ズルを選択して使用することにより多種類の機能を持た
せることも必要になってきている。As described above, a typical coating device is equipped with a resist nozzle and a rinse nozzle, but in recent years, as the degree of integration of semiconductors has increased, finer processing processes have been required. This coating process is also becoming more complicated. Therefore, it has become necessary to provide multiple resist nozzles and rinse nozzles in the same device, and to provide a wide variety of functions by selecting and using each nozzle according to the desired process. .
【０００５】この点を考慮した装置例に図９に示すもの
がある。これは、複数のレジストノズルを取り付けたア
ーム９を有するレジスト塗布装置を示す図である。図９
において、２つのレジストノズル１０、１１を取り付け
たアーム９は基台１３に取り付けられたエアーシリンダ
１４の駆動手段によって移動するように構成される。２
つのレジストノズル１０、１１はレジストを噴射しない
ときは点線のように基台１３の端に待機している。レジ
ストを供給するとき、すなわち、レジストノズル１０、
１１を使用するときはレジストノズルが半導体ウエハ１
２の中央にくるようにアーム９をエアーシリンダ１４に
よって移動させる。レジストの供給が終わるとエアーシ
リンダ１４はアーム９を図の点線のように基台１３の端
に再移動させる。An example of a device that takes this point into account is shown in FIG. This is a diagram showing a resist coating device having an arm 9 to which a plurality of resist nozzles are attached. Figure 9
In this case, the arm 9 to which the two registration nozzles 10 and 11 are attached is configured to be moved by driving means of an air cylinder 14 attached to the base 13. 2
When the two resist nozzles 10 and 11 do not spray resist, they stand by at the end of the base 13 as shown by dotted lines. When supplying resist, that is, resist nozzle 10,
11, the resist nozzle is connected to the semiconductor wafer 1.
The arm 9 is moved by the air cylinder 14 so that it is in the center of the two. When the resist supply is finished, the air cylinder 14 moves the arm 9 again to the end of the base 13 as indicated by the dotted line in the figure.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９の
ようなレジスト塗布装置においては、リンスノズル機構
（図示なし）とは別にレジストノズル機構を設けている
ので、機構自体が複雑化する問題がある。また、このよ
うな塗布装置においては、使用していないノズル中のレ
ジスト液が半導体ウエハの上に落下する危険性があった
。また、使用していないノズル中のレジスト液が乾燥し
粘度が変化し一様なレジスト膜が得られず、塗布むらが
発生する弊害も有していた。本発明は、上記の問題点に
鑑みて開発したものであり、ノズルの位置決めを高精度
かつ容易に可変できるようにするとともに、レジストノ
ズル機構とサイドリンス機構を極力共用することにより
構造を簡略化することを目的としている。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the resist coating apparatus as shown in FIG. 9, a resist nozzle mechanism is provided separately from a rinse nozzle mechanism (not shown), so there is a problem that the mechanism itself becomes complicated. . Further, in such a coating apparatus, there is a risk that the resist liquid in the unused nozzle may fall onto the semiconductor wafer. Furthermore, the resist solution in the nozzle that is not in use dries and changes in viscosity, making it impossible to obtain a uniform resist film and causing uneven coating. The present invention was developed in view of the above-mentioned problems, and allows the nozzle positioning to be easily varied with high precision, and also simplifies the structure by sharing the resist nozzle mechanism and side rinse mechanism as much as possible. It is intended to.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、半導体ウエハにレジスト塗布液を供給するレジス
トノズルとレジスト膜の周縁部を溶解除去するリンス液
を供給するリンスノズルを備えたレジスト塗布装置にお
いて、上記レジストノズルおよびリンスノズルを隣接し
て収容し待機させるノズル待機機構と、上記レジストノ
ズルまたはリンスノズルを選択的に取り出すノズルスキ
ャンアームと、上記ノズルスキャンアームを移動させる
ノズルスキャン機構とを備えるように構成される。また
、リンス液を脱気する機構を設けることもできる。[Means for Solving the Problems] A resist coating apparatus of the present invention is provided with a resist nozzle for supplying a resist coating liquid onto a semiconductor wafer and a rinsing nozzle for supplying a rinsing liquid for dissolving and removing the peripheral edge of a resist film. The apparatus includes a nozzle standby mechanism that accommodates and waits the resist nozzle and rinse nozzle adjacent to each other, a nozzle scan arm that selectively takes out the resist nozzle or the rinse nozzle, and a nozzle scan mechanism that moves the nozzle scan arm. configured to provide. Further, a mechanism for deaerating the rinse liquid may also be provided.
