JP3006249B2 - 半導体ウェーハの研磨装置 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨装置Info
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Description
の表面粗さに鏡面研磨する研磨装置に関する。
単体元素、III−V族やII−VI族化合物に代表さ
れる化合物半導体の単結晶から製造され、各種エレクト
ロニクス製品を製造するための重要な素材となってい
る。その代表的製品である、シリコン単結晶ウェーハ
(以下単にウェーハとする)の場合、例えば図4に示す
ような製造工程により作られる。まず、シリコン単結晶
インゴットを作り、それの外径を円筒研磨すると共に一
部面取り(OF加工)を行う。次に、所定の厚みにスラ
イシングし、外周を面取り(ベベリング)した後、所定
のラッピング,エッチングおよび熱処理を行い、研磨工
程に入る。研磨工程は通常、1次研磨、2次研磨、3次
研磨と複数段階で構成される。1次研磨および2次研磨
は半導体ウェーハを所定の厚みにすべく所定取代だけ研
磨すると共に概略の平坦度を得るための研磨工程を分担
する。一方、3次以上の研磨は所定の表面粗さを得るた
めのものである。
軸に表面粗さを表示したものであり、前記の各研磨工程
の分担をわかり易く表示したものである。この表面粗さ
は、一例として光学干渉式表面粗さ計で測定することが
でき、その値はRrms (Roughness Root
−Mean−Square)記号によりnm(ナノメー
ター)単位で表示される。
図4に示すように洗浄工程で洗浄された後、検査,出荷
される。なお、図示していないが、ウェーハの研磨方法
としては、研磨布を表面に敷設して回転する研磨テーブ
ル上に、ウェーハ保持ヘッドに保持されたウェーハを押
圧しながら回転し、ウェーハと研磨布間に砥粒とアルカ
リ性の液剤とを混合したメカノケミカルの研磨剤を介在
させて行う。
条件としては、研磨テーブルとウェーハ保持ヘッド間の
相対速度と、半導体ウェーハを研磨布側に押圧する研磨
圧力と、研磨布および研磨剤の種類等が上げられる。図
5は横軸に研磨圧力(g/cm2 )をとり、縦軸に研磨
布単位長さあたりの切込量(nm/m)をとったもので
ある。また、符号D,E,Fは研磨布の種類を表わす。
図示のように研磨布の種類の如何に拘らず、研磨圧力が
高い方が切込量は大きい。一方、研磨テーブルとウェー
ハ保持ヘッド間の相対速度は速い程表面粗さはよくなる
傾向にあり、研磨布は軟らかい方が表面粗さがよくなる
が切込量は小さくなる。以上のことから、従来の研磨工
程では予め研磨条件を各段階ごとに一定にしてウェーハ
研磨を行っていた。従って、ウェーハの面粗さは初期に
設置された研磨条件により略決められていた。図6に示
すように、研磨布3の表面はその硬,軟に拘らず凹凸に
形成され、その凹凸に沿って研磨剤11が付着してい
る。ウェーハ5が仮りに平坦に形成されていても(実際
はかなり凹凸している)、所定の研磨圧力によりウェー
ハ5を波状の研磨布3に押圧して研磨すると、図7に示
すように研磨布3の波状形状がウェーハ5に転写され、
ウェーハ5の表面を粗らす。そのため、長時間研磨して
も所望の表面粗さのウェーハ5を得ることが出来ない問
題点があった。
ト研削方法が従来より行われている。スパークアウト研
削とは、砥石でワークを研削加工する際に、砥石の送り
を止めてワークを研削し、その状態で研削する技術であ
り、公知のものである。特公平3−49705号公報は
その一例を示す開示例である。同技術はウェーハをカッ
プ形砥石で研削仕上げするもので、所定の切込量に達し
た位置で砥石の切込を止め、同時にウェーハの回転を減
速して所望の仕上面精度を得るようにしたものである。
開示するような公知のスパークアウト研削技術から着想
したものであるが、ウェーハの研磨工程には切込の概念
がなく研削工程のようなスパークアウト研削技術をその
まま適用することが出来ない。また、図6および図7に
示したように、ウェーハの研磨圧力により、研磨布3側
の凹凸がウェーハ側に転写されてしまい、表面粗さをそ
れ以上向上させることが出来ない。そこで、本発明は、
図6および図7に示した問題点が研磨条件、特に研磨圧
力に影響があることを見出すと共に、前記スパークアウ
ト研削技術を基にして前記スパークアウト研磨工程を創
案し、ウェーハの面粗さを効率よく改善することが出来
るウェーハの研磨装置を提供することを目的とする。
めに、本発明に係る半導体ウェーハの研磨装置は、研磨
テーブルの表面に敷設された研磨布にウェーハ保持ヘッ
ドに保持された半導体ウェーハを所定の研磨圧力で押圧
し、前記研磨布と前記ウェーハ間に研磨剤を介在させな
がら該ウェーハの鏡面研磨を行う研磨装置において、研
磨テーブルを回転駆動する研磨テーブル駆動部と、ウェ
ーハ保持ヘッドを回転駆動するウェーハ保持ヘッド駆動
部と、ウェーハの研磨圧力を調整する研磨圧力調整部
と、実際の研磨圧力を検出する研磨圧力検出部と、制御
装置とから構成され、該制御装置は、前記ウェーハにつ
いて所定の研磨代を得るために行う通常研磨工程と、該
通常研磨工程後のウェーハを所定の表面粗さに鏡面研磨
仕上げするために行うスパークアウト研磨工程とを自動
制御するものであって、これら通常研磨工程およびスパ
ークアウト研磨工程では、研磨テーブル駆動部,ウェー
ハ保持ヘッド駆動部,研磨圧力調整部,研磨圧力検出部
にそれぞれ連結してこれらを自動制御すると共に、通常
研磨工程の時間を所定時間t0 に調整制御した後、スパ
ークアウト研磨工程における研磨圧力,時間t1 ,前記
研磨テーブルとウェーハ保持ヘッド間の相対速度等を、
研磨布,研磨剤,ウェーハの形状および材質,通常研磨
工程条件等を基にして調整制御すべく構成されることを
特徴とする。
類、半導体ウェーハの形状及び材質等を考慮して通常研
磨工程の研磨圧力,研磨すべき時間t0 および研磨テー
ブルとウェーハ保持ヘッドとの相対速度等を定め、通常
研磨を行う。時間t0 が経過したことを制御装置により
確認したら、予め決められた研磨条件に基づきウェーハ
保持ヘッドの研磨圧力を下げ、スパークアウト研磨工程
内に調整する。所定の研磨圧力の有無を研磨圧力を検出
部にて検出し、OKの場合は所定時間t1 だけスパーク
アウト研磨を行う。時間t1 経過後、所望の表面粗さに
仕上げられたら研磨工程を終了し、次工程の洗浄を行
う。本発明のスパークアウト研磨工程は、研磨布と研磨
剤によるメカノケミカルな鏡面研磨方法において、研磨
布および研磨剤による切込作用のあることを発見し、そ
れを応用した研磨方法であるから、その作用は、通常研
磨工程における研磨圧力が比較的高く、また硬度が高く
圧縮率の低い研磨布を用いた場合に、より効果的に発揮
される。すなわち、このような特性の研磨布を使用する
ことにより、従来の研磨法よりも面粗さは向上する。従
って、本発明の適用は前述の鏡面研磨段階の1次研磨ま
たは2次研磨の段階で行なうことがより効果的であり、
それにより3次研磨が省略できるか、またはその工程の
手間を省いたり、3次研磨時間を短縮することができ
る。また、従来法における1次研磨、2次研磨、3次研
磨の各段階で研磨機や研磨の諸条件を使い分ける必要性
も簡略化できるので、スパークアウト研磨導入に伴う研
磨時間の延長は、研磨機の種類切替えの手間が省略され
たり、研磨条件の簡略化により相殺され、しかも表面粗
さは従来法に比して改善されるので、その分が利得とな
るものである。勿論このスパークアウト研磨は、最終の
研磨段階での適用も可能であるし、スパークアウトを1
段のみとせず、2〜3段に分けて行なうこともできる。
また、装置は、ウェーハ単枚処理の枚葉式研磨機または
複数枚単位処理のバッチ式研磨機のいずれにても適用が
可能である。
する。図1は本実施例の全体構成図であり、図2は本実
施例の作用動作を説明するためのフローチャートであ
り、図3は研磨圧力,時間t1 と表面粗さの関係を示す
線図である。図1に示すように表面が平坦な研磨テーブ
ル2の表面には研磨布3が敷設される。研磨テーブル2
は研磨テーブル駆動部4により回転駆動される。半導体
ウェーハ5を保持するトップリング6を有するウェーハ
保持ヘッド7は研磨テーブル2の表面上に配設され、ウ
ェーハ保持ヘッド駆動部8により回転駆動される。な
お、半導体ウェーハ5は研磨布3に当接係合する。ウェ
ーハ保持ヘッド7には半導体ウェーハ5を研磨布3側に
押圧し研磨圧力を調整するための研磨圧力調整部9と研
磨圧力を検出するための研磨圧力検出部10がそれぞれ
係合して配置される。また、研磨テーブル2の表面側に
は研磨剤11を研磨布3側に供給する研磨剤供給手段1
2等が配置される。
ェーハ保持ヘッド駆動部8,研磨圧力調整部9,研磨圧
力検出部10等を自動制御するもので、それ等と電気的
に連結する。また、制御装置1には半導体ウェーハ5の
形状および材質等のデータや研磨布3,研磨剤の種類等
の研磨工程に必要な各データが入力,記憶される。図1
の表示部13に示すように、制御装置1は研磨工程にお
ける研磨圧力,研磨時間,研磨テーブル2とウェーハ保
持ヘッド7間の相対速度等を研磨剤,研磨布3の種類と
ウェーハの形状および材質等のデータを基にして設定す
ると共に、それ等に基づき研磨テーブル2,ウェーハ保
持ヘッド7等を自動制御するように構成される。本実施