【０００８】[0008]
【作用】本発明においては、ノズル待機機構にレジスト
ノズルおよびリンスノズルを隣接して収容し、これらを
ノズルスキャンアアームが選択的に取り出し、ノズルス
キャン機構がノズルスキャンアームを移動させ、半導体
ウエハ上にレジスト液およびリンス液を選択的に供給す
る。従って、ノズル待機機構やノズルスキャン機構ある
いはノズルスキャンアームを共用することができるので
、構造を簡単にすることができる。、[Operation] In the present invention, a resist nozzle and a rinse nozzle are stored adjacently in the nozzle standby mechanism, the nozzle scan arm selectively takes them out, and the nozzle scan mechanism moves the nozzle scan arm to place the nozzle on the semiconductor wafer. selectively supplies resist solution and rinsing solution to Therefore, the nozzle standby mechanism, nozzle scan mechanism, or nozzle scan arm can be shared, so the structure can be simplified. ,
【０００９】[0009]
【実施例】図１は本発明の一実施例のレジスト塗布装置
を上から見た説明図である。図１において、２１はレジ
スト塗布装置、２２はチャックトップ２２ａに吸着固定
した半導体ウエハ、２３は回転する半導体ウエハ２２の
遠心力によって振り切られるレジスト液およびリンス液
が外部に飛散するのを防止するカップ、２４はノズルス
キャンアーム２５を移動させるノズルスキャン機構、２
５はリンスノズル２７とレジストノズル２８とを選択的
に取り出すノズルスキャンアーム、２６はリンスノズル
２７とレジストノズル２８とを収容するとともに、ノズ
ル先端部が乾燥しないように対処するノズル待機機構、
２７はリンスノズル、２８はレジストノズルである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory diagram of a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention, viewed from above. In FIG. 1, 21 is a resist coating device, 22 is a semiconductor wafer that is suctioned and fixed to a chuck top 22a, and 23 is a cup that prevents resist liquid and rinsing liquid that are shaken off by the centrifugal force of the rotating semiconductor wafer 22 from scattering to the outside. , 24 is a nozzle scan mechanism that moves the nozzle scan arm 25, 2
5 is a nozzle scan arm that selectively takes out the rinse nozzle 27 and the resist nozzle 28; 26 is a nozzle standby mechanism that accommodates the rinse nozzle 27 and the resist nozzle 28 and prevents the tips of the nozzles from drying;
27 is a rinse nozzle, and 28 is a resist nozzle.
【００１０】上記の構造を具体的に説明すると、図２乃
至図４において、内部に溶剤３１を充満する容体状のノ
ズル待機機構２６の上部に３個のレジストノズル２８を
収容する開口部２９と１個のリンスノズル２７を収容す
る開口部３０を設けている。このノズル待機機構２６は
、シリンダーあるいはモータ駆動するボールスクリュウ
等の進退機構によりを図１中における矢印のように移動
可能に設けられて、ノズルスキャンアーム２５が所望の
ノズルを握持するように設けている。To explain the above structure in detail, as shown in FIGS. 2 to 4, a container-like nozzle standby mechanism 26 whose inside is filled with a solvent 31 has an opening 29 in which three resist nozzles 28 are housed in the upper part. An opening 30 for accommodating one rinse nozzle 27 is provided. This nozzle standby mechanism 26 is provided so that it can be moved as shown by the arrow in FIG. ing.