例では研磨工程を研磨圧力p0 で研磨時間t0 の通常研
磨工程と研磨圧力p1 で研磨時間t1 のスパークアウト
研磨工程の2工程から形成される。半導体ウェーハ5は
まず、研磨圧力p0 で研磨布3に押圧され、時間t0 だ
け通常研磨が行われた後、研磨圧力p0 よりも低圧力の
研磨圧力p1 で研磨時間t1 のスパークアウト研磨によ
り仕上げられて完成品となる。
例の作用動作を説明する。まず、研磨圧力p0 ,研磨時
間t0 の通常研磨が行われる(ステップ100)。通常
研磨の研磨時間がt0 に達したか否かの自動チェックが
行われ(ステップ101)、yesの場合には次工程は
スパークアウト研磨の各研磨条件,本実施例では研磨圧
力p1 ,および研磨時間t1 の設定(ステップ102)
を経た後、設定値通りに形成されているかの条件チェッ
クを行う(ステップ103)。yesの場合には次工程
のスパークアウト研磨実施を行う(ステップ104)。
スパークアウト研磨の研磨時間t1 の経過を確認する
(ステップ105)。yesの場合には表面粗さの測定
を行う(ステップ106)。所定の表面粗さを満足した
か否かを確認し(ステップ107)、yesの場合には
スパークアウト研磨工程を終了し、次工程側に搬送され
る(ステップ108)。
図である。図中には3つの研磨圧力A,B,Cの場合が
示され、C>B>Aである。前記研磨圧力p0 がC表示
に相当し、前記研磨圧力p1 がB,Aで示される。下方
の横軸には研磨圧力A,B,Cの場合の研磨時間t1 が
それぞれ示され、上方の横軸には研磨代(取代)が示さ
れる。また、縦軸には表面粗さが示される。研磨圧力C
で研磨時間t0 の通常研磨が行われた後、研磨圧力を
A,Bに変えることにより表面粗さが変化することがわ
かる。例えば、一番低い研磨圧力のAの場合には研磨時
間t1 が長いが表面粗さは大巾に小さくなる。一方、研
磨圧力が中間のBの場合には表面粗さは勿論改善され、
かつ研磨時間t1 が比較的短いが途中から飽和してしま
うため、研磨代が増加しても所望の表面粗さを得ること
が出来ない場合が生ずる。当然ながら研磨圧力Cを維持
した場合、表面粗さも変化しない。
半導体ウェーハは、Si単結晶でP型の引上結晶方位<
100>、直径125mmのものであり、装置は枚葉式
鏡面研磨機を使用した。実験は通常の鏡面研磨工程を想
定し、研磨布/研磨剤について、次の3通りの条件組み
合わせで行った。 (1)1次研磨用:硬質ベロアタイプクロス/コロイダ
ルシリカ系研磨剤(研磨布のJISアスカーC硬度8
5、圧縮率4.0%) (2)2次研磨用:軟質ベロアタイプクロス/コロイダ
ルシリカ系研磨剤(研磨布のJISアスカーC硬度7
5、圧縮率9.0%) (3)3次研磨用:スウェードタイプクロス/コロイダ
ルシリカ系研磨剤 表面粗さは、光学干渉式表面粗さ計によりRrms 値(単
位nm)で測定した。通常研磨条件は、研磨圧力を40
0g/cm2 、相対速度を50〜150m/分の範囲と
し、研磨時間は10分に固定した。これに対し、スパー
クアウト研磨は、研磨圧力を通常研磨時の圧力以下と
し、研磨時間は0〜30分の範囲で試験した。結果とし
て(1)及び(2)の場合には、スパークアウト研磨に
おける研磨圧力の低下により、ウェーハの面粗さが大幅
に改良されることが測定された。すなわち、(1)の場
合において、スパークアウト研磨圧力250g/cm2
として3分間研磨した結果は、通常研磨条件におけるR
rms 値の1.00nmが0.80nmに、同様(2)の
場合は1.00nmが0.85nmに、しかし、(3)
の場合は1.00nmが0.92nmとスパークアウト
による効果は小さかった。前記条件方法において、スパ
ークアウトの研磨圧力のみを100g/cm2 の低い圧
力に変更したところ、(1)(2)それぞれにおける面
粗さは0.75nm、0.80nmと更に改善された
が、(3)の場合は誤差範囲の効果しか得られなかっ
た。
磨により半導体ウェーハの5の面粗さは大巾に改善させ
るが、スパークアウト研磨の研磨条件は前記実施例のよ
うに研磨圧力,研磨時間の変更にのみ限定するものでな
く、通常研磨とスパークアウト研磨間で研磨布,研磨剤
等の各条件を変えることにより、更に、面粗さの改善を
図ることが出来る。
られる。 (1)研磨代を目的とした比較的高い研磨圧力で研磨し
た場合に較べ、研磨条件、特に研磨圧力を変えることに
より、研磨布の凹凸の影響を直接うけることが減少し面
粗さを大巾に向上することが出来る。 (2)通常研磨からスパークアウト研磨への移行は制御
装置により自動的に行われるため従来の1次,2次,3
次研磨工程に較べ、効率的な研磨が行われる。 (3)制御装置に、面粗さに影響を与える因子を入力
し、最適の条件でスパークアウト研磨をすることが可能
のため、所望の面粗さを有するウェーハ研磨が可能とな
る。 (4)研磨工程における研磨圧力が比較的高く、また硬
度が高く圧縮率の低い研磨布を用いた場合に、研磨布に
よる切込作用がより効果的に発揮される。 (5)鏡面研磨段階の1次研磨または2次研磨の段階で
本発明を適用することにより、3次研磨が省略できる
か、またはその工程の手間を省いたり、3次研磨時間を
短縮することができる。 (6)1次研磨、2次研磨、3次研磨の各段階で研磨機
や研磨の諸条件を使い分ける必要性も簡略化できるの
で、スパークアウト研磨導入に伴う研磨時間の延長は、
研磨機の種類切替えの手間が省略されたり、研磨条件の
簡略化により相殺され、しかも表面粗さは従来法に比し
て改善されるので、その分が利得となる。 (7)研磨圧力の変更は特に難しいものでなく、容易に
実施可能である。
ャートである。
明用フローチャートである。
を示す拡大一部断面図である。
を示す拡大一部断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 研磨テーブルの表面に敷設された研磨布
にウェーハ保持ヘッドに保持された半導体ウェーハを所
定の研磨圧力で押圧し、前記研磨布と前記ウェーハ間に
研磨剤を介在させながら該ウェーハの鏡面研磨を行う研
磨装置において、研磨テーブルを回転駆動する研磨テー
ブル駆動部と、ウェーハ保持ヘッドを回転駆動するウェ
ーハ保持ヘッド駆動部と、ウェーハの研磨圧力を調整す
る研磨圧力調整部と、実際の研磨圧力を検出する研磨圧
力検出部と、制御装置とから構成され、該制御装置は、
前記ウェーハについて所定の研磨代を得るために行う研
磨圧力の高い高荷重研磨工程と、該高荷重研磨工程後の
ウェーハを所定の表面粗さに鏡面研磨仕上げするために
高荷重研磨工程より低い研磨圧力で行う低荷重研磨工程
とを自動制御するものであって、これら高荷重研磨工程
および低荷重研磨工程では、研磨テーブル駆動部,ウェ
ーハ保持ヘッド駆動部,研磨圧力調整部,研磨圧力検出
部にそれぞれ連結してこれらを自動制御すると共に、高
荷重研磨工程の時間を所定時間t0 に調整制御した後、
低荷重研磨工程における研磨圧力,時間t1 ,前記研磨
テーブルとウェーハ保持ヘッド間の相対速度等を、研磨
布,研磨剤,ウェーハの形状および材質,高荷重研磨工
程条件等を基にして調整制御すべく構成されることを特
徴とする半導体ウェーハの研磨装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP3356287A JP3006249B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3356287A JP3006249B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Publications (2)
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JPH05177533A JPH05177533A (ja) | 1993-07-20 |
JP3006249B2 true JP3006249B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=18448277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3356287A Expired - Fee Related JP3006249B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体ウェーハの研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP7175698B2 (ja) * | 2018-10-03 | 2022-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Family Cites Families (1)
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-
1991
- 1991-12-24 JP JP3356287A patent/JP3006249B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH05177533A (ja) | 1993-07-20 |
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