【００１１】レジストノズル２８は、ホルダ３２とレジ
スト供給パイプ３３とノズルチップ３４と下部に保持筒
３５ａを有する保持部３５よりなる。また、リンスノズ
ル２７は、ホルダ３６とリンス液供給パイプ３７と注出
針３８と下部に保持筒３９ａを有する保持部３９よりな
る。この場合、供給パイプ３７より溶剤を注入するので
、リンスノズル２７をノズル待機機構２６に装着した状
態で溶剤を注入すると、ノズル待機機構２６の内部に溶
剤を充満するための供給路を共用することができる。
更に、ノズル待機機構２６には、保持筒３５ａ、３９ａ
を挿入して位置決めするための位置決め孔４０、４１を
設けている。The resist nozzle 28 includes a holder 32, a resist supply pipe 33, a nozzle tip 34, and a holding section 35 having a holding cylinder 35a at the bottom. Further, the rinse nozzle 27 includes a holder 36, a rinse liquid supply pipe 37, a spouting needle 38, and a holding portion 39 having a holding cylinder 39a at the bottom. In this case, since the solvent is injected from the supply pipe 37, if the solvent is injected with the rinse nozzle 27 attached to the nozzle standby mechanism 26, the supply path for filling the inside of the nozzle standby mechanism 26 with the solvent can be shared. Can be done. Furthermore, the nozzle standby mechanism 26 includes holding cylinders 35a and 39a.
Positioning holes 40 and 41 are provided for inserting and positioning.
【００１２】図５及び図６において、ノズルスキャン機
構２４は、シリンダーあるいはモータ駆動するボールス
クリュウ等の進退機構によりを図中における矢印のよう
に移動可能に設けられ、かつ上下動可能に設けられて、
ノズルスキャンアーム２５が握持したノズルを半導体ウ
エハ２２の上方に移動させるように設けている。このノ
ズルスキャンアーム２５の先端部にノズルの保持部３５
、３９を握持する握持部４２を設け、この握持部４２は
、シリンダ等の駆動機構により握持できるように設けら
れている。In FIGS. 5 and 6, the nozzle scanning mechanism 24 is provided so as to be movable as shown by the arrows in the figures by an advance/retreat mechanism such as a cylinder or a motor-driven ball screw, and also to be movable up and down. ,
A nozzle scan arm 25 is provided to move the gripped nozzle above the semiconductor wafer 22. A nozzle holding portion 35 is attached to the tip of this nozzle scan arm 25.
, 39 is provided, and the grip part 42 is provided so that it can be gripped by a drive mechanism such as a cylinder.
【００１３】このレジスト塗布装置において、半導体ウ
エハ２２にレジストを塗布する場合はノズルスキャンア
ーム２５はノズル待機機構２６に収容されたレジストノ
ズル２８を選択的に取り上げ、ノズルスキャン機構２４
によってノズルスキャンアーム２５を半導体ウエハ２２
の中央まで移動させ、その位置に於いてレジスト溶液を
半導体ウエハ２２に滴下する。そして半導体ウエハ２２
は高速で回転させられてレジスト液は半導体ウエハ２２
の全面に一様に塗布され、半導体ウエハ２２上にレジス
ト膜が形成される。In this resist coating apparatus, when applying resist to the semiconductor wafer 22, the nozzle scan arm 25 selectively picks up the resist nozzle 28 housed in the nozzle standby mechanism 26, and
The nozzle scan arm 25 is moved to the semiconductor wafer 22 by
The resist solution is dropped onto the semiconductor wafer 22 at that position. and semiconductor wafer 22
is rotated at high speed and the resist liquid is applied to the semiconductor wafer 22.
The resist film is uniformly applied to the entire surface of the semiconductor wafer 22 to form a resist film.
【００１４】レジスト膜形成後、ノズルスキャンアーム
２５はレジストノズル２８を再びノズル待機機構２６に
待機させる。リンス液を噴射する場合は、まずノズルス
キャンアーム２５はノズル待機機構２６に収容されたリ
ンスノズル２７を選択的に取り上げる。その後ノズルス
キャン機構２４はノズルスキャンアーム２５を半導体ウ
エハ２２の周辺の内周部に移動させ、そこの位置に於い
てリンス溶液を半導体ウエハ２２に噴射し、半導体ウエ
ハ２２の周辺に塗布されたレジスト膜を溶解し剥離する
。なお、使用していないノズルをノズル待機機構中でノ
ズルが乾燥しないように対処すれば、レジスト液および
リンス液が乾燥することがないので、粘度が変化せず一
様なレジスト膜が得られ、塗布むらが発生しないように
できる。After forming the resist film, the nozzle scan arm 25 causes the resist nozzle 28 to stand by again in the nozzle standby mechanism 26. When injecting the rinse liquid, first, the nozzle scan arm 25 selectively picks up the rinse nozzle 27 housed in the nozzle standby mechanism 26 . Thereafter, the nozzle scan mechanism 24 moves the nozzle scan arm 25 to the inner circumference of the semiconductor wafer 22 and injects the rinsing solution onto the semiconductor wafer 22 at that position, removing the resist applied around the semiconductor wafer 22. Dissolve and peel off the film. Note that if you take measures to prevent the nozzles from drying out in the nozzle standby mechanism when the nozzles are not in use, the resist solution and rinse solution will not dry out, and a uniform resist film will be obtained without any change in viscosity. It can prevent uneven coating from occurring.
【００１５】また、図７は、レジスト除去の精度を向上
させるためにレジスト溶剤（リンス液）中の気泡を脱気
するための方法を説明した図であり、４３はリンスノズ
ル２７から吐出されるリンス液の量を調整する空気式自
動制御弁、４４はリンス液４５を貯蔵するタンク、４６
は液面を一定に保つための液面センサ、４７は３方弁、
４８はガス供給パイプ、４９は吸引パイプである。本例
においては、真空吸引ポンプを使用することなく、エア
ーを供給することによって真空吸引可能な真空吸引器（
商品名エジェクタ）５０を用いることにより従来起きて
いた気泡等の吸引によるポンプの損傷を防止している。FIG. 7 is a diagram illustrating a method for degassing bubbles in the resist solvent (rinsing liquid) in order to improve the precision of resist removal. A pneumatic automatic control valve for adjusting the amount of rinsing liquid, 44 a tank for storing rinsing liquid 45, 46
is a liquid level sensor to keep the liquid level constant, 47 is a 3-way valve,
48 is a gas supply pipe, and 49 is a suction pipe. In this example, a vacuum suction device (
By using the Ejector (trade name) 50, damage to the pump due to suction of air bubbles, etc., which conventionally occurred, is prevented.
【００１６】図７においてリンスノズル２７から噴射さ
れるリンス液に気泡が含まれていると、リンス液吐出時
に噴出流が広がるのでレジストのカット状態が悪くなる
。また、リンス液中の気泡がウエハの中心部に向かって
飛散しレジスト膜に付着する。さらに、リンスノズルの
動作休止時にリンス噴射ノズルの先端からリンス液がボ
タ落ちし易く易くなる等の弊害があった。これらの弊害
を除去するために、図７に示す方法によりリンスノズル
から吐出されるリンス液に気泡を含まないような構成が
取られている。In FIG. 7, if the rinsing liquid injected from the rinsing nozzle 27 contains air bubbles, the jet stream spreads when the rinsing liquid is discharged, resulting in poor cutting of the resist. Furthermore, bubbles in the rinsing liquid scatter toward the center of the wafer and adhere to the resist film. Furthermore, there have been problems such as the rinsing liquid tends to drip from the tip of the rinsing spray nozzle when the rinsing nozzle is not in operation. In order to eliminate these disadvantages, a configuration is adopted in which the rinsing liquid discharged from the rinsing nozzle does not contain air bubbles by the method shown in FIG.
【００１７】すなわち、リンス液供給時には３方弁４７
をガス供給パイプ４８に切り替えてＮ２ガスをガス供給
パイプ４８から供給しタンク４４中のリンス液４５を空
気式自動制御弁４３を介してリンスノズル２７から圧送
により吐出する。リンス液供給休止時には空気式自動制
御弁４３を閉じるとともに、３方弁４７を吸引パイプ４
９に切り替えて真空吸引器（商品名エジェクタ）５０を
介してタンク４４を減圧することによってリンス液４５
中の気泡を除去する。That is, when supplying the rinsing liquid, the three-way valve 47
is switched to the gas supply pipe 48, N2 gas is supplied from the gas supply pipe 48, and the rinse liquid 45 in the tank 44 is discharged under pressure from the rinse nozzle 27 via the pneumatic automatic control valve 43. When the rinse liquid supply is stopped, the pneumatic automatic control valve 43 is closed, and the three-way valve 47 is closed to the suction pipe 4.
9 and depressurizes the tank 44 via a vacuum suction device (trade name: ejector) 50 to remove the rinsing liquid 45.
Remove air bubbles inside.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジストノズルおよびリンスノズルを隣接して待機させ
、これらのノズルをノズルスキャンアームによって選択
的に取り替えて使用する。したがって、本発明において
はノズルスキャンアームおよびノズルスキャン機構が１
個で済むので、装置の構成が簡単になる。また、レジス
トノズルの移動、停止動作をプログラムによって精度よ
く可変させることができるので精度よくレジスト膜を除
去できる。また、リンスノズルは通常先端が細く機械的
強度が小さいためノズル待機機構に収容することにより
、メンテナンス時に誤って人が触れたりしてリンスノズ
ルが変形することを防止できる。また、レジストノズル
をレジスト溶剤の中に待機させて置く場合、リンスノズ
ルから溶剤を供給させて使用できるので雰囲気形成用の
溶剤供給機構を別に設ける必要はない。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention,
A resist nozzle and a rinse nozzle are placed on standby adjacent to each other, and these nozzles are selectively replaced and used by a nozzle scan arm. Therefore, in the present invention, the nozzle scan arm and the nozzle scan mechanism are
Since only one is required, the configuration of the device is simplified. Furthermore, since the movement and stopping operations of the resist nozzle can be varied with high precision by a program, the resist film can be removed with high precision. Further, since the rinse nozzle usually has a thin tip and low mechanical strength, by housing it in the nozzle standby mechanism, it is possible to prevent the rinse nozzle from being deformed due to accidental touching during maintenance. Furthermore, when the resist nozzle is placed on standby in the resist solvent, the solvent can be supplied from the rinse nozzle and used, so there is no need to provide a separate solvent supply mechanism for atmosphere formation.
【図１】本発明の一実施例のレジスト塗布装置を示す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明のレジストノズルおよびリンスノズルの
正面図である。FIG. 2 is a front view of a resist nozzle and a rinse nozzle of the present invention.
【図３】本発明のノズル待機機構の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the nozzle standby mechanism of the present invention.
【図４】本発明のノズル待機機構の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of the nozzle standby mechanism of the present invention.
【図５】本発明のレジスト塗布装置を示す一部切欠き拡
大平面図である。FIG. 5 is an enlarged partially cutaway plan view showing the resist coating apparatus of the present invention.
【図６】本発明のレジスト塗布装置を示す一部切欠き拡
大正面図である。FIG. 6 is an enlarged partially cutaway front view showing the resist coating apparatus of the present invention.
【図７】本発明のレジスト塗布装置におけるリンス液の
脱気方法を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a method of degassing the rinse liquid in the resist coating apparatus of the present invention.
【図８】従来技術におけるレジスト塗布装置の一例を示
す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of a resist coating apparatus in the prior art.
【図９】従来技術におけるレジスト塗布装置の他の例を
示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing another example of a resist coating apparatus in the prior art.
２１ レジスト塗布装置 ２２ 半導体ウエハ ２３ カップ ２４ ノズルスキャン機構 ２５ ノズルスキャンアーム ２６ ノズル待機機構 ２７ リンスノズル ２８ レジストノズル 21 Resist coating equipment 22 Semiconductor wafer 23 Cup 24 Nozzle scan mechanism 25 Nozzle scan arm 26 Nozzle standby mechanism 27 Rinse nozzle 28 Resist nozzle
Claims (2)
レジストノズルとレジスト膜の周縁部を溶解除去するリ
ンス液を供給するリンスノズルを備えたレジスト塗布装
置において、上記レジストノズルおよびリンスノズルを
隣接して収容し待機させるノズル待機機構と、上記レジ
ストノズルまたはリンスノズルを選択的に取り出すノズ
ルスキャンアームと、上記ノズルスキャンアームを移動
させるノズルスキャン機構とを備えたことを特徴とする
レジスト塗布装置。1. A resist coating apparatus comprising a resist nozzle for supplying a resist coating liquid to a semiconductor wafer and a rinse nozzle for supplying a rinsing liquid for dissolving and removing a peripheral portion of a resist film, wherein the resist nozzle and the rinse nozzle are arranged adjacent to each other. 1. A resist coating apparatus comprising: a nozzle standby mechanism for storing and waiting the resist nozzle; a nozzle scan arm for selectively taking out the resist nozzle or the rinse nozzle; and a nozzle scan mechanism for moving the nozzle scan arm.
を特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。2. The resist coating apparatus according to claim 1, further comprising a mechanism for deaerating the rinse liquid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040452A JP3016211B2 (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Resist processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040452A JP3016211B2 (en) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | Resist processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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|---|---|---|---|---|
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